JP2001002643A - ヒドロキシ−２−ハロゲノピリジン誘導体の製造方法 - Google Patents
ヒドロキシ−２−ハロゲノピリジン誘導体の製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 ヒドロキシ−２−ハロゲノピリジン誘導体を
収率よく、工業的に有利に製造する方法を提供する。 【解決手段】 一般式（Ｉ） で示されるハロゲノ−２−スルホニルピリジン誘導体を
カルボン酸塩と反応させて一般式（ＩＩ） で示されるヒドロキシ−２−スルホニルピリジン誘導体
を得、得られたヒドロキシ−２−スルホニルピリジン誘
導体（ＩＩ）をアシル化して一般式（ＩＩＩ） で示されるアシルオキシ−２−スルホニルピリジン誘導
体を得、得られたアシルオキシ−２−スルホニルピリジ
ン誘導体（ＩＩＩ）をハロゲン化剤と反応させて一般式
(ＩＶ) で示されるアシルオキシ−２−ハロゲノピリジン誘導体
を得、得られたアシルオキシ−２−ハロゲノピリジン誘
導体（ＩＶ）を加溶媒分解することを特徴とする一般式
(Ｖ) で示されるヒドロキシ−２−ハロゲノピリジン誘導体の
製造方法。
収率よく、工業的に有利に製造する方法を提供する。 【解決手段】 一般式（Ｉ） で示されるハロゲノ−２−スルホニルピリジン誘導体を
カルボン酸塩と反応させて一般式（ＩＩ） で示されるヒドロキシ−２−スルホニルピリジン誘導体
を得、得られたヒドロキシ−２−スルホニルピリジン誘
導体（ＩＩ）をアシル化して一般式（ＩＩＩ） で示されるアシルオキシ−２−スルホニルピリジン誘導
体を得、得られたアシルオキシ−２−スルホニルピリジ
ン誘導体（ＩＩＩ）をハロゲン化剤と反応させて一般式
(ＩＶ) で示されるアシルオキシ−２−ハロゲノピリジン誘導体
を得、得られたアシルオキシ−２−ハロゲノピリジン誘
導体（ＩＶ）を加溶媒分解することを特徴とする一般式
(Ｖ) で示されるヒドロキシ−２−ハロゲノピリジン誘導体の
製造方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はヒドロキシ−２−ハ
ロゲノピリジン誘導体の製造方法に関する。本発明によ
り製造されるヒドロキシ−２−ハロゲノピリジン誘導体
は、医薬、農薬の合成中間体として、例えば鎮痛薬とし
て臨床試験が進められている（Ｒ）−５−（２−アゼチ
ジニルメトキシ）−２−クロロピリジン［ＡＢＴ−５９
４］の合成中間体として有用である［ジャーナル オブ
メディシナル ケミストリー（Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ
Ｍｅｄｉｃｉｎａｌ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ）、第４１
巻、４０７頁（１９９８年）；サイエンス（Ｓｃｉｅｎ
ｃｅ）第２７９巻、７７頁（１９９８年）；国際公開９
８−２５９２０号公報参照］。
ロゲノピリジン誘導体の製造方法に関する。本発明によ
り製造されるヒドロキシ−２−ハロゲノピリジン誘導体
は、医薬、農薬の合成中間体として、例えば鎮痛薬とし
て臨床試験が進められている（Ｒ）−５−（２−アゼチ
ジニルメトキシ）−２−クロロピリジン［ＡＢＴ−５９
４］の合成中間体として有用である［ジャーナル オブ
メディシナル ケミストリー（Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ
Ｍｅｄｉｃｉｎａｌ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ）、第４１
巻、４０７頁（１９９８年）；サイエンス（Ｓｃｉｅｎ
ｃｅ）第２７９巻、７７頁（１９９８年）；国際公開９
８−２５９２０号公報参照］。
【０００２】
【従来の技術】従来、ヒドロキシ−２−ハロゲノピリジ
ン誘導体、例えば２−クロロ−５−ヒドロキシピリジン
の製造方法としては、５−アミノ−２−クロロピリジ
ンのアミノ基を亜硝酸ナトリウムおよび硫酸でジアゾ化
し、得られるジアゾニウム塩を酸性水溶液中で熱分解さ
せる方法［ジャーナル オブ メディシナル ケミスト
リー（Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｍｅｄｉｃｉｎａｌ Ｃ
ｈｅｍｉｓｔｒｙ）、第１６巻、３１９頁（１９７３
年）；ヒェーミシュ ベリヒテ（ＣｈｅｍｉｓｃｈＢｅ
ｒｉｃｈｔｅ）、第１２５巻、１１３１頁（１９９２
年）参照］、５−アミノ−２−クロロピリジンのアミ
ノ基を三フッ化ホウ素ジエチルエーテル錯体および亜硝
酸アルキルでジアゾ化し、得られるジアゾニウム塩を無
水酢酸中にて熱分解させて５−アセトキシ−２−クロロ
ピリジンとした後、これを加水分解する方法［シンセシ
ス（Ｓｙｎｔｈｅｓｉｓ）、４９９頁（１９９０年）；
テトラヘドロン アサイメトリー（Ｔｅｔｒａｈｅｄｒ
ｏｎ Ａｓｙｍｍｅｔｒｙ）、第９巻、２７９１頁（１
９９８年）参照］などが知られている。
ン誘導体、例えば２−クロロ−５−ヒドロキシピリジン
の製造方法としては、５−アミノ−２−クロロピリジ
ンのアミノ基を亜硝酸ナトリウムおよび硫酸でジアゾ化
し、得られるジアゾニウム塩を酸性水溶液中で熱分解さ
せる方法［ジャーナル オブ メディシナル ケミスト
リー（Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｍｅｄｉｃｉｎａｌ Ｃ
ｈｅｍｉｓｔｒｙ）、第１６巻、３１９頁（１９７３
年）；ヒェーミシュ ベリヒテ（ＣｈｅｍｉｓｃｈＢｅ
ｒｉｃｈｔｅ）、第１２５巻、１１３１頁（１９９２
年）参照］、５−アミノ−２−クロロピリジンのアミ
ノ基を三フッ化ホウ素ジエチルエーテル錯体および亜硝
酸アルキルでジアゾ化し、得られるジアゾニウム塩を無
水酢酸中にて熱分解させて５−アセトキシ−２−クロロ
ピリジンとした後、これを加水分解する方法［シンセシ
ス（Ｓｙｎｔｈｅｓｉｓ）、４９９頁（１９９０年）；
テトラヘドロン アサイメトリー（Ｔｅｔｒａｈｅｄｒ
ｏｎ Ａｓｙｍｍｅｔｒｙ）、第９巻、２７９１頁（１
９９８年）参照］などが知られている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
方法は、ジアゾ化の際の収率が方法では２０％、方法
では５３％といずれも低い。また、原料として用いる
５−アミノ−２−クロロピリジンの製造には、２−アミ
ノピリジンの５位をニトロ化し、次いで２位のアミノ基
をジアゾ化し、ジアゾニウム塩を加水分解して水酸基へ
と変換し、該水酸基を五塩化リンで塩素化してから、５
位のニトロ基を還元するという多工程を必要とする上、
５位のニトロ化には有害物質である濃硫酸および濃硝酸
を用いる必要があり、かつ収率は５９％と低いこと、５
位のニトロ基の還元に５０気圧という高圧を必要とする
ことなどの種々の問題点が存在し、ヒドロキシ−２−ハ
ロゲノピリジン誘導体の優れた製造方法とは言い難い。
しかして、本発明の目的は、ヒドロキシ−２−ハロゲノ
ピリジン誘導体を簡便かつ高収率で、工業的に有利に製
造する方法を提供することにある。
方法は、ジアゾ化の際の収率が方法では２０％、方法
では５３％といずれも低い。また、原料として用いる
５−アミノ−２−クロロピリジンの製造には、２−アミ
ノピリジンの５位をニトロ化し、次いで２位のアミノ基
をジアゾ化し、ジアゾニウム塩を加水分解して水酸基へ
と変換し、該水酸基を五塩化リンで塩素化してから、５
位のニトロ基を還元するという多工程を必要とする上、
５位のニトロ化には有害物質である濃硫酸および濃硝酸
を用いる必要があり、かつ収率は５９％と低いこと、５
位のニトロ基の還元に５０気圧という高圧を必要とする
ことなどの種々の問題点が存在し、ヒドロキシ−２−ハ
ロゲノピリジン誘導体の優れた製造方法とは言い難い。
しかして、本発明の目的は、ヒドロキシ−２−ハロゲノ
ピリジン誘導体を簡便かつ高収率で、工業的に有利に製
造する方法を提供することにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、上記の
目的は（１）一般式（Ｉ）
目的は（１）一般式（Ｉ）
【０００５】
【化１７】
【０００６】（式中、Ｒ１はアルキル基、シクロアルキ
ル基、置換基を有していてもよいアリール基または置換
基を有していてもよいアラルキル基を表し、Ｘ１、
Ｘ２、Ｘ３およびＸ４（以下、これらをＸｎで総称し、
ｎは１〜４の整数を表す）の少なくとも１つはハロゲン
原子を表し、他は水素原子またはアルキル基を表す。）
で示されるハロゲノ−２−スルホニルピリジン誘導体
（以下、ハロゲノ−２−スルホニルピリジン（Ｉ）と略
記する）をカルボン酸塩と反応させて一般式（ＩＩ）
ル基、置換基を有していてもよいアリール基または置換
基を有していてもよいアラルキル基を表し、Ｘ１、
Ｘ２、Ｘ３およびＸ４（以下、これらをＸｎで総称し、
ｎは１〜４の整数を表す）の少なくとも１つはハロゲン
原子を表し、他は水素原子またはアルキル基を表す。）
で示されるハロゲノ−２−スルホニルピリジン誘導体
（以下、ハロゲノ−２−スルホニルピリジン（Ｉ）と略
記する）をカルボン酸塩と反応させて一般式（ＩＩ）
【０００７】
【化１８】
【０００８】（式中、Ｒ１は前記定義のとおりであり、
Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３およびＹ４（以下、これらをＹｎで総
称する）はＸｎに対応して、Ｘｎがハロゲン原子である
場合にはＹｎは水酸基を表し、Ｘｎが水素原子またはア
ルキル基である場合にはＹｎはＸｎと同一である。）で
示されるヒドロキシ−２−スルホニルピリジン誘導体
（以下、ヒドロキシ−２−スルホニルピリジン（ＩＩ）
と略記する）を得、得られたヒドロキシ−２−スルホニ
ルピリジン（ＩＩ）をアシル化して一般式（ＩＩＩ）
Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３およびＹ４（以下、これらをＹｎで総
称する）はＸｎに対応して、Ｘｎがハロゲン原子である
場合にはＹｎは水酸基を表し、Ｘｎが水素原子またはア
ルキル基である場合にはＹｎはＸｎと同一である。）で
示されるヒドロキシ−２−スルホニルピリジン誘導体
（以下、ヒドロキシ−２−スルホニルピリジン（ＩＩ）
と略記する）を得、得られたヒドロキシ−２−スルホニ
ルピリジン（ＩＩ）をアシル化して一般式（ＩＩＩ）
【０００９】
【化１９】
【００１０】（式中、Ｒ１は前記定義のとおりであり、
Ｚ１、Ｚ２、Ｚ３およびＺ４（以下、これらをＺｎで総
称する）はＹｎに対応して、Ｙｎが水酸基である場合に
はＺｎは−ＯＲ２を表し、ここでＲ２はアシル基を表
し、Ｙｎが水素原子またはアルキル基である場合にはＺ
ｎはＹｎと同一である。）で示されるアシルオキシ−２
−スルホニルピリジン誘導体（以下、アシルオキシ−２
−スルホニルピリジン（ＩＩＩ）と略記する）を得、得
られたアシルオキシ−２−スルホニルピリジン（ＩＩ
Ｉ）をハロゲン化剤と反応させて一般式（ＩＶ）
Ｚ１、Ｚ２、Ｚ３およびＺ４（以下、これらをＺｎで総
称する）はＹｎに対応して、Ｙｎが水酸基である場合に
はＺｎは−ＯＲ２を表し、ここでＲ２はアシル基を表
し、Ｙｎが水素原子またはアルキル基である場合にはＺ
ｎはＹｎと同一である。）で示されるアシルオキシ−２
−スルホニルピリジン誘導体（以下、アシルオキシ−２
−スルホニルピリジン（ＩＩＩ）と略記する）を得、得
られたアシルオキシ−２−スルホニルピリジン（ＩＩ
Ｉ）をハロゲン化剤と反応させて一般式（ＩＶ）
【００１１】
【化２０】
【００１２】（式中、Ｚｎは前記定義のとおりであり、
Ａはハロゲン原子を表す。）で示されるアシルオキシ−
２−ハロゲノピリジン誘導体（以下、アシルオキシ−２
−ハロゲノピリジン（ＩＶ）と略記する）を得、得られ
たアシルオキシ−２−ハロゲノピリジン（ＩＶ）を加溶
媒分解することを特徴とする一般式（Ｖ）
Ａはハロゲン原子を表す。）で示されるアシルオキシ−
２−ハロゲノピリジン誘導体（以下、アシルオキシ−２
−ハロゲノピリジン（ＩＶ）と略記する）を得、得られ
たアシルオキシ−２−ハロゲノピリジン（ＩＶ）を加溶
媒分解することを特徴とする一般式（Ｖ）
【００１３】
【化２１】
【００１４】(式中、Ａは前記定義のとおりであり、Ｂ
１、Ｂ２、Ｂ３およびＢ４（以下、これらをＢｎで総称
する）はＺｎに対応して、Ｚｎが−ＯＲ２である場合に
はＢｎは水酸基を表し、Ｚｎが水素原子またはアルキル
基である場合にはＢｎはＺｎと同一である。)で示され
るヒドロキシ−２−ハロゲノピリジン誘導体（以下、ヒ
ドロキシ−２−ハロゲノピリジン（Ｖ）と略記する）の
製造方法、（２）アシルオキシ−２−スルホニルピリジ
ン（ＩＩＩ）をハロゲン化剤と反応させてアシルオキシ
−２−ハロゲノピリジン（ＩＶ）を得、得られたアシル
オキシ−２−ハロゲノピリジン（ＩＶ）を加溶媒分解す
ることを特徴とするヒドロキシ−２−ハロゲノピリジン
（Ｖ）の製造方法、（３）アシルオキシ−２−スルホニ
ルピリジン（ＩＩＩ）をハロゲン化剤と反応させること
を特徴とするアシルオキシ−２−ハロゲノピリジン（Ｉ
Ｖ）の製造方法、（４）アシルオキシ−２−スルホニル
ピリジン（ＩＩＩ）、（５）ヒドロキシ−２−スルホニ
ルピリジン（ＩＩ）をアシル化することを特徴とするア
シルオキシ−２−スルホニルピリジン（ＩＩＩ）の製造
方法、（６）ヒドロキシ−２−スルホニルピリジン（Ｉ
Ｉ）、および（７）ハロゲノ−２−スルホニルピリジン
（Ｉ）をカルボン酸塩と反応させることを特徴とするヒ
ドロキシ−２−スルホニルピリジン（ＩＩ）の製造方法
を提供することにより達成される。
１、Ｂ２、Ｂ３およびＢ４（以下、これらをＢｎで総称
する）はＺｎに対応して、Ｚｎが−ＯＲ２である場合に
はＢｎは水酸基を表し、Ｚｎが水素原子またはアルキル
基である場合にはＢｎはＺｎと同一である。)で示され
るヒドロキシ−２−ハロゲノピリジン誘導体（以下、ヒ
ドロキシ−２−ハロゲノピリジン（Ｖ）と略記する）の
製造方法、（２）アシルオキシ−２−スルホニルピリジ
ン（ＩＩＩ）をハロゲン化剤と反応させてアシルオキシ
−２−ハロゲノピリジン（ＩＶ）を得、得られたアシル
オキシ−２−ハロゲノピリジン（ＩＶ）を加溶媒分解す
ることを特徴とするヒドロキシ−２−ハロゲノピリジン
（Ｖ）の製造方法、（３）アシルオキシ−２−スルホニ
ルピリジン（ＩＩＩ）をハロゲン化剤と反応させること
を特徴とするアシルオキシ−２−ハロゲノピリジン（Ｉ
Ｖ）の製造方法、（４）アシルオキシ−２−スルホニル
ピリジン（ＩＩＩ）、（５）ヒドロキシ−２−スルホニ
ルピリジン（ＩＩ）をアシル化することを特徴とするア
シルオキシ−２−スルホニルピリジン（ＩＩＩ）の製造
方法、（６）ヒドロキシ−２−スルホニルピリジン（Ｉ
Ｉ）、および（７）ハロゲノ−２−スルホニルピリジン
（Ｉ）をカルボン酸塩と反応させることを特徴とするヒ
ドロキシ−２−スルホニルピリジン（ＩＩ）の製造方法
を提供することにより達成される。
【００１５】
【発明の実施の形態】上記一般式中、Ｒ１、Ｘ１、
Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４、Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３、Ｙ４、Ｚ １、Ｚ
２、Ｚ３、Ｚ４、Ｂ１、Ｂ２、Ｂ３およびＢ４が表すア
ルキル基としては、例えばメチル基、エチル基、プロピ
ル基、イソプロピル基、ブチル基、sec−ブチル基、ter
t−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、
デシル基などの直鎖状または分岐鎖状のアルキル基が挙
げられる。
Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４、Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３、Ｙ４、Ｚ １、Ｚ
２、Ｚ３、Ｚ４、Ｂ１、Ｂ２、Ｂ３およびＢ４が表すア
ルキル基としては、例えばメチル基、エチル基、プロピ
ル基、イソプロピル基、ブチル基、sec−ブチル基、ter
t−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、
デシル基などの直鎖状または分岐鎖状のアルキル基が挙
げられる。
【００１６】Ｒ１が表すシクロアルキル基としては、例
えばシクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキ
シル基、シクロオクチル基などが挙げられる。
えばシクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキ
シル基、シクロオクチル基などが挙げられる。
【００１７】Ｒ１が表すアリール基としては、例えばフ
ェニル基、ナフチル基などが挙げられ、アラルキル基と
しては、例えばベンジル基、フェネチル基などが挙げら
れる。これらのアリール基およびアラルキル基は置換基
を有していてもよく、かかる置換基としては、例えばメ
チル基、エチル基、プロピル基、tert−ブチル基などの
アルキル基；メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基な
どのアルコキシル基；フッ素原子、塩素原子、臭素原子
などのハロゲン原子；メトキシカルボニル基、エトキシ
カルボニル基、プロポキシカルボニル基などのアルコキ
シカルボニル基；シアノ基；ニトロ基などが挙げられ
る。
ェニル基、ナフチル基などが挙げられ、アラルキル基と
しては、例えばベンジル基、フェネチル基などが挙げら
れる。これらのアリール基およびアラルキル基は置換基
を有していてもよく、かかる置換基としては、例えばメ
チル基、エチル基、プロピル基、tert−ブチル基などの
アルキル基；メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基な
どのアルコキシル基；フッ素原子、塩素原子、臭素原子
などのハロゲン原子；メトキシカルボニル基、エトキシ
カルボニル基、プロポキシカルボニル基などのアルコキ
シカルボニル基；シアノ基；ニトロ基などが挙げられ
る。
【００１８】Ｒ２が表すアシル基としては、例えばアセ
チル基、プロパノイル基、ブタノイル基、ピバロイル基
などの脂肪族アシル基；ベンゾイル基などの芳香族アシ
ル基などが挙げられる。
チル基、プロパノイル基、ブタノイル基、ピバロイル基
などの脂肪族アシル基；ベンゾイル基などの芳香族アシ
ル基などが挙げられる。
【００１９】Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４およびＡが表すハ
ロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子
などが挙げられる。
ロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子
などが挙げられる。
【００２０】以下、各工程について説明する。
【００２１】（１）ハロゲノ−２−スルホニルピリジン
（Ｉ）をカルボン酸塩と反応させてヒドロキシ−２−ス
ルホニルピリジン（ＩＩ）を製造する工程
（Ｉ）をカルボン酸塩と反応させてヒドロキシ−２−ス
ルホニルピリジン（ＩＩ）を製造する工程
【００２２】カルボン酸塩としては、例えばギ酸、酢
酸、プロピオン酸、酪酸、吉草酸、イソ吉草酸、ピバリ
ン酸、安息香酸などのカルボン酸のアルカリ金属塩また
はアルカリ土類金属塩が挙げられる。これらの中でも、
反応を円滑に進行させることおよび工業的に入手が容易
な観点から、酢酸ナトリウム、安息香酸ナトリウム、ピ
バリン酸ナトリウムが好ましい。カルボン酸塩の使用量
に厳密な意味での制限はないが、通常ハロゲノ−２−ス
ルホニルピリジン（Ｉ）に対して１〜１０モル倍の範囲
が好ましく、１〜３モル倍の範囲がより好ましい。
酸、プロピオン酸、酪酸、吉草酸、イソ吉草酸、ピバリ
ン酸、安息香酸などのカルボン酸のアルカリ金属塩また
はアルカリ土類金属塩が挙げられる。これらの中でも、
反応を円滑に進行させることおよび工業的に入手が容易
な観点から、酢酸ナトリウム、安息香酸ナトリウム、ピ
バリン酸ナトリウムが好ましい。カルボン酸塩の使用量
に厳密な意味での制限はないが、通常ハロゲノ−２−ス
ルホニルピリジン（Ｉ）に対して１〜１０モル倍の範囲
が好ましく、１〜３モル倍の範囲がより好ましい。
【００２３】反応は、溶媒の存在下に行うことが好まし
い。使用できる溶媒としては、反応に関与しない限り特
に制限はなく、例えばベンゼン、トルエン、キシレン、
クメン、ヘキサン、ヘプタン、オクタンなどの炭化水
素；ジクロロメタン、クロロホルム、四塩化炭素、１，
２−ジクロロエタン、１，１，２，２−テトラクロロエ
タン、クロロベンゼンなどのハロゲン化炭化水素；ジエ
チルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ジブチルエー
テル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジメトキシエ
タンなどのエーテル；アセトニトリル、プロピオニトリ
ルなどのニトリル；ジメチルホルムアミド、ジメチルア
セトアミド、Ｎ−メチルピロリドン、１，３−ジメチル
−２−イミダゾリジノンなどのアミドなどが挙げられ
る。溶媒の使用量に特に制限はないが、通常ハロゲノ−
２−スルホニルピリジン（Ｉ）に対して０．５〜２０重
量倍の範囲が好ましく、０．５〜１０重量倍の範囲がよ
り好ましい。
い。使用できる溶媒としては、反応に関与しない限り特
に制限はなく、例えばベンゼン、トルエン、キシレン、
クメン、ヘキサン、ヘプタン、オクタンなどの炭化水
素；ジクロロメタン、クロロホルム、四塩化炭素、１，
２−ジクロロエタン、１，１，２，２−テトラクロロエ
タン、クロロベンゼンなどのハロゲン化炭化水素；ジエ
チルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ジブチルエー
テル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジメトキシエ
タンなどのエーテル；アセトニトリル、プロピオニトリ
ルなどのニトリル；ジメチルホルムアミド、ジメチルア
セトアミド、Ｎ−メチルピロリドン、１，３−ジメチル
−２−イミダゾリジノンなどのアミドなどが挙げられ
る。溶媒の使用量に特に制限はないが、通常ハロゲノ−
２−スルホニルピリジン（Ｉ）に対して０．５〜２０重
量倍の範囲が好ましく、０．５〜１０重量倍の範囲がよ
り好ましい。
【００２４】反応温度は８０〜２５０℃の範囲が好まし
く、１００〜２００℃の範囲がより好ましい。反応時間
は、ハロゲノ−２−スルホニルピリジン（Ｉ）、カルボ
ン酸塩、溶媒の種類や量、反応温度によっても異なる
が、通常８時間以内の範囲である。
く、１００〜２００℃の範囲がより好ましい。反応時間
は、ハロゲノ−２−スルホニルピリジン（Ｉ）、カルボ
ン酸塩、溶媒の種類や量、反応温度によっても異なる
が、通常８時間以内の範囲である。
【００２５】反応は、ハロゲノ−２−スルホニルピリジ
ン（Ｉ）を溶媒に溶解し、カルボン酸塩を加え、所定温
度として攪拌して行うのが好ましい。
ン（Ｉ）を溶媒に溶解し、カルボン酸塩を加え、所定温
度として攪拌して行うのが好ましい。
【００２６】このようにして得られたヒドロキシ−２−
スルホニルピリジン（ＩＩ）は、通常の有機化合物の単
離・精製に用いられる方法により単離・精製することが
できる。例えば、反応液を必要に応じて濃縮し、濃縮物
を水、食塩水などで洗浄して水溶性成分を除去し、有機
層を無水硫酸ナトリウムなどで乾燥後、濃縮して得られ
る粗生成物を再結晶、蒸留、クロマトグラフィーなどで
精製する。また、得られたヒドロキシ−２−スルホニル
ピリジン（ＩＩ）を単離せず、反応液のまま次の工程に
用いることもできる。
スルホニルピリジン（ＩＩ）は、通常の有機化合物の単
離・精製に用いられる方法により単離・精製することが
できる。例えば、反応液を必要に応じて濃縮し、濃縮物
を水、食塩水などで洗浄して水溶性成分を除去し、有機
層を無水硫酸ナトリウムなどで乾燥後、濃縮して得られ
る粗生成物を再結晶、蒸留、クロマトグラフィーなどで
精製する。また、得られたヒドロキシ−２−スルホニル
ピリジン（ＩＩ）を単離せず、反応液のまま次の工程に
用いることもできる。
【００２７】（２）ヒドロキシ−２−スルホニルピリジ
ン（ＩＩ）をアシル化してアシルオキシ−２−スルホニ
ルピリジン（ＩＩＩ）を製造する工程
ン（ＩＩ）をアシル化してアシルオキシ−２−スルホニ
ルピリジン（ＩＩＩ）を製造する工程
【００２８】アシル化反応は、無水酢酸、無水プロピオ
ン酸、無水安息香酸、無水ピバリン酸などの酸無水物；
塩化アセチル、塩化プロピオニル、塩化ベンゾイル、塩
化ピバロイル、フッ化アセチル、臭化アセチルなどの酸
ハロゲン化物などをアシル化剤として用いて行うことが
できる。アシル化剤の使用量に厳密な意味での制限はな
いが、通常ヒドロキシ−２−スルホニルピリジン（Ｉ
Ｉ）に対して１〜５モル倍の範囲が好ましく、１〜２モ
ル倍の範囲がより好ましい。
ン酸、無水安息香酸、無水ピバリン酸などの酸無水物；
塩化アセチル、塩化プロピオニル、塩化ベンゾイル、塩
化ピバロイル、フッ化アセチル、臭化アセチルなどの酸
ハロゲン化物などをアシル化剤として用いて行うことが
できる。アシル化剤の使用量に厳密な意味での制限はな
いが、通常ヒドロキシ−２−スルホニルピリジン（Ｉ
Ｉ）に対して１〜５モル倍の範囲が好ましく、１〜２モ
ル倍の範囲がより好ましい。
【００２９】反応は、溶媒の存在下に行うことが好まし
い。使用できる溶媒としては、反応に関与しない限り特
に制限はなく、例えばベンゼン、トルエン、キシレン、
クメン、ヘキサン、ヘプタン、オクタンなどの炭化水
素；ジクロロメタン、クロロホルム、四塩化炭素、１，
２−ジクロロエタン、１，１，２，２−テトラクロロエ
タン、クロロベンゼンなどのハロゲン化炭化水素；ジエ
チルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ジブチルエー
テル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジメトキシエ
タンなどのエーテル；アセトニトリル、プロピオニトリ
ルなどのニトリル；ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチル
ピロリドン、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン
などのアミドなどが挙げられる。溶媒の使用量に特に制
限はないが、通常ヒドロキシ−２−スルホニルピリジン
（ＩＩ）に対して０．５〜２０重量倍の範囲が好まし
く、０．５〜１０重量倍の範囲がより好ましい。
い。使用できる溶媒としては、反応に関与しない限り特
に制限はなく、例えばベンゼン、トルエン、キシレン、
クメン、ヘキサン、ヘプタン、オクタンなどの炭化水
素；ジクロロメタン、クロロホルム、四塩化炭素、１，
２−ジクロロエタン、１，１，２，２−テトラクロロエ
タン、クロロベンゼンなどのハロゲン化炭化水素；ジエ
チルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ジブチルエー
テル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジメトキシエ
タンなどのエーテル；アセトニトリル、プロピオニトリ
ルなどのニトリル；ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチル
ピロリドン、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン
などのアミドなどが挙げられる。溶媒の使用量に特に制
限はないが、通常ヒドロキシ−２−スルホニルピリジン
（ＩＩ）に対して０．５〜２０重量倍の範囲が好まし
く、０．５〜１０重量倍の範囲がより好ましい。
【００３０】また、反応を促進する目的で、ジメチルア
ミン、ジエチルアミン、トリメチルアミン、トリエチル
アミン、ジイソプロピルエチルアミン、Ｎ−メチルモル
ホリンなどの脂肪族アミン；ピリジン、２，６−ルチジ
ン、γ−コリジン、４−ジメチルアミノピリジンなどの
芳香族アミン；水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水
酸化リチウム、水酸化カルシウム、水酸化マグネシウ
ム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸リチウム、炭
酸カルシウム、炭酸マグネシウムなどの塩基をさらに添
加してもよい。塩基を添加する場合、その使用量につい
て特に制限はないが、通常はヒドロキシ−２−スルホニ
ルピリジン（ＩＩ）に対して１〜２モル倍の範囲が好ま
しい。
ミン、ジエチルアミン、トリメチルアミン、トリエチル
アミン、ジイソプロピルエチルアミン、Ｎ−メチルモル
ホリンなどの脂肪族アミン；ピリジン、２，６−ルチジ
ン、γ−コリジン、４−ジメチルアミノピリジンなどの
芳香族アミン；水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水
酸化リチウム、水酸化カルシウム、水酸化マグネシウ
ム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸リチウム、炭
酸カルシウム、炭酸マグネシウムなどの塩基をさらに添
加してもよい。塩基を添加する場合、その使用量につい
て特に制限はないが、通常はヒドロキシ−２−スルホニ
ルピリジン（ＩＩ）に対して１〜２モル倍の範囲が好ま
しい。
【００３１】反応温度は０〜１００℃の範囲が好まし
く、２０〜５０℃の範囲がより好ましい。反応時間は、
ヒドロキシ−２−スルホニルピリジン（ＩＩ）、アシル
化剤、溶媒の種類や量、反応温度によっても異なるが、
通常８時間以内の範囲である。
く、２０〜５０℃の範囲がより好ましい。反応時間は、
ヒドロキシ−２−スルホニルピリジン（ＩＩ）、アシル
化剤、溶媒の種類や量、反応温度によっても異なるが、
通常８時間以内の範囲である。
【００３２】反応は、ヒドロキシ−２−スルホニルピリ
ジン（ＩＩ）を溶媒に溶解し、必要に応じてさらに塩基
を添加した後、アシル化剤を加え、所定温度として攪拌
することで行うのが好ましい。
ジン（ＩＩ）を溶媒に溶解し、必要に応じてさらに塩基
を添加した後、アシル化剤を加え、所定温度として攪拌
することで行うのが好ましい。
【００３３】このようにして得られたアシルオキシ−２
−スルホニルピリジン（ＩＩＩ）は、通常の有機化合物
の単離・精製に用いられる方法により単離・精製するこ
とができる。例えば、反応液を水、食塩水などで洗浄し
て水溶性成分を除去し、有機層を無水硫酸ナトリウムな
どで乾燥後、濃縮して得られる粗生成物を再結晶、蒸
留、クロマトグラフィーなどで精製する。
−スルホニルピリジン（ＩＩＩ）は、通常の有機化合物
の単離・精製に用いられる方法により単離・精製するこ
とができる。例えば、反応液を水、食塩水などで洗浄し
て水溶性成分を除去し、有機層を無水硫酸ナトリウムな
どで乾燥後、濃縮して得られる粗生成物を再結晶、蒸
留、クロマトグラフィーなどで精製する。
【００３４】（３）アシルオキシ−２−スルホニルピリ
ジン（ＩＩＩ）をハロゲン化剤と反応させてアシルオキ
シ−２−ハロゲノピリジン（ＩＶ）を製造する工程
ジン（ＩＩＩ）をハロゲン化剤と反応させてアシルオキ
シ−２−ハロゲノピリジン（ＩＶ）を製造する工程
【００３５】ハロゲン化剤としては、例えば塩素、塩化
スルフリル、塩化チオニル、五塩化リン、オキシ塩化リ
ン、三塩化リン、臭素、ジブロモジメチルヒダントイ
ン、Ｎ−ブロモコハク酸イミド、臭化チオニル、三臭化
リン、五臭化リンなどが挙げられる。これらの中でも、
反応を円滑に進行させることおよび工業的に安価に容易
に入手可能なことから、塩素、塩化スルフリル、臭素、
ジブロモジメチルヒダントインが好ましい。ハロゲン化
剤の使用量は、アシルオキシ−２−スルホニルピリジン
（ＩＩＩ）１モルに対して１〜３０モル倍の範囲が好ま
しく、１〜１５モル倍の範囲がより好ましい。
スルフリル、塩化チオニル、五塩化リン、オキシ塩化リ
ン、三塩化リン、臭素、ジブロモジメチルヒダントイ
ン、Ｎ−ブロモコハク酸イミド、臭化チオニル、三臭化
リン、五臭化リンなどが挙げられる。これらの中でも、
反応を円滑に進行させることおよび工業的に安価に容易
に入手可能なことから、塩素、塩化スルフリル、臭素、
ジブロモジメチルヒダントインが好ましい。ハロゲン化
剤の使用量は、アシルオキシ−２−スルホニルピリジン
（ＩＩＩ）１モルに対して１〜３０モル倍の範囲が好ま
しく、１〜１５モル倍の範囲がより好ましい。
【００３６】反応は、溶媒の存在下に行うことが好まし
い。溶媒としては、反応に関与しないものであれば特に
制限されないが、例えばアセトニトリル、プロピオニト
リル、ベンゾニトリルなどのニトリル；二硫化炭素；テ
トラクロロエタン、クロロベンゼン、クロロホルム、四
塩化炭素などのハロゲン化炭化水素などが挙げられる。
溶媒の使用量はアシルオキシ−２−スルホニルピリジン
（ＩＩＩ）に対して０．５〜２０重量倍の範囲が好まし
く、０．５〜１０重量倍の範囲がより好ましい。
い。溶媒としては、反応に関与しないものであれば特に
制限されないが、例えばアセトニトリル、プロピオニト
リル、ベンゾニトリルなどのニトリル；二硫化炭素；テ
トラクロロエタン、クロロベンゼン、クロロホルム、四
塩化炭素などのハロゲン化炭化水素などが挙げられる。
溶媒の使用量はアシルオキシ−２−スルホニルピリジン
（ＩＩＩ）に対して０．５〜２０重量倍の範囲が好まし
く、０．５〜１０重量倍の範囲がより好ましい。
【００３７】また、本工程の反応はラジカル開始剤を共
存させて行ってもよい。かかるラジカル開始剤として
は、例えば２，２’−アゾビスイソブチロニトリル、
１，１’−アゾビス（シクロヘキサンカルボニトリル）
などのアゾ化合物；過ギ酸、過酢酸、過プロピオン酸、
過安息香酸、モノ過フタル酸などの過酸化物などが挙げ
られる。ラジカル開始剤を共存させる場合、その量はア
シルオキシ−２−スルホニルピリジン（ＩＩＩ）１モル
に対して０．００１〜３モル倍の範囲が好ましく、０．
０１〜０．３モル倍の範囲がより好ましい。
存させて行ってもよい。かかるラジカル開始剤として
は、例えば２，２’−アゾビスイソブチロニトリル、
１，１’−アゾビス（シクロヘキサンカルボニトリル）
などのアゾ化合物；過ギ酸、過酢酸、過プロピオン酸、
過安息香酸、モノ過フタル酸などの過酸化物などが挙げ
られる。ラジカル開始剤を共存させる場合、その量はア
シルオキシ−２−スルホニルピリジン（ＩＩＩ）１モル
に対して０．００１〜３モル倍の範囲が好ましく、０．
０１〜０．３モル倍の範囲がより好ましい。
【００３８】反応温度は２０℃〜１２０℃の範囲が好ま
しく、６０℃〜１００℃の範囲がより好ましい。反応時
間は、アシルオキシ−２−スルホニルピリジン（ＩＩ
Ｉ）、ハロゲン化剤、溶媒の種類や量、反応温度によっ
ても異なるが、通常８時間以内の範囲である。
しく、６０℃〜１００℃の範囲がより好ましい。反応時
間は、アシルオキシ−２−スルホニルピリジン（ＩＩ
Ｉ）、ハロゲン化剤、溶媒の種類や量、反応温度によっ
ても異なるが、通常８時間以内の範囲である。
【００３９】反応は、アシルオキシ−２−スルホニルピ
リジン（ＩＩＩ）を溶媒に溶解し、必要に応じてさらに
ラジカル開始剤を添加した後、ハロゲン化剤を加え、所
定温度として攪拌することで行うのが好ましい。なお、
ハロゲン化剤は反応当初に所定量を全量加えて反応を行
ってもよく、反応中に連続的にまたは逐次的に加えても
よい。また、ラジカル開始剤を共存させる場合、かかる
ラジカル開始剤は反応前に所定量を仕込んでも、反応中
に連続的にまたは逐次的に加えてもよい。
リジン（ＩＩＩ）を溶媒に溶解し、必要に応じてさらに
ラジカル開始剤を添加した後、ハロゲン化剤を加え、所
定温度として攪拌することで行うのが好ましい。なお、
ハロゲン化剤は反応当初に所定量を全量加えて反応を行
ってもよく、反応中に連続的にまたは逐次的に加えても
よい。また、ラジカル開始剤を共存させる場合、かかる
ラジカル開始剤は反応前に所定量を仕込んでも、反応中
に連続的にまたは逐次的に加えてもよい。
【００４０】このようにして得られたアシルオキシ−２
−ハロゲノピリジン（ＩＶ）は、通常の有機化合物の単
離・精製に用いられる方法により単離・精製することが
できる。例えば、反応液をチオ硫酸ナトリウム水溶液、
炭酸水素ナトリウム水溶液、食塩水などで洗浄し、有機
層を無水硫酸ナトリウムなどで乾燥後、濃縮して得られ
る粗生成物を再結晶、蒸留、昇華、クロマトグラフィー
などにより精製する。
−ハロゲノピリジン（ＩＶ）は、通常の有機化合物の単
離・精製に用いられる方法により単離・精製することが
できる。例えば、反応液をチオ硫酸ナトリウム水溶液、
炭酸水素ナトリウム水溶液、食塩水などで洗浄し、有機
層を無水硫酸ナトリウムなどで乾燥後、濃縮して得られ
る粗生成物を再結晶、蒸留、昇華、クロマトグラフィー
などにより精製する。
【００４１】（４）アシルオキシ−２−ハロゲノピリジ
ン（ＩＶ）を加溶媒分解してヒドロキシ−２−ハロゲノ
ピリジン（Ｖ）を製造する工程
ン（ＩＶ）を加溶媒分解してヒドロキシ−２−ハロゲノ
ピリジン（Ｖ）を製造する工程
【００４２】反応は塩基性物質または酸性物質の共存下
で行うことができる。かかる塩基性物質としては、例え
ば水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化リチウム
などのアルカリ金属水酸化物；水酸化マグネシウム、水
酸化カルシウム、水酸化バリウムなどのアルカリ土類金
属水酸化物；炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸リチ
ウムなどのアルカリ金属炭酸塩；炭酸マグネシウム、炭
酸カルシウム、炭酸バリウムなどのアルカリ土類金属炭
酸塩；炭酸水素ナトリウム、炭酸水素カリウム、炭酸水
素リチウムなどのアルカリ金属重炭酸塩；ナトリウムメ
トキシド、カリウムメトキシド、ナトリウムエトキシ
ド、カリウムエトキシド、カリウム−tert−ブトキシド
などの金属アルコキシド；トリメチルアミン、トリエチ
ルアミン、ジイソプロピルエチルアミン、Ｎ−メチルモ
ルホリン、ピリジン、２，６−ルチジン、γ−コリジ
ン、４−ジメチルアミノピリジンなどの脂肪族または芳
香族アミンなどが挙げられる。それらの中でも水酸化ナ
トリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリ
ウム、炭酸水素ナトリウムが好ましい。一方、酸性物質
としては、例えば硫酸、塩酸、硝酸などの鉱酸；酢酸、
プロピオン酸、酪酸などのカルボン酸；ベンゼンスルホ
ン酸、パラトルエンスルホン酸、(±)−１０−カンファ
スルホン酸などの有機スルホン酸などが挙げられる。こ
れらの中でも硫酸、塩酸、酢酸、パラトルエンスルホン
酸が好ましい。塩基性物質または酸性物質の使用量に厳
密な意味での制限はないが、通常アシルオキシ−２−ハ
ロゲノピリジン（ＩＶ）に対して０．２〜２モル倍の範
囲が好ましく、０．５〜１モル倍の範囲がより好まし
い。
で行うことができる。かかる塩基性物質としては、例え
ば水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化リチウム
などのアルカリ金属水酸化物；水酸化マグネシウム、水
酸化カルシウム、水酸化バリウムなどのアルカリ土類金
属水酸化物；炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸リチ
ウムなどのアルカリ金属炭酸塩；炭酸マグネシウム、炭
酸カルシウム、炭酸バリウムなどのアルカリ土類金属炭
酸塩；炭酸水素ナトリウム、炭酸水素カリウム、炭酸水
素リチウムなどのアルカリ金属重炭酸塩；ナトリウムメ
トキシド、カリウムメトキシド、ナトリウムエトキシ
ド、カリウムエトキシド、カリウム−tert−ブトキシド
などの金属アルコキシド；トリメチルアミン、トリエチ
ルアミン、ジイソプロピルエチルアミン、Ｎ−メチルモ
ルホリン、ピリジン、２，６−ルチジン、γ−コリジ
ン、４−ジメチルアミノピリジンなどの脂肪族または芳
香族アミンなどが挙げられる。それらの中でも水酸化ナ
トリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリ
ウム、炭酸水素ナトリウムが好ましい。一方、酸性物質
としては、例えば硫酸、塩酸、硝酸などの鉱酸；酢酸、
プロピオン酸、酪酸などのカルボン酸；ベンゼンスルホ
ン酸、パラトルエンスルホン酸、(±)−１０−カンファ
スルホン酸などの有機スルホン酸などが挙げられる。こ
れらの中でも硫酸、塩酸、酢酸、パラトルエンスルホン
酸が好ましい。塩基性物質または酸性物質の使用量に厳
密な意味での制限はないが、通常アシルオキシ−２−ハ
ロゲノピリジン（ＩＶ）に対して０．２〜２モル倍の範
囲が好ましく、０．５〜１モル倍の範囲がより好まし
い。
【００４３】反応は、水；メタノール、エタノール、プ
ロパノール、ブタノールなどのアルコール；または水と
アルコールの混合液の存在下に行う。水またはアルコー
ルの使用量に特に制限はないが、通常アシルオキシ−２
−ハロゲノピリジン（ＩＶ）に対して１〜１０重量倍の
範囲が好ましく、２〜５重量倍の範囲がより好ましい。
ロパノール、ブタノールなどのアルコール；または水と
アルコールの混合液の存在下に行う。水またはアルコー
ルの使用量に特に制限はないが、通常アシルオキシ−２
−ハロゲノピリジン（ＩＶ）に対して１〜１０重量倍の
範囲が好ましく、２〜５重量倍の範囲がより好ましい。
【００４４】反応は、さらに反応に悪影響を与えない溶
媒を存在させていてもよく、かかる溶媒としては、例え
ばヘキサン、へプタン、シクロヘキサン、ベンゼン、ト
ルエン、キシレンなどの脂肪族または芳香族炭化水素；
ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、テトラヒ
ドロフラン、１，４−ジオキサンなどのエーテルなどが
挙げられる。これらの溶媒は１種類を単独で使用しても
２種類以上を混合して使用してもよい。溶媒を使用する
場合、その量に特に制限はないが、通常アシルオキシ−
２−ハロゲノピリジン（ＩＶ）に対して１〜１０重量倍
の範囲が好ましく、２〜５重量倍の範囲がより好まし
い。
媒を存在させていてもよく、かかる溶媒としては、例え
ばヘキサン、へプタン、シクロヘキサン、ベンゼン、ト
ルエン、キシレンなどの脂肪族または芳香族炭化水素；
ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、テトラヒ
ドロフラン、１，４−ジオキサンなどのエーテルなどが
挙げられる。これらの溶媒は１種類を単独で使用しても
２種類以上を混合して使用してもよい。溶媒を使用する
場合、その量に特に制限はないが、通常アシルオキシ−
２−ハロゲノピリジン（ＩＶ）に対して１〜１０重量倍
の範囲が好ましく、２〜５重量倍の範囲がより好まし
い。
【００４５】反応温度は０〜１００℃の範囲が好まし
く、２０〜５０℃の範囲がより好ましい。反応時間は、
反応条件によっても異なるが、通常８時間以内の範囲で
ある。
く、２０〜５０℃の範囲がより好ましい。反応時間は、
反応条件によっても異なるが、通常８時間以内の範囲で
ある。
【００４６】このようにして得られたヒドロキシ−２−
ハロゲノピリジン（Ｖ）は、通常の有機化合物の単離・
精製に用いられる方法により単離・精製することができ
る。例えば、反応液に酢酸エチル、ジエチルエーテル、
塩化メチレンなどの有機溶媒を加え、希塩酸、水、食塩
水などで洗浄し、有機層を無水硫酸ナトリウムなどで乾
燥後、濃縮して得られる粗生成物を再結晶、蒸留、昇
華、クロマトグラフィーなどにより精製する。
ハロゲノピリジン（Ｖ）は、通常の有機化合物の単離・
精製に用いられる方法により単離・精製することができ
る。例えば、反応液に酢酸エチル、ジエチルエーテル、
塩化メチレンなどの有機溶媒を加え、希塩酸、水、食塩
水などで洗浄し、有機層を無水硫酸ナトリウムなどで乾
燥後、濃縮して得られる粗生成物を再結晶、蒸留、昇
華、クロマトグラフィーなどにより精製する。
【００４７】なお、本発明で用いるハロゲノ−２−スル
ホニルピリジン（Ｉ）は、例えば一般式（ＶＩ）
ホニルピリジン（Ｉ）は、例えば一般式（ＶＩ）
【００４８】
【化２２】
【００４９】（式中、Ｘ１、Ｘ２およびＸ３は前記定義
のとおりであり、Ｘ４１は水素原子またはアルキル基を
表す）で示されるα、β−不飽和カルボニル化合物を、
一般式（ＶＩＩ）
のとおりであり、Ｘ４１は水素原子またはアルキル基を
表す）で示されるα、β−不飽和カルボニル化合物を、
一般式（ＶＩＩ）
【化２３】 （式中、Ｒ１は前記定義のとおりである。）で示される
有機スルホニルシアニドと反応させることにより、３
位、４位または５位にハロゲン原子を有するハロゲノ−
２−スルホニルピリジン（Ｉ）を簡便に収率よく製造す
ることができる。また、２，６−ジハロゲノピリジン
を、四級アンモニウム塩の存在下にベンゼン−水の二相
系で一般式（ＶＩＩＩ）
有機スルホニルシアニドと反応させることにより、３
位、４位または５位にハロゲン原子を有するハロゲノ−
２−スルホニルピリジン（Ｉ）を簡便に収率よく製造す
ることができる。また、２，６−ジハロゲノピリジン
を、四級アンモニウム塩の存在下にベンゼン−水の二相
系で一般式（ＶＩＩＩ）
【００５０】
【化２４】
【００５１】（式中、Ｒ１は前記定義のとおりであ
る。）で示されるナトリウムチオラートと反応させ、得
られる６−ハロ−２−スルフェニルピリジンを過酸化水
素で酸化することによって、６位にハロゲン原子を有す
るハロゲノ−２−スルホニルピリジン（Ｉ）を製造する
ことができる。[ジャーナル オブ ケミカル ソサエ
ティー パーキン トランザクション Ｉ（Ｊｏｕｒｎ
ａｌ ｏｆ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｓｏｃｉｅｔｙ Ｐｅ
ｒｋｉｎ Ｔｒａｎｓａｃｔｉｏｎ Ｉ）、１８３９頁
（１９８４年）参照]。
る。）で示されるナトリウムチオラートと反応させ、得
られる６−ハロ−２−スルフェニルピリジンを過酸化水
素で酸化することによって、６位にハロゲン原子を有す
るハロゲノ−２−スルホニルピリジン（Ｉ）を製造する
ことができる。[ジャーナル オブ ケミカル ソサエ
ティー パーキン トランザクション Ｉ（Ｊｏｕｒｎ
ａｌ ｏｆ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｓｏｃｉｅｔｙ Ｐｅ
ｒｋｉｎ Ｔｒａｎｓａｃｔｉｏｎ Ｉ）、１８３９頁
（１９８４年）参照]。
【００５２】
【実施例】以下、実験例により本発明をさらに詳しく説
明するが、本発明はこれらの実施例により何ら限定され
るものではない。
明するが、本発明はこれらの実施例により何ら限定され
るものではない。
【００５３】参考例１ ２−ベンゼンスルホニル−５−
クロロピリジンの合成 トルエン６０ｍｌを１００℃に加熱し、これにベンゼン
スルホニルシアニド３０．０g（純度８２％）をトルエ
ン６０ｍｌに溶解させた溶液および２−クロロ−１，３
−ブタジエニルアセテート３９．６ｇを同時に３０分間
で滴下した。滴下終了後、反応混合物を１００℃で７時
間攪拌し、反応液を冷却した後、減圧下に濃縮した。得
られた結晶を０℃に冷却したトルエン１５０ｍｌで洗浄
し、減圧乾燥することにより、下記の物性を有する２−
ベンゼンスルホニル−５−クロロピリジン３１．９ｇを
得た（収率８６％）。
クロロピリジンの合成 トルエン６０ｍｌを１００℃に加熱し、これにベンゼン
スルホニルシアニド３０．０g（純度８２％）をトルエ
ン６０ｍｌに溶解させた溶液および２−クロロ−１，３
−ブタジエニルアセテート３９．６ｇを同時に３０分間
で滴下した。滴下終了後、反応混合物を１００℃で７時
間攪拌し、反応液を冷却した後、減圧下に濃縮した。得
られた結晶を０℃に冷却したトルエン１５０ｍｌで洗浄
し、減圧乾燥することにより、下記の物性を有する２−
ベンゼンスルホニル−５−クロロピリジン３１．９ｇを
得た（収率８６％）。
【００５４】融点：１５５℃１ Ｈ−ＮＭＲスペクトル（２７０ＭＨｚ、ＣＤＣｌ３、
ＴＭＳ、ｐｐｍ） δ：７．５０−７．６８（ｍ，４
Ｈ）、７．８９（ｄｄ，Ｊ＝２．３Ｈｚ，８．０Ｈｚ，
１Ｈ）、８．０２−８．０９（ｍ，２Ｈ）、８．１６
（ｄ，Ｊ＝８．０Ｈｚ，１Ｈ）、８．６０（ｄ，Ｊ＝
２．３Ｈｚ，１Ｈ）
ＴＭＳ、ｐｐｍ） δ：７．５０−７．６８（ｍ，４
Ｈ）、７．８９（ｄｄ，Ｊ＝２．３Ｈｚ，８．０Ｈｚ，
１Ｈ）、８．０２−８．０９（ｍ，２Ｈ）、８．１６
（ｄ，Ｊ＝８．０Ｈｚ，１Ｈ）、８．６０（ｄ，Ｊ＝
２．３Ｈｚ，１Ｈ）
【００５５】参考例２ ２−ベンゼンスルホニル−５−
ブロモピリジンの合成 参考例１において、２−クロロ−１，３−ブタジエニル
アセテート３９．６ｇの代わりに２−ブロモ−１，３−
ブタジエニルアセテート５１．６ｇを用いた以外は参考
例１と同様に反応および分離精製を行うことにより、下
記の物性を有する２−ベンゼンスルホニル−５−ブロモ
ピリジン３６．８ｇを得た（収率８４％）。
ブロモピリジンの合成 参考例１において、２−クロロ−１，３−ブタジエニル
アセテート３９．６ｇの代わりに２−ブロモ−１，３−
ブタジエニルアセテート５１．６ｇを用いた以外は参考
例１と同様に反応および分離精製を行うことにより、下
記の物性を有する２−ベンゼンスルホニル−５−ブロモ
ピリジン３６．８ｇを得た（収率８４％）。
【００５６】融点：１７２℃１ Ｈ−ＮＭＲスペクトル（２７０ＭＨｚ、ＣＤＣｌ３、
ＴＭＳ、ｐｐｍ） δ：７．５１−７．６７（ｍ，２
Ｈ）、７．５５（ｄｄ，Ｊ＝１．５Ｈｚ，７．４Ｈｚ，
１Ｈ）、８．０３−８．０８（ｍ，３Ｈ）、８．０５
（ｄ，Ｊ＝７．４Ｈｚ，１Ｈ）、８．７１（ｄ，Ｊ＝
１．５Ｈｚ，１Ｈ）
ＴＭＳ、ｐｐｍ） δ：７．５１−７．６７（ｍ，２
Ｈ）、７．５５（ｄｄ，Ｊ＝１．５Ｈｚ，７．４Ｈｚ，
１Ｈ）、８．０３−８．０８（ｍ，３Ｈ）、８．０５
（ｄ，Ｊ＝７．４Ｈｚ，１Ｈ）、８．７１（ｄ，Ｊ＝
１．５Ｈｚ，１Ｈ）
【００５７】実施例１ ５−アセトキシ−２−ベンゼン
スルホニルピリジンの合成 参考例１の方法で得られた２−ベンゼンスルホニル−５
−クロロピリジン３０．８ｇを１，３−ジメチル−２−
イミダゾリジノン１５５ｍｌに溶解し、これに酢酸ナト
リウム１５．６ｇを加え、１８０℃に加熱して３．５時
間攪拌した。得られた反応液を減圧下にて濃縮して１，
３−ジメチル−２−イミダゾリジノンの大部分を留去し
た。得られた濃縮物の一部を取り、ＮＭＲ及び高速液体
クロマトグラフィー（ＨＰＬＣ）による内標分析を行っ
たところ、２−ベンゼンスルホニル−５−ヒドロキシピ
リジンを５４％含有していることがわかった。
スルホニルピリジンの合成 参考例１の方法で得られた２−ベンゼンスルホニル−５
−クロロピリジン３０．８ｇを１，３−ジメチル−２−
イミダゾリジノン１５５ｍｌに溶解し、これに酢酸ナト
リウム１５．６ｇを加え、１８０℃に加熱して３．５時
間攪拌した。得られた反応液を減圧下にて濃縮して１，
３−ジメチル−２−イミダゾリジノンの大部分を留去し
た。得られた濃縮物の一部を取り、ＮＭＲ及び高速液体
クロマトグラフィー（ＨＰＬＣ）による内標分析を行っ
たところ、２−ベンゼンスルホニル−５−ヒドロキシピ
リジンを５４％含有していることがわかった。
【００５８】２−ベンゼンスルホニル−５−ヒドロキシ
ピリジン 融点：１７５℃１ Ｈ−ＮＭＲスペクトル（２７０ＭＨｚ、ＣＤ３ＳＯＣ
Ｄ３、ＴＭＳ、ｐｐｍ）δ：７．３８（ｄｄ，Ｊ＝２．
８Ｈｚ，８．７Ｈｚ，１Ｈ）、７．５８−７．７２
（ｍ，３Ｈ）、７．９０−７．９３（ｍ，２Ｈ）、８．
０６（ｄ，Ｊ＝８．７Ｈｚ，１Ｈ）、８．２０（ｄ，Ｊ
＝２．８Ｈｚ，１Ｈ）、１１．２（ｓ，１Ｈ）
ピリジン 融点：１７５℃１ Ｈ−ＮＭＲスペクトル（２７０ＭＨｚ、ＣＤ３ＳＯＣ
Ｄ３、ＴＭＳ、ｐｐｍ）δ：７．３８（ｄｄ，Ｊ＝２．
８Ｈｚ，８．７Ｈｚ，１Ｈ）、７．５８−７．７２
（ｍ，３Ｈ）、７．９０−７．９３（ｍ，２Ｈ）、８．
０６（ｄ，Ｊ＝８．７Ｈｚ，１Ｈ）、８．２０（ｄ，Ｊ
＝２．８Ｈｚ，１Ｈ）、１１．２（ｓ，１Ｈ）
【００５９】次いで、上記で得られた濃縮物の全量をト
ルエン１００ｍｌに溶解し、トリエチルアミン２５．４
ｍｌおよび無水酢酸１１．５ｍｌを加え、室温で１．５
時間攪拌した。反応液に食塩水４００ｍｌを加え、トル
エン３００ｍｌで抽出した。抽出液を無水硫酸マグネシ
ウムで乾燥後、濃縮し、得られた結晶を０℃に冷却した
トルエンで洗浄し、さらに減圧乾燥することにより、下
記の物性を有する５−アセトキシ−２−ベンゼンスルホ
ニルピリジン２５．５ｇを得た（２−ベンゼンスルホニ
ル−５−クロロピリジンからの収率７６％）。
ルエン１００ｍｌに溶解し、トリエチルアミン２５．４
ｍｌおよび無水酢酸１１．５ｍｌを加え、室温で１．５
時間攪拌した。反応液に食塩水４００ｍｌを加え、トル
エン３００ｍｌで抽出した。抽出液を無水硫酸マグネシ
ウムで乾燥後、濃縮し、得られた結晶を０℃に冷却した
トルエンで洗浄し、さらに減圧乾燥することにより、下
記の物性を有する５−アセトキシ−２−ベンゼンスルホ
ニルピリジン２５．５ｇを得た（２−ベンゼンスルホニ
ル−５−クロロピリジンからの収率７６％）。
【００６０】５−アセトキシ−２−ベンゼンスルホニル
ピリジン 融点：８７℃〜８８℃１ Ｈ−ＮＭＲスペクトル（２７０ＭＨｚ、ＣＤＣｌ３、
ＴＭＳ、ｐｐｍ） δ：２．３５（ｓ，３Ｈ）、７．５
１−７．６５（ｍ，３Ｈ）、７．７２（ｄｄ，Ｊ＝２．
５Ｈｚ，８．６Ｈｚ，１Ｈ）、８．０４−８．０７
（ｍ，２Ｈ）、８．２４（ｄ，Ｊ＝８．６Ｈｚ，１
Ｈ）、８．４６（ｄ，Ｊ＝２．５Ｈｚ，１Ｈ）
ピリジン 融点：８７℃〜８８℃１ Ｈ−ＮＭＲスペクトル（２７０ＭＨｚ、ＣＤＣｌ３、
ＴＭＳ、ｐｐｍ） δ：２．３５（ｓ，３Ｈ）、７．５
１−７．６５（ｍ，３Ｈ）、７．７２（ｄｄ，Ｊ＝２．
５Ｈｚ，８．６Ｈｚ，１Ｈ）、８．０４−８．０７
（ｍ，２Ｈ）、８．２４（ｄ，Ｊ＝８．６Ｈｚ，１
Ｈ）、８．４６（ｄ，Ｊ＝２．５Ｈｚ，１Ｈ）
【００６１】実施例２ ５−アセトキシ−２−ベンゼン
スルホニルピリジンの合成 参考例２の方法で得られた２−ベンゼンスルホニル−５
−ブロモピリジン１．１１ｇを１，３−ジメチル−２−
イミダゾリジノン１０ｍｌに溶解し、これに酢酸ナトリ
ウム０．４６ｇを加え、１８０℃に加熱して３．５時間
攪拌した。得られた反応液を減圧下にて濃縮して１，３
−ジメチル−２−イミダゾリジノンの大部分を留去し
た。得られた濃縮物の全量をトルエン１０ｍｌに溶解
し、トリエチルアミン０．７８ｍｌおよび無水酢酸０．
３５ｍｌを加え、室温で１．５時間攪拌した。反応液に
食塩水５０ｍｌを加え、トルエン５０ｍｌで抽出した。
抽出液を無水硫酸マグネシウムで乾燥後、濃縮し、得ら
れた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで
精製することにより、５−アセトキシ−２−ベンゼンス
ルホニルピリジン０．７３ｇを得た（２−ベンゼンスル
ホニル−５−クロロピリジンからの収率７１％）。
スルホニルピリジンの合成 参考例２の方法で得られた２−ベンゼンスルホニル−５
−ブロモピリジン１．１１ｇを１，３−ジメチル−２−
イミダゾリジノン１０ｍｌに溶解し、これに酢酸ナトリ
ウム０．４６ｇを加え、１８０℃に加熱して３．５時間
攪拌した。得られた反応液を減圧下にて濃縮して１，３
−ジメチル−２−イミダゾリジノンの大部分を留去し
た。得られた濃縮物の全量をトルエン１０ｍｌに溶解
し、トリエチルアミン０．７８ｍｌおよび無水酢酸０．
３５ｍｌを加え、室温で１．５時間攪拌した。反応液に
食塩水５０ｍｌを加え、トルエン５０ｍｌで抽出した。
抽出液を無水硫酸マグネシウムで乾燥後、濃縮し、得ら
れた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで
精製することにより、５−アセトキシ−２−ベンゼンス
ルホニルピリジン０．７３ｇを得た（２−ベンゼンスル
ホニル−５−クロロピリジンからの収率７１％）。
【００６２】 実施例３ ５−アセトキシ−２−クロロピリジンの合成 実施例１の方法で得られた５−アセトキシ−２−ベンゼ
ンスルホニルピリジン４．２７ｇをクロロベンゼン５０
ｍｌに溶解し、これに２，２’−アゾビスイソブチロニ
トリル１７４ｍｇを加えて８０℃に加熱した。次いで、
この溶液に塩素ガスを４０ｍｌ／分の速度で２．５時間
吹き込んだ。得られた反応液に窒素を吹き込んで過剰の
塩素を追い出した後、反応液を酢酸エチル３００ｍｌで
希釈し、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液１００ｍｌ、水
１００ｍｌで順次洗浄した。有機層を無水硫酸マグネシ
ウムで乾燥後，濃縮して得られた粗生成物をシリカゲル
カラムクロマトグラフィーで精製することにより、下記
の物性を有する５−アセトキシ−２−クロロピリジン
２．２５ｇを得た（収率８５％）。
ンスルホニルピリジン４．２７ｇをクロロベンゼン５０
ｍｌに溶解し、これに２，２’−アゾビスイソブチロニ
トリル１７４ｍｇを加えて８０℃に加熱した。次いで、
この溶液に塩素ガスを４０ｍｌ／分の速度で２．５時間
吹き込んだ。得られた反応液に窒素を吹き込んで過剰の
塩素を追い出した後、反応液を酢酸エチル３００ｍｌで
希釈し、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液１００ｍｌ、水
１００ｍｌで順次洗浄した。有機層を無水硫酸マグネシ
ウムで乾燥後，濃縮して得られた粗生成物をシリカゲル
カラムクロマトグラフィーで精製することにより、下記
の物性を有する５−アセトキシ−２−クロロピリジン
２．２５ｇを得た（収率８５％）。
【００６３】５−アセトキシ−２−クロロピリジン 融点：４５℃１ Ｈ−ＮＭＲスペクトル（２７０ＭＨｚ、ＣＤＣｌ３、
ＴＭＳ、ｐｐｍ） δ：２．３５（ｓ，３Ｈ）、７．３
５（ｄ，Ｊ＝８．５Ｈｚ，１Ｈ）、７．４８（ｄｄ，Ｊ
＝２．９Ｈｚ，８．５ＭＨｚ，１Ｈ）、８．２１（ｄ，
Ｊ＝２．９Ｈｚ，１Ｈ）
ＴＭＳ、ｐｐｍ） δ：２．３５（ｓ，３Ｈ）、７．３
５（ｄ，Ｊ＝８．５Ｈｚ，１Ｈ）、７．４８（ｄｄ，Ｊ
＝２．９Ｈｚ，８．５ＭＨｚ，１Ｈ）、８．２１（ｄ，
Ｊ＝２．９Ｈｚ，１Ｈ）
【００６４】 実施例４ ５−アセトキシ−２−クロロピリジンの合成 実施例３において、クロロベンゼン５０ｍｌのかわりに
アセトニトリル４０ｍｌを用いた以外は実施例３と同様
の操作を行うことにより，５−アセトキシ−２−クロロ
ピリジン２．４３ｇを得た（収率９２％）。
アセトニトリル４０ｍｌを用いた以外は実施例３と同様
の操作を行うことにより，５−アセトキシ−２−クロロ
ピリジン２．４３ｇを得た（収率９２％）。
【００６５】 実施例５ ２−クロロ−５−ヒドロキシピリジンの合成 実施例３の方法で得られた５−アセトキシ−２−クロロ
ピリジン１．８９ｇをメタノール１０ｍｌに溶解し、こ
れに炭酸カリウム０．７８ｇを加え室温で２時間攪拌し
た。反応液を酢酸エチル５０ｍｌに溶解し、０．５規定
塩酸４０ｍｌで洗浄した。有機層を無水硫酸マグネシウ
ムで乾燥後、濃縮し、得られた結晶を０℃に冷却した酢
酸エチルで洗浄後、減圧乾燥することにより、下記の物
性を有する２−クロロ−５−ヒドロキシピリジン１．３
５ｇを得た（収率９５％）。
ピリジン１．８９ｇをメタノール１０ｍｌに溶解し、こ
れに炭酸カリウム０．７８ｇを加え室温で２時間攪拌し
た。反応液を酢酸エチル５０ｍｌに溶解し、０．５規定
塩酸４０ｍｌで洗浄した。有機層を無水硫酸マグネシウ
ムで乾燥後、濃縮し、得られた結晶を０℃に冷却した酢
酸エチルで洗浄後、減圧乾燥することにより、下記の物
性を有する２−クロロ−５−ヒドロキシピリジン１．３
５ｇを得た（収率９５％）。
【００６６】２−クロロ−５−ヒドロキシピリジン 融点：１５５℃１ Ｈ−ＮＭＲスペクトル（２７０ＭＨｚ、ＣＤ３ＯＤ、
ＴＭＳ、ｐｐｍ） δ：４．８９（ｂｒ，１Ｈ）、７．
２２（ｍ，２Ｈ）、７．８５（ｍ，１Ｈ）
ＴＭＳ、ｐｐｍ） δ：４．８９（ｂｒ，１Ｈ）、７．
２２（ｍ，２Ｈ）、７．８５（ｍ，１Ｈ）
【００６７】
【発明の効果】本発明の方法によれば、ヒドロキシ−２
−ハロゲノピリジン誘導体を簡便かつ高収率で、工業的
に有利に製造することができる。
−ハロゲノピリジン誘導体を簡便かつ高収率で、工業的
に有利に製造することができる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4C055 AA01 BA02 BA39 BA46 CA02 CA42 CA43 CB02 DA01 FA01 FA06
Claims (7)
- 【請求項１】 一般式（Ｉ） 【化１】 （式中、Ｒ１はアルキル基、シクロアルキル基、置換基
を有していてもよいアリール基または置換基を有してい
てもよいアラルキル基を表し、Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３および
Ｘ４（以下、これらをＸｎで総称し、ｎは１〜４の整数
を表す）の少なくとも１つはハロゲン原子を表し、他は
水素原子またはアルキル基を表す。）で示されるハロゲ
ノ−２−スルホニルピリジン誘導体をカルボン酸塩と反
応させて一般式（ＩＩ） 【化２】 （式中、Ｒ１は前記定義のとおりであり、Ｙ１、Ｙ２、
Ｙ３およびＹ４（以下、これらをＹｎで総称する）はＸ
ｎに対応して、Ｘｎがハロゲン原子である場合にはＹｎ
は水酸基を表し、Ｘｎが水素原子またはアルキル基であ
る場合にはＹｎはＸｎと同一である。）で示されるヒド
ロキシ−２−スルホニルピリジン誘導体を得、得られた
ヒドロキシ−２−スルホニルピリジン誘導体をアシル化
して一般式（ＩＩＩ） 【化３】 （式中、Ｒ１は前記定義のとおりであり、Ｚ１、Ｚ２、
Ｚ３およびＺ４（以下、これらをＺｎで総称する）はＹ
ｎに対応して、Ｙｎが水酸基である場合にはＺｎは−Ｏ
Ｒ２を表し、ここでＲ２はアシル基を表し、Ｙｎが水素
原子またはアルキル基である場合にはＺｎはＹｎと同一
である。）で示されるアシルオキシ−２−スルホニルピ
リジン誘導体を得、得られたアシルオキシ−２−スルホ
ニルピリジン誘導体をハロゲン化剤と反応させて一般式
（ＩＶ） 【化４】 （式中、Ｚｎは前記定義のとおりであり、Ａはハロゲン
原子を表す。）で示されるアシルオキシ−２−ハロゲノ
ピリジン誘導体を得、得られたアシルオキシ−２−ハロ
ゲノピリジン誘導体を加溶媒分解することを特徴とする
一般式（Ｖ） 【化５】 (式中、Ａは前記定義のとおりであり、Ｂ１、Ｂ２、Ｂ
３およびＢ４（以下、これらをＢｎで総称する）はＺｎ
に対応して、Ｚｎが−ＯＲ２である場合にはＢｎは水酸
基を表し、Ｚｎが水素原子またはアルキル基である場合
にはＢｎはＺｎと同一である。)で示されるヒドロキシ
−２−ハロゲノピリジン誘導体の製造方法。 - 【請求項２】 一般式（ＩＩＩ） 【化６】 （式中、Ｒ１はアルキル基、シクロアルキル基、置換基
を有していてもよいアリール基または置換基を有してい
てもよいアラルキル基を表し、Ｚ１、Ｚ２、Ｚ３および
Ｚ４（以下、これらをＺｎで総称し、ｎは１〜４の整数
を表す）の少なくとも１つは−ＯＲ２を表し、ここでＲ
２はアシル基を表し、他は水素原子またはアルキル基を
表す。）で示されるアシルオキシ−２−スルホニルピリ
ジン誘導体をハロゲン化剤と反応させて一般式（ＩＶ） 【化７】 （式中、Ｚｎは前記定義のとおりであり、Ａはハロゲン
原子を表す。）で示されるアシルオキシ−２−ハロゲノ
ピリジン誘導体を得、得られたアシルオキシ−２−ハロ
ゲノピリジン誘導体を加溶媒分解することを特徴とする
一般式（Ｖ） 【化８】 (式中、Ａは前記定義のとおりであり、Ｂ１、Ｂ２、Ｂ
３およびＢ４（以下、これらをＢｎで総称する）はＺｎ
に対応して、Ｚｎが−ＯＲ２である場合にはＢｎは水酸
基を表し、Ｚｎが水素原子またはアルキル基である場合
にはＢｎはＺｎと同一である。)で示されるヒドロキシ
−２−ハロゲノピリジン誘導体の製造方法。 - 【請求項３】 一般式（ＩＩＩ） 【化９】 （式中、Ｒ１はアルキル基、シクロアルキル基、置換基
を有していてもよいアリール基または置換基を有してい
てもよいアラルキル基を表し、Ｚ１、Ｚ２、Ｚ３および
Ｚ４（以下、これらをＺｎで総称し、ｎは１〜４の整数
を表す）の少なくとも１つは−ＯＲ２を表し、ここでＲ
２はアシル基を表し、他は水素原子またはアルキル基を
表す。）で示されるアシルオキシ−２−スルホニルピリ
ジン誘導体をハロゲン化剤と反応させることを特徴とす
る一般式（ＩＶ） 【化１０】 （式中、Ｚｎは前記定義のとおりであり、Ａはハロゲン
原子を表す。）で示されるアシルオキシ−２−ハロゲノ
ピリジン誘導体の製造方法。 - 【請求項４】 一般式（ＩＩＩ） 【化１１】 （式中、Ｒ１はアルキル基、シクロアルキル基、置換基
を有していてもよいアリール基または置換基を有してい
てもよいアラルキル基を表し、Ｚ１、Ｚ２、Ｚ３および
Ｚ４の少なくとも１つは−ＯＲ２を表し、ここでＲ２は
アシル基を表し、他は水素原子またはアルキル基を表
す。）で示されるアシルオキシ−２−スルホニルピリジ
ン誘導体。 - 【請求項５】 一般式（ＩＩ） 【化１２】 （式中、Ｒ１はアルキル基、シクロアルキル基、置換基
を有していてもよいアリール基または置換基を有してい
てもよいアラルキル基を表し、Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３および
Ｙ４（以下、これらをＹｎで総称し、ｎは１〜４の整数
を表す）の少なくとも１つは水酸基を表し、他は水素原
子またはアルキル基を表す。）で示されるヒドロキシ−
２−スルホニルピリジン誘導体をアシル化することを特
徴とする一般式（ＩＩＩ） 【化１３】 （式中、Ｒ１は前記定義のとおりであり、Ｚ１、Ｚ２、
Ｚ３およびＺ４（以下、これらをＺｎで総称する）はＹ
ｎに対応して、Ｙｎが水酸基である場合にはＺｎは−Ｏ
Ｒ２を表し、ここでＲ２はアシル基を表し、Ｙｎが水素
原子またはアルキル基である場合にはＺｎはＹｎと同一
である。）で示されるアシルオキシ−２−スルホニルピ
リジン誘導体の製造方法。 - 【請求項６】 一般式（ＩＩ） 【化１４】 （式中、Ｒ１はアルキル基、シクロアルキル基、置換基
を有していてもよいアリール基または置換基を有してい
てもよいアラルキル基を表し、Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３および
Ｙ４の少なくとも１つは水酸基を表し、他は水素原子ま
たはアルキル基を表す。）で示されるヒドロキシ−２−
スルホニルピリジン誘導体。 - 【請求項７】 一般式（Ｉ） 【化１５】 （式中、Ｒ１はアルキル基、シクロアルキル基、置換基
を有していてもよいアリール基または置換基を有してい
てもよいアラルキル基を表し、Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３および
Ｘ４（以下、これらをＸｎで総称し、ｎは１〜４の整数
を表す）の少なくとも１つはハロゲン原子を表し、他は
水素原子またはアルキル基を表す。）で示されるハロゲ
ノ−２−スルホニルピリジン誘導体をカルボン酸塩と反
応させることを特徴とする一般式（ＩＩ） 【化１６】 （式中、Ｒ１は前記定義のとおりであり、Ｙ１、Ｙ２、
Ｙ３およびＹ４（以下、これらをＹｎで総称する）はＸ
ｎに対応して、Ｘｎがハロゲン原子である場合にはＹｎ
は水酸基を表し、Ｘｎが水素原子またはアルキル基であ
る場合にはＹｎはＸｎと同一である。）で示されるヒド
ロキシ−２−スルホニルピリジン誘導体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17428799A JP4425373B2 (ja) | 1999-06-21 | 1999-06-21 | ヒドロキシ−２−ハロゲノピリジン誘導体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17428799A JP4425373B2 (ja) | 1999-06-21 | 1999-06-21 | ヒドロキシ−２−ハロゲノピリジン誘導体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001002643A true JP2001002643A (ja) | 2001-01-09 |
| JP4425373B2 JP4425373B2 (ja) | 2010-03-03 |
Family
ID=15976046
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17428799A Expired - Fee Related JP4425373B2 (ja) | 1999-06-21 | 1999-06-21 | ヒドロキシ−２−ハロゲノピリジン誘導体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4425373B2 (ja) |
-
1999
- 1999-06-21 JP JP17428799A patent/JP4425373B2/ja not_active Expired - Fee Related
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|---|---|
| JP4425373B2 (ja) | 2010-03-03 |
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