JP2000353847A - 光電子素子 - Google Patents
光電子素子Info
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- JP2000353847A JP2000353847A JP2000129150A JP2000129150A JP2000353847A JP 2000353847 A JP2000353847 A JP 2000353847A JP 2000129150 A JP2000129150 A JP 2000129150A JP 2000129150 A JP2000129150 A JP 2000129150A JP 2000353847 A JP2000353847 A JP 2000353847A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 光電子装置に搭載された光学素子や発光素子
を、外部からの異物より保護する。 【解決手段】 基板２２の両面にそれぞれ第１の凹部２
６および第２の凹部２７を設け、第１の凹部２６の上面
にビームスプリット用ホログラムパターン２１を形成
し、第２の凹部２７の上面に３ビーム発生用グレーティ
ングパターン２３を形成する。このような構成とするこ
とにより、ビームスプリット用ホログラムパターン２１
は基板２２の面に設けた第１の凹部２６の土手部分２８
によって保護されることになり、また３ビーム発生用グ
レーティングパターン２３は基板２２の他の面に設けた
第２の凹部２７の土手部分２９によって保護されること
になる。
を、外部からの異物より保護する。 【解決手段】 基板２２の両面にそれぞれ第１の凹部２
６および第２の凹部２７を設け、第１の凹部２６の上面
にビームスプリット用ホログラムパターン２１を形成
し、第２の凹部２７の上面に３ビーム発生用グレーティ
ングパターン２３を形成する。このような構成とするこ
とにより、ビームスプリット用ホログラムパターン２１
は基板２２の面に設けた第１の凹部２６の土手部分２８
によって保護されることになり、また３ビーム発生用グ
レーティングパターン２３は基板２２の他の面に設けた
第２の凹部２７の土手部分２９によって保護されること
になる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光情報処理、光計
測および光通信等の分野において使用される半導体レー
ザ装置や光ピックアップ装置等の光電子素子に関する。
測および光通信等の分野において使用される半導体レー
ザ装置や光ピックアップ装置等の光電子素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のテレビ等から映像や音声を記録再
生するための磁気ヘッドによるビデオテープ方式に対し
て光学ヘッドを使用し、情報を含む媒体上に収束した光
ビームを照射し、媒体から反射された光を検出して媒体
の情報内容を映像や音として再生する光ディスク方式の
普及が最近著しくなってきた。媒体としてはオーディオ
分野ではコンパクトディスク、ビデオ分野ではレーザデ
ィスクがよく知られており、光ディスクから情報を読み
出すために光学ヘッドとして半導体レーザ装置を用いた
光ピックアップ装置が用いられる。これらの半導体レー
ザ応用による光記録再生技術は大型のコンピュータネッ
トワーク、またはパーソナルコンピュータにおけるデー
タ記憶にも適用できるものとしていわゆるマルチメディ
アと呼ばれる高度情報社会の中枢を担う技術として発展
しつつある。
生するための磁気ヘッドによるビデオテープ方式に対し
て光学ヘッドを使用し、情報を含む媒体上に収束した光
ビームを照射し、媒体から反射された光を検出して媒体
の情報内容を映像や音として再生する光ディスク方式の
普及が最近著しくなってきた。媒体としてはオーディオ
分野ではコンパクトディスク、ビデオ分野ではレーザデ
ィスクがよく知られており、光ディスクから情報を読み
出すために光学ヘッドとして半導体レーザ装置を用いた
光ピックアップ装置が用いられる。これらの半導体レー
ザ応用による光記録再生技術は大型のコンピュータネッ
トワーク、またはパーソナルコンピュータにおけるデー
タ記憶にも適用できるものとしていわゆるマルチメディ
アと呼ばれる高度情報社会の中枢を担う技術として発展
しつつある。
【０００３】図３はその光ピックアップ装置の一例の構
成を示すものであり、図において１は光ディスク、２は
対物レンズ、３は対物レンズ２を動かすアクチュエー
タ、４は反射鏡、５はビームスプリッタ、６は３ビーム
発生グレーティング、７は半導体レーザ、８は受光素
子、９はレーザ出射光、１０は光ディスク１により変調
され反射されて戻ってきた信号光である。上述のように
従来の光ピックアップ装置では半導体レーザ７、３ビー
ム発生グレーティング６、ビームスプリッタ５、受光素
子８、反射鏡４および対物レンズ２がそれぞれ別個の部
品から構成されており、部品点数が多く、かつコストが
高くなるという課題があった。この課題を改善するため
に発明者らは、図４に示すように上述した別個の部品類
を集積化し、一体化して長期信頼性および量産性に優れ
た半導体レーザ装置および光ピックアップ装置を提案し
た（特願平４−２８４１５４号）。図４において１１は
図３における半導体レーザ７、３ビーム発生グレーティ
ング６、ビームスプリッタ５、受光素子８を一体に集積
化し、ホログラム素子１２を備えた半導体レーザ装置で
ある。つぎにこのホログラム素子１２を備えた半導体レ
ーザ装置１１の詳細な構造を図５に、ホログラム素子１
２の上面図を図６に示す。
成を示すものであり、図において１は光ディスク、２は
対物レンズ、３は対物レンズ２を動かすアクチュエー
タ、４は反射鏡、５はビームスプリッタ、６は３ビーム
発生グレーティング、７は半導体レーザ、８は受光素
子、９はレーザ出射光、１０は光ディスク１により変調
され反射されて戻ってきた信号光である。上述のように
従来の光ピックアップ装置では半導体レーザ７、３ビー
ム発生グレーティング６、ビームスプリッタ５、受光素
子８、反射鏡４および対物レンズ２がそれぞれ別個の部
品から構成されており、部品点数が多く、かつコストが
高くなるという課題があった。この課題を改善するため
に発明者らは、図４に示すように上述した別個の部品類
を集積化し、一体化して長期信頼性および量産性に優れ
た半導体レーザ装置および光ピックアップ装置を提案し
た（特願平４−２８４１５４号）。図４において１１は
図３における半導体レーザ７、３ビーム発生グレーティ
ング６、ビームスプリッタ５、受光素子８を一体に集積
化し、ホログラム素子１２を備えた半導体レーザ装置で
ある。つぎにこのホログラム素子１２を備えた半導体レ
ーザ装置１１の詳細な構造を図５に、ホログラム素子１
２の上面図を図６に示す。
【０００４】図５において１３は半導体レーザチップ、
１４はヒートシンク用シリコン基板、１５は枠体、１６
は外部リード、１７は半導体レーザチップ１３より発生
したレーザ出射光、１８は保護板、１９はレーザ出射光
１７が光ディスク１（図示せず）によって反射された信
号光２０を検出する光検出回路、２１はガラスやプラス
チック材よりなる基板２２の上面に設けられたビームス
プリット用ホログラムパターン、２３は同じく基板２２
の他の面に設けられた３ビーム発生用グレーティングパ
ターン、２４は信号光２０がビームスプリット用ホログ
ラムパターン２１によって回折された回折光である。
１４はヒートシンク用シリコン基板、１５は枠体、１６
は外部リード、１７は半導体レーザチップ１３より発生
したレーザ出射光、１８は保護板、１９はレーザ出射光
１７が光ディスク１（図示せず）によって反射された信
号光２０を検出する光検出回路、２１はガラスやプラス
チック材よりなる基板２２の上面に設けられたビームス
プリット用ホログラムパターン、２３は同じく基板２２
の他の面に設けられた３ビーム発生用グレーティングパ
ターン、２４は信号光２０がビームスプリット用ホログ
ラムパターン２１によって回折された回折光である。
【０００５】上記の構成を備えた光ピックアップ装置
は、レーザ出射光１７および信号光２０をホログラム素
子１２によって制御することによって優れた性能を発揮
できるのである。
は、レーザ出射光１７および信号光２０をホログラム素
子１２によって制御することによって優れた性能を発揮
できるのである。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記のホ
ログラム素子１２では、図５に示すようにビームスプリ
ット用ホログラムパターン２１および３ビーム発生用グ
レーティングパターン２３が基板２２の平坦な表面に設
けられているために、工程中にこれらのパターンが異物
に触れて損傷する危険性が多く、またこれらのパターン
を保護することも困難であるという課題があった。また
図６に示すように、ビームスプリット用ホログラムパタ
ーン２１の方向性を表すために設けられている十字マー
ク２５は基板２２が透明であること、また基板２２の表
面が鏡面であることにより、外部光の状態によって識別
が難しく、ホログラム素子１２を逆方向に使用してしま
う危険性があるという課題も避けられなかった。
ログラム素子１２では、図５に示すようにビームスプリ
ット用ホログラムパターン２１および３ビーム発生用グ
レーティングパターン２３が基板２２の平坦な表面に設
けられているために、工程中にこれらのパターンが異物
に触れて損傷する危険性が多く、またこれらのパターン
を保護することも困難であるという課題があった。また
図６に示すように、ビームスプリット用ホログラムパタ
ーン２１の方向性を表すために設けられている十字マー
ク２５は基板２２が透明であること、また基板２２の表
面が鏡面であることにより、外部光の状態によって識別
が難しく、ホログラム素子１２を逆方向に使用してしま
う危険性があるという課題も避けられなかった。
【０００７】本発明は上記従来の課題を解決するもので
あり、基板の表面に設けられた上記パターンを外部から
の障害から容易に保護することができ、また組立工程中
に方向間違いのミスをなくすことができるホログラム素
子を提供することを目的とする。
あり、基板の表面に設けられた上記パターンを外部から
の障害から容易に保護することができ、また組立工程中
に方向間違いのミスをなくすことができるホログラム素
子を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明は、基板の片面または両面に少なくとも１個の
回折格子が形成されたホログラム素子であって、その回
折格子が前記基板の片面または両面に設けられた凹部に
形成されたものである。また基板の片面または両面に設
けられた凹部がその形状の一部に切り欠き部を備えるも
のである。
に本発明は、基板の片面または両面に少なくとも１個の
回折格子が形成されたホログラム素子であって、その回
折格子が前記基板の片面または両面に設けられた凹部に
形成されたものである。また基板の片面または両面に設
けられた凹部がその形状の一部に切り欠き部を備えるも
のである。
【０００９】したがって本発明によれば、基板の片面ま
たは両面に凹部を設け、その中に回折格子を形成してい
るために基板の周辺にある土手部分が内部の回折格子を
外部の異物による接触から保護することができる。さら
に凹部はその平面形状に切り欠き部を設けているために
このホログラム素子を用いて光ピックアップ装置を組み
立てる場合、その切り欠き部をホログラム素子の組立方
向を検知する手段として使用することができるので組立
ミスが発生することがない。
たは両面に凹部を設け、その中に回折格子を形成してい
るために基板の周辺にある土手部分が内部の回折格子を
外部の異物による接触から保護することができる。さら
に凹部はその平面形状に切り欠き部を設けているために
このホログラム素子を用いて光ピックアップ装置を組み
立てる場合、その切り欠き部をホログラム素子の組立方
向を検知する手段として使用することができるので組立
ミスが発生することがない。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下本発明のホログラム素子の一
実施の形態について図１、図２とともに図５、図６と同
一部分には同一番号を付して詳しい説明を省略し、相違
する点について説明する。
実施の形態について図１、図２とともに図５、図６と同
一部分には同一番号を付して詳しい説明を省略し、相違
する点について説明する。
【００１１】図１は本発明の一実施の形態におけるホロ
グラム素子を用いた半導体レーザ装置の構造を示すもの
であり、図に示すようにガラスまたはプラスチック材よ
りなる基板２２の両面にそれぞれ第１の凹部２６および
第２の凹部２７を設け、第１の凹部２６の上面にビーム
スプリット用ホログラムパターン（回折格子）２１を形
成し、第２の凹部２７の上面に３ビーム発生用グレーテ
ィングパターン（回折格子）２３を形成する。このよう
な構成とすることにより、ビームスプリット用ホログラ
ムパターン（回折格子）２１は基板２２の面に設けた第
１の凹部２６の土手部分２８によって保護されることに
なり、また３ビーム発生用グレーティングパターン（回
折格子）２３は基板２２の他の面に設けた第２の凹部２
７の土手部分２９によって保護されているために半導体
レーザ装置や光ピックアップ装置の組立時に外部から異
物によって傷つけられるようなことがなくなる。
グラム素子を用いた半導体レーザ装置の構造を示すもの
であり、図に示すようにガラスまたはプラスチック材よ
りなる基板２２の両面にそれぞれ第１の凹部２６および
第２の凹部２７を設け、第１の凹部２６の上面にビーム
スプリット用ホログラムパターン（回折格子）２１を形
成し、第２の凹部２７の上面に３ビーム発生用グレーテ
ィングパターン（回折格子）２３を形成する。このよう
な構成とすることにより、ビームスプリット用ホログラ
ムパターン（回折格子）２１は基板２２の面に設けた第
１の凹部２６の土手部分２８によって保護されることに
なり、また３ビーム発生用グレーティングパターン（回
折格子）２３は基板２２の他の面に設けた第２の凹部２
７の土手部分２９によって保護されているために半導体
レーザ装置や光ピックアップ装置の組立時に外部から異
物によって傷つけられるようなことがなくなる。
【００１２】また図２に示すように基板２２の上面に設
けられた第１の凹部２６はその一部に切り欠き部３０を
備えているために、ホログラム素子１２を半導体レーザ
装置１１に接合するとき、方向性を有するビームスプリ
ット用ホログラムパターン２１が形成されたホログラム
素子１２を正確に位置合わせすることができる。さらに
基板２２の凹部２６の底面を鏡面に、かつ土手部分２８
の表面を粗面として仕上げることにより切り欠き部分３
０を位置合わせの指標としてより一層確実に認識するこ
とが可能となる。
けられた第１の凹部２６はその一部に切り欠き部３０を
備えているために、ホログラム素子１２を半導体レーザ
装置１１に接合するとき、方向性を有するビームスプリ
ット用ホログラムパターン２１が形成されたホログラム
素子１２を正確に位置合わせすることができる。さらに
基板２２の凹部２６の底面を鏡面に、かつ土手部分２８
の表面を粗面として仕上げることにより切り欠き部分３
０を位置合わせの指標としてより一層確実に認識するこ
とが可能となる。
【００１３】なお、本実施の形態においては基板２２の
両面に凹部を設けた例について説明したが、本発明の目
的が達せられる場合、基板２２の片面に凹部を設けても
よい。また第１の凹部２６および第２の凹部２７の平面
形状は本実施の形態の場合、切り欠き部３０を設けるた
めに特殊な５角形状としたが、半導体レーザ装置の組立
時にビームスプリット用ホログラムパターン２１の方向
性を容易に認識し得るものであれば上記の５角形状に限
定するものではなく、凸多角形または凹多角形等の他の
形状を採用することも可能である。
両面に凹部を設けた例について説明したが、本発明の目
的が達せられる場合、基板２２の片面に凹部を設けても
よい。また第１の凹部２６および第２の凹部２７の平面
形状は本実施の形態の場合、切り欠き部３０を設けるた
めに特殊な５角形状としたが、半導体レーザ装置の組立
時にビームスプリット用ホログラムパターン２１の方向
性を容易に認識し得るものであれば上記の５角形状に限
定するものではなく、凸多角形または凹多角形等の他の
形状を採用することも可能である。
【００１４】このように上記実施の形態によれば、基板
２２の両面に第１の凹部２６および第２の凹部２７を設
け、その内部にビームスプリット用ホログラムパターン
２１と３ビーム発生用グレーティングパターン２３をそ
れぞれ形成しているために、ホログラム素子１２の取扱
い時または半導体レーザ装置の組立時に基板２２の土手
部分２８および２９によってビームスプリット用ホログ
ラムパターン２１と３ビーム発生用グレーティングパタ
ーン２３が保護され、したがって外部からの不用意な力
によって傷つけられることがない。
２２の両面に第１の凹部２６および第２の凹部２７を設
け、その内部にビームスプリット用ホログラムパターン
２１と３ビーム発生用グレーティングパターン２３をそ
れぞれ形成しているために、ホログラム素子１２の取扱
い時または半導体レーザ装置の組立時に基板２２の土手
部分２８および２９によってビームスプリット用ホログ
ラムパターン２１と３ビーム発生用グレーティングパタ
ーン２３が保護され、したがって外部からの不用意な力
によって傷つけられることがない。
【００１５】
【発明の効果】本発明は、基板の片面または両面に少な
くとも１個の回折格子が形成されたホログラム素子にお
いて、その回折格子が基板の片面、または両面に設けら
れた凹部に形成されたものであるためにこれらの回折格
子を工程作業中に誤って傷つけてしまうという恐れがな
くなり、極めて高い信頼性と生産性に優れたホログラム
素子を得ることができる。また基板の片面または両面に
設けられた凹部がその形状の少なくとも一部に切り欠き
部を備えているために組立作業中に容易にホログラム素
子の方向性を認識することができ、本発明に係わるホロ
グラム素子を用いて半導体レーザ装置を組み立てる場
合、より確実な組立作業が可能となる。
くとも１個の回折格子が形成されたホログラム素子にお
いて、その回折格子が基板の片面、または両面に設けら
れた凹部に形成されたものであるためにこれらの回折格
子を工程作業中に誤って傷つけてしまうという恐れがな
くなり、極めて高い信頼性と生産性に優れたホログラム
素子を得ることができる。また基板の片面または両面に
設けられた凹部がその形状の少なくとも一部に切り欠き
部を備えているために組立作業中に容易にホログラム素
子の方向性を認識することができ、本発明に係わるホロ
グラム素子を用いて半導体レーザ装置を組み立てる場
合、より確実な組立作業が可能となる。
【図１】本発明の一実施の形態におけるホログラム素子
を備えた半導体レーザ装置の断面図
を備えた半導体レーザ装置の断面図
【図２】同ホログラム素子の上面図
【図３】従来の光ピックアップ装置の概略構成図
【図４】半導体レーザ装置が一体化された光ピックアッ
プ装置の概略構成図
プ装置の概略構成図
【図５】従来のホログラム素子を備えた半導体レーザ装
置の断面図
置の断面図
【図６】同ホログラム素子の上面図
１２ ホログラム素子 ２１ ビームスプリット用ホログラムパターン（回折格
子） ２２ 基板 ２３ ３ビーム発生用グレーティングパターン（回折格
子） ２６ 第１の凹部 ２７ 第２の凹部
子） ２２ 基板 ２３ ３ビーム発生用グレーティングパターン（回折格
子） ２６ 第１の凹部 ２７ 第２の凹部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 永井 秀男 大阪府高槻市幸町１番１号 松下電子工業 株式会社内 (72)発明者 吉川 昭男 大阪府高槻市幸町１番１号 松下電子工業 株式会社内
Claims (4)
- 【請求項１】 発光素子と、前記発光素子を搭載する搭
載部と、前記搭載部の上に載置された光学素子とを有
し、前記光学素子は片面または両面に凹部が設けられ、
その凹部に少なくとも１個の回折格子が形成された光電
子装置。 - 【請求項２】 前記光学素子は、前記片面または両面に
設けられた凹部がその形状の一部に切り欠き部を備えた
ものである請求項１記載の光電子装置。 - 【請求項３】 前記光学素子は、少なくとも片面に凹部
を有し、その凹部に形成されかつパターンの方向性を有
する回折格子とを有し、前記凹部の平面形状が前記回折
格子のパターンの方向を識別しうる形状である請求項１
記載の光電子装置。 - 【請求項４】 前記光学素子は、両面に凹部が形成さ
れ、かつ前記凹部のそれぞれにビームスプリット用回折
格子および３ビーム発生用回折格子が形成された請求項
１記載の光電子素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000129150A JP3412603B2 (ja) | 1993-12-09 | 2000-04-28 | 光電子装置 |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30902393A JPH07159616A (ja) | 1993-12-09 | 1993-12-09 | ホログラム素子 |
| JP2000129150A JP3412603B2 (ja) | 1993-12-09 | 2000-04-28 | 光電子装置 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30902393A Division JPH07159616A (ja) | 1993-12-09 | 1993-12-09 | ホログラム素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000353847A true JP2000353847A (ja) | 2000-12-19 |
| JP3412603B2 JP3412603B2 (ja) | 2003-06-03 |
Family
ID=26565792
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000129150A Expired - Fee Related JP3412603B2 (ja) | 1993-12-09 | 2000-04-28 | 光電子装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3412603B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008066650A (ja) * | 2006-09-11 | 2008-03-21 | Enplas Corp | 光学素子、光モジュール、光コネクタおよび光モジュールの製造方法 |
-
2000
- 2000-04-28 JP JP2000129150A patent/JP3412603B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008066650A (ja) * | 2006-09-11 | 2008-03-21 | Enplas Corp | 光学素子、光モジュール、光コネクタおよび光モジュールの製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3412603B2 (ja) | 2003-06-03 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080328 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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