JP2857258B2

JP2857258B2 - 光ピックアップ装置

Info

Publication number: JP2857258B2
Application number: JP3035244A
Authority: JP
Inventors: 国雄山宮
Original assignee: Olympus Corp
Current assignee: Olympus Corp
Priority date: 1991-02-05
Filing date: 1991-02-05
Publication date: 1999-02-17
Anticipated expiration: 2014-02-17
Also published as: JPH04254933A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、光記録媒体に対する
情報の記録及び／または再生を行うための、例えば光磁
気ピックアップ装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】光磁気ピックアップ装置は、従来種々の
ものが提案されている。例えば、特開平２−１９２０３
１号公報には、記録媒体からの戻り光をビームスプリッ
タで入射光路から分離した後、偏光ホログラム素子によ
り回折させて、０次光と焦点位置の異なる±１次回折光
とを得、これら光束を光検出器で受光して情報信号とフ
ォーカスエラー信号等の制御信号を得るようにしたもの
がある。また、特開平２−１８５７２９号公報には、面
発光レーザの出射面に凸レンズを設けることによって光
ピックアップ装置を小形、軽量化して、情報の転送速度
の高速化を図ったものが提案されている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、特開平
２−１９２０３１号公報においては、ビームスプリッタ
と光検出器との間に偏光ホログラム素子を配置している
が、半導体レーザと光検出器とビームスプリッタが半導
体基板上に配置されておらず、各光学素子を離間して配
置しているため、組立て、調整が面倒となり、コスト高
になるという問題がある。また、特開平２−１８５７２
９号公報においては、面発光レーザの出射面に凸レンズ
を注入、硬化させて一体成形しているため、凸レンズの
瞳上でのビームの径を大きくすることができず、これが
ため記録媒体面上でのスポット径が大きくなって記録密
度が低下するという問題がある。また、かかる構成にお
ける情報信号および制御信号の検出方式としては、スク
ープ方式が考えられるが、この方式だと充分なＣ／Ｎが
得られ難いという問題がある。

【０００４】この発明は、上述した従来の問題点に着目
してなされたもので、小形かつ安価にできると共に、記
録媒体上でのビームスポット径を充分小さくでき、した
がって記録密度を高くできるよう適切に構成した光磁気
ピックアップ装置を提供することを目的とする。

【０００５】

【課題を解決するための手段】本発明は、半導体レーザ
からの出射光をビームスプリッタ及び対物レンズを経て
光記録媒体上に投射し、その反射光を前記対物レンズを
経て前記ビームスプリッタで入射光路から分岐して光検
出器で受光するようにした光ピックアップ装置におい
て、少なくとも前記ビームスプリッタ及び前記光検出器
を共通の半導体基板上に設けると共に、前記ビームスプ
リッタ内で前記半導体レーザからの出射光が発散する光
路中に拡がり角を変化させる光学素子を配置したことを
特徴とするものである。

【０００６】さらに、この発明では、半導体レーザから
の出射光をビームスプリッタおよび対物レンズを経て光
磁気記録媒体上に投射し、その反射光を前記対物レンズ
を経て前記ビームスプリッタで入射光路から分岐して光
検出器で受光するようにした光磁気ピックアップ装置に
おいて、少なくとも前記半導体レーザ、ビームスプリッ
タおよび光検出器を共通の半導体基板に設けると共に、
前記ビームスプリッタの前記半導体レーザからの出射光
が入射する部分に凹レンズを形成し、かつ前記ビームス
プリッタと前記光検出器との間に偏光ホログラムを設け
て、前記凹レンズにより前記半導体レーザからの出射光
を拡大して前記対物レンズに入射させると共に、前記偏
光ホログラムにより前記光磁気記録媒体からの反射光の
偏光成分を分離して前記光検出器で受光するようにす
る。

【０００７】

【実施例】図１はこの発明の第１実施例を示すものであ
る。この実施例は、光磁気ディスク１に対して情報の記
録／再生を行うもので、半導体基板２に面発光レーザ３
および該面発光レーザ３の出力をモニタするための光検
出器４を形成すると共に、面発光レーザ３を覆うように
半導体基板２上にビームスプリッタ５を接合して設け
る。ビームスプリッタ５は、半導体基板２上に接合され
る第１プリズム５ａと、該第１プリズム５ａに接合され
る第２プリズム５ｂと、これら第１，第２プリズム５
ａ，５ｂの接合部に設けた誘電体多層膜よりなる偏光膜
５ｃとをもって構成すると共に、第１プリズム５ａの面
発光レーザ３と対向する部分には凹レンズ５ｄを形成す
る。また、ビームスプリッタ５の第２プリズム５ｂ上に
は、偏光ホログラム６を介して非球面の対物レンズ７を
接合して設ける。なお、偏光膜５ｃはＰ偏光を５０％透
過し、Ｓ偏光を１００％反射するように構成する。

【０００８】さらに、半導体基板２上には、情報信号お
よび制御信号を検出するための光検出器８を有するブロ
ック９を、半導体基板２に対して位置調整できるよう
に、両矢印で示す光検出器８の受光面の法線方向（光軸
方向）に移動可能に設ける。光検出器８は、図２に拡大
して示すように、光磁気ディスク１のトラック方向と平
行な分割線で２分割された受光領域１０ａおよび１０ｂ
を有する受光部１０と、光磁気ディスク１の半径方向と
平行な分割線で３分割された受光領域１１ａ，１１ｂお
よび１１ｃを有する受光部１１とをもって構成する。な
お、光ビームが投射される光磁気ディスク１の反対側に
は、情報の記録および消去において外部磁界を作用させ
るための電磁石等の外部磁界発生手段１２を設ける。

【０００９】以下、この実施例の動作を説明する。まず
再生動作においては、面発光レーザ３から低パワーの再
生光束を出射させ、その出射光束を凹レンズ５ｄにより
拡大してビームスプリッタ５に入射させ、その偏光膜５
ｃで一部反射される光束を第１プリズム５ａを屈折透過
させて光検出器４で受光して面発光レーザ３の出力を制
御するようにする。また、偏光膜５ｃを透過した面発光
レーザ３の出射光束は、第２プリズム５ｂを経て偏光ホ
ログラム６に入射させ、その０次光（Ｐ偏光）を対物レ
ンズ７により光磁気ディスク１上に集光させる。光磁気
ディスク１での反射光は、対物レンズ７を経て偏光ホロ
グラム６に入射させる。ここで、光磁気ディスク１から
の反射光は、記録情報によってカー回転成分（Ｓ偏光成
分）をもっているので、そのＰ偏光成分は偏光ホログラ
ム６をそのまま透過させて第２プリズム５ｂを経て偏光
膜５ｃに入射させ、該偏光膜５ｃで５０％反射させて光
検出器８の受光部１０で受光する。また、Ｓ偏光成分は
偏光ホログラム６で回折させて、その光束を第２プリズ
ム５ｂを経て偏光膜５ｃに入射させ、該偏光膜５ｃで１
００％反射させて光検出器８の受光部１１で受光する。

【００１０】このようにして、受光部１０および１１の
出力に基づいて、情報信号（ＲＦ）、フォーカスエラー
信号（ＦＥ）およびトラッキングエラー信号（ＴＥ）を
得、ＦＥおよびＴＥに基づいて半導体基板２を含む光学
系全体をフォーカスおよびトラッキング方向に２次元駆
動してフォーカスおよびトラッキングサーボを行う。な
お、ＲＦ、ＦＥおよびＴＥは、受光部１０の受光領域１
０ａ，１０ｂの出力をＤ，Ｅ、受光部１１の受光領域１
１ａ，１１ｂ，１１ｃの出力をＡ，Ｂ，Ｃとするとき、ＲＦ＝（Ａ＋Ｂ＋Ｃ）−（Ｄ＋Ｅ）ＦＥ＝Ａ＋Ｂ−ＣＴＥ＝Ｄ−Ｅにより得ることができる。また、記録あるいは消去動作
においては、面発光レーザ３から高パワーの記録光束を
出射させると共に、外部磁界発生手段１２からは、記録
おいては記録すべき情報に応じて変調した磁界を発生さ
せ、また消去においては消去磁界を発生させて、情報の
記録あるいは消去を行う。

【００１１】この実施例によれば、半導体基板２に面発
光レーザ３および光検出器４を形成すると共に、この半
導体基板２上にビームスプリッタ５、偏光ホログラム
６、対物レンズ７および光検出器８を一体的に設けるよ
うにしたので、全体を容易にパッケージ化することがで
き、したがって小形にできると共に、組立て調整も容易
にでき、安価にできる。また、第１プリズム５ａの面発
光レーザ３と対向する部分に凹レンズ５ｄを形成したの
で、面発光レーザ３からの出射光を有効に拡大すること
ができ、対物レンズ７の瞳上でのビーム径を大きくでき
る。したがって、光磁気ディスク１上に充分径の小さい
ビームスポットを形成できるので、記録密度を有効に高
めることができる。さらに、光磁気ディスク１での反射
光のうち、カー回転によるＳ偏光成分を偏光ホログラム
６で回折させ、偏光膜５ｃで１００％反射させて受光部
１１で受光するようにしたので、光量ロスを少なくで
き、したがって情報を高精度で検出することができる。
また、偏光ホログラム６をビームスプリッタ５と対物レ
ンズ７との間に張り合わせて設けたので、偏光ホログラ
ム６の格子溝の深さおよびピッチを適切に設定すること
により、塵埃による悪影響も有効に防止することができ
る。

【００１２】図３はこの発明の第２実施例を示すもので
ある。この実施例は、第１実施例においてビームスプリ
ッタ５から分離して球面状の対物レンズ１５を設け、こ
れを公知のアクチュエータにより、フォーカス方向およ
びトラッキング方向に駆動するようにすると共に、この
対物レンズ１５の入射面側すなわち光磁気ディスク１と
は反対側の面に偏光ホログラム６を設ける。また、光検
出器８を図４に拡大して示すように、トラック方向に平
行な分割線でそれぞれ２分割した受光領域１６ａ，１６
ｂおよび１７ａ，１７ｂを有する２個の受光部１６，１
７と、光磁気ディスク１の半径方向と平行な分割線で３
分割した受光領域１８ａ，１８ｂおよび１８ｃを有する
受光部１８とをもって構成する。その他の構成は、第１
実施例と同様であり、同一符号は同一作用をなすものを
示す。なお、偏光ホログラム６は、対物レンズ１５がガ
ラス材質のときは、例えばエッチング法またはプレス法
によって対物レンズ１５と一体と成形し、また対物レン
ズ１５がプラスチック材質のときは、例えばレプリカ法
によって形成する。

【００１３】この実施例では、光磁気ディスク１からの
反射光のうち、Ｐ偏光成分は偏光ホログラム６をそのま
ま透過させ、偏光膜５ｃで５０％反射させて受光部１８
で受光し、Ｓ偏光成分は偏光ホログラム６で回折させ、
その±１次回折光を偏光膜５ｃで１００％反射させて受
光部１６，１７でそれぞれ受光し、これら受光部１６，
１７および１８の出力に基づいてＲＦ、ＦＥおよびＴＥ
を得る。すなわち、受光部１６の受光領域１６ａ，１６
ｂの出力をＤ，Ｅ、受光部１７の受光領域１７ａ，１７
ｂの出力をＦ，Ｇ、受光部１８の受光領域１８ａ，１８
ｂ，１８ｃの出力をＡ，Ｂ，Ｃとするとき、ＲＦ、ＦＥ
およびＴＥを、ＲＦ＝（Ａ＋Ｂ＋Ｃ）−（Ｄ＋Ｅ＋Ｆ＋Ｇ）ＦＥ＝Ａ＋Ｂ−ＣＴＥ＝（Ｄ＋Ｆ）−（Ｅ＋Ｇ）により得、ＦＥおよびＴＥに基づいて偏光ホログラム６
を有する対物レンズ１５をアクチュエータによりフォー
カスおよびトラッキング方向に２次元駆動してフォーカ
スおよびトラッキングサーボを行う。

【００１４】この実施例においても第１実施例と同様の
効果を得ることができるが、特にこの実施例では光磁気
ディスク１での反射光のＳ偏光成分の±１次回折光をそ
れぞれ受光部１６，１７で受光するようにしたので、第
１実施例におけるよりも光量ロスをより有効に防止で
き、したがってＲＦおよびＴＥの各信号をより高精度で
検出することができる。

【００１５】図５はこの発明の第３実施例を示すもので
ある。この実施例は、第２実施例においてビームスプリ
ッタ５を構成する第２プリズム５ｂに非球面のコリメー
タレンズ５ｅを一体に形成して無限光学系としたもの
で、その他の構成は第２実施例と同様であり、同一符号
は同一作用を成すものを示す。したがって、この実施例
においても第１および第２実施例と同様の効果を得るこ
とができる。

【００１６】図６はこの発明の第４実施例を示すもので
ある。この実施例では、第３実施例において半導体基板
２に凹部２ａを形成して、この凹部２ａに２本の光ビー
ムを発する４５°反射型の面発光レーザ２１をマウント
すると共に、第２プリズム５ｂ上に偏光ホログラム２２
を介してコリメータレンズ２３を接合して設ける。ま
た、光検出器８を図７に拡大して示すように、トラック
方向に平行な分割線でそれぞれ２分割した受光領域２４
ａ，２４ｂおよび２５ａ，２５ｂを有する２個の受光部
２４，２５と、光磁気ディスク１の半径方向と平行な分
割線でそれぞれ３分割した受光領域２６ａ，２６ｂ，２
６ｃおよび２７ａ，２７ｂ，２７ｃを有する２個の受光
部２６，２７とをもって構成する。その他の構成は、第
３実施例と同様であり、同一符号は同一作用をなすもの
を示す。

【００１７】この実施例では、情報の記録あるいは消去
モードにおいては、面発光レーザ２１から記録および再
生用の２本の光ビームを発生させ、これらを凹レンズ５
ｄ、第１プリズム５ａ、偏光膜５ｃ、第２プリズム５
ｂ、偏光ホログラム２２、コリメータレンズ２３および
対物レンズ１５を経て光磁気ディスク１上に、記録ビー
ムが再生ビームよりもトラック方向に若干先行するよう
に投射する。なお、これら記録ビームおよび再生ビーム
の一部は光検出器４で受光し、その出力を適当に処理し
て記録ビームおよび再生ビームの出力パワーを制御す
る。光磁気ディスク１からの反射光のうち、記録ビーム
の反射光は、対物レンズ１５およびコリメータレンズ２
３を経て偏光ホログラム２２に入射させ、その０次光を
第２プリズム５ｂおよび偏光膜５ｃを経て光検出器８の
受光部２４で受光する。また、再生ビームの反射光は、
対物レンズ１５およびコリメータレンズ２３を経て偏光
ホログラム２２に入射させ、そのＰ偏光成分（０次光）
は偏光ホログラム２２をそのまま透過させた後、偏光膜
５ｃで５０％反射させて受光部２５で受光し、Ｓ偏光成
分は偏光ホログラム２２で回折させ、その±１次回折光
を偏光膜５ｃで１００％反射させて受光部２６，２７で
それぞれ受光する。なお、偏光ホログラム２２で回折さ
れる再生ビームの戻り光の±１次回折光は、例えば＋１
次回折光が受光部２６の後方に、−１次回折光が受光部
２７の前方に焦点を結ぶようにそれらの焦点位置を異な
らせる。このようにして、受光部２４，２５，２６およ
び２７の出力に基づいてＲＦ、ＦＥおよびＴＥを得る。

【００１８】すなわち、受光部２４の受光領域２４ａ，
２４ｂの出力をＧ，Ｈ、受光部２５の受光領域２５ａ，
２５ｂの出力をＩ，Ｊ、受光部２６の受光領域２６ａ，
２６ｂ，２６ｃの出力をＡ，Ｂ，Ｃ、受光部２７の受光
領域２７ａ，２７ｂ，２７ｃの出力をＤ，Ｅ，Ｆとする
とき、ＲＦ、ＦＥおよびＴＥを、ＲＦ＝（Ａ＋Ｂ＋Ｃ＋Ｄ＋Ｅ＋Ｆ）−（Ｉ＋Ｊ）ＦＥ＝（Ａ＋Ｂ＋Ｆ）−（Ｄ＋Ｅ＋Ｃ）ＴＥ＝（Ｇ＋Ｉ）−（Ｈ＋Ｊ）により得、これによりＦＥおよびＴＥに基づいて対物レ
ンズ１５をアクチュエータによりフォーカスおよびトラ
ッキング方向に２次元駆動してフォーカスおよびトラッ
キングサーボを行いながら、記録情報の同時ベリファイ
あるいは消去の確認を行う。なお、再生モードにおいて
は、再生ビームのみを投射して記録情報を再生する。

【００１９】図８はこの発明の第５実施例を示すもので
ある。この実施例では、半導体基板２に後述するレーザ
ダイオードの出力をモニタするための光検出器３１を形
成すると共に、イオンエッチング等により凹部３２を形
成してこの凹部３２の底面に情報信号および制御信号検
出用の光検出器３３を形成する。なお、光検出器３３
は、それぞれ３分割された受光領域を有する２個の受光
部３３ａ，３３ｂをもって構成する。また、半導体基板
２上には、端面発光型のレーザダイオード３４をマウン
トして設けると共に、光検出器３１および３３を覆うよ
うにビームスプリッタ３５をマウントして設け、レーザ
ダイオード３４から光磁気ディスク１と平行な方向に光
ビームを放射してビームスプリッタ３５に入射させるよ
うにする。

【００２０】ビームスプリッタ３５は、半導体基板２上
に接合される第１プリズム３５ａと、該第１プリズム３
５ａに接合される第２プリズム３５ｂと、これら第１，
第２プリズム３５ａ，３５ｂの接合部に設けられ、Ｓ偏
光を５０％透過、Ｐ偏光を１００％反射させる誘電体多
層膜よりなる偏光膜３５ｃとをもって構成すると共に、
第２プリズム３５ｂのレーザダイオード３４と対向する
部分には凹レンズ３５ｄを形成する。また、光検出器３
３と対向するビームスプリッタ３５の第１プリズム３５
ａ上には、偏光ホログラム３６を接合して設ける。な
お、偏光ホログラム３６は、その格子方向が光磁気ディ
スク１の無磁化状態での戻り光の偏光方向に対して最適
となるように、エッチングまたはレプリカ法により第１
プリズム３５ａに一体に形成する。

【００２１】このようにして、この実施例では、レーザ
ダイオード３４からの出射光束を凹レンズ３５ｄにより
拡大してビームスプリッタ３５に入射させ、その偏光膜
３５ｃを一部透過する光束を第１プリズム３５ａで反射
させて光検出器３１で受光してレーザダイオード３４の
出力を制御するようにする。また、偏光膜３５ｃで反射
したレーザダイオード３４の出射光束は、第２プリズム
３５ｂを経て対物レンズ３７により光磁気ディスク１上
に集光させる。光磁気ディスク１での反射光は、対物レ
ンズ３７、ビームスプリッタ３５の第２プリズム３５
ｂ、偏光膜３５ｃおよび第１プリズム３５ａを経て偏光
ホログラム３６に入射させ、そのＰ偏光成分はそのまま
透過させて光検出器３３の受光部３３ａで受光し、Ｓ偏
光成分は回折させて受光部３３ｂで受光して、これら受
光部３３ａ，３３ｂの出力に基づいて情報信号および制
御信号を検出するようにする。したがって、この実施例
においても、上述した実施例と同様の効果を得ることが
できる。

【００２２】図９は光束伝達部材を用いた光磁気ピック
アップ装置を示すものである。この光磁気ピックアップ
装置においては、半導体基板４１にイオンエッチング等
により反射面４２ａを有する凹部４２を形成し、この凹
部４２の底面に光検出器４３を形成すると共に、レーザ
ダイオード４４をマウントして設け、該レーザダイオー
ド４４からの出射光を反射面４２ａで光磁気ディスク１
の方向に反射させるようにすると共に、その後方ビーム
を光検出器４３で受光してレーザダイオード４４の出力
パワーを制御するようにする。また、半導体基板４１の
上面には、情報信号および制御信号検出用の光検出器４
５を形成すると共に、この光検出器４５および上記凹部
４２を覆うように光束伝達部材４６を接合して設ける。
なお、光検出器４５は、それぞれ３分割された受光領域
を有する２個の受光部４５ａ，４５ｂをもって構成す
る。

【００２３】光束伝達部材４６の下面には、反射面４２
ａからの光束が入射する部分に凹レンズ４６ａを形成
し、上面には凹レンズ４６ａと対向する部分および光検
出器４５と対向する部分にビームスプリッタ機能を有す
る表面レリーフ型または位相型の第１ホログラム４７お
よび第２ホログラム４８をそれぞれ形成する。なお、凹
レンズ４６ａを形成した部分、第１，第２ホログラム４
７，４８を設けた部分および光検出器４５と接する部分
を除く光束伝達部材４６の下面および上面には、反射金
属膜をコーティングして該光束伝達部材４６内を伝達す
る光束の偏光面が保存されるようにする。

【００２４】この光磁気ピックアップ装置においては、
レーザダイオード４４からの出射光束を反射面４２ａで
反射させて凹レンズ４６ａに入射させ、これによりビー
ムを拡大して光束伝達部材４６を透過させた後、第１ホ
ログラム４７および対物レンズ４９を経て光磁気ディス
ク１上に集光させる。また、光磁気ディスク１での反射
光は、対物レンズ４９を経て第１ホログラム４７に入射
させ、そのＰおよびＳ偏光の＋１次回折光を光束伝達部
材４６内で繰り返し反射させて第２ホログラム４８に入
射させる。なお、第１ホログラム４７は、光磁気ディス
ク１が対物レンズ４９に対して合焦位置にあるときに、
ＰおよびＳ偏光の＋１次回折光が平行光となるように構
成する。第２ホログラム４８では、０次光を光検出器４
５の一方の受光部４５ａに、−１次回折光を他方の受光
部４５ｂに入射させることによって、Ｐ偏光成分および
Ｓ偏光成分を受光部４５ａ，４５ｂで分離して受光する
ようにする。なお、０次光および−１次回折光は、光磁
気ディスク１が対物レンズ４９に対して合焦位置にある
ときに、受光部４５ａ，４５ｂ上にほぼ等しい大きさの
スポットが形成されるようにそれらの焦点位置を異なら
せて、すなわち０次光は受光部４５ａの手前で焦点を結
び、−１次回折光は受光部４５ｂの後方で焦点を結ぶよ
うに、受光部４５ａ，４５ｂに入射させる。

【００２５】このようにして、受光部４５ａの総出力と
受光部４５ｂの総出力との差動検出により情報信号を得
る。また、第２ホログラム４８に入射する光束は、上記
のように光磁気ディスク１が対物レンズ４９に対して合
焦位置にあるときに平行光となり、その状態で受光部４
５ａ，４５ｂにほぼ等しい大きさのスポットが形成され
るようになっているので、光磁気ディスク１が合焦位置
から対物レンズ４９側に近づくと、第２ホログラム４８
に入射する光束は発散光束となって受光部４５ａ上のス
ポットが小さく、受光部４５ｂ上のスポットが大きくな
り、逆に遠ざかると収束光束となって受光部４５ａ上の
スポットが大きく、受光部４５ｂ上のスポットが小さく
なる。したがって、フォーカスエラー信号は、受光部４
５ａ，４５ｂの各受光領域の出力に基づいて公知のビー
ムサイズ法により得ることができる。

【００２６】この光磁気ピックアップ装置によれば、全
体を偏平化できるので薄型で小形にできると共に、プリ
ズム等を用いないので組立て調整も容易にでき、安価に
できる。また、光束伝達部材４６に凹レンズ４６ａを形
成して、レーザダイオード４４からの光束を拡大するよ
うにしたので、対物レンズ４９の瞳上でのビーム径を大
きくできる。したがって、光磁気ディスク１上に充分径
の小さいビームスポットを形成できるので、記録におけ
る記録密度を有効に高めることができる。

【００２７】図１０は図９に示した光磁気ピックアップ
装置の変形例を示すものである。この光磁気ピックアッ
プ装置においては、図９の光束伝達部材に変えてニオブ
酸リチウム単結晶板５１の上面にスラブ光導波路５２を
形成したものを用い、第１ホログラム４７で回折された
光磁気ディスク１からの戻り光の＋１次回折光をスラブ
光導波路５２内に取り込むようにしたもので、その他の
構成は図９と同様である。なお、レーザダイオード４４
からの出射光が入射するニオブ酸リチウム単結晶板５１
の部分には、凹レンズ５１ａを形成する。したがって、
この光磁気ピックアップ装置においても、図９と同様の
効果を得ることができる。

【００２８】なお、この発明は上述した実施例にのみ限
定されるものではなく、幾多の変形または変更が可能で
ある。例えば、図６に示した実施例においては、４５°
反射型の面発光レーザ２１を用いたが、通常の端面発光
型のレーザダイオードを縦型にマウントしたり、あるい
は凹部２ａに反射面を形成して通常の端面発光型のレー
ザダイオードを横型にマウントしても同様に構成するこ
とができる。また、図１、図３および図５では半導体基
板２に単一ビームを発光する面発光レーザ３を形成する
ようにしたが、マルチビームを発光する面発光レーザを
形成することもでき、これにより図６と同様にして同時
ベリファイ等を行うようにすることもできる。さらに、
例えば図１において、偏光ホログラム６を除去すると共
に、偏光膜５ｃに代えてハーフミラーを設けることによ
り、コンパクトディスクやレーザディスク等の再生専用
ピックアップ装置を構成することもできるし、偏光ホロ
グラム６に代えて１／４波長板を用いることによりＣＤ
−ＷＤ等の追記型のピックアップ装置を構成することも
できる。

【００２９】

【発明の効果】以上のように、この発明によれば、少な
くとも光路を分離するビームスプリッタと、該ビームス
プリッタで分離された光記録媒体からの反射光を受光す
る光検出器とを共通の半導体基板に設けたので、全体を
容易にパッケージ化することができ、したがって小形に
できると共に、組立て調整も容易にでき、安価にでき
る。更に、この発明によれば、半導体レーザからの出射
光が発散する光路中に拡がり角を変化させる光学素子を
配置したので、対物レンズの瞳上でのビーム径を変化で
きる。従って、例えば、光記録媒体上に十分径の小さい
ビームスポットを形成できるので、記録密度を有効に高
めることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の第１実施例を示す図である。

【図２】図１に示す光検出器の構成を拡大して示す図で
ある。

【図３】この発明の第２実施例を示す図である。

【図４】図３に示す光検出器の構成を拡大して示す図で
ある。

【図５】この発明の第３実施例を示す図である。

【図６】この発明の第４実施例を示す図である。

【図７】図６に示す光検出器の構成を拡大して示す図で
ある。

【図８】この発明の第５実施例を示す図である。

【図９】光束伝達部材を用いた光磁気ピックアップの構
成を示す図である。

【図１０】図９の変形例を示す図である。

【符号の説明】

１光磁気ディスク２半導体基板２ａ凹部３面発光レーザ４光検出器５ビームスプリッタ５ａ第１プリズム５ｂ第２プリズム５ｃ偏光膜５ｄ凹レンズ５ｅコリメータレンズ６偏光ホログラム７対物レンズ８光検出器９ブロック１０，１１受光部１０ａ，１０ｂ，１１ａ，１１ｂ，１１ｃ受光領域１２外部磁界発生手段１５対物レンズ１６，１７，１８受光部１６ａ，１６ｂ，１７ａ，１７ｂ，１８ａ，１８ｂ，１
８ｃ受光領域２１面発光レーザ２２偏光ホログラム２３コリメータレンズ２４，２５，２６，２７受光部２４ａ，２４ｂ，２５ａ，２５ｂ，２６ａ，２６ｂ，２
６ｃ，２７ａ，２７ｂ，２７ｃ受光領域３１光検出器３２凹部３３光検出器３３ａ，３３ｂ受光領域３４レーザダイオード３５ビームスプリッタ３５ａ第１プリズム３５ｂ第２プリズム３５ｃ偏光膜３５ｄ凹レンズ３６偏光ホログラム

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号ＦＩＧ１１Ｂ 7/135 Ｇ１１Ｂ 7/135 Ｚ

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】半導体レーザからの出射光をビームスプ
リッタ及び対物レンズを経て光記録媒体上に投射し、そ
の反射光を前記対物レンズを経て前記ビームスプリッタ
で入射光路から分岐して光検出器で受光するようにした
光ピックアップ装置において、少なくとも前記ビームスプリッタ及び前記光検出器を共
通の半導体基板上に設けると共に、前記ビームスプリッ
タ内で前記半導体レーザからの出射光が発散する光路中
に拡がり角を変化させる光学素子を配置したことを特徴
とする光ピックアップ装置。
【請求項２】前記光学素子は該光学素子の光軸を通る
平面内において凹レンズ作用を有することを特徴とする
請求項１記載の光ピックアップ装置。