JP2000351669A - ＬａＧａＯ３系焼結体及びその製造方法 - Google Patents
ＬａＧａＯ３系焼結体及びその製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 焼結体密度が高く、緻密なＬａＧａＯ3系焼
結体及びその製造方法を提供すること。 【解決手段】 出発原料として、平均粒径が１．７μｍ
以下のＬａＧａＯ3系酸化物粉末を用いて、ＬａＧａＯ3
系焼結体を製造する。そして、このＬａＧａＯ3系焼結
体に対して、ＪＩＳ Ｂ ０６０１の規定に従って表面
の粗さを測定して粗さ曲線を求め、その粗さ曲線の平均
線より凹の部分を表面凹部として、そのサイズを測定す
ると、１０μｍ未満のサイズの表面凹部が全表面凹部数
の５０％以上であり、また、焼結密度は理論密度の９４
％以上であり、非常に緻密なＬａＧａＯ3系焼結体であ
る。
結体及びその製造方法を提供すること。 【解決手段】 出発原料として、平均粒径が１．７μｍ
以下のＬａＧａＯ3系酸化物粉末を用いて、ＬａＧａＯ3
系焼結体を製造する。そして、このＬａＧａＯ3系焼結
体に対して、ＪＩＳ Ｂ ０６０１の規定に従って表面
の粗さを測定して粗さ曲線を求め、その粗さ曲線の平均
線より凹の部分を表面凹部として、そのサイズを測定す
ると、１０μｍ未満のサイズの表面凹部が全表面凹部数
の５０％以上であり、また、焼結密度は理論密度の９４
％以上であり、非常に緻密なＬａＧａＯ3系焼結体であ
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えばセンサデバ
イスに用いることができるＬａＧａＯ3系焼結体及びそ
の製造方法に関するものである。
イスに用いることができるＬａＧａＯ3系焼結体及びそ
の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来より、センサなどに使用される固体
電解質として、安定化ジルコニア（ＹＳＺ）が知られて
おり、幅広く使用されているが、高いイオン伝導性を得
るためには、作動温度を高くする必要がある。つまり、
この安定化ジルコニアは、温度が低くなると酸素イオン
伝導性が急激に低下するという問題がある。
電解質として、安定化ジルコニア（ＹＳＺ）が知られて
おり、幅広く使用されているが、高いイオン伝導性を得
るためには、作動温度を高くする必要がある。つまり、
この安定化ジルコニアは、温度が低くなると酸素イオン
伝導性が急激に低下するという問題がある。
【０００３】一方、近年では、安定化ジルコニアよりも
高い酸素イオン伝導性が得られる物質として、ランタン
ガリウムペロブスカイト複酸化物の焼結体、即ちランタ
ンガレート系焼結体（ＬａＧａＯ3系焼結体）が注目さ
れており、多くの研究がなされている。
高い酸素イオン伝導性が得られる物質として、ランタン
ガリウムペロブスカイト複酸化物の焼結体、即ちランタ
ンガレート系焼結体（ＬａＧａＯ3系焼結体）が注目さ
れており、多くの研究がなされている。
【０００４】このＬａＧａＯ3系焼結体とは、ＬａやＧ
ａの一部が、それより低原子価のＳｒやＭｇ等に、置換
固溶により置き代わったものであり、これにより、焼結
体の酸素イオン伝導性が大きくなる性質を有する。
ａの一部が、それより低原子価のＳｒやＭｇ等に、置換
固溶により置き代わったものであり、これにより、焼結
体の酸素イオン伝導性が大きくなる性質を有する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このＬ
ａＧａＯ3系焼結体は、焼結させることが難しい材料で
あり、１５００℃以上の高温で焼成しても、焼結体中に
ポアが凝集し、緻密な焼結体が得られにくいという問題
がある。
ａＧａＯ3系焼結体は、焼結させることが難しい材料で
あり、１５００℃以上の高温で焼成しても、焼結体中に
ポアが凝集し、緻密な焼結体が得られにくいという問題
がある。
【０００６】本発明は、前記課題を解決するためになさ
れたものであり、焼結体密度が高く、緻密なＬａＧａＯ
3系焼結体及びその製造方法を提供することを目的とす
る。
れたものであり、焼結体密度が高く、緻密なＬａＧａＯ
3系焼結体及びその製造方法を提供することを目的とす
る。
【０００７】
【課題を解決するための手段】出発原料であるＬａＧａ
Ｏ3系粉末の粒径が大きいと、（出発原料の粉末を成形
した）成形体及びその焼結体にクラックが発生し、ま
た、焼結体のＳＥＭ観察では、ポアが凝集していること
が認められ、緻密な焼結体を得ることが難しい。
Ｏ3系粉末の粒径が大きいと、（出発原料の粉末を成形
した）成形体及びその焼結体にクラックが発生し、ま
た、焼結体のＳＥＭ観察では、ポアが凝集していること
が認められ、緻密な焼結体を得ることが難しい。
【０００８】そこで、本発明者らは、出発原料の粒径を
例えば湿式粉砕により制御した結果、出発原料であるＬ
ａＧａＯ3系粉末の平均粒径が１．７μｍ以下（但し０
μｍを除く）である粉末を用いた焼結体では、理論密度
の９４％以上に焼結した緻密な焼結体が得られることを
見い出し、この知見に基づいて本発明を完成した。以下
各請求項毎に説明する。
例えば湿式粉砕により制御した結果、出発原料であるＬ
ａＧａＯ3系粉末の平均粒径が１．７μｍ以下（但し０
μｍを除く）である粉末を用いた焼結体では、理論密度
の９４％以上に焼結した緻密な焼結体が得られることを
見い出し、この知見に基づいて本発明を完成した。以下
各請求項毎に説明する。
【０００９】（１）請求項１の発明は、ＬａＧａＯ3系
焼結体の表面に対し、ＪＩＳ Ｂ ０６０１の規定にお
ける粗さ曲線の平均線より凹の部分を表面凹部として、
そのサイズを測定した表面凹部のうち、１０μｍ未満
（但し０μｍを除く）のサイズの表面凹部が、全表面凹
部数の５０％以上であることを特徴とするＬａＧａＯ3
系焼結体を要旨とする。
焼結体の表面に対し、ＪＩＳ Ｂ ０６０１の規定にお
ける粗さ曲線の平均線より凹の部分を表面凹部として、
そのサイズを測定した表面凹部のうち、１０μｍ未満
（但し０μｍを除く）のサイズの表面凹部が、全表面凹
部数の５０％以上であることを特徴とするＬａＧａＯ3
系焼結体を要旨とする。
【００１０】本発明では、１０μｍ未満のサイズの表面
凹部が、全表面凹部数の５０％以上を占めるので、Ｌａ
ＧａＯ3系焼結体は非常に緻密である。従って、クラッ
ク等の不具合が少なく、高い強度や耐久性や高酸素イオ
ン伝導性等の優れた性能を有するので、例えばセンサデ
バイス等に最適である。
凹部が、全表面凹部数の５０％以上を占めるので、Ｌａ
ＧａＯ3系焼結体は非常に緻密である。従って、クラッ
ク等の不具合が少なく、高い強度や耐久性や高酸素イオ
ン伝導性等の優れた性能を有するので、例えばセンサデ
バイス等に最適である。
【００１１】・ここで、ＬａＧａＯ3系焼結体の表面と
は、粗さ曲線や表面凹部のサイズ等を得るための測定の
対象となる表面のことである。従って、ＬａＧａＯ3系
焼結体の外表面を示す表面以外に、測定等のためにＬａ
ＧａＯ3系焼結体を切断し、その切断面の表面が上述し
た特徴を有する場合も、本発明の範囲である。
は、粗さ曲線や表面凹部のサイズ等を得るための測定の
対象となる表面のことである。従って、ＬａＧａＯ3系
焼結体の外表面を示す表面以外に、測定等のためにＬａ
ＧａＯ3系焼結体を切断し、その切断面の表面が上述し
た特徴を有する場合も、本発明の範囲である。
【００１２】・前記ＪＩＳ Ｂ ０６０１の規定におけ
る粗さ曲線とは、「断面曲線から所定の波長より長い表
面うねり成分をカットオフした曲線」のことである。
尚、前記断面曲線とは、「被測定面に垂直な平面で被測
定面を切断したとき、その切り口に現れる曲線」のこと
である。
る粗さ曲線とは、「断面曲線から所定の波長より長い表
面うねり成分をカットオフした曲線」のことである。
尚、前記断面曲線とは、「被測定面に垂直な平面で被測
定面を切断したとき、その切り口に現れる曲線」のこと
である。
【００１３】・また、前記粗さ曲線の平均値とは、「前
記粗さ曲線の抜取り部分において、被測定面の幾何学的
形状をもつ直線又は直線で、かつ、その線から粗さ曲線
までの偏差の二乗和が最小になるように設定した線」の
ことである。 ・更に、前記粗さ曲線の平均値より凹の部分とは、「断
面曲線の谷」の「断面曲線」を「粗さ曲線」に置き換え
たものに相当するものであり、ここでは、「粗さ曲線を
その平均線で切断したとき、それらの交差点の隣合う２
点を結ぶ粗さ曲線のうち、平均線に対し実体がへこんで
いる部分」と定義することができる。
記粗さ曲線の抜取り部分において、被測定面の幾何学的
形状をもつ直線又は直線で、かつ、その線から粗さ曲線
までの偏差の二乗和が最小になるように設定した線」の
ことである。 ・更に、前記粗さ曲線の平均値より凹の部分とは、「断
面曲線の谷」の「断面曲線」を「粗さ曲線」に置き換え
たものに相当するものであり、ここでは、「粗さ曲線を
その平均線で切断したとき、それらの交差点の隣合う２
点を結ぶ粗さ曲線のうち、平均線に対し実体がへこんで
いる部分」と定義することができる。
【００１４】尚、本発明では、この凹の部分を表面凹部
と称する（以下同様）。この表面凹部は、焼結体中にも
存在するポアが表面に露出したものと考えられる。 （２）請求項２の発明は、焼結密度が理論密度の９４％
以上であることを特徴とする前記請求項１に記載のＬａ
ＧａＯ3系焼結体を要旨とする。
と称する（以下同様）。この表面凹部は、焼結体中にも
存在するポアが表面に露出したものと考えられる。 （２）請求項２の発明は、焼結密度が理論密度の９４％
以上であることを特徴とする前記請求項１に記載のＬａ
ＧａＯ3系焼結体を要旨とする。
【００１５】つまり、本発明では、ポアが小さい（従っ
て表面凹部も小さい）ので、理論密度に対する焼結密度
の割合（密度比＝理論密度比）は、９４％以上の緻密な
焼結体である。 （３）請求項３の発明は、前記１０μｍ未満（但し０μ
ｍを除く）のサイズの表面凹部が、全表面凹部数の８７
％以上であることを特徴とする前記請求項１又は２に記
載のＬａＧａＯ3系焼結体を要旨とする。
て表面凹部も小さい）ので、理論密度に対する焼結密度
の割合（密度比＝理論密度比）は、９４％以上の緻密な
焼結体である。 （３）請求項３の発明は、前記１０μｍ未満（但し０μ
ｍを除く）のサイズの表面凹部が、全表面凹部数の８７
％以上であることを特徴とする前記請求項１又は２に記
載のＬａＧａＯ3系焼結体を要旨とする。
【００１６】本発明は、より好ましいＬａＧａＯ3系焼
結体を示している。つまり、この焼結体では、ポアが極
めて小さく均一に分布している（従って表面凹部も極め
て小さく均一に分布している）ので、前記請求項１又は
２の焼結体よりも一層優れた高い強度や耐久性等の性質
を備えている。
結体を示している。つまり、この焼結体では、ポアが極
めて小さく均一に分布している（従って表面凹部も極め
て小さく均一に分布している）ので、前記請求項１又は
２の焼結体よりも一層優れた高い強度や耐久性等の性質
を備えている。
【００１７】（４）請求項４の発明は、焼結密度が理論
密度の９７％以上であることを特徴とする前記請求項３
に記載のＬａＧａＯ3系焼結体を要旨とする。本発明で
は、ポアが小さい（従って表面凹部も小さい）ので、理
論密度比が９４％以上の非常に緻密な焼結体である。
密度の９７％以上であることを特徴とする前記請求項３
に記載のＬａＧａＯ3系焼結体を要旨とする。本発明で
は、ポアが小さい（従って表面凹部も小さい）ので、理
論密度比が９４％以上の非常に緻密な焼結体である。
【００１８】（５）請求項５の発明は、出発原料とし
て、平均粒径が１．７μｍ以下（但し０μｍを除く）の
ＬａＧａＯ3系粉末を用いて製造したことを特徴とする
前記請求項１〜４のいずれかに記載のＬａＧａＯ3系焼
結体を要旨とする。
て、平均粒径が１．７μｍ以下（但し０μｍを除く）の
ＬａＧａＯ3系粉末を用いて製造したことを特徴とする
前記請求項１〜４のいずれかに記載のＬａＧａＯ3系焼
結体を要旨とする。
【００１９】本発明のＬａＧａＯ3系焼結体は、出発原
料として、平均粒径が１．７μｍ以下のＬａＧａＯ3系
粉末を用いて製造したものである。ここで、出発原料の
粉末とは、成形体を形成する際に使用する原料の粉末の
ことであり、この粉末に溶液を加えて（又は直接に）成
形することにより成形体を作製することができる。
料として、平均粒径が１．７μｍ以下のＬａＧａＯ3系
粉末を用いて製造したものである。ここで、出発原料の
粉末とは、成形体を形成する際に使用する原料の粉末の
ことであり、この粉末に溶液を加えて（又は直接に）成
形することにより成形体を作製することができる。
【００２０】本発明では、平均粒径を１．７μｍ以下と
することにより、１０μｍ未満のサイズの表面凹部が全
表面凹部数の５０％以上の緻密なＬａＧａＯ3系焼結体
が得られるが、平均粒径をより小さく（例えば１．４μ
ｍ以下）とすることにより、１０μｍ未満のサイズの表
面凹部が全表面凹部数の８７％以上の一層緻密なＬａＧ
ａＯ3系焼結体が得られる。
することにより、１０μｍ未満のサイズの表面凹部が全
表面凹部数の５０％以上の緻密なＬａＧａＯ3系焼結体
が得られるが、平均粒径をより小さく（例えば１．４μ
ｍ以下）とすることにより、１０μｍ未満のサイズの表
面凹部が全表面凹部数の８７％以上の一層緻密なＬａＧ
ａＯ3系焼結体が得られる。
【００２１】従って、平均粒径のより好ましい範囲とし
ては、１．４μｍ以下が挙げられる。 （６）請求項６の発明は、焼結密度が理論密度の９４％
以上であることを特徴とする前記請求項５に記載のＬａ
ＧａＯ3系焼結体を特徴とするＬａＧａＯ3系焼結体を要
旨とする。
ては、１．４μｍ以下が挙げられる。 （６）請求項６の発明は、焼結密度が理論密度の９４％
以上であることを特徴とする前記請求項５に記載のＬａ
ＧａＯ3系焼結体を特徴とするＬａＧａＯ3系焼結体を要
旨とする。
【００２２】ここでは、平均粒径を１．７μｍ以下とす
ることにより、理論密度比が９４％以上の緻密なＬａＧ
ａＯ3系焼結体が得られる。 （７）請求項７の発明は、焼結密度が理論密度の９７％
以上であることを特徴とする前記請求項６に記載のＬａ
ＧａＯ3系焼結体を要旨とする。
ることにより、理論密度比が９４％以上の緻密なＬａＧ
ａＯ3系焼結体が得られる。 （７）請求項７の発明は、焼結密度が理論密度の９７％
以上であることを特徴とする前記請求項６に記載のＬａ
ＧａＯ3系焼結体を要旨とする。
【００２３】ここでは、平均粒径を前記１．７μｍ以下
より小さく（例えば１．４μｍ以下）とすることによ
り、理論密度比が９７％以上の一層緻密なＬａＧａＯ3
系焼結体が得られる。 （８）請求項８の発明は、前記請求項１〜４のいずれか
に記載のＬａＧａＯ3系焼結体の製造方法であって、前
記出発原料として、平均粒径が１．７μｍ以下（但し０
μｍを除く）のＬａＧａＯ3系粉末を用いることを特徴
とするＬａＧａＯ3系焼結体の製造方法を要旨とする。
より小さく（例えば１．４μｍ以下）とすることによ
り、理論密度比が９７％以上の一層緻密なＬａＧａＯ3
系焼結体が得られる。 （８）請求項８の発明は、前記請求項１〜４のいずれか
に記載のＬａＧａＯ3系焼結体の製造方法であって、前
記出発原料として、平均粒径が１．７μｍ以下（但し０
μｍを除く）のＬａＧａＯ3系粉末を用いることを特徴
とするＬａＧａＯ3系焼結体の製造方法を要旨とする。
【００２４】上述した様に、（成形体の形成に使用す
る）出発原料の粉末の平均粒径を１．７μｍ以下とする
ことにより、前記請求項１に記載した様な、１０μｍ未
満のサイズの表面凹部が全表面凹部数の５０％以上で、
理論密度比が９４％以上の緻密なＬａＧａＯ3系焼結体
が得られる。更に、平均粒径をより小さく（例えば１．
４μｍ以下）とすることにより、１０μｍ未満のサイズ
の表面凹部が全表面凹部数の８７％以上で、理論密度比
が９７％以上の一層緻密なＬａＧａＯ3系焼結体が得ら
れる。
る）出発原料の粉末の平均粒径を１．７μｍ以下とする
ことにより、前記請求項１に記載した様な、１０μｍ未
満のサイズの表面凹部が全表面凹部数の５０％以上で、
理論密度比が９４％以上の緻密なＬａＧａＯ3系焼結体
が得られる。更に、平均粒径をより小さく（例えば１．
４μｍ以下）とすることにより、１０μｍ未満のサイズ
の表面凹部が全表面凹部数の８７％以上で、理論密度比
が９７％以上の一層緻密なＬａＧａＯ3系焼結体が得ら
れる。
【００２５】尚、ＬａＧａＯ3系焼結体の製造方法で
は、下記の手法〜を採用できる。 前記出発原料のＬａＧａＯ3系粉末を作製する方法と
しては、既存の共沈法、ゾルゲル法、直接噴霧燃焼法等
の合成方法を採用できる。前記共沈法とは、水溶液状態
で均一に混合した後に、溶解度の変化を利用して、化学
的に混合成分を共に固相として析出させる方法である。
は、下記の手法〜を採用できる。 前記出発原料のＬａＧａＯ3系粉末を作製する方法と
しては、既存の共沈法、ゾルゲル法、直接噴霧燃焼法等
の合成方法を採用できる。前記共沈法とは、水溶液状態
で均一に混合した後に、溶解度の変化を利用して、化学
的に混合成分を共に固相として析出させる方法である。
【００２６】ゾルゲル法とは、必要な成分を水溶液で混
合するか、一部を微粉末で水溶液と混合してゾル状態と
した後、その混合状態を保ったまま脱水してゲル化し、
更に仮焼成して酸化物粉末とする方法である。直接噴霧
燃焼法とは、微粉末原料の水やバインダー、その他の添
加剤を加えて泥しょうとし、これを熱風を送って乾燥し
てある乾燥塔中にノズルや回転円板などのアトマイザー
によって、噴霧、飛散させ、液滴の自由表面の形状であ
る球形としながら、瞬時に乾燥固化させる方法である。
合するか、一部を微粉末で水溶液と混合してゾル状態と
した後、その混合状態を保ったまま脱水してゲル化し、
更に仮焼成して酸化物粉末とする方法である。直接噴霧
燃焼法とは、微粉末原料の水やバインダー、その他の添
加剤を加えて泥しょうとし、これを熱風を送って乾燥し
てある乾燥塔中にノズルや回転円板などのアトマイザー
によって、噴霧、飛散させ、液滴の自由表面の形状であ
る球形としながら、瞬時に乾燥固化させる方法である。
【００２７】前記出発原料のＬａＧａＯ3系粉末は、
例えば湿式粉砕して使用され、これにより粉末の平均粒
径を制御できる。具体的には、ＬａＧａＯ3系粉末を樹
脂性ポットに投入し、鉄芯入り樹脂ボール、あるいは、
窒化珪素、ジルコニア、アルミナ等のセラミックボール
を使用して、湿式粉砕する。
例えば湿式粉砕して使用され、これにより粉末の平均粒
径を制御できる。具体的には、ＬａＧａＯ3系粉末を樹
脂性ポットに投入し、鉄芯入り樹脂ボール、あるいは、
窒化珪素、ジルコニア、アルミナ等のセラミックボール
を使用して、湿式粉砕する。
【００２８】この湿式粉砕の場合には、樹脂性ポットを
使用するとともに、鉄芯入り樹脂ボール又はセラミック
ボールを使用するので、粉砕粉末中に剥離した樹脂が混
入したとしても、焼結時には消失してしまい、焼結体組
成に悪影響を及ぼすことがない。
使用するとともに、鉄芯入り樹脂ボール又はセラミック
ボールを使用するので、粉砕粉末中に剥離した樹脂が混
入したとしても、焼結時には消失してしまい、焼結体組
成に悪影響を及ぼすことがない。
【００２９】湿式粉砕された材料を用いて成形体を形
成し、該成形体を焼成してＬａＧａＯ3系焼結体を作製
する。つまり、前記ＬａＧａＯ3系粉末の粉砕に、溶剤
中の湿式粉砕を採用することにより、出発物質に含まれ
る含水性のＬａ化合物を変質させず、安定な材料を供給
できるという利点がある。
成し、該成形体を焼成してＬａＧａＯ3系焼結体を作製
する。つまり、前記ＬａＧａＯ3系粉末の粉砕に、溶剤
中の湿式粉砕を採用することにより、出発物質に含まれ
る含水性のＬａ化合物を変質させず、安定な材料を供給
できるという利点がある。
【００３０】前記溶剤としては、エタノール、アセトン
等の有機溶剤を用いることができるが、例えば水を使用
することも可能である。ここで、上述したＬａＧａＯ3
系粉末としては、ＬａＧａＯ3系酸化物粉末を用いるこ
とが好ましい。
等の有機溶剤を用いることができるが、例えば水を使用
することも可能である。ここで、上述したＬａＧａＯ3
系粉末としては、ＬａＧａＯ3系酸化物粉末を用いるこ
とが好ましい。
【００３１】このＬａＧａＯ3系酸化物粉末としては、
ＬａＧａＯ3において、ＬａやＧａの一部をＳｒやＭｇ
等により置換固溶した物質である、Ｌａ1-xＳｒxＧａ
1-yＭｇyＯ3、Ｌａ1-x-yＬｎxＳｒyＧａ1-zＭｇzＯ3、
及びＬａ1-xＳｒxＧａ0.8Ｍｇ0.2- yＣｏyＯ3のうち、１
種以上の粉末を用いることができる。
ＬａＧａＯ3において、ＬａやＧａの一部をＳｒやＭｇ
等により置換固溶した物質である、Ｌａ1-xＳｒxＧａ
1-yＭｇyＯ3、Ｌａ1-x-yＬｎxＳｒyＧａ1-zＭｇzＯ3、
及びＬａ1-xＳｒxＧａ0.8Ｍｇ0.2- yＣｏyＯ3のうち、１
種以上の粉末を用いることができる。
【００３２】尚、前記本発明のＬａＧａＯ3系焼結体が
適用できるセンサデバイスとしては、酸素センサ、炭化
水素センサ、窒素酸化物センサが挙げられる。
適用できるセンサデバイスとしては、酸素センサ、炭化
水素センサ、窒素酸化物センサが挙げられる。
【００３３】
【発明の実施の形態】次に、本発明のＬａＧａＯ3系焼
結体及びその製造方法の実施の形態の例（実施例）につ
いて説明する。 （実施例）本実施例にかかわるＬａＧａＯ3系焼結体
は、例えば酸素センサの様なセンサデバイスに使用され
るものである。
結体及びその製造方法の実施の形態の例（実施例）につ
いて説明する。 （実施例）本実施例にかかわるＬａＧａＯ3系焼結体
は、例えば酸素センサの様なセンサデバイスに使用され
るものである。
【００３４】ここでは、ＬａＧａＯ3系焼結体として、
Ｌａ0.9Ｓｒ0.1Ｇａ0.8Ｍｇ0.2Ｏ3を例に挙げる。 ａ）まず、ＬａＧａＯ3系焼結体の製造方法について説
明する。 (i)Ｌａ0.9Ｓｒ0.1Ｇａ0.8Ｍｇ0.2Ｏ3の化学量論組成に
なるように、出発物質として、ランタン（Ｌａ）、スト
ロンチウム（Ｓｒ）、ガリウム（Ｇａ）及びマグネシウ
ム（Ｍｇ）の各々の元素の硝酸塩を秤量した。
Ｌａ0.9Ｓｒ0.1Ｇａ0.8Ｍｇ0.2Ｏ3を例に挙げる。 ａ）まず、ＬａＧａＯ3系焼結体の製造方法について説
明する。 (i)Ｌａ0.9Ｓｒ0.1Ｇａ0.8Ｍｇ0.2Ｏ3の化学量論組成に
なるように、出発物質として、ランタン（Ｌａ）、スト
ロンチウム（Ｓｒ）、ガリウム（Ｇａ）及びマグネシウ
ム（Ｍｇ）の各々の元素の硝酸塩を秤量した。
【００３５】次に、秤量した物質を、所定量の純水に溶
解させ、ｐＨを調整することによって共沈させた沈澱物
を、例えば濾過、乾燥、仮焼成、粉砕等の通常の工程を
経て、出発原料のＬａＧａＯ3系酸化物粉末を調製し
た。 (ii)次に、出発原料の粒径を制御するために、ＬａＧａ
Ｏ3系酸化物粉末を溶剤中で湿式粉砕した。具体的に
は、ＬａＧａＯ3系酸化物粉末と、溶剤と、玉石とを樹
脂ポットに投入して１時間湿式混合し、得られた泥しょ
うをステンレスボールに移し替え、ヒータを投入して湯
せん乾燥を行い、６０メッシュのふるいを通して、出発
原料のＬａＧａＯ3系酸化物粉末の粒径を調整した。
解させ、ｐＨを調整することによって共沈させた沈澱物
を、例えば濾過、乾燥、仮焼成、粉砕等の通常の工程を
経て、出発原料のＬａＧａＯ3系酸化物粉末を調製し
た。 (ii)次に、出発原料の粒径を制御するために、ＬａＧａ
Ｏ3系酸化物粉末を溶剤中で湿式粉砕した。具体的に
は、ＬａＧａＯ3系酸化物粉末と、溶剤と、玉石とを樹
脂ポットに投入して１時間湿式混合し、得られた泥しょ
うをステンレスボールに移し替え、ヒータを投入して湯
せん乾燥を行い、６０メッシュのふるいを通して、出発
原料のＬａＧａＯ3系酸化物粉末の粒径を調整した。
【００３６】この出発原料の粒径の制御は、用いた玉石
の種類によって行った。つまり、粒径の小さなものに制
御する場合には、玉石にアルミナや窒化珪素のセラミッ
クボールを使用し、あまり粒径を小さく制御しない場合
には、樹脂ボールを使用した。
の種類によって行った。つまり、粒径の小さなものに制
御する場合には、玉石にアルミナや窒化珪素のセラミッ
クボールを使用し、あまり粒径を小さく制御しない場合
には、樹脂ボールを使用した。
【００３７】この方法により、下記表１に記載する様
に、本発明の範囲内の実施例の試料No.１〜３のＬａＧ
ａＯ3系酸化物粉末の試料を作成した。また、本発明の
範囲外の比較例として、平均粒径の異なる試料No.４も
作成した。この試料No.４は湿式粉砕を行わなかった。
に、本発明の範囲内の実施例の試料No.１〜３のＬａＧ
ａＯ3系酸化物粉末の試料を作成した。また、本発明の
範囲外の比較例として、平均粒径の異なる試料No.４も
作成した。この試料No.４は湿式粉砕を行わなかった。
【００３８】尚、前記ＬａＧａＯ3系酸化物粉末の平均
粒径は、ＨＯＲＩＢＡレーザー回折式粒度分布測定ＬＡ
−５００を用いて測定した。 (iii)次に、各試料をそれぞれ６０ｇ用意し、金型で縦
７０ｍｍ×横７０ｍｍ×厚み１０ｍｍに成形し、この成
形体をポリウレタン製の袋に入れ、真空パックした後、
圧力１５００トンで１０秒間静水圧プレス（ＣＩＰ）を
行った。
粒径は、ＨＯＲＩＢＡレーザー回折式粒度分布測定ＬＡ
−５００を用いて測定した。 (iii)次に、各試料をそれぞれ６０ｇ用意し、金型で縦
７０ｍｍ×横７０ｍｍ×厚み１０ｍｍに成形し、この成
形体をポリウレタン製の袋に入れ、真空パックした後、
圧力１５００トンで１０秒間静水圧プレス（ＣＩＰ）を
行った。
【００３９】(iv)この成形体を、大気中で１５００℃に
て３時間焼成し、各試料のＬａＧａＯ3系焼結体を得
た。 ｂ）次に、上述した方法で製造されたＬａＧａＯ3系焼
結体の特性について説明する。
て３時間焼成し、各試料のＬａＧａＯ3系焼結体を得
た。 ｂ）次に、上述した方法で製造されたＬａＧａＯ3系焼
結体の特性について説明する。
【００４０】焼結体の密度 まず、ＬａＧａＯ3系焼結体の密度（焼結密度）をアル
キメデス法により測定した。また、その密度と理論密度
との密度比（理論密度比＝密度／理論密度）を求めた。
その結果を同じく下記表１に記す。尚、Ｌａ0.9Ｓｒ0.1
Ｇａ0.8Ｍｇ0.2Ｏ3の理論密度は、６．６５ｇ／ｃｍ3で
ある。
キメデス法により測定した。また、その密度と理論密度
との密度比（理論密度比＝密度／理論密度）を求めた。
その結果を同じく下記表１に記す。尚、Ｌａ0.9Ｓｒ0.1
Ｇａ0.8Ｍｇ0.2Ｏ3の理論密度は、６．６５ｇ／ｃｍ3で
ある。
【００４１】
【表１】
【００４２】この表１から明らかなように、出発原料で
あるＬａＧａＯ3系酸化物粉末の平均粒径が１．７μｍ
以下の場合には、緻密なＬａＧａＯ3系焼結体が得られ
ることが分かる。つまり、平均粒径が１．７μｍ以下の
出発原料を用いたＬａＧａＯ3系焼結体は、その焼結密
度が理論密度に対して９４％以上に焼結した緻密な焼結
体になることがわかる。特に、平均粒径が１．４μｍ以
下の出発原料を用いたＬａＧａＯ 3系焼結体は、その焼
結密度が理論密度に対して９７％以上に焼結した一層緻
密な焼結体になることがわかる。
あるＬａＧａＯ3系酸化物粉末の平均粒径が１．７μｍ
以下の場合には、緻密なＬａＧａＯ3系焼結体が得られ
ることが分かる。つまり、平均粒径が１．７μｍ以下の
出発原料を用いたＬａＧａＯ3系焼結体は、その焼結密
度が理論密度に対して９４％以上に焼結した緻密な焼結
体になることがわかる。特に、平均粒径が１．４μｍ以
下の出発原料を用いたＬａＧａＯ 3系焼結体は、その焼
結密度が理論密度に対して９７％以上に焼結した一層緻
密な焼結体になることがわかる。
【００４３】焼結体の表面凹部 ここでは、表面凹部とは、焼結体中のポアが焼結体表面
に露出したものとみなして、焼結体表面の表面凹部の状
態を検出する。まず、各試料（試料No.１，２，４）を
樹脂に埋め込み、その表面を鏡面研磨した後、ＪＩＳ
Ｂ ０６０１の規定に従って、表面粗さの測定を行い、
粗さ曲線を求めた。測定は、下記の測定条件にて、ＪＩ
Ｓ Ｂ ０６５１に規定された触針式表面粗さ測定器
（株式会社小坂研究所 ＳＥ−３０Ｄ）を用いて行っ
た。
に露出したものとみなして、焼結体表面の表面凹部の状
態を検出する。まず、各試料（試料No.１，２，４）を
樹脂に埋め込み、その表面を鏡面研磨した後、ＪＩＳ
Ｂ ０６０１の規定に従って、表面粗さの測定を行い、
粗さ曲線を求めた。測定は、下記の測定条件にて、ＪＩ
Ｓ Ｂ ０６５１に規定された触針式表面粗さ測定器
（株式会社小坂研究所 ＳＥ−３０Ｄ）を用いて行っ
た。
【００４４】尚、鏡面研磨とは、超微粉の砥石か又は遊
離砥石を用い、圧力を加えながら相対運動をさせること
により、寸法精度が高く且つ表面粗さが小さくなるよう
に研磨した状態をいう。 ＜測定条件＞ ・送り速さ ；０．０５ｍｍ／Ｓ ・縦倍率 ；５０００ ・横倍率 ；２００ ・カットオフ値；０．２５μｍ ・測定長さ ；２．５ｍｍ ・触針先端曲率半径；２μｍ この測定によって得られた例えば試料No.１，２の粗さ
曲線を各々図１，図２に、比較例の試料No.４の粗さ曲
線を図３に示す。この測定の結果、焼結体の種類によ
り、粗さ曲線が大きく異なることが分かる。
離砥石を用い、圧力を加えながら相対運動をさせること
により、寸法精度が高く且つ表面粗さが小さくなるよう
に研磨した状態をいう。 ＜測定条件＞ ・送り速さ ；０．０５ｍｍ／Ｓ ・縦倍率 ；５０００ ・横倍率 ；２００ ・カットオフ値；０．２５μｍ ・測定長さ ；２．５ｍｍ ・触針先端曲率半径；２μｍ この測定によって得られた例えば試料No.１，２の粗さ
曲線を各々図１，図２に、比較例の試料No.４の粗さ曲
線を図３に示す。この測定の結果、焼結体の種類によ
り、粗さ曲線が大きく異なることが分かる。
【００４５】そこで、前記試料No.１，２，４の粗さ曲
線に平均線を引き、それらの交差点の隣合う２点を結ぶ
粗さ曲線のうち、平均線に対して実体（焼結体）がへこ
んでいる部分（谷）を表面凹部とした。そして、その２
点間の距離を計って表面凹部の大きさを求めるととも
に、表面凹部の数を測定した。
線に平均線を引き、それらの交差点の隣合う２点を結ぶ
粗さ曲線のうち、平均線に対して実体（焼結体）がへこ
んでいる部分（谷）を表面凹部とした。そして、その２
点間の距離を計って表面凹部の大きさを求めるととも
に、表面凹部の数を測定した。
【００４６】その結果を、下記表２に示す。この表２
（及び前記図１〜３）においては、表面凹部の大きさ
（これは、ほぼ直径と見なすことができる）が１０μｍ
未満のものをＡ、１０μｍ以上５０μｍ未満のものを
Ｂ、５０μｍ以上のものをＣとして表した。
（及び前記図１〜３）においては、表面凹部の大きさ
（これは、ほぼ直径と見なすことができる）が１０μｍ
未満のものをＡ、１０μｍ以上５０μｍ未満のものを
Ｂ、５０μｍ以上のものをＣとして表した。
【００４７】尚、表２には、ＪＩＳ Ｂ ０６０１の規
定による中心線平均粗さＲａ（μｍ）も合わせて記載し
た。
定による中心線平均粗さＲａ（μｍ）も合わせて記載し
た。
【００４８】
【表２】
【００４９】この表２から明らかな様に、出発原料の平
均粒径が１．７μｍより大きい比較例の試料No.４で
は、５０μｍ以上の大きな表面凹部が全体の３０％以上
を占め、中心線平均粗さＲａも大きく、よって、焼結体
内に大きなポアが多くある。そのため、焼結密度は小さ
い（密度比９４％未満）。
均粒径が１．７μｍより大きい比較例の試料No.４で
は、５０μｍ以上の大きな表面凹部が全体の３０％以上
を占め、中心線平均粗さＲａも大きく、よって、焼結体
内に大きなポアが多くある。そのため、焼結密度は小さ
い（密度比９４％未満）。
【００５０】一方、出発原料の平均粒径が１．７μｍ以
下の本実施例の試料No.１，２では、１０μｍ未満の小
さな表面凹部が５０％以上存在しており、中心線平均粗
さＲａが小さく、また、表面凹部と表面凹部との間の距
離も規則性があり、表面凹部が一様に分布している。従
って、焼結体内部のポアも同様であるので、焼結密度は
大きい（密度比９４％以上）。
下の本実施例の試料No.１，２では、１０μｍ未満の小
さな表面凹部が５０％以上存在しており、中心線平均粗
さＲａが小さく、また、表面凹部と表面凹部との間の距
離も規則性があり、表面凹部が一様に分布している。従
って、焼結体内部のポアも同様であるので、焼結密度は
大きい（密度比９４％以上）。
【００５１】このことは、鏡面研磨した表面に対するＳ
ＥＭ観察からも見られる。図４〜図６に、実施例の試料
No.１，２及び比較例の試料No.４の倍率１０００倍のＳ
ＥＭ写真を示す。このＳＥＭ写真から、比較例の試料N
o.４は、表面凹部の大きさが均一ではなく、また、表面
凹部が凝集していることが分かる。一方、実施例の試料
No.１，２では、均一な表面凹部が一様に分布した構造
を有している。
ＥＭ観察からも見られる。図４〜図６に、実施例の試料
No.１，２及び比較例の試料No.４の倍率１０００倍のＳ
ＥＭ写真を示す。このＳＥＭ写真から、比較例の試料N
o.４は、表面凹部の大きさが均一ではなく、また、表面
凹部が凝集していることが分かる。一方、実施例の試料
No.１，２では、均一な表面凹部が一様に分布した構造
を有している。
【００５２】以上のことから、表面粗さの測定により求
められた１０μｍ未満の表面凹部が、全表面凹部数の５
０％以上（好ましくは８７％以上）を有する焼結体は、
同様な焼結体中のポアの構成を有するので、理論密度の
９４％以上（好ましくは９７％）以上に焼結した焼結体
であることが分かる。
められた１０μｍ未満の表面凹部が、全表面凹部数の５
０％以上（好ましくは８７％以上）を有する焼結体は、
同様な焼結体中のポアの構成を有するので、理論密度の
９４％以上（好ましくは９７％）以上に焼結した焼結体
であることが分かる。
【００５３】この様に、本発明の範囲の実施例では、出
発原料の平均粒径１．７μｍ以下のＬａＧａＯ3系酸化
物粉末を使用するので、非常に緻密なＬａＧａＯ3系焼
結体を製造することができる。従って、このＬａＧａＯ
3系焼結体は、高い強度及び耐久性や、優れた酸素イオ
ン伝導性を有するので、センサデバイス等の材料として
極めて有用である。
発原料の平均粒径１．７μｍ以下のＬａＧａＯ3系酸化
物粉末を使用するので、非常に緻密なＬａＧａＯ3系焼
結体を製造することができる。従って、このＬａＧａＯ
3系焼結体は、高い強度及び耐久性や、優れた酸素イオ
ン伝導性を有するので、センサデバイス等の材料として
極めて有用である。
【００５４】尚、本発明は前記実施例になんら限定され
るものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲におい
て種々の態様で実施しうることはいうまでもない。
るものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲におい
て種々の態様で実施しうることはいうまでもない。
【００５５】
【発明の効果】以上詳述したように、本発明のＬａＧａ
Ｏ3系焼結体は、表面凹部が小さく（従ってポアが小さ
く）非常に緻密なものであるので、高い強度及び耐久性
や、優れた酸素イオン伝導性を有しており、例えばセン
サデバイスの材料として極めて有用なものである。
Ｏ3系焼結体は、表面凹部が小さく（従ってポアが小さ
く）非常に緻密なものであるので、高い強度及び耐久性
や、優れた酸素イオン伝導性を有しており、例えばセン
サデバイスの材料として極めて有用なものである。
【００５６】また、本発明のＬａＧａＯ3系焼結体の製
造方法によれば、出発原料のＬａＧａＯ3系粉末の平均
粒径を制御することにより、上述の優れた特性を有する
ＬａＧａＯ3系焼結体を容易に製造することができる。
造方法によれば、出発原料のＬａＧａＯ3系粉末の平均
粒径を制御することにより、上述の優れた特性を有する
ＬａＧａＯ3系焼結体を容易に製造することができる。
【図１】 実施例の試料No.１の表面凹部の測定に用い
る粗さ曲線を示す説明図である。
る粗さ曲線を示す説明図である。
【図２】 実施例の試料No.２の表面凹部の測定に用い
る粗さ曲線を示す説明図である。
る粗さ曲線を示す説明図である。
【図３】 比較例の試料No.４の表面凹部の測定に用い
る粗さ曲線を示す説明図である。
る粗さ曲線を示す説明図である。
【図４】 ＳＥＭによる実施例の試料No.１の組織の表
面を示す写真。
面を示す写真。
【図５】 ＳＥＭによる実施例の試料No.２の組織の表
面を示す写真。
面を示す写真。
【図６】 ＳＥＭによる比較例の試料No.４の組織の表
面を示す写真。
面を示す写真。
フロントページの続き (72)発明者 大島 崇文 愛知県名古屋市瑞穂区高辻町14番18号 日 本特殊陶業株式会社内 Ｆターム(参考） 4G030 AA13 AA34 BA07 CA07 GA19
Claims (8)
- 【請求項１】 ＬａＧａＯ3系焼結体の表面に対し、Ｊ
ＩＳ Ｂ ０６０１の規定における粗さ曲線の平均線よ
り凹の部分を表面凹部として、そのサイズを測定した表
面凹部のうち、１０μｍ未満（但し０μｍを除く）のサ
イズの表面凹部が、全表面凹部数の５０％以上であるこ
とを特徴とするＬａＧａＯ3系焼結体。 - 【請求項２】 焼結密度が理論密度の９４％以上である
ことを特徴とする前記請求項１に記載のＬａＧａＯ3系
焼結体。 - 【請求項３】 前記１０μｍ未満（但し０μｍを除く）
のサイズの表面凹部が、全表面凹部数の８７％以上であ
ることを特徴とする前記請求項１又は２に記載のＬａＧ
ａＯ3系焼結体。 - 【請求項４】 焼結密度が理論密度の９７％以上である
ことを特徴とする前記請求項３に記載のＬａＧａＯ3系
焼結体。 - 【請求項５】 出発原料として、平均粒径が１．７μｍ
以下（但し０μｍを除く）のＬａＧａＯ3系粉末を用い
て製造したことを特徴とする前記請求項１〜４のいずれ
かに記載のＬａＧａＯ3系焼結体。 - 【請求項６】 焼結密度が理論密度の９４％以上である
ことを特徴とする前記請求項５に記載のＬａＧａＯ3系
焼結体を特徴とするＬａＧａＯ3系焼結体。 - 【請求項７】 焼結密度が理論密度の９７％以上である
ことを特徴とする前記請求項６に記載のＬａＧａＯ3系
焼結体。 - 【請求項８】 前記請求項１〜４のいずれかに記載のＬ
ａＧａＯ3系焼結体の製造方法であって、前記出発原料
として、平均粒径が１．７μｍ以下（但し０μｍを除
く）のＬａＧａＯ3系粉末を用いることを特徴とするＬ
ａＧａＯ3系焼結体の製造方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11159512A JP2000351669A (ja) | 1999-06-07 | 1999-06-07 | ＬａＧａＯ３系焼結体及びその製造方法 |
| DE60011825T DE60011825T2 (de) | 1999-02-08 | 2000-02-08 | Sinterkörper aus LaGaO3 |
| EP00102641A EP1026133B1 (en) | 1999-02-08 | 2000-02-08 | LaGaO3 sintered body |
| US09/499,359 US6337006B1 (en) | 1999-02-08 | 2000-02-08 | Lanthanum gallate sintered body |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11159512A JP2000351669A (ja) | 1999-06-07 | 1999-06-07 | ＬａＧａＯ３系焼結体及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000351669A true JP2000351669A (ja) | 2000-12-19 |
Family
ID=15695403
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11159512A Pending JP2000351669A (ja) | 1999-02-08 | 1999-06-07 | ＬａＧａＯ３系焼結体及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000351669A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003068706A1 (fr) * | 2002-02-18 | 2003-08-21 | Noritake Co.,Limited | Poudre de matiere premiere permettant la realisation de materiau apte a la conduction d'ion d'oxygene et son procede de production |
| US7781045B2 (en) | 2002-10-11 | 2010-08-24 | Nippon Shokubai Co., Ltd. | Electrolyte sheets for solid oxide fuel cell and method for manufacturing same |
-
1999
- 1999-06-07 JP JP11159512A patent/JP2000351669A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003068706A1 (fr) * | 2002-02-18 | 2003-08-21 | Noritake Co.,Limited | Poudre de matiere premiere permettant la realisation de materiau apte a la conduction d'ion d'oxygene et son procede de production |
| US7364713B2 (en) | 2002-02-18 | 2008-04-29 | Noritake Co., Limited | Raw material powder for molding oxide ion conductor, and method for manufacturing the same |
| US7781045B2 (en) | 2002-10-11 | 2010-08-24 | Nippon Shokubai Co., Ltd. | Electrolyte sheets for solid oxide fuel cell and method for manufacturing same |
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