JP2000351632A - 硫化物スピネル系超伝導物質 - Google Patents
硫化物スピネル系超伝導物質Info
- Publication number
- JP2000351632A JP2000351632A JP2000107000A JP2000107000A JP2000351632A JP 2000351632 A JP2000351632 A JP 2000351632A JP 2000107000 A JP2000107000 A JP 2000107000A JP 2000107000 A JP2000107000 A JP 2000107000A JP 2000351632 A JP2000351632 A JP 2000351632A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- superconducting
- substance
- spinel
- sulfide
- superconductive
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 超伝導マグネット、ジョセフソン素子、磁気
シールド、さらには、低温スイッチ素子、低温圧力素子
等の各分野への利用が期待される硫化物スピネル系の新
規超伝導物質を提供する。 【解決手段】 組成式がＣｕ1-x Ｚnx Ｉｒ2 Ｓ
4 （０．２５≦×≦０．８）で示される超伝導物質。
シールド、さらには、低温スイッチ素子、低温圧力素子
等の各分野への利用が期待される硫化物スピネル系の新
規超伝導物質を提供する。 【解決手段】 組成式がＣｕ1-x Ｚnx Ｉｒ2 Ｓ
4 （０．２５≦×≦０．８）で示される超伝導物質。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この出願の発明は、硫化物ス
ピネル系超伝導物質に関するものである。さらに詳しく
は、この出願の発明は、新規超伝導物質であり、超伝導
マグネット、ジョセフソン素子、磁気シールド、さらに
は、低温スイッチ素子、低温圧力素子等の各分野への利
用が期待される硫化物スピネル系超伝導物質に関するも
のである。
ピネル系超伝導物質に関するものである。さらに詳しく
は、この出願の発明は、新規超伝導物質であり、超伝導
マグネット、ジョセフソン素子、磁気シールド、さらに
は、低温スイッチ素子、低温圧力素子等の各分野への利
用が期待される硫化物スピネル系超伝導物質に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】超伝導現象は、超伝導マグネット、超伝
導電力貯蔵等の強電分野から、ジョセフソン素子、ＳＱ
ＵＩＤ等のクライオエレクトロニクス素子、さらには磁
気シールド等への広範囲な分野への応用展開が期待され
ている。これまでにＮｂ−Ｔｉ、Ｎｂ3 Ｓｎ、Ｖ3 Ｇｅ
等の金属系超伝導物質は、液体ヘリウムを使用した応用
に利用されており、近年では、Ｃｕ−Ｏ2 面を持つＹＢ
ａ2 Ｃｕ3 Ｏ7+δ（Ｙ−Ｂａ−Ｃｕ−Ｏ系）、Ｂｉ2 Ｓ
ｒ2 ＣａＣｕ2 Ｏ10+ δ（Ｂｉ系）等のセラミックス系
銅酸化物超伝導物質についてもその実用化に向けての検
討が進められている。特にこの銅酸化物系超伝導物質
は、高温で超伝導特性を示すことに加え、元素置換等に
よりキャリアをドープして超伝導温度を制御できるた
め、精力的な研究がなされている。
導電力貯蔵等の強電分野から、ジョセフソン素子、ＳＱ
ＵＩＤ等のクライオエレクトロニクス素子、さらには磁
気シールド等への広範囲な分野への応用展開が期待され
ている。これまでにＮｂ−Ｔｉ、Ｎｂ3 Ｓｎ、Ｖ3 Ｇｅ
等の金属系超伝導物質は、液体ヘリウムを使用した応用
に利用されており、近年では、Ｃｕ−Ｏ2 面を持つＹＢ
ａ2 Ｃｕ3 Ｏ7+δ（Ｙ−Ｂａ−Ｃｕ−Ｏ系）、Ｂｉ2 Ｓ
ｒ2 ＣａＣｕ2 Ｏ10+ δ（Ｂｉ系）等のセラミックス系
銅酸化物超伝導物質についてもその実用化に向けての検
討が進められている。特にこの銅酸化物系超伝導物質
は、高温で超伝導特性を示すことに加え、元素置換等に
よりキャリアをドープして超伝導温度を制御できるた
め、精力的な研究がなされている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、硫化物
系物質については、銅酸化物系超伝導物質と同じ構造を
持ち、酸素のサイトがイオウに置き換わったＹ−Ｂａ−
Ｃｕ−Ｓ系超伝導物質等がこれまでに報告されている
が、その超伝導特性は、銅酸化物系超伝導物質と比較す
ると、必ずしも満足できるものではない。
系物質については、銅酸化物系超伝導物質と同じ構造を
持ち、酸素のサイトがイオウに置き換わったＹ−Ｂａ−
Ｃｕ−Ｓ系超伝導物質等がこれまでに報告されている
が、その超伝導特性は、銅酸化物系超伝導物質と比較す
ると、必ずしも満足できるものではない。
【０００４】一方、スピネル系物質は、磁性体の中でも
最も詳しく調べられている物質であり、非常に多くの元
素組成において存在が確認されている。実用的にもスピ
ネル構造のフェライト磁石として、ＭＦｅ2 Ｏ4 （Ｍは
２価金属）等が知られている。
最も詳しく調べられている物質であり、非常に多くの元
素組成において存在が確認されている。実用的にもスピ
ネル構造のフェライト磁石として、ＭＦｅ2 Ｏ4 （Ｍは
２価金属）等が知られている。
【０００５】しかしながら、超伝導特性を示すスピネル
系物質は、ＬｉＴｉ2 Ｏ4 、ＣｕＲｈ2 Ｓ4 、ＣｕＲｈ
2 Ｓｅ4 等の極僅かしか知られていない。しかも、キャ
リア注入等により超伝導特性が現れたという例はない。
系物質は、ＬｉＴｉ2 Ｏ4 、ＣｕＲｈ2 Ｓ4 、ＣｕＲｈ
2 Ｓｅ4 等の極僅かしか知られていない。しかも、キャ
リア注入等により超伝導特性が現れたという例はない。
【０００６】この出願の発明は、以上の通りの事情に鑑
みてなされたものであり、従前の金属系及び銅酸化物系
とは異なる、全く新しい硫化物スピネル系の超伝導物質
を提供し、硫化物スピネル系物質のさらなる可能性を開
くことを目的としている。
みてなされたものであり、従前の金属系及び銅酸化物系
とは異なる、全く新しい硫化物スピネル系の超伝導物質
を提供し、硫化物スピネル系物質のさらなる可能性を開
くことを目的としている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この出願の発明は、上記
の課題を解決するものとして、組成式Ｃｕ1-x ＺｎxＩ
ｒ2 Ｓ4 （ 0.25 ≦ｘ≦0.8 ）で示され、超伝導特性を
有する硫化物スピネル系物質であることを特徴とする硫
化物スピネル系超伝導物質（請求項１）を提供する。
の課題を解決するものとして、組成式Ｃｕ1-x ＺｎxＩ
ｒ2 Ｓ4 （ 0.25 ≦ｘ≦0.8 ）で示され、超伝導特性を
有する硫化物スピネル系物質であることを特徴とする硫
化物スピネル系超伝導物質（請求項１）を提供する。
【０００８】またこの出願の発明は、）で示されること
（請求項２）を好ましい態様として提供するものでもあ
る。
（請求項２）を好ましい態様として提供するものでもあ
る。
【０００９】以下、この出願の発明の硫化物スピネル系
超伝導物質についてさらに詳しく説明する。
超伝導物質についてさらに詳しく説明する。
【００１０】
【発明の実施の形態】この出願の発明の硫化物スピネル
系超伝導物質は、前記組成式で示される。
系超伝導物質は、前記組成式で示される。
【００１１】ＣｕＩｒ2 Ｓ4 は、金属−絶縁体転移を示
す硫化物スピネル系物質である。この出願の発明の発明
者らは、その金属−絶縁体転移という特性に注目し、元
素置換によりキャリア数の制御を行い、物性の変化を調
べている過程においてこの出願の発明の硫化物スピネル
系超伝導物質を見出した。
す硫化物スピネル系物質である。この出願の発明の発明
者らは、その金属−絶縁体転移という特性に注目し、元
素置換によりキャリア数の制御を行い、物性の変化を調
べている過程においてこの出願の発明の硫化物スピネル
系超伝導物質を見出した。
【００１２】すなわち、ＣｕＩｒ2 Ｓ4 は、 230Ｋ付近
で金属−絶縁体転移を示し、高温側が金属で、低温側が
絶縁体である。また、低温側の絶縁体相では、Ｃｕは１
価である。この１価のＣｕサイトを２価のＺｎで置換し
た時に得られる組成式Ｃｕ1- x Ｚｎx Ｉｒ2 Ｓ4 （ 0.2
5 ≦ｘ≦0.8 ）で示される硫化物スピネル系物質は、超
伝導転移を起こし、超伝導転移温度Ｔｃにおいてマイス
ナー効果を示す超伝導特性を有するのである。
で金属−絶縁体転移を示し、高温側が金属で、低温側が
絶縁体である。また、低温側の絶縁体相では、Ｃｕは１
価である。この１価のＣｕサイトを２価のＺｎで置換し
た時に得られる組成式Ｃｕ1- x Ｚｎx Ｉｒ2 Ｓ4 （ 0.2
5 ≦ｘ≦0.8 ）で示される硫化物スピネル系物質は、超
伝導転移を起こし、超伝導転移温度Ｔｃにおいてマイス
ナー効果を示す超伝導特性を有するのである。
【００１３】このように、この出願の発明の硫化物スピ
ネル系超伝導物質は、元素置換によりキャリアをドープ
することにより超伝導特性を発現する。従って、精力的
に研究が行われている銅酸化物系超伝導物質にも共通す
る特性を有している。
ネル系超伝導物質は、元素置換によりキャリアをドープ
することにより超伝導特性を発現する。従って、精力的
に研究が行われている銅酸化物系超伝導物質にも共通す
る特性を有している。
【００１４】また、この出願の発明の硫化物スピネル系
超伝導物質は、約５桁近い比較的大きな抵抗値から超伝
導状態に変化し、しかも超伝導状態は、例えば100bar程
度以下の微小な圧力変化によって壊れ、抵抗値が、約７
桁までの半導体的な値にまで変化する。従って、この出
願の発明の硫化物スピネル系超伝導物質は、低温におけ
るスイッチ素子、圧力センサ等への適用の可能性を有す
る。
超伝導物質は、約５桁近い比較的大きな抵抗値から超伝
導状態に変化し、しかも超伝導状態は、例えば100bar程
度以下の微小な圧力変化によって壊れ、抵抗値が、約７
桁までの半導体的な値にまで変化する。従って、この出
願の発明の硫化物スピネル系超伝導物質は、低温におけ
るスイッチ素子、圧力センサ等への適用の可能性を有す
る。
【００１５】なお、これまでの研究によれば、この出願
の発明の硫化物スピネル系超伝導物質の超伝導特性は、
低温側の絶縁体相において出現していると考えられ、金
属−絶縁体転移に関与している可能性があると推測され
る。
の発明の硫化物スピネル系超伝導物質の超伝導特性は、
低温側の絶縁体相において出現していると考えられ、金
属−絶縁体転移に関与している可能性があると推測され
る。
【００１６】そこで以下に実施例を示し、さらに詳しく
この発明について説明する。
この発明について説明する。
【００１７】
【実施例】＜実施例１＞Ｃｕ、Ｚｎ、Ｉｒ、及びＳの粉
末を出発原料にし、Ｃｕの３０％をＺｎで置換したＣｕ
0.7 Ｚｎ0.3 Ｉｒ2 Ｓ4 の化学量論組成が得られるよう
に、それぞれの粉末を秤量した。これら粉末を石英管内
部に真空封入した。石英管については、出発原料並びに
生成物との反応を防止する目的で、その内部を弗酸処理
した後に約1000Ｋで空焼きをし、不純物の除去を行っ
た。
末を出発原料にし、Ｃｕの３０％をＺｎで置換したＣｕ
0.7 Ｚｎ0.3 Ｉｒ2 Ｓ4 の化学量論組成が得られるよう
に、それぞれの粉末を秤量した。これら粉末を石英管内
部に真空封入した。石英管については、出発原料並びに
生成物との反応を防止する目的で、その内部を弗酸処理
した後に約1000Ｋで空焼きをし、不純物の除去を行っ
た。
【００１８】そして、石英管を約２日間かけて 850Ｋま
で加熱し、原料どうしを反応させた。
で加熱し、原料どうしを反応させた。
【００１９】得られた粉末試料は、図１に示したＸ線粉
末回折の結果からスピネル系物質の単相であると確認さ
れる。この粉末試料からプレス機を用いてペレットを作
製し、 850Ｋで２日間の熱処理を行った焼結体の電気抵
抗、並びに粉末試料の帯磁率の温度依存性を調べた。そ
の結果を示したのが、図２及び図３である。図３図中に
おいて、Ｆ．Ｃ．は、field cooling の略で、磁場をか
けながら温度を降下して測定した結果を示し、一方、
Ｚ．Ｆ．Ｃ．は、zero field coolingの略であり、磁場
をかけずに最低温度まで下げた後に磁場をかけて測定し
た結果を示している。
末回折の結果からスピネル系物質の単相であると確認さ
れる。この粉末試料からプレス機を用いてペレットを作
製し、 850Ｋで２日間の熱処理を行った焼結体の電気抵
抗、並びに粉末試料の帯磁率の温度依存性を調べた。そ
の結果を示したのが、図２及び図３である。図３図中に
おいて、Ｆ．Ｃ．は、field cooling の略で、磁場をか
けながら温度を降下して測定した結果を示し、一方、
Ｚ．Ｆ．Ｃ．は、zero field coolingの略であり、磁場
をかけずに最低温度まで下げた後に磁場をかけて測定し
た結果を示している。
【００２０】図２に示した電気抵抗曲線より超伝導転移
温度Ｔｃは約 3.0Ｋであり、また、図３の帯磁率曲線か
ら、超伝導転移温度Ｔｃ（＝ 3.0Ｋ）においてマイスナ
ー効果が磁化率の測定で観測される。このことから、組
成式Ｃｕ0.7 Ｚｎ0.3 Ｉｒ2Ｓ4 で示される硫化物スピ
ネル系物質は超伝導物質であると認められる。
温度Ｔｃは約 3.0Ｋであり、また、図３の帯磁率曲線か
ら、超伝導転移温度Ｔｃ（＝ 3.0Ｋ）においてマイスナ
ー効果が磁化率の測定で観測される。このことから、組
成式Ｃｕ0.7 Ｚｎ0.3 Ｉｒ2Ｓ4 で示される硫化物スピ
ネル系物質は超伝導物質であると認められる。
【００２１】また、図２の電気抵抗曲線から確認される
ように、約５桁近い比較的大きな抵抗値から超伝導状態
に変化している。しかも超伝導状態は、100bar程度の微
小な圧力を加えることにより壊れ、抵抗値が、約７桁ま
での半導体的な値にまで変化する。 ＜実施例２＞ＺｎによるＣｕの置換割合を代え、上記と
同様にして試料を作製し、超伝導転移温度Ｔｃ並びに金
属−絶縁体転移温度ＴM-I のＺｎ濃度依存性について調
べた。その結果を示したのが図４である。組成式Ｃｕ
1-x Ｚｎx Ｉｒ2 Ｓ4 において 0.25 ≦ｘ≦0.8 の範囲
で超伝導物質が得られることが確認された。
ように、約５桁近い比較的大きな抵抗値から超伝導状態
に変化している。しかも超伝導状態は、100bar程度の微
小な圧力を加えることにより壊れ、抵抗値が、約７桁ま
での半導体的な値にまで変化する。 ＜実施例２＞ＺｎによるＣｕの置換割合を代え、上記と
同様にして試料を作製し、超伝導転移温度Ｔｃ並びに金
属−絶縁体転移温度ＴM-I のＺｎ濃度依存性について調
べた。その結果を示したのが図４である。組成式Ｃｕ
1-x Ｚｎx Ｉｒ2 Ｓ4 において 0.25 ≦ｘ≦0.8 の範囲
で超伝導物質が得られることが確認された。
【００２２】図５および図６は、ｘが0.6 〜0.9 につい
て温度−抵抗の関係の変化を示したものであるが、ｘ＝
0.85、ｘ＝0.9 では超伝導特性は得られず、ｘ＝0.8 ま
で超伝導特性が得られることが示されている。
て温度−抵抗の関係の変化を示したものであるが、ｘ＝
0.85、ｘ＝0.9 では超伝導特性は得られず、ｘ＝0.8 ま
で超伝導特性が得られることが示されている。
【００２３】もちろんこの出願の発明は、以上の実施例
によって限定されるものではない。ＺｎによるＣｕの置
換割合、超伝導物質の作製方法等の細部については様々
な態様が可能であることは言うまでもない。
によって限定されるものではない。ＺｎによるＣｕの置
換割合、超伝導物質の作製方法等の細部については様々
な態様が可能であることは言うまでもない。
【００２４】
【発明の効果】以上詳しく説明した通り、この出願の発
明によって、硫化物スピネル系の新規超伝導物質が提供
される。この硫化物スピネル系伝導物質は、元素置換に
よりキャリアをドープすることにより超伝導特性を発現
するため、銅酸化物系超伝導物質にも共通する特性を有
しており、超伝導マグネット、ジョセフソン素子、磁気
シールド、さらには、低温スイッチ素子、低温圧力素子
等の各分野への利用が期待される。
明によって、硫化物スピネル系の新規超伝導物質が提供
される。この硫化物スピネル系伝導物質は、元素置換に
よりキャリアをドープすることにより超伝導特性を発現
するため、銅酸化物系超伝導物質にも共通する特性を有
しており、超伝導マグネット、ジョセフソン素子、磁気
シールド、さらには、低温スイッチ素子、低温圧力素子
等の各分野への利用が期待される。
【図１】組成式Ｃｕ0.7 Ｚｎ0.3 Ｉｒ2 Ｓ4 で示される
硫化物スピネル系物質のＸ線粉末回線図である。
硫化物スピネル系物質のＸ線粉末回線図である。
【図２】組成式Ｃｕ0.7 Ｚｎ0.3 Ｉｒ2 Ｓ4 で示される
硫化物スピネル系物質の電気抵抗の温度依存性を示した
図である。
硫化物スピネル系物質の電気抵抗の温度依存性を示した
図である。
【図３】組成式Ｃｕ0.7 Ｚｎ0.3 Ｉｒ2 Ｓ4 で示される
硫化物スピネル系物質の帯磁率の温度依存性を示した図
である。
硫化物スピネル系物質の帯磁率の温度依存性を示した図
である。
【図４】組成式Ｃｕ1-x Ｚｎx Ｉｒ2 Ｓ4 で示される硫
化物スピネル系物質の超伝導転移温度Ｔｃ並びに金属−
絶縁体転移温度ＴM-I のＺｎ濃度依存性を示す相関図で
ある。
化物スピネル系物質の超伝導転移温度Ｔｃ並びに金属−
絶縁体転移温度ＴM-I のＺｎ濃度依存性を示す相関図で
ある。
【図５】組成式Ｃｕ1-x Ｚnx Ｉｒ2 Ｓ4 （Ｘ＝０．６
〜０．８５）の硫化物スピネル系物質の電気抵抗の温度
依存性を示した図である。
〜０．８５）の硫化物スピネル系物質の電気抵抗の温度
依存性を示した図である。
【図６】組成式Ｃｕ1-x Ｚnx Ｉｒ2 Ｓ4 （Ｘ＝０．６
〜０．９）の硫化物スピネル系物質の電気抵抗の温度依
存性を示した図である。
〜０．９）の硫化物スピネル系物質の電気抵抗の温度依
存性を示した図である。
Claims (1)
- 【請求項１】 組成式Ｃｕ1-x Ｚｎx Ｉｒ2 Ｓ4 （ 0.2
5 ≦ｘ≦0.8 ）で示され、超伝導特性を有する硫化物ス
ピネル系物質であることを特徴とする硫化物スピネル系
超伝導物質。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000107000A JP3629529B2 (ja) | 1999-04-09 | 2000-04-07 | 硫化物スピネル系超伝導物質 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10220299 | 1999-04-09 | ||
| JP11-102202 | 1999-04-09 | ||
| JP2000107000A JP3629529B2 (ja) | 1999-04-09 | 2000-04-07 | 硫化物スピネル系超伝導物質 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000351632A true JP2000351632A (ja) | 2000-12-19 |
| JP3629529B2 JP3629529B2 (ja) | 2005-03-16 |
Family
ID=26442935
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000107000A Expired - Lifetime JP3629529B2 (ja) | 1999-04-09 | 2000-04-07 | 硫化物スピネル系超伝導物質 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3629529B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2010013294A1 (ja) * | 2008-07-31 | 2010-02-04 | 国立大学法人広島大学 | 圧力によって超伝導体から絶縁体へ遷移する超伝導体薄膜を用いた圧力検出装置、ジョセフソン素子および超伝導量子干渉計 |
| CN113773082A (zh) * | 2021-08-04 | 2021-12-10 | 中山大学 | 一种新型Pt掺杂尖晶石结构超导材料及其制备方法 |
-
2000
- 2000-04-07 JP JP2000107000A patent/JP3629529B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2010013294A1 (ja) * | 2008-07-31 | 2010-02-04 | 国立大学法人広島大学 | 圧力によって超伝導体から絶縁体へ遷移する超伝導体薄膜を用いた圧力検出装置、ジョセフソン素子および超伝導量子干渉計 |
| US8338821B2 (en) | 2008-07-31 | 2012-12-25 | Hiroshima University | Pressure detection apparatus, Josephson device, and superconducting quantum interference device that include superconductor thin film that undergoes transition from superconductor to insulator by pressure |
| CN113773082A (zh) * | 2021-08-04 | 2021-12-10 | 中山大学 | 一种新型Pt掺杂尖晶石结构超导材料及其制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3629529B2 (ja) | 2005-03-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Oda et al. | Superconductivity of Y1Ba2 (Cu1-xFex) 3Oy | |
| KR970002894B1 (ko) | 초전도 산화 금속 조성물 | |
| JP3629529B2 (ja) | 硫化物スピネル系超伝導物質 | |
| JP3569885B2 (ja) | 酸化物超電導体の製造方法 | |
| Prabhakaran et al. | Synthesis of Bi-2223 phase using different precursors through different routes and their characterisation | |
| Komatsu et al. | High-T/sub c/superconducting glass ceramics based on the Bi-Ca-Sr-Cu-O system | |
| JP2656531B2 (ja) | 酸化物超電導体 | |
| JP2585561B2 (ja) | 酸化物超伝導材料 | |
| Isawa et al. | Synthesis of Superconducting Cuprates,(Pb (1+ x)/2 Cu (1− x)/2))(Sr 1− y Ca y) 2 (Y 1− x Ca x) Cu 2 O z by Means of Encapsulation and Post-Annealing (ECPA) Technique | |
| JPS63176353A (ja) | 超伝導性素材 | |
| US4835136A (en) | Lanthanum: sodium copper superconducting metal oxide compositions and process for manufacture | |
| JP2555505B2 (ja) | 金属酸化物材料 | |
| JPH06263441A (ja) | 金属酸化物材料及びその製造方法 | |
| JP3681768B2 (ja) | 層状銅酸化物およびその製造方法 | |
| AU632069B2 (en) | Superconducting metal oxide compositions and processes for manufacture and use | |
| AU632076B2 (en) | Superconducting metal oxide compositions and processes for manufacture and use | |
| JP3731038B2 (ja) | Ａｕ３Ｃｕ結晶構造をとる化合物を含む金属間化合物 | |
| JPH0769626A (ja) | 金属酸化物とその製造方法 | |
| JP2778100B2 (ja) | 酸化物超電導材料およびその製造方法 | |
| JPH0230618A (ja) | 酸化物高温超電導体 | |
| JPH06219896A (ja) | 酸化物超伝導体単結晶及びその製造方法 | |
| JP3247914B2 (ja) | 金属酸化物材料 | |
| JPS63230525A (ja) | 超伝導性素材 | |
| TANAKA | MASAAKI ISOBE, MASAYUKI SUZUKI, TAKAAKI AMI*, SACHIKO FUKUSHIMA, and MASAHIRO TANAKA | |
| JPH01164728A (ja) | 酸化物超伝導材料 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040409 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040629 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040827 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20041116 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 3629529 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |