JP2000351237A - 画像形成装置および画像形成方法 - Google Patents
画像形成装置および画像形成方法Info
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- Exposure Or Original Feeding In Electrophotography (AREA)
- Facsimile Scanning Arrangements (AREA)
- Mechanical Optical Scanning Systems (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 解像度が高い場合にも、感光体の膜厚を薄く
することなく、周期ラインパターンと孤立ドットパター
ン両者の画像再現性を良くすることのできる画像形成装
置を提供する。 【解決手段】 画像形成装置における露光エネルギー制
御部は、画像情報が１ラインおきのラインパターンであ
るときに付与する露光エネルギー密度をＥline（μＪ／
ｃｍ2）とした場合、画像情報が孤立した１ドットパタ
ーンであるときに付与する露光エネルギー密度Ｅ
dot（μＪ／ｃｍ2）を、ドットピッチをＰ（μｍ）とし
て、 −０．１１Ｐ＋６．４≦Ｅdot／Ｅline≦−０．２Ｐ＋
１０．７ の関係を満たすように制御する。
することなく、周期ラインパターンと孤立ドットパター
ン両者の画像再現性を良くすることのできる画像形成装
置を提供する。 【解決手段】 画像形成装置における露光エネルギー制
御部は、画像情報が１ラインおきのラインパターンであ
るときに付与する露光エネルギー密度をＥline（μＪ／
ｃｍ2）とした場合、画像情報が孤立した１ドットパタ
ーンであるときに付与する露光エネルギー密度Ｅ
dot（μＪ／ｃｍ2）を、ドットピッチをＰ（μｍ）とし
て、 −０．１１Ｐ＋６．４≦Ｅdot／Ｅline≦−０．２Ｐ＋
１０．７ の関係を満たすように制御する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、デジタル画像に基
づき画像を形成する画像形成装置および画像形成方法に
関し、特に、露光エネルギー密度を制御することによ
り、良質の画像を形成する画像形成装置および画像形成
方法に関する。
づき画像を形成する画像形成装置および画像形成方法に
関し、特に、露光エネルギー密度を制御することによ
り、良質の画像を形成する画像形成装置および画像形成
方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、複写機やプリンタをはじめとする
画像形成装置に対しては、より高画質で再現性に優れた
ものが要求されている。このような要求を満足させるた
めに、電子写真方式のデジタル画像形成装置では、従来
から、解像度により決定されるドットピッチに対して感
光体上の結像スポットのスポット径を最適化するという
方法が提案されてきている。
画像形成装置に対しては、より高画質で再現性に優れた
ものが要求されている。このような要求を満足させるた
めに、電子写真方式のデジタル画像形成装置では、従来
から、解像度により決定されるドットピッチに対して感
光体上の結像スポットのスポット径を最適化するという
方法が提案されてきている。
【０００３】たとえば、特開昭５８−１５２２６９号公
報では、ドットピッチ、露光スポット径および露光エネ
ルギー密度の関係式において露光エネルギーを最適化す
るという技術が、そして、特開平７−６１０３６号公報
では、ドットピッチに対するスポット径を最適化するの
みならず、これに感光体特性をも考慮して、高品位な画
像を得るという技術が、それぞれ開示されている。
報では、ドットピッチ、露光スポット径および露光エネ
ルギー密度の関係式において露光エネルギーを最適化す
るという技術が、そして、特開平７−６１０３６号公報
では、ドットピッチに対するスポット径を最適化するの
みならず、これに感光体特性をも考慮して、高品位な画
像を得るという技術が、それぞれ開示されている。
【０００４】また、スポット径を最適化するという技術
の他に、画像処理により高画質化を図らんとする方法も
提案されている。
の他に、画像処理により高画質化を図らんとする方法も
提案されている。
【０００５】特開昭６３−６４７６３号公報では、孤立
１ドットの再現性を得るために、印字データの中から孤
立した１ドット印字データを検出し、その前または後の
１ビット分も１ドット印字データとして補正することで
画質を向上させるという技術が開示されている。
１ドットの再現性を得るために、印字データの中から孤
立した１ドット印字データを検出し、その前または後の
１ビット分も１ドット印字データとして補正することで
画質を向上させるという技術が開示されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、これら
の従来技術は、いずれの場合も６００ｄｐｉを超えるよ
うな高解像度の画像形成装置においては、ドット密度が
異なる画像間における画像再現性を両立させることは困
難であった。
の従来技術は、いずれの場合も６００ｄｐｉを超えるよ
うな高解像度の画像形成装置においては、ドット密度が
異なる画像間における画像再現性を両立させることは困
難であった。
【０００７】すなわち、まず、特開昭５８−１５２２６
９号公報や特開平７−６１０３６号公報で開示された技
術では、ドット密度がある程度密な、例えば１ドットお
きに形成されるラインパターン（以下「周期ラインパタ
ーン」という。）の解像度を確保すると、ドット密度が
疎である孤立した１ドットパターン（以下「孤立ドット
パターン」という。）のドット径が所望の値より小さく
なり、場合によっては、ドットが形成されないという問
題が生じる。
９号公報や特開平７−６１０３６号公報で開示された技
術では、ドット密度がある程度密な、例えば１ドットお
きに形成されるラインパターン（以下「周期ラインパタ
ーン」という。）の解像度を確保すると、ドット密度が
疎である孤立した１ドットパターン（以下「孤立ドット
パターン」という。）のドット径が所望の値より小さく
なり、場合によっては、ドットが形成されないという問
題が生じる。
【０００８】また反対に、孤立ドットパターンのドット
径を解像度に適した最適な値に設定すると、周期ライン
パターンのライン幅が増大し、解像度に対応したコント
ラストが確保できないことになった。
径を解像度に適した最適な値に設定すると、周期ライン
パターンのライン幅が増大し、解像度に対応したコント
ラストが確保できないことになった。
【０００９】したがって、高解像度の画像形成装置にお
いては、感光体上の結像スポット径を調整するのみで
は、もはや周期ラインパターンと孤立ドットパターン両
者の再現性は両立できず、再現性の高い出力画像を得る
ことは非常に困難となっていた。
いては、感光体上の結像スポット径を調整するのみで
は、もはや周期ラインパターンと孤立ドットパターン両
者の再現性は両立できず、再現性の高い出力画像を得る
ことは非常に困難となっていた。
【００１０】また、特開昭６３−６４７６３号公報に示
される技術では、印字データの変更（補正）を行なうた
め、孤立ドットパターン自体の再現はできることになる
が、オリジナルの画像を忠実に再現していることにはな
らない。しかも、場合によっては不自然な部分が生じる
ため、上述したような周期ラインパターンと孤立ドット
パターン両者の再現性を確保するための根本的な解決に
はなっていない。
される技術では、印字データの変更（補正）を行なうた
め、孤立ドットパターン自体の再現はできることになる
が、オリジナルの画像を忠実に再現していることにはな
らない。しかも、場合によっては不自然な部分が生じる
ため、上述したような周期ラインパターンと孤立ドット
パターン両者の再現性を確保するための根本的な解決に
はなっていない。
【００１１】なお、この周期ラインパターンと孤立ドッ
トパターンの画像再現性の両立という問題には、解像度
の他に感光体の感度、即ち、光導電特性の相違も関係し
ている。このため、例えば感光体の膜厚を薄くすること
により、両者の両立を図ることも考えられる。
トパターンの画像再現性の両立という問題には、解像度
の他に感光体の感度、即ち、光導電特性の相違も関係し
ている。このため、例えば感光体の膜厚を薄くすること
により、両者の両立を図ることも考えられる。
【００１２】しかし、感光体の膜厚を薄くすると、繰り
返し使用による摩耗劣化による暗減衰特性や感度特性の
劣化が見られ、耐久性の面で問題が生じてくる。また、
膜厚の薄い感光体では十分な階調性が得られないとい
う、階調性についての問題も無視することができない。
返し使用による摩耗劣化による暗減衰特性や感度特性の
劣化が見られ、耐久性の面で問題が生じてくる。また、
膜厚の薄い感光体では十分な階調性が得られないとい
う、階調性についての問題も無視することができない。
【００１３】本発明はかかる実状に鑑みて考え出された
ものであり、その目的は、解像度が高い場合にも、感光
体の膜厚を薄くすることなく、周期ラインパターンと孤
立ドットパターン両者の画像再現性を良くすることので
きる画像形成装置を提供することである。
ものであり、その目的は、解像度が高い場合にも、感光
体の膜厚を薄くすることなく、周期ラインパターンと孤
立ドットパターン両者の画像再現性を良くすることので
きる画像形成装置を提供することである。
【００１４】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明のある局面に従うと、所定の電位に帯電され
た感光体を露光する露光部と、画像情報に基づいて露光
部の露光エネルギー密度を制御する制御部と、露光部に
よって感光体上に形成された静電潜像を可視化する現像
部とを備えた画像形成装置は、制御部は、画像情報が１
ラインおきのラインパターンであるときに付与する露光
エネルギー密度をＥline（μＪ／ｃｍ2）とした場合、
画像情報が孤立した１ドットパターンであるときに付与
する露光エネルギー密度Ｅdot（μＪ／ｃｍ2）を、ドッ
トピッチをＰ（μｍ）として、 −０．１１Ｐ＋６．４≦Ｅdot／Ｅline≦−０．２Ｐ＋
１０．７ の関係を満たすように制御することを特徴とする。
め、本発明のある局面に従うと、所定の電位に帯電され
た感光体を露光する露光部と、画像情報に基づいて露光
部の露光エネルギー密度を制御する制御部と、露光部に
よって感光体上に形成された静電潜像を可視化する現像
部とを備えた画像形成装置は、制御部は、画像情報が１
ラインおきのラインパターンであるときに付与する露光
エネルギー密度をＥline（μＪ／ｃｍ2）とした場合、
画像情報が孤立した１ドットパターンであるときに付与
する露光エネルギー密度Ｅdot（μＪ／ｃｍ2）を、ドッ
トピッチをＰ（μｍ）として、 −０．１１Ｐ＋６．４≦Ｅdot／Ｅline≦−０．２Ｐ＋
１０．７ の関係を満たすように制御することを特徴とする。
【００１５】この発明によると、周期ラインパターンと
孤立ドットパターンとに与える露光エネルギーが最適化
されるため、解像度が高い場合にも、感光体の膜厚を薄
くすることなく、周期ラインパターンと孤立ドットパタ
ーン両者の画像再現性を良くすることのできる画像形成
装置の提供が可能となる。
孤立ドットパターンとに与える露光エネルギーが最適化
されるため、解像度が高い場合にも、感光体の膜厚を薄
くすることなく、周期ラインパターンと孤立ドットパタ
ーン両者の画像再現性を良くすることのできる画像形成
装置の提供が可能となる。
【００１６】また、好ましくは、画像形成装置は、画像
情報から孤立した１ドットパターンを検出する検出部を
さらに備え、制御部は、孤立した１ドットパターンが検
出されない場合、露光エネルギー密度にＥline（μＪ／
ｃｍ2）を付与し、孤立した１ドットパターンが検出さ
れた場合、露光エネルギー密度にＥdot（μＪ／ｃｍ2）
を付与する。
情報から孤立した１ドットパターンを検出する検出部を
さらに備え、制御部は、孤立した１ドットパターンが検
出されない場合、露光エネルギー密度にＥline（μＪ／
ｃｍ2）を付与し、孤立した１ドットパターンが検出さ
れた場合、露光エネルギー密度にＥdot（μＪ／ｃｍ2）
を付与する。
【００１７】これにより、孤立ドットパターンが検出さ
れない場合は所定の露光エネルギー密度Ｅline（μＪ／
ｃｍ2）が付与され、検出された場合にのみ一定の条件
を満たす露光エネルギー密度Ｅdot（μＪ／ｃｍ2）が付
与されるため、比較的容易な制御により孤立ドットパタ
ーンの再現性をよくすることが可能になる。
れない場合は所定の露光エネルギー密度Ｅline（μＪ／
ｃｍ2）が付与され、検出された場合にのみ一定の条件
を満たす露光エネルギー密度Ｅdot（μＪ／ｃｍ2）が付
与されるため、比較的容易な制御により孤立ドットパタ
ーンの再現性をよくすることが可能になる。
【００１８】また、好ましくは、制御部は、１ドット毎
に露光エネルギー密度の制御が可能なパワー変調部を備
える。
に露光エネルギー密度の制御が可能なパワー変調部を備
える。
【００１９】これにより、画像情報に応じて１ドット毎
の露光エネルギー密度の制御が可能となり、再現性のよ
い画像の形成を実現することができる。
の露光エネルギー密度の制御が可能となり、再現性のよ
い画像の形成を実現することができる。
【００２０】さらに、画像形成装置は、露光部の露光ス
ポット径Ｄ（μｍ）を、ドットピッチＰ（μｍ）に対し
て、 Ｄ≦２Ｐ の関係を満たすように設定することが好ましい。
ポット径Ｄ（μｍ）を、ドットピッチＰ（μｍ）に対し
て、 Ｄ≦２Ｐ の関係を満たすように設定することが好ましい。
【００２１】これにより、周期ラインパターンに対する
再現性を確保することが可能となる。
再現性を確保することが可能となる。
【００２２】さらに、好ましくは、感光体の膜厚は１５
〜２５μｍとする。これにより、耐久性および十分な階
調性を確保することが可能となる。
〜２５μｍとする。これにより、耐久性および十分な階
調性を確保することが可能となる。
【００２３】また、上記目的を達成するために、本発明
の別の局面に従うと、所定の電位に帯電された感光体を
露光する露光ステップと、画像情報に基づいて露光部の
露光エネルギー密度を制御する制御ステップと、露光ス
テップによって感光体上に形成された静電潜像を可視化
する現像ステップとを備えた画像形成方法は、制御ステ
ップは、画像情報が１ラインおきのラインパターンであ
るときに付与する露光エネルギー密度をＥline（μＪ／
ｃｍ2）とした場合、画像情報が孤立した１ドットパタ
ーンであるときに付与する露光エネルギー密度Ｅ
dot（μＪ／ｃｍ2）を、ドットピッチをＰ（μｍ）とし
て、 −０．１１Ｐ＋６．４≦Ｅdot／Ｅline≦−０．２Ｐ＋
１０．７ の関係を満たすように制御することを特徴とする。
の別の局面に従うと、所定の電位に帯電された感光体を
露光する露光ステップと、画像情報に基づいて露光部の
露光エネルギー密度を制御する制御ステップと、露光ス
テップによって感光体上に形成された静電潜像を可視化
する現像ステップとを備えた画像形成方法は、制御ステ
ップは、画像情報が１ラインおきのラインパターンであ
るときに付与する露光エネルギー密度をＥline（μＪ／
ｃｍ2）とした場合、画像情報が孤立した１ドットパタ
ーンであるときに付与する露光エネルギー密度Ｅ
dot（μＪ／ｃｍ2）を、ドットピッチをＰ（μｍ）とし
て、 −０．１１Ｐ＋６．４≦Ｅdot／Ｅline≦−０．２Ｐ＋
１０．７ の関係を満たすように制御することを特徴とする。
【００２４】この発明によると、解像度が高い場合に
も、感光体の膜厚を薄くすることなく、周期ラインパタ
ーンと孤立ドットパターン両者の画像再現性を良くする
ことのできる画像形成方法の提供が可能となる。
も、感光体の膜厚を薄くすることなく、周期ラインパタ
ーンと孤立ドットパターン両者の画像再現性を良くする
ことのできる画像形成方法の提供が可能となる。
【００２５】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態を、図
面に基づいて説明する。
面に基づいて説明する。
【００２６】図１は、本発明の実施の形態の一つである
画像形成装置１の主要な構成の概要を示す模式図であ
る。図１を参照して、画像形成装置１は、表面に光導電
性膜を有する感光体１０と、感光体１０の表面を均一に
帯電させる帯電部１１と、感光体１０の表面を露光し、
静電潜像を形成する露光部１５と、画像情報に基づいて
露光部１５を制御する制御部１７と、感光体１０の表面
に形成された静電潜像を現像剤（トナー）によって可視
化する現像部１６と、感光体１０表面のトナーを用紙に
転写する図示しない転写部と、転写されたトナーを用紙
上に定着させる図示しない定着部とを備えている。
画像形成装置１の主要な構成の概要を示す模式図であ
る。図１を参照して、画像形成装置１は、表面に光導電
性膜を有する感光体１０と、感光体１０の表面を均一に
帯電させる帯電部１１と、感光体１０の表面を露光し、
静電潜像を形成する露光部１５と、画像情報に基づいて
露光部１５を制御する制御部１７と、感光体１０の表面
に形成された静電潜像を現像剤（トナー）によって可視
化する現像部１６と、感光体１０表面のトナーを用紙に
転写する図示しない転写部と、転写されたトナーを用紙
上に定着させる図示しない定着部とを備えている。
【００２７】したがって、本図において、感光体１０の
表面のうち、露光部１５と現像部１６との間の部分には
静電潜像が形成され、現像部１６と図示しない転写部と
の間の部分には、トナーによる可視像が形成されること
になる。
表面のうち、露光部１５と現像部１６との間の部分には
静電潜像が形成され、現像部１６と図示しない転写部と
の間の部分には、トナーによる可視像が形成されること
になる。
【００２８】次に、各構成部について説明を行なう。感
光体１０は、導体基板上に、アンダーコート層（ＵＣ
Ｌ）、電荷発生層（ＣＧＬ）、電荷輸送層（ＣＴＬ）が
それぞれ設けられた積層型有機感光体であり、その表面
は負極性に帯電可能となっている。なお、この感光体層
の厚さは１５〜２５μｍである。
光体１０は、導体基板上に、アンダーコート層（ＵＣ
Ｌ）、電荷発生層（ＣＧＬ）、電荷輸送層（ＣＴＬ）が
それぞれ設けられた積層型有機感光体であり、その表面
は負極性に帯電可能となっている。なお、この感光体層
の厚さは１５〜２５μｍである。
【００２９】帯電部１１は、ケース１２と、ワイヤ１３
と、グリッド１４とを備えており、それぞれが高圧電源
に接続されている。したがって、コロナ放電によりワイ
ヤ１３から放出された電荷はグリッド１４のバイアス電
圧により数値制御されることになり、感光体表面は所望
の表面電位に帯電される。なお、感光体１０の表面と帯
電部１１（グリッド１４）との間隔は１〜２ｍｍであ
る。
と、グリッド１４とを備えており、それぞれが高圧電源
に接続されている。したがって、コロナ放電によりワイ
ヤ１３から放出された電荷はグリッド１４のバイアス電
圧により数値制御されることになり、感光体表面は所望
の表面電位に帯電される。なお、感光体１０の表面と帯
電部１１（グリッド１４）との間隔は１〜２ｍｍであ
る。
【００３０】露光部１５については、その構成の概略を
図２に示す。図２を参照して、露光部１５は、光源であ
る波長７８０ｎｍの赤色半導体レーザ（ＬＤ）２０と、
ＬＤ２０より発光されたレーザ光を平行光に整形するた
めのコリメータレンズ２１と、コリメータレンズ２１を
通過した平行光を所望の露光スポット径を得るために開
口を制限するアパーチャ２２と、アパーチャ２２を通過
した平行光を集光し感光体１０上で結像させる対物レン
ズ２３とを備えている。
図２に示す。図２を参照して、露光部１５は、光源であ
る波長７８０ｎｍの赤色半導体レーザ（ＬＤ）２０と、
ＬＤ２０より発光されたレーザ光を平行光に整形するた
めのコリメータレンズ２１と、コリメータレンズ２１を
通過した平行光を所望の露光スポット径を得るために開
口を制限するアパーチャ２２と、アパーチャ２２を通過
した平行光を集光し感光体１０上で結像させる対物レン
ズ２３とを備えている。
【００３１】ＬＤ２０は、制御部１７によりその駆動が
制御されている。そして、制御部１７は、レーザドライ
バ（キノ・メレスグリオ社製）およびパワー変調回路を
含んでおり、ＬＤ２０の露光エネルギー密度を調整する
ことが可能である。
制御されている。そして、制御部１７は、レーザドライ
バ（キノ・メレスグリオ社製）およびパワー変調回路を
含んでおり、ＬＤ２０の露光エネルギー密度を調整する
ことが可能である。
【００３２】現像部１６は、ここでは非磁性一成分の接
触現像方式を用いている。図３に、現像部１６の構成の
概略を示す。図３を参照して、現像部１６は、帯電され
た非磁性一成分のトナー３０と、感光体１０に対向し、
一定量に層形成されたトナー３０を感光体１０に接触さ
せて現像を行なうための現像ローラ３２と、容器内に貯
蓄されたトナー３０を現像ローラ３２に供給するための
供給ローラ３１と、現像ローラ３２上に堆積されたトナ
ー３０を一定の量に制限するためのドクターローラ３３
と、現像後に現像ローラ３２上に残されたトナーを回収
し容器内に戻すための回収ローラ３４とを備えている。
触現像方式を用いている。図３に、現像部１６の構成の
概略を示す。図３を参照して、現像部１６は、帯電され
た非磁性一成分のトナー３０と、感光体１０に対向し、
一定量に層形成されたトナー３０を感光体１０に接触さ
せて現像を行なうための現像ローラ３２と、容器内に貯
蓄されたトナー３０を現像ローラ３２に供給するための
供給ローラ３１と、現像ローラ３２上に堆積されたトナ
ー３０を一定の量に制限するためのドクターローラ３３
と、現像後に現像ローラ３２上に残されたトナーを回収
し容器内に戻すための回収ローラ３４とを備えている。
【００３３】次に、制御部１７について説明する。図４
は、制御部１７がＬＤ２０の露光エネルギー密度を制御
する手順を示すフローチャートである。図４を参照し
て、まず、ステップＳ４０１において、画像パターンの
中から孤立ドットパターンを検出する。そして、孤立ド
ットパターンが存在するか否かが判断され（ステップＳ
４０３）、存在しない場合は、所定の露光エネルギー密
度が付与される（ステップＳ４０５）。一方、孤立ドッ
トパターンが存在する場合は、比率に応じた露光エネル
ギーが求められ、パワー変調回路によりその求められた
露光エネルギーが付与される（ステップＳ４０７）。
は、制御部１７がＬＤ２０の露光エネルギー密度を制御
する手順を示すフローチャートである。図４を参照し
て、まず、ステップＳ４０１において、画像パターンの
中から孤立ドットパターンを検出する。そして、孤立ド
ットパターンが存在するか否かが判断され（ステップＳ
４０３）、存在しない場合は、所定の露光エネルギー密
度が付与される（ステップＳ４０５）。一方、孤立ドッ
トパターンが存在する場合は、比率に応じた露光エネル
ギーが求められ、パワー変調回路によりその求められた
露光エネルギーが付与される（ステップＳ４０７）。
【００３４】この比率に応じた露光エネルギーＥdotと
は、画像パターン中の周期ラインパターンに与える露光
エネルギーをＥline、ドットピッチをＰとした場合に、 −０．１１Ｐ＋６．４≦Ｅdot／Ｅline≦−０．２Ｐ＋
１０．７ の関係を満たすような露光エネルギーのことである。以
下、この関係の導出について説明する。
は、画像パターン中の周期ラインパターンに与える露光
エネルギーをＥline、ドットピッチをＰとした場合に、 −０．１１Ｐ＋６．４≦Ｅdot／Ｅline≦−０．２Ｐ＋
１０．７ の関係を満たすような露光エネルギーのことである。以
下、この関係の導出について説明する。
【００３５】図５に、周期ラインパターン５０および孤
立ドットパターン５１の典型例を示す。周期ラインパタ
ーン５０は、１ラインおきにラインパターンを形成する
ものであり、孤立ドットパターン５１は、隣接するドッ
トがなく、１ドットが孤立した状態で形成されるもので
ある。図に示すように、解像度から決定されるドットピ
ッチをＰとすると、周期ラインパターン５０におけるラ
イン間隔は、２Ｐとなる。なお、周期ラインパターン５
０の最端ラインと孤立ドットパターン５１との中心間距
離は６Ｐとしている。
立ドットパターン５１の典型例を示す。周期ラインパタ
ーン５０は、１ラインおきにラインパターンを形成する
ものであり、孤立ドットパターン５１は、隣接するドッ
トがなく、１ドットが孤立した状態で形成されるもので
ある。図に示すように、解像度から決定されるドットピ
ッチをＰとすると、周期ラインパターン５０におけるラ
イン間隔は、２Ｐとなる。なお、周期ラインパターン５
０の最端ラインと孤立ドットパターン５１との中心間距
離は６Ｐとしている。
【００３６】ここで、周期ラインパターン５０の再現性
を評価するためのパラメータとして、そのライン幅ｂと
ライン間隔（非画像部分幅とライン幅ｂとの和）ａとの
比（ｄｕｔｙ）を考慮する。そして、非画像部分幅とラ
イン幅ｂとが一対一の割合となる５０％をｄｕｔｙの適
正値と仮定する。また、孤立ドットパターン５１の再現
性は、ドット径ｄで評価し、その値がドットピッチＰに
対してＰ≦ｄ≦√２Ｐであれば、適正値であると仮定す
る。
を評価するためのパラメータとして、そのライン幅ｂと
ライン間隔（非画像部分幅とライン幅ｂとの和）ａとの
比（ｄｕｔｙ）を考慮する。そして、非画像部分幅とラ
イン幅ｂとが一対一の割合となる５０％をｄｕｔｙの適
正値と仮定する。また、孤立ドットパターン５１の再現
性は、ドット径ｄで評価し、その値がドットピッチＰに
対してＰ≦ｄ≦√２Ｐであれば、適正値であると仮定す
る。
【００３７】そして、デジタル画像データとして、この
図５に示す典型パターンを用いて、前述した画像形成装
置１による画像形成実験を行なった。なお、測定結果
は、用紙に出力された画像ではなく、感光体１０上に形
成されるトナー画像を測定したものである。
図５に示す典型パターンを用いて、前述した画像形成装
置１による画像形成実験を行なった。なお、測定結果
は、用紙に出力された画像ではなく、感光体１０上に形
成されるトナー画像を測定したものである。
【００３８】図６は、平均露光エネルギー密度に対する
ドット径ｄおよびｄｕｔｙについての実験結果を表わし
た図である。図６（ａ）は、レーザの露光スポット径Ｄ
が６０μｍ、感光体の膜厚が２０μｍで、解像度が６０
０ｄｐｉの画像を形成した場合の結果を示している。こ
れに対して、図６（ｂ）は、レーザの露光スポット径Ｄ
が３０μｍ、感光体の膜厚が１５μｍで、解像度が１２
００ｄｐｉの画像を形成した場合の結果を示している。
いずれの場合も、横軸に平均露光エネルギー密度を、縦
軸にｄｕｔｙおよびドット径をとっている。そして、黒
点による曲線は周期ラインパターンのｄｕｔｙを、白点
による曲線は孤立ドットパターンのドット径ｄを、それ
ぞれ示している。
ドット径ｄおよびｄｕｔｙについての実験結果を表わし
た図である。図６（ａ）は、レーザの露光スポット径Ｄ
が６０μｍ、感光体の膜厚が２０μｍで、解像度が６０
０ｄｐｉの画像を形成した場合の結果を示している。こ
れに対して、図６（ｂ）は、レーザの露光スポット径Ｄ
が３０μｍ、感光体の膜厚が１５μｍで、解像度が１２
００ｄｐｉの画像を形成した場合の結果を示している。
いずれの場合も、横軸に平均露光エネルギー密度を、縦
軸にｄｕｔｙおよびドット径をとっている。そして、黒
点による曲線は周期ラインパターンのｄｕｔｙを、白点
による曲線は孤立ドットパターンのドット径ｄを、それ
ぞれ示している。
【００３９】図６（ａ）を参照して、周期ラインパター
ン５０の再現性がよいと仮定した、ｄｕｔｙが５０％と
なるときの平均露光エネルギーＥlineは、約０．２μＪ
／ｃｍ2である（Ａ点）。これに対して、孤立ドットパ
ターン５１のドット径ｄの適正値である約４２〜５９μ
ｍとなるときの平均露光エネルギー密度Ｅdotは、約
０．３２〜０．４６２μＪ／ｃｍ2である（Ｂ点〜Ｃ
点）。
ン５０の再現性がよいと仮定した、ｄｕｔｙが５０％と
なるときの平均露光エネルギーＥlineは、約０．２μＪ
／ｃｍ2である（Ａ点）。これに対して、孤立ドットパ
ターン５１のドット径ｄの適正値である約４２〜５９μ
ｍとなるときの平均露光エネルギー密度Ｅdotは、約
０．３２〜０．４６２μＪ／ｃｍ2である（Ｂ点〜Ｃ
点）。
【００４０】したがって、平均露光エネルギー密度が一
定値では、周期ラインパターンと孤立ドットパターン双
方の再現性をよくすることは困難であることがわかる。
そして、これら周期ラインパターンおよび孤立ドットパ
ターン双方の画像再現性をよくするためには、孤立ドッ
トパターンに与える露光エネルギー密度Ｅdotを、周期
ラインパターンに与える露光エネルギー密度Ｅlineの約
１．６〜２．３倍とする必要があることが判明した。
定値では、周期ラインパターンと孤立ドットパターン双
方の再現性をよくすることは困難であることがわかる。
そして、これら周期ラインパターンおよび孤立ドットパ
ターン双方の画像再現性をよくするためには、孤立ドッ
トパターンに与える露光エネルギー密度Ｅdotを、周期
ラインパターンに与える露光エネルギー密度Ｅlineの約
１．６〜２．３倍とする必要があることが判明した。
【００４１】なお、６００ｄｐｉの解像度において、露
光スポット径３０μｍ、感光体膜厚１５μｍとした場合
の実験も行なった。この場合も、周期ラインパターン５
０のｄｕｔｙが５０％となるときの平均露光エネルギー
Ｅlineは、孤立ドットパターン５１のドット径ｄが適正
値となるときの平均露光エネルギー密度Ｅdotの約１．
６〜２．３倍という関係が成立する結果となった。
光スポット径３０μｍ、感光体膜厚１５μｍとした場合
の実験も行なった。この場合も、周期ラインパターン５
０のｄｕｔｙが５０％となるときの平均露光エネルギー
Ｅlineは、孤立ドットパターン５１のドット径ｄが適正
値となるときの平均露光エネルギー密度Ｅdotの約１．
６〜２．３倍という関係が成立する結果となった。
【００４２】一方、図６（ｂ）の解像度が１２００ｄｐ
ｉの場合においては、周期ラインパターン５０のｄｕｔ
ｙが５０％となるときの平均露光エネルギーＥlineが、
約０．２μＪ／ｃｍ2であるのに対して（Ｄ点）、孤立
ドットパターン５１のドット径ｄが適正値２１〜３０μ
ｍとなるときの平均露光エネルギー密度Ｅdotは、約
０．８〜１．３μＪ／ｃｍ2にもなる（Ｅ点〜Ｆ点）。
ｉの場合においては、周期ラインパターン５０のｄｕｔ
ｙが５０％となるときの平均露光エネルギーＥlineが、
約０．２μＪ／ｃｍ2であるのに対して（Ｄ点）、孤立
ドットパターン５１のドット径ｄが適正値２１〜３０μ
ｍとなるときの平均露光エネルギー密度Ｅdotは、約
０．８〜１．３μＪ／ｃｍ2にもなる（Ｅ点〜Ｆ点）。
【００４３】このため、同一露光エネルギー密度で、周
期ラインパターンと孤立ドットパターン双方の再現性を
よくすることはさらに困難となることがわかる。そし
て、周期ラインパターンおよび孤立ドットパターン双方
の画像再現性をよくするためには、孤立ドットパターン
に与える露光エネルギー密度Ｅdotを、周期ラインパタ
ーンに与える露光エネルギー密度Ｅlineの約４〜６．５
倍とする必要があることも明らかとなった。
期ラインパターンと孤立ドットパターン双方の再現性を
よくすることはさらに困難となることがわかる。そし
て、周期ラインパターンおよび孤立ドットパターン双方
の画像再現性をよくするためには、孤立ドットパターン
に与える露光エネルギー密度Ｅdotを、周期ラインパタ
ーンに与える露光エネルギー密度Ｅlineの約４〜６．５
倍とする必要があることも明らかとなった。
【００４４】なお、１２００ｄｐｉの解像度において
も、露光スポット径３０μｍ、感光体膜厚２０μｍとし
た場合、および、露光スポット径１５μｍ、膜厚感光体
膜厚１５μｍとした場合の実験も行なった。これらの場
合も、同様に、周期ラインパターン５０のｄｕｔｙが５
０％となるときの平均露光エネルギーＥlineは、孤立ド
ットパターン５１のドット径ｄが適正値となるときの平
均露光エネルギー密度Ｅ dotの約４〜６．５倍という関
係が成立する結果となった。
も、露光スポット径３０μｍ、感光体膜厚２０μｍとし
た場合、および、露光スポット径１５μｍ、膜厚感光体
膜厚１５μｍとした場合の実験も行なった。これらの場
合も、同様に、周期ラインパターン５０のｄｕｔｙが５
０％となるときの平均露光エネルギーＥlineは、孤立ド
ットパターン５１のドット径ｄが適正値となるときの平
均露光エネルギー密度Ｅ dotの約４〜６．５倍という関
係が成立する結果となった。
【００４５】以上の実験結果から、同一の露光エネルギ
ー密度で、周期ラインパターンと孤立ドットパターン双
方の再現性をよくすること、つまり、両者の両立を図る
ことは、解像度が高くなる程低下する傾向にあることが
わかる。また、解像度が一定の場合は、感光体膜厚およ
び露光スポット径Ｄのみを一定範囲内で変化させても、
周期ラインパターン５０および孤立ドットパターン５１
の最適な平均露光エネルギー密度ＥlineおよびＥdotの
関係は変化しないことも明らかとなった。
ー密度で、周期ラインパターンと孤立ドットパターン双
方の再現性をよくすること、つまり、両者の両立を図る
ことは、解像度が高くなる程低下する傾向にあることが
わかる。また、解像度が一定の場合は、感光体膜厚およ
び露光スポット径Ｄのみを一定範囲内で変化させても、
周期ラインパターン５０および孤立ドットパターン５１
の最適な平均露光エネルギー密度ＥlineおよびＥdotの
関係は変化しないことも明らかとなった。
【００４６】したがって、、周期ラインパターン５０の
ｄｕｔｙが５０％となるときの平均露光エネルギーＥ
lineと孤立ドットパターン５１のドット径ｄの適正値と
なるときの平均露光エネルギー密度Ｅdotとの関係
（比）は、解像度から決定されるドットピッチＰのみで
表わせることがわかった。そこで、前述した実験結果か
らこれらの関係を求めると、 −０．１１Ｐ＋６．４≦Ｅdot／Ｅline≦−０．２Ｐ＋１０．７（１） となる。
ｄｕｔｙが５０％となるときの平均露光エネルギーＥ
lineと孤立ドットパターン５１のドット径ｄの適正値と
なるときの平均露光エネルギー密度Ｅdotとの関係
（比）は、解像度から決定されるドットピッチＰのみで
表わせることがわかった。そこで、前述した実験結果か
らこれらの関係を求めると、 −０．１１Ｐ＋６．４≦Ｅdot／Ｅline≦−０．２Ｐ＋１０．７（１） となる。
【００４７】図７は、ドットピッチＰに対するＥdot／
Ｅlineを表わした図である。ここでは、横軸にドットピ
ッチＰを、縦軸にＥdot／Ｅlineをとっている。上限と
下限とがあるのは、前述したように孤立ドットパターン
５１のドット径ｄの適正値に幅があるからである。な
お、このグラフにおいて、Ｅdot／Ｅline≦１となる場
合にのみ同一の露光エネルギー密度で、周期ラインパタ
ーンと孤立ドットパターン双方の再現性をよくすること
が可能となる。
Ｅlineを表わした図である。ここでは、横軸にドットピ
ッチＰを、縦軸にＥdot／Ｅlineをとっている。上限と
下限とがあるのは、前述したように孤立ドットパターン
５１のドット径ｄの適正値に幅があるからである。な
お、このグラフにおいて、Ｅdot／Ｅline≦１となる場
合にのみ同一の露光エネルギー密度で、周期ラインパタ
ーンと孤立ドットパターン双方の再現性をよくすること
が可能となる。
【００４８】したがって、６００ｄｐｉ以上、つまり、
ドットピッチが４２μｍ以下の高解像度の画像に対して
は、Ｅdot／Ｅlineが１以上であるため、周期ラインパ
ターンと孤立ドットパターンに対して露光エネルギー密
度を変化させる必要があることがわかる。そこで、本図
に示す関係、即ち、Ｅlineに対して（１）式の関係を満
たすようにＥdotの値を制御すればよい。
ドットピッチが４２μｍ以下の高解像度の画像に対して
は、Ｅdot／Ｅlineが１以上であるため、周期ラインパ
ターンと孤立ドットパターンに対して露光エネルギー密
度を変化させる必要があることがわかる。そこで、本図
に示す関係、即ち、Ｅlineに対して（１）式の関係を満
たすようにＥdotの値を制御すればよい。
【００４９】次に、この導出した条件が正しいことを確
認するために、画像形成装置１を用いて、露光エネルギ
ー密度を上記関係式（１）を満たす範囲に制御した再現
性確認実験を行なった。具体的には、解像度６００ｄｐ
ｉの場合をＥdot／Ｅline＝２、解像度１２００ｄｐｉ
の場合をＥdot／Ｅline＝６にそれぞれ設定して画像を
形成した。その結果、共に再現性に優れた画像を形成す
ることができた。さらに、解像度８００ｄｐｉでも、Ｅ
dot／Ｅline＝４に設定して確認実験を行なったとこ
ろ、良好な結果が得られた。
認するために、画像形成装置１を用いて、露光エネルギ
ー密度を上記関係式（１）を満たす範囲に制御した再現
性確認実験を行なった。具体的には、解像度６００ｄｐ
ｉの場合をＥdot／Ｅline＝２、解像度１２００ｄｐｉ
の場合をＥdot／Ｅline＝６にそれぞれ設定して画像を
形成した。その結果、共に再現性に優れた画像を形成す
ることができた。さらに、解像度８００ｄｐｉでも、Ｅ
dot／Ｅline＝４に設定して確認実験を行なったとこ
ろ、良好な結果が得られた。
【００５０】図８は、制御部１７で使用する露光エネル
ギー密度を変調させるためのパワー変調回路を説明する
ための図である。露光エネルギーは、露光時間とレーザ
パワーとの積に比例する。したがって、本図に示すよう
に、露光時間（パルス幅）を一定にした場合は露光パワ
ーを調整する必要がある。
ギー密度を変調させるためのパワー変調回路を説明する
ための図である。露光エネルギーは、露光時間とレーザ
パワーとの積に比例する。したがって、本図に示すよう
に、露光時間（パルス幅）を一定にした場合は露光パワ
ーを調整する必要がある。
【００５１】図８（ａ）は、解像度６００ｄｐｉの画像
を形成する場合の、周期ラインパターンと孤立ドットパ
ターンとに与える露光パワーをそれぞれ示している。Ｅ
dot／Ｅline＝２とするためには、周期ラインパターン
に対して孤立ドットパターンに与える露光パワーを２倍
にすればよい。同様に、図８（ｂ）に示す解像度１２０
０ｄｐｉの場合は、パルス幅一定で、周期ラインパター
ンに対する孤立ドットパターンに与える露光パワーを６
倍にすればよい。
を形成する場合の、周期ラインパターンと孤立ドットパ
ターンとに与える露光パワーをそれぞれ示している。Ｅ
dot／Ｅline＝２とするためには、周期ラインパターン
に対して孤立ドットパターンに与える露光パワーを２倍
にすればよい。同様に、図８（ｂ）に示す解像度１２０
０ｄｐｉの場合は、パルス幅一定で、周期ラインパター
ンに対する孤立ドットパターンに与える露光パワーを６
倍にすればよい。
【００５２】なお、露光エネルギー密度を変調するため
には、図９に示すように、露光パワーを一定として、露
光時間を変調するパルス幅変調方式を用いてもよい。こ
の場合は、解像度６００ｄｐｉの場合は、図９（ａ）に
示すように、周期ラインパターンに対して孤立ドットパ
ターンのパルス幅を２倍にすればよい。同様に、解像度
１２００ｄｐｉの場合は、図９（ｂ）に示すように、周
期ラインパターンに対して孤立ドットパターンのパルス
幅を６倍にすればよい。また、パワー変調とパルス変調
とを組み合わせて露光エネルギー密度を制御することも
可能である。
には、図９に示すように、露光パワーを一定として、露
光時間を変調するパルス幅変調方式を用いてもよい。こ
の場合は、解像度６００ｄｐｉの場合は、図９（ａ）に
示すように、周期ラインパターンに対して孤立ドットパ
ターンのパルス幅を２倍にすればよい。同様に、解像度
１２００ｄｐｉの場合は、図９（ｂ）に示すように、周
期ラインパターンに対して孤立ドットパターンのパルス
幅を６倍にすればよい。また、パワー変調とパルス変調
とを組み合わせて露光エネルギー密度を制御することも
可能である。
【００５３】以上のように、１５〜２５μｍの膜厚の感
光体では、周期ラインパターン５０と孤立ドットパター
ン５１とに同一の露光エネルギーを与えると、共に再現
性をよくするという両立性を確保できないため、その対
応策として上記（１）式に従う最適エネルギーを付与す
るように制御することで感光体膜厚を薄くすることなく
両立性を確保することができる。
光体では、周期ラインパターン５０と孤立ドットパター
ン５１とに同一の露光エネルギーを与えると、共に再現
性をよくするという両立性を確保できないため、その対
応策として上記（１）式に従う最適エネルギーを付与す
るように制御することで感光体膜厚を薄くすることなく
両立性を確保することができる。
【００５４】最後に、解像度により決定されるドットピ
ッチＰとスポット径Ｄとの関係について説明する。スポ
ット径とは、図２におけるＬＤ２０から照射されたレー
ザ光が感光体１０上に結像するスポットのうち、光強度
分布がピーク値（中心）の１／ｅ2になる点で決定され
る直径のことをいう。
ッチＰとスポット径Ｄとの関係について説明する。スポ
ット径とは、図２におけるＬＤ２０から照射されたレー
ザ光が感光体１０上に結像するスポットのうち、光強度
分布がピーク値（中心）の１／ｅ2になる点で決定され
る直径のことをいう。
【００５５】図１０は、ドットピッチＰが一定でスポッ
ト径Ｄを変化させた場合の、周期ラインパターン５０の
ラインに垂直な方向についての感光体上の露光エネルギ
ー密度分布を示した図である。なお、この露光エネルギ
ー密度分布は、感光体上の潜像電位に追従すると仮定し
ている。
ト径Ｄを変化させた場合の、周期ラインパターン５０の
ラインに垂直な方向についての感光体上の露光エネルギ
ー密度分布を示した図である。なお、この露光エネルギ
ー密度分布は、感光体上の潜像電位に追従すると仮定し
ている。
【００５６】図１０（ａ）は、Ｄ＝√２Ｐ、（ｂ）は、
Ｄ＝２Ｐ、（ｃ）は、Ｄ＝２√２Ｐにそれぞれスポット
径を設定しており、いずれの場合も、解像度６００ｄｐ
ｉつまりドットピッチＰは４２μｍである。そして、図
１０に示される波形の５つのピークがそれぞれ周期ライ
ンパターン５０のライン中心位置に該当し、ピーク間隔
はＰ＝４２μｍとなる。
Ｄ＝２Ｐ、（ｃ）は、Ｄ＝２√２Ｐにそれぞれスポット
径を設定しており、いずれの場合も、解像度６００ｄｐ
ｉつまりドットピッチＰは４２μｍである。そして、図
１０に示される波形の５つのピークがそれぞれ周期ライ
ンパターン５０のライン中心位置に該当し、ピーク間隔
はＰ＝４２μｍとなる。
【００５７】露光エネルギー密度分布は、Ｄ＝√２Ｐの
場合（図１０（ａ））では、画像部（波形の山部分）と
非画像部（波形の谷部分）との差が明確であり、周期ラ
インの潜像電位コントラスト（周期ライン間隙非画像部
での値とピーク値との差異）を充分に有していることが
わかる。これに対して、Ｄ＝２Ｐの場合（図１０
（ｂ））では、少しコントラストが低下し、さらに、Ｄ
＝２√２Ｐの場合（図１０（ｃ））では、大幅に低下す
ることがわかる。
場合（図１０（ａ））では、画像部（波形の山部分）と
非画像部（波形の谷部分）との差が明確であり、周期ラ
インの潜像電位コントラスト（周期ライン間隙非画像部
での値とピーク値との差異）を充分に有していることが
わかる。これに対して、Ｄ＝２Ｐの場合（図１０
（ｂ））では、少しコントラストが低下し、さらに、Ｄ
＝２√２Ｐの場合（図１０（ｃ））では、大幅に低下す
ることがわかる。
【００５８】つまり、露光スポット径Ｄが大きい程、隣
接スポット間の重ね合わせ効果が働き、周期ラインの潜
像電位コントラストが低下するということである。具体
的には、露光スポットの重ね合わせが生じない場合のコ
ントラストを１００％とすると、Ｄ＝２√２Ｐの場合
（図１０（ｃ））は２８％にまで低下する。
接スポット間の重ね合わせ効果が働き、周期ラインの潜
像電位コントラストが低下するということである。具体
的には、露光スポットの重ね合わせが生じない場合のコ
ントラストを１００％とすると、Ｄ＝２√２Ｐの場合
（図１０（ｃ））は２８％にまで低下する。
【００５９】潜像電位コントラストが低下すると、露光
エネルギー密度の変化に対するｄｕｔｙ変化が急峻な特
性となり、中間ｄｕｔｙ（０＜ｄｕｔｙ＜１００）を得
ることが困難になる。
エネルギー密度の変化に対するｄｕｔｙ変化が急峻な特
性となり、中間ｄｕｔｙ（０＜ｄｕｔｙ＜１００）を得
ることが困難になる。
【００６０】実際に、スポット径Ｄ＝２√２Ｐで周期ラ
インパターン５０を形成したところ、非画像部の存在し
ない黒べた画像になることが確認された。一方、スポッ
ト径をＤ＝√２Ｐ（コントラスト：９６％）およびＤ＝
２Ｐ（コントラスト：７３％）に設定して行なうと、露
光エネルギーに対して中間ｄｕｔｙを忠実に再現でき、
充分なコントラストを有する周期ラインパターン５０を
形成することができた。
インパターン５０を形成したところ、非画像部の存在し
ない黒べた画像になることが確認された。一方、スポッ
ト径をＤ＝√２Ｐ（コントラスト：９６％）およびＤ＝
２Ｐ（コントラスト：７３％）に設定して行なうと、露
光エネルギーに対して中間ｄｕｔｙを忠実に再現でき、
充分なコントラストを有する周期ラインパターン５０を
形成することができた。
【００６１】したがって、露光スポット径Ｄは、ドット
ピッチＰに対して、Ｄ≦２Ｐに設定することが好ましい
といえる。これにより、隣接画素間での露光スポットの
重ね合わせに伴う画像劣化を抑制することができる。
ピッチＰに対して、Ｄ≦２Ｐに設定することが好ましい
といえる。これにより、隣接画素間での露光スポットの
重ね合わせに伴う画像劣化を抑制することができる。
【００６２】なお、画像形成装置１では、現像部１６の
現像方式として、一成分方式のものを使用しているが、
これに限られず、二成分現像方式やジャンピング現像方
式等その他の現像方式を適用することも可能である。
現像方式として、一成分方式のものを使用しているが、
これに限られず、二成分現像方式やジャンピング現像方
式等その他の現像方式を適用することも可能である。
【００６３】今回開示された実施の形態はすべての点で
例示であって、制限的なものではないと考えるべきであ
る。本発明の範囲は、上記した説明ではなく特許請求の
範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味及び
範囲内ですべての変更が含まれることが意図される。
例示であって、制限的なものではないと考えるべきであ
る。本発明の範囲は、上記した説明ではなく特許請求の
範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味及び
範囲内ですべての変更が含まれることが意図される。
【図１】本発明の実施の形態の一つである画像形成装置
１の主要な構成の概要を示す模式図である。
１の主要な構成の概要を示す模式図である。
【図２】露光部１５の構成を示した概略図である。
【図３】現像部１６の構成を示した概略図である。
【図４】制御部１７がＬＤ２０の露光エネルギー密度を
制御する手順を示すフローチャートである。
制御する手順を示すフローチャートである。
【図５】周期ラインパターン５０および孤立ドットパタ
ーン５１の典型例を示した図である。
ーン５１の典型例を示した図である。
【図６】平均露光エネルギー密度に対するドット径ｄお
よびｄｕｔｙについての実験結果を表わした図である。
よびｄｕｔｙについての実験結果を表わした図である。
【図７】ドットピッチＰに対するＥdot／Ｅlineを表わ
した図である。
した図である。
【図８】制御部１７で使用する露光エネルギー密度を変
調させるためのパワー変調回路を説明するための図であ
る。
調させるためのパワー変調回路を説明するための図であ
る。
【図９】制御部１７で使用する露光エネルギー密度を変
調させるためのパルス幅変調方式を説明するための図で
ある。
調させるためのパルス幅変調方式を説明するための図で
ある。
【図１０】ドットピッチＰが一定でスポット径Ｄを変化
させた場合の、周期ラインパターン５０のラインに垂直
な方向についての感光体上の露光エネルギー密度分布を
示した図である。
させた場合の、周期ラインパターン５０のラインに垂直
な方向についての感光体上の露光エネルギー密度分布を
示した図である。
１ 画像形成装置 １０ 感光体 １１ 帯電部 １５ 露光部 １６ 現像部 １７ 制御部 ２０ 半導体レーザ（ＬＤ） ３０ トナー ３２ 現像ローラ
フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０４Ｎ 1/06 ９Ａ００１ (72)発明者 岩松 正 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内 (72)発明者 東 伸之 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内 (72)発明者 中島 吉紀 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内 Ｆターム(参考） 2C362 AA22 AA31 AA54 AA63 CB02 CB37 CB59 2H027 DB01 EA02 EC06 EC11 EF10 2H045 BA41 CA82 CA92 CB02 CB32 DA22 2H076 AB05 DA05 DA11 DA17 DA21 5C072 AA03 BA17 DA02 HB02 HB10 JA07 TA05 UA16 9A001 HH34 JJ35 KK42
Claims (6)
- 【請求項１】 所定の電位に帯電された感光体を露光す
る露光手段と、 画像情報に基づいて前記露光手段の露光エネルギー密度
を制御する制御手段と、 前記露光手段によって前記感光体上に形成された静電潜
像を可視化する現像手段とを備えた画像形成装置であっ
て、 前記制御手段は、前記画像情報が１ラインおきのライン
パターンであるときに付与する露光エネルギー密度をＥ
line（μＪ／ｃｍ2）とした場合、前記画像情報が孤立
した１ドットパターンであるときに付与する露光エネル
ギー密度Ｅdot（μＪ／ｃｍ2）を、ドットピッチをＰ
（μｍ）として、 −０．１１Ｐ＋６．４≦Ｅdot／Ｅline≦−０．２Ｐ＋
１０．７ の関係を満たすように制御することを特徴とする、画像
形成装置。 - 【請求項２】 前記画像情報から孤立した１ドットパタ
ーンを検出する検出手段をさらに備え、 前記制御手段は、前記孤立した１ドットパターンが検出
されない場合、露光エネルギー密度にＥline（μＪ／ｃ
ｍ2）を付与し、 前記孤立した１ドットパターンが検出された場合、露光
エネルギー密度にＥdot（μＪ／ｃｍ2）を付与する、請
求項１に記載の画像形成装置。 - 【請求項３】 前記制御手段は、１ドット毎に露光エネ
ルギー密度の制御が可能なパワー変調手段を備える、請
求項１または２に記載の画像形成装置。 - 【請求項４】 前記露光手段の露光スポット径Ｄ（μ
ｍ）を、ドットピッチＰ（μｍ）に対して、 Ｄ≦２Ｐ の関係を満たすように設定する、請求項１〜３のいずれ
かに記載の画像形成装置。 - 【請求項５】 前記感光体の膜厚は１５〜２５μｍであ
ることを特徴とする、請求項１〜４のいずれかに記載の
画像形成装置。 - 【請求項６】 所定の電位に帯電された感光体を露光す
る露光ステップと、 画像情報に基づいて前記露光手段の露光エネルギー密度
を制御する制御ステップと、 前記露光ステップによって前記感光体上に形成された静
電潜像を可視化する現像ステップとを備えた画像形成方
法であって、 前記制御ステップは、前記画像情報が１ラインおきのラ
インパターンであるときに付与する露光エネルギー密度
をＥline（μＪ／ｃｍ2）とした場合、前記画像情報が
孤立した１ドットパターンであるときに付与する露光エ
ネルギー密度Ｅ dot（μＪ／ｃｍ2）を、ドットピッチを
Ｐ（μｍ）として、 −０．１１Ｐ＋６．４≦Ｅdot／Ｅline≦−０．２Ｐ＋
１０．７ の関係を満たすように制御することを特徴とする、画像
形成方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16572399A JP3616276B2 (ja) | 1999-06-11 | 1999-06-11 | 画像形成装置および画像形成方法 |
| EP00112387A EP1059802B1 (en) | 1999-06-11 | 2000-06-09 | Apparatus and method for forming image with superior image reproducibility |
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