JP2000350993A - Ｄｍｓｏ含有水の処理装置及び半導体工場排水の処理設備 - Google Patents
Ｄｍｓｏ含有水の処理装置及び半導体工場排水の処理設備Info
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- JP2000350993A JP2000350993A JP11162714A JP16271499A JP2000350993A JP 2000350993 A JP2000350993 A JP 2000350993A JP 11162714 A JP11162714 A JP 11162714A JP 16271499 A JP16271499 A JP 16271499A JP 2000350993 A JP2000350993 A JP 2000350993A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＤＭＳＯ（ジメチルスルホキシド）含有排水
を効率的に処理する。 【解決手段】 第１の処理手段と第２の処理手段とガス
処理手段とを備えるＤＭＳＯ含有水の処理装置。第１の
処理手段の還元剤添加手段でＤＭＳＯをＤＭＳないしＨ
2Ｓ，ＭＭに還元し、生成したＤＭＳ，Ｈ2Ｓ，ＭＭを第
２の処理手段の過酸化水素添加手段で酸化して硫酸イオ
ンにまで分解する。ＤＭＳＯ含有排水に還元剤を添加す
る第１の処理手段１と、還元剤添加手段の処理水と過酸
化水素含有排水とを接触させる第２の処理手段７とを備
えてなる半導体工場排水の処理設備。
を効率的に処理する。 【解決手段】 第１の処理手段と第２の処理手段とガス
処理手段とを備えるＤＭＳＯ含有水の処理装置。第１の
処理手段の還元剤添加手段でＤＭＳＯをＤＭＳないしＨ
2Ｓ，ＭＭに還元し、生成したＤＭＳ，Ｈ2Ｓ，ＭＭを第
２の処理手段の過酸化水素添加手段で酸化して硫酸イオ
ンにまで分解する。ＤＭＳＯ含有排水に還元剤を添加す
る第１の処理手段１と、還元剤添加手段の処理水と過酸
化水素含有排水とを接触させる第２の処理手段７とを備
えてなる半導体工場排水の処理設備。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はＤＭＳＯ（（Ｃ
Ｈ3）2ＳＯ：ジメチルスルホキシド）を含む排水を効率
的に処理する装置及び半導体工場から排出されるＤＭＳ
Ｏ含有排水と過酸化水素（Ｈ2Ｏ2）含有排水を効率的に
処理する設備に関する。
Ｈ3）2ＳＯ：ジメチルスルホキシド）を含む排水を効率
的に処理する装置及び半導体工場から排出されるＤＭＳ
Ｏ含有排水と過酸化水素（Ｈ2Ｏ2）含有排水を効率的に
処理する設備に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体製造工程からは、ＤＭＳＯ含有排
水と、過酸化水素含有排水が排出されるため、これらの
排水を処理する必要がある。
水と、過酸化水素含有排水が排出されるため、これらの
排水を処理する必要がある。
【０００３】従来、ＤＭＳＯ含有排水と過酸化水素含有
排水とは各々別々に処理が行われており、このうち、Ｄ
ＭＳＯ含有排水の処理方法としては、次のような方法が
知られている。
排水とは各々別々に処理が行われており、このうち、Ｄ
ＭＳＯ含有排水の処理方法としては、次のような方法が
知られている。
【０００４】 活性汚泥又は担体担持させた微生物に
よる生物分解法 オゾンや過酸化水素水などの酸化剤を用いて分解す
る方法 燃焼処理方法 しかしながら、の方法では、反応槽内を好気性条件に
保つことが難しく、嫌気性条件下での生物分解過程でメ
チルメルカプタン（ＣＨ3ＳＨ：ＭＭ）や硫化水素（Ｈ2
Ｓ）などの臭気性毒性ガスを発生するという問題があ
る。この問題を解決するべく、生物処理槽を好気性条件
に保つために様々な工夫がなされているが、活性汚泥フ
ロック又は担持担体内部の一部が嫌気性条件となった
り、装置停止により好気性条件を保てなくなった時など
には、上記の問題を回避し得なかった。また、の方法
ではＤＭＳＯの分解効率が悪く、反応に長時間を要し、
ランニングコストもかかる。の方法では、低濃度のＤ
ＭＳＯを処理できないなどの問題があった。
よる生物分解法 オゾンや過酸化水素水などの酸化剤を用いて分解す
る方法 燃焼処理方法 しかしながら、の方法では、反応槽内を好気性条件に
保つことが難しく、嫌気性条件下での生物分解過程でメ
チルメルカプタン（ＣＨ3ＳＨ：ＭＭ）や硫化水素（Ｈ2
Ｓ）などの臭気性毒性ガスを発生するという問題があ
る。この問題を解決するべく、生物処理槽を好気性条件
に保つために様々な工夫がなされているが、活性汚泥フ
ロック又は担持担体内部の一部が嫌気性条件となった
り、装置停止により好気性条件を保てなくなった時など
には、上記の問題を回避し得なかった。また、の方法
ではＤＭＳＯの分解効率が悪く、反応に長時間を要し、
ランニングコストもかかる。の方法では、低濃度のＤ
ＭＳＯを処理できないなどの問題があった。
【０００５】そのため、ＤＭＳＯ含有排水の多くは、廃
棄物処理業者による引き取りにより処分されている。
棄物処理業者による引き取りにより処分されている。
【０００６】一方、過酸化水素含有排水は、還元剤添加
や活性炭還元塔等による処理を経て、一般排水等として
処理されていた。
や活性炭還元塔等による処理を経て、一般排水等として
処理されていた。
【０００７】なお、本出願人は先に、嫌気生物処理と好
気生物処理との組み合せで、ＤＭＳＯ含有排水を臭気発
生の問題を引き起こすことなく、高い処理効率で、低コ
ストに処理する方法を提案した（特開平６−９１２８９
号公報）。この方法では、ＤＭＳＯを嫌気生物処理によ
り還元反応させて硫化メチル（（ＣＨ3）2Ｓ：ＤＭＳ）
とし、生成したＤＭＳを好気生物処理によりＭＭ、Ｈ2
Ｓを経て硫酸イオンにまで酸化分解することで効率的な
処理を行える。
気生物処理との組み合せで、ＤＭＳＯ含有排水を臭気発
生の問題を引き起こすことなく、高い処理効率で、低コ
ストに処理する方法を提案した（特開平６−９１２８９
号公報）。この方法では、ＤＭＳＯを嫌気生物処理によ
り還元反応させて硫化メチル（（ＣＨ3）2Ｓ：ＤＭＳ）
とし、生成したＤＭＳを好気生物処理によりＭＭ、Ｈ2
Ｓを経て硫酸イオンにまで酸化分解することで効率的な
処理を行える。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、特開平
６−９１２８９号公報に記載される生物処理を２段階に
行う方法では、装置設置面積が大きく、広いスペースを
必要とする；運転管理が難しい；余剰汚泥が発生するこ
とから、汚泥の処分の問題がある；といった不具合があ
る。
６−９１２８９号公報に記載される生物処理を２段階に
行う方法では、装置設置面積が大きく、広いスペースを
必要とする；運転管理が難しい；余剰汚泥が発生するこ
とから、汚泥の処分の問題がある；といった不具合があ
る。
【０００９】また、ＤＭＳＯ含有排水と過酸化水素含有
排水とを各々別々に処理する従来の処理法では各々の排
水に対して排水処理設備と処理薬剤を必要とし、工業的
に不利である。
排水とを各々別々に処理する従来の処理法では各々の排
水に対して排水処理設備と処理薬剤を必要とし、工業的
に不利である。
【００１０】本発明はこのような問題を解決し、ＤＭＳ
Ｏ含有排水を容易かつ効率的に処理することができる装
置であって、装置設置面積が小さくて足り、運転管理が
容易で、また、余剰汚泥発生の問題が全くないＤＭＳＯ
含有水の処理装置を提供することを目的とする。
Ｏ含有排水を容易かつ効率的に処理することができる装
置であって、装置設置面積が小さくて足り、運転管理が
容易で、また、余剰汚泥発生の問題が全くないＤＭＳＯ
含有水の処理装置を提供することを目的とする。
【００１１】本発明はまた、ＤＭＳＯ含有排水と過酸化
水素含有排水とが排出される半導体工場において、ＤＭ
ＳＯ含有排水の処理に過酸化水素含有排水を有効利用し
て、これらの排水を同時に処理する設備を提供すること
を目的とする。
水素含有排水とが排出される半導体工場において、ＤＭ
ＳＯ含有排水の処理に過酸化水素含有排水を有効利用し
て、これらの排水を同時に処理する設備を提供すること
を目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明のＤＭＳＯ含有水
の処理装置は、ＤＭＳＯを含む排水が導入される第１の
処理手段と、この第１の処理手段の処理水が導入される
第２の処理手段と、該第１の処理手段及び／又は第２の
処理手段で発生したガスを処理するガス処理手段とを備
えてなるＤＭＳＯ含有水の処理装置において、該第１の
処理手段が還元剤添加手段であり、該第２の処理手段が
酸化剤添加手段であり、かつ酸化剤は過酸化水素である
ことを特徴とする。
の処理装置は、ＤＭＳＯを含む排水が導入される第１の
処理手段と、この第１の処理手段の処理水が導入される
第２の処理手段と、該第１の処理手段及び／又は第２の
処理手段で発生したガスを処理するガス処理手段とを備
えてなるＤＭＳＯ含有水の処理装置において、該第１の
処理手段が還元剤添加手段であり、該第２の処理手段が
酸化剤添加手段であり、かつ酸化剤は過酸化水素である
ことを特徴とする。
【００１３】本発明においては、ＤＭＳＯを第１の処理
手段でＤＭＳないしはＨ2Ｓ，ＭＭに還元した後、生成
したＤＭＳ，Ｈ2Ｓ，ＭＭを第２の処理手段で酸化して
硫酸イオンにまで分解する。
手段でＤＭＳないしはＨ2Ｓ，ＭＭに還元した後、生成
したＤＭＳ，Ｈ2Ｓ，ＭＭを第２の処理手段で酸化して
硫酸イオンにまで分解する。
【００１４】本発明においては、これら第１の処理手段
及び第２の処理手段がいずれも生物処理手段ではないた
め、生物処理手段を採用することによる装置設置スペー
スの増大、運転管理の煩雑化、余剰汚泥発生の問題を解
消して、ＤＭＳＯ含有排水を容易かつ効率的に処理する
ことができる。
及び第２の処理手段がいずれも生物処理手段ではないた
め、生物処理手段を採用することによる装置設置スペー
スの増大、運転管理の煩雑化、余剰汚泥発生の問題を解
消して、ＤＭＳＯ含有排水を容易かつ効率的に処理する
ことができる。
【００１５】ところで、ＤＭＳＯ含有水に還元剤を添加
した後、酸化剤を添加して処理すると、大量の薬剤を必
要とすることになるが、このうち、酸化剤として過酸化
水素含有排水を有効利用することにより酸化剤を不要と
するか或いはその使用量を大幅に低減することができる
上に、従来、ＤＭＳＯ含有排水とは別に、還元剤や専用
設備を用いて処理されていた過酸化水素含有排水の同時
処理も可能となり、従って、過酸化水素含有排水の処理
のための還元剤等も不要となり、全体としての薬剤使用
量の低減、排水量の低減、処理専用設備の削減及びそれ
によるメンテナンスの軽減、装置設置面積の縮小が図
れ、工業的に極めて有利である。
した後、酸化剤を添加して処理すると、大量の薬剤を必
要とすることになるが、このうち、酸化剤として過酸化
水素含有排水を有効利用することにより酸化剤を不要と
するか或いはその使用量を大幅に低減することができる
上に、従来、ＤＭＳＯ含有排水とは別に、還元剤や専用
設備を用いて処理されていた過酸化水素含有排水の同時
処理も可能となり、従って、過酸化水素含有排水の処理
のための還元剤等も不要となり、全体としての薬剤使用
量の低減、排水量の低減、処理専用設備の削減及びそれ
によるメンテナンスの軽減、装置設置面積の縮小が図
れ、工業的に極めて有利である。
【００１６】本発明の半導体工場排水の処理設備は、Ｄ
ＭＳＯ含有排水に還元剤を添加する第１の処理手段と、
還元剤添加手段の処理水と過酸化水素含有排水とを接触
させる第２の処理手段とを備えてなることを特徴とす
る。
ＭＳＯ含有排水に還元剤を添加する第１の処理手段と、
還元剤添加手段の処理水と過酸化水素含有排水とを接触
させる第２の処理手段とを備えてなることを特徴とす
る。
【００１７】このような本発明の半導体工場排水の処理
設備によれば、ＤＭＳＯ含有排水の処理に過酸化水素含
有排水を有効利用することにより、両排水を同時に処理
することができ、上述の如く、薬剤使用量の低減、排水
量の低減、処理専用設備の削減及びそれによるメンテナ
ンスの軽減、装置設置面積の縮小を図ることができる。
設備によれば、ＤＭＳＯ含有排水の処理に過酸化水素含
有排水を有効利用することにより、両排水を同時に処理
することができ、上述の如く、薬剤使用量の低減、排水
量の低減、処理専用設備の削減及びそれによるメンテナ
ンスの軽減、装置設置面積の縮小を図ることができる。
【００１８】この半導体工場排水の処理設備では、ＤＭ
ＳＯ含有排水の処理で発生した臭気も過酸化水素含有排
水と接触させて処理するのが好適である。
ＳＯ含有排水の処理で発生した臭気も過酸化水素含有排
水と接触させて処理するのが好適である。
【００１９】
【発明の実施の形態】以下に図面を参照して本発明のＤ
ＭＳＯ含有水の処理装置及び半導体工場排水の処理設備
の実施の形態について詳細に説明する。
ＭＳＯ含有水の処理装置及び半導体工場排水の処理設備
の実施の形態について詳細に説明する。
【００２０】図１に示す実施の形態では、ＤＭＳＯ含有
排水を還元反応槽１に導入し、Ｎａ2ＳＯ3、ＮａＨＳＯ
3等の亜硫酸塩、亜硝酸塩や２価鉄塩のような還元性金
属塩類、水素等の還元剤を添加してＤＭＳＯを還元処理
する。なお、還元剤としてガス状のものを用いる場合に
は、必要に応じて還元反応槽１の前段に気液混合器を設
け、後段に気液分離槽を設けるのが好ましい。還元剤の
添加量は、被処理液中の還元対象成分の量に応じて適宜
決定される。さらに、酸化後の処理水中に残留するＨ2
Ｏ2を還元処理したい場合は、還元剤量をそれに応じて
予め多めに供給するように設定するのが好ましい。この
還元反応槽１の後段には、必要に応じて残留する還元剤
の処理手段を設けても良い。また、還元反応槽１は触媒
を用いた触媒還元反応槽であっても良く、更に紫外線を
照射して反応を促進させるものであっても良い。
排水を還元反応槽１に導入し、Ｎａ2ＳＯ3、ＮａＨＳＯ
3等の亜硫酸塩、亜硝酸塩や２価鉄塩のような還元性金
属塩類、水素等の還元剤を添加してＤＭＳＯを還元処理
する。なお、還元剤としてガス状のものを用いる場合に
は、必要に応じて還元反応槽１の前段に気液混合器を設
け、後段に気液分離槽を設けるのが好ましい。還元剤の
添加量は、被処理液中の還元対象成分の量に応じて適宜
決定される。さらに、酸化後の処理水中に残留するＨ2
Ｏ2を還元処理したい場合は、還元剤量をそれに応じて
予め多めに供給するように設定するのが好ましい。この
還元反応槽１の後段には、必要に応じて残留する還元剤
の処理手段を設けても良い。また、還元反応槽１は触媒
を用いた触媒還元反応槽であっても良く、更に紫外線を
照射して反応を促進させるものであっても良い。
【００２１】この還元反応槽１にはスチームを用いた加
温器１Ａが設けられており、槽内液は必要に応じて還元
処理に好適な温度、通常４０〜１００℃に加温される。
還元反応槽１では、更に、圧力やｐＨ調整、超音波、磁
場、赤外線等の光線、放射線等の活性線を併用して反応
を促進させることもできる。
温器１Ａが設けられており、槽内液は必要に応じて還元
処理に好適な温度、通常４０〜１００℃に加温される。
還元反応槽１では、更に、圧力やｐＨ調整、超音波、磁
場、赤外線等の光線、放射線等の活性線を併用して反応
を促進させることもできる。
【００２２】この還元反応槽１におけるＤＭＳＯの還元
で生成したＤＭＳ，Ｈ2Ｓ，ＭＭ等を含む還元処理水は
酸化反応槽２へ送給される。また、この還元反応で生成
したメタン（ＣＨ4），Ｈ2Ｓ，ＭＭ等のガスは、脱臭処
理槽４へ送給されて処理される。
で生成したＤＭＳ，Ｈ2Ｓ，ＭＭ等を含む還元処理水は
酸化反応槽２へ送給される。また、この還元反応で生成
したメタン（ＣＨ4），Ｈ2Ｓ，ＭＭ等のガスは、脱臭処
理槽４へ送給されて処理される。
【００２３】酸化反応槽２では、Ｈ2Ｏ2含有排水が酸化
剤として添加され、還元処理水中のＤＭＳ，Ｈ2Ｓ，Ｍ
Ｍ等を酸化して硫酸イオンにまで分解し、酸化処理水は
系外へ排出される。この酸化反応槽２では溶存している
ＤＭＳ，Ｈ2Ｓ，ＭＭ等によりＤＭＳ，Ｈ2Ｓ，ＭＭ等の
ガスが発生する場合があるため、このガスも脱臭処理槽
４に送給される。この酸化反応槽２において、Ｈ2Ｏ2含
有排水の添加量は、ＤＭＳＯ含有排水中のＤＭＳＯ濃度
やＨ2Ｏ2含有排水中のＨ2Ｏ2濃度に応じて設定される
が、通常、処理するＤＭＳＯ含有排水に対して１〜１０
倍程度である。
剤として添加され、還元処理水中のＤＭＳ，Ｈ2Ｓ，Ｍ
Ｍ等を酸化して硫酸イオンにまで分解し、酸化処理水は
系外へ排出される。この酸化反応槽２では溶存している
ＤＭＳ，Ｈ2Ｓ，ＭＭ等によりＤＭＳ，Ｈ2Ｓ，ＭＭ等の
ガスが発生する場合があるため、このガスも脱臭処理槽
４に送給される。この酸化反応槽２において、Ｈ2Ｏ2含
有排水の添加量は、ＤＭＳＯ含有排水中のＤＭＳＯ濃度
やＨ2Ｏ2含有排水中のＨ2Ｏ2濃度に応じて設定される
が、通常、処理するＤＭＳＯ含有排水に対して１〜１０
倍程度である。
【００２４】なお、この酸化反応槽２における酸化処理
において、Ｈ2Ｏ2含有排水のみでは、酸化剤が不足する
場合には、別途酸化剤を添加しても良い。この場合、酸
化剤としては、Ｏ3，Ｏ2，ＫＭｎＯ4，Ｋ2Ｃｒ2Ｏ7等を
用いることができるが、Ｈ2Ｏ2であっても良い。
において、Ｈ2Ｏ2含有排水のみでは、酸化剤が不足する
場合には、別途酸化剤を添加しても良い。この場合、酸
化剤としては、Ｏ3，Ｏ2，ＫＭｎＯ4，Ｋ2Ｃｒ2Ｏ7等を
用いることができるが、Ｈ2Ｏ2であっても良い。
【００２５】この酸化反応槽２も触媒を用いた触媒酸化
反応槽であっても良く、更に紫外線を照射して反応を促
進させるものであっても良い。
反応槽であっても良く、更に紫外線を照射して反応を促
進させるものであっても良い。
【００２６】脱臭処理槽４はポンプＰ及び気液混合器３
を備える循環配管４Ａで槽内液が循環処理されており、
還元反応槽１及び酸化反応槽２の発生ガスは、この循環
配管４Ａに導入され、気液混合器３で十分に混合された
後、脱臭処理槽４に導入される。
を備える循環配管４Ａで槽内液が循環処理されており、
還元反応槽１及び酸化反応槽２の発生ガスは、この循環
配管４Ａに導入され、気液混合器３で十分に混合された
後、脱臭処理槽４に導入される。
【００２７】この脱臭処理槽４にはＨ2Ｏ2含有排水と、
必要に応じてｐＨ調整剤が添加され、ガス中のＨ2Ｓ，
ＭＭ，ＤＭＳ，ＣＨ4等が酸化分解される。
必要に応じてｐＨ調整剤が添加され、ガス中のＨ2Ｓ，
ＭＭ，ＤＭＳ，ＣＨ4等が酸化分解される。
【００２８】この脱臭処理槽４では、Ｈ2Ｏ2含有排水に
必要に応じてＨ2Ｏ2を添加して、Ｈ2Ｏ2濃度を１０ｍｇ
／Ｌ以上、特に１００ｍｇ／Ｌ以上として添加するのが
処理効率の面で好ましい。また、ｐＨ条件は６．０〜１
０．０とするのが好ましい。
必要に応じてＨ2Ｏ2を添加して、Ｈ2Ｏ2濃度を１０ｍｇ
／Ｌ以上、特に１００ｍｇ／Ｌ以上として添加するのが
処理効率の面で好ましい。また、ｐＨ条件は６．０〜１
０．０とするのが好ましい。
【００２９】脱臭処理槽４の処理水は系外へ排出され、
処理ガスは高度脱臭用活性炭塔５で更に残留するＨ
2Ｓ，ＭＭ，ＤＭＳ等が処理されて浄化された後、大気
中へ放出される。
処理ガスは高度脱臭用活性炭塔５で更に残留するＨ
2Ｓ，ＭＭ，ＤＭＳ等が処理されて浄化された後、大気
中へ放出される。
【００３０】なお、この高度脱臭のための手段として
は、活性炭塔の他、Ｏ3，Ｈ2Ｏ2等による酸化剤処理手
段、生物脱臭処理手段等も採用することができ、これら
を２種以上組み合わせて処理を行っても良い。
は、活性炭塔の他、Ｏ3，Ｈ2Ｏ2等による酸化剤処理手
段、生物脱臭処理手段等も採用することができ、これら
を２種以上組み合わせて処理を行っても良い。
【００３１】図２に示す実施の形態は、図１において、
酸化反応槽２の代りに曝気槽６を設け、還元反応槽１か
らの還元処理水を曝気槽６で曝気処理して還元処理水中
のＣＨ4，Ｈ2Ｓ，ＭＭ等の溶存ガスを気化させて発生ガ
スを脱臭処理槽４で処理し、溶存ガスを気化させた後の
水をラインミキサー７で、脱臭処理槽４の流出水（Ｈ2
Ｏ2排水）と接触させて酸化処理した後系外へ排出する
ようにした点が異なり、その他は同様の構成とされてい
る。
酸化反応槽２の代りに曝気槽６を設け、還元反応槽１か
らの還元処理水を曝気槽６で曝気処理して還元処理水中
のＣＨ4，Ｈ2Ｓ，ＭＭ等の溶存ガスを気化させて発生ガ
スを脱臭処理槽４で処理し、溶存ガスを気化させた後の
水をラインミキサー７で、脱臭処理槽４の流出水（Ｈ2
Ｏ2排水）と接触させて酸化処理した後系外へ排出する
ようにした点が異なり、その他は同様の構成とされてい
る。
【００３２】図２において、曝気槽６では、Ｎ2ガスに
よる曝気を行っているが、この曝気には空気を用いても
良い。また、溶存ガスの気化には、曝気槽の他、膜脱気
装置やＮ2又は真空脱気装置を用いることもできる。こ
の溶存ガスの気化に当っては、被処理水のｐＨは２．０
〜６．０であることが好ましく、従って、このようなｐ
Ｈとなるように、必要に応じて酸を添加してｐＨ調整す
るのが好ましい。
よる曝気を行っているが、この曝気には空気を用いても
良い。また、溶存ガスの気化には、曝気槽の他、膜脱気
装置やＮ2又は真空脱気装置を用いることもできる。こ
の溶存ガスの気化に当っては、被処理水のｐＨは２．０
〜６．０であることが好ましく、従って、このようなｐ
Ｈとなるように、必要に応じて酸を添加してｐＨ調整す
るのが好ましい。
【００３３】この装置においてもＨ2Ｏ2含有排水は、Ｄ
ＭＳＯ含有排水のＤＭＳＯ濃度やＨ2Ｏ2含有排水のＨ2
Ｏ2濃度に応じて、その使用量が設定されるが、通常の
場合、Ｈ2Ｏ2含有排水の使用量はＤＭＳＯ含有排水の１
〜１０倍程度とされる。
ＭＳＯ含有排水のＤＭＳＯ濃度やＨ2Ｏ2含有排水のＨ2
Ｏ2濃度に応じて、その使用量が設定されるが、通常の
場合、Ｈ2Ｏ2含有排水の使用量はＤＭＳＯ含有排水の１
〜１０倍程度とされる。
【００３４】なお、本発明において、ｐＨ調整用の酸、
アルカリとしては特に制限はないが、酸としてはＨＣ
ｌ，Ｈ2ＳＯ4，ＨＮＯ3，ＨＦ等を用いることができ、
アルカリとしてはＮａＯＨ，Ｃａ（ＯＨ）2，Ａｌ（Ｏ
Ｈ）3，Ｍｇ（ＯＨ）2，ＫＯＨ等を用いることができ
る。
アルカリとしては特に制限はないが、酸としてはＨＣ
ｌ，Ｈ2ＳＯ4，ＨＮＯ3，ＨＦ等を用いることができ、
アルカリとしてはＮａＯＨ，Ｃａ（ＯＨ）2，Ａｌ（Ｏ
Ｈ）3，Ｍｇ（ＯＨ）2，ＫＯＨ等を用いることができ
る。
【００３５】また、脱臭処理槽４に設ける気液混合器
３、その他、還元剤等としてガス状のものを用いた場合
に用いる気液混合器としては、特に制限はないが、気液
攪拌用ポンプ、エゼクター、ラインミキサー等、その
他、溶解膜、圧力溶解装置等を用いることができる。
３、その他、還元剤等としてガス状のものを用いた場合
に用いる気液混合器としては、特に制限はないが、気液
攪拌用ポンプ、エゼクター、ラインミキサー等、その
他、溶解膜、圧力溶解装置等を用いることができる。
【００３６】本発明は、特に、ＤＭＳＯ含有排水と共に
大量のＨ2Ｏ2含有排水が排出される半導体工場における
排水処理に有効である。
大量のＨ2Ｏ2含有排水が排出される半導体工場における
排水処理に有効である。
【００３７】
【実施例】以下に実施例を挙げて本発明をより具体的に
説明する。なお、以下の実施例において処理した排水
は、半導体製造工場から排出された下記水質のＤＭＳＯ
含有排水とＨ2Ｏ2含有排水である。 ［ＤＭＳＯ含有排水］ ＤＭＳＯ：３５０ｍｇ／Ｌ ｐＨ ：７．８ ［Ｈ2Ｏ2含有排水］ Ｈ2Ｏ2：４０００ｍｇ／Ｌ ｐＨ ：７．８ 実施例１ 図１に示す装置によりＤＭＳＯ含有排水とＨ2Ｏ2含有排
水の同時処理を行った。まず、ＤＭＳＯ含有排水を４０
Ｌ／ｈｒで還元反応槽１に導入し、Ｎａ2ＳＯ3を１７０
０ｍｇ／Ｌ添加し７０℃で還元反応した。この還元処理
水は酸化反応槽２に送給し、発生ガスは脱臭処理槽４に
送給した。酸化反応槽２には、還元処理水に対して３容
量倍のＨ2Ｏ2含有排水を添加して酸化処理し、発生ガス
は脱臭処理槽４へ送給した。脱臭処理槽４では、発生ガ
ス量を推定できる還元処理水量に対してＨ2Ｏ2含有排水
を１：１の割合で添加して脱臭処理した。なお、この脱
臭処理槽４は、ＮａＯＨを添加してｐＨ９に調整した。
説明する。なお、以下の実施例において処理した排水
は、半導体製造工場から排出された下記水質のＤＭＳＯ
含有排水とＨ2Ｏ2含有排水である。 ［ＤＭＳＯ含有排水］ ＤＭＳＯ：３５０ｍｇ／Ｌ ｐＨ ：７．８ ［Ｈ2Ｏ2含有排水］ Ｈ2Ｏ2：４０００ｍｇ／Ｌ ｐＨ ：７．８ 実施例１ 図１に示す装置によりＤＭＳＯ含有排水とＨ2Ｏ2含有排
水の同時処理を行った。まず、ＤＭＳＯ含有排水を４０
Ｌ／ｈｒで還元反応槽１に導入し、Ｎａ2ＳＯ3を１７０
０ｍｇ／Ｌ添加し７０℃で還元反応した。この還元処理
水は酸化反応槽２に送給し、発生ガスは脱臭処理槽４に
送給した。酸化反応槽２には、還元処理水に対して３容
量倍のＨ2Ｏ2含有排水を添加して酸化処理し、発生ガス
は脱臭処理槽４へ送給した。脱臭処理槽４では、発生ガ
ス量を推定できる還元処理水量に対してＨ2Ｏ2含有排水
を１：１の割合で添加して脱臭処理した。なお、この脱
臭処理槽４は、ＮａＯＨを添加してｐＨ９に調整した。
【００３８】脱臭処理槽４の処理ガスは高度脱臭用活性
炭塔５で更に脱臭した。その結果、下記のような処理水
及び処理ガスが得られ、ＤＭＳＯ含有排水及びＨ2Ｏ2含
有排水の同時処理及び脱臭処理を行うことができた。
［酸化反応槽２からの処理水］ ＤＭＳＯ ：＜１ｍｇ／Ｌ Ｈ2Ｏ2 ：１２００ｍｇ／Ｌ ｐＨ ：８．８ ［脱臭処理槽４からの処理水］ ＤＭＳＯ ：＜１ｍｇ／Ｌ Ｈ2Ｏ2 ：２８０ｍｇ／Ｌ ｐＨ ：８．５ ［高度脱臭用活性炭塔５からの処理ガス］ ＤＭＳ ：＜１ｍｇ／ｍ3 ＭＭ ：＜１ｍｇ／ｍ3 Ｈ2Ｓ ：＜１ｍｇ／ｍ3 実施例２ 図２に示す装置によりＤＭＳＯ含有排水とＨ2Ｏ2含有排
水の同時処理を行った。まず、ＤＭＳＯ含有排水を４０
Ｌ／ｈｒで還元反応槽１に導入し、Ｎａ2ＳＯ3を８５０
０ｍｇ／Ｌ添加し７０℃で還元反応した。この還元処理
水は曝気槽６に送給し、Ｎ2曝気して溶存ガスを気化さ
せた。この曝気槽６はＨＣｌを添加することによりｐＨ
３．０に調整した。脱臭処理槽４では、発生ガス量を推
定できる還元処理水量に対してＨ2Ｏ2含有排水を１：１
の割合で添加して脱臭処理した。なお、この脱臭処理槽
４は、ＮａＯＨを添加してｐＨ９に調整した。
炭塔５で更に脱臭した。その結果、下記のような処理水
及び処理ガスが得られ、ＤＭＳＯ含有排水及びＨ2Ｏ2含
有排水の同時処理及び脱臭処理を行うことができた。
［酸化反応槽２からの処理水］ ＤＭＳＯ ：＜１ｍｇ／Ｌ Ｈ2Ｏ2 ：１２００ｍｇ／Ｌ ｐＨ ：８．８ ［脱臭処理槽４からの処理水］ ＤＭＳＯ ：＜１ｍｇ／Ｌ Ｈ2Ｏ2 ：２８０ｍｇ／Ｌ ｐＨ ：８．５ ［高度脱臭用活性炭塔５からの処理ガス］ ＤＭＳ ：＜１ｍｇ／ｍ3 ＭＭ ：＜１ｍｇ／ｍ3 Ｈ2Ｓ ：＜１ｍｇ／ｍ3 実施例２ 図２に示す装置によりＤＭＳＯ含有排水とＨ2Ｏ2含有排
水の同時処理を行った。まず、ＤＭＳＯ含有排水を４０
Ｌ／ｈｒで還元反応槽１に導入し、Ｎａ2ＳＯ3を８５０
０ｍｇ／Ｌ添加し７０℃で還元反応した。この還元処理
水は曝気槽６に送給し、Ｎ2曝気して溶存ガスを気化さ
せた。この曝気槽６はＨＣｌを添加することによりｐＨ
３．０に調整した。脱臭処理槽４では、発生ガス量を推
定できる還元処理水量に対してＨ2Ｏ2含有排水を１：１
の割合で添加して脱臭処理した。なお、この脱臭処理槽
４は、ＮａＯＨを添加してｐＨ９に調整した。
【００３９】脱臭処理槽４の処理ガスは高度脱臭用活性
炭塔５で更に脱臭した。脱臭処理槽４の流出水と、曝気
槽６の流出水とをラインミキサー７で混合した。その結
果、下記のような処理水及び処理ガスが得られ、ＤＭＳ
Ｏ含有排水及びＨ2Ｏ2含有排水の同時処理及び脱臭処理
を行うことができた。 ［ラインミキサーからの処理水］ ＤＭＳＯ ：＜１ｍｇ／Ｌ Ｈ2Ｏ2 ：＜１０ｍｇ／Ｌ ｐＨ ：７．９ ［高度脱臭用活性炭塔５からの処理ガス］ ＤＭＳ ：＜１ｍｇ／ｍ3 ＭＭ ：＜１ｍｇ／ｍ3 Ｈ2Ｓ ：＜１ｍｇ／ｍ3
炭塔５で更に脱臭した。脱臭処理槽４の流出水と、曝気
槽６の流出水とをラインミキサー７で混合した。その結
果、下記のような処理水及び処理ガスが得られ、ＤＭＳ
Ｏ含有排水及びＨ2Ｏ2含有排水の同時処理及び脱臭処理
を行うことができた。 ［ラインミキサーからの処理水］ ＤＭＳＯ ：＜１ｍｇ／Ｌ Ｈ2Ｏ2 ：＜１０ｍｇ／Ｌ ｐＨ ：７．９ ［高度脱臭用活性炭塔５からの処理ガス］ ＤＭＳ ：＜１ｍｇ／ｍ3 ＭＭ ：＜１ｍｇ／ｍ3 Ｈ2Ｓ ：＜１ｍｇ／ｍ3
【００４０】
【発明の効果】以上詳述した通り、本発明のＤＭＳＯ含
有水の処理装置によれば、ＤＭＳＯ含有排水を容易かつ
効率的に低コストに処理して高水質処理水を得ることが
できる。特に、請求項２のＤＭＳＯ含有水の処理装置及
び請求項３の半導体工場排水の処理設備によれば、ＤＭ
ＳＯ含有排水の処理に過酸化水素含有排水を有効利用す
ることにより、両排水を同時に処理することができ、薬
剤使用量の低減、排水量の低減、処理専用設備の削減及
びそれによるメンテナンスの軽減、装置設備面積の縮小
を図ることができる。
有水の処理装置によれば、ＤＭＳＯ含有排水を容易かつ
効率的に低コストに処理して高水質処理水を得ることが
できる。特に、請求項２のＤＭＳＯ含有水の処理装置及
び請求項３の半導体工場排水の処理設備によれば、ＤＭ
ＳＯ含有排水の処理に過酸化水素含有排水を有効利用す
ることにより、両排水を同時に処理することができ、薬
剤使用量の低減、排水量の低減、処理専用設備の削減及
びそれによるメンテナンスの軽減、装置設備面積の縮小
を図ることができる。
【図１】本発明のＤＭＳＯ含有水の処理装置及び半導体
工場排水の処理設備の実施の形態を示す系統図である。
工場排水の処理設備の実施の形態を示す系統図である。
【図２】本発明のＤＭＳＯ含有水の処理装置及び半導体
工場排水の処理設備の他の実施の形態を示す系統図であ
る。
工場排水の処理設備の他の実施の形態を示す系統図であ
る。
１ 還元反応槽 ２ 酸化反応槽 ３ 気液混合器 ４ 脱臭処理槽 ５ 高度脱臭用活性炭塔 ６ 曝気槽 ７ ラインミキサー
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4D002 AB02 BA02 BA04 DA41 DA52 EA02 GA03 GB09 4D050 AA13 AB18 AB33 BA06 BA07 BA10 BA14 BA20 BB01 BB02 BB09 BB11 BC01 BC10 BD02 BD03 BD06 CA06 CA13
Claims (4)
- 【請求項１】 ＤＭＳＯを含む排水が導入される第１の
処理手段と、この第１の処理手段の処理水が導入される
第２の処理手段と、該第１の処理手段及び／又は第２の
処理手段で発生したガスを処理するガス処理手段とを備
えてなるＤＭＳＯ含有水の処理装置において、 該第１の処理手段が還元剤添加手段であり、 該第２の処理手段が酸化剤添加手段であり、かつ酸化剤
は過酸化水素であることを特徴とするＤＭＳＯ含有水の
処理装置。 - 【請求項２】 請求項１において、該過酸化水素添加手
段が、過酸化水素含有排水を前記第１の処理手段の処理
水と接触させる手段であることを特徴とするＤＭＳＯ含
有水の処理装置。 - 【請求項３】 半導体工場排水の処理設備において、Ｄ
ＭＳＯ含有排水に還元剤を添加する第１の処理手段と、
還元剤添加手段の処理水と過酸化水素含有排水とを接触
させる第２の処理手段とを備えてなることを特徴とする
半導体工場排水の処理設備。 - 【請求項４】 請求項３において、ＤＭＳＯ含有排水の
処理で発生した臭気を過酸化水素含有排水と接触させる
手段を備えることを特徴とする半導体工場排水の処理設
備。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11162714A JP2000350993A (ja) | 1999-06-09 | 1999-06-09 | Ｄｍｓｏ含有水の処理装置及び半導体工場排水の処理設備 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11162714A JP2000350993A (ja) | 1999-06-09 | 1999-06-09 | Ｄｍｓｏ含有水の処理装置及び半導体工場排水の処理設備 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000350993A true JP2000350993A (ja) | 2000-12-19 |
Family
ID=15759907
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11162714A Pending JP2000350993A (ja) | 1999-06-09 | 1999-06-09 | Ｄｍｓｏ含有水の処理装置及び半導体工場排水の処理設備 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000350993A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001070950A (ja) * | 1999-09-02 | 2001-03-21 | Kurita Water Ind Ltd | ジメチルスルホキシド含有排水の処理方法及び処理装置 |
| JP2007326070A (ja) * | 2006-06-09 | 2007-12-20 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 廃棄物処理方法及びシステム |
| CN111732257A (zh) * | 2020-07-08 | 2020-10-02 | 重庆化工职业学院 | 一种二甲基亚砜废水处理反应器 |
-
1999
- 1999-06-09 JP JP11162714A patent/JP2000350993A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001070950A (ja) * | 1999-09-02 | 2001-03-21 | Kurita Water Ind Ltd | ジメチルスルホキシド含有排水の処理方法及び処理装置 |
| JP4508317B2 (ja) * | 1999-09-02 | 2010-07-21 | 栗田工業株式会社 | ジメチルスルホキシド含有排水の処理方法及び処理装置 |
| JP2007326070A (ja) * | 2006-06-09 | 2007-12-20 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 廃棄物処理方法及びシステム |
| CN111732257A (zh) * | 2020-07-08 | 2020-10-02 | 重庆化工职业学院 | 一种二甲基亚砜废水处理反应器 |
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