JP2000348500A5 - - Google Patents

Description

【特許請求の範囲】
【請求項１】 各セルがフローティングゲートを備えたセルアレイと、
アドレス指定されたセルから読み出された信号値を参照値と比較して該セルの論理値を決定するセンスアンプと、
計数値が所定値になったときにエラー信号を活性にするカウンタと、
自動書き込みコマンド又は自動消去コマンドに応答して、アドレス指定された該セルに対し、該論理値が期待値になるまで、書き込み又は消去動作を繰り返し行い、この繰り返し毎に該カウンタに対しカウント信号を供給し、該エラー信号が活性になったときこの繰り返し動作を異常終了する制御回路とを備えた不揮発性半導体記憶装置において、
該制御回路は、テスト信号が活性であるとき、該繰り返し動作の前に、例えエラーセルが存在しなくても該エラー信号が正常に活性になったか否かを確認するために、該カウンタに該所定値をロードさせることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
【請求項２】 各セルがフローティングゲートを備えたセルアレイと、
アドレス指定されたセルから読み出された信号値を参照値と比較して該セルの論理値を決定するセンスアンプと、
計数値が所定値になったときにエラー信号を活性にするカウンタと、
自動書き込みコマンド又は自動消去コマンドに応答して、アドレス指定された該セルに対し、該論理値が期待値になるまで、書き込み又は消去動作を繰り返し行い、この繰り返し毎に該カウンタに対し計数値信号を供給し、この繰り返し動作中に該エラー信号が活性になった場合には動作を異常終了し、また、テスト信号を受け取る制御回路とを備えた不揮発性半導体記憶装置において、
該制御回路は、例えエラーセルが存在しなくても該計数値値が該所定値になり且つ該エラー信号が活性になるか否かを確認するために、該テスト信号が活性であるとき、該計数値が該所定値になるまで該繰り返しが実行されても、該論理値が該期待値に一致しないように、該参照値を変えることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
【請求項３】フローティングゲートを備えた第１及び第２のレファランスセルと、
該テスト信号が不活性のときには該第１レファランスセルを選択し、該テスト信号が活性のときには該第２レファランスセルを選択するセレクタと、
をさらに有し、
該センスアンプは該セレクタで選択された信号値を該参照値とし、該フローティングゲートに蓄えられた電荷量により該参照値が定まる、
ことを特徴とする請求項２に記載の不揮発性半導体記憶装置。
【請求項４】 該書き込み動作が行われたときに該第２参照セルが用いられ、
該第１参照セルは、該第２参照セルの閾値電圧よりも低い閾値電圧を有する、
ことを特徴とする請求項３に記載の不揮発性半導体記憶装置。
【請求項５】 該セルアレイは、該テストにおいてのみアドレス指定可能なセル行を有することを特徴とする請求項４に記載の不揮発性半導体記憶装置。
【請求項６】 該消去動作が行われたとき該第２参照セルが用いられ、
該第１参照セルは、該第２参照セルの閾値電圧よりも高い閾値電圧を有する、
ことを特徴とする請求項３に記載の不揮発性半導体記憶装置。
【請求項７】 該セルアレイは、該テストにおいてのみアドレス指定可能なセル行を有することを特徴とする請求項６に記載の不揮発性半導体記憶装置。

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電気的消去・再書き込み可能な不揮発性半導体記憶装置に係り、特に自動書き込み又は自動消去機能を有するフラッシュメモリのような半導体記憶装置に関する。

【０００８】
【課題を解決するための手段及びその作用効果】
本発明の第１態様では、
各セルがフローティングゲートを備えたセルアレイと、
アドレス指定されたセルから読み出された信号値を参照値と比較して該セルの論理値を決定するセンスアンプと、
計数値が所定値になったときにエラー信号を活性にするカウンタと、
自動書き込みコマンド又は自動消去コマンドに応答して、アドレス指定された該セルに対し、該論理値が期待値になるまで、書き込み又は消去動作を繰り返し行い、この繰り返し毎に該カウンタに対しカウント信号を供給し、該エラー信号が活性になったときこの繰り返し動作を異常終了する制御回路とを備えた不揮発性半導体記憶装置において、
該制御回路は、テスト信号が活性であるとき、該繰り返し動作の前に、例えエラーセルが存在しなくても該エラー信号が正常に活性になったか否かを確認するために、該カウンタに該所定値をロードさせる。

本発明の第２態様では、
各セルがフローティングゲートを備えたセルアレイと、
アドレス指定されたセルから読み出された信号値を参照値と比較して該セルの論理値を決定するセンスアンプと、
計数値が所定値になったときにエラー信号を活性にするカウンタと、
自動書き込みコマンド又は自動消去コマンドに応答して、アドレス指定された該セルに対し、該論理値が期待値になるまで、書き込み又は消去動作を繰り返し行い、この繰り返し毎に該カウンタに対し計数値信号を供給し、この繰り返し動作中に該エラー信号が活性になった場合には動作を異常終了し、また、テスト信号を受け取る制御回路とを備えた不揮発性半導体記憶装置において、
該制御回路は、例えエラーセルが存在しなくても該計数値が該所定値になり且つ該エラー信号が活性になるか否かを確認するために、該テスト信号が活性であるとき、該計数値が該所定値になるまで該繰り返しが実行されても、該論理値が該期待値に一致しないように、該参照値を変える。

この不揮発性半導体記憶装置によれば、エラーセルが存在しなくても、自動書き込みまたは自動消去において繰り返し処理によりカウンタの計数値が必ず設定値になって、正常な場合にはエラー信号が活性になり、第１態様と同じ試験を行うことができる。

本発明の他の目的、構成及び効果は以下の説明から明らかになる。