JP2000346643A5 - - Google Patents
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Description
【請求項３】 前記半導体位置検出素子、前記第１の電流電圧変換部、前記第２の電流電圧変換部および前記選択回路を複数組備え、
前記Ａ／Ｄ変換回路は、各組の前記選択回路から出力された前記最大電圧信号および前記最小電圧信号を順次に入力し、
前記入射位置演算部は、各組の前記選択回路から出力された前記比較信号を順次に入力する、
ことを特徴とする請求項１記載の光位置検出装置。
前記Ａ／Ｄ変換回路は、各組の前記選択回路から出力された前記最大電圧信号および前記最小電圧信号を順次に入力し、
前記入射位置演算部は、各組の前記選択回路から出力された前記比較信号を順次に入力する、
ことを特徴とする請求項１記載の光位置検出装置。
【請求項４】 前記半導体位置検出素子、前記第１の電流電圧変換部、前記第２の電流電圧変換部および前記選択回路を複数組備え、
前記Ａ／Ｄ変換回路は、各組の前記選択回路から出力された前記最大電圧信号および前記最小電圧信号を順次に入力し、
前記入射位置演算部は、各組の前記選択回路から出力された前記比較信号を順次に入力し、
前記限界検出部は、各組の前記選択回路から出力された前記最大電圧信号を順次に入力する、
ことを特徴とする請求項２記載の光位置検出装置。
前記Ａ／Ｄ変換回路は、各組の前記選択回路から出力された前記最大電圧信号および前記最小電圧信号を順次に入力し、
前記入射位置演算部は、各組の前記選択回路から出力された前記比較信号を順次に入力し、
前記限界検出部は、各組の前記選択回路から出力された前記最大電圧信号を順次に入力する、
ことを特徴とする請求項２記載の光位置検出装置。
また、本発明に係る第１の光位置検出装置は、半導体位置検出素子、第１の電流電圧変換部、第２の電流電圧変換部および選択回路を複数組備え、Ａ／Ｄ変換回路は、各組の選択回路から出力された最大電圧信号および最小電圧信号を順次に入力し、入射位置演算部は、各組の選択回路から出力された比較信号を順次に入力する、ことを特徴とする。また更に、限界検出部は、各組の選択回路から出力された最大電圧信号を順次に入力する、ことを特徴とする。この場合には、複数個の半導体位置検出素子がアレイ配置されることから、２次元の光入射面に光が入射した位置が検出される。また、第１および第２の電流電圧変換部ならびに選択回路を各半導体位置検出素子毎に個別に設け、Ａ／Ｄ変換回路、入射位置演算部および限界検出部を各半導体位置検出素子に共通のものとして設けたことにより、半導体光検出素子をマルチチャネル化したにも拘わらず、回路規模が小さく、処理時間が短い。なお、最大電圧信号および最小電圧信号は各組ごとに求められる。
また、本発明に係る第２の光位置検出装置は、半導体位置検出素子、第１の電流電圧変換部、第２の電流電圧変換部、加算回路および選択回路を複数組備え、Ａ／Ｄ変換回路は、各組の加算回路から出力された第３の電圧信号、および、選択回路により選択されて出力された第１または第２の電圧信号を順次に入力する、ことを特徴とする。また更に、限界検出部は、各組の加算回路から出力された第３の電圧信号を順次に入力する、ことを特徴とする。この場合には、複数個の半導体位置検出素子がアレイ配置されることから、２次元の光入射面に光が入射した位置が検出される。また、第１および第２の電流電圧変換部ならびに加算回路を各半導体位置検出素子毎に個別に設け、Ａ／Ｄ変換回路、入射位置演算部および限界検出部を各半導体位置検出素子に共通のものとして設けたことにより、半導体光検出素子をマルチチャネル化したにも拘わらず、回路規模が小さく、処理時間が短い。なお、最大電圧信号および最小電圧信号は各組ごとに求められる。
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