JP2000340936A - はんだ材塗布方法、マルチチップモジュールの製造方法およびマルチチップモジュール - Google Patents

はんだ材塗布方法、マルチチップモジュールの製造方法およびマルチチップモジュール

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JP2000340936A
JP2000340936A JP14778799A JP14778799A JP2000340936A JP 2000340936 A JP2000340936 A JP 2000340936A JP 14778799 A JP14778799 A JP 14778799A JP 14778799 A JP14778799 A JP 14778799A JP 2000340936 A JP2000340936 A JP 2000340936A
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solder
mounting substrate
solder material
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semiconductor chip
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Shinji Terada
慎治 寺田
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Toshiba Corp
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    • H01L24/741Apparatus for manufacturing means for bonding, e.g. connectors
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 半導体基板に連続して半導体チップを正確に
搭載する際に、それぞれの半導体チップに対して、均一
な厚さで適量のはんだを塗布するはんだ塗布方法。 【解決手段】 実装用基板1へのはんだ塗布と半導体チ
ップ9のマウントを所定数の半導体チップ9分繰り返す
際に、隣接部分へのはんだ塗布量は前のはんだ塗布量よ
り少なくする。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば、半導体チ
ップを実装用基板にチップマウントする際等に用いられ
る、リボン状のAu−Snはんだ材によるはんだ塗布方
法、マルチチップモジュールの製造方法およびマルチチ
ップモジュールに関する。
【0002】
【従来の技術】通常用いられているはんだ材塗布・半導
体チップマウント装置は、実装用基板上にはんだ材を塗
布し、その箇所に半導体チップをマウントして半導体パ
ッケージ装置を形成している。
【0003】以下、その装置について図面を参照して説
明すると、図7ははんだ材塗布・半導体チップマウント
装置を示す外観斜視図である。
【0004】この装置は、半導体チップが搭載される実
装用基板31を保持するステージ機構32と、このステ
ージ機構32上に保持された実装用基板1内にAu−S
nはんだ等のはんだ材を塗布するはんだ材塗布機構33
と、はんだ材の塗布された実装用基板1内に半導体チッ
プを搭載する半導体マウント機構34と、上記はんだ塗
布機構33および半導体素子マウント機構34をXY方
向に位置決め駆動するXY駆動機構35(ツール駆動手
段)とを備えている。
【0005】実装用基板31は、例えば図2(a)に側
面図を、図2(b)に平面図を示すように、半導体パッ
ケージ装置におけるパッケージ(外囲器)となる部品で
ある。Ga−Asチップ等の半導体チップが搭載される
部位は、図に6で示す外壁36によって区画されてい
る。この外壁36の区画された内部に、例えば4個の半
導体チップ39…(部品)がマウントされるようになっ
ている。
【0006】はんだ材塗布機構33は図8に示すよう
に、実装用基板31を真空吸着し塗布ステージであるテ
ーブル42を形成しているステージ機構32と、このス
テージ機構32の上方に設けられたはんだ材塗布機構3
3を備えている。ステージ機構32にはAu−Snはん
だの融点以上まで加熱する加熱ヒータ35と、実装用基
板31の周辺を不活性ガス雰囲気に保つために、不活性
ガスを供給する不活性ガス配管36が設けられており、
Z軸駆動機構49によりZ軸方向に移動自在に構成され
ている。また、はんだ材塗布機構33のブラケット48
に、塗布ツール43と、この塗布ツール43に図5に示
すリボン状のはんだリボン21を供給するはんだリボン
21を巻回収納したリール20が設けられている。ま
た、ブラケット48はXY駆動機構35に保持されてい
る。
【0007】これらの装置による工程は、まず、実装用
基板31を塗布ステージであるテーブル42上に真空吸
着し、加熱ヒータ35によりAu−Snはんだの融点以
上まで加熱しておく。この際、実装用基板31の周辺に
は不活性ガス配管36から不活性ガスを流し不活性ガス
雰囲気にしておく。
【0008】次に、実装用基板31を真空吸着したテー
ブル42を上昇させて、その上方の塗布ツール43から
はんだリボン21を繰出して実装用基板31に接触さ
せ、はんだリボン21を送り出しながらXY駆動機構3
5によりテーブル42に平行に移動させる。
【0009】実装用基板31の定位置まではんだ塗布を
おこなった後、Z軸駆動機構49を駆動させてテーブル
42を下降させ、はんだリボン21を実装用基板31か
ら分離する。
【0010】はんだ塗布終了後に実装用基板31のはん
だ塗布部分に半導体チップ39を半導体マウント機構3
4によりマウントして半導体パッケージ装置を形成す
る。以下同様に、隣接部に上記手順により再度、はんだ
塗布と半導体チップ39のマウントを半導体チップ39
の数分繰り返し半導体パッケージ装置を形成する。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ようなはんだ塗布方法においては次のような問題が存在
している。すなわち、実装用基板の上方は開放されてい
るため実装用基板の中央では酸素濃度が高くなる。酸素
濃度が高いとはんだ塗布時に、はんだが実装用基板に馴
染まず、山状に盛り上がった状態になり良好なはんだ塗
布が行えない。
【0012】特に、厚さが0.1mm以下の極薄の半導
体チップをこの盛り上がったはんだに押し付けると半導
体チップ上にはんだが乗り上げて不良品を発生させる。
【0013】一方、隣接した半導体チップをマウントす
る場合、隣接したはんだ部分同士ではんだの吸い上げが
生じる。そのため、例えば、連続した4個の半導体チッ
プをそれぞれ同一のはんだ量でマウントする場合、第1
チップと第4チップでは、後にマウントする第4チップ
のはんだ量が多くなる。このはんだ量のばらつき。特に
半導体チップ下面のはんだ膜厚のばらつきは、半導体装
置の電気的特性上好ましくない。
【0014】一方、はんだ塗布終了時はんだリボンを高
温の不活性ガス雰囲気中から大気中に戻すため、はんだ
リボン先端が酸化しやすくなる。また、はんだガイドも
塗布終了時に高温になっており、熱膨張を起こすため長
時間使用するとはんだ送りがしぶくなりはんだづまりな
どのトラブルを生じることがある。
【0015】本発明はこれらに事情に基づいて成された
もので、半導体基板に連続して半導体チップを正確に搭
載する際に、それぞれの半導体チップに対して、均一な
厚さで適量のはんだを塗布するはんだ塗布方法、マルチ
チップモジュールの製造方法およびマルチチップモジュ
ールを提供することを目的としている。
【0016】
【課題を解決するための手段】請求項1の発明による手
段によれば、実装用基板上の隣接する所定箇所に半導体
チップを実装するために、前記実装用基板に順次前記所
定箇所にはんだ材を塗布するはんだの材塗布方法におい
て、前記実装用基板へのはんだ材の塗布は、第1の塗布
工程において塗布したはんだ材の量より第2の塗布工程
において塗布するはんだ材の量が少ないことを特徴とす
るはんだ材塗布方法である。
【0017】また請求項2の発明による手段によれば、
前記実装用基板へのはんだ材の塗布は、はんだ塗布終了
後にはんだリボンを不活性ガスで満たしながら待機して
前記半導体チップを酸化防止することを特徴とするはん
だ材の塗布方法である。
【0018】また請求項3の発明による手段によれば、
前記はんだリボンは、先端付近をガス雰囲気で包み込み
まれた状態で前記実装用基板に塗布されることを特徴と
するはんだ材の塗布方法である。
【0019】また請求項4の発明による手段によれば、
前記はんだリボンを前記実装用基板へ繰る出す塗布ツー
ルは、はんだ材の塗布中前記不活性ガスで冷却されいる
ことを特徴とするはんだ材の塗布方法である。
【0020】また請求項5の発明による手段によれば、
実装用基板上の隣接する所定箇所に複数の半導体チップ
を実装するために、前記実装用基板に順次前記所定箇所
にはんだ材を塗布してなるマルチチップの製造方法にお
いて、前記実装用基板へのはんだ材の塗布は、第1の塗
布工程において塗布したはんだ材の量より第2の塗布工
程において塗布するはんだ材の量が少ないことを特徴と
するマルチチップの製造方法である。
【0021】また請求項6の発明による手段によれば、
複数の半導体チップを上記のはんだ材塗布方法により基
板に設けたことを特徴とするマルチチップモジュールで
ある。
【0022】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施形態を図面
を参照して説明する。図1は、実装用基板上にリボン状
のはんだ材を塗布し、半導体チップをマウントする機能
を有するはんだ材塗布・半導体チップマウント装置を示
す外観斜視図である。以下の説明は、全体の構成につい
ては図1にもとづいて説明し、随時必要箇所に各図を挿
入する形で説明する。
【0023】この装置は、半導体チップが搭載される実
装用基板1を保持するステージ機構2と、このステージ
機構2上に保持された実装用基板1内にリボン状のはん
だ材を塗布するはんだ材塗布機構3と、はんだ材の塗布
された実装用基板1内に半導体チップを搭載する半導体
マウント機構4と、上記はんだ塗布機構3および半導体
素子マウント機構4をXY方向に位置決め駆動するXY
駆動機構5(ツール駆動手段)とを有する。
【0024】実装用基板1は、例えば図2(a)側面図
をまた図2(b)に平面図を示すように、半導体パッケ
ージ装置におけるパッケージ(外囲器)となる部品であ
る。半導体チップが搭載される部位は、図に6で示す外
壁によって区画されている。この外壁6の区画された内
部に、例えば4個の半導体チップ9…(部品)がマウン
トされるようになっている(マルチチップモジュー
ル)。
【0025】この実装用基板1を用いた半導体パッケー
ジ装置の製造は、図3(a)〜(d)に示す工程を経て
行われる。同図(a)は、図2(b)に示す実装用基板
1のI−I線に沿う縦断面図である。まず、図3(b)
に示すように、段部7及びこの段部7を挟む部位8には
んだ材10を塗布する。ついで、同図(c)に示すよう
に各部位7、8に半導体チップ9をマウントした後はん
だ付けし、最後に同図(d)に示すように壁部6に蓋体
11を被せて固定し、半導体チップ9が搭載された箇所
を閉塞するようにする。このことで、半導体パッケージ
装置は完成する。
【0026】この実施形態の装置は、工程のうち、はん
だ材塗工程及び半導体チップ9の搭載工程までを行うも
のである。以下、この装置を詳しく説明する。まず、ス
テージ機構2について説明する。
【0027】このステージ機構2は、図1に全体を、図
4にその要部示すように、上面を実装用基板1の保持面
12aとするテーブル12を具備し、このテーブル12
内には、この実装用基板1を保持面12a上に吸着保持
するための吸引孔13が設けられている。この吸引孔1
3は、図1及び図4に14で示す真空発生装置に接続さ
れており、この真空発生装置14が作動することで、実
装用基板1は吸着保持されるようになっている。
【0028】また、このステージ12内には、ヒータ1
5(溶融手段、加熱手段)が埋設されている。このヒー
タ15はヒータコントローラ16に接続されており、こ
のヒータコントローラ16からの給電により作動し、保
持面12a上に保持された実装用基板1を後述するよう
に所定の余熱温度、はんだ溶融温度に加熱するようにな
っている。
【0029】さらに、このテーブル12は、図1に29
で示すZ駆動機構により上下方向に駆動されるようにな
っている。なお、真空発生装置14、ヒータコントロー
ラ16及びZ駆動機構29は、図1に17で示す制御部
に接続され、この制御部17によつて制御されるように
なっている。
【0030】次に、はんだ塗布機構3を、はんだ材の塗
布動作と共に説明する。このはんだ塗布機構3は、XY
駆動機構5から延出されたブラケット19を有する。こ
のブラケット19の前面には、リール20が着脱自在か
つ回転自在に保持されている。
【0031】このリール20には、図5に示すように、
リボン状に形成されたはんだ材21(以下「はんだリボ
ン21」という)が巻回されており、はんだ塗布機構3
は、このリール20からはんだリボン21を繰り出しし
つつ、このはんだリボン21を先端部から順次溶融させ
ることで、実装用基板1内に塗布していくものである。
【0032】このために、図1及び図4に示すように、
ブラケツト19の下部には、リール20からはんだリボ
ン21を繰り出すための繰り出し機構22(はんだ材繰
り出し手段)及び、繰り出されたはんだリボン21をガ
イド保持し、このはんだリボン21を実装用基板1に押
しつけて塗布する塗布ツール23が設けられている。
【0033】繰り出し機構22は、ブラケット19の前
面側に設けられた一対のローラ24と、フラケット19
の裏面側に配置されこの一対のロ−ラ24を駆動する駆
動モータ25(ローラ駆動手段)とからなる。ローラ2
4は、例えば合成樹脂製であり、その間にはんだリボン
21を挟んて保持できるようになっている。また、駆動
モータ25は、図示しないドライバを介して前記制御部
17に接続されており、この制御部17の指令により、
ロ−ラ24の回転速度を制御してはんだリボン21の繰
り出し速度(単位時間当たりの繰り出し量)を調節でき
るようになっている。
【0034】塗布ツール23は、はんだリボン21を挿
通させて実装用基板1側へ露出させる挿通孔27が上下
に貫通している。そして、この塗布ツール23は、ステ
ージ機構2が作動しテーブル12が上昇駆動されること
で、その下端面ではんだリボン21を実装用基板1に押
しつけるようになっている。また、塗布ツール23に
は、Nガスを供給するNガス配管23aが接続され
ている。
【0035】また、図1に28で示すのは、はんだリボ
ン21が、実装用基板1の表面に緩触したことを検出す
る接触検出器(接触検出手段)である。この接触検出器
28は、具体的には塗布ツール23とテーブル12の導
通を検出する機能を有する装置であり、一方の配線を塗
布ツール23に結線され、他方の配線をテーブル12に
結線されている。従って、はんだリボン21が実装用基
板1に接触することで、塗布ツール23とテーブル12
とが導通するから、そのことを検出できるようになって
いる。
【0036】また、この検出器28は、制御部17に接
続されており、この制御部17は、検出に基づいてステ
ージ機構2のZ駆動機構29を停止させると共に、つい
でXY駆動機構5を作動させることで、はんだ材の塗布
を行なわせるようになっている。
【0037】以下、はんだ材を塗布する際の、ステージ
機構2及びはんだ塗布機構3の制御について説明する。
まず、制御部17は、前記XY駆動機構5を作動させる
ことで、図6(a)に示すように、塗布ツール23を実
装用基板1の所定のはんだ塗布位置に対向させる。
【0038】一方、実装用基板1をステージ機構2の塗
布ステージ4上に真空吸着し、加熱ヒータ5によりAu
−Snはんだの融点以上まで加熱しておく。この時パッ
ケージ周辺の不活性ガス配管6からNガスを流してお
く。またはんだガイド3を通しはんだリボンの先端にN
ガスを流す。はんだガイド3に流すNガス流量が例
えば、0.51/minである。
【0039】この状態で、実装用基板1の上方よりN
ガス噴出させたはんだガイドを実装用基板1に近づけ
る。
【0040】一方、制御部17は、ヒータ15を作動さ
せ、実装用基板1を所定の予熱温度に維持しておく。つ
いで、テーブル12を上昇させる際、ヒータ15を昇温
させ、実装用基板1の温度を前記予熱温度から所定のは
んだ溶融温度にまで上昇させる。従って、はんだリボン
21の下端が実装用基板1の表面に接触すると、このは
んだリボン21の下端部は溶融して液状となる。
【0041】ついで、制御部17は、制御部28の検出
に基づきはんだリボン21が実装用基板1に接触したと
判断し、テーブル12の上昇を停止させる。そして、繰
り出し機構22のローラ24及びXY駆動機構5を作動
させて溶融して液状となったはんだ材(はんだリボン2
1)を実装用基板1に塗布する。
【0042】すなわち、図6(b)および(c)に示す
ように、塗布ツール23を実装用基板1に対して一定の
高さで保持しつつ、この塗布ツール23を実装用基板1
と平行な方向(XY方向)に所定の速度で移動させると
ともに、この塗布ツール23の移動にあわせてローラ2
4を所定の速度で回転させ、はんだリボン21を繰り出
すようにする。このことで、はんだ材は、実装用基板1
の所定の塗布部位に塗り広げられていく。
【0043】なお、制御部17は、図1に示すように速
度テーブル30を有し、この速度テーブル30には、塗
布ツール23の移動速度(XY駆動機構5の駆動速度)
及びはんだリボン21の繰り出し速度(ローラ24の回
転速度)が格納ざれている。これらの速度は、はんだ材
の塗布厚さや塗布量等に基づき決定される。
【0044】すなわち、はんだ材の塗布厚をはんだリボ
ン21の厚さより多くしたい場合には、はんだリボン2
1の繰り出し速度を塗布ツール23の移動速度に比較し
て速くし、塗布厚をはんだリボン21の厚さよりも薄く
したい場合には、繰り出し速度を塗布ツール23の移動
速度に比較して遅くする。従って、速度テーブル30に
は、塗布ツール23の移動速度とはんだリボン21の繰
り出し速度の組み合わせが複数種類格納されており、制
御部17は、作業者の指令に基づいて適切な速度を取り
出してXY駆動機構5及びはんだ塗布機構3を制御する
ようになっている。
【0045】また、はんだリボン21の幅以上の幅には
んだ材を塗り広げたいたい場合には、XY駆動機構5を
制御し、塗布ツール23をX方向に駆動すると同時にY
方向にも駆動する。このことで、はんだ材を任意の幅で
塗り広げることができる。従って、制御部17は、はん
だ材の塗布幅に応じてXY駆動機構5の挙動を決定する
ようにする。
【0046】このようにして、実装用基板1にはんだ材
が塗布されたならば、制御部17は、テーブル12を下
降駆動することで、図6(d)に示すように、塗布ツー
ル23と実装用基板1とを離間させる。
【0047】以上の工程により、はんだ材の塗布工程は
終了する。次に、実装用基板1に塗布されたはんだ材上
に半導体チップ9をマウントする前記チップマウント機
構4について説明する。
【0048】このマウント機構4は、XY駆動機構5に
固定されたブラケット31を有する。このブラケツト3
1には、吸着ノズル駆動機構32が設けられている。こ
の吸着ノズル駆動機構32は、半導体チップ9を吸着保
持する吸着保持ノズル33を保持し、この吸着ノズル3
3を上下駆動する機能を有する。なお、この吸着保持ノ
ズル33は、図1に34で示す真空発生装置に接続され
ている。
【0049】制御部17は、塗布ツール23と実装用基
板1とを離間させたならばXY駆動機構5とマウント機
構4とを作動させ、マウント機構4の吸着ノズル33を
図示しない半導体チップ供給部に対向させ、この供給部
から半導体チップ9を吸着保持することによって取り出
す。そして、制御部17は、XY駆勤機構5を作動させ
ることで、半導体チップ9を実装用基板1に移送し、こ
の半導体チップ9をはんだ材が塗布された所定のマウン
ト位置に対向させる。
【0050】ついで、吸着ノズル駆動機構32を作動さ
せ、吸着ノズル33を下降駆動することで、半導体チッ
プ9をはんだ材にマウントする(図3(c)参照)。
【0051】続いて、隣接部に上述と同手順により、実
装用基板1へのはんだ塗布と半導体チップ9のマウント
を所定数の半導体チップ9分繰り返す。その際、隣接部
分へのはんだ塗布量は前のはんだ塗布量より少なくす
る。すなわち、最初のはんだ塗布により、その塗布箇所
に最初の半導体チップ9をマウントすると、隣接してた
外に接触し、余剰分のはんだが移動するので見かけのは
んだの供給量が増大する。
【0052】したがって、次のはんだの塗布量はその分
を見込んで、1割程度減じるようにする。例えば、同一
の半導体チップ9を連続してマウントする際に、最初の
はんだの塗布量を0.5mgとしたときは、次のはんだ
の塗布量を0.45mgとする。これにより、一定のは
んだの量による半導体チップ9のマウントが可能にな
る。つまり、0.1μm〜20μmの薄く均質なはんだ
層による接合により、例えば、マイクロ波増幅用の半導
体チップ9などでは良好な特性が得れる。
【0053】なお、はんだ量の変更は、繰出し機構22
のはんだ送りモータ25の回転速度を半導体チップ9ご
とに変更することにより行う。
【0054】また、はんだ塗布終了時は、高温になった
塗布ツール23とはんだリボン先端を冷却するためと、
大気によるはんだリボン先端の酸化防止のために塗布ツ
ール23からNガスを流し続ける。
【0055】このことで、はんだ材の塗布及び半導体チ
ップ9のマウントが終了する。
【0056】このような構成によれば、以下に説明する
効果を得ることができる。
【0057】どのようなはんだ材であっても、簡易な構
成で安定的に、かつ、任意の箇所に塗布を行える装置を
得ることができる。
【0058】また、はんだリボン先端から不活性ガスを
流しながらはんだ塗布することによりはんだの塗れが良
くなり0.1mm以下の極薄チップ用のはんだ塗布にも
対応できる。
【0059】また、隣接する部分へのはんだ塗布量を減
少させることによりチップマウント後のチップ下面はん
だ膜厚ばらつきを小さくすることがで製品の電気的特性
が安定する。
【0060】また、はんだ終了時にはんだリボン先端に
不活性ガスを流しておくことにより、はんだリボン先端
の大気による酸化が防止できる。せらに、その冷却作用
によりはんだガイドの熱膨張を小さくし、安定したはん
だ供給が可能となる。
【0061】なお、この発明は一実施形態に限定される
ものではなく、発明の要旨を変更しない範囲で種々変形
可能である。例えば、一実施形態では、途布ツール23
を移動させて塗布を行うようにしたが、これに限定され
るものではなく、テーブル12を移動させることで塗布
を行うようにしても良い。
【0062】また、一実施形態では、はんだリボン21
と実装用基板1とを接触させるために、テーブル12を
上下させるようにしたが、これに限定されるものではな
く、塗布ツール23側を上下させるようにしても良い。
【0063】さらに、一実施形態の装置では、チップマ
ウント機構4も備えていたが、必、ずしもこれに限定さ
れるものではなく、はんだ塗布機構3のみを有する装置
であっても良い。
【0064】
【発明の効果】本発明によれば、半導体基板に連続して
半導体チップを正確に搭載する際に、それぞれの半導体
チップに対して、均一の厚さで適量のはんだを塗布する
はんだ塗布方法、マルチチップモジュールの製造方法お
よびマルチチップモジュールが得られる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明のはんだ材塗布・半導体チップマウント
装置の外観斜視図。
【図2】(a)は実装用基板の側面図、(b)はその平
面図。
【図3】(a)〜(d)は半導体パッケージ装置の製造
工程毎の説明図。
【図4】本発明のはんだ材塗布・半導体チップマウント
装置のステージ機構の要部を示す外観斜視図。
【図5】リールの外観斜視図。
【図6】(a)〜(d)は塗布ツールによる実装用基板
への塗布工程の説明図。
【図7】従来のはんだ材塗布・半導体チップマウント装
置の外観斜視図。
【図8】従来のはんだ材塗布・半導体チップマウント装
置のステージ機構の要部を示す外観斜視図。
【符号の説明】
1…実装用基板、5…XY駆動装置(ツール駆動手
段)、9…半導体チップ、10…はんだ材、15…ヒー
タ、17…制御部、21…リボンはんだ、22…はんだ
繰出し機構、23…塗布ツール、24…ローラ、25…
駆動モータ

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 実装用基板上の隣接する所定箇所に半導
    体チップを実装するために、前記実装用基板に順次前記
    所定箇所にはんだ材を塗布するはんだの材塗布方法にお
    いて、 前記実装用基板へのはんだ材の塗布は、第1の塗布工程
    において塗布したはんだ材の量より第2の塗布工程にお
    いて塗布するはんだ材の量が少ないことを特徴とするは
    んだ材塗布方法。
  2. 【請求項2】 前記実装用基板へのはんだ材の塗布は、
    はんだ塗布終了後にはんだリボンを不活性ガスで満たし
    ながら待機して前記半導体チップを酸化防止することを
    特徴とする請求項1記載のはんだ材塗布方法。
  3. 【請求項3】 前記はんだリボンは、先端付近をガス雰
    囲気で包み込みまれた状態で前記実装用基板に塗布され
    ることを特徴とする請求項1記載のはんだ材塗布方法。
  4. 【請求項4】 前記はんだリボンを前記実装用基板へ繰
    る出す塗布ツールは、はんだ材の塗布中前記不活性ガス
    で冷却されいることを特徴とする請求項3記載のはんだ
    材塗布方法。
  5. 【請求項5】 実装用基板上の隣接する所定箇所に複数
    の半導体チップを実装するために、前記実装用基板に順
    次前記所定箇所にはんだ材を塗布してなるマルチチップ
    の製造方法において、 前記実装用基板へのはんだ材の塗布は、第1の塗布工程
    において塗布したはんだ材の量より第2の塗布工程にお
    いて塗布するはんだ材の量が少ないことを特徴とするマ
    ルチチップモジュールの製造方法。
  6. 【請求項6】 複数の半導体チップを請求項1記載のは
    んだ材塗布方法により基板に設けたことを特徴とするマ
    ルチチップモジュール。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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CN105938976A (zh) * 2016-03-08 2016-09-14 北京工业大学 半导体激光器腔面镀膜夹具

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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CN105938976A (zh) * 2016-03-08 2016-09-14 北京工业大学 半导体激光器腔面镀膜夹具
CN105938976B (zh) * 2016-03-08 2019-03-22 北京工业大学 半导体激光器腔面镀膜夹具

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