JP2000340907A - 配線基板およびその製造方法 - Google Patents
配線基板およびその製造方法Info
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- JP2000340907A JP2000340907A JP11151576A JP15157699A JP2000340907A JP 2000340907 A JP2000340907 A JP 2000340907A JP 11151576 A JP11151576 A JP 11151576A JP 15157699 A JP15157699 A JP 15157699A JP 2000340907 A JP2000340907 A JP 2000340907A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】電気信号と光信号との処理を行うことができ、
光インタコネクションを可能とした配線基板とそれを製
造するための方法を提供する。 【解決手段】熱硬化性樹脂を含有する複数の絶縁層が積
層された絶縁基板２と、絶縁基板２の表面および／また
は内部に配設された配線回路層３とを具備する配線基板
１であって、絶縁基板２における少なくとも１層の絶縁
層２ａにフィラー粉末を分散含有させるとともに、フィ
ラー粉末を分散させた絶縁層２ａ内に光ファイバーなど
の繊維状の光導波路体５を埋設形成し、絶縁基板２表面
または側面に光電気変換素子７を搭載するとともに、絶
縁基板２中には金属粉末が充填されたビアホール導体４
を配設する。
光インタコネクションを可能とした配線基板とそれを製
造するための方法を提供する。 【解決手段】熱硬化性樹脂を含有する複数の絶縁層が積
層された絶縁基板２と、絶縁基板２の表面および／また
は内部に配設された配線回路層３とを具備する配線基板
１であって、絶縁基板２における少なくとも１層の絶縁
層２ａにフィラー粉末を分散含有させるとともに、フィ
ラー粉末を分散させた絶縁層２ａ内に光ファイバーなど
の繊維状の光導波路体５を埋設形成し、絶縁基板２表面
または側面に光電気変換素子７を搭載するとともに、絶
縁基板２中には金属粉末が充填されたビアホール導体４
を配設する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子を搭載
した配線基板、通信機器用配線基板、光ＬＡＮ用配線基
板などに適した配線基板とその製造方法に関するもので
ある。
した配線基板、通信機器用配線基板、光ＬＡＮ用配線基
板などに適した配線基板とその製造方法に関するもので
ある。
【０００２】
【従来技術】近年、マルチメディアの普及につれ、膨大
な画像データの送受信が必要になり、高速動作が求めら
れる電子機器が広く使用されるようになるに伴い、高い
周波数の信号に対し、正確なスイッチングが可能な配線
基板が要求されている。
な画像データの送受信が必要になり、高速動作が求めら
れる電子機器が広く使用されるようになるに伴い、高い
周波数の信号に対し、正確なスイッチングが可能な配線
基板が要求されている。
【０００３】そのような要求に対応するためには、配線
基板における配線の長さを短くし、電気信号の伝播に要
する時間を短縮することが必要である。そして、配線の
長さを短縮するためには、配線の幅を細くし、配線の間
隙を小さくするという、小型、薄型且つ高精細の多層配
線基板が求められている。
基板における配線の長さを短くし、電気信号の伝播に要
する時間を短縮することが必要である。そして、配線の
長さを短縮するためには、配線の幅を細くし、配線の間
隙を小さくするという、小型、薄型且つ高精細の多層配
線基板が求められている。
【０００４】また、コンピュータや交換機などでは、配
線基板上に多数のＬＳＩなどの集積回路素子が搭載され
るが、ボードのスループットが増大するにつれて、銅で
形成された信号配線におけるデータ通信量に限界が生
じ、システム性能向上の阻害要因になりつつある。
線基板上に多数のＬＳＩなどの集積回路素子が搭載され
るが、ボードのスループットが増大するにつれて、銅で
形成された信号配線におけるデータ通信量に限界が生
じ、システム性能向上の阻害要因になりつつある。
【０００５】そのため、これらの集積回路素子間を光導
波路で結ぶ方式（光インタコネクション）が検討されて
おり、高速データ通信や高精度画像通信等を含むマルチ
メディアの発達に対しては、広帯域性・高密度性などの
特徴を有する光インタコネクションを融合させた電気・
光混載型のマルチチップモジュールが必要不可欠な技術
であると考えられている。
波路で結ぶ方式（光インタコネクション）が検討されて
おり、高速データ通信や高精度画像通信等を含むマルチ
メディアの発達に対しては、広帯域性・高密度性などの
特徴を有する光インタコネクションを融合させた電気・
光混載型のマルチチップモジュールが必要不可欠な技術
であると考えられている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
配線基板技術においては、このような電気信号と光信号
とを取り扱うことのできる電気・光混載型の配線基板の
開発はほとんど行なわれていなかった。唯一、光半導体
素子は、ファイバピッグテール方式（ファイバを接続し
た構造）の光デバイス／モジユール等を所定の配線基板
の表面に実装するのが主流となっている。
配線基板技術においては、このような電気信号と光信号
とを取り扱うことのできる電気・光混載型の配線基板の
開発はほとんど行なわれていなかった。唯一、光半導体
素子は、ファイバピッグテール方式（ファイバを接続し
た構造）の光デバイス／モジユール等を所定の配線基板
の表面に実装するのが主流となっている。
【０００７】しかし、光伝送技術におけるアクセス系、
光交換、光情報処理等が進むにつれて、配線基板上に実
装される光デバイス／モジュールの数が増加する結果、
個々の光デバイス／モジュールに接続されるファイバで
配線基板表面は埋め尽くされてしまう結果、取り扱いが
難しく、また配線基板自体の寸法も大型化するととも
に、ファイバーの断線などによる故障率が増大するなど
の問題が懸念されているのが現状である。
光交換、光情報処理等が進むにつれて、配線基板上に実
装される光デバイス／モジュールの数が増加する結果、
個々の光デバイス／モジュールに接続されるファイバで
配線基板表面は埋め尽くされてしまう結果、取り扱いが
難しく、また配線基板自体の寸法も大型化するととも
に、ファイバーの断線などによる故障率が増大するなど
の問題が懸念されているのが現状である。
【０００８】従って、本発明は、電気信号と光信号との
処理を行うことができ、光インタコネクションを可能と
した配線基板とそれを製造するための方法を提供するこ
とを目的とするものである。
処理を行うことができ、光インタコネクションを可能と
した配線基板とそれを製造するための方法を提供するこ
とを目的とするものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明者は、上記目的に
対して検討を重ねた結果、熱硬化性樹脂を含有する複数
の絶縁層が積層された絶縁基板と、該絶縁基板の表面お
よび／または内部に配設された配線回路層とを具備する
配線基板において、前記絶縁基板における少なくとも１
層の絶縁層にフィラー粉末を分散含有させるとともに、
該フィラー粉末を分散させた絶縁層内に繊維状の光導波
路体を埋設形成することにより上記目的が達成されるこ
とを見いだした。また、かかる配線基板においては、前
記絶縁基板表面または側面に電気光変換素子を搭載して
なることが望ましく、さらには、前記絶縁基板中に、金
属粉末が充填されたビアホール導体を具備することによ
って高密度の配線を形成することができる。
対して検討を重ねた結果、熱硬化性樹脂を含有する複数
の絶縁層が積層された絶縁基板と、該絶縁基板の表面お
よび／または内部に配設された配線回路層とを具備する
配線基板において、前記絶縁基板における少なくとも１
層の絶縁層にフィラー粉末を分散含有させるとともに、
該フィラー粉末を分散させた絶縁層内に繊維状の光導波
路体を埋設形成することにより上記目的が達成されるこ
とを見いだした。また、かかる配線基板においては、前
記絶縁基板表面または側面に電気光変換素子を搭載して
なることが望ましく、さらには、前記絶縁基板中に、金
属粉末が充填されたビアホール導体を具備することによ
って高密度の配線を形成することができる。
【００１０】また、このような配線基板の製造方法とし
ては、（ａ）熱硬化性樹脂とフィラー粉末とを含有する
未硬化の絶縁シートの所定の光導波回路形成箇所に、空
隙を形成する工程と、（ｂ）前記空隙形成部に繊維状の
光導波路体を配設する工程と、（ｃ）前記光導波路体を
配設した絶縁シートを、少なくとも熱硬化性樹脂を含有
する他の絶縁シートとともに積層一体化する工程と、
（ｄ）前記積層体を加熱処理して、前記熱硬化性樹脂を
完全硬化させる工程とを具備することを特徴とするもの
であって、特に、前記光導波路体を配設した絶縁シート
および／または他の絶縁シートの表面に配線回路層を形
成する工程および／またはビアホール導体を形成する工
程とを具備し、前記ビアホール導体は、前記絶縁シート
に形成されたビアホール内に金属粉末を充填して形成す
ることが望ましい。
ては、（ａ）熱硬化性樹脂とフィラー粉末とを含有する
未硬化の絶縁シートの所定の光導波回路形成箇所に、空
隙を形成する工程と、（ｂ）前記空隙形成部に繊維状の
光導波路体を配設する工程と、（ｃ）前記光導波路体を
配設した絶縁シートを、少なくとも熱硬化性樹脂を含有
する他の絶縁シートとともに積層一体化する工程と、
（ｄ）前記積層体を加熱処理して、前記熱硬化性樹脂を
完全硬化させる工程とを具備することを特徴とするもの
であって、特に、前記光導波路体を配設した絶縁シート
および／または他の絶縁シートの表面に配線回路層を形
成する工程および／またはビアホール導体を形成する工
程とを具備し、前記ビアホール導体は、前記絶縁シート
に形成されたビアホール内に金属粉末を充填して形成す
ることが望ましい。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、本発明の配線基板を図面を
もとに説明する。本発明の配線基板１は、熱硬化性樹脂
を含有する複数の絶縁層が積層されて絶縁基板２が形成
されており、その絶縁基板２の表面および／または内部
には配線回路層３が配設されている。また、絶縁基板２
内には、異なる層に形成された少なくとも２つの配線回
路層３間を接続するためのビアホール導体４が形成され
ている。
もとに説明する。本発明の配線基板１は、熱硬化性樹脂
を含有する複数の絶縁層が積層されて絶縁基板２が形成
されており、その絶縁基板２の表面および／または内部
には配線回路層３が配設されている。また、絶縁基板２
内には、異なる層に形成された少なくとも２つの配線回
路層３間を接続するためのビアホール導体４が形成され
ている。
【００１２】本発明によれば、絶縁基板２を構成する複
数の絶縁層のうち、少なくとも１層の絶縁層２ａが熱硬
化性樹脂とフィラー粉末との複合材料によって構成され
ており、その絶縁層２ａ内に繊維状の光導波路体５が埋
設されており、この光導波路体５をこの絶縁層２ａ内に
て張りめぐらすことによって光信号を伝送可能な光導波
回路が形成されている。
数の絶縁層のうち、少なくとも１層の絶縁層２ａが熱硬
化性樹脂とフィラー粉末との複合材料によって構成され
ており、その絶縁層２ａ内に繊維状の光導波路体５が埋
設されており、この光導波路体５をこの絶縁層２ａ内に
て張りめぐらすことによって光信号を伝送可能な光導波
回路が形成されている。
【００１３】一般に、絶縁基板中に熱硬化性樹脂を含有
する配線基板においては、配線基板全体の強度を高める
ために、ガラスクロスやアラミド繊維などの繊維体によ
る織布または不織布に樹脂を含浸させた絶縁層を少なく
とも１層含むが、繊維状の光導波路体５を絶縁基板内に
埋設する場合、このような織布または不織布などを含む
絶縁層内に繊維状の光導波路体５を埋設すると、繊維体
のうねりによって、光導波路体５に応力が生じやすく、
特に、ガラス織布等を含む場合には、光ファイバーとガ
ラス繊維とが接触した場合に、接触界面にクラック等が
発生し光導波路体５の光透過性を劣化させる等の弊害が
生じるためである。
する配線基板においては、配線基板全体の強度を高める
ために、ガラスクロスやアラミド繊維などの繊維体によ
る織布または不織布に樹脂を含浸させた絶縁層を少なく
とも１層含むが、繊維状の光導波路体５を絶縁基板内に
埋設する場合、このような織布または不織布などを含む
絶縁層内に繊維状の光導波路体５を埋設すると、繊維体
のうねりによって、光導波路体５に応力が生じやすく、
特に、ガラス織布等を含む場合には、光ファイバーとガ
ラス繊維とが接触した場合に、接触界面にクラック等が
発生し光導波路体５の光透過性を劣化させる等の弊害が
生じるためである。
【００１４】また、繊維体を含まない熱硬化性樹脂のみ
からなる絶縁層内に光導波路体５を形成すると、熱硬化
性樹脂のみからなる絶縁層自体の強度が小さいために、
光導波路体５を強固に支持固定することができず、光導
波路体５にクラックなどが発生しやすくなるためであ
る。
からなる絶縁層内に光導波路体５を形成すると、熱硬化
性樹脂のみからなる絶縁層自体の強度が小さいために、
光導波路体５を強固に支持固定することができず、光導
波路体５にクラックなどが発生しやすくなるためであ
る。
【００１５】これに対して、本発明によれば、光導波路
体５を熱硬化性樹脂中に粉末状のフィラーを分散させた
複合材料を用いることにより光導波路体５を強固に支持
固定することができる。
体５を熱硬化性樹脂中に粉末状のフィラーを分散させた
複合材料を用いることにより光導波路体５を強固に支持
固定することができる。
【００１６】また、この光導波路体５を埋設する絶縁層
２ａの熱膨張係数はガラスファイバーなどの光導波路体
５と限りなく近いことが望ましい。これは、後述する製
造方法において最終的に熱処理によって絶縁層中の熱硬
化処理を施すために、硬化時の熱膨張差によって応力が
発生し、光導波路体５にクラックが発生する恐れがある
ためである。
２ａの熱膨張係数はガラスファイバーなどの光導波路体
５と限りなく近いことが望ましい。これは、後述する製
造方法において最終的に熱処理によって絶縁層中の熱硬
化処理を施すために、硬化時の熱膨張差によって応力が
発生し、光導波路体５にクラックが発生する恐れがある
ためである。
【００１７】従って、光導波路体５と、光導波路体５を
埋設する絶縁層２ａの熱膨張差は、２０〜１５０℃にお
いて２０ｐｐｍ／℃以下、特に１０ｐｐｍ／℃以下であ
ることが望ましい。
埋設する絶縁層２ａの熱膨張差は、２０〜１５０℃にお
いて２０ｐｐｍ／℃以下、特に１０ｐｐｍ／℃以下であ
ることが望ましい。
【００１８】ここで、絶縁基板２中に含まれる熱硬化性
樹脂としては、ＰＰＥ（ポリフェニレンエーテル）、Ｂ
Ｔレジン（ビスマレイミドトリアジン）、エポキシ樹
脂、ポリイミド樹脂、フッ素樹脂、フェノール樹脂、ポ
リアミドビスマレイミド等の樹脂が挙げられ、これらの
中でも、ＰＰＥは未硬化時点でのシートの加工性及び硬
化後の材料特性に優れていることから最も望ましい。
樹脂としては、ＰＰＥ（ポリフェニレンエーテル）、Ｂ
Ｔレジン（ビスマレイミドトリアジン）、エポキシ樹
脂、ポリイミド樹脂、フッ素樹脂、フェノール樹脂、ポ
リアミドビスマレイミド等の樹脂が挙げられ、これらの
中でも、ＰＰＥは未硬化時点でのシートの加工性及び硬
化後の材料特性に優れていることから最も望ましい。
【００１９】また、絶縁層２ａにおいて、前記熱硬化性
樹脂中に分散含有されるフィラー粉末としては、ＳｉＯ
2 、Ａｌ2 Ｏ3 、ＡｌＮ等が好適であり、フィラーの形
状は平均粒径が２０μｍ以下、特に１０μｍ以下、最適
には７μｍ以下の略球形状の粉末が用いられる。この無
機質フィラーは、熱硬化性樹脂：フィラーの体積比率で
９５：５〜４０：６０の比率範囲で混合されることが望
ましい。
樹脂中に分散含有されるフィラー粉末としては、ＳｉＯ
2 、Ａｌ2 Ｏ3 、ＡｌＮ等が好適であり、フィラーの形
状は平均粒径が２０μｍ以下、特に１０μｍ以下、最適
には７μｍ以下の略球形状の粉末が用いられる。この無
機質フィラーは、熱硬化性樹脂：フィラーの体積比率で
９５：５〜４０：６０の比率範囲で混合されることが望
ましい。
【００２０】なお、絶縁層２ａの熱膨張係数は、熱硬化
性樹脂中に分散含有させるフィラー粉末の種類や含有量
によって適宜調整することもできる。
性樹脂中に分散含有させるフィラー粉末の種類や含有量
によって適宜調整することもできる。
【００２１】本発明によれば、配線基板１における絶縁
基板２は、すべての絶縁層が絶縁層２ａと同様な熱硬化
性樹脂とフィラー粉末との複合材料から構成されていて
もよいが、光導波路体５を埋設しない絶縁層であれば、
図１の断面図に示すように、ガラスクロスやアラミド繊
維などの繊維体からなる織布や不織布中に熱硬化性樹脂
を含浸させた複合材料によってコア基板を形成し、その
少なくとも一方の表面に熱硬化性樹脂とフィラー粉末と
の複合材料からなる絶縁層２ａなどの多層配線層を形成
することもできる。
基板２は、すべての絶縁層が絶縁層２ａと同様な熱硬化
性樹脂とフィラー粉末との複合材料から構成されていて
もよいが、光導波路体５を埋設しない絶縁層であれば、
図１の断面図に示すように、ガラスクロスやアラミド繊
維などの繊維体からなる織布や不織布中に熱硬化性樹脂
を含浸させた複合材料によってコア基板を形成し、その
少なくとも一方の表面に熱硬化性樹脂とフィラー粉末と
の複合材料からなる絶縁層２ａなどの多層配線層を形成
することもできる。
【００２２】本発明の配線基板によれば、図２の平面図
に示すように、絶縁基板１の内部には、繊維状の光導波
路体５が埋設されており、この光導波路体５によって光
信号を伝送可能な光導波回路が形成されている。この光
導波回路の一端には、光コネクタ６が配線基板１の側面
に一体的に取り付けられており、絶縁基板の内部に埋設
された光導波路体５と光的に接続されている。
に示すように、絶縁基板１の内部には、繊維状の光導波
路体５が埋設されており、この光導波路体５によって光
信号を伝送可能な光導波回路が形成されている。この光
導波回路の一端には、光コネクタ６が配線基板１の側面
に一体的に取り付けられており、絶縁基板の内部に埋設
された光導波路体５と光的に接続されている。
【００２３】また、配線基板１の内部または側面には、
光信号から電気信号に変換し得るレーザーダイオードな
どの光電気変換素子７が取り付けられており、この光導
波回路の他端と光的に接続されている。また、変換素子
７で光信号から電気信号に変換された信号は、配線基板
１内の配線回路層８やビアホール導体４などを経由して
配線基板１の表面、側面に搭載、または配線基板１の内
部に内蔵された他の電気回路やＩＣ素子などの電気素
子、あるいは電気コネクタ９と電気的に接続される。
光信号から電気信号に変換し得るレーザーダイオードな
どの光電気変換素子７が取り付けられており、この光導
波回路の他端と光的に接続されている。また、変換素子
７で光信号から電気信号に変換された信号は、配線基板
１内の配線回路層８やビアホール導体４などを経由して
配線基板１の表面、側面に搭載、または配線基板１の内
部に内蔵された他の電気回路やＩＣ素子などの電気素
子、あるいは電気コネクタ９と電気的に接続される。
【００２４】これによって、光コネクタ６を経由して光
導波路５に伝達された光信号は、変換素子７によって電
気信号に変換された後、配線回路層８を経由して電気コ
ネクタ９より外部の電気回路と接続することができる。
導波路５に伝達された光信号は、変換素子７によって電
気信号に変換された後、配線回路層８を経由して電気コ
ネクタ９より外部の電気回路と接続することができる。
【００２５】次に、本発明の配線基板の製造方法につい
て、図３、図４をもとに説明する。まず、以下の（ａ）
〜の工程によって単層の配線層を形成する。まず、
未硬化あるいは半硬化状態の軟質な絶縁シート２１ａを
準備し（）、その絶縁シート２１ａに対して、任意の
位置にマイクロドリル、パンチング、レーザー光などに
よりビアホール２２を形成した後（）、このビアホー
ルに導電性ペーストを充填してビアホール導体２３を形
成する（）。
て、図３、図４をもとに説明する。まず、以下の（ａ）
〜の工程によって単層の配線層を形成する。まず、
未硬化あるいは半硬化状態の軟質な絶縁シート２１ａを
準備し（）、その絶縁シート２１ａに対して、任意の
位置にマイクロドリル、パンチング、レーザー光などに
よりビアホール２２を形成した後（）、このビアホー
ルに導電性ペーストを充填してビアホール導体２３を形
成する（）。
【００２６】ビアホール加工はパンチングやレーザー加
工等が用いられるが、精度の点で炭酸ガスなどのレーザ
ー加工が好適である。ビアホール内に充填する導体ペー
ストは、銅粉末、銀粉末、銀被覆銅粉末、銅銀合金など
の平均粒径が０．５〜５０μｍの金属粉末を主として含
む。金属粉末の平均粒径が０．５μｍよりも小さいと、
金属粉末同士の接触抵抗が増加してスルーホール０重量
部に対して、融点１００〜４００℃の金属を５〜１００
重量部の割合で含有することが望ましい。これらの低融
点金属が絶縁層樹脂の硬化時に一部または全部が溶融
し、主たる金属粉末間、あるいは後述する配線回路層と
ビアホール導体との間とを強固に結合するためである。
低融点金属としては錫、亜鉛、ビスマスおよびこれらと
銀、銅などの合金が好適に用いられる。この工程〜
は絶縁シート２１ａ中の樹脂を未硬化の状態、あるいは
半硬化（Ｂステージ）の状態で行うことが工程を簡略化
する上で望ましい。
工等が用いられるが、精度の点で炭酸ガスなどのレーザ
ー加工が好適である。ビアホール内に充填する導体ペー
ストは、銅粉末、銀粉末、銀被覆銅粉末、銅銀合金など
の平均粒径が０．５〜５０μｍの金属粉末を主として含
む。金属粉末の平均粒径が０．５μｍよりも小さいと、
金属粉末同士の接触抵抗が増加してスルーホール０重量
部に対して、融点１００〜４００℃の金属を５〜１００
重量部の割合で含有することが望ましい。これらの低融
点金属が絶縁層樹脂の硬化時に一部または全部が溶融
し、主たる金属粉末間、あるいは後述する配線回路層と
ビアホール導体との間とを強固に結合するためである。
低融点金属としては錫、亜鉛、ビスマスおよびこれらと
銀、銅などの合金が好適に用いられる。この工程〜
は絶縁シート２１ａ中の樹脂を未硬化の状態、あるいは
半硬化（Ｂステージ）の状態で行うことが工程を簡略化
する上で望ましい。
【００２７】この絶縁シート２１ａは、熱硬化性樹脂あ
るいは熱硬化性樹脂と無機質フィラー粉末との複合材料
によって形成できる。また、市販のプリプレグなどガラ
ス織布あるいは不織布などの繊維状補強材が含まれるも
のであっても良い。繊維状補強材があると基板全体の強
度が高くなるので、基板の中心に対して対象になる様
に、補強材の含まれる層を配置する方が反りや変形を防
止できる。
るいは熱硬化性樹脂と無機質フィラー粉末との複合材料
によって形成できる。また、市販のプリプレグなどガラ
ス織布あるいは不織布などの繊維状補強材が含まれるも
のであっても良い。繊維状補強材があると基板全体の強
度が高くなるので、基板の中心に対して対象になる様
に、補強材の含まれる層を配置する方が反りや変形を防
止できる。
【００２８】そして、この絶縁シート２１ａの表面に対
して配線回路層２４を形成する。この配線回路層２４
は、絶縁シート２１ａの表面に銅箔を一面に接着した後
に、エッチングなどによって回路形成してもよいが、以
下の転写法によることが工程の簡略化および絶縁シート
へのエッチングによるダメージを回避する上で望まし
い。
して配線回路層２４を形成する。この配線回路層２４
は、絶縁シート２１ａの表面に銅箔を一面に接着した後
に、エッチングなどによって回路形成してもよいが、以
下の転写法によることが工程の簡略化および絶縁シート
へのエッチングによるダメージを回避する上で望まし
い。
【００２９】転写法による回路の形成は、転写フィルム
２５の表面一面に接着された金属箔に対して感光性レジ
スト形成／露光／現像／エッチング処理／レジスト除去
によって所定のパターンからなる配線回路層２４を形成
し、この配線回路層２４が形成された転写フィルム２５
の配線回路層２４形成側を絶縁シート２１の表面に積層
する（）。その後、転写フィルム２５の配線回路層２
４を絶縁シート２１ａに圧着することによって、軟質状
態の絶縁シート２１の表面に配線回路層２４を埋設した
後、転写フィルム２５のみを剥離して、配線回路層２４
を形成した単層の一般配線層Ａを形成できる（）。こ
の時の圧着時の圧力は、３ｋｇ／ｃｍ2以上、温度６０
℃以上が適当である。
２５の表面一面に接着された金属箔に対して感光性レジ
スト形成／露光／現像／エッチング処理／レジスト除去
によって所定のパターンからなる配線回路層２４を形成
し、この配線回路層２４が形成された転写フィルム２５
の配線回路層２４形成側を絶縁シート２１の表面に積層
する（）。その後、転写フィルム２５の配線回路層２
４を絶縁シート２１ａに圧着することによって、軟質状
態の絶縁シート２１の表面に配線回路層２４を埋設した
後、転写フィルム２５のみを剥離して、配線回路層２４
を形成した単層の一般配線層Ａを形成できる（）。こ
の時の圧着時の圧力は、３ｋｇ／ｃｍ2以上、温度６０
℃以上が適当である。
【００３０】次に、以下の（ｂ）〜の工程によって
光導波路体を有する単層の配線層Ｂを形成する。まず、
光導波路体形成用として、熱硬化性樹脂とフィラー粉末
との複合物からなる絶縁シート２１ｂを作製する
（）。この絶縁シート２１ｂは、熱硬化性樹脂とフィ
ラー粉末との複合物をドクターブレード法などによって
シート化することにより作製できる。
光導波路体を有する単層の配線層Ｂを形成する。まず、
光導波路体形成用として、熱硬化性樹脂とフィラー粉末
との複合物からなる絶縁シート２１ｂを作製する
（）。この絶縁シート２１ｂは、熱硬化性樹脂とフィ
ラー粉末との複合物をドクターブレード法などによって
シート化することにより作製できる。
【００３１】次に、絶縁シート２１ｂに対して任意の位
置にマイクロドリル、パンチング、レーザー光などによ
りビアホール導体形成用のビアホール２２を形成する
（）。このビアホール２２には、（ａ）と同様に導
体ペーストを充填し、ビアホール導体２３を形成する
（）。
置にマイクロドリル、パンチング、レーザー光などによ
りビアホール導体形成用のビアホール２２を形成する
（）。このビアホール２２には、（ａ）と同様に導
体ペーストを充填し、ビアホール導体２３を形成する
（）。
【００３２】また、ビアホール２２形成時に、またはビ
アホール導体形成後に、光ファイバーなどの光導波路体
による光導波回路形成部分に、レーザーなどの方法で所
定の間隔をおいて複数の空隙２６を形成する（）。こ
の空隙２６は連続した溝として形成してしまうと、絶縁
シート２１が切断されてしまうことから、図３（ｂ）
’の一部平面図に示すように、回路形成部分に所定間
隔をおいてビアホール２６ａを所定間隔をおいて回路に
沿って多数形成することが望ましい。
アホール導体形成後に、光ファイバーなどの光導波路体
による光導波回路形成部分に、レーザーなどの方法で所
定の間隔をおいて複数の空隙２６を形成する（）。こ
の空隙２６は連続した溝として形成してしまうと、絶縁
シート２１が切断されてしまうことから、図３（ｂ）
’の一部平面図に示すように、回路形成部分に所定間
隔をおいてビアホール２６ａを所定間隔をおいて回路に
沿って多数形成することが望ましい。
【００３３】次に、上記絶縁シート２１に形成した空隙
２６に光ファイバーなどの光導波路体２７を埋設して光
導波路体を埋設して単層の配線層Ｂを作製する。空隙２
７は、ビアホール２６ａが回路に沿って多数形成されて
いるために、絶縁シート２１ｂにおける空隙２６形成部
を塑性変形させて光導波路体２７を埋設することができ
る。
２６に光ファイバーなどの光導波路体２７を埋設して光
導波路体を埋設して単層の配線層Ｂを作製する。空隙２
７は、ビアホール２６ａが回路に沿って多数形成されて
いるために、絶縁シート２１ｂにおける空隙２６形成部
を塑性変形させて光導波路体２７を埋設することができ
る。
【００３４】また、この時、絶縁シート２１ｂに対して
は、光導波路体２７と接続される変換素子やコネクタな
どを配線基板内に埋設したり、取り付けるための空隙部
を形成しておくことも可能である。
は、光導波路体２７と接続される変換素子やコネクタな
どを配線基板内に埋設したり、取り付けるための空隙部
を形成しておくことも可能である。
【００３５】このような光導波路体２７を埋設する絶縁
シート２１ｂの厚みは、１００〜３００μｍ、特に１０
０〜１５０μｍであることが望ましい。その厚みが１０
０μｍよりも薄いと、絶縁層による光導波路体２７の保
護ができない場合があり、また、３００μｍを超える
と、配線基板全体の厚みが厚くなり、また基板が重くな
るために、小型軽量化には不向きである。最適にはガラ
スファイバーなどの光導波路体の厚さと同じかあるいは
光導波路体の直径の±２５％以内が良い。
シート２１ｂの厚みは、１００〜３００μｍ、特に１０
０〜１５０μｍであることが望ましい。その厚みが１０
０μｍよりも薄いと、絶縁層による光導波路体２７の保
護ができない場合があり、また、３００μｍを超える
と、配線基板全体の厚みが厚くなり、また基板が重くな
るために、小型軽量化には不向きである。最適にはガラ
スファイバーなどの光導波路体の厚さと同じかあるいは
光導波路体の直径の±２５％以内が良い。
【００３６】なお、光導波路体２７を空隙２６に埋設処
理するにあたって、空隙２６は、光導波回路の長さ、即
ち、埋設する光導波路体の長さに対して、３０〜８０％
の部分が除去されていることが望ましい。これは前記空
隙量が３０％未満では光導波路体２７を埋設する場合
に、十分な埋設ができず、配線基板が変形したり、埋設
処理時に光導波路体２７に余分が応力が付加されて光導
波路体２７が折れる危険性がある。また、８０％よりも
多いと、絶縁シートが空隙加工時に切断されてしまう恐
れがあるためである。
理するにあたって、空隙２６は、光導波回路の長さ、即
ち、埋設する光導波路体の長さに対して、３０〜８０％
の部分が除去されていることが望ましい。これは前記空
隙量が３０％未満では光導波路体２７を埋設する場合
に、十分な埋設ができず、配線基板が変形したり、埋設
処理時に光導波路体２７に余分が応力が付加されて光導
波路体２７が折れる危険性がある。また、８０％よりも
多いと、絶縁シートが空隙加工時に切断されてしまう恐
れがあるためである。
【００３７】次に、図３によって作製した一般配線層Ａ
と光導波路体２７を形成した配線層Ｂを用いて多層配線
基板を図４に従って作製する。
と光導波路体２７を形成した配線層Ｂを用いて多層配線
基板を図４に従って作製する。
【００３８】（ｃ）まず、光導波路体２７が埋設された
配線層Ｂの両面に、一般配線層Ａの配線回層２４形成面
を配線層Ａ側にして位置合せして積層して積層体Ｃを作
製する。
配線層Ｂの両面に、一般配線層Ａの配線回層２４形成面
を配線層Ａ側にして位置合せして積層して積層体Ｃを作
製する。
【００３９】（ｄ）また、積層体Ｃの表面に配線回路層
を形成するにあたっては、転写法によることが望まし
い。それは、エッチング法等によって積層体Ｃの状態で
回路パターン形成すると、エッチング液などによって光
導波路体２７が浸食されてしまうためである。そこで、
転写フィルム２８の表面に形成された配線回路層２９を
積層体Ｃの片方または両方の表面に圧着することによっ
て、軟質状態の積層体Ｃの表面に配線回路層２９を埋設
する。この時の圧着時の圧力は、３ｋｇ／ｃｍ2 以上、
温度６０℃以上が適当である。
を形成するにあたっては、転写法によることが望まし
い。それは、エッチング法等によって積層体Ｃの状態で
回路パターン形成すると、エッチング液などによって光
導波路体２７が浸食されてしまうためである。そこで、
転写フィルム２８の表面に形成された配線回路層２９を
積層体Ｃの片方または両方の表面に圧着することによっ
て、軟質状態の積層体Ｃの表面に配線回路層２９を埋設
する。この時の圧着時の圧力は、３ｋｇ／ｃｍ2 以上、
温度６０℃以上が適当である。
【００４０】（ｅ）その後、転写フィルム２８のみを剥
離することにより、配線回路層２９を転写させることが
できる。
離することにより、配線回路層２９を転写させることが
できる。
【００４１】（ｆ）また、さらに多層化を図る場合も、
所望の数の配線層Ａまたは配線層Ｂを位置合わせして積
層し、場合によって配線回路層の形成を行ってもよい。
所望の数の配線層Ａまたは配線層Ｂを位置合わせして積
層し、場合によって配線回路層の形成を行ってもよい。
【００４２】このようにして多層化処理して作製した積
層体Ｄを絶縁層中の熱硬化性樹脂が完全に硬化し得る充
分な温度に加熱することにより熱硬化性樹脂を硬化さ
せ、適宜、メッキ等必要な処理を行う、不要な部分をカ
ットするなどの処理を行って、図１に示されるような多
層配線基板を作製することができる。
層体Ｄを絶縁層中の熱硬化性樹脂が完全に硬化し得る充
分な温度に加熱することにより熱硬化性樹脂を硬化さ
せ、適宜、メッキ等必要な処理を行う、不要な部分をカ
ットするなどの処理を行って、図１に示されるような多
層配線基板を作製することができる。
【００４３】また、場合によっては、このようにして作
製した光導波路体２５を埋設してなる多層配線基板に対
して、前述したような光コネクタ、光電気変換素子、電
気コネクタなどを実装または取り付けることにより、光
電気変換可能な電気部品を作製することができる。
製した光導波路体２５を埋設してなる多層配線基板に対
して、前述したような光コネクタ、光電気変換素子、電
気コネクタなどを実装または取り付けることにより、光
電気変換可能な電気部品を作製することができる。
【００４４】
【実施例】実施例 （配線層Ａ） １）ポリフェニレンエーテル樹脂に対して球状シリカを
体積比で５０：５０となる組成物を用い、これをドクタ
ーブレード法によって厚さ１２０μｍの半硬化状態の絶
縁シートＡを作製した。
体積比で５０：５０となる組成物を用い、これをドクタ
ーブレード法によって厚さ１２０μｍの半硬化状態の絶
縁シートＡを作製した。
【００４５】２）その後、この絶縁シートＡに対して、
炭酸ガスレーザーによって直径が１００μｍの大きさの
ビアホールを形成した。なお、レーザーの照射条件は、
１パルス当たり５ｍＪ、１つのビア形成に対して３パル
ス印加、エネルギーのばらつきは１パルス当たり０．９
ｍＪ以下とした。
炭酸ガスレーザーによって直径が１００μｍの大きさの
ビアホールを形成した。なお、レーザーの照射条件は、
１パルス当たり５ｍＪ、１つのビア形成に対して３パル
ス印加、エネルギーのばらつきは１パルス当たり０．９
ｍＪ以下とした。
【００４６】３）そして、ビアホール内に、平均粒径が
５μｍの銀被覆銅粉末と平均粒径が５μｍの半田粉末を
５０／５０重量％で混合したものに、トリアリルイソシ
アヌレートを添加した導体ペーストをスクリーン印刷法
によって充填してビアホール導体を形成した。
５μｍの銀被覆銅粉末と平均粒径が５μｍの半田粉末を
５０／５０重量％で混合したものに、トリアリルイソシ
アヌレートを添加した導体ペーストをスクリーン印刷法
によって充填してビアホール導体を形成した。
【００４７】４）一方、ポリエチレンテレフタレート
（ＰＥＴ）からなる転写フィルムの表面に１２μｍの銅
箔を接着した後、この銅箔の表面に、感光性レジスト塗
布／露光／現像／エッチング／レジスト除去によって配
線回路層を形成した。
（ＰＥＴ）からなる転写フィルムの表面に１２μｍの銅
箔を接着した後、この銅箔の表面に、感光性レジスト塗
布／露光／現像／エッチング／レジスト除去によって配
線回路層を形成した。
【００４８】５）そして、ビアホール導体が形成された
絶縁シートＡの表面に、転写フィルムの配線回路層側を
積層して２０ｋｇ／ｃｍ2 の圧力と１２０℃の温度を１
分間印加した後、その転写フィルムを剥がし、配線回路
層を軟質の絶縁シートＡの表面に埋設した。絶縁シート
Ａの配線回路層形成面の表面は平滑性に優れたものであ
った。
絶縁シートＡの表面に、転写フィルムの配線回路層側を
積層して２０ｋｇ／ｃｍ2 の圧力と１２０℃の温度を１
分間印加した後、その転写フィルムを剥がし、配線回路
層を軟質の絶縁シートＡの表面に埋設した。絶縁シート
Ａの配線回路層形成面の表面は平滑性に優れたものであ
った。
【００４９】（配線層Ｂ） １）ポリフェニレンエーテル樹脂に対して球状シリカを
体積比で５０：５０となる組成物を用い、これをドクタ
ーブレード法によって厚さ１２０μｍの半硬化状態の絶
縁シートＢを作製した。
体積比で５０：５０となる組成物を用い、これをドクタ
ーブレード法によって厚さ１２０μｍの半硬化状態の絶
縁シートＢを作製した。
【００５０】２）その後、この絶縁シートＢに対して、
炭酸ガスレーザーによって直径が１００μｍの大きさの
ビアホールを形成した。なお、レーザーの照射条件は、
１パルス当たり５ｍＪ、１つのビア形成に対して３パル
ス印加、エネルギーのばらつきは１パルス当たり０．９
ｍＪ以下とした。
炭酸ガスレーザーによって直径が１００μｍの大きさの
ビアホールを形成した。なお、レーザーの照射条件は、
１パルス当たり５ｍＪ、１つのビア形成に対して３パル
ス印加、エネルギーのばらつきは１パルス当たり０．９
ｍＪ以下とした。
【００５１】３）そして、ビアホール内に、平均粒径が
５μｍの銀被覆銅粉末と平均粒径が５μｍの半田粉末を
５０／５０重量％で混合したものに、トリアリルイソシ
アヌレートを添加した導体ペーストをスクリーン印刷法
によって充填してビアホール導体を形成した。
５μｍの銀被覆銅粉末と平均粒径が５μｍの半田粉末を
５０／５０重量％で混合したものに、トリアリルイソシ
アヌレートを添加した導体ペーストをスクリーン印刷法
によって充填してビアホール導体を形成した。
【００５２】４）その後、この絶縁シートに対して、光
導波回路を形成する箇所に、炭酸ガスレーザーによって
直径が１００μｍの大きさのビアホールを回路に沿って
複数形成した。なお、レーザーによるビアホールの形成
にあたっては、光ファイバーの全長の５０％の長さ部分
に相当する部分を開孔した。
導波回路を形成する箇所に、炭酸ガスレーザーによって
直径が１００μｍの大きさのビアホールを回路に沿って
複数形成した。なお、レーザーによるビアホールの形成
にあたっては、光ファイバーの全長の５０％の長さ部分
に相当する部分を開孔した。
【００５３】５）そして、そのビアホールが回路に沿っ
て形成された部分に、直径１００μｍの光ファイバーを
埋め込んでファイバーを埋設した配線層Ａを作製した。
て形成された部分に、直径１００μｍの光ファイバーを
埋め込んでファイバーを埋設した配線層Ａを作製した。
【００５４】（積層処理）その後、光ファイバーを埋設
した配線層Ｂの表面に、上記と同様に作製された２枚の
配線層Ａを配線層Ｂの上下面に位置合わせして積層一体
化した。
した配線層Ｂの表面に、上記と同様に作製された２枚の
配線層Ａを配線層Ｂの上下面に位置合わせして積層一体
化した。
【００５５】そして、作製した積層体の表面に、上記配
線層Ａ形成の４）５）の工程を再度繰り返して配線回路
層を形成した。
線層Ａ形成の４）５）の工程を再度繰り返して配線回路
層を形成した。
【００５６】その後、上記積層体を２００℃で１時間加
熱処理して、絶縁層中の熱硬化性樹脂を完全硬化させ
て、基板全体としては、配線回路層が全部で６層からな
り、中央部に光ファイバーが埋設された多層配線基板を
作製することができた。
熱処理して、絶縁層中の熱硬化性樹脂を完全硬化させ
て、基板全体としては、配線回路層が全部で６層からな
り、中央部に光ファイバーが埋設された多層配線基板を
作製することができた。
【００５７】作製した多層配線基板に対して、上面側お
よび下面側の多層配線層間の電気的な導通を測定したと
ころ、全く問題のない良好な導通状態が得られた。ま
た、ＨＡＳＴ試験（１３０℃／湿度８５％／３００時間
保持）、ＰＣＴ試験（１２１℃／湿度１００％／２．１
気圧）について評価した結果、抵抗変化率１０％以下、
絶縁層の抵抗１０11Ω以上と良好であった。また、埋設
された光ファイバーの信号の伝達性について評価した結
果、良好な状態であることが確認された。
よび下面側の多層配線層間の電気的な導通を測定したと
ころ、全く問題のない良好な導通状態が得られた。ま
た、ＨＡＳＴ試験（１３０℃／湿度８５％／３００時間
保持）、ＰＣＴ試験（１２１℃／湿度１００％／２．１
気圧）について評価した結果、抵抗変化率１０％以下、
絶縁層の抵抗１０11Ω以上と良好であった。また、埋設
された光ファイバーの信号の伝達性について評価した結
果、良好な状態であることが確認された。
【００５８】さらに、作製した多層配線基板の表面の平
坦度（うねり）を触針式表面粗さ計により測定した結
果、２０μｍ以下であり、半導体用パッケージとしてフ
リップチップ実装も可能な平坦性を示していた。また、
この基板を−６５℃×３０分と１２５℃×３０分の温度
サイクルを５００回繰り返した後の多層配線基板の断面
観察を行なった結果、配線層の剥離、光ファイバー埋設
部での不良等が発生は認められなかった。
坦度（うねり）を触針式表面粗さ計により測定した結
果、２０μｍ以下であり、半導体用パッケージとしてフ
リップチップ実装も可能な平坦性を示していた。また、
この基板を−６５℃×３０分と１２５℃×３０分の温度
サイクルを５００回繰り返した後の多層配線基板の断面
観察を行なった結果、配線層の剥離、光ファイバー埋設
部での不良等が発生は認められなかった。
【００５９】比較例 ガラスクロスにエポキシ樹脂を５０体積％の割合で含浸
させたプリプレグに対して、実施例と同様に、炭酸ガス
レーザーによって直径が１００μｍの大きさのビアホー
ルを形成し、導体ペーストをスクリーン印刷法によって
充填してビアホール導体を形成した。
させたプリプレグに対して、実施例と同様に、炭酸ガス
レーザーによって直径が１００μｍの大きさのビアホー
ルを形成し、導体ペーストをスクリーン印刷法によって
充填してビアホール導体を形成した。
【００６０】その後、この絶縁シートに対して、光導波
回路を形成する箇所に、炭酸ガスレーザーによって直径
が１００μｍの大きさのビアホールを回路に沿って複数
形成した。なお、レーザーによるビアホールの形成にあ
たっては、光ファイバーの全長の５０％の長さ部分に相
当する部分を開孔した。
回路を形成する箇所に、炭酸ガスレーザーによって直径
が１００μｍの大きさのビアホールを回路に沿って複数
形成した。なお、レーザーによるビアホールの形成にあ
たっては、光ファイバーの全長の５０％の長さ部分に相
当する部分を開孔した。
【００６１】そして、そのビアホールが回路に沿って形
成された部分に、直径１００μｍの光ファイバーを埋め
込んでファイバーを埋設した配線層Ｃを作製した。
成された部分に、直径１００μｍの光ファイバーを埋め
込んでファイバーを埋設した配線層Ｃを作製した。
【００６２】一方、実施例の６）７）８）と同様にして
ビアホール導体と配線回路層が形成された配線層Ｄを作
製し、その後、光ファイバーを埋設した配線層Ｃの上下
面に、上記６）７）８）を経て同様に作製された２枚の
配線層Ｄを位置合わせして積層一体化した。そして、
９）によって作製した積層体の表面に、上記７）８）の
工程を再度繰り返して配線回路層を形成した。
ビアホール導体と配線回路層が形成された配線層Ｄを作
製し、その後、光ファイバーを埋設した配線層Ｃの上下
面に、上記６）７）８）を経て同様に作製された２枚の
配線層Ｄを位置合わせして積層一体化した。そして、
９）によって作製した積層体の表面に、上記７）８）の
工程を再度繰り返して配線回路層を形成した。
【００６３】その後、上記積層体を２００℃で１時間加
熱処理して、絶縁層中の熱硬化性樹脂を完全硬化させ
て、基板全体としては、配線回路層が全部で６層からな
り、中央部に光ファイバーが埋設された多層配線基板を
作製した。
熱処理して、絶縁層中の熱硬化性樹脂を完全硬化させ
て、基板全体としては、配線回路層が全部で６層からな
り、中央部に光ファイバーが埋設された多層配線基板を
作製した。
【００６４】この多層配線基板に対して、実施例と同様
な評価を行った結果、ビアホール導体および配線回路層
については格別な問題はなかったが、埋設された光ファ
イバーに微細なクラックが認められ、光信号の伝送がで
きないものであった。
な評価を行った結果、ビアホール導体および配線回路層
については格別な問題はなかったが、埋設された光ファ
イバーに微細なクラックが認められ、光信号の伝送がで
きないものであった。
【００６５】
【発明の効果】以上詳述した通り、本発明の配線基板に
よれば、熱硬化性樹脂を含有する絶縁層を積層してなる
多層配線基板内に、光ファイバーなどの光導波路体を埋
設することができ、これによって、高周波信号に対応可
能な高精細配線化と光インタコネクションを可能とした
配線基板を提供することができる。これにより、電気信
号・光信号を同時に処理できるカードまたはボードなど
に好適な多層配線基板を得ることができる。
よれば、熱硬化性樹脂を含有する絶縁層を積層してなる
多層配線基板内に、光ファイバーなどの光導波路体を埋
設することができ、これによって、高周波信号に対応可
能な高精細配線化と光インタコネクションを可能とした
配線基板を提供することができる。これにより、電気信
号・光信号を同時に処理できるカードまたはボードなど
に好適な多層配線基板を得ることができる。
【図１】本発明の配線基板の基本的な構造を説明するた
めの概略断面図である。
めの概略断面図である。
【図２】本発明の配線基板の一例を説明するための
（ａ）概略平面図と、（ｂ）そのｘ−ｘ断面図である。
（ａ）概略平面図と、（ｂ）そのｘ−ｘ断面図である。
【図３】本発明の配線基板の製造方法の一例を説明する
ための工程図である。
ための工程図である。
【図４】本発明の配線基板の製造方法の図３の工程図に
続く工程図である。
続く工程図である。
１ 配線基板 ２ 絶縁基板 ３，８ 配線回路層 ４ ビアホール導体 ５ 光導波路体 ６ 光コネクタ ７ 光電気変換素子 ９ 電気コネクタ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０５Ｋ 3/46 Ｈ０５Ｋ 3/46 Ｑ Ｇ０２Ｂ 6/12 Ｂ Ｈ０１Ｌ 23/12 Ｎ 23/14 Ｒ
Claims (6)
- 【請求項１】熱硬化性樹脂を含有する複数の絶縁層が積
層された絶縁基板と、該絶縁基板の表面および／または
内部に配設された配線回路層とを具備する配線基板であ
って、前記絶縁基板における少なくとも１層の絶縁層に
フィラー粉末を分散含有させるとともに、該フィラー粉
末を分散させた絶縁層内に繊維状の光導波路体を埋設形
成したことを特徴とする配線基板。 - 【請求項２】前記絶縁基板表面または側面に電気光変換
素子を搭載してなることを特徴とする請求項１記載の配
線基板。 - 【請求項３】前記絶縁基板中に、金属粉末が充填された
ビアホール導体を具備することを特徴とする請求項１記
載の配線基板。 - 【請求項４】（ａ）熱硬化性樹脂とフィラー粉末とを含
有する未硬化の絶縁シートの所定の光導波回路形成箇所
に、空隙を形成する工程と、 （ｂ）前記空隙形成部に繊維状の光導波路体を配設する
工程と、 （ｃ）前記光導波路体を配設した絶縁シートを、少なく
とも熱硬化性樹脂を含有する他の絶縁シートとともに積
層一体化する工程と、 （ｄ）前記積層体を加熱処理して、前記熱硬化性樹脂を
完全硬化させる工程とを具備することを特徴とする配線
基板の製造方法。 - 【請求項５】前記光導波路体を配設した絶縁シートおよ
び／または他の絶縁シートの表面に配線回路層を形成す
る工程および／またはビアホール導体を形成する工程と
を具備することを特徴とする請求項４記載の配線基板の
製造方法。 - 【請求項６】前記ビアホール導体を、前記絶縁シートに
形成されたビアホール内に金属粉末を充填して形成する
ことを特徴とする請求項５記載の配線基板の製造方法。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15157699A JP3699614B2 (ja) | 1999-05-31 | 1999-05-31 | 配線基板およびその製造方法 |
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|---|---|---|---|
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|---|---|
| JP2000340907A true JP2000340907A (ja) | 2000-12-08 |
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Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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