JP2000340685A - ガラスシール電子部品 - Google Patents
ガラスシール電子部品Info
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- JP2000340685A JP2000340685A JP14776499A JP14776499A JP2000340685A JP 2000340685 A JP2000340685 A JP 2000340685A JP 14776499 A JP14776499 A JP 14776499A JP 14776499 A JP14776499 A JP 14776499A JP 2000340685 A JP2000340685 A JP 2000340685A
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- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 マイグレーションの発生を抑制することので
きるガラスシールダイオードを提供する。 【解決手段】 半導体層６と、これの表面に形成された
表面電極７と、半導体層６の裏面に形成された裏面電極
８とを有するダイオードチップ１がガラス３によってシ
ールされたガラスシールダイオードであって、裏面電極
８は、水の存在によるイオン化のしにくい金属材料によ
って形成された。
きるガラスシールダイオードを提供する。 【解決手段】 半導体層６と、これの表面に形成された
表面電極７と、半導体層６の裏面に形成された裏面電極
８とを有するダイオードチップ１がガラス３によってシ
ールされたガラスシールダイオードであって、裏面電極
８は、水の存在によるイオン化のしにくい金属材料によ
って形成された。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本願発明は、半導体チップが
ガラスによって封止されたガラスシール電子部品に関す
る。
ガラスによって封止されたガラスシール電子部品に関す
る。
【０００２】
【従来の技術および発明が解決しようとする課題】従来
より、スイッチングダイオードや整流ダイオードには、
ダイオードチップがガラスによって封止されたガラスシ
ールダイオードが用いられている。ガラスシールダイオ
ードの構造の一例を、図３に示す。このガラスシールダ
イオードは、ダイオードチップ１が２個のデュメット２
に挟み込まれ、ダイオードチップ１および各デュメット
２が略円筒形状のガラス３によって封止された構成とさ
れている。各デュメット２の端面には、アノード側リー
ド線４およびカソード側リード線５がそれぞれ接続され
ている。
より、スイッチングダイオードや整流ダイオードには、
ダイオードチップがガラスによって封止されたガラスシ
ールダイオードが用いられている。ガラスシールダイオ
ードの構造の一例を、図３に示す。このガラスシールダ
イオードは、ダイオードチップ１が２個のデュメット２
に挟み込まれ、ダイオードチップ１および各デュメット
２が略円筒形状のガラス３によって封止された構成とさ
れている。各デュメット２の端面には、アノード側リー
ド線４およびカソード側リード線５がそれぞれ接続され
ている。
【０００３】ダイオードチップ１は、ｐｎ接合を有する
半導体層６の表面に、Ａｇからなる表面電極（バンプ）
７が形成され、上記半導体層６の裏面に、Ａｇからなる
裏面電極８が形成されている。
半導体層６の表面に、Ａｇからなる表面電極（バンプ）
７が形成され、上記半導体層６の裏面に、Ａｇからなる
裏面電極８が形成されている。
【０００４】ここで、表面電極７および裏面電極８にＡ
ｇが用いられる理由としては、Ａｇは酸化しにくいこ
と、他の金属に対して比較的軟質であり、電気抵抗率が
小さいことなどが挙げられる。すなわち、ダイオードチ
ップ１およびデュメット２をガラス３でシールする場
合、約６００℃の温度で加熱するが、この加熱によりガ
ラス３は膨張、収縮する。その収縮に対する緩衝材とな
るものとしてＡｇが好適だからである。また、裏面電極
８側では、デュメット２の表面に形成される凹凸による
接触抵抗を抑える必要があり、そのために軟質金属であ
り、電気抵抗率が小さいＡｇが適当である。
ｇが用いられる理由としては、Ａｇは酸化しにくいこ
と、他の金属に対して比較的軟質であり、電気抵抗率が
小さいことなどが挙げられる。すなわち、ダイオードチ
ップ１およびデュメット２をガラス３でシールする場
合、約６００℃の温度で加熱するが、この加熱によりガ
ラス３は膨張、収縮する。その収縮に対する緩衝材とな
るものとしてＡｇが好適だからである。また、裏面電極
８側では、デュメット２の表面に形成される凹凸による
接触抵抗を抑える必要があり、そのために軟質金属であ
り、電気抵抗率が小さいＡｇが適当である。
【０００５】ところで、上記ガラスシールダイオードに
おいて、たとえば、ガラス３やデュメット２に微細な隙
間や孔があったり、ガラス３のシールが十分でなかった
りした場合、ガラスシールダイオード内に水分が侵入す
るときがある。そして、この水分が結露した状態で、ア
ノード、カソード間に逆電圧が印加されると、アノー
ド、カソード間が短絡するに至る現象、いわゆるマイグ
レーションが発生することがある。
おいて、たとえば、ガラス３やデュメット２に微細な隙
間や孔があったり、ガラス３のシールが十分でなかった
りした場合、ガラスシールダイオード内に水分が侵入す
るときがある。そして、この水分が結露した状態で、ア
ノード、カソード間に逆電圧が印加されると、アノー
ド、カソード間が短絡するに至る現象、いわゆるマイグ
レーションが発生することがある。
【０００６】この現象は、従来、半導体層６の表面に形
成された表面電極７におけるＡｇによるものと考えられ
ていたが、本願発明者らの実験研究により、半導体層６
の裏面に形成された裏面電極８におけるＡｇによるもの
であることがわかった。
成された表面電極７におけるＡｇによるものと考えられ
ていたが、本願発明者らの実験研究により、半導体層６
の裏面に形成された裏面電極８におけるＡｇによるもの
であることがわかった。
【０００７】図４は、Ａｇによるマイグレーションの発
生を検証するための実験装置の構成を示す図である。同
図によると、アルミニウム箔Ｆを敷いたＳＵＳ製のステ
ージＳ上に、ダイオードチップ１を載置し、ダイオード
チップ１の周囲を超純水あるいは市水で浸す。表面電極
７にプローブＰをあてて、表面電極７、ステージＳ間に
５Ｖの直流逆電圧を４分間、印加する。
生を検証するための実験装置の構成を示す図である。同
図によると、アルミニウム箔Ｆを敷いたＳＵＳ製のステ
ージＳ上に、ダイオードチップ１を載置し、ダイオード
チップ１の周囲を超純水あるいは市水で浸す。表面電極
７にプローブＰをあてて、表面電極７、ステージＳ間に
５Ｖの直流逆電圧を４分間、印加する。
【０００８】上記実験方法において、裏面電極８が形成
されたダイオードチップ１と、裏面電極８が形成されて
いないダイオードチップ１とについて実験を行ったとこ
ろ、前者では、マイグレーションが発生したことを確認
し、後者では、マイグレーションが発生しなかったこと
を確認した。
されたダイオードチップ１と、裏面電極８が形成されて
いないダイオードチップ１とについて実験を行ったとこ
ろ、前者では、マイグレーションが発生したことを確認
し、後者では、マイグレーションが発生しなかったこと
を確認した。
【０００９】このようなＡｇによるマイグレーション
は、以下のような発生形態で生ずることが考えられる。
すなわち、ガラスシールダイオード内の水分が結露した
状態で、数ボルトの逆電圧が印加されると、ダイオード
チップ１のカソード側である裏面電極８では、(1)〜(3)
式に示すような化学反応が生じ、Ａｇがイオン化され
る。
は、以下のような発生形態で生ずることが考えられる。
すなわち、ガラスシールダイオード内の水分が結露した
状態で、数ボルトの逆電圧が印加されると、ダイオード
チップ１のカソード側である裏面電極８では、(1)〜(3)
式に示すような化学反応が生じ、Ａｇがイオン化され
る。
【００１０】
【数１】
【数２】
【数３】
【００１１】すなわち、カソード側では、裏面電極８の
Ａｇと水酸化イオンとが反応し、水ＡｇＯＨ（水酸化
銀）が生成される。このＡｇＯＨは、(2)式に示すよう
に、コロイド状のＡｇ2 Ｏ（酸化銀）を生成したり、
(3)式に示すように、イオン化されたＡｇを生成する。
Ａｇと水酸化イオンとが反応し、水ＡｇＯＨ（水酸化
銀）が生成される。このＡｇＯＨは、(2)式に示すよう
に、コロイド状のＡｇ2 Ｏ（酸化銀）を生成したり、
(3)式に示すように、イオン化されたＡｇを生成する。
【００１２】イオン化されたＡｇは、結露した水分中を
移動し、ダイオードチップ１のアノード側である表面電
極７に達する。そして、表面電極７では、(4)式に示す
ような化学反応（還元反応）が生じ、ダイオードチップ
１の表面にＡｇが析出する。
移動し、ダイオードチップ１のアノード側である表面電
極７に達する。そして、表面電極７では、(4)式に示す
ような化学反応（還元反応）が生じ、ダイオードチップ
１の表面にＡｇが析出する。
【００１３】
【数４】
【００１４】この析出したＡｇによりダイオードチップ
１に導電経路が生じ、これにより、アノード、カソード
間が短絡するに至る。このように、ガラスシールダイオ
ードにおいて、ダイオードチップ１の裏面電極８をＡｇ
によって形成すると、Ａｇによるマイグレーションが発
生することがあった。
１に導電経路が生じ、これにより、アノード、カソード
間が短絡するに至る。このように、ガラスシールダイオ
ードにおいて、ダイオードチップ１の裏面電極８をＡｇ
によって形成すると、Ａｇによるマイグレーションが発
生することがあった。
【００１５】
【発明の開示】本願発明は、上記した事情のもとで考え
出されたものであって、マイグレーションの発生を抑制
することのできるガラスシール電子部品を提供すること
を、その課題とする。
出されたものであって、マイグレーションの発生を抑制
することのできるガラスシール電子部品を提供すること
を、その課題とする。
【００１６】上記の課題を解決するため、本願発明で
は、次の技術的手段を講じている。
は、次の技術的手段を講じている。
【００１７】本願発明の第１の側面におけるガラスシー
ル電子部品によれば、半導体層と、これの表面に形成さ
れた表面電極と、半導体層の裏面に形成された裏面電極
とを有する半導体チップがガラスによってシールされた
ガラスシール電子部品であって、裏面電極は、水の存在
によるイオン化のしにくい金属材料によって形成された
ことを特徴とする。上記裏面電極の金属材料としては、
Ａｕ、Ａｌ、ＰｔまたはＡｕ合金などが好適に使用され
る。
ル電子部品によれば、半導体層と、これの表面に形成さ
れた表面電極と、半導体層の裏面に形成された裏面電極
とを有する半導体チップがガラスによってシールされた
ガラスシール電子部品であって、裏面電極は、水の存在
によるイオン化のしにくい金属材料によって形成された
ことを特徴とする。上記裏面電極の金属材料としては、
Ａｕ、Ａｌ、ＰｔまたはＡｕ合金などが好適に使用され
る。
【００１８】本願発明によれば、半導体チップの裏面電
極が、水の存在によるイオン化のしにくい、Ａｕなどの
金属材料によって形成されているので、たとえば、ガラ
スシール電子部品としてのガラスシールダイオード内が
結露した状態で、ガラスシールダイオードに逆電圧が印
加されても、裏面電極の金属のイオン化が抑えられ、マ
イグレーションを抑制することができる。
極が、水の存在によるイオン化のしにくい、Ａｕなどの
金属材料によって形成されているので、たとえば、ガラ
スシール電子部品としてのガラスシールダイオード内が
結露した状態で、ガラスシールダイオードに逆電圧が印
加されても、裏面電極の金属のイオン化が抑えられ、マ
イグレーションを抑制することができる。
【００１９】本願発明の好ましい実施の形態によれば、
半導体層と裏面電極との間に、半導体層の材料が合金化
するのを阻止するためのバリヤ層が介在される。このバ
リヤ層の金属材料としては、たとえば、Ｎｉ、Ｔｉまた
はＣｒなどの高融点金属からなる。
半導体層と裏面電極との間に、半導体層の材料が合金化
するのを阻止するためのバリヤ層が介在される。このバ
リヤ層の金属材料としては、たとえば、Ｎｉ、Ｔｉまた
はＣｒなどの高融点金属からなる。
【００２０】この構成によれば、半導体層と裏面電極と
の間には、高融点金属からなり、半導体層の材料が合金
化するのを阻止するためのバリヤ層が介在されるので、
ガラスを封入する際の高熱によって半導体層の材料が合
金化するのを防止でき、電子部品、たとえば、ダイオー
ドの品質を充分に維持することができる。
の間には、高融点金属からなり、半導体層の材料が合金
化するのを阻止するためのバリヤ層が介在されるので、
ガラスを封入する際の高熱によって半導体層の材料が合
金化するのを防止でき、電子部品、たとえば、ダイオー
ドの品質を充分に維持することができる。
【００２１】本願発明のその他の特徴および利点は、添
付図面を参照して以下に行う詳細な説明によって、より
明らかとなろう。
付図面を参照して以下に行う詳細な説明によって、より
明らかとなろう。
【００２２】
【発明の実施の形態】以下、本願発明の好ましい実施の
形態を、添付図面を参照して具体的に説明する。
形態を、添付図面を参照して具体的に説明する。
【００２３】本願発明に係るガラスシール電子部品とし
てのガラスシールダイオードは、従来の技術の欄で説明
したガラスシールダイオードの構造と基本的に同様であ
るので、ここでは、再び、図３を参照して、ガラスシー
ルダイオードの構造の一例を説明する。
てのガラスシールダイオードは、従来の技術の欄で説明
したガラスシールダイオードの構造と基本的に同様であ
るので、ここでは、再び、図３を参照して、ガラスシー
ルダイオードの構造の一例を説明する。
【００２４】このガラスシールダイオードは、ダイオー
ドチップ１と、ダイオードチップ１を挟み込んだ２個の
デュメット２と、デュメット２の外周面を覆うように、
ダイオードチップ１および各デュメット２をシールする
略円筒状のガラス３とによって構成される。２個のデュ
メット２のうち、一方のデュメット２にはアノード側リ
ード線４が溶接されて接続され、他方のデュメット２に
はカソード側リード線５が溶接されて接続されている。
ドチップ１と、ダイオードチップ１を挟み込んだ２個の
デュメット２と、デュメット２の外周面を覆うように、
ダイオードチップ１および各デュメット２をシールする
略円筒状のガラス３とによって構成される。２個のデュ
メット２のうち、一方のデュメット２にはアノード側リ
ード線４が溶接されて接続され、他方のデュメット２に
はカソード側リード線５が溶接されて接続されている。
【００２５】デュメット２は、例えば、Ｆｅ−Ｎｉ合金
の表面をＣｕで被覆されて構成されている。各デュメッ
ト２は、後述するダイオードチップ１の表面電極または
裏面電極に対して適当な接触圧が加えられて各電極に接
続されている。
の表面をＣｕで被覆されて構成されている。各デュメッ
ト２は、後述するダイオードチップ１の表面電極または
裏面電極に対して適当な接触圧が加えられて各電極に接
続されている。
【００２６】図１は、ダイオードチップ１の構造を示す
図である。ダイオードチップ１は、半導体層６と、半導
体層６の表面に形成された表面電極７と、半導体層６の
裏面に形成された裏面電極８と、半導体層６および裏面
電極８の間に介装されて形成されたバリヤ層９とによっ
て構成されている。
図である。ダイオードチップ１は、半導体層６と、半導
体層６の表面に形成された表面電極７と、半導体層６の
裏面に形成された裏面電極８と、半導体層６および裏面
電極８の間に介装されて形成されたバリヤ層９とによっ
て構成されている。
【００２７】半導体層６は、ｎ型Ｓｉ基板に不純物が拡
散されてｐ型半導体層が形成されたもので、両者により
ｐｎ接合が形成されている。
散されてｐ型半導体層が形成されたもので、両者により
ｐｎ接合が形成されている。
【００２８】表面電極７は、半導体層６の表面にめっき
などによってバンプにして形成され、酸化しにくく、ガ
ラス３のシール時におけるガラス３の収縮に対して緩衝
の機能を果たす金属材料によって形成されている。上記
金属材料としては、例えば、Ａｇが適用されるが、これ
に限るものではない。
などによってバンプにして形成され、酸化しにくく、ガ
ラス３のシール時におけるガラス３の収縮に対して緩衝
の機能を果たす金属材料によって形成されている。上記
金属材料としては、例えば、Ａｇが適用されるが、これ
に限るものではない。
【００２９】裏面電極８は、半導体層６の裏面に蒸着等
によって形成され、Ａｕ、Ａｌ、またはＰｔなどが適用
される。また、これらの金属に代わり、Ａｕ−Ｓｉなど
のＡｕ合金が適用されてもよい。これらの金属および合
金は、水が存在してもイオン化されにくいといった特徴
がある。また、Ａｕなどは、比較的軟質であることか
ら、デュメット２の表面の凹凸に対する接触抵抗を抑え
るのに都合がよい。なお、裏面電極８に適用される金属
材料は、上記の条件に適合する金属または合金であるな
らば、これらに限るものではない。
によって形成され、Ａｕ、Ａｌ、またはＰｔなどが適用
される。また、これらの金属に代わり、Ａｕ−Ｓｉなど
のＡｕ合金が適用されてもよい。これらの金属および合
金は、水が存在してもイオン化されにくいといった特徴
がある。また、Ａｕなどは、比較的軟質であることか
ら、デュメット２の表面の凹凸に対する接触抵抗を抑え
るのに都合がよい。なお、裏面電極８に適用される金属
材料は、上記の条件に適合する金属または合金であるな
らば、これらに限るものではない。
【００３０】バリヤ層９は、裏面電極８に用いられた金
属材料による半導体層６の合金化を阻止するためのもの
である。バリヤ層９に好適な金属材料としては、ガラス
３のシール時における高温下でも支障のない、例えば、
Ｎｉ、ＴｉまたはＣｒなどの高融点金属、あるいはＣｒ
−Ｎｉの合金が適用される。
属材料による半導体層６の合金化を阻止するためのもの
である。バリヤ層９に好適な金属材料としては、ガラス
３のシール時における高温下でも支障のない、例えば、
Ｎｉ、ＴｉまたはＣｒなどの高融点金属、あるいはＣｒ
−Ｎｉの合金が適用される。
【００３１】なお、裏面電極８およびバリヤ層９の金属
材料を上記のように組み合わせて、従来の技術の欄で示
した実験構成により、マイグレーションの発生の有無を
実験したところ、マイグレーションは発生しなかったこ
とが確認されている。
材料を上記のように組み合わせて、従来の技術の欄で示
した実験構成により、マイグレーションの発生の有無を
実験したところ、マイグレーションは発生しなかったこ
とが確認されている。
【００３２】このように、ダイオードチップ１の裏面電
極８に、Ａｕなどのイオン化しにくい金属材料を用いる
ことにより、ガラスシールダイオード内で水分が結露し
た状態で逆電圧が印加されても、Ａｇのようにイオン化
して水分中を移動し、アノード、カソード間を短絡させ
るといったマイグレーションを発生させることがない。
そのため、スイッチングや整流といったガラスシールダ
イオードとしての機能を良好に実現することができ、品
質がより向上されたガラスシールダイオードを提供する
ことができる。
極８に、Ａｕなどのイオン化しにくい金属材料を用いる
ことにより、ガラスシールダイオード内で水分が結露し
た状態で逆電圧が印加されても、Ａｇのようにイオン化
して水分中を移動し、アノード、カソード間を短絡させ
るといったマイグレーションを発生させることがない。
そのため、スイッチングや整流といったガラスシールダ
イオードとしての機能を良好に実現することができ、品
質がより向上されたガラスシールダイオードを提供する
ことができる。
【００３３】しかも、半導体層６と裏面電極８との間に
は、バリヤ層９が形成されているため、裏面電極８にＡ
ｕなどを用いても、半導体層６の材料が合金化するのを
抑制することができ、品質の向上により一層寄与するこ
とができる。
は、バリヤ層９が形成されているため、裏面電極８にＡ
ｕなどを用いても、半導体層６の材料が合金化するのを
抑制することができ、品質の向上により一層寄与するこ
とができる。
【００３４】次に、本ガラスシールダイオードの製造方
法について、図２を参照して説明する。まず、シリコン
ウェハとしてのｎ型Ｓｉ基板１１の表面を熱酸化して、
ＳｉＯ2 層１２を形成する。フォトエッチングによりＳ
ｉＯ2 層１２に開口窓を形成し、この開口窓を通じて熱
拡散によりｐ型不純物を拡散させ、ｐ型半導体層１３を
形成する。この場合、ｎ型シリコン基板１１、ＳｉＯ2
層１２、およびｐ型半導体層１３が上記半導体層６に対
応する。
法について、図２を参照して説明する。まず、シリコン
ウェハとしてのｎ型Ｓｉ基板１１の表面を熱酸化して、
ＳｉＯ2 層１２を形成する。フォトエッチングによりＳ
ｉＯ2 層１２に開口窓を形成し、この開口窓を通じて熱
拡散によりｐ型不純物を拡散させ、ｐ型半導体層１３を
形成する。この場合、ｎ型シリコン基板１１、ＳｉＯ2
層１２、およびｐ型半導体層１３が上記半導体層６に対
応する。
【００３５】続いて、半導体層６の表面にＡｇなどのめ
っきを行い、表面電極７を形成する。次いで、半導体層
６の裏面にスパッタリングあるいは真空蒸着法などによ
り、厚みが約０. ３μｍの、Ｔｉからなるバリヤ層９を
形成する。さらに、バリヤ層９の表面に、スパッタリン
グなどにより、厚みが約１. ０μｍの、Ａｕからなる裏
面電極８を形成する。そして、シリコンウェハをダイシ
ングなどにより所定の大きさにカットし、ダイオードチ
ップ１を得る。
っきを行い、表面電極７を形成する。次いで、半導体層
６の裏面にスパッタリングあるいは真空蒸着法などによ
り、厚みが約０. ３μｍの、Ｔｉからなるバリヤ層９を
形成する。さらに、バリヤ層９の表面に、スパッタリン
グなどにより、厚みが約１. ０μｍの、Ａｕからなる裏
面電極８を形成する。そして、シリコンウェハをダイシ
ングなどにより所定の大きさにカットし、ダイオードチ
ップ１を得る。
【００３６】このようにして製作されたダイオードチッ
プ１を略円筒形状のガラス３内に、２個のデュメット２
の端面で互いに挟み込むようにして保持する。そして、
一方あるいは双方のデュメット２に外側から軸方向に対
して押圧力を加えることにより、各デュメット２の端面
とダイオードチップ１との接触圧を適当な大きさに維持
しながら、ガラス３を加圧および加熱（約６００℃）す
る。これにより、ガラス３とデュメット２の外周面とが
密着してシールされ、ガラスシールダイオードを得る。
プ１を略円筒形状のガラス３内に、２個のデュメット２
の端面で互いに挟み込むようにして保持する。そして、
一方あるいは双方のデュメット２に外側から軸方向に対
して押圧力を加えることにより、各デュメット２の端面
とダイオードチップ１との接触圧を適当な大きさに維持
しながら、ガラス３を加圧および加熱（約６００℃）す
る。これにより、ガラス３とデュメット２の外周面とが
密着してシールされ、ガラスシールダイオードを得る。
【００３７】このように、本実施形態におけるガラスシ
ールダイオードにおいては、従来のガラスシールダイオ
ードと同様の工程で製作できるので、製作コストをアッ
プさせるようなことはない。
ールダイオードにおいては、従来のガラスシールダイオ
ードと同様の工程で製作できるので、製作コストをアッ
プさせるようなことはない。
【００３８】もちろん、この発明の範囲は上述した実施
の形態に限定されるものではない。上記実施形態では、
半導体層６の裏面は、裏面電極８、バリヤ層９の２層構
造としたが、たとえば、３層以上の構成にされてもよ
い。
の形態に限定されるものではない。上記実施形態では、
半導体層６の裏面は、裏面電極８、バリヤ層９の２層構
造としたが、たとえば、３層以上の構成にされてもよ
い。
【００３９】また、上記半導体層の構成は、ガラスシー
ルダイオードに限らず、トランジスタなどの他の電子部
品に適用してもよい。
ルダイオードに限らず、トランジスタなどの他の電子部
品に適用してもよい。
【図１】本願発明に係るガラスシールダイオードに適用
されるダイオードチップの構造を示す図である。
されるダイオードチップの構造を示す図である。
【図２】ダイオードチップの詳細構造を示す図である。
【図３】ガラスシールダイオードの構造を示す図であ
る。
る。
【図４】マイグレーションの発生を検証するための実験
装置の構成を示す図である。
装置の構成を示す図である。
１ ダイオードチップ ３ ガラス ６ 半導体層 ７ 表面電極 ８ 裏面電極 ９ バリヤ層
Claims (4)
- 【請求項１】 半導体層と、これの表面に形成された表
面電極と、前記半導体層の裏面に形成された裏面電極と
を有する半導体チップがガラスによってシールされたガ
ラスシール電子部品であって、 前記裏面電極は、水の存在によるイオン化のしにくい金
属材料によって形成されたことを特徴とする、ガラスシ
ール電子部品。 - 【請求項２】 前記裏面電極は、Ａｕ、Ａｌ、Ｐｔまた
はＡｕ合金からなる、請求項１に記載のガラスシール電
子部品。 - 【請求項３】 前記半導体層と前記裏面電極との間に、
前記半導体層の材料が合金化するのを阻止するためのバ
リヤ層が介在される、請求項１または２に記載のガラス
シール電子部品。 - 【請求項４】 前記バリヤ層は、高融点金属からなる、
請求項３に記載のガラスシール電子部品。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14776499A JP2000340685A (ja) | 1999-05-27 | 1999-05-27 | ガラスシール電子部品 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14776499A JP2000340685A (ja) | 1999-05-27 | 1999-05-27 | ガラスシール電子部品 |
Publications (1)
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|---|---|---|---|---|
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-
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP2010171365A (ja) * | 2008-12-26 | 2010-08-05 | Toshiba Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
| US8810032B2 (en) | 2008-12-26 | 2014-08-19 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device and method for manufacturing of same |
| CN115692334A (zh) * | 2022-11-18 | 2023-02-03 | 深圳市领赛科技有限公司 | 一种开关二极管封装结构及其制备方法 |
| CN115692334B (zh) * | 2022-11-18 | 2023-09-05 | 深圳市领赛科技有限公司 | 一种开关二极管封装结构及其制备方法 |
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