JP2000338049A

JP2000338049A - 欠陥検査装置及び欠陥検査方法

Info

Publication number: JP2000338049A
Application number: JP11154057A
Authority: JP
Inventors: Takeo Omori; 健雄大森; Koichiro Komatsu; 宏一郎小松
Original assignee: Nikon Corp
Current assignee: Nikon Corp
Priority date: 1999-06-01
Filing date: 1999-06-01
Publication date: 2000-12-08
Anticipated expiration: 2019-06-01
Also published as: JP4622007B2

Abstract

(57)【要約】【課題】より微細なピッチの繰り返しパターンが形成さ
れた基板において良好に欠陥検査を行うことができる欠
陥検査装置及び検査方法を提供すること。【解決手段】光束を供給する光源ユニット１１と、光源
ユニットからの光束を被検基板へ導く照明光学系２１，
３１と、被検基板からの回折光を受光する受光ユニット
３２，６１，７１と、受光ユニットからの出力に基づい
て前記被検基板の表面状態を検出する処理ユニット８１
とを有し、光源ユニットは４００ｎｍよりも短い紫外光
を供給することを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、所定の回路パター
ンを有する液晶基板又はＩＣウエハの傷、膜厚ムラ、塵
等の欠陥を検査する欠陥検査装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】ＩＣウエハや液晶基板表面の膜厚ムラ、
傷等の欠陥検査は、種々の光束の照明光を様々な角度か
ら照射し、被検物を回転又は揺動させながら、被検物か
らの光を観察者が直接的に目視により観察する場合が多
い。また、最近は欠陥の定量化、検査の省力化、高速化
に伴い欠陥検査を自動化する要請が強くなっており、こ
の要請に応える形で種々の装置が提案されている。例え
ば、基板上の繰り返しパターンから発生する回折光によ
る基板の画像を取り込み、画像処理を行い欠陥を検査す
るものである。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】観察者の目視による基
板の通常の外観検査では、基板に白色光のスポットライ
トを照射し、その反射光の色の付き方を見て基板の良否
を判断する。ここで、基板の繰り返しパターンが形成さ
れた部分からは回折光が生じ、観察者は回折光のスペク
トルを観察することになる。そして、デフォーカスなど
の欠陥が存在する露光領域（ショット領域）は、その周
囲の欠陥が存在しない正常なショット領域と回折光のス
ペクトルの色の付き方又は強度が異なるので、目視で欠
陥と判断することができる。

【０００４】規則的なパターンから回折光が発生した時
には以下の条件式（１）が満たされている。（１） sinθd−sinθｉ＝ｍλ／ｐここで、θdは入射角、θｉは回折角、ｍは回折次数、
λは波長、ｐはピッチをそれぞれ表している。上式から
明らかなように、同一の角度条件においてより小さなピ
ッチのパターンから回折光を発生させようとすると、次
数と波長を小さくすれば良い事が分かる。

【０００５】光源として可視光を用いた場合、λの下限
値はｈ線（４０５ｎｍ）近辺、即ち４００ｎｍ程度がほ
ぼ限界であり、０次光、即ち正反射光以外の回折光の回
折次数は絶対値で１が最小であるから、ピッチが所定値
を下回ると回折光が発生せず、検査を行うことが不可能
になる。

【０００６】一方、自動検査装置においても目視検査と
同様に、欠陥部分と正常部分との回折光の強度差を利用
しているので、光源に可視光を用いる限り、上述の問題
点を有している。

【０００７】本発明はかかる問題に鑑みてなされたもの
であり、より微細なピッチの繰り返しパターンが形成さ
れた基板において良好に欠陥検査を行うことができる欠
陥検査装置及び検査方法を提供することを目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決する為
に、本発明は、光束を供給する光源ユニットと、前記光
源ユニットからの光束を被検基板へ導く照明光学系と、
前記被検基板からの回折光を受光する受光ユニットと、
前記受光ユニットからの出力に基づいて前記被検基板の
表面状態を検出する処理ユニットとを有し、前記光源ユ
ニットは４００ｎｍよりも短い紫外光を供給することを
特徴とする欠陥検査装置を提供する。

【０００９】また、本発明の好ましい態様では、前記紫
外光に起因して生ずる前記照明光学系と前記受光ユニッ
トとの少なくとも一方の曇りを除去するための曇り除去
ユニットをさらに有することが望ましい。

【００１０】また、本発明の好ましい態様では、少なく
とも前記光源ユニット近傍を密閉するチャンバー部をさ
らに有することが望ましい。

【００１１】また、本発明は、４００ｎｍよりも短い波
長を持つ光で被検基板を照射する照射工程と、前記被検
基板からの光を受光する受光工程と、前記受光工程にて
受光された光を光電変換して、該光電変換された出力情
報に基づいて前記被検基板の表面状態を検出する処理工
程とを有することを特徴とする検査方法を提供する。

【００１２】

【発明の実施の形態】以下、添付図面に基づいて、本発
明の実施の形態にかかる欠陥検査装置を説明する。

【００１３】（第１実施形態）図１は、第１実施形態に
かかる欠陥検査装置の概略構成を示す図である。光源ユ
ニットとしての光源１１から射出された光は、リレーレ
ンズ２１を透過し球面反射鏡３１に入射する。なお、光
源ユニットとしては、所定の波長を持つ光を発する光源
自身のみの構成に限ることなく、光源とその光源からの
光を集光する集光部材（集光レンズ、楕円鏡等の反射鏡
等）とを含む構成とすることも可能である。リレーレン
ズ２１から球面反射鏡３１までの系が照明光学系１を構
成する。光源１１は、例えば水銀ランプで３６５ｎｍの
ｉ線又は３１３ｎｍのＪ線、ＹＡＧレーザの４倍高調波
で２６６ｎｍ、ＫｒＦエキシマレーザで２４８ｎｍ，Ａ
ｒＦのエキシマレーザで１９３ｎｍの光を射出するもの
等を使用することができる。また、光源１１の射出端に
は可変開口絞りが設けられており、欠陥検査測定に不要
な光を遮光する。なお、光源１１は３６５ｎｍ以下の波
長を持つ光を供給するものであることがより一層好まし
い。

【００１４】水銀ランプを用いた場合は、光源から射出
された白色光の中から不図示の干渉フィルタによって紫
外域の光を取り出し、これを照明光として利用する。さ
らに好ましくは、例えば、透過波長域が異なる複数の干
渉フィルタをレボルバ上に備え、レボルバをモータで回
転することで、択一的に干渉フィルタを光軸上に挿脱で
きる構成が望ましい。また、光源１１にレーザを用いた
場合は、レーザ光の可干渉性を低減させておくことが望
ましい。

【００１５】球面反射鏡３１で反射された光は略平行光
束となってステージ５１に載置された基板４１に入射す
る。ステージ５１は所定軸を中心とした回転とチルト
（傾斜）との両方を行うことができる。基板４１で回折
された回折光は球面反射鏡３２で反射され、カメラレン
ズ６１により撮像素子７１のＣＣＤ撮像面に像を形成す
る。ここで、球面反射鏡３２とカメラレンズ６１とで受
光光学系２を構成し、その受光光学系２と撮像素子７１
とで受光ユニットを構成する。基板４１からの回折光
は、パターンのピッチにより回折角が異なるので、回折
光が受光光学系２に入射するようにステージ５１により
基板４１を適宜チルトする。また、ステージをチルトさ
せる代わりに、照明光学系１と受光光学系２とのいずれ
か一方、又は両方をチルト軸を中心に回転させても良
い。

【００１６】また、可変開口絞りがカメラレンズ６１内
に設けられており、測定に不必要な光を遮光すると同時
に基板側の開口数を決めている。開口絞りを絞ることで
開口数を小さくすれば、基板側の焦点深度を深くできる
ので、チルトしても周辺の画像がぼやける事がない。

【００１７】カメラレンズ６１は単焦点距離レンズに限
られない。焦点距離の異なる複数のレンズが交換可能な
構成であり、基板像の大きさと撮像素子の撮像面の大き
さとを略一致させるようにレンズを選択して結像倍率を
変えることが望ましい。基板像の大きさと撮像素子の撮
像面の大きさとを略一致させることで画像処理の効率を
向上させることができる。さらに好ましくは、カメラレ
ンズ６１がバリフォーカルレンズ又はズームレンズであ
れば、レンズを交換せずに倍率を変更できる。なお、短
時間で欠陥検査を行いたい場合は、倍率を変えずに検査
を行うことが望ましい。

【００１８】画像処理装置８１は、検査中の基板４１の
像と予め記憶させておいた良品基板の像とを比較するこ
とでパターンマッチング又は予め学習させておいた良品
基板の特徴と異なる部分が存在するか否か等の画像処理
を行う。例えば、デフォーカスによるムラなどの欠陥が
基板の所定部分に存在する場合は、この所定部分の明暗
差又は特徴の相違などの情報に基づいて、欠陥部分を認
識して出力する。

【００１９】特定用途向け集積回路（Application Spec
ific IC,以下「ＡＳＩＣ」という）又はＬｏｇｉｃ（論
理）回路等の異なるピッチのパターンが混在する基板に
対しては、それぞれのパターン領域毎に欠陥検査を行
う。そして、パターンそれぞれに対して良否判定を行
い、さらにそれらの論理和をとって、最終的な良否を判
断する。

【００２０】また、通常一つのパターンに対しては一つ
の条件で欠陥検査を行うことが一般的である。しかし、
実際に欠陥が存在しても、薄膜干渉の影響により、得ら
れた画像の欠陥部分と良品部分との明暗差が明確でない
場合がある。このため、一つのパターンに対して、波長
を変化させること又は角度条件変化させることで複数回
検査を行うことが望ましい。

【００２１】基板４１のパターンのピッチをｐ、照明光
の波長をλ、回折次数をｍ、基板４１が水平に保持され
た時の基板の法線と基板と交わる照明光とのなす角度を
θｉ、同様に当該法線と基板と交わる回折光とのなす角
度をθｄ、チルト角をθｔとそれぞれしたとき、次式が
成立する。（２） sin（θd−θｔ）−sin（θｉ＋θｔ）＝ｍλ／ｐ符号については図１２に示すとおり、照明光の角度θｉ
に関しては入射側に見込む角度方向をプラス、反射側に
見込む角度方向をマイナスとし、回折光の角度θｄとチ
ルト角θｔとに関しては、入射側に見込む角度方向をマ
イナス、反射側に見込む角度方向をプラスとそれぞれし
ている。また、回折次数ｍは基板への入射光の正反射光
を基準として入射側に見込む角度方向をマイナス、反射
側に見込む角度方向をプラスとそれぞれする。なお、θ
ｉの範囲は０度から９０度までの範囲である。

【００２２】図１４は、可視光として５４６ｎｍ、紫外
光として２６６ｎｍの光を用い、照明光学系と受光光学
系とをそれぞれ、ステージの水平位置を基準に入射角が
＋４５度、回折角が−１０度となるように配置した場合
の、ステージのチルト角（横軸）と検査対象のパターン
ピッチ（縦軸）との関係を表した図である。図からも明
らかな様に、同じチルト角、即ち同じ角度条件なら紫外
光を用いた方が細かいピッチのパターンの欠陥検査を行
うことができることが分かる。

【００２３】また、基板４１は球面反射鏡３１の焦点面
にほぼ一致するように配置されている。さらに、照明光
学系１では光源１１が球面反射鏡３１の焦点面に配置さ
れ、受光光学系２ではカメラレンズ６１の入射瞳面が球
面反射鏡３２の焦点面に配置されている。かかる配置に
より本実施形態の装置の光学系はテレセントリックな系
を構成している。テレセントリックな光学系では、撮像
素子７１で取り込んだ画像の見え方を基板全面に渡って
同じにすることができる。非テレセントリックな光学系
では、基板上の位置に依存して上式（２）における基板
への入射角θｉ＋θｔと、回折角θｄ−θｔとがそれぞ
れ異なる。このため、回折光の強度は入射光の入射角に
依存して変化するため、同じ欠陥でも基板上の位置によ
り見え方が異なる場合がある。本実施形態にかかる欠陥
検査装置（図１）は、テレセントリックな光学系を有し
ているので、基板全面にわたって入射角θｉ＋θｔと、
回折角θｄ−θｔとをそれぞれ一定にすることができ
る。したがって、基板上の欠陥部分の位置にかかわらず
同じ欠陥であれば見え方が同じになるので検出感度が等
しくなり、欠陥部分をより迅速かつ正確に特定すること
ができる。

【００２４】また、屈折系のテレセントリック光学系を
用いると装置が大型化するため、球面反射鏡を用いた反
射型のテレセントリック光学系を採用することで装置の
小型化を実現している。さらに好ましくは、偏心光学系
であるので非点収差を小さくするために、球面反射鏡に
対する反射光の入射角を小さくすることが望ましい。本
実施形態では、球面反射鏡に対する反射光の入射角は約
１０度である。

【００２５】（第２実施形態）図２は、第２実施形態に
かかる欠陥検査装置の概略構成を示す図である。なお、
本実施形態を含めて以下に説明する全ての実施形態にお
いて、上記第１実施形態と同じ部分には第１実施形態と
同一の符号を用い、重複する部分の説明は省略する。

【００２６】本実施形態は、上記第１実施形態の変形例
であり、検査基板４１に対する入射角の絶対値と回折角
の絶対値とが僅かに異なる様に配置して、上記第１実施
形態における照明光学系１と受光光学系２とを構成する
球面反射鏡を、１つの球面反射鏡３１で兼用させてい
る。かかる構成により上記第１実施形態にかかる装置よ
りもさらに小型化することができ、またより微細なピッ
チのパターンを欠陥検査できる。

【００２７】（第３実施形態）図３は、第３実施形態に
かかる欠陥検査装置の概略構成を示す図である。第１実
施形態にかかる装置に光源ユニット１２及び照明光学系
３を追加した構成である。照明光学系３は、リレーレン
ズ２２、球面反射鏡３３とから構成されている。照明光
学系１からの照明光と、照明光学系３からの照明光との
角度条件がそれぞれ異なるので、２種類のピッチのパタ
ーンを同時に検査することで処理時間を短縮出来る。特
に、異なるピッチのパターンが混在するＬｏｇｉｃ（論
理）回路パターンやＡＳＩＣ等を検査する場合に有効で
ある。また、光源１１と光源１２との波長を変えておく
事で、一つのパターンに対して同時に２つの条件で検査
する事も可能となる（第４実施形態）図４は第４実施形態にかかる欠陥検査
装置の概略構成を示す図である。本実施形態は第３実施
形態の変形例であり、照明光学系１と照明光学系３とを
構成する球面反射鏡を、球面反射鏡３１で兼用させてい
る構成である。換言すると、第２実施形態にかかる装置
の光源部１１の近傍に新たに光源を追加した構成と等価
である。２つの光源の波長が同一であれば２種類のピッ
チパターンを同時に検査でき、また、相互に異なる波長
であれば一つのパターンに対して異なる条件での同時に
検査でき、更に装置の小型化が可能である。

【００２８】（第５実施形態）図５は、本発明の第５実
施形態にかかる欠陥検査装置の概略構成を示す図であ
る。第３実施形態における照明光学系１又は照明光学系
３にライン型のライトガイドファイバ１０１とシリンド
リカルレンズ１１１とを用いる構成である。また、光源
１１からの光は反射鏡Ｍで折り曲げている。なお、かか
る構成により、入射角が大きくなる場合でも、照明光量
の損失を少なくすることができる。

【００２９】（第６実施形態）図６は、第６実施形態に
かかる欠陥検査装置の概略構成を示す図である。第１実
施形態にかかる装置に受光光学系４を一組追加した構成
である。受光光学系４は、球面反射鏡３３とカメラレン
ズ６２とで構成され、受光光学系４による像は撮像素子
７２で撮像される。また、光源１１からの光は反射鏡Ｍ
で折り曲げている。第３、第４実施形態と同様に、それ
ぞれ角度条件が異なるので２種類のピッチのパターンを
同時に検査でき、処理時間を短縮できる。更に、水銀ラ
ンプ等のように複数のスペクトル線（波長光）を発する
光源を用いれば、１つのパターン（被検物）に対して同
時に２つの波長条件で被検物の検査を行う事も可能とな
る。また、Ｌｏｇｉｃ回路パターン又はＡＳＩＣ等で特
に有効である点も同様である。

【００３０】（第７実施形態）図７は、第７実施形態に
かかる欠陥検査装置の概略構成を示す図である。本実施
形態は第６実施形態の変形例であり、受光光学系２と受
光光学系４とを構成する球面反射鏡を球面反射鏡３２で
兼用させた構成である。換言すると、第１実施形態の受
光素子の近傍に新たにカメラレンズ６２と撮像素子７２
とを追加した構成と等価である。２種類のピッチパター
ンを同時に検査、あるいは水銀ランプ等のように複数の
スペクトル線（波長光）を発する光源を用いれば１つの
パターン（被検物）に対して同時に２つの波長条件で被
検物の検査ができるのみならず、装置の小型化が可能で
ある。

【００３１】（第８実施形態）図８は、第８実施形態に
かかる欠陥検査装置の概略構成を示す図である。本実施
形態は第６実施形態の変形例であり、照明光学系１と受
光光学系４とを構成する球面反射鏡を球面反射鏡３１で
兼用させたものである。換言すると、第１実施形態の装
置の光源の近傍に新たにカメラレンズ６２と撮像素子７
２を追加した構成と等価である。２種類のピッチパター
ンを同時に検査、あるいは水銀ランプ等のように複数の
スペクトル線（波長光）を発する光源を用いれば１つの
パターン（被検物）に対して同時に２つの波長条件で被
検物の検査ができるのみならず、装置の小型化が可能で
ある。

【００３２】（第９実施形態）図９は、第９実施形態に
かかる欠陥検査装置の概略構成を示す図である。２組の
照明光学系１，３と２組の受光光学系２，４とを有して
いる。照明光学系と受光光学系共に凹面反射鏡３１，３
２を兼用させている。照明光学系の光源１１と光源１２
とはそれぞれ使用波長が異なっている。３００ｎｍより
短い波長では、カメラレンズを色消しに収差補正するの
が難しいので、受光光学系を２組設け、異なる波長を用
いて検査する。

【００３３】（第１０実施形態）図１０、１１は第１０
実施形態にかかる欠陥検査装置の概略構成を示す図であ
る。基本的な構成は上記第１実施形態と同様であり、同
じ部分には同一の符号を使用し、重複する説明は省略す
る。光源光として紫外線領域の光、特にｉ線よりも短い
波長の光を用いる場合、紫外線と空気中のNH₄ ⁺やSO_X等
の不純物とが光化学反応を起こし、例えば（NH₄)2SO₄を
生じ、これが光学部品表面に付着することで光学部品に
曇りを発生させる。この結果、反射性の光学部品（反射
鏡等）の場合には反射率の低下を招き、屈折性の光学部
品（レンズ等）の場合には透過率の低下を招く。また、
ＡｒＦエキシマレーザのような光源では発光スペクトル
が酸素の吸収スペクトル領域と重なる為、酸素の吸収に
よる透過率の低下と、オゾン発生に起因する更なる反射
性の光学部品の反射率の低下または屈折性の光学部品
（レンズ等）の透過率の低下、光学部品表面との反応に
よる装置内の環境汚染を引き起こす。本実施形態はかか
る問題に鑑みたものであり、図１０に示すように光学系
全体を筐体１０１で囲い、光が筐体から出入りする部分
に窓ガラス１０２を設けている。そして、筐体１０１内
を窒素などの不活性ガスで満たすことで、（NH₄)2SO₄の
発生やオゾン発生に起因する環境汚染を防止することが
できる。また、ガラス窓１０２と基板４１との間は空気
であるのでガラス窓１０２に上述の曇りが生じる。この
ため、ガラス窓１０２を定期的に交換することが望まし
い。なお、全ての光学部品を交換する必要が無いので結
果的に安価で済む。また、曇りの発生を軽減するため、
基板４１とガラス窓１０２との距離は極力近づけること
が望ましい。

【００３４】図１１は、第１０実施形態の変形例の構成
を示す図であり、窓ガラス１０２の代わりに不活性ガス
によるエアカーテン１０４を用いるものである。不活性
ガス供給ユニットＧから供給された不活性ガスがバルブ
１０３から勢い良く噴出してエアカーテン１０４を形成
する。この不活性ガスのエアカーテン１０４が基板４１
周囲の空気の筒体内への侵入を防いでいる。なお、窓ガ
ラスを設けた上に更にエアカーテンを形成しても良い。
その時は、上述の窓ガラスの交換は不要となる。また、
光学系だけでなく、装置内全体を不活性ガスで満たして
も勿論良い。この場合は基板の交換時に基板の出入り口
から汚染された外気が装置内に進入するおそれがあるの
で、基板の出入り口近傍に不活性ガスによるエアカーテ
ンを形成して外部からの空気の進入を防ぐことが望まし
い。

【００３５】また、上記第１〜第１０実施形態において
は画像処理装置を用いた自動化欠陥検査装置を示した
が、画像処理装置８１の代わりに基板画像を表示するモ
ニタを設け、検査員がモニタ上の画像を見ながら良否判
定を行う目視検査機としても良い。目視検査機の構成例
を図１３に示す。第１実施形態の欠陥検査装置の画像処
理装置８１をテレビモニタ９１で置き換えたものであ
る。モニタには回折光による基板の画像が表示され、検
査員は目視で基板画像を観察し、基板の良否判定を行
う。光源からＣＣＤ撮像素子までの光学系は筐体（チャ
ンバ）１０１で囲われている。これは、紫外線が装置外
に漏れて人体へ悪影響を及ぼすのを防止すると同時に、
上述のように筐体内を化学的に清浄な空気や窒素等の不
活性ガスで満たすことで、光学部品の曇りを防止する役
割もある。

【００３６】また、上記第２実施形態〜第９実施形態に
かかる露光装置において、第１０実施形態と同様に、光
学系を筐体１０１で囲い不活性ガスをその内部に供給す
ることで、光源光の短波長化による光学部品表面の曇り
の発生を低減できることは言うまでもない。

【００３７】また、上記各実施形態においては、Ｌｏｇ
ｉｃ（論理）回路やＡＳＩＣ等の基板では微細なピッチ
パターンと比較的粗いピッチパターンとが併存する場合
もあり、２種類の波長を用いる、即ち２種類の波長の一
方を微細ピッチ用の検査光として紫外光を用い、他方を
粗いピッチ用の検査光として可視光を用いても良い。そ
の際、可視光と紫外光との双方に関して受光光学系での
色収差補正（色消し）を行うのが困難であるため、可視
光専用の受光光学系と紫外光専用の受光光学系とをそれ
ぞれ設けることが好ましい。

【００３８】また、以上の各実施の形態による検査装置
を用いて被検物体を検査することにより、被検基板に形
成された微細なパターンの良又は不良（合否判定）が行
われる。この結果、良品となった被検基板のみがデバイ
ス等を完成させるための次の処理工程に受け渡され（移
行し）て、不良品となった被検基板は、再工事、再生工
事あるいは廃棄等の処理工程へ移行する。

【００３９】従って、以上の各実施の形態による検査装
置を用いて検査工程を実行することにより、微細なパタ
ーンの検査を精度良くしかも確実に被検物体（ウエハ等
の感光性基板）を検査することができるため、良好なる
半導体デバイス（半導体装置、液晶表示装置、薄膜磁気
ヘッド等）を製造することができる。

【００４０】なお、本発明は、上記各請求項に記載した
ものに限ることなく、以下に示す記載の発明とすること
もできる。すなわち、例えば、本発明は、感光性基板を
検査する検査工程を含む半導体デバイスの製造方法にお
いて、前記検査工程は、４００ｎｍよりも短い波長を持
つ光で被検基板を照明する照明工程と、前記被検基板か
らの光を受光する受光工程と、前記受光工程にて光電検
出して前記被検基板の表面状態を検出する処理工程と、
を含むことを特徴とする半導体デバイスを製造する方法
を提供することもできる。この場合、照明工程では照明
光学系を用い、受光工程でと受光光学系を用いることが
好ましく、照明光学系または受光光学系の少なくとも一
方の曇りの低下を防止する曇り防止工程をさらに含むこ
とがより望ましい。

【００４１】

【発明の効果】以上説明したように本発明においては、
光源に紫外線を用いることで微細なピッチの検査が可能
となる。また、光学系を筐体で囲み不活性ガスをその内
部に供給することで曇りを除去できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】第１実施形態にかかる欠陥検査装置の概略構成
を示す図である。

【図２】第２実施形態にかかる欠陥検査装置の概略構成
を示す図である。

【図３】第３実施形態にかかる欠陥検査装置の概略構成
を示す図である。

【図４】第４実施形態にかかる欠陥検査装置の概略構成
を示す図である。

【図５】第５実施形態にかかる欠陥検査装置の概略構成
を示す図である。

【図６】第６実施形態にかかる欠陥検査装置の概略構成
を示す図である。

【図７】第７実施形態にかかる欠陥検査装置の概略構成
を示す図である。

【図８】第８実施形態にかかる欠陥検査装置の概略構成
を示す図である。

【図９】第９実施形態にかかる欠陥検査装置の概略構成
を示す図である。

【図１０】第１０実施形態にかかる欠陥検査装置の概略
構成を示す図である。

【図１１】第１０実施形態の変形例を示す図である。

【図１２】符号の正負を示す図である。

【図１３】第１実施形態の変形例を示す図である。

【図１４】チルト角と検査対象のピッチとの関係を示す
図である。

【符号の説明】

１，３照明光学系２，４受光光学系１１光源３１，３２，３３凹面反射鏡４１基板５１ステージ６１カメラレンズ７１撮像素子８１画像処理装置９１モニタ１０１筐体１０２窓１０３バルブ１０４エアカーテンＧ不活性ガス供給ユニットＭ反射鏡

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続きＦターム(参考） 2G051 AA51 AA73 AB02 AB07 BA05 BB09 BB11 CA03 CA04 CB06 CC07 CC09 CC11 CC17 DA08 2H088 FA13 2H090 JC18 4M106 AA01 AA20 BA07 CA38 CA41 DB05 DB07 DB08 DB11 DB12 DB13 DJ02 DJ06 DJ11 DJ23

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】光束を供給する光源ユニットと、前記光源ユニットからの光束を被検基板へ導く照明光学
系と、前記被検基板からの回折光を受光する受光ユニットと、前記受光ユニットからの出力に基づいて前記被検基板の
表面状態を検出する処理ユニットとを有し、前記光源ユニットは４００ｎｍよりも短い紫外光を供給
することを特徴とする欠陥検査装置。
【請求項２】前記紫外光に起因して生ずる前記照明光
学系と前記受光ユニットとの少なくとも一方の曇りを除
去するための曇り除去ユニットをさらに有することを特
徴とする請求項１記載の欠陥検査装置。
【請求項３】少なくとも前記光源ユニット近傍を密閉
するチャンバー部をさらに有することを特徴とする請求
項１または２記載の欠陥検査装置。
【請求項４】４００ｎｍよりも短い波長を持つ光で被
検基板を照射する照射工程と、前記被検基板からの光を受光する受光工程と、前記受光工程にて受光された光を光電変換して、該光電
変換された出力情報に基づいて前記被検基板の表面状態
を検出する処理工程とを有することを特徴とする検査方
法。