JP2000336492A - ワークの清浄方法及びその装置 - Google Patents
ワークの清浄方法及びその装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ワークに衝突するイオンを、真空チャンバー
内乃至ワークに対して均一に発生させて、ワークを良好
に清浄できるようにする。 【解決手段】 真空チャンバー１内で、電子源から不活
性ガスに対して電子を放出することによりイオンを発生
させ、この発生したイオンをワーク７の表面に衝突させ
て、ワーク７の表面を清浄化するようにしたワークの清
浄方法において、真空チャンバー１内に、電子源をワー
ク７に対向するように長い範囲に配置しておき、真空チ
ャンバー１内で前記電子源から不活性ガスに対して電子
を放出することにより、真空チャンバー１内にイオンを
均一に発生させるようにした。
内乃至ワークに対して均一に発生させて、ワークを良好
に清浄できるようにする。 【解決手段】 真空チャンバー１内で、電子源から不活
性ガスに対して電子を放出することによりイオンを発生
させ、この発生したイオンをワーク７の表面に衝突させ
て、ワーク７の表面を清浄化するようにしたワークの清
浄方法において、真空チャンバー１内に、電子源をワー
ク７に対向するように長い範囲に配置しておき、真空チ
ャンバー１内で前記電子源から不活性ガスに対して電子
を放出することにより、真空チャンバー１内にイオンを
均一に発生させるようにした。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、イオンをワークの
表面に衝突させてワークの表面を削り取って清浄化する
ようにしたワークの清浄方法及びその装置に関するもの
である。
表面に衝突させてワークの表面を削り取って清浄化する
ようにしたワークの清浄方法及びその装置に関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】例えば真空成膜装置によりワークの表面
に被膜を形成する前に使用されるワークの清浄方法及び
その装置には、アルゴンガス等の不活性ガスに対して電
子源であるフィラメントから電子を放出することによ
り、イオンを発生させ、この発生したイオンを、真空チ
ャンバー内でワークの表面に衝突させて、ワークの表面
を清浄化するようにしたものがある。この種の従来のワ
ークの清浄方法及びその装置では、真空チャンバーの処
理ゾーンから外れた真空チャンバー内の隅部に、電子源
であるフィラメントを設け、このフィラメントに直流電
流を流してフィラメントから電子を放出させると共に、
該フィラメント側にアルゴンガスを供給することによ
り、アルゴンイオンを発生させ、この発生したイオン
を、負の電位にバイアスしたワークの表面に衝突させる
ようにしていた。
に被膜を形成する前に使用されるワークの清浄方法及び
その装置には、アルゴンガス等の不活性ガスに対して電
子源であるフィラメントから電子を放出することによ
り、イオンを発生させ、この発生したイオンを、真空チ
ャンバー内でワークの表面に衝突させて、ワークの表面
を清浄化するようにしたものがある。この種の従来のワ
ークの清浄方法及びその装置では、真空チャンバーの処
理ゾーンから外れた真空チャンバー内の隅部に、電子源
であるフィラメントを設け、このフィラメントに直流電
流を流してフィラメントから電子を放出させると共に、
該フィラメント側にアルゴンガスを供給することによ
り、アルゴンイオンを発生させ、この発生したイオン
を、負の電位にバイアスしたワークの表面に衝突させる
ようにしていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の場合、
電子源であるフィラメントが真空チャンバーの外部又は
真空チャンバーの隅部に設けられていたため、真空チャ
ンバー内に対して又は真空チャンバー内のワークに対し
てイオンが局所的に発生して、イオンが不均一になり、
このためボンパー効果の均一化が図れず、ワークの表面
を均一に削り取ることができなくて、ワーク表面の良好
な清浄化がなし得なくなるという問題があった。
電子源であるフィラメントが真空チャンバーの外部又は
真空チャンバーの隅部に設けられていたため、真空チャ
ンバー内に対して又は真空チャンバー内のワークに対し
てイオンが局所的に発生して、イオンが不均一になり、
このためボンパー効果の均一化が図れず、ワークの表面
を均一に削り取ることができなくて、ワーク表面の良好
な清浄化がなし得なくなるという問題があった。
【０００４】本発明は上記問題点に鑑み、ワークに衝突
するイオンを、真空チャンバー内乃至ワークに対して均
一に発生させて、ワークを良好に清浄できるようにした
ものである。
するイオンを、真空チャンバー内乃至ワークに対して均
一に発生させて、ワークを良好に清浄できるようにした
ものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】この技術的課題を解決す
る本発明の技術的手段は、真空チャンバー１内で、電子
源から不活性ガスに対して電子を放出することによりイ
オンを発生させ、この発生したイオンをワーク７の表面
に衝突させて、ワーク７の表面を清浄化するようにした
ワークの清浄方法において、真空チャンバー１内に、電
子源をワーク７に対向するように長い範囲に配置してお
き、真空チャンバー１内で前記電子源から不活性ガスに
対して電子を放出することにより、真空チャンバー１内
にイオンを均一に発生させるようにした点にある。
る本発明の技術的手段は、真空チャンバー１内で、電子
源から不活性ガスに対して電子を放出することによりイ
オンを発生させ、この発生したイオンをワーク７の表面
に衝突させて、ワーク７の表面を清浄化するようにした
ワークの清浄方法において、真空チャンバー１内に、電
子源をワーク７に対向するように長い範囲に配置してお
き、真空チャンバー１内で前記電子源から不活性ガスに
対して電子を放出することにより、真空チャンバー１内
にイオンを均一に発生させるようにした点にある。
【０００６】本発明の他の技術的手段は、真空チャンバ
ー１内で、電子源から不活性ガスに対して電子を放出す
ることによりイオンを発生させ、この発生したイオンを
ワーク７の表面に衝突させて、ワーク７の表面を清浄化
するようにしたワークの清浄装置において、真空チャン
バー１内に発生するイオンを均一にするように、前記電
子源が真空チャンバー１内に長い範囲で配置されている
点にある。本発明の他の技術的手段は、前記電子源が、
ワーク７に対向するように該ワーク７の長手方向に長く
配置されている点にある。
ー１内で、電子源から不活性ガスに対して電子を放出す
ることによりイオンを発生させ、この発生したイオンを
ワーク７の表面に衝突させて、ワーク７の表面を清浄化
するようにしたワークの清浄装置において、真空チャン
バー１内に発生するイオンを均一にするように、前記電
子源が真空チャンバー１内に長い範囲で配置されている
点にある。本発明の他の技術的手段は、前記電子源が、
ワーク７に対向するように該ワーク７の長手方向に長く
配置されている点にある。
【０００７】本発明の他の技術的手段は、前記電子源
が、ワーク７に対向するように該ワーク７の回転軸心方
向に長く配置されている点にある。本発明の他の技術的
手段は、前記電子源が、ワーク７の周囲を取り囲むよう
に長い範囲に配置されている点にある。本発明の他の技
術的手段は、前記電子源が、フィラメント９に交流電流
を流すことにより電子を放出するように構成されている
点にある。
が、ワーク７に対向するように該ワーク７の回転軸心方
向に長く配置されている点にある。本発明の他の技術的
手段は、前記電子源が、ワーク７の周囲を取り囲むよう
に長い範囲に配置されている点にある。本発明の他の技
術的手段は、前記電子源が、フィラメント９に交流電流
を流すことにより電子を放出するように構成されている
点にある。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づき説明する。図１において、１は金属性の真空チ
ャンバーで、真空排気口２とガス導入口３が設けられ、
ガス導入口３から真空チャンバー１内に不活性ガスであ
るアルゴンガスが導入され、真空排気口２から図示省略
の真空ポンプによって排気できるようになっている。６
は回転テーブルで、真空チャンバー１内の底面側に回転
自在に設けられ、回転テーブル６上にワーク７が載置固
定され、回転テーブル６と共に回転されるようになって
いる。このワーク７は、真空成膜装置によりその表面に
被膜を形成する前のもので、上下方向と一致する回転軸
心方向に長い柱状であり、真空チャンバー１内の略中央
に配置されている。
に基づき説明する。図１において、１は金属性の真空チ
ャンバーで、真空排気口２とガス導入口３が設けられ、
ガス導入口３から真空チャンバー１内に不活性ガスであ
るアルゴンガスが導入され、真空排気口２から図示省略
の真空ポンプによって排気できるようになっている。６
は回転テーブルで、真空チャンバー１内の底面側に回転
自在に設けられ、回転テーブル６上にワーク７が載置固
定され、回転テーブル６と共に回転されるようになって
いる。このワーク７は、真空成膜装置によりその表面に
被膜を形成する前のもので、上下方向と一致する回転軸
心方向に長い柱状であり、真空チャンバー１内の略中央
に配置されている。
【０００９】９は電子源であるフィラメントで、ワーク
７に対してガス導入口３とは反対側に位置するように真
空チャンバー１内に配置されている。１１はバイアス電
源で、バイアス電源１１の出力端子の＋側を真空チャン
バー１に接続すると共に、出力端子の−側を回転テーブ
ル６に接続することにより、真空チャンバー１に対して
真空チャンバー１内のワーク７を負電位に保っている。
１３は交流電源で、トランス１４を介してフィラメント
９に交流電流を流すようになっている。１５はフィラメ
ント放電電源で、出力端子の＋側を真空チャンバー１に
接続すると共に、出力端子の−側を前記トランス１４の
二次巻線の中途部に接続することにより、真空チャンバ
ー１に対して真空チャンバー１内のフィラメント９を負
電位に保っており、交流電源１３によりフィラメント９
に交流電流を流すと、フィラメント９が加熱されてフィ
ラメント９から熱電子が放出され、この電子がアルゴン
ガスに衝突してアルゴンイオンを生じさせるように構成
されている。
７に対してガス導入口３とは反対側に位置するように真
空チャンバー１内に配置されている。１１はバイアス電
源で、バイアス電源１１の出力端子の＋側を真空チャン
バー１に接続すると共に、出力端子の−側を回転テーブ
ル６に接続することにより、真空チャンバー１に対して
真空チャンバー１内のワーク７を負電位に保っている。
１３は交流電源で、トランス１４を介してフィラメント
９に交流電流を流すようになっている。１５はフィラメ
ント放電電源で、出力端子の＋側を真空チャンバー１に
接続すると共に、出力端子の−側を前記トランス１４の
二次巻線の中途部に接続することにより、真空チャンバ
ー１に対して真空チャンバー１内のフィラメント９を負
電位に保っており、交流電源１３によりフィラメント９
に交流電流を流すと、フィラメント９が加熱されてフィ
ラメント９から熱電子が放出され、この電子がアルゴン
ガスに衝突してアルゴンイオンを生じさせるように構成
されている。
【００１０】前記フィラメント９は、真空チャンバー１
内にワーク７に対向して長い範囲に設けられ、ワーク７
の回転軸心方向と一致するワーク７の長手方向に長く配
置されている。上記実施の形態によれば、真空チャンバ
ー１内において、交流電源１３によりフィラメント９に
交流電流を流すと、フィラメント９が加熱されてフィラ
メント９から熱電子が放出され、放電電源１５により加
速されたこの電子がアルゴンガスに衝突して真空チャン
バー１内にアルゴンイオンが生じる。真空チャンバー１
内に生じたアルゴンイオンはワーク７の表面に衝突し
て、ワーク７の表面を削り取って（エッチング）ワーク
７の表面を清浄化する。
内にワーク７に対向して長い範囲に設けられ、ワーク７
の回転軸心方向と一致するワーク７の長手方向に長く配
置されている。上記実施の形態によれば、真空チャンバ
ー１内において、交流電源１３によりフィラメント９に
交流電流を流すと、フィラメント９が加熱されてフィラ
メント９から熱電子が放出され、放電電源１５により加
速されたこの電子がアルゴンガスに衝突して真空チャン
バー１内にアルゴンイオンが生じる。真空チャンバー１
内に生じたアルゴンイオンはワーク７の表面に衝突し
て、ワーク７の表面を削り取って（エッチング）ワーク
７の表面を清浄化する。
【００１１】上記真空チャンバー１内にアルゴンイオン
が生じるとき、フィラメント９が、真空チャンバー１内
にワーク７に対向して長い範囲に設けられ、フィラメン
ト９が、ワーク７の長手方向及びワーク７の回転軸心方
向に長く配置されているため、フィラメント９から電子
が広い範囲に放出されてアルゴンガスに広い範囲で衝突
するため、イオン真空チャンバー１内にアルゴンイオン
が均一に発生する。しかも、後述する実験結果により確
認できるように、真空チャンバー１内に発生したアルゴ
ンイオンはフィラメント電流の方向に流されるため、フ
ィラメント９に直流電流を流すと、フィラメント９に流
れる直流電流によってアルゴンイオンが真空チャンバー
１内で一定方向に流れて、アルゴンイオンの分布に不均
一を生じることとなるが、フィラメント９に交流電流を
流しているため、フィラメント電流によりアルゴンイオ
ンの均一性が損なわれることもなくなり、この点からも
真空チャンバー１内にアルゴンイオンをより一層均一に
生じさせることができる。
が生じるとき、フィラメント９が、真空チャンバー１内
にワーク７に対向して長い範囲に設けられ、フィラメン
ト９が、ワーク７の長手方向及びワーク７の回転軸心方
向に長く配置されているため、フィラメント９から電子
が広い範囲に放出されてアルゴンガスに広い範囲で衝突
するため、イオン真空チャンバー１内にアルゴンイオン
が均一に発生する。しかも、後述する実験結果により確
認できるように、真空チャンバー１内に発生したアルゴ
ンイオンはフィラメント電流の方向に流されるため、フ
ィラメント９に直流電流を流すと、フィラメント９に流
れる直流電流によってアルゴンイオンが真空チャンバー
１内で一定方向に流れて、アルゴンイオンの分布に不均
一を生じることとなるが、フィラメント９に交流電流を
流しているため、フィラメント電流によりアルゴンイオ
ンの均一性が損なわれることもなくなり、この点からも
真空チャンバー１内にアルゴンイオンをより一層均一に
生じさせることができる。
【００１２】従って、発生したアルゴンイオンが真空チ
ャンバー１内乃至ワーク７に対して均一に生じ、このた
めボンバード効果の均一化が図られ、アルゴンイオンが
ワーク９の表面に均一に衝突して、ワーク９の表面を均
一に削り取ってワークの表面を良好に清浄化する。
ャンバー１内乃至ワーク７に対して均一に生じ、このた
めボンバード効果の均一化が図られ、アルゴンイオンが
ワーク９の表面に均一に衝突して、ワーク９の表面を均
一に削り取ってワークの表面を良好に清浄化する。
【００１３】
【表１】
【００１４】上記表１及び図２は、フィラメント電流の
向きの影響で真空チャンバー１内のアルゴンイオンによ
る電流分布が変化することを確認した実験結果を示すも
のであって、図３に示すように、真空チャンバー１内の
位置１、位置２、位置３、位置４、位置５、位置６にそ
れぞれイオン電流プローブ１９を設け、実線で示す如く
縦方向にフィラメント９ａを配置し、鎖線で示す如く横
方向にフィラメント９ｂを配置し、縦方向のフィラメン
ト９ａに矢印（↑及び↓）方向に直流電流を順次流すと
共に、横方向のフィラメント９ｂに矢印（→及び←）方
向に順次直流電流を流し、それぞれの場合について、各
イオン電流プローブ１９でイオン電流（ｍＡ）を検出し
たものである。
向きの影響で真空チャンバー１内のアルゴンイオンによ
る電流分布が変化することを確認した実験結果を示すも
のであって、図３に示すように、真空チャンバー１内の
位置１、位置２、位置３、位置４、位置５、位置６にそ
れぞれイオン電流プローブ１９を設け、実線で示す如く
縦方向にフィラメント９ａを配置し、鎖線で示す如く横
方向にフィラメント９ｂを配置し、縦方向のフィラメン
ト９ａに矢印（↑及び↓）方向に直流電流を順次流すと
共に、横方向のフィラメント９ｂに矢印（→及び←）方
向に順次直流電流を流し、それぞれの場合について、各
イオン電流プローブ１９でイオン電流（ｍＡ）を検出し
たものである。
【００１５】この実験結果から、真空チャンバー１内の
アルゴンイオンがフィラメント電流の方向に流れること
が確認された。即ち、鎖線で示す如く横方向に配置した
フィラメント９ｂに矢印←方向に直流電流を流した場合
（フィラメント電流をイオン電流プローブ１９がある方
向に向けて流した場合）に、最も多くのイオン電流が検
出されている。しかも、この場合フィラメント９ｂの位
置に近い位置６、位置５、位置４、位置３、位置２、位
置１の順に大きなイオン電流が検出されている。その結
果、アルゴンイオンがフィラメント電流の方向に流れる
ことが分かった。従って、上記実施の形態の如く、フィ
ラメント９に交流電流を流すことにより、アルゴンイオ
ンの分布の偏りをなくすことができ、上述の如く真空チ
ャンバー１内に発生するアルゴンイオンをより一層均一
にすることができるのである。
アルゴンイオンがフィラメント電流の方向に流れること
が確認された。即ち、鎖線で示す如く横方向に配置した
フィラメント９ｂに矢印←方向に直流電流を流した場合
（フィラメント電流をイオン電流プローブ１９がある方
向に向けて流した場合）に、最も多くのイオン電流が検
出されている。しかも、この場合フィラメント９ｂの位
置に近い位置６、位置５、位置４、位置３、位置２、位
置１の順に大きなイオン電流が検出されている。その結
果、アルゴンイオンがフィラメント電流の方向に流れる
ことが分かった。従って、上記実施の形態の如く、フィ
ラメント９に交流電流を流すことにより、アルゴンイオ
ンの分布の偏りをなくすことができ、上述の如く真空チ
ャンバー１内に発生するアルゴンイオンをより一層均一
にすることができるのである。
【００１６】
【表２】
【００１７】上記表２及び図４は、前記実施の形態にお
いて、フィラメント９の長さ；６００ｍｍ、アルゴンガ
ス；１．３３Ｐａ、フィラメント９への電流及び電圧；
５７Ａ／４０Ｖ、バイアス電源；６００Ｖ、処理時間；
３０分の条件の下で、長さ４００ｍｍのワーク７につい
てピッチ２５ｍｍでエッチング量を測定した結果を示す
ものであり、この結果から、従来ではアルゴンイオンの
分布の偏りから、ワーク７のエッチング量の分布に大き
な偏りが見られていたものが、ワーク７のエッチング量
の分布に偏りが極めて少なくなり、良好なボンバード処
理ができるようになったことが分かった。
いて、フィラメント９の長さ；６００ｍｍ、アルゴンガ
ス；１．３３Ｐａ、フィラメント９への電流及び電圧；
５７Ａ／４０Ｖ、バイアス電源；６００Ｖ、処理時間；
３０分の条件の下で、長さ４００ｍｍのワーク７につい
てピッチ２５ｍｍでエッチング量を測定した結果を示す
ものであり、この結果から、従来ではアルゴンイオンの
分布の偏りから、ワーク７のエッチング量の分布に大き
な偏りが見られていたものが、ワーク７のエッチング量
の分布に偏りが極めて少なくなり、良好なボンバード処
理ができるようになったことが分かった。
【００１８】図５は他の実施の形態を示し、真空チャン
バー１内において電子源であるフィラメント９を、円柱
状のワーク７の周囲を螺旋状に取り囲むように長く配置
している。その他の点は前記実施の形態の場合と同様の
構成である。この場合、フィラメント９がワーク７の周
囲を螺旋状に取り囲んでいるため、ワーク７の全表面に
対してアルゴンイオンが略均一に発生し、このためボン
バード効果の均一化が図られ、アルゴンイオンがワーク
９の表面に均一に衝突して、ワーク９の表面を均一に削
り取ってワークの表面を良好に清浄化する。なお、この
場合、フィラメント９が螺旋状になっているため、フィ
ラメント９に直流電流を流しても、フィラメント電流に
よって、アルゴンイオンが真空チャンバー１内で一定方
向に流れることはなくて、フィラメント電流によりアル
ゴンイオンの均一性が損なわれることが少なくなるた
め、フィラメント９に交流電流に代えて直流電流を流す
ようにしてもよい。
バー１内において電子源であるフィラメント９を、円柱
状のワーク７の周囲を螺旋状に取り囲むように長く配置
している。その他の点は前記実施の形態の場合と同様の
構成である。この場合、フィラメント９がワーク７の周
囲を螺旋状に取り囲んでいるため、ワーク７の全表面に
対してアルゴンイオンが略均一に発生し、このためボン
バード効果の均一化が図られ、アルゴンイオンがワーク
９の表面に均一に衝突して、ワーク９の表面を均一に削
り取ってワークの表面を良好に清浄化する。なお、この
場合、フィラメント９が螺旋状になっているため、フィ
ラメント９に直流電流を流しても、フィラメント電流に
よって、アルゴンイオンが真空チャンバー１内で一定方
向に流れることはなくて、フィラメント電流によりアル
ゴンイオンの均一性が損なわれることが少なくなるた
め、フィラメント９に交流電流に代えて直流電流を流す
ようにしてもよい。
【００１９】図６は他の実施の形態を示し、真空チャン
バー１内において電子源であるフィラメント９を、板状
のワーク７に対してワーク７の板面に沿ってフィラメン
ト９をジグザグ状に長く配置している。その他の点は前
記実施の形態の場合と同様の構成である。この場合、板
状のワーク７の表面に対してアルゴンイオンが略均一に
発生し、このためワーク７の表面に対するボンバード効
果の均一化が図られ、アルゴンイオンがワーク９の表面
に均一に衝突して、ワーク９の表面を均一に削り取って
ワークの表面を良好に清浄化する。なお、この場合、フ
ィラメント９がジグザグ状になっているため、フィラメ
ント９に直流電流を流しても、フィラメント電流によっ
て、アルゴンイオンが真空チャンバー１内で一定方向に
流れることはなくて、フィラメント電流によりアルゴン
イオンの均一性が損なわれることが少なくなるため、フ
ィラメント９に交流電流に代えて直流電流を流すように
してもよい。
バー１内において電子源であるフィラメント９を、板状
のワーク７に対してワーク７の板面に沿ってフィラメン
ト９をジグザグ状に長く配置している。その他の点は前
記実施の形態の場合と同様の構成である。この場合、板
状のワーク７の表面に対してアルゴンイオンが略均一に
発生し、このためワーク７の表面に対するボンバード効
果の均一化が図られ、アルゴンイオンがワーク９の表面
に均一に衝突して、ワーク９の表面を均一に削り取って
ワークの表面を良好に清浄化する。なお、この場合、フ
ィラメント９がジグザグ状になっているため、フィラメ
ント９に直流電流を流しても、フィラメント電流によっ
て、アルゴンイオンが真空チャンバー１内で一定方向に
流れることはなくて、フィラメント電流によりアルゴン
イオンの均一性が損なわれることが少なくなるため、フ
ィラメント９に交流電流に代えて直流電流を流すように
してもよい。
【００２０】図７は他の実施の形態を示し、真空チャン
バー１内において電子源であるフィラメント９を、回転
駆動される円柱状のワーク７に対向させてフィラメント
９をジグザグ状に長く配置している。その他の点は前記
実施の形態の場合と同様の構成である。この場合、ワー
ク７に対してアルゴンイオンが略均一に発生し、このた
めボンバード効果の均一化が図られ、アルゴンイオンが
ワーク９の表面に均一に衝突して、ワーク９の表面を均
一に削り取ってワークの表面を良好に清浄化する。な
お、この場合も、フィラメント９がジグザグ状になって
いるため、フィラメント９に直流電流を流しても、フィ
ラメント電流によって、アルゴンイオンが真空チャンバ
ー１内で一定方向に流れることはなくて、フィラメント
電流によりアルゴンイオンの均一性が損なわれることが
少なくなるため、フィラメント９に交流電流に代えて直
流電流を流すようにしてもよい。
バー１内において電子源であるフィラメント９を、回転
駆動される円柱状のワーク７に対向させてフィラメント
９をジグザグ状に長く配置している。その他の点は前記
実施の形態の場合と同様の構成である。この場合、ワー
ク７に対してアルゴンイオンが略均一に発生し、このた
めボンバード効果の均一化が図られ、アルゴンイオンが
ワーク９の表面に均一に衝突して、ワーク９の表面を均
一に削り取ってワークの表面を良好に清浄化する。な
お、この場合も、フィラメント９がジグザグ状になって
いるため、フィラメント９に直流電流を流しても、フィ
ラメント電流によって、アルゴンイオンが真空チャンバ
ー１内で一定方向に流れることはなくて、フィラメント
電流によりアルゴンイオンの均一性が損なわれることが
少なくなるため、フィラメント９に交流電流に代えて直
流電流を流すようにしてもよい。
【００２１】なお、前記実施の形態では、電子源として
フィラメント９を使用しているが、電子源はフィラメン
ト９に限定されず、電子を放出するものであれば他のも
のを使用するようにしてもよい。また、前記実施の形態
では、真空チャンバー１内に不活性ガスとしてアルゴン
ガスを導入するようにしているが、アルゴンガスに代え
て、キセノンその他の不活性ガスを真空チャンバー１内
に導入するようにしてもよい。また、前記実施の形態で
は、ワーク７を該ワーク７の軸心廻りに回転させるよう
にしているが、これに代え、ワーク７を該ワーク７から
外れた回転軸心廻りに回転させるようにしてもよいし、
ワーク７を往復移動させるようにしてもよく、これらの
場合、ワーク７と共に電子源を移動させるようにしても
よい。さらに、ワーク７を固定式にしてもよい。
フィラメント９を使用しているが、電子源はフィラメン
ト９に限定されず、電子を放出するものであれば他のも
のを使用するようにしてもよい。また、前記実施の形態
では、真空チャンバー１内に不活性ガスとしてアルゴン
ガスを導入するようにしているが、アルゴンガスに代え
て、キセノンその他の不活性ガスを真空チャンバー１内
に導入するようにしてもよい。また、前記実施の形態で
は、ワーク７を該ワーク７の軸心廻りに回転させるよう
にしているが、これに代え、ワーク７を該ワーク７から
外れた回転軸心廻りに回転させるようにしてもよいし、
ワーク７を往復移動させるようにしてもよく、これらの
場合、ワーク７と共に電子源を移動させるようにしても
よい。さらに、ワーク７を固定式にしてもよい。
【００２２】
【発明の効果】本発明によれば、ワーク７に衝突するイ
オンを、真空チャンバー１内乃至ワーク７に対して均一
に発生させて、ワーク７を良好に清浄できるようにな
る。
オンを、真空チャンバー１内乃至ワーク７に対して均一
に発生させて、ワーク７を良好に清浄できるようにな
る。
【図１】本発明の一実施の形態を示す構成図である。
【図２】同作用説明用のグラフである。
【図３】同イオン電流プローブ及びフィラメントの配置
を示す真空チャンバーの概略の平面図、正面図及び側面
図である。
を示す真空チャンバーの概略の平面図、正面図及び側面
図である。
【図４】同作用効果説明用のグラフである。
【図５】他の実施の形態を示す斜視図である。
【図６】他の実施の形態を示す正面図である。
【図７】他の実施の形態を示す斜視図である。
１ 真空チャンバー ７ ワーク ９ フィラメント（電子源）
Claims (6)
- 【請求項１】 真空チャンバー（１）内で、電子源から
不活性ガスに対して電子を放出することによりイオンを
発生させ、この発生したイオンをワーク（７）の表面に
衝突させて、ワーク（７）の表面を清浄化するようにし
たワークの清浄方法において、 真空チャンバー（１）内に、電子源をワーク（７）に対
向するように長い範囲に配置しておき、真空チャンバー
（１）内で前記電子源から不活性ガスに対して電子を放
出することにより、真空チャンバー（１）内にイオンを
均一に発生させるようにしたことを特徴とするワークの
清浄方法。 - 【請求項２】 真空チャンバー（１）内で、電子源から
不活性ガスに対して電子を放出することによりイオンを
発生させ、この発生したイオンをワーク（７）の表面に
衝突させて、ワーク（７）の表面を清浄化するようにし
たワークの清浄装置において、 真空チャンバー（１）内に発生するイオンを均一にする
ように、前記電子源が真空チャンバー（１）内に長い範
囲で配置されていることを特徴とするワークの清浄装
置。 - 【請求項３】 前記電子源が、ワーク（７）に対向する
ように該ワーク（７）の長手方向に長く配置されている
ことを特徴とする請求項２に記載のワークの清浄装置。 - 【請求項４】 前記電子源が、ワーク（７）に対向する
ように該ワーク（７）の回転軸心方向に長く配置されて
いることを特徴とする請求項２に記載のワークの清浄装
置。 - 【請求項５】 前記電子源が、ワーク（７）の周囲を取
り囲むように長い範囲に配置されていることを特徴とす
る請求項２に記載のワークの清浄装置。 - 【請求項６】 前記電子源が、フィラメント（９）に交
流電流を流すことにより電子を放出するように構成され
ていることを特徴とする請求項２〜５のいずれかに記載
のワークの清浄装置。
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|---|---|---|---|
| JP14692099A JP3930662B2 (ja) | 1999-05-26 | 1999-05-26 | ワークの清浄方法及びその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14692099A JP3930662B2 (ja) | 1999-05-26 | 1999-05-26 | ワークの清浄方法及びその装置 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000336492A true JP2000336492A (ja) | 2000-12-05 |
| JP3930662B2 JP3930662B2 (ja) | 2007-06-13 |
Family
ID=15418567
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14692099A Expired - Lifetime JP3930662B2 (ja) | 1999-05-26 | 1999-05-26 | ワークの清浄方法及びその装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3930662B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JP2009205971A (ja) * | 2008-02-28 | 2009-09-10 | Nissin Electric Co Ltd | イオン照射装置 |
| EP2597172A1 (en) * | 2011-11-25 | 2013-05-29 | Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho | Ion bombardment apparatus and method for cleaning of surface of base material using the same |
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-
1999
- 1999-05-26 JP JP14692099A patent/JP3930662B2/ja not_active Expired - Lifetime
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| CN103132013A (zh) * | 2011-11-25 | 2013-06-05 | 株式会社神户制钢所 | 离子轰击装置及利用该装置的基体材料表面的清洁方法 |
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|---|---|
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