JP2000336053A - トリフェニレン誘導体化合物 - Google Patents
トリフェニレン誘導体化合物Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ディスコティック液晶材料として有用な新規
なトリフェニレン誘導体化合物を提供する。 【解決手段】 一般式（Ｉ）で示されるトリフェニレン
誘導体化合物。（式中、Ｒ1 ，Ｒ2 ，Ｒ3 ，Ｒ4 ，Ｒ
5 ，Ｒ6 はそれぞれ独立に２つ以上のＯＣＨ2 ＣＨ 2 セ
グメントあるいはＯＣＨ2 ＣＨ2 ＣＨ2 セグメントから
構成され、末端部分に炭素原子数１から２０の分岐状ま
たは直鎖状のアルキル基がついた側鎖を示す。但し、該
アルキル基中の水素原子はフッ素原子に置き換わってい
てもよく、また１つ以上のメチレン基はＯ、ＣＯ、−Ｃ
Ｈ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−またはエポキシ基に置き換わっ
ていてもよい。） 【化１】
なトリフェニレン誘導体化合物を提供する。 【解決手段】 一般式（Ｉ）で示されるトリフェニレン
誘導体化合物。（式中、Ｒ1 ，Ｒ2 ，Ｒ3 ，Ｒ4 ，Ｒ
5 ，Ｒ6 はそれぞれ独立に２つ以上のＯＣＨ2 ＣＨ 2 セ
グメントあるいはＯＣＨ2 ＣＨ2 ＣＨ2 セグメントから
構成され、末端部分に炭素原子数１から２０の分岐状ま
たは直鎖状のアルキル基がついた側鎖を示す。但し、該
アルキル基中の水素原子はフッ素原子に置き換わってい
てもよく、また１つ以上のメチレン基はＯ、ＣＯ、−Ｃ
Ｈ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−またはエポキシ基に置き換わっ
ていてもよい。） 【化１】
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ディスコティック
液晶材料として有用な新規なトリフェニレン誘導体化合
物に関する。
液晶材料として有用な新規なトリフェニレン誘導体化合
物に関する。
【０００２】
【従来の技術】ディスコティック液晶は、１９７７年に
Ｓ．Ｃｈａｎｄｒａｓｅｋｈａｒらにより発見された
（“Ｐｒａｍａｎａ”９，４７１（１９７７））液晶で
ある。例えば、同著者らによって、“Ｄｉｓｃｏｔｉｃ
Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌｓ”と題して“Ｒｅ
ｐ．Ｐｒｏｇ．Ｐｈｙｓ．”５３（１９９０）５７に、
あるいは竹中俊介によって“ディスコチック液晶分子の
デザインと合成”と題して日本化学会編“季刊化学総
説”２２巻６０頁に解説されているように、ディスク
（円盤）状のコアに比較的長い側鎖が複数個結合した化
合物である。
Ｓ．Ｃｈａｎｄｒａｓｅｋｈａｒらにより発見された
（“Ｐｒａｍａｎａ”９，４７１（１９７７））液晶で
ある。例えば、同著者らによって、“Ｄｉｓｃｏｔｉｃ
Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌｓ”と題して“Ｒｅ
ｐ．Ｐｒｏｇ．Ｐｈｙｓ．”５３（１９９０）５７に、
あるいは竹中俊介によって“ディスコチック液晶分子の
デザインと合成”と題して日本化学会編“季刊化学総
説”２２巻６０頁に解説されているように、ディスク
（円盤）状のコアに比較的長い側鎖が複数個結合した化
合物である。
【０００３】その化合物の種類は主にコアの構造によっ
て類別することができ、６置換ベンゼンおよび３置換ベ
ンゼンの誘導体、フタロシアニンおよびポルフィリンの
誘導体、トリフェニレン、トルクセン、ピリリウムの各
誘導体、トリベンゾシクロノネン誘導体、アザクラウン
誘導体、シクロヘキサン誘導体等があげられる。
て類別することができ、６置換ベンゼンおよび３置換ベ
ンゼンの誘導体、フタロシアニンおよびポルフィリンの
誘導体、トリフェニレン、トルクセン、ピリリウムの各
誘導体、トリベンゾシクロノネン誘導体、アザクラウン
誘導体、シクロヘキサン誘導体等があげられる。
【０００４】ディスコティック液晶の構造的な特徴か
ら、過去、デバイスヘの応用を示唆するいくつかの報告
がなされている。フタロシアニンやトリフェニレンのよ
うな共役パイ電子を有する系においては電子（またはホ
ール）のチャネルを提供することができる。（Ｐｉｅｃ
ｈｏｃｋｉ ｅｔ ａｌ．：“Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓ
ｏｃ．”１９８２，１０４，ｐｐ５２４５）また、コア
がアザクラウンのような環状の場合には、中心の空隙部
を選択的に分子が通過する分子チャネルを提供すること
ができる示唆がなされている。（Ｌｅｈｎ ｅｔ ａ
ｌ．：“Ｊ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．”，Ｃｈｅｍ．Ｃｏｍ
ｍｕｎ．，１９８５，ｐｐｌ７９４）
ら、過去、デバイスヘの応用を示唆するいくつかの報告
がなされている。フタロシアニンやトリフェニレンのよ
うな共役パイ電子を有する系においては電子（またはホ
ール）のチャネルを提供することができる。（Ｐｉｅｃ
ｈｏｃｋｉ ｅｔ ａｌ．：“Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓ
ｏｃ．”１９８２，１０４，ｐｐ５２４５）また、コア
がアザクラウンのような環状の場合には、中心の空隙部
を選択的に分子が通過する分子チャネルを提供すること
ができる示唆がなされている。（Ｌｅｈｎ ｅｔ ａ
ｌ．：“Ｊ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．”，Ｃｈｅｍ．Ｃｏｍ
ｍｕｎ．，１９８５，ｐｐｌ７９４）
【０００５】一方、トリフェニレン骨格を持つ化合物に
ついては、“Ｍｏｌ．Ｃｒｙｓｔ．Ｌｉｑ．Ｃｒｙｓ
ｔ．”，６５，３０７（１９８１）、“Ｌｉｑｕｉｄ
Ｃｒｙｓｔａｌ”１９８６，Ｖｏｌ．１，Ｎｏ．２，１
０９〜１２５及び特開平１０−１２０７３０号公報等で
知られているが、側鎖にエーテル酸素を２個以上含み、
液晶性を備えている化合物についてはほとんど知られて
いない。
ついては、“Ｍｏｌ．Ｃｒｙｓｔ．Ｌｉｑ．Ｃｒｙｓ
ｔ．”，６５，３０７（１９８１）、“Ｌｉｑｕｉｄ
Ｃｒｙｓｔａｌ”１９８６，Ｖｏｌ．１，Ｎｏ．２，１
０９〜１２５及び特開平１０−１２０７３０号公報等で
知られているが、側鎖にエーテル酸素を２個以上含み、
液晶性を備えている化合物についてはほとんど知られて
いない。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、この様な従
来技術に鑑みてなされたものであり、ディスコティック
液晶材料として有用な新規なトリフェニレン誘導体化合
物を提供する事にある。
来技術に鑑みてなされたものであり、ディスコティック
液晶材料として有用な新規なトリフェニレン誘導体化合
物を提供する事にある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】即ち、本発明は、下記一
般式（Ｉ）で示されるトリフェニレン誘導体化合物であ
る。
般式（Ｉ）で示されるトリフェニレン誘導体化合物であ
る。
【０００８】
【化２】
【０００９】（式中、Ｒ1，Ｒ2，Ｒ3，Ｒ4，Ｒ5，Ｒ6は
それぞれ独立に２つ以上のＯＣＨ2ＣＨ2セグメントある
いはＯＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2セグメントから構成され、末端
部分に炭素原子数１〜２０の分岐状または直鎖状のアル
キル基がついた側鎖を示す。但し、該アルキル基中の水
素原子はフッ素原子に置き換わっていてもよく、また１
つ以上のメチレン基はＯ、ＣＯ、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ
≡Ｃ−またはエポキシ基に置き換わっていてもよい。）
それぞれ独立に２つ以上のＯＣＨ2ＣＨ2セグメントある
いはＯＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2セグメントから構成され、末端
部分に炭素原子数１〜２０の分岐状または直鎖状のアル
キル基がついた側鎖を示す。但し、該アルキル基中の水
素原子はフッ素原子に置き換わっていてもよく、また１
つ以上のメチレン基はＯ、ＣＯ、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ
≡Ｃ−またはエポキシ基に置き換わっていてもよい。）
【００１０】上記のトリフェニレン誘導体化合物は、デ
ィスコチックカラムナー相を有するのが好ましい。ま
た、本発明は、上記のトリフェニレン誘導体化合物から
なる液晶材料である。
ィスコチックカラムナー相を有するのが好ましい。ま
た、本発明は、上記のトリフェニレン誘導体化合物から
なる液晶材料である。
【００１１】
【発明の実施の形態】本発明の新規なトリフェニレン誘
導体化合物は、下記一般式（Ｉ）で示される化合物であ
る。
導体化合物は、下記一般式（Ｉ）で示される化合物であ
る。
【００１２】
【化３】
【００１３】一般式（Ｉ）において、Ｒ1，Ｒ2，Ｒ3，
Ｒ4，Ｒ5，Ｒ6はそれぞれ独立に２つ以上のＯＣＨ2ＣＨ
2セグメントあるいはＯＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2セグメントから
構成され、末端部分に炭素原子数１〜２０の分岐状また
は直鎖状のアルキル基がついた側鎖を示す。但し、該ア
ルキル基中の水素原子はフッ素原子に置き換わっていて
もよく、また１つ以上のメチレン基はＯ、ＣＯ、−ＣＨ
＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−またはエポキシ基に置き換わって
いてもよい。
Ｒ4，Ｒ5，Ｒ6はそれぞれ独立に２つ以上のＯＣＨ2ＣＨ
2セグメントあるいはＯＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2セグメントから
構成され、末端部分に炭素原子数１〜２０の分岐状また
は直鎖状のアルキル基がついた側鎖を示す。但し、該ア
ルキル基中の水素原子はフッ素原子に置き換わっていて
もよく、また１つ以上のメチレン基はＯ、ＣＯ、−ＣＨ
＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−またはエポキシ基に置き換わって
いてもよい。
【００１４】前記一般式（Ｉ）において、好ましくはＲ
1，Ｒ2，Ｒ3，Ｒ4，Ｒ5，Ｒ6がそれぞれ独立に（ＯＣＨ
2ＣＨ2）nＯＲ7または（ＯＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2）nＯＲ7で
ある。式中ｎは１〜２０の整数であり、Ｒ7は炭素原子
数４〜２０の分岐状または直鎖状のアルキル基を示す。
該アルキル基中の水素原子はフッ素原子に置き換わって
いてもよく、また１つ以上のメチレンはＯ、ＣＯ、−Ｃ
Ｈ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−またはエポキシ基に置き換わっ
ていてもよい。
1，Ｒ2，Ｒ3，Ｒ4，Ｒ5，Ｒ6がそれぞれ独立に（ＯＣＨ
2ＣＨ2）nＯＲ7または（ＯＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2）nＯＲ7で
ある。式中ｎは１〜２０の整数であり、Ｒ7は炭素原子
数４〜２０の分岐状または直鎖状のアルキル基を示す。
該アルキル基中の水素原子はフッ素原子に置き換わって
いてもよく、また１つ以上のメチレンはＯ、ＣＯ、−Ｃ
Ｈ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−またはエポキシ基に置き換わっ
ていてもよい。
【００１５】また、液晶性の観点から、ｎは好ましくは
１〜３の整数であり、Ｒ7は、炭素原子数４〜２０、好
ましくは炭素原子数４〜１０の分岐状または直鎖状のア
ルキル基である。Ｒ7としては、例えばペンチル基、ヘ
プチル基、ノナニル基、ウンデシル基、トリデシル基、
ヘキサデシル基などが挙げられる。
１〜３の整数であり、Ｒ7は、炭素原子数４〜２０、好
ましくは炭素原子数４〜１０の分岐状または直鎖状のア
ルキル基である。Ｒ7としては、例えばペンチル基、ヘ
プチル基、ノナニル基、ウンデシル基、トリデシル基、
ヘキサデシル基などが挙げられる。
【００１６】更にこれら化合物が有する液晶相は、ディ
スコチックカラムナー相であることが好ましい。また、
本発明の化合物をポリマー化して用いる場合は、好まし
くは末端が−ＣＨ＝ＣＨ2、−Ｃ≡ＣＨまたはエポキシ
基であるものが好ましい。
スコチックカラムナー相であることが好ましい。また、
本発明の化合物をポリマー化して用いる場合は、好まし
くは末端が−ＣＨ＝ＣＨ2、−Ｃ≡ＣＨまたはエポキシ
基であるものが好ましい。
【００１７】次に本発明の一般式（Ｉ）で示される化合
物の一般的な製造方法を説明する。 （１）Ｒ1，Ｒ2，Ｒ3，Ｒ4，Ｒ5，Ｒ6が同じ場合（Ｒ1
＝Ｒ2＝Ｒ3＝Ｒ4＝Ｒ5＝Ｒ6＝Ｒａ） ２，３，６，７，１０，１１−ヘキサヒドロキシトリフ
ェニレンに６倍モルのＲａに相応するハロゲン誘導体あ
るいはトシレート誘導体を、塩基の存在下で作用させて
製造する。その反応式を下記に示す。
物の一般的な製造方法を説明する。 （１）Ｒ1，Ｒ2，Ｒ3，Ｒ4，Ｒ5，Ｒ6が同じ場合（Ｒ1
＝Ｒ2＝Ｒ3＝Ｒ4＝Ｒ5＝Ｒ6＝Ｒａ） ２，３，６，７，１０，１１−ヘキサヒドロキシトリフ
ェニレンに６倍モルのＲａに相応するハロゲン誘導体あ
るいはトシレート誘導体を、塩基の存在下で作用させて
製造する。その反応式を下記に示す。
【００１８】
【化４】
【００１９】（２） Ｒ1，Ｒ2，Ｒ3，Ｒ4，Ｒ5，Ｒ6が
異なる場合 例えば、Ｒ1＝Ｒ3＝Ｒ5＝Ｒａ、Ｒ2＝Ｒ4＝Ｒ6＝Ｒｂの
場合は、２，３，６，７，１０，１１−ヘキサヒドロキ
シトリフェニレンに先ず３倍モルのＲａに相応するハロ
ゲン誘導体あるいはトシレート誘導体を塩基の存在下で
作用させた後、３倍モルのＲｂに相応するハロゲン誘導
体あるいはトシレート誘導体を同じく塩基の存在下で作
用させて製造する。その反応式を下記に示す。
異なる場合 例えば、Ｒ1＝Ｒ3＝Ｒ5＝Ｒａ、Ｒ2＝Ｒ4＝Ｒ6＝Ｒｂの
場合は、２，３，６，７，１０，１１−ヘキサヒドロキ
シトリフェニレンに先ず３倍モルのＲａに相応するハロ
ゲン誘導体あるいはトシレート誘導体を塩基の存在下で
作用させた後、３倍モルのＲｂに相応するハロゲン誘導
体あるいはトシレート誘導体を同じく塩基の存在下で作
用させて製造する。その反応式を下記に示す。
【００２０】また、２，３，６，７，１０，１１−ヘキ
サヒドロキシトリフェニレンにそれぞれＲ1，Ｒ2，
Ｒ3，Ｒ4，Ｒ5，Ｒ6に相応するハロゲン誘導体あるいは
トシレート誘導体を化学量論的に作用させて一段階で製
造し、カラムクロマトグラフィーにより、取り分ける方
法も有効である。
サヒドロキシトリフェニレンにそれぞれＲ1，Ｒ2，
Ｒ3，Ｒ4，Ｒ5，Ｒ6に相応するハロゲン誘導体あるいは
トシレート誘導体を化学量論的に作用させて一段階で製
造し、カラムクロマトグラフィーにより、取り分ける方
法も有効である。
【００２１】
【化５】
【００２２】以下、本発明の一般式（Ｉ）で示される化
合物の具体的な構造式を表１〜９に示す。但し、本発明
はこれらのみに限定されるものではない。
合物の具体的な構造式を表１〜９に示す。但し、本発明
はこれらのみに限定されるものではない。
【００２３】
【表１】
【００２４】
【表２】
【００２５】
【表３】
【００２６】
【表４】
【００２７】
【表５】
【００２８】
【表６】
【００２９】
【表７】
【００３０】
【表８】
【００３１】
【表９】
【００３２】従来、トリフェニレン骨格を持つ化合物に
ついては、前述したように、“Ｍｏｌ．Ｃｒｙｓｔ．
Ｌｉｑ．Ｃｒｙｓｔ．”，６５，３０７（１９８１）、
“Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ”，１９８６，Ｖｏ
ｌ．１，Ｎｏ．２，１０９〜１２５及び特開平１０−
１２０７３０号公報等で知られている。しかしながら、
は側鎖にエーテル酸素が含まれていない。は側鎖に
エーテル酸素は含まれているが単体では液晶性を示さ
ず、水と混合することで初めてリオトロピック液晶を示
す。はトリフェニレン骨格にクラウンエーテル環を直
結したもので、構造も異なるがフレキシブル性に欠ける
為に液晶性を示さない。以上の点が本発明の一般式
（Ｉ）で示される化合物と、従来のトリフェニレン骨格
を持つ化合物とは相違点する。
ついては、前述したように、“Ｍｏｌ．Ｃｒｙｓｔ．
Ｌｉｑ．Ｃｒｙｓｔ．”，６５，３０７（１９８１）、
“Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ”，１９８６，Ｖｏ
ｌ．１，Ｎｏ．２，１０９〜１２５及び特開平１０−
１２０７３０号公報等で知られている。しかしながら、
は側鎖にエーテル酸素が含まれていない。は側鎖に
エーテル酸素は含まれているが単体では液晶性を示さ
ず、水と混合することで初めてリオトロピック液晶を示
す。はトリフェニレン骨格にクラウンエーテル環を直
結したもので、構造も異なるがフレキシブル性に欠ける
為に液晶性を示さない。以上の点が本発明の一般式
（Ｉ）で示される化合物と、従来のトリフェニレン骨格
を持つ化合物とは相違点する。
【００３３】更に本発明の化合物は、他の液晶化合物、
非液晶化合物の１種以上と適当な割合で混合する事によ
り、液晶相、液晶転移温度を調整する事が出来る。ま
た、側鎖の末端に重合可能な重合性基が付いている場合
は重合架橋して固定化することができる。
非液晶化合物の１種以上と適当な割合で混合する事によ
り、液晶相、液晶転移温度を調整する事が出来る。ま
た、側鎖の末端に重合可能な重合性基が付いている場合
は重合架橋して固定化することができる。
【００３４】本発明の化合物はディスコチック液晶性を
利用して電子（またはホール）の輸送等の様々な機能が
期待されるが、特にエーテル酸素の存在により誘電率が
大きい為に電解質としてのイオン輸送機能が期待され
る。その場合、金属イオンと混合することで良好な電解
質を得ることができる。
利用して電子（またはホール）の輸送等の様々な機能が
期待されるが、特にエーテル酸素の存在により誘電率が
大きい為に電解質としてのイオン輸送機能が期待され
る。その場合、金属イオンと混合することで良好な電解
質を得ることができる。
【００３５】
【実施例】以下、実施例により本発明について更に詳細
に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるも
のではない。 実施例１ ２，３，６，７，１０，１１−ヘキサ（２−ヘキシルオ
キシエチルオキシ）トリフェニレン（例示化合物Ｔ−
６）の製造 （１）ｐ−トルエンスルホン酸２−ヘキシルオキシエチ
ルの製造 反応容器に２−ヘキシルオキシエタノール３．２９ｇ
（２２．５ｍｍｏｌ）とピリジン５．３３ｇ（６７．５
ｍｍｏｌ）を入れ、それに氷浴中、ｐ−トルエンスルホ
ン酸クロリド４．７２ｇ（２４．７ｍｍｏｌ）を加え、
１時間撹拌した後、室温で更に３時間撹拌した。反応終
了後、３Ｎ−ＨＣｌを加え酸性とした後、トルエンで２
回抽出した。抽出液を水で洗浄した後、無水硫酸ナトリ
ウムを加え乾燥した。溶媒を留去した後、シリカゲルカ
ラムクロマトグラフィー（溶離溶媒：トルエン／酢酸エ
チル＝１０／１）により精製し、ｐ−トルエンスルホン
酸２−ヘキシルオキシエチル６．４５ｇ（２１．５ｍｍ
ｏｌ）を得た。収率９５％
に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるも
のではない。 実施例１ ２，３，６，７，１０，１１−ヘキサ（２−ヘキシルオ
キシエチルオキシ）トリフェニレン（例示化合物Ｔ−
６）の製造 （１）ｐ−トルエンスルホン酸２−ヘキシルオキシエチ
ルの製造 反応容器に２−ヘキシルオキシエタノール３．２９ｇ
（２２．５ｍｍｏｌ）とピリジン５．３３ｇ（６７．５
ｍｍｏｌ）を入れ、それに氷浴中、ｐ−トルエンスルホ
ン酸クロリド４．７２ｇ（２４．７ｍｍｏｌ）を加え、
１時間撹拌した後、室温で更に３時間撹拌した。反応終
了後、３Ｎ−ＨＣｌを加え酸性とした後、トルエンで２
回抽出した。抽出液を水で洗浄した後、無水硫酸ナトリ
ウムを加え乾燥した。溶媒を留去した後、シリカゲルカ
ラムクロマトグラフィー（溶離溶媒：トルエン／酢酸エ
チル＝１０／１）により精製し、ｐ−トルエンスルホン
酸２−ヘキシルオキシエチル６．４５ｇ（２１．５ｍｍ
ｏｌ）を得た。収率９５％
【００３６】（２） ２，３，６，７，１０，１１−ヘ
キサ（２−ヘキシルオキシエチルオキシ）トリフェニレ
ンの製造 反応容器に乾燥Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭ
Ｆ）１５ｍｌと水素化ナトリウム（６０％ ｉｎ ｏｉ
ｌ（鉱油））０．７７ｇ（１９．３ｍｍｏｌ）を入れ、
それに水浴中、２，３，６，７，１０，１１−ヘキサヒ
ドロキシトリフェニレン０．９２ｇ（２．８４ｍｍｏ
ｌ）を加え１時間撹拌した。その後、ｐ−トルエンスル
ホン酸２−ヘキシルオキシエチル６．３ｇ（２１．０ｍ
ｍｏｌ）と乾燥ＤＭＦ５ｍｌの混合液を滴下し、８０℃
で５時間撹拌した。反応終了後、水を加えトルエンで２
回抽出した。抽出液を水で洗浄した後、無水硫酸ナトリ
ウムを加え乾燥した。溶媒を留去した後、シリカゲルカ
ラムクロマトグラフィー（溶離溶媒：トルエン／酢酸エ
チル＝５／１）を２回行い精製し、２，３，６，７，１
０，１１−ヘキサ（２−ヘキシルオキシエチルオキシ）
トリフェニレン１．１５ｇ（１．０ｍｍｏｌ）を得た。
収率３５％
キサ（２−ヘキシルオキシエチルオキシ）トリフェニレ
ンの製造 反応容器に乾燥Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭ
Ｆ）１５ｍｌと水素化ナトリウム（６０％ ｉｎ ｏｉ
ｌ（鉱油））０．７７ｇ（１９．３ｍｍｏｌ）を入れ、
それに水浴中、２，３，６，７，１０，１１−ヘキサヒ
ドロキシトリフェニレン０．９２ｇ（２．８４ｍｍｏ
ｌ）を加え１時間撹拌した。その後、ｐ−トルエンスル
ホン酸２−ヘキシルオキシエチル６．３ｇ（２１．０ｍ
ｍｏｌ）と乾燥ＤＭＦ５ｍｌの混合液を滴下し、８０℃
で５時間撹拌した。反応終了後、水を加えトルエンで２
回抽出した。抽出液を水で洗浄した後、無水硫酸ナトリ
ウムを加え乾燥した。溶媒を留去した後、シリカゲルカ
ラムクロマトグラフィー（溶離溶媒：トルエン／酢酸エ
チル＝５／１）を２回行い精製し、２，３，６，７，１
０，１１−ヘキサ（２−ヘキシルオキシエチルオキシ）
トリフェニレン１．１５ｇ（１．０ｍｍｏｌ）を得た。
収率３５％
【００３７】図１に得られた２，３，６，７，１０，１
１−ヘキサ（２−ヘキシルオキシエチルオキシ）トリフ
ェニレンのＮＭＲチャートを示す。
１−ヘキサ（２−ヘキシルオキシエチルオキシ）トリフ
ェニレンのＮＭＲチャートを示す。
【００３８】また、得られた化合物のＤＳＣによる相転
移温度を以下に示す。 昇温過程 Ｃｒｙ（−２４℃）Ｘｌ（１７℃）Ｘ２（２９℃）Ｄｈ
（８４℃）Ｉｓｏ 冷却過程 Ｉｓｏ（８１℃）Ｄｈ（１６℃）Ｘ２（５℃）Ｘｌ（＜
−５０℃）Ｃｒｙ Ｃｒｙ：結晶相、Ｘ１，Ｘ２：未同定の相、Ｄｈ：ディ
スコチックカラムナー相、Ｉｓｏ：等方相
移温度を以下に示す。 昇温過程 Ｃｒｙ（−２４℃）Ｘｌ（１７℃）Ｘ２（２９℃）Ｄｈ
（８４℃）Ｉｓｏ 冷却過程 Ｉｓｏ（８１℃）Ｄｈ（１６℃）Ｘ２（５℃）Ｘｌ（＜
−５０℃）Ｃｒｙ Ｃｒｙ：結晶相、Ｘ１，Ｘ２：未同定の相、Ｄｈ：ディ
スコチックカラムナー相、Ｉｓｏ：等方相
【００３９】実施例２ ２，３，６，７，１０，１１−ヘキサ（１，４，７−ト
リオキサトリデシル）トリフェニレン（例示化合物Ｔ−
１６）の製造 （１）ｐ−トルエンスルホン酸１，４，７−トリオキサ
トリデシルの製造 反応容器に２−（２−ヘキシルオキシエチルオキシ）エ
タノール８．５５ｇ（４５．０ｍｍｏｌ）とピリジン１
０．７ｇ（１３５ｍｍｏｌ）を入れ、それに氷浴中、ｐ
−トルエンスルホン酸クロリド９．４３ｇ（４９．５ｍ
ｍｏｌ）を加え、１時間撹拌した後、室温で更に２時間
撹拌した。反応終了後、３Ｎ−ＨＣｌを加え酸性とした
後、トルエンで２回抽出した。抽出液を水で洗浄した
後、無水硫酸ナトリウムを加え乾燥した。溶媒を留去し
た後、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶離溶
媒：トルエン／酢酸エチル＝１５／１）により精製し、
ｐ−トルエンスルホン酸１，４，７−トリオキサトリデ
シル１３．２４ｇ（３８．５ｍｍｏｌ）を得た。収率８
６％
リオキサトリデシル）トリフェニレン（例示化合物Ｔ−
１６）の製造 （１）ｐ−トルエンスルホン酸１，４，７−トリオキサ
トリデシルの製造 反応容器に２−（２−ヘキシルオキシエチルオキシ）エ
タノール８．５５ｇ（４５．０ｍｍｏｌ）とピリジン１
０．７ｇ（１３５ｍｍｏｌ）を入れ、それに氷浴中、ｐ
−トルエンスルホン酸クロリド９．４３ｇ（４９．５ｍ
ｍｏｌ）を加え、１時間撹拌した後、室温で更に２時間
撹拌した。反応終了後、３Ｎ−ＨＣｌを加え酸性とした
後、トルエンで２回抽出した。抽出液を水で洗浄した
後、無水硫酸ナトリウムを加え乾燥した。溶媒を留去し
た後、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶離溶
媒：トルエン／酢酸エチル＝１５／１）により精製し、
ｐ−トルエンスルホン酸１，４，７−トリオキサトリデ
シル１３．２４ｇ（３８．５ｍｍｏｌ）を得た。収率８
６％
【００４０】（２）２，３，６，７，１０，１１−ヘキ
サ（１，４，７−トリオキサトリデシル）トリフェニレ
ンの製造 反応容器に乾燥ＤＭＦｌ５ｍｌと水素化ナトリウム（６
０％ ｉｎ ｏｉｌ（鉱油））０．７７ｇ（１９．３ｍ
ｍｏｌ）を入れ、それに水浴中、２，３，６，７，１
０，１１−ヘキサヒドロキシトリフェニレン０．９２ｇ
（２．８４ｍｍｏｌ）を加え１時間撹拌した。その後、
ｐ−トルエンスルホン酸１，４，７−トリオキサトリデ
シル７．３ｇ（２０．９ｍｍｏｌ）と乾燥ＤＭＦ ５ｍ
ｌの混合液を滴下し、８０℃で６時間撹拌した。反応終
了後、水を加えトルエンで２回抽出した。抽出液を水で
洗浄した後、無水硫酸ナトリウムを加え乾燥した。溶媒
を留去した後、シリカゲルカラムクロマトグラフィー
（溶離溶媒：クロロホルム）を３回行い精製し、２，
３，６，７，１０，１１−ヘキサ（１，４，７−トリオ
キサトリデシル）トリフェニレン０．９５ｇ（０．７０
ｍｍｏｌ）を得た。収率２５％
サ（１，４，７−トリオキサトリデシル）トリフェニレ
ンの製造 反応容器に乾燥ＤＭＦｌ５ｍｌと水素化ナトリウム（６
０％ ｉｎ ｏｉｌ（鉱油））０．７７ｇ（１９．３ｍ
ｍｏｌ）を入れ、それに水浴中、２，３，６，７，１
０，１１−ヘキサヒドロキシトリフェニレン０．９２ｇ
（２．８４ｍｍｏｌ）を加え１時間撹拌した。その後、
ｐ−トルエンスルホン酸１，４，７−トリオキサトリデ
シル７．３ｇ（２０．９ｍｍｏｌ）と乾燥ＤＭＦ ５ｍ
ｌの混合液を滴下し、８０℃で６時間撹拌した。反応終
了後、水を加えトルエンで２回抽出した。抽出液を水で
洗浄した後、無水硫酸ナトリウムを加え乾燥した。溶媒
を留去した後、シリカゲルカラムクロマトグラフィー
（溶離溶媒：クロロホルム）を３回行い精製し、２，
３，６，７，１０，１１−ヘキサ（１，４，７−トリオ
キサトリデシル）トリフェニレン０．９５ｇ（０．７０
ｍｍｏｌ）を得た。収率２５％
【００４１】図２に得られた２，３，６，７，１０，１
１−ヘキサ（１，４，７−トリオキサトリデシル）トリ
フェニレンのＮＭＲチャートを示す。
１−ヘキサ（１，４，７−トリオキサトリデシル）トリ
フェニレンのＮＭＲチャートを示す。
【００４２】また、得られた化合物の相転移温度を以下
に示す。 昇温過程 Ｃｒｙ（１６℃）Ｄｈ（３５℃）Ｉｓｏ 冷却過程 Ｉｓｏ（３０℃）Ｄｈ（１６℃）Ｃｒｙ Ｃｒｙ：結晶相、Ｄｈ：ディスコチックカラムナー相、
Ｉｓｏ：等方相
に示す。 昇温過程 Ｃｒｙ（１６℃）Ｄｈ（３５℃）Ｉｓｏ 冷却過程 Ｉｓｏ（３０℃）Ｄｈ（１６℃）Ｃｒｙ Ｃｒｙ：結晶相、Ｄｈ：ディスコチックカラムナー相、
Ｉｓｏ：等方相
【００４３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
ディスコティック液晶材料として有用な新規なトリフェ
ニレン誘導体化合物を得る事が出来る効果がある。
ディスコティック液晶材料として有用な新規なトリフェ
ニレン誘導体化合物を得る事が出来る効果がある。
【図１】実施例１で製造した２，３，６，７，１０，１
１−ヘキサ（２−ヘキシルオキシエチルオキシ）トリフ
ェニレンのＮＭＲチャートである。
１−ヘキサ（２−ヘキシルオキシエチルオキシ）トリフ
ェニレンのＮＭＲチャートである。
【図２】実施例２で製造した２，３，６，７，１０，１
１−ヘキサ（１，４，７−トリオキサトリデシル）トリ
フェニレンのＮＭＲチャートである。
１−ヘキサ（１，４，７−トリオキサトリデシル）トリ
フェニレンのＮＭＲチャートである。
Claims (4)
- 【請求項１】 下記一般式（Ｉ）で示されるトリフェニ
レン誘導体化合物。 【化１】 （式中、Ｒ1，Ｒ2，Ｒ3，Ｒ4，Ｒ5，Ｒ6はそれぞれ独立
に２つ以上のＯＣＨ2ＣＨ2セグメントあるいはＯＣＨ2
ＣＨ2ＣＨ2セグメントから構成され、末端部分に炭素原
子数１〜２０の分岐状または直鎖状のアルキル基がつい
た側鎖を示す。但し、該アルキル基中の水素原子はフッ
素原子に置き換わっていてもよく、また１つ以上のメチ
レン基はＯ、ＣＯ、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−または
エポキシ基に置き換わっていてもよい。） - 【請求項２】 前記一般式において、Ｒ1，Ｒ2，Ｒ3，
Ｒ4，Ｒ5，Ｒ6がそれぞれ独立に（ＯＣＨ2ＣＨ2）nＯＲ
7あるいは（ＯＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2）nＯＲ7（式中、ｎは１
〜２０の整数であり、Ｒ7は炭素原子数４〜２０の分岐
状または直鎖状のアルキル基を示す。但し、該アルキル
基中の水素原子はフッ素原子に置き換わっていてもよ
く、また１つ以上のメチレンはＯ、ＣＯ、−ＣＨ＝ＣＨ
−、−Ｃ≡Ｃ−またはエポキシ基に置き換わっていても
よい。）である請求項１記載のトリフェニレン誘導体化
合物。 - 【請求項３】 ディスコチックカラムナー相を有する請
求項１または２に記載のトリフェニレン誘導体化合物。 - 【請求項４】 請求項１乃至３のいずれかに記載のトリ
フェニレン誘導体化合物からなる液晶材料。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14714199A JP3647315B2 (ja) | 1999-05-26 | 1999-05-26 | 液晶材料 |
| US09/579,533 US6464904B1 (en) | 1999-05-26 | 2000-05-26 | Triphenylene derivative, ion-transporting compound electrolyte and ion-transporting method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14714199A JP3647315B2 (ja) | 1999-05-26 | 1999-05-26 | 液晶材料 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000336053A true JP2000336053A (ja) | 2000-12-05 |
| JP3647315B2 JP3647315B2 (ja) | 2005-05-11 |
Family
ID=15423517
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14714199A Expired - Fee Related JP3647315B2 (ja) | 1999-05-26 | 1999-05-26 | 液晶材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3647315B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005156822A (ja) * | 2003-11-25 | 2005-06-16 | Fuji Photo Film Co Ltd | 位相差板、トリフェニレン化合物および液晶表示装置 |
| CN115477572A (zh) * | 2021-06-16 | 2022-12-16 | 四川师范大学 | 一种三氟甲基三氟苯并菲盘状液晶化合物的制备方法 |
-
1999
- 1999-05-26 JP JP14714199A patent/JP3647315B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005156822A (ja) * | 2003-11-25 | 2005-06-16 | Fuji Photo Film Co Ltd | 位相差板、トリフェニレン化合物および液晶表示装置 |
| CN115477572A (zh) * | 2021-06-16 | 2022-12-16 | 四川师范大学 | 一种三氟甲基三氟苯并菲盘状液晶化合物的制备方法 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3647315B2 (ja) | 2005-05-11 |
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