JP2000332316A - 圧電セラミックトランス装置 - Google Patents
圧電セラミックトランス装置Info
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- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B41/00—Circuit arrangements or apparatus for igniting or operating discharge lamps
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 大型化することなく、高い出力電圧を有する
圧電セラミックトランス装置を提供する。 【解決手段】 上記課題を解決するために、軸方向に共
振振動を励起させる入力部２と、この共振振動により、
所定の電圧又は電力の少なくとも一方を出力する出力部
３とを有する圧電セラミックトランス１において、圧電
セラミックトランス１の軸方向に圧縮応力を加えるボル
ト１０及びナット１１を有する。このように軸方向に圧
縮応力を付与することにより、圧電セラミックトランス
の振動領域を圧縮応力側にずらすことができ、しいて
は、圧電セラミックトランス自体の可能振動幅を大とす
る事ができる。
圧電セラミックトランス装置を提供する。 【解決手段】 上記課題を解決するために、軸方向に共
振振動を励起させる入力部２と、この共振振動により、
所定の電圧又は電力の少なくとも一方を出力する出力部
３とを有する圧電セラミックトランス１において、圧電
セラミックトランス１の軸方向に圧縮応力を加えるボル
ト１０及びナット１１を有する。このように軸方向に圧
縮応力を付与することにより、圧電セラミックトランス
の振動領域を圧縮応力側にずらすことができ、しいて
は、圧電セラミックトランス自体の可能振動幅を大とす
る事ができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、圧電セラミックト
ランス装置に関するものであり、特に、マッチングイン
ピーダンスが低くかつ、高い出力電圧を有する圧電セラ
ミックトランス装置に関するものである。
ランス装置に関するものであり、特に、マッチングイン
ピーダンスが低くかつ、高い出力電圧を有する圧電セラ
ミックトランス装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、圧電セラミックトランス装置とし
て、例えば、特開平１１−８４２０号公報に記載された
ものがある。
て、例えば、特開平１１−８４２０号公報に記載された
ものがある。
【０００３】この従来技術の圧電セラミックトランスに
は、電圧を印加されることにより、圧電セラミックトラ
ンスの軸方向に振動し、圧電セラミックトランス全体の
共振振動を励起させる入力部と、この入力部の共振振動
により所定の電圧及び電力を出力する出力部とを有す
る。
は、電圧を印加されることにより、圧電セラミックトラ
ンスの軸方向に振動し、圧電セラミックトランス全体の
共振振動を励起させる入力部と、この入力部の共振振動
により所定の電圧及び電力を出力する出力部とを有す
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この圧
電セラミックトランスでは、十分な電圧を得ることが困
難であった。
電セラミックトランスでは、十分な電圧を得ることが困
難であった。
【０００５】その理由を以下説明する。
【０００６】圧電セラミックトランスの出力電圧及び電
力は、出力部の形状に依存する。
力は、出力部の形状に依存する。
【０００７】即ち、高電圧を得るためには、出力部の軸
方向のセラミック圧電素子１層あたりの長さを長くする
必要がある。それに対して、マッチングインピーダンス
を低くしようとするためには、このセラミック圧電素子
１層あたりの長さを短くする必要がある。
方向のセラミック圧電素子１層あたりの長さを長くする
必要がある。それに対して、マッチングインピーダンス
を低くしようとするためには、このセラミック圧電素子
１層あたりの長さを短くする必要がある。
【０００８】このように、マッチングインピーダンスが
低いセラミック圧電素子の形状と高い電圧を得るための
セラミック圧電素子の形状とは相反するものであり、低
いマッチングインピーダンスをもちながら、高い電圧を
出力することのできる圧電セラミックトランスを得るこ
とは困難であった。
低いセラミック圧電素子の形状と高い電圧を得るための
セラミック圧電素子の形状とは相反するものであり、低
いマッチングインピーダンスをもちながら、高い電圧を
出力することのできる圧電セラミックトランスを得るこ
とは困難であった。
【０００９】また、もし、十分な電圧を得ようとするな
らば、従来のような構成では、圧電セラミックトランス
全体の大型化が避けられなかった。
らば、従来のような構成では、圧電セラミックトランス
全体の大型化が避けられなかった。
【００１０】本願発明は、上記問題点を鑑みたものであ
り、大型化することなく、マッチングインピーダンスが
低くかつ、高い出力電圧を有する圧電セラミックトラン
ス装置を提供するものである。
り、大型化することなく、マッチングインピーダンスが
低くかつ、高い出力電圧を有する圧電セラミックトラン
ス装置を提供するものである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】そこで、本願発明におい
ては、軸方向に共振振動を励起させる入力部と、該共振
振動により、所定の電圧及び電力の少なくとも一方を出
力する出力部とを有する圧電セラミックトランスにおい
て、前記軸方向に圧縮応力を加える圧縮手段を有する圧
電セラミックトランス装置を提供するものである。
ては、軸方向に共振振動を励起させる入力部と、該共振
振動により、所定の電圧及び電力の少なくとも一方を出
力する出力部とを有する圧電セラミックトランスにおい
て、前記軸方向に圧縮応力を加える圧縮手段を有する圧
電セラミックトランス装置を提供するものである。
【００１２】また、前記圧縮手段は、圧電セラミックト
ランスの前記軸方向にボルトを挿入するとともに、該ボ
ルトの挿入方向から、ナットにより前記圧電セラミック
トランスを軸方向に圧縮させる構成とすることが好まし
い。
ランスの前記軸方向にボルトを挿入するとともに、該ボ
ルトの挿入方向から、ナットにより前記圧電セラミック
トランスを軸方向に圧縮させる構成とすることが好まし
い。
【００１３】また、本願発明では、圧電セラミックトラ
ンスの軸方向の少なくとも一方端に、荷重手段を有する
圧電セラミックトランス装置を提供するものである。
ンスの軸方向の少なくとも一方端に、荷重手段を有する
圧電セラミックトランス装置を提供するものである。
【００１４】
【作用】圧電セラミック素子の特性として、圧縮力に強
い反面、引っ張り応力に弱いため、この圧電セラミック
素子を用いた圧電セラミックトランスを共振させる際に
は、圧電セラミック素子自体になるべく引っ張り応力が
加わらないようにする必がある。
い反面、引っ張り応力に弱いため、この圧電セラミック
素子を用いた圧電セラミックトランスを共振させる際に
は、圧電セラミック素子自体になるべく引っ張り応力が
加わらないようにする必がある。
【００１５】しかしながら、通常の使用時においては、
圧電セラミック素子が収縮する際には確かに圧電セラミ
ック素子には圧縮応力のみが加わるにすぎないが、圧電
セラミック素子の伸延時には、圧電セラミック素子に引
っ張り応力が加わる。
圧電セラミック素子が収縮する際には確かに圧電セラミ
ック素子には圧縮応力のみが加わるにすぎないが、圧電
セラミック素子の伸延時には、圧電セラミック素子に引
っ張り応力が加わる。
【００１６】そこで、本願発明の如き、圧電セラミック
トランスの軸方向に対して、圧縮応力を加えた圧電セラ
ミックトランス装置では、圧電セラミックトランスを駆
動させる前に、圧電セラミックトランスを構成している
圧電セラミック素子に対して、圧縮応力を付与させる構
成としている。
トランスの軸方向に対して、圧縮応力を加えた圧電セラ
ミックトランス装置では、圧電セラミックトランスを駆
動させる前に、圧電セラミックトランスを構成している
圧電セラミック素子に対して、圧縮応力を付与させる構
成としている。
【００１７】そのため、あらかじめ圧電セラミック素子
に、圧縮応力を加えることにより、圧電セラミックトラ
ンスの振動領域を圧縮応力側にずらすことができ、しい
ては、圧電セラミックトランス自体の可能振動幅を大と
する事ができるのである。
に、圧縮応力を加えることにより、圧電セラミックトラ
ンスの振動領域を圧縮応力側にずらすことができ、しい
ては、圧電セラミックトランス自体の可能振動幅を大と
する事ができるのである。
【００１８】このため、圧電セラミックトランス１自体
の可能振動幅を大とする事ができ、しいては出力電圧を
大とすることができるのである。
の可能振動幅を大とする事ができ、しいては出力電圧を
大とすることができるのである。
【００１９】また、圧縮手段として、ボルトとナットと
を使用する事により、大型化することなく、圧電セラミ
ックトランスに対して、圧縮力を加えることができる。
を使用する事により、大型化することなく、圧電セラミ
ックトランスに対して、圧縮力を加えることができる。
【００２０】さらに、本願発明では、圧電セラミックト
ランスの少なくとも一端に荷重手段を設けることによ
り、圧電セラミックトランスの振動振幅を大とすること
ができ、しいては圧電セラミックトランスの出力電圧を
より大とすることができる。
ランスの少なくとも一端に荷重手段を設けることによ
り、圧電セラミックトランスの振動振幅を大とすること
ができ、しいては圧電セラミックトランスの出力電圧を
より大とすることができる。
【００２１】このような圧電セラミックトランスに対し
ても、軸方向に圧縮力を付与することにより、さらなる
出力電圧の向上を図ることができる。
ても、軸方向に圧縮力を付与することにより、さらなる
出力電圧の向上を図ることができる。
【００２２】
【発明の実施の形態】以下、本発明を図１に示す実施の
形態について説明する。
形態について説明する。
【００２３】１は、本願発明の圧電セラミックトランス
である。
である。
【００２４】この圧電セラミックトランス１は、入力部
２と出力部３とが一体に焼成されることより構成されて
いる。
２と出力部３とが一体に焼成されることより構成されて
いる。
【００２５】この入力部２は、交流電圧を印加させるこ
とにより、圧電セラミックトランス１全体に共振振動を
励起させる。
とにより、圧電セラミックトランス１全体に共振振動を
励起させる。
【００２６】また、入力部２は、一片が７ｍｍ×７ｍｍ
であり厚さが約１ｍｍの大きさを有する複数の断面四角
形状の第１セラミック素子２ａ上に、第２セラミック素
子２ｂ及び第３セラミック素子２ｃが互いに分極方向が
逆になるように順次交互に一体積層されている。
であり厚さが約１ｍｍの大きさを有する複数の断面四角
形状の第１セラミック素子２ａ上に、第２セラミック素
子２ｂ及び第３セラミック素子２ｃが互いに分極方向が
逆になるように順次交互に一体積層されている。
【００２７】図２に第１乃至第３セラミック素子２ａ乃
至２ｃの斜視図を示す。
至２ｃの斜視図を示す。
【００２８】図２に示されるように、第１セラミック素
子２ａは、一方面には全面に電極２１が形成され、他方
面には、一部を除いた全面に電極２２を形成している。
子２ａは、一方面には全面に電極２１が形成され、他方
面には、一部を除いた全面に電極２２を形成している。
【００２９】また、第２セラミック素子２ｂは、一方面
には、電極が形成されておらず他方面のみに、一部を除
いた全面に電極２３が形成されている。
には、電極が形成されておらず他方面のみに、一部を除
いた全面に電極２３が形成されている。
【００３０】さらに、第３セラミック素子２ｃには、一
方面には、電極が形成されておらず他方面のみに、やは
り一部を除いた全面に電極２４が形成されている。
方面には、電極が形成されておらず他方面のみに、やは
り一部を除いた全面に電極２４が形成されている。
【００３１】この時、セラミック素子２ａ乃至２ｃは、
セラミック素子に形成された電極２２，２３及び２４が
交互にずれるように、互いに積層されている。
セラミック素子に形成された電極２２，２３及び２４が
交互にずれるように、互いに積層されている。
【００３２】このように積層されたセラミック素子２ａ
乃至２ｃの側面には、銀ペーストよりなる第１共通電極
５が設けられており、この共通電極５により、各々のセ
ラミック素子２ａおよび２ｃに形成された電極２２およ
び２４が導通接続されており、電圧印加装置Ｖに電気的
に導通されている。
乃至２ｃの側面には、銀ペーストよりなる第１共通電極
５が設けられており、この共通電極５により、各々のセ
ラミック素子２ａおよび２ｃに形成された電極２２およ
び２４が導通接続されており、電圧印加装置Ｖに電気的
に導通されている。
【００３３】また、共通電極５が設けられたセラミック
素子の面に対向する面には、図示されない銀ペーストよ
りなる第２共通電極が設けられており、この第２共通電
極により、電極２１及び２３が導通接続され、電気的に
アースされている。
素子の面に対向する面には、図示されない銀ペーストよ
りなる第２共通電極が設けられており、この第２共通電
極により、電極２１及び２３が導通接続され、電気的に
アースされている。
【００３４】さらにこの入力部２を構成するセラミック
素子２ｂ及び２ｃの積層方向である軸方向には、入力部
２が励起した共振振動により、所定の電圧及び電力を出
力する出力部３が一体に設けられている。
素子２ｂ及び２ｃの積層方向である軸方向には、入力部
２が励起した共振振動により、所定の電圧及び電力を出
力する出力部３が一体に設けられている。
【００３５】この出力部３は、一片が７ｍｍ×７ｍｍで
あり、かつ厚さが９ｍｍである互いに分極方向が逆なる
セラミック素子３ａ及び３ｂが積層一体により形成され
ている。
あり、かつ厚さが９ｍｍである互いに分極方向が逆なる
セラミック素子３ａ及び３ｂが積層一体により形成され
ている。
【００３６】セラミック素子３ａと３ｂとの間には図示
しない電極が、また、セラミック素子３ｂのセラミック
素子３ａと対向する面と反対側の面には、全面に電極３
１が形成されている。
しない電極が、また、セラミック素子３ｂのセラミック
素子３ａと対向する面と反対側の面には、全面に電極３
１が形成されている。
【００３７】セラミック素子３ａ及び３ｂの側面には、
セラミック素子３ａとセラミック素子３ｂとの間に設け
られる図示しない電極と導通された出力用側面電極６が
設けられている。
セラミック素子３ａとセラミック素子３ｂとの間に設け
られる図示しない電極と導通された出力用側面電極６が
設けられている。
【００３８】この出力用側面電極６は、メタルハライド
ランプ７を介して電気的に接地されている。
ランプ７を介して電気的に接地されている。
【００３９】尚、このメタルハライドランプ７は、点灯
時インピーダンスが２００Ω、電圧が８５Ｖｒｍｓかつ
３５Ｗの仕様である。
時インピーダンスが２００Ω、電圧が８５Ｖｒｍｓかつ
３５Ｗの仕様である。
【００４０】また、このメタルハライドランプ７が放電
を開始するためには、２３ｋＶを初期に印加する必要が
ある。
を開始するためには、２３ｋＶを初期に印加する必要が
ある。
【００４１】ここで、本実施の形態においては、積層さ
れた複数のセラミック素子２ａ乃至２ｃ及び３ａ，３ｂ
の軸方向において、ボルト１０及びナット１１により圧
縮応力を付与させている点を特徴としている。
れた複数のセラミック素子２ａ乃至２ｃ及び３ａ，３ｂ
の軸方向において、ボルト１０及びナット１１により圧
縮応力を付与させている点を特徴としている。
【００４２】具体的には、ボルト１０及びナット１１に
よって、積層されたセラミック素子の軸方向に対して、
約５０ＭＰａの圧縮力を加えている。
よって、積層されたセラミック素子の軸方向に対して、
約５０ＭＰａの圧縮力を加えている。
【００４３】このように本実施の形態においては、圧電
セラミックトランス１をボルト１０及びナット１１によ
って、軸方向に圧縮力を付与させることにより、本実施
の形態の圧電セラミックトランス装置を提供している。
セラミックトランス１をボルト１０及びナット１１によ
って、軸方向に圧縮力を付与させることにより、本実施
の形態の圧電セラミックトランス装置を提供している。
【００４４】次に、本実施の形態の圧電セラミックトラ
ンス装置の製法を述べる。
ンス装置の製法を述べる。
【００４５】はじめに、入力部２及び出力部３を構成す
るセラミック素子２ａ乃至ｃ及びセラミック素子３ａ及
び３ｃを各々得るために、所定のＰＺＴ組成となるよう
に、セラミックスラリーを混合後、断面四角形の板形状
に成形する。そして、これら成形された板形状の複数の
セラミック体の積層時には、軸方向に共通の挿入孔が貫
通されるように、セラミック体の略中央に孔１２が形成
される。
るセラミック素子２ａ乃至ｃ及びセラミック素子３ａ及
び３ｃを各々得るために、所定のＰＺＴ組成となるよう
に、セラミックスラリーを混合後、断面四角形の板形状
に成形する。そして、これら成形された板形状の複数の
セラミック体の積層時には、軸方向に共通の挿入孔が貫
通されるように、セラミック体の略中央に孔１２が形成
される。
【００４６】そして、このセラミック体の未焼成の状態
にて、それぞれの面の所定位置において、銀ペースト電
極が印刷にて形成される。
にて、それぞれの面の所定位置において、銀ペースト電
極が印刷にて形成される。
【００４７】このように、所定形状に銀ペースト電極が
形成されたセラミック体を順次積層した後、９５０℃の
温度にて一体に焼成する。
形成されたセラミック体を順次積層した後、９５０℃の
温度にて一体に焼成する。
【００４８】焼成後には、セラミック素子に形成された
電極を電気的に導通させるために、入力部の側面に第１
及び第２共通電極を銀ペーストにて印刷形成する。
電極を電気的に導通させるために、入力部の側面に第１
及び第２共通電極を銀ペーストにて印刷形成する。
【００４９】尚、本実施の形態では、銀ペーストを用い
たが、セラミック体の焼成温度や電極との反応性に応じ
て、Ｐｔ，Ａｇ／Ｐｄ，Ｃｕ等の電極ペーストを用いて
もよい。
たが、セラミック体の焼成温度や電極との反応性に応じ
て、Ｐｔ，Ａｇ／Ｐｄ，Ｃｕ等の電極ペーストを用いて
もよい。
【００５０】その後、第１及び第２共通電極５に対し
て、互いに異なる極性の電圧を付与することにより、セ
ラミック素子２ｂ及び２ｃが異なる極性が付与されるよ
うに分極処理する。
て、互いに異なる極性の電圧を付与することにより、セ
ラミック素子２ｂ及び２ｃが異なる極性が付与されるよ
うに分極処理する。
【００５１】このようにして、軸方向に挿入孔が形成さ
れた本願発明の圧電セラミックトランス１を得る。
れた本願発明の圧電セラミックトランス１を得る。
【００５２】尚、本実施の形態では、入力部２及び入力
部３は、圧電セラミック素子、例えば、ＰＺＴ，ＢａＴ
ｉＯ3等の圧電特性を示す材料であればなんでもよく、
且つ、単結晶あるいは多結晶でもよい。さらには、複数
の材料種の組み合わせにおいても何ら制約されるもので
もない。
部３は、圧電セラミック素子、例えば、ＰＺＴ，ＢａＴ
ｉＯ3等の圧電特性を示す材料であればなんでもよく、
且つ、単結晶あるいは多結晶でもよい。さらには、複数
の材料種の組み合わせにおいても何ら制約されるもので
もない。
【００５３】その後、この挿入孔１２に対して、ボルト
１０を挿入し、ボルト１０の挿入方向とは反対側にて、
ナット１１にて圧電セラミックトランス１の軸方向に圧
縮応力を付与する。
１０を挿入し、ボルト１０の挿入方向とは反対側にて、
ナット１１にて圧電セラミックトランス１の軸方向に圧
縮応力を付与する。
【００５４】以上のように、本実施の形態の圧電セラミ
ックトランス装置を得る。
ックトランス装置を得る。
【００５５】次に、本実施の形態の作用を説明する。
【００５６】入力部２及び出力部３を構成するセラミッ
ク素子は、圧縮力に強い反面、引っ張り応力に弱い。
ク素子は、圧縮力に強い反面、引っ張り応力に弱い。
【００５７】そのため、通常使用時において、なるべく
セラミック素子が大きな引っ張り力がかからないように
する必要がある。
セラミック素子が大きな引っ張り力がかからないように
する必要がある。
【００５８】本実施の形態により、圧電セラミックトラ
ンス１を駆動させる前に、あらかじめ圧縮応力を付与さ
せている。そのため、入力部による圧電セラミックトラ
ンス１の共振振動を生じさせたとしても、セラミック素
子には、大きな引っ張り力が加えられないように、振動
領域を圧縮応力側にずらすことができる。
ンス１を駆動させる前に、あらかじめ圧縮応力を付与さ
せている。そのため、入力部による圧電セラミックトラ
ンス１の共振振動を生じさせたとしても、セラミック素
子には、大きな引っ張り力が加えられないように、振動
領域を圧縮応力側にずらすことができる。
【００５９】このため、圧電セラミックトランス１自体
の可能振動幅を大とする事ができ、しいては出力電圧を
大とすることができる。
の可能振動幅を大とする事ができ、しいては出力電圧を
大とすることができる。
【００６０】また、ボルト１０とナット１１とを使用す
る事により、圧電セラミックトランスを大型化すること
なく、圧電セラミックトランスに対して、圧縮力を加え
ることができる。
る事により、圧電セラミックトランスを大型化すること
なく、圧電セラミックトランスに対して、圧縮力を加え
ることができる。
【００６１】〔第２実施の形態〕図３に本第２実施の形
態の圧電セラミックトランス装置を示す。
態の圧電セラミックトランス装置を示す。
【００６２】第２実施の形態においては、第１実施の形
態と同一のボルト１０及びナット１１により構成された
圧電セラミックトランス装置にさらに、ボルト１０及び
ナット１１との間に、荷重手段である金属製のおもり１
５を挟持させている。
態と同一のボルト１０及びナット１１により構成された
圧電セラミックトランス装置にさらに、ボルト１０及び
ナット１１との間に、荷重手段である金属製のおもり１
５を挟持させている。
【００６３】このように、圧電セラミックトランス１の
両端に荷重手段であるおもり１５を設けることにより、
圧電セラミックトランス１の振動振幅を大とすることが
できるため、圧電セラミックトランス１の出力電圧をよ
り大とすることができる。
両端に荷重手段であるおもり１５を設けることにより、
圧電セラミックトランス１の振動振幅を大とすることが
できるため、圧電セラミックトランス１の出力電圧をよ
り大とすることができる。
【００６４】上記実施の形態では、入力部２及び出力部
３は一体焼成にて形成されたが、本願発明はこれに限定
されるものでなく、例えば、図４に示されるように、入
力部２と出力部３とを別々に焼成した後、ボルト及びナ
ットにて固定してもよい。
３は一体焼成にて形成されたが、本願発明はこれに限定
されるものでなく、例えば、図４に示されるように、入
力部２と出力部３とを別々に焼成した後、ボルト及びナ
ットにて固定してもよい。
【００６５】さらには、図５に示されるように、入力部
２及び出力部３は、さらに分割焼成し、その後、ボルト
及びナットにて一体固定してもよい。
２及び出力部３は、さらに分割焼成し、その後、ボルト
及びナットにて一体固定してもよい。
【００６６】上記実施の形態において、メタルハライド
ランプ７を点灯させたが、本願発明の圧電セラミックト
ランス装置に駆動させる負荷装置としてメタルハライド
ランプに限定されるものでなく、高圧ナトリウムランプ
やキセンノンランプ等の放電灯にも適用する事ができ
る。
ランプ７を点灯させたが、本願発明の圧電セラミックト
ランス装置に駆動させる負荷装置としてメタルハライド
ランプに限定されるものでなく、高圧ナトリウムランプ
やキセンノンランプ等の放電灯にも適用する事ができ
る。
【００６７】上記実施の形態において、圧縮手段とし
て、ボルトとナットを使用したが、本願発明はこれに限
るものでなく、リベットやネジ付き金属ブロック等でも
よく、とにかく圧電セラミックトランスを軸方向に圧縮
する手段であればどのような形状の圧縮手段でもよい。
て、ボルトとナットを使用したが、本願発明はこれに限
るものでなく、リベットやネジ付き金属ブロック等でも
よく、とにかく圧電セラミックトランスを軸方向に圧縮
する手段であればどのような形状の圧縮手段でもよい。
【００６８】上記実施の形態において、セラミック未焼
成体の状態にて銀ペースト電極を形成したが、これは、
銀−パラジウム，銀−白金等の構成でも良い。
成体の状態にて銀ペースト電極を形成したが、これは、
銀−パラジウム，銀−白金等の構成でも良い。
【００６９】また、第２実施の形態において、荷重手段
であるおもりを金属製としたがセラミック製でもよい。
であるおもりを金属製としたがセラミック製でもよい。
【図１】本発明の第１実施形態に係わる圧電セラミック
トランスの斜視図である。
トランスの斜視図である。
【図２】本発明の第１実施形態に係わるセラミック素子
の斜視図である。
の斜視図である。
【図３】本発明の第２実施形態に係わる圧電セラミック
トランスの斜視図である。
トランスの斜視図である。
【図４】本発明の他の実施形態に係わる圧電セラミック
トランスの斜視図である。
トランスの斜視図である。
【図５】本発明の他の実施形態に係わる圧電セラミック
トランスの斜視図である。
トランスの斜視図である。
１・・・圧電セラミックトランス、２・・・入力部、３
・・・出力部
・・・出力部
フロントページの続き (72)発明者 安田 悦朗 愛知県西尾市下羽角町岩谷14番地 株式会 社日本自動車部品総合研究所内 (72)発明者 進藤 仁志 愛知県西尾市下羽角町岩谷14番地 株式会 社日本自動車部品総合研究所内 (72)発明者 藤井 章 愛知県刈谷市昭和町１丁目１番地 株式会 社デンソー内 Ｆターム(参考） 5H730 AA08 AA15 AS04 EE48 ZZ05 ZZ12 ZZ19
Claims (4)
- 【請求項１】 軸方向に共振振動を励起させる入力部
と、該共振振動により、所定の電圧又は電力の少なくと
も一方を出力する出力部とを有する圧電セラミックトラ
ンスにおいて、 前記軸方向に圧縮応力を加える圧縮手段を有することを
特徴とする圧電セラミックトランス装置。 - 【請求項２】 前記圧縮手段は、圧電セラミックトラン
スの前記軸方向にボルトを挿入するとともに、該ボルト
の挿入方向から、ナットにより前記圧電セラミックトラ
ンスを軸方向に圧縮させる請求項１記載の圧電セラミッ
クトランス装置。 - 【請求項３】 軸方向に共振振動を励起させる入力部
と、該共振振動により、所定の電圧又は電力の少なくと
も一方を出力する出力部とを有する圧電セラミックトラ
ンスにおいて、 圧電セラミックトランスの軸方向の少なくとも一方端
に、荷重手段を有することを特徴とする圧電セラミック
トランス装置。 - 【請求項４】 前記圧電セラミックトランスには、前記
軸方向に圧縮応力を加える圧縮手段を有することを特徴
とする請求項３記載の圧電セラミックトランス装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000062113A JP2000332316A (ja) | 1999-03-18 | 2000-03-07 | 圧電セラミックトランス装置 |
| DE10013149A DE10013149A1 (de) | 1999-03-18 | 2000-03-17 | Piezoelektrischer Wandler mit verbesserten mechanischen Eigenschaften |
| US09/531,145 US6353278B1 (en) | 1999-03-18 | 2000-03-17 | Piezoelectric transformer having increased voltage output |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7432199 | 1999-03-18 | ||
| JP11-74321 | 1999-03-18 | ||
| JP2000062113A JP2000332316A (ja) | 1999-03-18 | 2000-03-07 | 圧電セラミックトランス装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000332316A true JP2000332316A (ja) | 2000-11-30 |
Family
ID=26415466
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000062113A Withdrawn JP2000332316A (ja) | 1999-03-18 | 2000-03-07 | 圧電セラミックトランス装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6353278B1 (ja) |
| JP (1) | JP2000332316A (ja) |
| DE (1) | DE10013149A1 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015185588A (ja) * | 2014-03-20 | 2015-10-22 | 株式会社日本セラテック | 圧電アクチュエータ |
| JP2020064977A (ja) * | 2018-10-17 | 2020-04-23 | キヤノン株式会社 | 圧電トランス、および電子機器 |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6806457B2 (en) * | 2001-09-28 | 2004-10-19 | Tai-Her Yang | Transistor photoelectric conversion drive circuit |
| AU2003303172A1 (en) * | 2002-12-20 | 2004-07-14 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Apparatus for igniting a high pressure gas discharge lamp |
| WO2004057929A1 (en) * | 2002-12-20 | 2004-07-08 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Supply apparatus for high pressure lamps |
| DE102006048238B4 (de) * | 2005-11-23 | 2011-07-28 | Physik Instrumente (PI) GmbH & Co. KG, 76228 | Piezolinearantrieb |
| DE102009047551A1 (de) * | 2009-12-04 | 2011-06-09 | Robert Bosch Gmbh | Vielschichtaktor |
| KR101952854B1 (ko) * | 2013-07-16 | 2019-02-27 | 삼성전기주식회사 | 압전 소자 및 그 제조 방법, 그리고 상기 압전 소자를 구비하는 구동 어셈블리 |
| CN106887971B (zh) * | 2017-04-11 | 2018-08-07 | 西安交通大学 | 钳位驱动一体化的压电驱动高精度旋转作动装置及方法 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3412014C1 (de) * | 1984-03-31 | 1985-10-17 | Deutsche Forschungs- und Versuchsanstalt für Luft- und Raumfahrt e.V., 5000 Köln | Piezokeramischer Stellantrieb zur Erzeugung von Translationsbewegungen |
| US5345137A (en) * | 1991-04-08 | 1994-09-06 | Olympus Optical Co., Ltd. | Two-dimensionally driving ultrasonic motor |
| JP3401663B2 (ja) | 1997-06-17 | 2003-04-28 | エヌイーシートーキン株式会社 | 圧電トランス |
| US5872419A (en) * | 1997-09-04 | 1999-02-16 | Motorola Inc. | Piezoelectric transformer with voltage feedback |
-
2000
- 2000-03-07 JP JP2000062113A patent/JP2000332316A/ja not_active Withdrawn
- 2000-03-17 DE DE10013149A patent/DE10013149A1/de not_active Withdrawn
- 2000-03-17 US US09/531,145 patent/US6353278B1/en not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015185588A (ja) * | 2014-03-20 | 2015-10-22 | 株式会社日本セラテック | 圧電アクチュエータ |
| JP2020064977A (ja) * | 2018-10-17 | 2020-04-23 | キヤノン株式会社 | 圧電トランス、および電子機器 |
| JP7406876B2 (ja) | 2018-10-17 | 2023-12-28 | キヤノン株式会社 | 圧電トランス、および電子機器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6353278B1 (en) | 2002-03-05 |
| DE10013149A1 (de) | 2000-11-16 |
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|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
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