JP2000328254A - 無電解ニッケルめっき浴組成物およびそれを用いて形成された無電解ニッケル皮膜を有するめっき形成体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ガラス基体ないしセラミック基体をベース基
体として用いた場合において、ニッケル皮膜との密着強
度が格段と向上する無電解ニッケルめっき浴組成物およ
びそれを用いて形成された無電解ニッケル皮膜を有する
めっき形成体を提供する。 【解決手段】 ガラス基体ないしセラミック基体の上に
無電解ニッケル皮膜を被着させるための無電解ニッケル
めっき浴組成物であって、該組成物は、必須添加剤とし
て、ビスマス、テルルの中から選ばれた少なくとも１種
を含有してなるように構成される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ガラス基体ないし
セラミック基体の上に無電解ニッケル皮膜を被着させる
ための無電解ニッケルめっき浴組成物に関し、特に、ガ
ラス基体ないしセラミック基体と無電解ニッケル皮膜と
の密着強度を向上させることができる無電解ニッケルめ
っき浴組成物に関する。さらには、それを用いて形成さ
れた無電解ニッケル皮膜を有するめっき形成体に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】無電解めっき法は複雑な形状面にも均一
な析出が可能であり、種々の用途に用いられ、このめっ
き法は、金属上のみならず、ガラス基体やセラミックス
基体や樹脂基体等の絶縁性基体上への金属被膜の形成等
にも用いられている。そして、セラミックス基体や樹脂
基体等の触媒活性のない表面に金属被膜等を形成する場
合、金属被膜等の形成部位に予めパラジウム等の触媒金
属核を付与し、しかる後、無電解めっき浴に浸漬させる
ことにより、めっき皮膜が形成される。

【０００３】従来より、例えば、アルミ基板をベース基
板として磁気ディスク（磁気記録用ハードディスク）を
形成する場合、アルミ基板の上に無電解めっき法を用い
て無電解ニッケル膜を形成させることがある。この場
合、無電解ニッケルめっき浴中に、金属安定剤として鉛
を含有させることが一般的に行なわれている。

【０００４】ところで、近年、耐衝撃性、高速回転時の
振動の少なさという理由からアルミ基板の代わりにガラ
ス基板（場合によっては、セラミック基板）を用いるこ
とが注目されつつある。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ガラス
基板（場合によっては、セラミック基板）をベース基板
として用い、この基板上に無電解めっき法を用いて無電
解ニッケル皮膜を形成させる場合、金属安定剤として鉛
を含有させた従来の無電解ニッケルめっき浴組成では、
ガラス基板ないしセラミック基板とニッケル皮膜との密
着強度が十分とは言えないということがあり、密着強度
向上のためのさらなる改善が求められていた。もちろ
ん、基板形状に限定されることなく一般のガラスないし
セラミック部品形態においても同様の要望がある。

【０００６】このような実状のもとに本発明は創案され
たものであって、その目的は、上記従来の問題点を解決
し、ガラス基体ないしセラミック基体をベース基体とし
て用いた場合において、ガラス基体ないしセラミック基
体とニッケル皮膜との密着強度が格段と向上する無電解
ニッケルめっき浴組成物およびそれを用いて形成された
無電解ニッケル皮膜を有するめっき形成体を提供するこ
とにある。

【０００７】

【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
めに、本発明は、ガラス基体ないしセラミック基体の上
に無電解ニッケル皮膜を被着させるための無電解ニッケ
ルめっき浴組成物であって、該組成物は、必須添加剤と
して、ビスマス、テルルの中から選ばれた少なくとも１
種を含有してなるように構成される。

【０００８】また、本発明の好ましい態様として、前記
必須添加剤として含有されるビスマスおよび／またはテ
ルルの添加濃度は、ビスマスおよびテルルの濃度で換算
して０．０１ｍｇ／Ｌ以上であるように構成される。

【０００９】また、本発明は、ガラス基体ないしセラミ
ック基体の上に無電解ニッケル皮膜を有するめっき形成
体であって、前記無電解ニッケル皮膜は、ビスマス、テ
ルルの中から選ばれた少なくとも１種を含有してなるよ
うに構成される。

【００１０】また、前記無電解ニッケル皮膜は、ニッケ
ル塩と、必須添加剤として、ビスマス、テルルの中から
選ばれた少なくとも１種を含有してなる無電解ニッケル
めっき浴組成物を用いて無電解めっきにより形成された
皮膜として構成される。

【００１１】本発明における無電解ニッケルめっき浴組
成物に含有されるビスマスおよび／またはテルルが、ガ
ラス基体ないしセラミック基体と、めっき皮膜との密着
強度を高めるように作用する。

【００１２】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て詳細に説明する。

【００１３】本発明の無電解ニッケルめっき浴組成物
は、被めっき対象をガラス基体、セラミック基体とする
ものである。ガラス基体の材質としては、結晶化ガラ
ス、非結晶化ガラスいずれでもよいが、めっきの容易性
という点を考慮すれば結晶化ガラスを用いることが好ま
しい。セラミック基体としては、イオン結合性の強い酸
化物の焼結あるいは溶融を基本操作とする一般的な窯業
製品が挙げられる。なお、本発明においては、便宜上、
セラミックとガラスを区別した表現としている。

【００１４】このようなガラス基体、セラミック基体
は、板状形態に限定されることなく、種々の形態、例え
ば、めっき可能な種々の部品形態をも含む。

【００１５】このようなガラス基体ないしセラミック基
体に対して用いられる本発明の無電解ニッケルめっき浴
組成物は、主成分であるニッケル塩に加えて、必須添加
剤として、ビスマス（Ｂｉ）、テルル（Ｔｅ）の中から
選ばれた少なくとも１種を含有している。このようなビ
スマス、テルルは、一般には、どちらか一方を含有させ
て用いれば十分であるが、場合によっては双方を併用し
てもよい。特に、ガラス基板の上にニッケル皮膜を形成
させて、磁気ディスク（磁気記録用ハードディスク）を
形成する場合、磁気特性等を考慮してビスマスを用いる
のがよい。その他、部品の皮膜に見られるように使用上
の制限がない場合には、ビスマス、テルルいずれを用い
てもよい。

【００１６】無電解ニッケルめっき浴組成物にビスマス
を含有させる場合、通常、ビスマスは、硝酸ビスマス、
硫酸ビスマス、リン酸ビスマス、酢酸ビスマス、酸化ビ
スマス、塩化ビスマス、水酸化ビスマス等の形で投入さ
れる。無電解ニッケルめっき浴組成物含有されるビスマ
スは、ビスマス量換算で、０．０１ｍｇ／Ｌ以上、好ま
しくは０．０５ｍｇ／Ｌ以上、より好ましくは０．１０
ｍｇ／Ｌ以上、さらに好ましくは０．３０ｍｇ／Ｌ以上
とされる。この値が、０．０１ｍｇ／Ｌ未満になると、
たとえめっきの成膜レートを小さくしたり、めっき膜厚
を小さくしたとしても、めっき膜の十分な密着強度が得
られなくなってしまう。この一方で、ビスマス含有量を
多くし過ぎると、いわゆる、スキップめっきが生じやす
くなる傾向があるために、スキップめっきの発生具合を
考慮しながらビスマスの上限含有量を適宜決定すること
が望ましい。通常、ビスマスが５０ｍｇ／Ｌを超える含
有量は、好ましい態様ではない。

【００１７】また、無電解ニッケルめっき浴組成物にテ
ルルを含有させる場合、通常、テルルは、テルル酸、塩
化テルル、酸化テルル、フッ化テルル、テルル化水素等
の形で投入される。

【００１８】無電解ニッケルめっき浴組成物含有される
テルルは、テルル量換算で、０．０１ｍｇ／Ｌ以上、好
ましくは０．０５ｍｇ／Ｌ以上、より好ましくは０．１
０ｍｇ／Ｌ以上、さらに好ましくは０．３０ｍｇ／Ｌ以
上とされる。この値が、０．０１ｍｇ／Ｌ未満となる
と、たとえめっきの成膜レートを小さくしたり、めっき
膜厚を小さくしたとしても、めっき膜の十分な密着強度
が得られなくなってしまう。この一方で、テルル含有量
を多くし過ぎると、いわゆる、スキップめっきが生じや
すくなる傾向があるために、スキップめっきの発生具合
を考慮しながらテルルの上限含有量を適宜決定すること
が望ましい。通常、テルルが５０ｍｇ／Ｌを超える含有
量は、好ましい態様ではない。

【００１９】なお、無電解ニッケルめっき浴組成物にビ
スマスとテルルを双方含有させる場合、双方の総和量
（単位：ｍｇ／Ｌ）が上記の所定含有範囲内に入ってい
ればよい。

【００２０】ニッケルめっき浴組成物中に、主成分とし
て含有されるニッケル塩としては、硫酸ニッケル、次亜
燐酸ニッケル塩、クエン酸ニッケル塩、炭酸ニッケル
塩、酢酸ニッケル等が使用できる。

【００２１】無電解ニッケルめっき浴のｐＨは、３〜１
２、好ましくは４〜７、より好ましくは４〜５の範囲と
することが好ましい。ｐＨが３未満となると、還元剤の
電位不足によりＮｉが析出しないという不都合が生じ、
ｐＨが１２を超えると、浴が不安定となりめっき浴の自
己分解が発生するという不都合が生じる。

【００２２】無電解ニッケルめっき浴には、他の添加組
成として、例えば、次亜りん酸、次亜りん酸ナトリウム
等の還元剤や、乳酸、グリコール酸、リンゴ酸、酒石酸
およびそれらの塩類等の錯化剤や、鉛化合物、硫黄化合
物等の添加剤や、アンモニア水、水酸化ナトリウム、硫
酸等のｐＨ調整剤などを適宜添加することができる。

【００２３】上述してきた本発明のめっき浴組成物を用
いて行なわれる具体的無電解めっき方法の好適例につい
て、以下、詳細に説明する。

【００２４】本発明のめっき浴組成物を用いた無電解め
っき方法は、ガラス基体ないしセラミック基体からなる
被めっき体の上に無電解ニッケルめっき膜を形成する方
法であり、当該方法は、パラジウム触媒を含有する触媒
溶液に被めっき体を浸漬させるとともに、被めっき体の
表面にパラジウムを付着させる触媒付与工程と、当該触
媒付与された被めっき体を無電解ニッケルめっき浴に浸
漬させ、無電解ニッケルめっき浴中に含有されているニ
ッケルを析出させる無電解めっき工程を有している。

【００２５】被めっき体であるガラス基体、セラミック
基体の形状については、上述したように特に制限はな
く、無電解めっき可能な形態であればよい。

【００２６】前記触媒付与工程の前には、通常、前処理
としての脱脂工程が行われ、この脱脂工程をも含めて、
各工程について以下説明する。

【００２７】（脱脂工程）

【００２８】被めっき体であるガラス基板の表面に付着
している汚染物を除去するために脱脂を行う。脱脂に
は、通常市販されている脱脂剤が使用でき、例えば、浸
漬脱脂等の脱脂手段が用いられる。脱脂後は、通常、流
水中で水洗処理が行われる。

【００２９】（エッチング工程）

【００３０】物理的な密着性（投錨効果）を得るため
に、例えばフッ素化合物により被めっき体表面を粗化す
る。この時、フッ素化合物として一水素二フッ化アンモ
ニウムを１０ｇ／Ｌから３００ｇ／Ｌの濃度範囲とする
のがよい。

【００３１】（触媒付与工程）

【００３２】ここではガラス基板上にパラジウム付与が
行なわれる。この工程で使用されるパラジウム塩は、塩
化パラジウム、塩化パラジウム酸カリ、塩化パラジウム
酸ナトリウム、硫酸パラジウム、水酸化アンミンパラジ
ウム、ジクロロジアンミンパラジウム、ジニトロジアン
ミンパラジウム、硝酸パラジウム、臭化パラジウム等が
挙げられる。

【００３３】触媒浴におけるパラジウム濃度はＰｄとし
て、０．００１ｇ／Ｌ〜５０ｇ／Ｌの濃度範囲、好まし
くは０．００１ｇ／Ｌ〜１０ｇ／Ｌの濃度範囲とするの
がよい。パラジウム濃度が０．００１ｇ／Ｌ未満とな
り、低くなり過ぎると浸漬時間を長くする必要性があり
作業性が低下してしまう。また、パラジウム濃度が５０
ｇ／Ｌを超えて高くなり過ぎると、ランニングコストが
必要以上に高くなり経済的観点から好ましくない。

【００３４】触媒浴のｐＨ調整は、ｐＨが４〜１４の範
囲に調整されることが望ましい。ここで詳細には、用い
るパラジウム塩により好適なｐＨが異なる。触媒付与
後、通常、流水中で水洗処理が行われる。

【００３５】（無電解めっき工程）

【００３６】本発明で用いられる無電解ニッケルめっき
浴組成物については、すでに上述したとおりであり、こ
こでの説明は省略する。

【００３７】この無電解めっき工程後、通常、熱処理等
の処理工程が設けられる。

【００３８】このようにして形成された無電解ニッケル
めっき皮膜の厚さは、通常、１．０〜３０．０μｍ、好
ましくは、１．０〜２０．０μｍ程度とされる。めっき
皮膜の厚さが大きく成り過ぎると、ガラス基板との密着
強度が低下する傾向が生じるからである。

【００３９】

【実施例】以下に本発明の具体的実施例を挙げて本発明
をさらに詳細に説明する。

【００４０】（実施例Ｉ−１）

【００４１】磁気ディスク用ガラス（結晶化ガラス、
（株）オハラ社製、ＴＳ−１０ＳＴ、ＴＳ−ＺＡ）をメ
ルクリーナーＩＴＯ−１７０に７０℃の状態で約５分間
浸漬させた後、水洗した。

【００４２】純水（イオン交換水）中に、一水素二フッ
化アンモニウムを１００〜２００ｇ／Ｌの範囲で溶解さ
せてエッチング液を作成した。このエッチング液にガラ
スを約５分浸漬した後、水洗した。

【００４３】純水（イオン交換水）中に、試薬１級の塩
酸を所定量溶解させた後、塩化パラジウムを添加して溶
解させ、次いで１規定の水酸化ナトリウム溶液（ｐＨ調
整用）を溶解させて触媒浴を作成した。浴中のパラジウ
ムは０．００１〜１０ｇ／Ｌとなるように調整し、塩酸
は１ｍＬ／Ｌの濃度となるように調整した。触媒液のｐ
Ｈは、４〜１４の範囲で調整した。この触媒液に、ガラ
ス基板を室温で５分間浸漬した後、水洗した。

【００４４】次に、下記の組成物からなる無電解ニッケ
ルめっき浴（めっき浴ｐＨ＝４．４、ビスマス濃度０．
３０ｍｇ／Ｌ）を準備し、当該浴中（８６℃に加熱）に
めっき膜厚が５．０μｍとなる時間まで浸漬させ無電解
めっきを行い、水洗後、乾燥を行い実施例Ｉ−１のサン
プルを作製した。なお、膜厚測定には、蛍光Ｘ線微小部
膜厚計ＳＦＴ７０００（セイコー電子工業社製）を用い
た。 （無電解ニッケルめっき浴の組成） ・硝酸ビスマス（Ｂｉとして０．３０ｍｇ／Ｌ） ・硫酸ニッケル（Ｎｉとして６ｇ／Ｌ） ・次亜りん酸 ３０ｇ／Ｌ ・リンゴ酸 ２３ｇ／Ｌ ・乳酸 ２３ｇ／Ｌ ・アンモニア水にてｐＨ調整

【００４５】作製したサンプルを用いて、以下の要領
で、めっき膜の密着強度の評価を行った。

【００４６】評価方法

【００４７】（１）密着強度

【００４８】無電解ニッケルめっき膜とガラス基板との
密着強度を測定した。すなわち、めっき皮膜をカッター
ナイフにて３ｍｍ四方のマスを縦横５マス計２５マスの
碁盤目状に切断し、テープにて切断個所の引き剥がしを
３回繰り返した。このときの剥離マス数を密着強度の指
標とした。０／２５は剥離マスがゼロの状態を示してい
る。

【００４９】上記実施例Ｉ−１のサンプルにおけるめっ
き膜の密着強度の評価結果は、０／２５であった。すな
わち、碁盤目状の２５マスの内、剥離したマスの数はゼ
ロであり、極めて本発明のめっき膜の密着性が良いこと
が確認された。

【００５０】（比較例Ｉ−１）

【００５１】上記実施例Ｉ−１において、めっき浴のビ
スマス濃度０．３０ｍｇ／Ｌを鉛濃度０．３０ｍｇ／Ｌ
に変えた（組成物中の硝酸ビスマスを硝酸鉛に変え
た）。それ以外は、上記実施例Ｉ−１と同様にして比較
例Ｉ−１のサンプルを作製した。この比較例Ｉ−１のサ
ンプルについて、上記の要領で密着強度の評価を行った
ところ、マスの剥離個所が生じ、めっき膜の密着性は決
して満足のいくものではなかった。

【００５２】（実施例Ｉ−２）

【００５３】上記実施例Ｉ−１において、めっき浴のビ
スマス濃度０．３０ｍｇ／Ｌを０．５０ｍｇ／Ｌに変
え、さらにめっき膜厚も５．０μｍから２０．０μｍに
変えた。それ以外は、上記実施例Ｉ−１と同様にして実
施例Ｉ−２のサンプルを作製した。この実施例Ｉ−２の
サンプルについて、上記の要領で密着強度の評価を行っ
たところ、その結果は、０／２５であった。すなわち、
碁盤目状の２５マスの内、剥離したマスの数はゼロであ
り、極めて本発明のめっき膜の密着性が良いことが確認
された。

【００５４】（比較例Ｉ−２）

【００５５】上記実施例Ｉ−２において、めっき浴のビ
スマス濃度０．５０ｍｇ／Ｌを鉛濃度０．５０ｍｇ／Ｌ
に変えた（組成物中の硝酸ビスマスを硝酸鉛に変え
た）。それ以外は、上記実施例Ｉ−２と同様にして比較
例Ｉ−２のサンプルを作製した。この比較例Ｉ−２のサ
ンプルについて、上記の要領で密着強度の評価を行った
ところ、マスの剥離個所が生じ、めっき膜の密着性は決
して満足のいくものではなかった。

【００５６】（実施例Ｉ−３）

【００５７】上記実施例Ｉ−２において、めっき浴のビ
スマス濃度０．５０ｍｇ／Ｌを５．０ｍｇ／Ｌに変え
た。それ以外は、上記実施例Ｉ−２と同様にして実施例
Ｉ−３のサンプルを作製した。この実施例Ｉ−３のサン
プルについて、上記の要領で密着強度の評価を行ったと
ころ、その結果は、０／２５であった。すなわち、碁盤
目状の２５マスの内、剥離したマスの数はゼロであり、
極めて本発明のめっき膜の密着性が良いことが確認され
た。

【００５８】（比較例Ｉ−３）

【００５９】上記実施例Ｉ−３において、めっき浴のビ
スマス濃度５．０ｍｇ／Ｌを鉛濃度５．０ｍｇ／Ｌに変
えた（組成物中の硝酸ビスマスを硝酸鉛に変えた）。そ
れ以外は、上記実施例Ｉ−３と同様にして比較例Ｉ−３
のサンプルを作製した。この比較例Ｉ−３のサンプルに
ついて、上記の要領で密着強度の評価を行ったところ、
マスの剥離個所が生じ、めっき膜の密着性は決して満足
のいくものではなかった。

【００６０】（実施例Ｉ−４）

【００６１】上記実施例Ｉ−１で用いた無電解ニッケル
めっき浴の組成を下記のように変え実施例Ｉ−４のサン
プルを作製した。めっき浴のｐＨ＝５．０、ビスマス濃
度０．０１ｍｇ／Ｌであり、また、めっき膜厚は１．０
μｍとした。 （無電解ニッケルめっき浴の組成） ・硝酸ビスマス（Ｂｉとして０．０１ｍｇ／Ｌ） ・硫酸ニッケル（Ｎｉとして６ｇ／Ｌ） ・次亜りん酸 ３０ｇ／Ｌ ・リンゴ酸 ２３ｇ／Ｌ ・乳酸 ２３ｇ／Ｌ ・アンモニア水にてｐＨ調整

【００６２】この実施例Ｉ−４のサンプルについて、上
記の要領で密着強度の評価を行ったところ、その結果
は、０／２５であった。すなわち、碁盤目状の２５マス
の内、剥離したマスの数はゼロであり、極めて本発明の
めっき膜の密着性が良いことが確認された。

【００６３】（比較例Ｉ−４）

【００６４】上記実施例Ｉ−４において、めっき浴のビ
スマス濃度０．０１ｍｇ／Ｌを鉛濃度０．０１ｍｇ／Ｌ
に変えた（組成物中の硝酸ビスマスを硝酸鉛に変え
た）。それ以外は、上記実施例Ｉ−４と同様にして比較
例Ｉ−４のサンプルを作製した。この比較例Ｉ−４のサ
ンプルについて、上記の要領で密着強度の評価を行った
ところ、マスの剥離個所が生じ、めっき膜の密着性は決
して満足のいくものではなかった。

【００６５】（実施例Ｉ−５）

【００６６】上記実施例Ｉ−４において、めっき浴のビ
スマス濃度０．０１ｍｇ／Ｌを０．０５ｍｇ／Ｌに変
え、さらにめっき膜厚も１．０μｍから３．０μｍに変
えた。それ以外は、上記実施例Ｉ−４と同様にして実施
例Ｉ−５のサンプルを作製した。この実施例Ｉ−５のサ
ンプルについて、上記の要領で密着強度の評価を行った
ところ、その結果は、０／２５であった。すなわち、碁
盤目状の２５マスの内、剥離したマスの数はゼロであ
り、極めて本発明のめっき膜の密着性が良いことが確認
された。

【００６７】（比較例Ｉ−５）

【００６８】上記実施例Ｉ−５において、めっき浴のビ
スマス濃度０．０５ｍｇ／Ｌを鉛濃度０．０５ｍｇ／Ｌ
に変えた（組成物中の硝酸ビスマスを硝酸鉛に変え
た）。それ以外は、上記実施例Ｉ−５と同様にして比較
例Ｉ−５のサンプルを作製した。この比較例Ｉ−５のサ
ンプルについて、上記の要領で密着強度の評価を行った
ところ、マスの剥離個所が生じ、めっき膜の密着性は決
して満足のいくものではなかった。

【００６９】（実施例Ｉ−６）

【００７０】上記実施例Ｉ−４において、めっき浴のビ
スマス濃度０．０１ｍｇ／Ｌを０．１０ｍｇ／Ｌに変え
た。それ以外は、上記実施例Ｉ−４と同様にして実施例
Ｉ−６のサンプルを作製した。この実施例Ｉ−６のサン
プルについて、上記の要領で密着強度の評価を行ったと
ころ、その結果は、０／２５であった。すなわち、碁盤
目状の２５マスの内、剥離したマスの数はゼロであり、
極めて本発明のめっき膜の密着性が良いことが確認され
た。

【００７１】（比較例Ｉ−６）

【００７２】上記実施例Ｉ−６において、めっき浴のビ
スマス濃度０．１０ｍｇ／Ｌを鉛濃度０．１０ｍｇ／Ｌ
に変えた（組成物中の硝酸ビスマスを硝酸鉛に変え
た）。それ以外は、上記実施例Ｉ−６と同様にして比較
例Ｉ−６のサンプルを作製した。この比較例Ｉ−６のサ
ンプルについて、上記の要領で密着強度の評価を行った
ところ、マスの剥離個所が生じ、めっき膜の密着性は決
して満足のいくものではなかった。

【００７３】（実施例Ｉ−７）

【００７４】上記実施例Ｉ−４において、めっき浴のビ
スマス濃度０．０１ｍｇ／Ｌを０．５０ｍｇ／Ｌに変
え、さらにめっき膜厚も１．０μｍから１０．０μｍに
変えた。それ以外は、上記実施例Ｉ−４と同様にして実
施例Ｉ−７のサンプルを作製した。この実施例Ｉ−７の
サンプルについて、上記の要領で密着強度の評価を行っ
たところ、その結果は、０／２５であった。すなわち、
碁盤目状の２５マスの内、剥離したマスの数はゼロであ
り、極めて本発明のめっき膜の密着性が良いことが確認
された。

【００７５】（比較例Ｉ−７）

【００７６】上記実施例Ｉ−７において、めっき浴のビ
スマス濃度０．５０ｍｇ／Ｌを鉛濃度０．５０ｍｇ／Ｌ
に変えた（組成物中の硝酸ビスマスを硝酸鉛に変え
た）。それ以外は、上記実施例Ｉ−７と同様にして比較
例Ｉ−７のサンプルを作製した。この比較例Ｉ−７のサ
ンプルについて、上記の要領で密着強度の評価を行った
ところ、マスの剥離個所が生じ、めっき膜の密着性は決
して満足のいくものではなかった。

【００７７】（実施例Ｉ−８）

【００７８】上記実施例Ｉ−４において、めっき浴のビ
スマス濃度０．０１ｍｇ／Ｌを５．０ｍｇ／Ｌに変え
た。それ以外は、上記実施例Ｉ−４と同様にして実施例
Ｉ−８のサンプルを作製した。この実施例Ｉ−８のサン
プルについて、上記の要領で密着強度の評価を行ったと
ころ、その結果は、０／２５であった。すなわち、碁盤
目状の２５マスの内、剥離したマスの数はゼロであり、
極めて本発明のめっき膜の密着性が良いことが確認され
た。

【００７９】（実施例Ｉ−９）

【００８０】上記実施例Ｉ−８において、めっき膜厚を
１．０μｍから２０．０μｍに変えた。それ以外は、上
記実施例Ｉ−８と同様にして実施例Ｉ−９のサンプルを
作製した。この実施例Ｉ−９のサンプルについて、上記
の要領で密着強度の評価を行ったところ、その結果は、
０／２５であった。すなわち、碁盤目状の２５マスの
内、剥離したマスの数はゼロであり、極めて本発明のめ
っき膜の密着性が良いことが確認された。

【００８１】（比較例Ｉ−８）

【００８２】上記実施例Ｉ−８において、めっき浴のビ
スマス濃度５．０ｍｇ／Ｌを鉛濃度５．０ｍｇ／Ｌに変
えた（組成物中の硝酸ビスマスを硝酸鉛に変えた）。そ
れ以外は、上記実施例Ｉ−８と同様にして比較例Ｉ−８
のサンプルを作製した。この比較例Ｉ−８のサンプルに
ついて、上記の要領で密着強度の評価を行ったところ、
マスの剥離個所が生じ、めっき膜の密着性は決して満足
のいくものではなかった。

【００８３】（実施例ＩＩ−１）

【００８４】磁気ディスク用ガラス（結晶化ガラス、
（株）オハラ社製、ＴＳ−１０ＳＴ、ＴＳ−ＺＡ）をメ
ルクリーナーＩＴＯ−１７０に７０℃の状態で約５分間
浸漬させた後、水洗した。

【００８５】純水（イオン交換水）中に、一水素二フッ
化アンモニウムを１００〜２００ｇ／Ｌの範囲で溶解さ
せてエッチング液を作成した。このエッチング液にガラ
スを約５分浸漬した後、水洗した。

【００８６】純水（イオン交換水）中に、試薬１級の塩
酸を所定量溶解させた後、塩化パラジウムを添加して溶
解させ、次いで１規定の水酸化ナトリウム溶液（ｐＨ調
整用）を溶解させて触媒浴を作成した。浴中のパラジウ
ムは０．００１〜１０ｇ／Ｌとなるように調整し、塩酸
は１ｍＬ／Ｌの濃度となるように調整した。触媒液のｐ
Ｈは、４〜１４の範囲で調整した。この触媒液に、ガラ
ス基板を室温で５分間浸漬した後、水洗した。

【００８７】次に、下記の組成物からなる無電解ニッケ
ルめっき浴（めっき浴ｐＨ＝４．４、テルル濃度０．１
０ｍｇ／Ｌ）を準備し、当該浴中（８６℃に加熱）にめ
っき膜厚が５．０μｍとなる時間まで浸漬させ無電解め
っきを行い、水洗後、乾燥を行い実施例ＩＩ−１のサン
プルを作製した。なお、膜厚測定には、蛍光Ｘ線微小部
膜厚計ＳＦＴ７０００（セイコー電子工業社製）を用い
た。 （無電解ニッケルめっき浴の組成） ・テルル酸（Ｔｅとして０．１０ｍｇ／Ｌ） ・硫酸ニッケル（Ｎｉとして６ｇ／Ｌ） ・次亜りん酸 ３０ｇ／Ｌ ・リンゴ酸 ２３ｇ／Ｌ ・乳酸 ２３ｇ／Ｌ ・アンモニア水にてｐＨ調整

【００８８】作製した実施例ＩＩ−１のサンプルについ
て、上記と同様の要領で、めっき膜の密着強度の評価を
行ったところ、評価結果は、０／２５であった。すなわ
ち、碁盤目状の２５マスの内、剥離したマスの数はゼロ
であり、極めて本発明のめっき膜の密着性が良いことが
確認された。

【００８９】（比較例ＩＩ−１）

【００９０】上記実施例ＩＩ−１において、めっき浴の
テルル濃度０．１０ｍｇ／Ｌを鉛濃度０．１０ｍｇ／Ｌ
に変えた（組成物中の硝酸テルルを硝酸鉛に変えた）。
それ以外は、上記実施例ＩＩ−１と同様にして比較例Ｉ
Ｉ−１のサンプルを作製した。この比較例ＩＩ−１のサ
ンプルについて、上記の要領で密着強度の評価を行った
ところ、マスの剥離個所が生じ、めっき膜の密着性は決
して満足のいくものではなかった。

【００９１】（実施例ＩＩ−２）

【００９２】上記実施例ＩＩ−１において、めっき浴の
テルル濃度０．１０ｍｇ／Ｌを０．３０ｍｇ／Ｌに変え
た。それ以外は、上記実施例ＩＩ−１と同様にして実施
例ＩＩ−２のサンプルを作製した。この実施例ＩＩ−２
のサンプルについて、上記の要領で密着強度の評価を行
ったところ、その結果は、０／２５であった。すなわ
ち、碁盤目状の２５マスの内、剥離したマスの数はゼロ
であり、極めて本発明のめっき膜の密着性が良いことが
確認された。

【００９３】（比較例ＩＩ−２）

【００９４】上記実施例ＩＩ−２において、めっき浴の
テルル濃度０．３０ｍｇ／Ｌを鉛濃度０．３０ｍｇ／Ｌ
に変えた（組成物中の硝酸テルルを硝酸鉛に変えた）。
それ以外は、上記実施例ＩＩ−２と同様にして比較例Ｉ
Ｉ−２のサンプルを作製した。この比較例ＩＩ−２のサ
ンプルについて、上記の要領で密着強度の評価を行った
ところ、マスの剥離個所が生じ、めっき膜の密着性は決
して満足のいくものではなかった。

【００９５】（実施例ＩＩ−３）

【００９６】上記実施例ＩＩ−１において、めっき浴の
テルル濃度０．１０ｍｇ／Ｌを０．５０ｍｇ／Ｌに変
え、さらにめっき膜厚も５．０μｍから１０．０μｍに
変えた。それ以外は、上記実施例ＩＩ−１と同様にして
実施例ＩＩ−３のサンプルを作製した。この実施例ＩＩ
−３のサンプルについて、上記の要領で密着強度の評価
を行ったところ、その結果は、０／２５であった。すな
わち、碁盤目状の２５マスの内、剥離したマスの数はゼ
ロであり、極めて本発明のめっき膜の密着性が良いこと
が確認された。

【００９７】（比較例ＩＩ−３）

【００９８】上記実施例ＩＩ−３において、めっき浴の
テルル濃度０．５０ｍｇ／Ｌを鉛濃度０．５０ｍｇ／Ｌ
に変えた（組成物中の硝酸テルルを硝酸鉛に変えた）。
それ以外は、上記実施例ＩＩ−３と同様にして比較例Ｉ
Ｉ−３のサンプルを作製した。この比較例ＩＩ−３のサ
ンプルについて、上記の要領で密着強度の評価を行った
ところ、マスの剥離個所が生じ、めっき膜の密着性は決
して満足のいくものではなかった。

【００９９】（実施例ＩＩ−４）

【０１００】上記実施例ＩＩ−１において、めっき浴の
テルル濃度０．１０ｍｇ／Ｌを１．０ｍｇ／Ｌに変え、
さらにめっき膜厚も５．０μｍから１０．０μｍに変え
た。それ以外は、上記実施例ＩＩ−１と同様にして実施
例ＩＩ−４のサンプルを作製した。この実施例ＩＩ−４
のサンプルについて、上記の要領で密着強度の評価を行
ったところ、その結果は、０／２５であった。すなわ
ち、碁盤目状の２５マスの内、剥離したマスの数はゼロ
であり、極めて本発明のめっき膜の密着性が良いことが
確認された。

【０１０１】（比較例ＩＩ−４）

【０１０２】上記実施例ＩＩ−４において、めっき浴の
テルル濃度１．０ｍｇ／Ｌを鉛濃度１．０ｍｇ／Ｌに変
えた（組成物中の硝酸テルルを硝酸鉛に変えた）。それ
以外は、上記実施例ＩＩ−４と同様にして比較例ＩＩ−
４のサンプルを作製した。この比較例ＩＩ−４のサンプ
ルについて、上記の要領で密着強度の評価を行ったとこ
ろ、マスの剥離個所が生じ、めっき膜の密着性は決して
満足のいくものではなかった。

【０１０３】（実施例ＩＩ−５）

【０１０４】上記実施例ＩＩ−１において、めっき浴の
テルル濃度０．１０ｍｇ／Ｌを１０．０ｍｇ／Ｌに変え
た。それ以外は、上記実施例ＩＩ−１と同様にして実施
例ＩＩ−５のサンプルを作製した。この実施例ＩＩ−５
のサンプルについて、上記の要領で密着強度の評価を行
ったところ、その結果は、０／２５であった。すなわ
ち、碁盤目状の２５マスの内、剥離したマスの数はゼロ
であり、極めて本発明のめっき膜の密着性が良いことが
確認された。

【０１０５】（比較例ＩＩ−５）

【０１０６】上記実施例ＩＩ−５において、めっき浴の
テルル濃度１０．０ｍｇ／Ｌを鉛濃度１０．０ｍｇ／Ｌ
に変えた（組成物中の硝酸テルルを硝酸鉛に変えた）。
それ以外は、上記実施例ＩＩ−５と同様にして比較例Ｉ
Ｉ−５のサンプルを作製した。この比較例ＩＩ−５のサ
ンプルについて、上記の要領で密着強度の評価を行った
ところ、マスの剥離個所が生じ、めっき膜の密着性は決
して満足のいくものではなかった。

【０１０７】（実施例ＩＩ−６）

【０１０８】上記実施例ＩＩ−１で用いた無電解ニッケ
ルめっき浴の組成を下記のように変え実施例ＩＩ−６の
サンプルを作製した。めっき浴のｐＨ＝５．０、テルル
濃度０．０１ｍｇ／Ｌであり、また、めっき膜厚は１．
０μｍとした。 （無電解ニッケルめっき浴の組成） ・テルル酸（Ｔｅとして０．０１ｍｇ／Ｌ） ・硫酸ニッケル（Ｎｉとして６ｇ／Ｌ） ・次亜りん酸 ３０ｇ／Ｌ ・リンゴ酸 ２３ｇ／Ｌ ・乳酸 ２３ｇ／Ｌ ・アンモニア水にてｐＨ調整

【０１０９】この実施例ＩＩ−６のサンプルについて、
上記の要領で密着強度の評価を行ったところ、その結果
は、０／２５であった。すなわち、碁盤目状の２５マス
の内、剥離したマスの数はゼロであり、極めて本発明の
めっき膜の密着性が良いことが確認された。

【０１１０】（比較例ＩＩ−６）

【０１１１】上記実施例ＩＩ−６において、めっき浴の
テルル濃度０．０１ｍｇ／Ｌを鉛濃度０．０１ｍｇ／Ｌ
に変えた（組成物中の硝酸テルルを硝酸鉛に変えた）。
それ以外は、上記実施例ＩＩ−６と同様にして比較例Ｉ
Ｉ−６のサンプルを作製した。この比較例ＩＩ−６のサ
ンプルについて、上記の要領で密着強度の評価を行った
ところ、マスの剥離個所が生じ、めっき膜の密着性は決
して満足のいくものではなかった。

【０１１２】（実施例ＩＩ−７）

【０１１３】上記実施例ＩＩ−６において、めっき浴の
テルル濃度０．０１ｍｇ／Ｌを０．０５ｍｇ／Ｌに変
え、さらにめっき膜厚も１．０μｍから３．０μｍに変
えた。それ以外は、上記実施例ＩＩ−６と同様にして実
施例ＩＩ−７のサンプルを作製した。この実施例ＩＩ−
７のサンプルについて、上記の要領で密着強度の評価を
行ったところ、その結果は、０／２５であった。すなわ
ち、碁盤目状の２５マスの内、剥離したマスの数はゼロ
であり、極めて本発明のめっき膜の密着性が良いことが
確認された。

【０１１４】（比較例ＩＩ−７）

【０１１５】上記実施例ＩＩ−７において、めっき浴の
テルル濃度０．０５ｍｇ／Ｌを鉛濃度０．０５ｍｇ／Ｌ
に変えた（組成物中の硝酸テルルを硝酸鉛に変えた）。
それ以外は、上記実施例ＩＩ−７と同様にして比較例Ｉ
Ｉ−７のサンプルを作製した。この比較例ＩＩ−７のサ
ンプルについて、上記の要領で密着強度の評価を行った
ところ、マスの剥離個所が生じ、めっき膜の密着性は決
して満足のいくものではなかった。

【０１１６】（実施例ＩＩ−８）

【０１１７】上記実施例ＩＩ−６において、めっき浴の
テルル濃度０．０１ｍｇ／Ｌを５．０ｍｇ／Ｌに変え、
さらにめっき膜厚も１．０μｍから１０．０μｍに変え
た。それ以外は、上記実施例ＩＩ−６と同様にして実施
例ＩＩ−８のサンプルを作製した。この実施例ＩＩ−８
のサンプルについて、上記の要領で密着強度の評価を行
ったところ、その結果は、０／２５であった。すなわ
ち、碁盤目状の２５マスの内、剥離したマスの数はゼロ
であり、極めて本発明のめっき膜の密着性が良いことが
確認された。

【０１１８】（比較例ＩＩ−８）

【０１１９】上記実施例ＩＩ−８において、めっき浴の
テルル濃度５．０ｍｇ／Ｌを鉛濃度５．０ｍｇ／Ｌに変
えた（組成物中の硝酸テルルを硝酸鉛に変えた）。それ
以外は、上記実施例ＩＩ−８と同様にして比較例ＩＩ−
８のサンプルを作製した。この比較例ＩＩ−８のサンプ
ルについて、上記の要領で密着強度の評価を行ったとこ
ろ、マスの剥離個所が生じ、めっき膜の密着性は決して
満足のいくものではなかった

【０１２０】（実施例III−１および実施例III−２）

【０１２１】上記実施例Ｉ−１において用いたガラス基
板を、ほうケイ酸ガラスからなるハードディスクドライ
ブ部品およびセラミックからなるハードディスクドライ
ブ部品に、それぞれ変えた。それ以外は、上記実施例Ｉ
−１と同様にして実施例III−１および実施例III−２の
サンプルを作製した。この実施例III−１および実施例I
II−２のサンプルについて、上記の要領で密着強度の評
価を行ったところ、その結果は、０／２５であった。す
なわち、碁盤目状の２５マスの内、剥離したマスの数は
ゼロであり、極めて本発明のめっき膜の密着性が良いこ
とが確認された。

【０１２２】

【発明の効果】上記の結果より本発明の効果は明らかで
ある。すなわち、本発明の無電解ニッケルめっき浴組成
物は、必須添加剤として、ビスマス、テルルの中から選
ばれた少なくとも１種を含有してなるように構成されて
いるので、ガラス基体ないしセラミック基体とニッケル
皮膜との密着強度が格段と向上するという極めて優れた
効果が発現する。

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 ガラス基体ないしセラミック基体の上に
   無電解ニッケル皮膜を被着させるための無電解ニッケル
   めっき浴組成物であって、 該組成物は、必須添加剤として、ビスマス、テルルの中
   から選ばれた少なくとも１種を含有してなることを特徴
   とする無電解ニッケルめっき浴組成物。
2. 【請求項２】 前記必須添加剤として含有されるビスマ
   スおよび／またはテルルの添加濃度は、ビスマスおよび
   テルルの濃度で換算して０．０１ｍｇ／Ｌ以上である請
   求項１に記載の無電解ニッケルめっき浴組成物。
3. 【請求項３】 ガラス基体ないしセラミック基体の上に
   無電解ニッケル皮膜を有するめっき形成体であって、 前記無電解ニッケル皮膜は、ビスマス、テルルの中から
   選ばれた少なくとも１種を含有してなることを特徴とす
   るめっき形成体。
4. 【請求項４】 前記無電解ニッケル皮膜は、ニッケル塩
   と、必須添加剤として、ビスマス、テルルの中から選ば
   れた少なくとも１種を含有してなる無電解ニッケルめっ
   き浴組成物を用いて無電解めっきにより形成された皮膜
   である請求項３に記載のめっき形成体。