JP2002237497A - 半導体素子の電極形成方法 - Google Patents
半導体素子の電極形成方法Info
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- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 アルミニウム電極を浸食することなく、信頼
性の高い突起電極を無電解めっき法によって形成する方
法を提供する。 【解決手段】 アルミニウム電極１１上の酸化皮膜１３
を除去した後、該アルミニウム電極１１上に一次亜鉛粒
子１４を置換析出させる。次いでパラジウムを含有する
水酸化アルカリ溶液に浸漬して、パラジウム活性化皮膜
１６を形成させる。次に、弱酸溶液に浸漬して不要な部
分に吸着したパラジウムを除去した後、酸化還元型の無
電解ニッケルめっき液に浸漬して、該パラジウム活性化
皮膜１６上にニッケル析出物１７を成長させる。所定の
時間、無電解ニッケルめっき液に浸漬することによりニ
ッケル突起電極１８を得ることができる。
性の高い突起電極を無電解めっき法によって形成する方
法を提供する。 【解決手段】 アルミニウム電極１１上の酸化皮膜１３
を除去した後、該アルミニウム電極１１上に一次亜鉛粒
子１４を置換析出させる。次いでパラジウムを含有する
水酸化アルカリ溶液に浸漬して、パラジウム活性化皮膜
１６を形成させる。次に、弱酸溶液に浸漬して不要な部
分に吸着したパラジウムを除去した後、酸化還元型の無
電解ニッケルめっき液に浸漬して、該パラジウム活性化
皮膜１６上にニッケル析出物１７を成長させる。所定の
時間、無電解ニッケルめっき液に浸漬することによりニ
ッケル突起電極１８を得ることができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体素子をワイヤ
レスボンディング方式によって実装する場合に必要な半
導体素子の電極形成方法に関するものである。
レスボンディング方式によって実装する場合に必要な半
導体素子の電極形成方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】一般に半導体素子のアルミニウム電極上
に突起電極等の導電性電極が形成された後、ワイヤレス
ボンディング法等の手段によって半導体素子を対向する
基板に実装する。前記アルミニウム電極上に無電解めっ
き法を用いて突起電極を形成する方法について図２を参
照しながら説明する。
に突起電極等の導電性電極が形成された後、ワイヤレス
ボンディング法等の手段によって半導体素子を対向する
基板に実装する。前記アルミニウム電極上に無電解めっ
き法を用いて突起電極を形成する方法について図２を参
照しながら説明する。
【０００３】まず、図２（ａ）に示すように半導体素子
１０のアルミニウム電極１１と、該アルミニウム電極上
に開口部を有するパッシベーション膜１２が形成され
る。前記開口部は、大気にさらされると直ぐに酸化皮膜
が形成されるので、該酸化皮膜１３を酸性液あるいはア
ルカリ性液に浸漬してエッチング除去する。次にアルカ
リ性あるいは弱酸性の亜鉛酸塩水溶液に浸漬して、図２
（ｂ）に示すように、酸化皮膜が除去されたアルミニウ
ム電極１１表面上に一次亜鉛粒子１４を置換析出させ
る。次いで希硝酸等に浸漬して一度析出した一次亜鉛粒
子１４をエッチング除去した後、再度前記亜鉛酸塩水溶
液に浸漬して図２（ｃ）のように、あらためて２度目の
二次亜鉛粒子１５を置換析出させる。これはより均一か
つ緻密な亜鉛置換被膜を得るための手法であり、必要に
応じて亜鉛粒子のエッチング工程と亜鉛置換工程がさら
に繰り返される場合もある。上記全ての工程を亜鉛置換
法として以下説明する。
１０のアルミニウム電極１１と、該アルミニウム電極上
に開口部を有するパッシベーション膜１２が形成され
る。前記開口部は、大気にさらされると直ぐに酸化皮膜
が形成されるので、該酸化皮膜１３を酸性液あるいはア
ルカリ性液に浸漬してエッチング除去する。次にアルカ
リ性あるいは弱酸性の亜鉛酸塩水溶液に浸漬して、図２
（ｂ）に示すように、酸化皮膜が除去されたアルミニウ
ム電極１１表面上に一次亜鉛粒子１４を置換析出させ
る。次いで希硝酸等に浸漬して一度析出した一次亜鉛粒
子１４をエッチング除去した後、再度前記亜鉛酸塩水溶
液に浸漬して図２（ｃ）のように、あらためて２度目の
二次亜鉛粒子１５を置換析出させる。これはより均一か
つ緻密な亜鉛置換被膜を得るための手法であり、必要に
応じて亜鉛粒子のエッチング工程と亜鉛置換工程がさら
に繰り返される場合もある。上記全ての工程を亜鉛置換
法として以下説明する。
【０００４】更に、半導体素子１０を酸化還元型の無電
解めっき液に浸漬して、めっき金属による突起電極の形
成を行う。図２（ｄ）に示すように、亜鉛置換法の場
合、半導体素子を無電解ニッケルめっき液に浸漬する
と、前記二次亜鉛粒子１５が溶解し、アルミニウム電極
１１表面近傍でニッケルの置換析出が起こり、ニッケル
析出物１７が発生する。その後はニッケルの自己還元作
用によって無電解めっき反応が継続し、一定時間浸漬し
ておくことにより図２（ｅ）のようにニッケル突起電極
１８を形成することができる。
解めっき液に浸漬して、めっき金属による突起電極の形
成を行う。図２（ｄ）に示すように、亜鉛置換法の場
合、半導体素子を無電解ニッケルめっき液に浸漬する
と、前記二次亜鉛粒子１５が溶解し、アルミニウム電極
１１表面近傍でニッケルの置換析出が起こり、ニッケル
析出物１７が発生する。その後はニッケルの自己還元作
用によって無電解めっき反応が継続し、一定時間浸漬し
ておくことにより図２（ｅ）のようにニッケル突起電極
１８を形成することができる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
技術に示した方法では以下の問題点が生ずる。前記亜鉛
置換法を行う為には、まずアルミニウム電極上の酸化皮
膜をエッチング除去する必要があり、その際にアルミニ
ウム電極１１が浸食されてしまう。前記酸化被膜が除去
された段階で１度目の亜鉛置換工程を行い、一度形成さ
れた亜鉛被膜をエッチング除去してから２度目の亜鉛置
換工程を行っていた。つまり前記亜鉛皮膜のエッチング
除去でアルミニウム電極１１が更に浸食されることとな
る。下地のアルミニウム電極１１の膜厚が薄い場合は、
エッチング工程と亜鉛置換工程の繰り返しを十分に行う
ことができず、均一かつ緻密な亜鉛置換被膜を得ること
ができない。均一かつ緻密な亜鉛置換被膜が得られない
と、後に形成するニッケル突起電極１８のニッケル粒子
が粗くなり、接合強度が弱くなるという問題が生ずる。
技術に示した方法では以下の問題点が生ずる。前記亜鉛
置換法を行う為には、まずアルミニウム電極上の酸化皮
膜をエッチング除去する必要があり、その際にアルミニ
ウム電極１１が浸食されてしまう。前記酸化被膜が除去
された段階で１度目の亜鉛置換工程を行い、一度形成さ
れた亜鉛被膜をエッチング除去してから２度目の亜鉛置
換工程を行っていた。つまり前記亜鉛皮膜のエッチング
除去でアルミニウム電極１１が更に浸食されることとな
る。下地のアルミニウム電極１１の膜厚が薄い場合は、
エッチング工程と亜鉛置換工程の繰り返しを十分に行う
ことができず、均一かつ緻密な亜鉛置換被膜を得ること
ができない。均一かつ緻密な亜鉛置換被膜が得られない
と、後に形成するニッケル突起電極１８のニッケル粒子
が粗くなり、接合強度が弱くなるという問題が生ずる。
【０００６】また、電極材料であるアルミニウムの浸食
を抑えるために亜鉛置換工程を１回とすると、均一かつ
緻密な亜鉛置換被膜は得られず、疎な亜鉛粒子の置換、
成長しか得ることができない。これは後の無電解ニッケ
ルめっき反応に直接影響し、粒子サイズの大きいニッケ
ル突起電極１８となってしまい、下地のアルミニウム電
極１１とのバリア性が低下し、半導体素子の突起電極と
しては適さない。よって半導体素子の均一かつ緻密な突
起電極を形成するためには亜鉛置換工程を２度以上行う
必要があった。
を抑えるために亜鉛置換工程を１回とすると、均一かつ
緻密な亜鉛置換被膜は得られず、疎な亜鉛粒子の置換、
成長しか得ることができない。これは後の無電解ニッケ
ルめっき反応に直接影響し、粒子サイズの大きいニッケ
ル突起電極１８となってしまい、下地のアルミニウム電
極１１とのバリア性が低下し、半導体素子の突起電極と
しては適さない。よって半導体素子の均一かつ緻密な突
起電極を形成するためには亜鉛置換工程を２度以上行う
必要があった。
【０００７】そこで本発明の目的は、上記課題を解決し
て、アルミニウム電極を浸食を最小限に留め、信頼性の
高いバリアメタルや突起電極の電極被膜を容易に形成す
る方法を提供することである。
て、アルミニウム電極を浸食を最小限に留め、信頼性の
高いバリアメタルや突起電極の電極被膜を容易に形成す
る方法を提供することである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明においては下記記載の半導体素子の電極形成
方法を採用する。
め、本発明においては下記記載の半導体素子の電極形成
方法を採用する。
【０００９】本発明の半導体素子の電極形成方法は、半
導体素子のアルミニウム電極表面に無電解めっき法によ
り導電性電極を形成する方法であって、前記電極表面の
酸化皮膜を除去する工程と、酸化皮膜が除去された前記
電極表面にアルミニウムを置換して亜鉛を析出させる工
程と、亜鉛が析出した前記電極表面に金属触媒を付与し
て活性化させる工程と、前記半導体素子を酸化還元型の
無電解めっき液に浸漬して前記電極表面にめっき金属を
析出させる工程とを有することを特徴とする。
導体素子のアルミニウム電極表面に無電解めっき法によ
り導電性電極を形成する方法であって、前記電極表面の
酸化皮膜を除去する工程と、酸化皮膜が除去された前記
電極表面にアルミニウムを置換して亜鉛を析出させる工
程と、亜鉛が析出した前記電極表面に金属触媒を付与し
て活性化させる工程と、前記半導体素子を酸化還元型の
無電解めっき液に浸漬して前記電極表面にめっき金属を
析出させる工程とを有することを特徴とする。
【００１０】本発明の半導体素子の電極形成方法は、前
記導電性電極が突起電極であることを特徴とする。
記導電性電極が突起電極であることを特徴とする。
【００１１】本発明の半導体素子の電極形成方法は、前
記活性化する工程で使用する活性化溶液が、水酸化ナト
リウムと水酸化リチウムのうちの少なくとも１種を含む
アルカリ性溶液中に金属触媒が溶解されている溶液であ
ることを特徴とする。更に好ましくは、前記金属触媒が
パラジウムであることを特徴とする。
記活性化する工程で使用する活性化溶液が、水酸化ナト
リウムと水酸化リチウムのうちの少なくとも１種を含む
アルカリ性溶液中に金属触媒が溶解されている溶液であ
ることを特徴とする。更に好ましくは、前記金属触媒が
パラジウムであることを特徴とする。
【００１２】（作用）本発明の半導体素子の電極形成方
法は、アルミニウム電極上に亜鉛置換皮膜を形成した
後、さらにパラジウム等の金属触媒を置換析出及び吸着
させることによって、アルミニウム電極表面を均一に活
性化し無電解めっきを析出させる方法である。前記活性
化は、先に析出させた亜鉛粒子と金属触媒の置換、及び
亜鉛が析出していないアルミニウム表面へ金属触媒を吸
着させることにより行う。このため、アルミニウム電極
表面全体を均一に活性化できるとともに、亜鉛粒子との
置換析出部分によってアルミニウム電極と突起電極との
強固な密着性を得ることが出来る。
法は、アルミニウム電極上に亜鉛置換皮膜を形成した
後、さらにパラジウム等の金属触媒を置換析出及び吸着
させることによって、アルミニウム電極表面を均一に活
性化し無電解めっきを析出させる方法である。前記活性
化は、先に析出させた亜鉛粒子と金属触媒の置換、及び
亜鉛が析出していないアルミニウム表面へ金属触媒を吸
着させることにより行う。このため、アルミニウム電極
表面全体を均一に活性化できるとともに、亜鉛粒子との
置換析出部分によってアルミニウム電極と突起電極との
強固な密着性を得ることが出来る。
【００１３】
【発明の実施の形態】本発明による半導体素子の電極形
成方法は、アルミニウム電極を有する半導体素子をまず
酸性液またはアルカリ性液に浸漬して酸化皮膜をエッチ
ング除去した後、水酸化アルカリ溶液中に酸化亜鉛を溶
解させた液をベースとした亜鉛酸塩溶液に浸漬して亜鉛
置換処理を行い、アルミニウム電極表面に亜鉛を置換析
出させる。次いで、金属触媒であるパラジウムを溶解さ
せた液に水酸化アルカリを加えてアルカリ性とした溶液
をベースとした活性化溶液に浸漬してアルミニウム電極
表面全体を均一に活性化し、この後、乳酸等の弱酸溶液
に浸漬して不要部分に付着したパラジウムを除去した
後、酸化還元型の無電解ニッケルめっき液に浸漬して突
起電極を形成する方法である。
成方法は、アルミニウム電極を有する半導体素子をまず
酸性液またはアルカリ性液に浸漬して酸化皮膜をエッチ
ング除去した後、水酸化アルカリ溶液中に酸化亜鉛を溶
解させた液をベースとした亜鉛酸塩溶液に浸漬して亜鉛
置換処理を行い、アルミニウム電極表面に亜鉛を置換析
出させる。次いで、金属触媒であるパラジウムを溶解さ
せた液に水酸化アルカリを加えてアルカリ性とした溶液
をベースとした活性化溶液に浸漬してアルミニウム電極
表面全体を均一に活性化し、この後、乳酸等の弱酸溶液
に浸漬して不要部分に付着したパラジウムを除去した
後、酸化還元型の無電解ニッケルめっき液に浸漬して突
起電極を形成する方法である。
【００１４】以下、図面を用いて本発明の半導体素子の
電極形成方法における突起電極の形成方法について説明
する。
電極形成方法における突起電極の形成方法について説明
する。
【００１５】先ず、従来の製造方法と同様に半導体素子
１０上のアルミニウム電極１１と、該アルミニウム電極
１１上に開口部を有するパッシベーション膜１２を形成
する。図１（ａ）のアルミニウム電極１１上に発生した
酸化皮膜１３を、酸性溶液あるいはアルカリ性溶液によ
ってエッチング除去する。エッチング液としては、水酸
化ナトリウムの希薄溶液や希硫酸を用いることが出来
る。酸化皮膜を除去するとともに薄い不働態皮膜を形成
させるためには、硝酸を用いるのがよい。
１０上のアルミニウム電極１１と、該アルミニウム電極
１１上に開口部を有するパッシベーション膜１２を形成
する。図１（ａ）のアルミニウム電極１１上に発生した
酸化皮膜１３を、酸性溶液あるいはアルカリ性溶液によ
ってエッチング除去する。エッチング液としては、水酸
化ナトリウムの希薄溶液や希硫酸を用いることが出来
る。酸化皮膜を除去するとともに薄い不働態皮膜を形成
させるためには、硝酸を用いるのがよい。
【００１６】次に、図１（ｂ）に示すように、酸化皮膜
１３が除去されたアルミニウム電極１１上に一次亜鉛粒
子１４を置換析出させる。具体的には、市販のジンケー
ト処理液を用いて室温で３０秒から６０秒浸漬する。
１３が除去されたアルミニウム電極１１上に一次亜鉛粒
子１４を置換析出させる。具体的には、市販のジンケー
ト処理液を用いて室温で３０秒から６０秒浸漬する。
【００１７】その後、純水で洗浄した後、図１（ｃ）に
示すように、パラジウムをアルミニウム電極１１全面に
析出させるわけであるが、本実施例では水酸化ナトリウ
ムと水酸化リチウムのうちの少なくとも１種を含むアル
カリ性溶液中にパラジウムを約０．２ｇ／リットル含有
する溶液に１分から２分浸漬させることによって、パラ
ジウム活性化皮膜１６を形成した。
示すように、パラジウムをアルミニウム電極１１全面に
析出させるわけであるが、本実施例では水酸化ナトリウ
ムと水酸化リチウムのうちの少なくとも１種を含むアル
カリ性溶液中にパラジウムを約０．２ｇ／リットル含有
する溶液に１分から２分浸漬させることによって、パラ
ジウム活性化皮膜１６を形成した。
【００１８】前記アルカリ性溶液に浸漬することによっ
て、一次亜鉛粒子１４とパラジウムの置換反応を促進さ
せるだけでなく、亜鉛置換が行われなかったアルミニウ
ム電極１１表面に形成された酸化膜を除去しながらアル
ミニウムとパラジウムの置換反応を促進させることがで
きる。これにより、アルミニウム電極１１と後に形成す
るニッケル突起電極１８との強固な密着性を得ることが
出来る。
て、一次亜鉛粒子１４とパラジウムの置換反応を促進さ
せるだけでなく、亜鉛置換が行われなかったアルミニウ
ム電極１１表面に形成された酸化膜を除去しながらアル
ミニウムとパラジウムの置換反応を促進させることがで
きる。これにより、アルミニウム電極１１と後に形成す
るニッケル突起電極１８との強固な密着性を得ることが
出来る。
【００１９】次いで、純水で洗浄した後、５％乳酸溶液
等に浸漬してパッシベーション膜１２上等の不要な部分
に付着したパラジウムを除去し、再度純水で洗浄した
後、酸化還元型の無電解ニッケルめっき液に浸漬する
と、図１（ｄ）に示すように、パラジウム粒子を核とし
てニッケルの還元反応がアルミニウム電極１１上で均一
に開始し、パラジウム活性化被膜１６上にニッケル析出
物１７が成長する。その後は無電解ニッケルめっき液の
自己触媒作用によってニッケルめっきが更に成長してゆ
き、図１（ｅ）に示すように、粒子の緻密なニッケル突
起電極１８を形成することが出来る。
等に浸漬してパッシベーション膜１２上等の不要な部分
に付着したパラジウムを除去し、再度純水で洗浄した
後、酸化還元型の無電解ニッケルめっき液に浸漬する
と、図１（ｄ）に示すように、パラジウム粒子を核とし
てニッケルの還元反応がアルミニウム電極１１上で均一
に開始し、パラジウム活性化被膜１６上にニッケル析出
物１７が成長する。その後は無電解ニッケルめっき液の
自己触媒作用によってニッケルめっきが更に成長してゆ
き、図１（ｅ）に示すように、粒子の緻密なニッケル突
起電極１８を形成することが出来る。
【００２０】なお、無電解ニッケルめっきの初期反応性
を促進させるために、無電解ニッケルめっき液に浸漬す
る直前に、無電解ニッケルめっき液の還元剤成分である
次亜燐酸塩等の溶液に浸漬させたり、希薄な水酸化アル
カリ溶液に浸漬してアルミニウム電極表面近傍のｐＨを
高めておいてもよい。
を促進させるために、無電解ニッケルめっき液に浸漬す
る直前に、無電解ニッケルめっき液の還元剤成分である
次亜燐酸塩等の溶液に浸漬させたり、希薄な水酸化アル
カリ溶液に浸漬してアルミニウム電極表面近傍のｐＨを
高めておいてもよい。
【００２１】本実施例では、次亜燐酸塩を還元剤とする
市販の酸化還元型無電解ニッケルーリン合金めっき液を
用い、ｐＨ５．０±０．１、９０℃、２０分の浸漬処理
によって、半導体素子の全てのアルミニウム電極表面に
均一な５〜６μｍのニッケル突起電極を形成させること
が出来た。
市販の酸化還元型無電解ニッケルーリン合金めっき液を
用い、ｐＨ５．０±０．１、９０℃、２０分の浸漬処理
によって、半導体素子の全てのアルミニウム電極表面に
均一な５〜６μｍのニッケル突起電極を形成させること
が出来た。
【００２２】上記に示した本発明の半導体素子の電極形
成方法で、非常に緻密でかつ均一な導電性の電極である
突起電極を形成することができることが判った。また、
従来技術と同様に本発明においてもアルミニウム電極１
１上にできる酸化皮膜を除去する工程が必要なため、無
電解めっきの前処理の段階で若干のアルミニウム電極１
１を浸食してしまうこととなる。しかしながら、亜鉛置
換工程の後のエッチング除去を行わずに金属触媒による
活性化する工程を行うので、それ以上の浸食を最小限と
し、しかも均一で接合信頼性の高い電極皮膜が形成でき
ることが判った。
成方法で、非常に緻密でかつ均一な導電性の電極である
突起電極を形成することができることが判った。また、
従来技術と同様に本発明においてもアルミニウム電極１
１上にできる酸化皮膜を除去する工程が必要なため、無
電解めっきの前処理の段階で若干のアルミニウム電極１
１を浸食してしまうこととなる。しかしながら、亜鉛置
換工程の後のエッチング除去を行わずに金属触媒による
活性化する工程を行うので、それ以上の浸食を最小限と
し、しかも均一で接合信頼性の高い電極皮膜が形成でき
ることが判った。
【００２３】また、前記金属触媒はパラジウムだけでな
く、金、銀等の触媒を用いても同様に半導体素子の電極
を形成することができる。
く、金、銀等の触媒を用いても同様に半導体素子の電極
を形成することができる。
【００２４】上記に示したように、導電性電極を突起電
極としてその製造方法を説明したが、ニッケルやニッケ
ル合金、コバルト等を用いてアルミニウム電極１１上に
バリアメタルを本発明と同じ方法で形成することができ
る。また、銅コアも同様に形成可能である。
極としてその製造方法を説明したが、ニッケルやニッケ
ル合金、コバルト等を用いてアルミニウム電極１１上に
バリアメタルを本発明と同じ方法で形成することができ
る。また、銅コアも同様に形成可能である。
【００２５】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、簡単な
操作で半導体素子のアルミニウム電極上に、アルミニウ
ム電極の浸食を最小限に留めた電極を形成することがで
きる。また、本発明の半導体素子の電極皮膜の形成方法
によれば、均一で接合信頼性の高い突起電極を形成する
ことができる。
操作で半導体素子のアルミニウム電極上に、アルミニウ
ム電極の浸食を最小限に留めた電極を形成することがで
きる。また、本発明の半導体素子の電極皮膜の形成方法
によれば、均一で接合信頼性の高い突起電極を形成する
ことができる。
【００２６】尚、本発明は半導体素子の電極形成方法の
みならず、無電解めっき法により緻密な膜を形成したい
場合の全ての事例に適用できることは言うまでもない。
みならず、無電解めっき法により緻密な膜を形成したい
場合の全ての事例に適用できることは言うまでもない。
【００２７】
【図１】本発明の半導体素子の電極形成方法を示す工程
断面図である。
断面図である。
【図２】従来の半導体素子の電極形成方法を示す工程断
面図である。
面図である。
１０ 半導体素子 １１ アルミニウム電極 １２ パッシベーション膜 １３ 酸化皮膜 １４ 一次亜鉛粒子 １５ 二次亜鉛粒子 １６ パラジウム活性化皮膜 １７ ニッケル析出物 １８ ニッケル突起電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 21/288 Ｈ０１Ｌ 21/92 ６０４Ｄ 21/3205 21/88 Ｎ Ｔ Ｆターム(参考） 4K022 AA02 AA41 BA14 CA05 CA06 CA17 CA21 DA01 4M104 BB02 BB04 CC01 DD06 DD23 DD53 FF13 FF16 HH08 HH20 5F033 HH07 HH11 HH15 JJ01 JJ07 JJ11 JJ15 KK08 LL08 MM05 MM13 NN03 NN07 PP28 QQ09 QQ19 QQ37 QQ94 VV07 XX00 XX12 XX18
Claims (4)
- 【請求項１】 半導体素子のアルミニウム電極表面に無
電解めっき法により導電性電極を形成する方法であっ
て、前記電極表面の酸化皮膜を除去する工程と、前記電
極表面のアルミニウムを置換して亜鉛を析出させる工程
と、前記電極表面に金属触媒を付与しで活性化させる工
程と、前記半導体素子を酸化還元型の無電解めっき液に
浸漬して前記電極表面にめっき金属を析出させる工程と
を有する事を特徴とする半導体素子の電極形成方法。 - 【請求項２】 前記導電性電極が突起電極であることを
特徴とする請求項第１項に記載の半導体素子の電極形成
方法。 - 【請求項３】 前記活性化する工程で使用する活性化溶
液が、水酸化ナトリウムと水酸化リチウムのうちの少な
くとも１種を含むアルカリ性溶液中に金属触媒が溶解さ
れている溶液であることを特徴とする請求項第１から２
項のいずれか１に記載の半導体素子の電極形成方法。 - 【請求項４】 前記金属触媒がパラジウムであることを
特徴とする請求項第１から３項のいずれか１に記載の半
導体素子の電極形成方法。
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