JP2000323511A - 面実装用接続部材 - Google Patents

面実装用接続部材

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JP2000323511A
JP2000323511A JP11131222A JP13122299A JP2000323511A JP 2000323511 A JP2000323511 A JP 2000323511A JP 11131222 A JP11131222 A JP 11131222A JP 13122299 A JP13122299 A JP 13122299A JP 2000323511 A JP2000323511 A JP 2000323511A
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高士 中島
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    • H01ELECTRIC ELEMENTS
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    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/11Manufacturing methods

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  • Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 熱膨張係数差を有する電子部品と実装基板と
を接合して形成された電子装置に加わる熱サイクルの繰
り返し応力を吸収し、耐熱応力特性を向上させることの
できると共に、機械的、電気的な接続性に優れた面実装
用接続部材の構造を提供することにある。 【構成】 本発明の面実装用接続部材は、粘ちゅう性フ
ラックス、半田粉末、及び耐熱性軟質樹脂とのペースト
状の混合物を混練りした構成とされている。前記構成の
面実装用接続部材を加熱することにより、粘ちゅう性フ
ラックスを気化させると共に、半田粉末を溶融して形成
された半田メタル内に耐熱性軟質樹脂粉末が分散した海
綿状態のフレックス半田メタルを形成して実装すること
にあり、これによって、電子部品と実装基板との間の熱
膨張係数差に起因する繰り返し応力を吸収する応力緩衝
接続部材として機能させることができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、面実装用接続部材
に係る。特に、電子部品と実装基板との間に介在して電
気的導通回路を形成する面実装用接続部材の構成に関す
る。
【0002】
【従来の技術】従来、電子部品と実装基板との実装に
は、電子部品、実装基板のいずれか一方又は両方にペー
スト状の面実装用接続部材の一例であるクリーム半田が
一般的に使用されている。
【0003】そして、前記クリーム半田60は、粘ちゅ
う性フラックス61に半田粉末62を混ぜ合わせたペー
スト状の混合物で構成されたものである(図4参照)。
【0004】続いて、前記クリーム半田60を、電子部
品の一例である半導体集積回路チップ63と実装基板6
8(図6参照)との間に介在して電気的導通回路を形成
して実装されるフリップチッブ実装方式(ワイヤレスボ
ンデング方式)に適用した従来の一実施例について説明
する。ここで、図4は電子部品の一例である半導体チッ
プの電極パット上に堆積されたクリーム半田バンプを示
す断面図、図5はクリーム半田を加熱溶融して形成され
た半田メタル・バンプを示す断面図、図6は半導体集積
回路チップと実装基板との間に半田メタルを形成して接
続された実装状態を示す平面図である。
【0005】まず、図4においては、半導体集積回路チ
ップ63の主面に形成された複数の電極パッド64に、
例えば、スクリーン印刷法を用いて、前記クリーム半田
60を堆積してクリーム半田・バンプ65を形成する。
ここで、67は、アルミ電極66上に形成されたバリア
メタルであり、該バリアメタル67は、例えば、Cr層
67a、Cu層67b、Au層67cから成る構成とさ
れている
【0006】次に、図5においては、半導体集積回路チ
ップ63の複数の電極パッド64に形成されたクリーム
半田・バンプ65(図4参照)を、リフロー炉内で加熱
することにより、クリーム半田・バンプ65を構成する
フラックス分を気化させると共に、半田粉末を溶融・硬
化させて半導体チップ63の複数の電極パッド64に半
田メタル・バンプ65aが形成される。
【0007】次に、図6においては、半導体集積回路チ
ップ63の複数の電極パッド64のそれぞれに形成され
た前記半田メタル・バンプ65aを、これらに対応する
実装基板68のそれぞれのボンディング・ランド69に
位置合せし、これらをリフロー炉内で加熱することによ
り、前記半田メタル・バンプ65aが再溶融し、半導体
集積回路チップ63と実装基板68とが半田メタル65
bを介して半田融合して電気的導通回路を形成して実装
される。いわゆるフリップチップ接続方式(ワイヤレス
ボンデング方式)が提案され、特定用途に大量に使用す
る場合や超高密度実装が要求されるところに最適な方法
として実用化されている。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図1に
示すように、半導体集積回路チップ63と実装基板68
との電気的接続に用いる前記クリーム半田60は、半田
粉末62が50体積%、残余の主体が粘ちゅう性フラッ
クス61を混ぜ合わせたペースト状の混合物で構成され
ており、半導体集積回路チップ63と実装基板68との
電気的接続には、リフロー用電気炉で半田粉末を溶融さ
せると共に、フラックス成分を気化させて半田付を完了
させる。この場合、再溶融後の半田は再結晶化現象を伴
い組織脆性化を引き起こす。この現象が耐熱応力特性を
低下させる。この組織脆性化を防ぐために他の元素を添
加して再結晶化を低下させる手段を行っているが、進行
を遅らせる効果はあるものの再結晶化がなくならないた
め、この半田構造では耐熱応力特性が低いという問題が
あった。
【0009】更に、半導体集積回路チップ63と実装基
板68とを狭い間隔で対向させ、直径が数十μmの半田
メタル・バンプ65aを溶融し、半田メタル65bを形
成して機械的に固着しているため、半導体集積回路チッ
プ63と実装基板68とが熱膨張係数差を有するため、
熱サイクルに伴う応力が発生し、この応力の逃げ場がな
く、半田メタル65bの接続基部に集中し、半田メタル
65bの基部に脆性破壊69が生じて電気的接続を損な
うと共に、半導体集積回路チップをも破壊する場合が生
じるという問題があった。
【0010】この問題を抑制するために、半導体集積回
路チップ63と実装基板68との間に、図示していな
い、可撓性基板を介在させるか、アンダ・フィル樹脂で
補強するか、半田バンプを高く形成することも一部行わ
れているがいずれも容積の増大や実装コストを増加させ
るという問題があった。
【0011】本発明の目的は、熱膨張係数差を有する電
子部品と実装基板とを接合して形成された電子装置に加
わる熱サイクルの繰り返し応力を吸収し、耐熱応力特性
を向上させると共に、接続部の塑性変形、延性破壊及び
脆性破壊を防止し、機械的、電気的な接続に優れた面実
装用接続部材を提供することにある。
【0012】更に、本発明の他の目的は、電子部品を実
装基板に実装した電子装置の薄型化に対応するこのでき
る面実装用接続部材を提供することにある。
【0013】更に、本発明の他の目的は、従来の表面実
装技術を用いて、半導体チップや半導体パッケージなど
の実装コストを低減することかできる電子部品の面実装
用接続部材を提供することにある。
【0014】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記の目的を
達成するためになされたもので、請求項1記載の面実装
用接続部材は、半導体チップや半導体パッケージなどの
電子部品と実装基板との間に介在し、これらを電気的に
接続して電気的導通回路を形成する面実装用接続部材に
あって、前記面実装用接続部材は、半田粉末が25〜5
0体積%、及び半田溶融温度よりも高く、且つ弾性率の
高い耐熱性樹脂粉末が15〜25体積%、及び残部の主
体が粘ちょう性フラックスから成る混合物を混練りした
クリーム状に構成されており、そして接合状態では、電
子部品と実装基板との間に前記耐熱性樹脂粉末が溶融し
た半田メタル内に分散して海綿状態のフレックス性半田
メタルを形成することを特徴するものである。
【0015】また、請求項2記載の面実装用接続部材
は、請求項1記載の面実装用接続部材にあって、前記耐
熱性樹脂粉末は、ヤング率の低いスチレン系樹脂粉末、
又はベンゾグワナミン系樹脂粉末から選択され、その外
形が0.5μmm以上で3μmm未満の球体形状である
ことを特徴とするものである。
【0016】また、請求項3記載の面実装用接続部材
は、請求項2記載の面実装用接続部材にあって、前記耐
熱性軟質樹脂粉末は、その表面が導電性薄膜で被覆され
ていることを特徴とするものである。
【0017】また、請求項4記載の面実装用接続部材
は、請求項3記載の面実装用接続部材にあって、前記導
電性薄膜は、Sn、Ti、In、Pb、Pb−Sn、A
u、Ag、Ni等の導電性金属からなることを特徴とす
るものである。
【0018】上記のように構成された面実装用接合部材
では、前記耐熱性樹脂粉末として、その外形が0.5μ
mm以上で3μmm未満の球体形状で、弾性率の高い球
体形状の耐熱性スチレン系樹脂、又はベンゾグワナミン
系樹脂が15〜25体積%、前記半田粉末が25〜50
体積%、残余の主体が粘ちゅう性フラックスからなる混
合物を混練りしたペスト状のフレックス性クリーム半田
を形成しているので、リフロー炉内で加熱することによ
り、前記半田粉末が加熱溶融されて硬化した後は、半田
メタル中に球体状の前記耐熱性樹脂粉末が海綿状態に分
散し、弾力性が付加されたフレックス半田メタルを形成
して実装される。従って、実装状態では、電子部品と実
装基板との間隔が狭くても半田メタル中に海綿状態に分
散した前記耐熱性樹脂粉末が熱サイクルによって生じる
応力を吸収するので、従来のような脆性破壊や延性破壊
を生じることがなくなり耐応力特性を向上させることが
できる。
【0019】また、前記耐熱性樹脂粉末の表面を半田と
濡れ性の良い導電性めっきで被覆されているので、前記
半田粉末と前記耐熱性樹脂粉末との比重がバランスし、
粘ちゅう性フラックス中に前記半田粉末と前記耐熱性樹
脂粉末とが均一に分散したフレックス性クリーム半田が
形成される。そして、実装状態では前記半田メタルと前
記耐熱性樹脂粉末の良好な結合が維持されたフレックス
性半田メタルが形成される。
【0020】ここで、前記半田粉末は全体の25〜50
体積%の範囲で構成されているので、接続状態では、前
記耐熱性樹脂粉末の弾力性を低下させることなく前記半
田メタルの導電性を維持することができる。
【0021】また、前記耐熱性樹脂粉末は、15体積%
〜25体積%の範囲で構成されているので、接続状態で
は、前記半田メタルの導電性を低下させることなく前記
耐熱性樹脂粉末の弾力性を維持することができる。
【0022】
【発明の実施の形態】続いて、添付した図面を参照しつ
つ、本発明を具体化した実施の形態について説明する。
ここに、図1は本発明の一実施の形態に係る面実装用接
続部材の構成と半導体集積回路チップに形成されたフレ
ックス性クリーム半田・バンプを示す断面図、図2は本
発明の一実施の形態に係る面実装用接続部材を加熱溶融
して形成されたフレックス性半田メタル・バンプを示す
断面図、図3本発明の一実施の形態に係る面実装用接続
部材を用いた半導体集積回路チップと実装基板との実装
状態を示す断面図である。
【0023】図1に示すように、本発明の実施の形態に
係る面実装用接続部材10は、半田粉末11が35体積
%、及び半田溶融温度よりも高く、且つ弾性率の高い耐
熱性樹脂粉末12が25体積%、及び残余の主体が粘ち
ゅう性フラックス13から成る混合物を混練りして形成
された構成のフラックス性クリーム半田14である。図
1において、白丸は半田粉末11を、黒丸は耐熱性樹脂
粉末12を、その他の部分はフラックス13を示す。さ
らに、12aは導電性薄膜である。
【0024】また、耐熱性樹脂粉末12は、例えば、半
田粉末11の溶融温度よりも高く、且つヤング率の低い
スチレン系樹脂、ベンゾグワナミン系樹脂から選択され
た弾力性を有する耐熱性樹脂であって、その外形が0.
5μmm以上で、3μmm未満(好ましくは、2μmm
以下)の球体形状の弾性微粒子から成り、その表面に
は、Sn、Ti、In、Pb、Pb−Sn、Au、A
g、Ni等の導電性金属から選択された一つが直接又は
下地層を介して無電解メッキで形成された導電性薄膜1
2aで被覆されている。このように、半田粉末11と濡
れ性のよい導電性薄膜12aで被覆することによって、
半田粉末11と耐熱性樹脂粉末12との比重がバランス
し、粘ちゅう性フラックス13中に半田粉末11と耐熱
性樹脂粉末12とが均一に分散したフレックス性クリー
ム半田14を形成することができる。
【0025】続いて、図1、図2、図3を参照しつつ本
発明の一実施の形態に係る面実装用接続部材の一例であ
るフレックス性クリーム半田14を用いて半導体集積回
路チップ15と実装基板16との接続について説明す
る。
【0026】まず、図1を参照しつつ、フラックス性ク
リーム半田バンプ18の形成について説明する。図にお
いては、半導体集積回路チップ15の電極パッド17の
上に、メタルマスクを用いたスクリーン印刷法により、
前記フラックス性クリーム半田14を所定の厚みに堆積
することによってフラックス性クリーム半田バンプ18
を形成することができる。ここで、19は、アルミ電極
20上に形成されたバリアメタルであり、該バリアメタ
ル19は、例えば、Cr層21、Cu層22、Au層2
3から成る構成とされている。24はパッシベーション
層を示し、このフラックス性半田バンプ18は実装基板
16のボンディング・ランド25に符合している。
【0027】次に、図2を参照しつつ、フレックス性半
田メタル・バンプ26の形成について説明する。図にお
いては、前記フラックス性クリーム半田バンプ18が形
成された半導体集積回路チップ15をリフロー炉で加熱
することにより、前記フラックス性クリーム半田バンプ
18を構成するフラックス13を気化させると共に、前
記半田粉末11が溶融されて、図2に示す半導体集積回
路チップ15の電極パッド17上に形成された半田メタ
ル11a内に弾性率の高いスチレン系樹脂、又はベンゾ
グワナミン系樹脂が海綿状に分散したフレックス性半田
メタル・バンプ26が形成される。
【0028】次に、図2を参照しつつ、半導体集積回路
チップ15を実装基板16との接合について説明する。
図においては、半導体集積回路チップ15を実装基板1
6に搭載する場合には、前記フラックス性半田メタル・
バンプ26が形成された半導体集積回路チップ15の電
極パッド17を実装基板16のボンディング・ランド2
5に整合する位置にフラックスを介して配置し、リフロ
ー炉内で整合状態で加熱し、フラックスを気化させると
共に、フレックス性半田メタル・バンプ26を再溶融
し、図2に示すように、半導体集積回路チップ15の電
極パッド17と実装基板16のボンディング・ランド2
5との間に半田メタル11a中にヤング率の低い耐熱性
樹脂12の一例であるスチレン系樹脂、又はベンゾグワ
ナミン系樹脂が分散した弾力性を有する海綿状のフレッ
クス性半田メタル27を形成して実装される。
【0029】以上本発明の面実装用接続部材の一例であ
るフレックス性クリーム半田を用いて半導体集積回路チ
ップと実装基板との接合に、半導体集積回路チップにフ
レックス性クリーム半田を堆積する場合ついて説明した
が、実装基板、又は半導体集積回路チップと実装基板の
両方にフレックス性クリーム半田を堆積して実装するこ
とも可能である。更に、半導体集積回路チップ、実装基
板の一方にフレックス性半田メタル・バンプを形成し、
他方にフレックス性クリーム半田バンプを形成して実装
することもでる。更に、フレックス性半田メタルバンプ
を形成して接合する場合について説明したが、フレック
ス性クリーム半田を半導体集積回路チップと実装基板と
の間に堆積し、リフローを行いフレックス性半田メタル
を形成して半導体集積回路チップと実装基板とを直接実
装することも可能である。
【0030】本発明の特徴とするところは、面実装用接
続部材が粘ちゅう性フラックス、半田粉末、及び耐熱性
樹脂とのペースト状の混合物を混練りした構成とされて
おり、前記面実装用接続部材を加熱することにより、前
記粘ちゅう性フラックスを気化させると共に、前記半田
粉末を溶融して形成された半田メタル内に前記耐熱性樹
脂粉末が分散した海綿状態のフレックス半田メタルを形
成して接合することにあり、前記耐熱性樹脂の一例であ
るスチレン系樹脂、又はベンゾグワナミン系樹脂を用い
ることにより、電子部品と実装基板との間の熱膨張係数
差に起因する繰り返し応力を吸収し、耐応力特性の高い
応力緩衝接続部材として機能させることができる。従っ
て、その精神又は主要な特徴から逸脱することなく、他
の色々な型で実施することができる。そのため、前述の
実施例はあらゆる点で単なる例示にすぎず、限定的に解
釈してはならない。本発明の範囲は、特許請求の範囲に
よって示すものであって、明細書本文には、なんら拘束
されない。さらに、特許請求の範囲の均等範囲に属する
変形や変更は、すべて本発明の範囲内のものである。
【0031】例えば、本発明の面実装用接続部材の一例
であるフレックス性クリーム半田は、図示していない、
SON(スモール・アウトライン・ノンリード)型、Q
FN(クワッド・フラット・ノンリード)型、BGA
(ボール・グリッド・アレイ)型、LGA(ランド・グ
リッド・アレイ)型等の半導体装置の外部接続端子ラン
ドに予め外部接続端子を形成するプリコート処理にも適
用できる。更に、BGA(ボール・グリッド・アレイ)
型の半導体バッケージの外部接続端子となる半田ボール
の形成にも用いることができる。
【0032】
【発明の効果】上記、請求項1〜4記載の電子部品の面
実装用接続部材においては、面実装用接続部材は、フラ
ックス、半田粉末、及びヤング率の低いスチレン系、又
はベンゾグワナミン系の耐熱性樹脂粉末を含む混合物を
主体として構成されているので、この面実装用接続部材
をリフローすることにより、半田粉末が溶融した半田メ
タル内にヤング率が低い前記耐熱性樹脂粉末が分散した
海綿状態となり、フレックス性を有する半田メタルが形
成され、熱サークルによって生じる電子部品とプリント
基板との熱膨張係数差による応力を、弾性率の高いスチ
レン系、又はベンゾグワナミン系の耐熱性樹脂粉末によ
って吸収することができ、耐熱応力特性がを向上させる
ことができる。その結果として、耐熱応力特性が向上す
るので、電子部品と実装基板との熱膨張係数差のあるC
SP型、FC型等のパッケージの大型化が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施の形態に係る面実装用接続部材
の構成と半導体集積回路チップに形成されたフレックス
性クリーム半田・バンプを示す断面図である。
【図2】本発明の一実施の形態に係る面実装用接続部材
で形成されたフレックス性半田・バンプを加熱溶融して
形成されたフレックス性半田メタル・バンプを示す断面
図である。
【図3】本発明の一実施の形態に係る面実装用接続部材
を用いた半導体集積回路チップと実装基板との接合状態
を示す断面図である。
【図4】従来の実施の形態に係る面実装用接合部材の構
成、及び半導体集積回路チップに形成されたクリーム半
田・バンプを示す断面図である。
【図5】従来の実施の形態に係るクリーム半田・バンプ
を加熱溶融して形成された半田メタル・バンプを示す断
面図である。
【図6】従来の実施の形態に係る半導体集積回路チップ
と実装基板との接合状態を示す平面図である。
【符号の説明】
10 面実装用接続部材 11 半田粉末 11a 半田メタル 12 耐熱性軟質樹脂粉末 12a 導電性薄膜 13 粘ちゅう性フラックス 14 フラックス性クリーム半田 15 半導体集積回路チップ 16 実装基板 17 電極パッド 18 フラックス性クリーム半田バンプ 19 バリアメタル 20 アルミ電極 21 Cr層 22 Cu層 23 Au層 24 パッシベーション層 25 ボンディング・ランド 26 フレックス性半田メタル・バンプ 27 フレックス性半田メタル 28 カバーレジスト 60 クリーム半田 61 粘ちゅう性フラックス 62 半田粉末 63 半導体集積回路チップ 64 電極パッド 65 クリーム半田・バンプ 65a 半田メタル・バンプ 65b 半田メタル 66 アルミ電極層 67 バリアメタル層 67a Cr層 67b、Cu層 67c、Au層 68 実装基板 69 クラック

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 半導体チップや半導体パッケージなどの
    電子部品と実装基板との間に介在し、これらを電気的に
    接続して電気的導通回路を形成する面実装用接続部材に
    おいて、 前記面実装用接続部材は、半田粉末が25〜50体積
    %、及び半田溶融温度よりも高く、且つ弾性率の高い耐
    熱性樹脂粉末が15〜25体積%、及び残部の主体が粘
    ちょう性フラックスから成る混合物を混練りしてクリー
    ム状に構成されており、そして接合状態では、電子部品
    と実装基板との間に前記耐熱性樹脂粉末が溶融して形成
    された半田メタル内に分散して海綿状態のフレックス性
    半田メタルを形成することを特徴する面実装用接続部
    材。
  2. 【請求項2】 前記耐熱性樹脂粉末は、ヤング率の低い
    スチレン系樹脂粉末、又はベンゾグワナミン系樹脂粉末
    から選択され、その外形が0.5μmm以上で3μmm
    未満の球体形状であることを特徴とする請求項1記載の
    面実装用接続部材。
  3. 【請求項3】 前記耐熱性樹脂粉末は、その表面が導電
    性薄膜で被覆されていることを特徴とする請求項2記載
    の面実装用接続部材。
  4. 【請求項4】 前記導電性薄膜は、Sn、Ti、In、
    Pb、Pb−Sn、Au、Ag、Ni等の導電性金属か
    らなることを特徴とする請求項3記載の面実装用接続部
    材。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2002087297A1 (fr) * 2001-04-18 2002-10-31 Hitachi, Ltd. Appareil electronique
WO2009028239A1 (ja) * 2007-08-27 2009-03-05 Nec Corporation 半導体装置の実装構造及び半導体装置の実装方法

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