JP2000323380A - 荷電粒子線露光用ステンシルマスク - Google Patents

荷電粒子線露光用ステンシルマスク

Info

Publication number
JP2000323380A
JP2000323380A JP12720399A JP12720399A JP2000323380A JP 2000323380 A JP2000323380 A JP 2000323380A JP 12720399 A JP12720399 A JP 12720399A JP 12720399 A JP12720399 A JP 12720399A JP 2000323380 A JP2000323380 A JP 2000323380A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
stencil mask
support
mask
beam exposure
particle beam
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP12720399A
Other languages
English (en)
Inventor
Takayuki Niijima
新島高幸
Naotake Sano
佐野尚武
Kenichi Morimoto
森本健一
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Dai Nippon Printing Co Ltd
Original Assignee
Dai Nippon Printing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Dai Nippon Printing Co Ltd filed Critical Dai Nippon Printing Co Ltd
Priority to JP12720399A priority Critical patent/JP2000323380A/ja
Publication of JP2000323380A publication Critical patent/JP2000323380A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Electron Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ステンシルマスク本体をホルダーに機械的に
取り付けるようにして加熱による熱歪みの発生をなくし
て、荷電粒子線露光用ステンシルマスクのパターン不良
を抑制し、かつ、接着剤塗布工程の不安定性を除く。 【解決手段】 ステンシルマスク本体10の外形に対応
する位置決めアパーチャ27を有する中間板22が支持
体21の支持面上に固定され、その位置決めアパーチャ
27内にマスク本体10が配置され、マスク本体10の
外形より小さい押さえ形成用アパーチャ30を有する押
さえ板23が支持体21に押圧固定されてなる荷電粒子
線露光用ステンシルマスク。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子線、イオンビ
ーム等の荷電粒子線露光用ステンシルマスクに関し、特
に、半導体素子の製造等に用いられる荷電粒子線露光用
ステンシルマスクに関するものである。
【0002】
【従来の技術】最近、部分一括法と称して、電子線露光
パターンに対応する形状の開口部を有する図形マスク
を、転写マスクの基板内に多数個設け、これらの図形マ
スクにより電子線の形状を成形して試料上に照射し、あ
る面積を一回で露光してしまう高速描画方式が注目され
てきている。この方式に用いられる転写マスクが電子線
露光用ステンシルマスクである。
【0003】図5にこのようなステンシルマスクを用い
て部分一括露光をする電子線露光装置の概略の構成を示
す。また、図6にその描画原理を模式的に示す(SPI
E,Vol.2254,Photomask and
X−Ray Mask Technology(199
4)pp.122〜132)。電子銃1を出射した電子
ビームは矩形アパーチャー2により断面が矩形に成形さ
れ、ビーム成形レンズ系3を通ってステンシルマスク1
0を照射する。そして、ステンシルマスク10を照射す
る電子ビームはビーム成形レンズ系3により偏向され、
所望の図形マスクを選択して照射する。この図形マスク
の選択変更に際しては、次に使用する図形マスクがどれ
であるかという情報と、その図形マスクをどのような手
順で選択するかという選択手順情報とを、描画データと
してメモリの中に持っており、その描画データによるビ
ーム成形レンズ系3の偏向の制御と、ステンシルマスク
10を載せたマスクステージの送り制御とにより、図形
マスクの選択を行う。そして、それぞれの図形マスクの
開口を通った電子ビームを縮小投影レンズ系4により例
えば1/25倍に縮小してウェーハステージ6上に載置
されたウェーハ5上に順次照射して描画し、さらに、ウ
ェーハステージ6を移動させてウェーハ5全面の描画を
行う。
【0004】図7にステンシルマスク本体10の1例を
示す。図(a)は下側から見た平面図、図(b)は図
(a)の線A−A’に沿う断面図、図(c)は図(a)
に示したステンシルマスク本体10の薄膜領域11の拡
大図である。ステンシルマスク本体10は、シリコン基
板からなり、その基板に厚さ10〜20μm程度の矩形
の薄膜領域11をアレイ状に規則的に形成し、その薄膜
領域11に回路パターン状の貫通孔12、矩形貫通孔1
3等を形成してなるものである。
【0005】このようなステンシルマスク本体10は、
従来、図8に示すように、ステンシルマスク本体10を
受け入れる凹部が設けられ、薄膜領域11に対応するア
パーチャ14が設けられた燐青銅等からなる金属製ホル
ダー15に入れられ、高温で硬化する接着剤16で全面
接着して固定されて、電子線露光用ステンシルマスクと
して使用される。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】本発明の第1の課題は
次の通りである。すなわち、上記したように、ステンシ
ルマスク本体10はシリコンから形成され、金属製ホル
ダー15は燐青銅から形成され、接着剤16は高温(2
00℃程度)で硬化するものであるので、ステンシルマ
スク本体10のシリコンと金属製ホルダー15の燐青銅
の間には大きな線膨張率の差(シリコン:3.0×10
-6(1/℃),燐青銅:17.8×10-6(1/℃))
があり、接着剤16を高温で硬化させた後に室温に冷却
すると熱歪みが発生する。
【0007】上記のように、ステンシルマスク本体10
の図形マスク部11は薄く、剛性が小さく、線膨張係数
が小さいため、この熱歪みによって圧縮応力がかかる。
ステンシルマスクに形成されるパターンのピッチが大き
いときにはこの熱歪みによって作用する圧縮応力は問題
とはならなかったが、パターンの微細化に伴い、形成し
たマスクパターンの破断、湾曲(座屈)が発生するよう
になってきた。このような現象が発生すると、その電子
線露光用ステンシルマスクを用いて作成した製品は不良
品となってしまう。
【0008】本発明の第2の課題は、アパーチャ14の
周辺部に接着剤16を塗布する際には、アパーチャ14
内に接着剤16が入らないように、かつ、均一に塗布す
ることが必要であるが、これは注意深い手作業でなされ
るため、作業者の熟練に依存し、工程不安定性の一要因
であった。
【0009】本発明はこのような状況に鑑みてなされた
ものであり、その目的は、ステンシルマスク本体をホル
ダーに機械的に取り付けるようにして加熱による熱歪み
の発生をなくして、電子線露光用ステンシルマスク等の
荷電粒子線露光用ステンシルマスクのパターン不良を抑
制することであり、かつ、接着剤塗布工程の不安定性を
除くことである。
【0010】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成する本発
明の荷電粒子線露光用ステンシルマスクは、荷電粒子線
露光パターンに対応する貫通孔が形成された荷電粒子線
露光用ステンシルマスクにおいて、マスク本体が支持体
の支持面上に機械的な押圧機構によって圧着固定されて
いることを特徴とするものである。
【0011】この場合、押圧機構として、マスク本体の
外形より小さい押さえ形成用アパーチャを有する押さえ
板を支持体に押圧固定する手段を用いることが望まし
い。
【0012】また、マスク本体の外形に対応する位置決
めアパーチャを有する中間板が支持体の支持面上に固定
され、その位置決めアパーチャ内にマスク本体が配置さ
れ、マスク本体の外形より小さい押さえ形成用アパーチ
ャを有する押さえ板が支持体に押圧固定されてなるもの
とすることができる。
【0013】また、少なくとも支持体の支持面とマスク
本体との機械的な接触面に、電気伝導性、熱伝導性が高
く支持体より柔らかい非磁性膜が介在していることが望
ましい。
【0014】また、支持体の支持面とマスク本体との機
械的な接触面、及び、押さえ板とマスク本体との機械的
な接触面に、電気伝導性、熱伝導性が高く支持体より柔
らかい非磁性膜が介在していることが望ましい。
【0015】これらの場合、電気伝導性、熱伝導性が高
く支持体より柔らかい非磁性膜が、金メッキ又は金合金
メッキを含むもの、あるいは、金箔であることが望まし
い。
【0016】本発明においては、マスク本体が支持体の
支持面上に機械的な押圧機構によって圧着固定されてい
るので、従来のような接着のための高温への加熱、室温
への冷却過程を経ないで固定される。したがって、熱歪
みによってマスクパターンが破断、変形することがな
く、良好な電子線露光用ステンシルマスク等の荷電粒子
線露光用ステンシルマスクを提供することができる。ま
た、接着剤塗布工程の不安定性が除かれる。さらに、押
圧機構を解除してマスク本体を交換固定することによ
り、支持体を再利用することができる。
【0017】
【発明の実施の形態】以下、本発明の荷電粒子線露光用
ステンシルマスクとして電子線露光用ステンシルマスク
の実施例について説明する:図1は本発明の1実施例の
電子線露光用ステンシルマスクの断面図であり、図2に
その部品の平面図、及び、ネジと他の部品との対応関係
を示す。この実施例においては、図7に示したようなス
テンシルマスク本体10と一体化するためのホルダー部
品として、下板(支持体)21、中板(中間板)22、
上板(押さえ板)23、中板固定ネジ33、上板固定ネ
ジ34からなり、何れも非磁性の燐青銅等の金属からな
るものを用いる。図2(a)は下板21の平面図、図2
(b)は中板22の平面図及び中板固定ネジ33の略
図、図2(c)は上板23の平面図及び上板固定ネジ3
4の略図であり、図1はこれら部品21〜23、33、
34を組み立てたときの線B−中心−B’に沿う断面図
である。
【0018】下板21には、ステンシルマスク本体10
の薄膜領域(図形マスク部)11に対応するアパーチャ
24と、中心に対して対称位置に設けられた一対の中板
固定用ネジ穴25と、中心に対して対称位置に設けられ
た一対の上板固定用ネジ穴26が設けられている。中板
22には、ステンシルマスク本体10の外形に対応する
位置決めアパーチャ27と、中心に対して対称位置に設
けられた一対の中板固定ネジ用穴28と、中心に対して
対称位置に設けられた一対の上板固定ネジ通過穴29が
設けられている。上板23には、ステンシルマスク本体
10の外形より小さくステンシルマスク本体10の薄膜
領域11を遮蔽しない押さえ形成用アパーチャ30と、
中心に対して対称位置に設けられた一対の上板固定ネジ
用穴31と、中心に対して対称位置に設けられた一対の
中板固定ネジ通過穴32が設けられている。なお、中板
固定用ネジ穴25と、中板固定ネジ用穴28と、中板固
定ネジ通過穴32とは相互に整列した位置に設けられ、
また、上板固定用ネジ穴26と、上板固定ネジ通過穴2
9と、上板固定ネジ用穴31とは相互に整列した位置に
設けられている。
【0019】このような下板21の上に中板22を載
せ、中板22の中板固定ネジ用穴28を通して中板固定
ネジ33を下板21の中板固定用ネジ穴25にねじ込ん
で中板22を下板21に固定する。そして、中板22の
位置決めアパーチャ27中にステンシルマスク本体10
を落とし込んでステンシルマスク本体10の位置決めを
し、その上に上板23を載せ、上板23の上板固定ネジ
用穴31と、中板22の上板固定ネジ通過穴29と、下
板21の上板固定用ネジ穴26とを整列させて上板固定
ネジ34を上板固定用ネジ穴26にねじ込んで中板22
が固定された下板21に上板23を一体に固定する。こ
こで、中板22の厚さをステンシルマスク本体10の厚
さより若干小さくしておくと、ステンシルマスク本体1
0は上板23のアパーチャ30の周りの部分によって下
板21に押さえ付けられ、図1に示すように、下板2
1、中板22、上板23と共に一体に固定される。
【0020】このように、本発明の電子線露光用ステン
シルマスクは、ステンシルマスク本体10が機械的な押
圧機構によって支持体21に固定されるため、従来のよ
うな接着のための高温への加熱、室温への冷却過程を経
ないで固定される。したがって、熱歪みによってマスク
パターンが破断、変形することがなく、良好な電子線露
光用ステンシルマスクを提供することができる。
【0021】ところで、上記の構造をとれば、ステンシ
ルマスク本体10に電子線が当たって帯電や加熱を受け
ても、下板21、中板22、上板23を燐青銅等の金属
製としておけば、帯電した電荷、加熱の熱はステンシル
マスク本体10との機械的な接触面を介して下板21等
に流すことができ、そのチャージアップ、過熱を防止す
ることができる。
【0022】ところで、図8に示す従来例におけるホル
ダー15は、一体の凹構造を有しているため、ステンシ
ルマスク本体10と接する面に対して、ラップ加工等を
施して面精度を上げることは困難であり、通常は研削加
工面の面精度である約2μm程度を有していた。そのま
までは、ホルダー15とステンシルマスク本体10との
接触は面的ではなく、点的又は線的に限られ、電気的又
は熱的接触が十分に行われない。しかし、上記の本実施
例では、接着剤16を用いないため、上記の問題が生じ
る恐れがあり、それを避けるために、ホルダーの凹構造
部を下板21と上板23に分け、平らな下板21のステ
ンシルマスク本体10と接する面に対してラップ加工を
施し、面粗さ精度0.1μmを得た。そのため、ホルダ
ー(下板21)とステンシルマスク本体10との接触が
より密になった。
【0023】上記の電気的、熱的接触を増加させて電子
線露光用ステンシルマスクをより安定なものをするに
は、図3に示すように、ステンシルマスク本体10に接
する下板21の上面、上板23の下面の全面あるいは接
触部分に金等の下板21、上板23より柔らかくかつ電
気伝導性、熱伝導性の高い膜36を形成することが望ま
しい。押圧によりその膜36を塑性変形させることによ
り、密着性をより向上させることができる。膜36とし
ては、酸化されず化学的に安定な金又は金合金が望まし
い。その厚さとしては、1〜3μmが必要で、通常の
0.5μm以下の厚さでは電気的、熱的接触を増加させ
る効果が低い。また、膜36の表面をマット面すること
により上記電気的、熱的接触を増加させる効果がより高
くなる。なお、マット面の粗さは0.1μm以下が好ま
しい。なお、金メッキと下地の燐青銅との密着性を向上
させるために、金メッキの下地として銅メッキを施し、
膜36を金と銅の2層構造にすることもできる。
【0024】図3のように、下板21の上面と上板23
の下面に金メッキ等の膜36を設ける代わりに、金箔等
の下板21、上板23より柔らかくかつ電気伝導性、熱
伝導性の高い箔をステンシルマスク本体10と下板21
の間、ステンシルマスク本体10と上板23の間に介在
させるようにしても同様に効果が得られる。
【0025】図1の構成において、上板23の厚さは2
mm程度を考えていたが、その厚さを0.5mm程度以
下の薄くバネ性のあるものにして、そのバネ弾性により
押圧支持するようにしてもよい。図4(a)にその場合
の模式図を示す。この場合は、ステンシルマスク本体1
0はバネ性のある上板23により下板21に圧着固定さ
れる。
【0026】図4(a)の場合は、上板23が薄いた
め、上板23のアパーチャ30から露出したステンシル
マスク本体10のマスク面が他の物体等に接触して破損
しやすくなる。そこで、図4(b)に示すように、上板
23の上にさらに別の同様に形状の板材37を載せてス
テンシルマスク本体10の露出した面の周囲を高くすれ
ば、そのような危険性を低下させることができる。
【0027】以上、本発明の荷電粒子線露光用ステンシ
ルマスクを実施例に基づいて説明してきたが、本発明は
これら実施例に限定されず種々の変形が可能である。例
えば、下板21にステンシルマスク本体10の外形に対
応する凹部を設けておくか、あるいは、ステンシルマス
ク本体10位置決めピンを下板21表面に立てておくこ
とにより、中板22を省くことができる。さらに、下板
21、中板22及び上板23の組み立てを容易にするた
めに、組み立て台の表面に立てた2個以上の位置決めピ
ンに合わせて、下板21、中板22及び上板23に共通
した貫通孔を設けておくことが可能である。さらに、圧
着固定機構としてネジを用いるのではなく、板バネ等バ
ネ機構を用いてもよい。
【0028】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
の荷電粒子線露光用ステンシルマスクによると、ステン
シルマスク本体が支持体の支持面上に機械的な押圧機構
によって圧着固定されているので、従来のような接着の
ための高温への加熱、室温への冷却過程を経ないで固定
される。したがって、熱歪みによってマスクパターンが
破断、変形することがなく、良好な電子線露光用ステン
シルマスク等の荷電粒子線露光用ステンシルマスクを提
供することができる。また、押圧機構を解除してステン
シルマスク本体を交換固定することにより、支持体を再
利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の1実施例の電子線露光用ステンシルマ
スクの断面図である。
【図2】図1の実施例の部品の平面図である。
【図3】図1の変形例の断面図である。
【図4】図1の別の変形例の模式図である。
【図5】ステンシルマスクを用いて部分一括露光をする
電子線露光装置の概略の構成を示す図である。
【図6】図5の電子線露光装置の描画原理を模式的に示
す図である。
【図7】ステンシルマスク本体の1例を示す図であり、
(a)は裏側から見た平面図、(b)は(a)の線A−
A’に沿う断面図、(c)は(a)に示したステンシル
マスク本体の薄膜領域の拡大図である。
【図8】従来のステンシルマスクの固定方法を説明する
ための図である。
【符号の説明】 10…ステンシルマスク本体 11…ステンシルマスク本体の薄膜領域(図形マスク
部) 12…回路パターン状の貫通孔 13…矩形貫通孔 14…アパーチャ 15…金属製ホルダー 16…接着剤 21…下板 22…中板 23…上板 24…アパーチャ 25…中板固定用ネジ穴 26…上板固定用ネジ穴 27…位置決めアパーチャ 28…中板固定ネジ用穴 29…上板固定ネジ通過穴 30…押さえ形成用アパーチャ 31…上板固定ネジ用穴 32…中板固定ネジ通過穴 33…中板固定ネジ 34…上板固定ネジ 36…電気伝導性、熱伝導性の高い膜 37…板材
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 森本健一 東京都新宿区市谷加賀町一丁目1番1号 大日本印刷株式会社内 Fターム(参考) 2H095 BA08 BB01 BC17 BC24 5F056 AA06 CD05 EA04

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 荷電粒子線露光パターンに対応する貫通
    孔が形成された荷電粒子線露光用ステンシルマスクにお
    いて、マスク本体が支持体の支持面上に機械的な押圧機
    構によって圧着固定されていることを特徴とする荷電粒
    子線露光用ステンシルマスク。
  2. 【請求項2】 前記押圧機構として、前記マスク本体の
    外形より小さい押さえ形成用アパーチャを有する押さえ
    板を前記支持体に押圧固定する手段を用いることを特徴
    とする請求項1記載の荷電粒子線露光用ステンシルマス
    ク。
  3. 【請求項3】 前記マスク本体の外形に対応する位置決
    めアパーチャを有する中間板が前記支持体の支持面上に
    固定され、その位置決めアパーチャ内に前記マスク本体
    が配置され、前記マスク本体の外形より小さい押さえ形
    成用アパーチャを有する押さえ板が前記支持体に押圧固
    定されてなることを特徴とする請求項2記載の荷電粒子
    線露光用ステンシルマスク。
  4. 【請求項4】 少なくとも前記支持体の支持面と前記マ
    スク本体との機械的な接触面に、電気伝導性、熱伝導性
    が高く前記支持体より柔らかい非磁性膜が介在している
    ことを特徴とする請求項1から3の何れか1項記載の荷
    電粒子線露光用ステンシルマスク。
  5. 【請求項5】 前記支持体の支持面と前記マスク本体と
    の機械的な接触面、及び、前記押さえ板と前記マスク本
    体との機械的な接触面に、電気伝導性、熱伝導性が高く
    前記支持体より柔らかい非磁性膜が介在していることを
    特徴とする請求項2又は3記載の荷電粒子線露光用ステ
    ンシルマスク。
  6. 【請求項6】 前記電気伝導性、熱伝導性が高く前記支
    持体より柔らかい非磁性膜が、金メッキ又は金合金メッ
    キを含むものであることを特徴とする請求項4又は5記
    載の荷電粒子線露光用ステンシルマスク。
  7. 【請求項7】 前記電気伝導性、熱伝導性が高く前記支
    持体より柔らかい非磁性膜が、金箔であることを特徴と
    する請求項4又は5記載の荷電粒子線露光用ステンシル
    マスク。
JP12720399A 1999-05-07 1999-05-07 荷電粒子線露光用ステンシルマスク Pending JP2000323380A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP12720399A JP2000323380A (ja) 1999-05-07 1999-05-07 荷電粒子線露光用ステンシルマスク

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP12720399A JP2000323380A (ja) 1999-05-07 1999-05-07 荷電粒子線露光用ステンシルマスク

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2000323380A true JP2000323380A (ja) 2000-11-24

Family

ID=14954275

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP12720399A Pending JP2000323380A (ja) 1999-05-07 1999-05-07 荷電粒子線露光用ステンシルマスク

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2000323380A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007266453A (ja) * 2006-03-29 2007-10-11 Toppan Printing Co Ltd 電子線露光用マスクホルダ
JP2012079853A (ja) * 2010-09-30 2012-04-19 Hoya Corp 転写マスク、転写マスクの製造方法、転写マスク収容体、及び転写マスク収容体の製造方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007266453A (ja) * 2006-03-29 2007-10-11 Toppan Printing Co Ltd 電子線露光用マスクホルダ
JP2012079853A (ja) * 2010-09-30 2012-04-19 Hoya Corp 転写マスク、転写マスクの製造方法、転写マスク収容体、及び転写マスク収容体の製造方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPS6331937B2 (ja)
JP2950472B2 (ja) 電子集積回路パッケージのメタライゼーション構造を形成する方法
JP3244894B2 (ja) マスク保持方法、マスク及びマスクチャック、ならびにこれを用いた露光装置とデバイス製造方法
US4845542A (en) Interconnect for layered integrated circuit assembly
US5485495A (en) X-ray mask, and exposure apparatus and device production using the mask
JP2004288350A (ja) 磁気ヘッド装置の製造方法及び製造装置、並びに磁気ヘッド装置
JP3672715B2 (ja) マスクホルダー付き転写マスク及び転写マスク用ホルダー
JP2000323380A (ja) 荷電粒子線露光用ステンシルマスク
JP3189331B2 (ja) 接合方法および接合装置
JP3489644B2 (ja) 荷電粒子ビーム露光方法及び装置
JP2007019248A (ja) 偏向器、荷電粒子線露光装置およびデバイス製造方法
JP2000323379A (ja) 電子線露光用ステンシルマスク
JP2725319B2 (ja) 荷電粒子線マスクの製造方法
JP2001210540A (ja) 電磁コイルの製造方法、それを用いた荷電粒子線露光装置並びに半導体デバイスの製造方法
JP6883478B2 (ja) 半導体装置
JPH04243118A (ja) 荷電粒子露光用透過マスク
KR100240305B1 (ko) 기판 상에 반도체 칩을 고정하는 방법과 그의 구조
JP2000340486A (ja) 荷電粒子線露光用ステンシルマスク
JP2000331917A (ja) 電子ビーム露光マスク、および電子ビーム露光装置
JP3393983B2 (ja) 荷電粒子ビーム露光装置
JP2007019242A (ja) 偏向器、荷電粒子線露光装置及びデバイス製造方法
JP2003121466A (ja) プローブユニットおよびその製造方法
US20140091077A1 (en) Supporting unit, substrate treating device including the same, and method of manufacturing the supporting unit
US6459090B1 (en) Reticles for charged-particle-beam microlithography that exhibit reduced warp at pattern-defining regions, and semiconductor-device-fabrication methods using same
JPH10223506A (ja) 荷電ビーム描画装置