JP2000323379A - 電子線露光用ステンシルマスク - Google Patents
電子線露光用ステンシルマスクInfo
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- JP2000323379A JP2000323379A JP12720299A JP12720299A JP2000323379A JP 2000323379 A JP2000323379 A JP 2000323379A JP 12720299 A JP12720299 A JP 12720299A JP 12720299 A JP12720299 A JP 12720299A JP 2000323379 A JP2000323379 A JP 2000323379A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ステンシルマスク本体をホルダーに１か所で
接着固定するようにして加熱による熱歪みの発生をなく
して、電子線露光用ステンシルマスクのパターン不良を
抑制する。 【解決手段】 ステンシルマスク本体１０が導電性支持
体１５の支持面上に１か所１６で接着固定されている。
また、導電線１７で金属製ホルダー１５とステンシルマ
スク本体１０の上面が電気的に接続されており、帯電電
荷が逃げるようになっている。
接着固定するようにして加熱による熱歪みの発生をなく
して、電子線露光用ステンシルマスクのパターン不良を
抑制する。 【解決手段】 ステンシルマスク本体１０が導電性支持
体１５の支持面上に１か所１６で接着固定されている。
また、導電線１７で金属製ホルダー１５とステンシルマ
スク本体１０の上面が電気的に接続されており、帯電電
荷が逃げるようになっている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子線露光用ステ
ンシルマスクに関し、特に、半導体素子の製造等に用い
られる電子線露光用ステンシルマスクに関するものであ
る。
ンシルマスクに関し、特に、半導体素子の製造等に用い
られる電子線露光用ステンシルマスクに関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】最近、部分一括法と称して、電子線露光
パターンに対応する形状の開口部を有する図形マスク
を、転写マスクの基板内に多数個設け、これらの図形マ
スクにより電子線の形状を成形して試料上に照射し、あ
る面積を一回で露光してしまう高速描画方式が注目され
てきている。この方式に用いられる転写マスクが電子線
露光用ステンシルマスクである。
パターンに対応する形状の開口部を有する図形マスク
を、転写マスクの基板内に多数個設け、これらの図形マ
スクにより電子線の形状を成形して試料上に照射し、あ
る面積を一回で露光してしまう高速描画方式が注目され
てきている。この方式に用いられる転写マスクが電子線
露光用ステンシルマスクである。
【０００３】図２にこのようなステンシルマスクを用い
て部分一括露光をする電子線露光装置の概略の構成を示
す。また、図３にその描画原理を模式的に示す（ＳＰＩ
Ｅ，Ｖｏｌ．２２５４，Ｐｈｏｔｏｍａｓｋ ａｎｄ
Ｘ−Ｒａｙ Ｍａｓｋ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ（１９９
４）ｐｐ．１２２〜１３２）。電子銃１を出射した電子
ビームは矩形アパーチャー２により断面が矩形に成形さ
れ、ビーム成形レンズ系３を通ってステンシルマスク１
０を照射する。そして、ステンシルマスク１０を照射す
る電子ビームはビーム成形レンズ系３により偏向され、
所望の図形マスクを選択して照射する。この図形マスク
の選択変更に際しては、次に使用する図形マスクがどれ
であるかという情報と、その図形マスクをどのような手
順で選択するかという選択手順情報とを、描画データと
してメモリの中に持っており、その描画データによるビ
ーム成形レンズ系３の偏向の制御と、ステンシルマスク
１０を載せたマスクステージの送り制御とにより、図形
マスクの選択を行う。そして、それぞれの図形マスクの
開口を通った電子ビームを縮小投影レンズ系４により例
えば１／２５倍に縮小してウェーハステージ６上に載置
されたウェーハ５上に順次照射して描画し、さらに、ウ
ェーハステージ６を移動させてウェーハ５全面の描画を
行う。
て部分一括露光をする電子線露光装置の概略の構成を示
す。また、図３にその描画原理を模式的に示す（ＳＰＩ
Ｅ，Ｖｏｌ．２２５４，Ｐｈｏｔｏｍａｓｋ ａｎｄ
Ｘ−Ｒａｙ Ｍａｓｋ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ（１９９
４）ｐｐ．１２２〜１３２）。電子銃１を出射した電子
ビームは矩形アパーチャー２により断面が矩形に成形さ
れ、ビーム成形レンズ系３を通ってステンシルマスク１
０を照射する。そして、ステンシルマスク１０を照射す
る電子ビームはビーム成形レンズ系３により偏向され、
所望の図形マスクを選択して照射する。この図形マスク
の選択変更に際しては、次に使用する図形マスクがどれ
であるかという情報と、その図形マスクをどのような手
順で選択するかという選択手順情報とを、描画データと
してメモリの中に持っており、その描画データによるビ
ーム成形レンズ系３の偏向の制御と、ステンシルマスク
１０を載せたマスクステージの送り制御とにより、図形
マスクの選択を行う。そして、それぞれの図形マスクの
開口を通った電子ビームを縮小投影レンズ系４により例
えば１／２５倍に縮小してウェーハステージ６上に載置
されたウェーハ５上に順次照射して描画し、さらに、ウ
ェーハステージ６を移動させてウェーハ５全面の描画を
行う。
【０００４】図４にステンシルマスク本体１０の１例を
示す。図（ａ）は裏側から見た平面図、図（ｂ）は図
（ａ）の線Ａ−Ａ’に沿う断面図、図（ｃ）は図（ａ）
に示したステンシルマスク本体１０の薄膜領域１１の拡
大図である。ステンシルマスク本体１０は、シリコン基
板からなり、その基板に厚さ１０〜２０μｍ程度の矩形
の薄膜領域１１をアレイ状に規則的に形成し、その薄膜
領域１１に回路パターン状の貫通孔１２、矩形貫通孔１
３等を形成してなるものである。
示す。図（ａ）は裏側から見た平面図、図（ｂ）は図
（ａ）の線Ａ−Ａ’に沿う断面図、図（ｃ）は図（ａ）
に示したステンシルマスク本体１０の薄膜領域１１の拡
大図である。ステンシルマスク本体１０は、シリコン基
板からなり、その基板に厚さ１０〜２０μｍ程度の矩形
の薄膜領域１１をアレイ状に規則的に形成し、その薄膜
領域１１に回路パターン状の貫通孔１２、矩形貫通孔１
３等を形成してなるものである。
【０００５】このようなステンシルマスク本体１０は、
従来、図５に示すように、ステンシルマスク本体１０を
受け入れる凹部が設けられ、薄膜領域１１に対応するア
パーチャが設けられた燐青銅等からなる金属製ホルダー
１５に入れられ、高温で硬化する接着剤１６で全周で全
面接着して固定されて、電子線露光用ステンシルマスク
として使用される。
従来、図５に示すように、ステンシルマスク本体１０を
受け入れる凹部が設けられ、薄膜領域１１に対応するア
パーチャが設けられた燐青銅等からなる金属製ホルダー
１５に入れられ、高温で硬化する接着剤１６で全周で全
面接着して固定されて、電子線露光用ステンシルマスク
として使用される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上記したように、ステ
ンシルマスク本体１０はシリコンから形成され、金属製
ホルダー１５は燐青銅から形成され、接着剤１６は高温
（２００℃程度）で硬化するものであるので、ステンシ
ルマスク本体１０のシリコンと金属製ホルダー１５の燐
青銅の間には大きな線膨張係数の差（シリコン：３．０
×１０-6（１／℃），燐青銅：１７．８×１０-6（１／
℃））があり、接着剤１６を高温で硬化させた後に室温
に冷却すると熱歪みが発生する。
ンシルマスク本体１０はシリコンから形成され、金属製
ホルダー１５は燐青銅から形成され、接着剤１６は高温
（２００℃程度）で硬化するものであるので、ステンシ
ルマスク本体１０のシリコンと金属製ホルダー１５の燐
青銅の間には大きな線膨張係数の差（シリコン：３．０
×１０-6（１／℃），燐青銅：１７．８×１０-6（１／
℃））があり、接着剤１６を高温で硬化させた後に室温
に冷却すると熱歪みが発生する。
【０００７】上記のように、ステンシルマスク本体１０
の図形マスク部１１は薄く、剛性が小さく、線膨張係数
が小さいため、この熱歪みによって圧縮応力がかかる。
ステンシルマスクに形成されるパターンのピッチが大き
いときにはこの熱歪みによって作用する圧縮応力は問題
とはならなかったが、パターンの微細化に伴い、形成し
たマスクパターンの破断、湾曲（座屈）が発生するよう
になってきた。このような現象が発生すると、その電子
線露光用ステンシルマスクを用いて作成した製品は不良
品となってしまう。
の図形マスク部１１は薄く、剛性が小さく、線膨張係数
が小さいため、この熱歪みによって圧縮応力がかかる。
ステンシルマスクに形成されるパターンのピッチが大き
いときにはこの熱歪みによって作用する圧縮応力は問題
とはならなかったが、パターンの微細化に伴い、形成し
たマスクパターンの破断、湾曲（座屈）が発生するよう
になってきた。このような現象が発生すると、その電子
線露光用ステンシルマスクを用いて作成した製品は不良
品となってしまう。
【０００８】本発明はこのような状況に鑑みてなされた
ものであり、その目的は、ステンシルマスク本体をホル
ダーに１か所で接着固定するようにして加熱による熱歪
みの発生をなくして、電子線露光用ステンシルマスクの
パターン不良を抑制することである。
ものであり、その目的は、ステンシルマスク本体をホル
ダーに１か所で接着固定するようにして加熱による熱歪
みの発生をなくして、電子線露光用ステンシルマスクの
パターン不良を抑制することである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成する本発
明の電子線露光用ステンシルマスクは、電子線露光パタ
ーンに対応する貫通孔が形成された電子線露光用ステン
シルマスクにおいて、ステンシルマスク本体が導電性支
持体の支持面上に１か所で接着固定されていることを特
徴とするものである。
明の電子線露光用ステンシルマスクは、電子線露光パタ
ーンに対応する貫通孔が形成された電子線露光用ステン
シルマスクにおいて、ステンシルマスク本体が導電性支
持体の支持面上に１か所で接着固定されていることを特
徴とするものである。
【００１０】この場合に、ステンシルマスク本体の接着
固定位置の反対側の面と導電性支持体が導電性部材によ
り電気接続されていることが望ましい。その導電性部材
のステンシルマスク本体への接続位置としては、接着固
定位置に対応する位置であることが望ましい。
固定位置の反対側の面と導電性支持体が導電性部材によ
り電気接続されていることが望ましい。その導電性部材
のステンシルマスク本体への接続位置としては、接着固
定位置に対応する位置であることが望ましい。
【００１１】また、１か所で接着固定している領域の面
積がステンシルマスク本体の厚さの４倍以下の直径の面
積であることが望ましい。
積がステンシルマスク本体の厚さの４倍以下の直径の面
積であることが望ましい。
【００１２】本発明においては、ステンシルマスク本体
が導電性支持体の支持面上に１か所で接着固定されてい
るので、接着剤の接着のための高温への加熱、室温への
冷却過程を経ても、ステンシルマスク本体の接着箇所以
外はフリーであるため、ステンシルマスク本体へは熱歪
みによる圧縮応力がかかることはない。そのため、従来
のように熱歪みによってマスクパターンが破断、変形す
ることがなく、良好な電子線露光用ステンシルマスクを
提供することができる。
が導電性支持体の支持面上に１か所で接着固定されてい
るので、接着剤の接着のための高温への加熱、室温への
冷却過程を経ても、ステンシルマスク本体の接着箇所以
外はフリーであるため、ステンシルマスク本体へは熱歪
みによる圧縮応力がかかることはない。そのため、従来
のように熱歪みによってマスクパターンが破断、変形す
ることがなく、良好な電子線露光用ステンシルマスクを
提供することができる。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、本発明の電子線露光用ステ
ンシルマスクの実施例について説明する：図１は本発明
の１実施例の電子線露光用ステンシルマスクの断面図
（ａ）と平面図（ｂ）である。この実施例においては、
図４に示したようなステンシルマスク本体１０を金属製
ホルダー１５に対して導電性接着剤１６を用いて１か所
で接着固定する。図の場合は、ステンシルマスク本体１
０の１辺に沿う下面の１か所で金属製ホルダー１５の凹
部の上面に接着固定している。このように、本発明にお
いては、接着剤１６で接着固定する位置は、ステンシル
マスク本体１０の周囲全面でなく、何れかの位置１か所
で接着固定するもので、このように、接着剤１６を用い
て固定する位置を１か所とすると、ステンシルマスク本
体１０と金属製ホルダー１５の間には大きな線膨張率の
差があり、接着剤１６の接着のための高温への加熱、室
温への冷却過程を経ても、ステンシルマスク本体１０の
接着箇所以外はフリーであるため、ステンシルマスク本
体１０へは熱歪みによる圧縮応力がかかることはない。
そのため、従来のように熱歪みによってマスクパターン
が破断、変形することがなく、良好な電子線露光用ステ
ンシルマスクを提供することができる。
ンシルマスクの実施例について説明する：図１は本発明
の１実施例の電子線露光用ステンシルマスクの断面図
（ａ）と平面図（ｂ）である。この実施例においては、
図４に示したようなステンシルマスク本体１０を金属製
ホルダー１５に対して導電性接着剤１６を用いて１か所
で接着固定する。図の場合は、ステンシルマスク本体１
０の１辺に沿う下面の１か所で金属製ホルダー１５の凹
部の上面に接着固定している。このように、本発明にお
いては、接着剤１６で接着固定する位置は、ステンシル
マスク本体１０の周囲全面でなく、何れかの位置１か所
で接着固定するもので、このように、接着剤１６を用い
て固定する位置を１か所とすると、ステンシルマスク本
体１０と金属製ホルダー１５の間には大きな線膨張率の
差があり、接着剤１６の接着のための高温への加熱、室
温への冷却過程を経ても、ステンシルマスク本体１０の
接着箇所以外はフリーであるため、ステンシルマスク本
体１０へは熱歪みによる圧縮応力がかかることはない。
そのため、従来のように熱歪みによってマスクパターン
が破断、変形することがなく、良好な電子線露光用ステ
ンシルマスクを提供することができる。
【００１４】なお、接着剤１６を用いて接着固定する１
か所の領域の面積としては、小さければ小さい程好まし
いが、ステンシルマスク本体１０の厚さの４倍以下の直
径の面積であれば、その接着領域内で発生する熱歪みが
マスクパターンの形状に与える影響は全くなく許容でき
る。
か所の領域の面積としては、小さければ小さい程好まし
いが、ステンシルマスク本体１０の厚さの４倍以下の直
径の面積であれば、その接着領域内で発生する熱歪みが
マスクパターンの形状に与える影響は全くなく許容でき
る。
【００１５】ところで、上記のような構成の電子線露光
用ステンシルマスクの使用中に電子線が当たって、ステ
ンシルマスク本体１０が帯電（チャージアップ）する可
能がある。そこで、金属製ホルダー１５とステンシルマ
スク本体１０の電気的接触を増加させて帯電電荷を逃が
して電子線露光用ステンシルマスクをより安定なものに
するために、図に示すように、導電線１７で金属製ホル
ダー１５とステンシルマスク本体１０の上面を電気的に
接続する。導電線１７のステンシルマスク本体１０への
接続は接着剤１６と同様な導電性接着剤１６を用いる。
この際、導電線１７のステンシルマスク本体１０への接
続位置としては、ステンシルマスク本体１０の周辺部の
何れの位置でもよいが、導電線１７の接続に伴う歪みを
極小化するために、ステンシルマスク本体１０の接着箇
所の真上の位置とすることが望ましい。
用ステンシルマスクの使用中に電子線が当たって、ステ
ンシルマスク本体１０が帯電（チャージアップ）する可
能がある。そこで、金属製ホルダー１５とステンシルマ
スク本体１０の電気的接触を増加させて帯電電荷を逃が
して電子線露光用ステンシルマスクをより安定なものに
するために、図に示すように、導電線１７で金属製ホル
ダー１５とステンシルマスク本体１０の上面を電気的に
接続する。導電線１７のステンシルマスク本体１０への
接続は接着剤１６と同様な導電性接着剤１６を用いる。
この際、導電線１７のステンシルマスク本体１０への接
続位置としては、ステンシルマスク本体１０の周辺部の
何れの位置でもよいが、導電線１７の接続に伴う歪みを
極小化するために、ステンシルマスク本体１０の接着箇
所の真上の位置とすることが望ましい。
【００１６】以上、本発明の電子線露光用ステンシルマ
スクを実施例に基づいて説明してきたが、本発明はこれ
ら実施例に限定されず種々の変形が可能である。例え
ば、導電線１７として板バネ状等のバネ部材を用いて、
そのバネ圧力によりステンシルマスク本体１０へ電気的
接触をさせるようにしてもよい。
スクを実施例に基づいて説明してきたが、本発明はこれ
ら実施例に限定されず種々の変形が可能である。例え
ば、導電線１７として板バネ状等のバネ部材を用いて、
そのバネ圧力によりステンシルマスク本体１０へ電気的
接触をさせるようにしてもよい。
【００１７】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
の電子線露光用ステンシルマスクによると、ステンシル
マスク本体が導電性支持体の支持面上に１か所で接着固
定されているので、接着剤の接着のための高温への加
熱、室温への冷却過程を経ても、ステンシルマスク本体
の接着箇所以外はフリーであるため、ステンシルマスク
本体へは熱歪みによる圧縮応力がかかることはない。そ
のため、従来のように熱歪みによってマスクパターンが
破断、変形することがなく、良好な電子線露光用ステン
シルマスクを提供することができる。
の電子線露光用ステンシルマスクによると、ステンシル
マスク本体が導電性支持体の支持面上に１か所で接着固
定されているので、接着剤の接着のための高温への加
熱、室温への冷却過程を経ても、ステンシルマスク本体
の接着箇所以外はフリーであるため、ステンシルマスク
本体へは熱歪みによる圧縮応力がかかることはない。そ
のため、従来のように熱歪みによってマスクパターンが
破断、変形することがなく、良好な電子線露光用ステン
シルマスクを提供することができる。
【図１】本発明の１実施例の電子線露光用ステンシルマ
スクの断面図と平面図である。
スクの断面図と平面図である。
【図２】ステンシルマスクを用いて部分一括露光をする
電子線露光装置の概略の構成を示す図である。
電子線露光装置の概略の構成を示す図である。
【図３】図２の電子線露光装置の描画原理を模式的に示
す図である。
す図である。
【図４】ステンシルマスク本体の１例を示す図であり、
（ａ）は裏側から見た平面図、（ｂ）は（ａ）の線Ａ−
Ａ’に沿う断面図、（ｃ）は（ａ）に示したステンシル
マスク本体の薄膜領域の拡大図である。
（ａ）は裏側から見た平面図、（ｂ）は（ａ）の線Ａ−
Ａ’に沿う断面図、（ｃ）は（ａ）に示したステンシル
マスク本体の薄膜領域の拡大図である。
【図５】従来のステンシルマスクの固定方法を説明する
ための図である。
ための図である。
１０…ステンシルマスク本体 １１…ステンシルマスク本体の薄膜領域（図形マスク
部） １２…回路パターン状の貫通孔 １３…矩形貫通孔 １５…金属製ホルダー １６…接着剤 １７…導電線
部） １２…回路パターン状の貫通孔 １３…矩形貫通孔 １５…金属製ホルダー １６…接着剤 １７…導電線
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 森本健一 東京都新宿区市谷加賀町一丁目１番１号 大日本印刷株式会社内 Ｆターム(参考） 2H095 BA08 BB37 BC16 BC21 BC27 5F056 AA06 CC04 FA05 FA07
Claims (4)
- 【請求項１】 電子線露光パターンに対応する貫通孔が
形成された電子線露光用ステンシルマスクにおいて、ス
テンシルマスク本体が導電性支持体の支持面上に１か所
で接着固定されていることを特徴とする電子線露光用ス
テンシルマスク。 - 【請求項２】 前記ステンシルマスク本体の接着固定位
置の反対側の面と前記導電性支持体が導電性部材により
電気接続されていることを特徴とする請求項１記載の電
子線露光用ステンシルマスク。 - 【請求項３】 前記導電性部材の前記ステンシルマスク
本体への接続位置が接着固定位置に対応する位置である
ことを特徴とする請求項２記載の電子線露光用ステンシ
ルマスク。 - 【請求項４】 前記の１か所で接着固定している領域の
面積が前記ステンシルマスク本体の厚さの４倍以下の直
径の面積であることを特徴とする請求項１から３の何れ
か１項記載の電子線露光用ステンシルマスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12720299A JP2000323379A (ja) | 1999-05-07 | 1999-05-07 | 電子線露光用ステンシルマスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12720299A JP2000323379A (ja) | 1999-05-07 | 1999-05-07 | 電子線露光用ステンシルマスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000323379A true JP2000323379A (ja) | 2000-11-24 |
Family
ID=14954249
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12720299A Pending JP2000323379A (ja) | 1999-05-07 | 1999-05-07 | 電子線露光用ステンシルマスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000323379A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003043065A1 (fr) * | 2001-11-16 | 2003-05-22 | Sony Corporation | Masque et procédé de fabrication associé, et procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur |
| JP2009231465A (ja) * | 2008-03-21 | 2009-10-08 | Toyota Motor Corp | ステンシルマスク |
| CN110029307A (zh) * | 2019-04-25 | 2019-07-19 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种蒸镀掩膜板 |
| WO2021258891A1 (zh) * | 2020-06-24 | 2021-12-30 | 京东方科技集团股份有限公司 | 掩膜板、掩膜板结构和掩膜板制作方法 |
-
1999
- 1999-05-07 JP JP12720299A patent/JP2000323379A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003043065A1 (fr) * | 2001-11-16 | 2003-05-22 | Sony Corporation | Masque et procédé de fabrication associé, et procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur |
| US7022607B2 (en) | 2001-11-16 | 2006-04-04 | Sony Corporation | Mask and its manufacturing method, and method for manufacturing semiconductor device |
| JP2009231465A (ja) * | 2008-03-21 | 2009-10-08 | Toyota Motor Corp | ステンシルマスク |
| CN110029307A (zh) * | 2019-04-25 | 2019-07-19 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种蒸镀掩膜板 |
| WO2021258891A1 (zh) * | 2020-06-24 | 2021-12-30 | 京东方科技集团股份有限公司 | 掩膜板、掩膜板结构和掩膜板制作方法 |
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