JP2000323080A - 電子顕微鏡における試料位置補正方式 - Google Patents

電子顕微鏡における試料位置補正方式

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JP2000323080A
JP2000323080A JP11129578A JP12957899A JP2000323080A JP 2000323080 A JP2000323080 A JP 2000323080A JP 11129578 A JP11129578 A JP 11129578A JP 12957899 A JP12957899 A JP 12957899A JP 2000323080 A JP2000323080 A JP 2000323080A
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observation target
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JP11129578A
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Tomohiro Hirai
大博 平井
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Original Assignee
Hitachi Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】画像処理により観察対象の位置を検出するに
は、観察対象が画像処理可能範囲に位置していることが
必要である。したがって試料の移動距離が大きな場合に
は、観察対象が画像処理可能範囲内に位置するように、
補正処理を繰り返さなければならない。補正処理回数が
少ないほどスループットは向上する。この補正処理間隔
を最適化することにより、スループットの向上を実現す
る試料位置制御方式を提供する。 【解決手段】補正処理間隔を、過去の補正処理履歴に基
づき可変的に最適化する。最適な処理間隔とは、観察対
象が画像処理可能範囲から外れない範囲で、補正処理回
数が最少となる処理間隔である。また観察対象を検出す
る際には、過去の補正処理履歴に基づき、優先検索範囲
から順に検索する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、水平方向移動,回
転および傾斜可能な試料ステージを構成要素とする電子
顕微鏡において、特に試料ステージの回転,傾斜時の試
料位置補正を自動かつ高速に行うための試料位置補正方
式に関する。
【0002】
【従来の技術】理想的なユーセントリックステージは、
観察対象がずれることなく、試料ステージを回転,傾斜
させることが可能である。しかし実際には、試料形状の
個体差(例えば高さ)や試料ステージの機械的精度不足
のため、観察対象のずれは避けられない。この観察対象
のずれは、試料ステージを回転、または傾斜動作したと
きに大きくなる傾向がある。従来技術では、特開平9−1
47778 号公報に記載のように、画像処理により観察対象
の位置ずれ量を検出し、その検出ずれ量に基づき観察対
象が画像表示装置中央に位置するように補正を行ってい
た。この補正は、試料ステージの移動中繰り返される。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】上記従来方式では、画
像処理を行う際に画像処理可能範囲内に観察対象が位置
している必要がある。試料ステージの移動量が大きい場
合や、高倍率の測定であるため僅かな位置ずれでも観察
対象が画像処理可能範囲から外れてしまうような場合に
は、画像処理による観察対象の位置ずれ量検出と補正処
理の繰り返し回数を増やさなければならない。この補正
処理回数の増大はスループットを低下させる。
【0004】本発明の目的は、画像処理が可能な範囲内
で試料ステージ移動量を最大とし、所望の位置まで移動
する間の補正処理回数が減るように、補正処理間隔を最
適化してスループットを向上させることである。また上
記従来方式では、観察対象が画像処理可能範囲内に検出
されなかった際には、その周辺範囲を検索する必要があ
る。例えば画像処理可能範囲が正方形の領域であると
き、最悪の場合、周辺8方向の領域を検索しなければな
らない。これもスループット低下の原因となる。本発明
の他の目的は、観察対象が画像処理範囲内で検出されな
かった場合の周辺領域検索を効率良く行うことで、スル
ープットを向上させた試料位置補正方式を実現すること
にある。
【0005】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、請求項1に記載の発明は、過去の試料位置補正履歴
を基に補正処理間隔を最適化するものである。例えば、
試料ステージを傾斜角度θ移動するときの補正処理間隔
をΔθとした場合、試料ステージをΔθ移動した後に、
観察対象が画像処理可能範囲に入っていれば補正処理間
隔Δθを増加させ、入っていなければをΔθ減少させ
る。また、画像処理可能範囲から外れたときのΔθの最
小値Δθthを記録保持しておき、ΔθはこのΔθthを超
えない範囲で増加させる。この更新されたΔθを次回の
補正処理間隔とすることで、常に最適化された最大補正
処理間隔で試料ステージ制御を行うことが可能となり、
スループットが向上する。ここでは試料ステージを傾斜
させる例を挙げたが、回転する場合も同様である。
【0006】さらに、上記目的を達成するために請求項
2に記載の発明は、画像処理により観察対象の位置ずれ
量を検出する際に、過去の試料位置補正履歴を基に優先
検索範囲の特定を行うものである。観察対象が画像処理
可能領域から外れた場合、周辺領域を検索しなければな
らない。どの領域から検索を行うかを決定する際に、そ
れまでの試料位置補正履歴を用いて、観察対象が検出さ
れる可能性が高い領域から順に検索するようにしたもの
である。
【0007】
【発明の実施の形態】本発明の実施例を図4により説明
する。図4は本発明の実施例を示す電子顕微鏡の概念構
成図である。試料ステージは、傾斜方向駆動機構7,回
転方向駆動機構6,水平方向駆動機構5から構成され
る。画像処理装置4は、電子源2から放出された電子線
を試料1に照射した際に発生する二次電子を、二次電子
検出器3により検出し、試料表面情報として画像化する
装置である。
【0008】本発明では、この試料表面情報を表す画像
を用い、画像位置検出装置10により試料位置を検出す
る。さらに検出された位置情報から、観察対象が常に画
像表示装置8の中央に来るように、観察像のずれ量を計
算して、制御系9からステージを制御する。
【0009】請求項1の発明の実施例を図2を用いて説
明する。例として、試料ステージを角度θ傾斜させる場
合について記述する。まず、観察する試料パターンを登
録する(Step10)。次にΔθとθを比較して(Step1
1)、θの方が大きければΔθ傾斜し(Step12)、小さ
ければθ傾斜する(Step13)。傾斜後、登録した試料
パターンが、画像処理可能範囲内にあればΔθを増加さ
せ(Step15)、画像処理可能範囲内になければΔθを
減少させる(Step16)。このとき、画像処理可能範囲
から外れたときのΔθの最小値をΔθthとし、ΔθがΔ
θthより小さいときにはΔθthを更新する。またΔθを
増加させる際には、このΔθthを超えない範囲でΔθを
増加させる。登録した試料パターンと傾斜後の画像を比
較することにより観察対象のずれ量を検出し、この検出
量を基に、観察対象が画像表示装置の画面中央にくるよ
うにステージを移動する(Step17)。最後に傾斜完了
判定を行う(Step18)。傾斜角がθ未満であればStep
10に戻り、傾斜角がθであれば終了する。Step10に
戻る場合には、観察試料パターンを更新する。観察対象
の種類によっては、傾斜した場合に試料パターンの見え
方が大きく変化するものがある。登録パターンと傾斜後
の観察試料パターンがかけ離れたものになると、観察対
象が画像処理可能範囲内にあっても検出されない場合が
出てくる。Δθ傾斜するたびに観察試料パターンの更新
をすることにより、登録パターンと傾斜後の観察試料パ
ターンとの差異が小さくなるので検出精度が向上する。
【0010】このような操作(Step10〜Step18)を
所望の傾斜角に達するまで繰り返すことで、常に観察対
象が画像表示装置の画面中央に位置するように、試料ス
テージを移動することができる。ここでは試料ステージ
を傾斜移動する例について記述したが、回転等の移動の
場合でも同様である。
【0011】請求項2の発明の実施例を図3を用いて説
明する。まず、観察対象が検出可能範囲内にあるか否か
判定する(Step20)。検出可能範囲内にあれば、検出
ずれ量に基づき、観察対象が画像表示装置中央に来るよ
うに試料ステージの位置補正を行う(Step21)。検出
可能範囲内になければ、周辺領域を検索する。その際、
それまでの位置補正履歴に基づき観察対象の移動した方
向を予測して、検出される可能性が高い領域から順に検
索する。観察対象が検出されたときには、検出された方
向を位置補正履歴に登録する。請求項1,請求項2の発
明を一つにまとめたフローチャートを図4に示す。
【0012】
【発明の効果】請求項1の発明によれば、最適化された
補正間隔で位置補正処理を行えるので、画像処理可能範
囲から観察対象が外れることがなくなり、スループット
が向上する。さらに請求項2の発明によれば、観察対象
の検出を効率良く行えるのでスループットが向上する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施例を示す電子顕微鏡の概念構成図
である。
【図2】請求項1の発明に基づくフローチャートの一例
である。
【図3】請求項2の発明に基づくフローチャートの一例
である。
【図4】請求項1と請求項2の発明をまとめたフローチ
ャートの一例である。
【符号の説明】
1…試料、2…電子源、3…二次電子検出器、4…画像
処理装置、5…水平方向駆動機構、6…回転方向駆動機
構、7…傾斜方向駆動機構、8…画像表示装置、9…制
御系、10…画像位置検出装置。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】水平方向移動(X−Y移動も可),回転お
    よび傾斜可能な試料ステージと、試料の観察可能な画像
    表示装置、および画像処理装置で構成する電子顕微鏡に
    おいて、常に画像表示装置の中央に観察対象が位置する
    ように、画像処理による観察対象の位置ずれ量の検出
    と、試料位置補正を試料移動中に繰り返す際の繰り返し
    間隔を、過去の試料位置補正履歴を基に可変的に最適化
    することを特徴とする試料位置補正方式。
  2. 【請求項2】請求項1に記載の電子顕微鏡において、画
    像処理による観察対象の位置ずれ量を検出する際に、過
    去の試料位置補正履歴を基に優先検索範囲の特定を行う
    ことを特徴とする試料位置補正方式。
JP11129578A 1999-05-11 1999-05-11 電子顕微鏡における試料位置補正方式 Pending JP2000323080A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010198997A (ja) * 2009-02-27 2010-09-09 Hitachi High-Technologies Corp 荷電粒子線装置
WO2018041744A3 (en) * 2016-08-29 2018-04-12 Asml Netherlands B.V. System for dynamically compensating position errors of a sample

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010198997A (ja) * 2009-02-27 2010-09-09 Hitachi High-Technologies Corp 荷電粒子線装置
WO2018041744A3 (en) * 2016-08-29 2018-04-12 Asml Netherlands B.V. System for dynamically compensating position errors of a sample
US11127618B2 (en) 2016-08-29 2021-09-21 Asml Netherlands B.V. System for dynamically compensating position errors of a sample

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