JP2000321027A - パターン計測方法およびパターン計測装置 - Google Patents

パターン計測方法およびパターン計測装置

Info

Publication number
JP2000321027A
JP2000321027A JP11135157A JP13515799A JP2000321027A JP 2000321027 A JP2000321027 A JP 2000321027A JP 11135157 A JP11135157 A JP 11135157A JP 13515799 A JP13515799 A JP 13515799A JP 2000321027 A JP2000321027 A JP 2000321027A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
pattern
measured
stage
measurement
pattern information
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP11135157A
Other languages
English (en)
Inventor
Taro Ototake
太朗 乙武
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nikon Corp
Original Assignee
Nikon Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nikon Corp filed Critical Nikon Corp
Priority to JP11135157A priority Critical patent/JP2000321027A/ja
Publication of JP2000321027A publication Critical patent/JP2000321027A/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Abstract

(57)【要約】 【課題】 被計測パターンの計測を行なう際、エッジ検
出光学系、ステージ干渉計の中に内在していた、被計測
パターンの位置に依存するシステマチックな誤差を低減
し、被計測パターンのパターン情報を正確に計測するパ
ターン計測方法及びパターン計測装置を提供することを
課題とする。 【解決手段】 ステージとパターン情報計測手段とを相
対移動させ、上記ステージ上に載置された基板上の被計
測パターンを複数回計測し、上記複数回計測したパター
ンの情報の平均値を算出する。このことにより、被計測
パターンの計測される位置が異なる位置において複数回
行われるので、被計測パターンの線幅を含むパターン情
報を計測する上で発生する各種のシステマチックな誤差
が平均化効果により互いに相殺され、計測値に内在する
誤差を低減することができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、マスク、レチク
ル、ウエハ等の基板表面に形成されたパターンのパター
ン情報を計測するパターン計測方法及びパターン計測装
置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来、ステージ上に載置された基板上の
被計測パターンのパターン情報を計測する方法として、
パターンエッジ検出光学系が被計測パターンを計測しや
すいように、ステージをパターンエッジ検出光学系の検
出視野近傍にて一旦停止させた状態で、パターンエッジ
検出光学系により被計測パターンのエッジ位置の検出を
行うことにより、被計測パターンの線幅または二次元位
置等のパターン情報を計測する方法がある。
【0003】パターンエッジ検出光学系として以下の構
成が知られている。第1の従来技術としては、特公昭5
6−25964号公報に開示されているように、光源と
してレーザを使用し、レーザ光をパターン面上でレーザ
スポット(又はスリット)像として結像させる。検出光
学系内のミラーを走査することでパターン前後でレーザ
ビームを走査させ、エッジからの散乱光およびパターン
表面からの反射光等を検出することでエッジを検知し、
その時のミラー位置を干渉計等により検出することによ
り、基準位置からのエッジ位置の距離を検出している。
【0004】また、第2の従来技術としては、検出光学
系として以下の構成を用いるものがある。検出光学系に
より、被計測パターン像をCCDカメラ上に投影し、C
CDカメラにより得られたパターン画像を画像処理する
ことで基準位置からのパターンエッジ位置の距離を検出
する。
【0005】すなわち、上述の第1及び第2の従来技術
において、2つのエッジ位置の差を求めることでパター
ンの線幅を得ている。また、干渉計により検出されるス
テージ停止位置と検出光学系により得られた基準位置か
らのエッジ位置の距離を加算することでパターンの二次
元位置を得ている。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
ような従来技術によるパターン情報の計測方法には、種
々の問題があった。
【0007】まず、エッジ検出光学系については、以下
の問題があった。第1の従来技術においては、レーザビ
ーム走査範囲内のどこに被計測パターンがあっても計測
は可能であり、また、第2の従来技術においては、CC
Dカメラにより得られるイメージフィールド内のどこに
被計測パターンがあっても計測は可能であるが、エッジ
検出光学系には製造誤差に起因するディストーションが
存在するため、被計測パターンが走査範囲内またはイメ
ージフィールド内の存在する位置によって、エッジ検出
位置に誤差が生じると共に、誤差量も位置に応じて変化
してしまう。
【0008】また、第2の従来技術においては、CCD
も誤差要因となる。すなわち、CCDはピクセルが多数
用いられているが、ピクセルの位置誤差、ピクセルの感
度むらがあると、パターンがイメージフィールド内の存
在する位置によって、上記CCDによる誤差がさらに増
大してしまう。
【0009】更に、被計測パターンの二次元位置を計測
する場合には、ステージ位置を検出する干渉計の誤差も
誤差要因となる。干渉計の誤差は、光ヘテロダイン干渉
法による干渉計計測においては、2つの周波数間のクロ
ストークに起因する波長周期の非線形位相誤差である。
すなわち、干渉計の偏光特性誤差がある場合に、ステー
ジ移動時の干渉計の読み値に周期的な誤差が生じる。周
期はシングルパスの干渉計ではλ/2(λ=633nm
の場合、317nm)、ダブルパスの干渉計ではλ/4
(λ=633nmの場合、168nm)となる。又、誤
差の最大値は偏光特性誤差によるが最大10nmを超え
る場合があり、最先端のパターン位置計測誤差として無
視できるものでない。
【0010】図9は、光へテロダイン干渉法を用いたダ
ブルパルス干渉計による計測における非線形位相誤差を
示す図である。図9において、X軸は、ステージの実際
の移動量であり、Y軸は、干渉計により計測される移動
量である。同図から明らかなように、λ/4を周期とす
る非線形誤差が発生する。
【0011】上述したように、従来のパターン計測方法
又はパターン計測装置では、エッジ検出光学系、ステー
ジ干渉計の中に、計測時の被計測パターンの位置に依存
するシステマチックな誤差が内在しており、これらが被
計測パターンのパターン情報の計測誤差となっていた。
【0012】本発明の目的は、このようなシステマチッ
クな計測誤差を低減し、被計測パターンのパターン情報
を正確に計測するパターン計測方法及びパターン計測装
置を提供することである。
【0013】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を解
決するため、以下の手段を採用した。すなわち、本発明
の一態様によれば、本発明のパターン計測方法は、ステ
ージとパターン情報計測手段とを相対移動させ、上記ス
テージ上に載置された基板上の被計測パターンを複数回
計測し、上記複数回計測したパターンの情報の平均値を
算出する。
【0014】このことにより、被計測パターンの計測さ
れる位置が異なる位置において複数回行われるので、被
計測パターンを計測する上で発生する各種のシステマチ
ックな誤差が平均化効果により互いに相殺され、計測値
に内在する誤差を低減することができる。
【0015】また、本発明の一態様によれば、本発明の
パターン計測方法は、上記パターンの情報が、上記被計
測パターンの線幅又は二次元位置である。このことによ
り、被計測パターンの計測される位置が異なる位置にお
いて複数回行われるので、被計測パターンの線幅又は二
次元位置を計測する上で発生する各種のシステマチック
な誤差が平均化効果により互いに相殺され、計測値に内
在する誤差を低減することができる。
【0016】また、本発明の一態様によれば、本発明の
パターン計測方法は、上記ステージと上記パターン情報
計測手段とが所定間隔で相対移動する毎に、上記被計測
パターンの計測を行なう。
【0017】このことにより、被計測パターンの計測さ
れる位置が所定間隔の異なる位置において複数回行われ
るので、被計測パターンを計測する上で発生する各種の
システマチックな誤差が平均化効果により互いに相殺さ
れ、計測値に内在する誤差をさらに低減することができ
る。
【0018】また、本発明の一態様によれば、本発明の
パターン計測方法は、上記パターン情報計測手段が、上
記被計測パターンのエッジを検出し、上記パターンの情
報は、上記被計測パターンのエッジを検出した検出結果
と、上記ステージと上記パターン情報計測手段との相対
移動を検出した検出結果とに基づいて算出される。
【0019】このことにより、被計測パターンの計測さ
れる位置およびXYステージの検出される位置が異なる
位置において複数回行われるので、被計測パターンの二
次元位置を計測する上で発生する各種のシステマチック
な誤差が平均化効果により互いに相殺され、検出結果に
内在する誤差を低減することができる。
【0020】また、本発明の一態様によれば、本発明の
パターン計測装置は、基板を載置するステージと、上記
基板上の被計測パターンを計測するパターン情報計測手
段と、上記ステージと上記パターン情報計測手段とを相
対移動させる移動手段と、上記移動手段により上記ステ
ージと上記パターン情報計測手段とを移動させ、上記パ
ターン情報計測手段による上記被計測パターンの計測を
複数回行なわせる制御手段と、複数回計測された上記パ
ターンの情報の平均値を算出する算出手段とを備える。
【0021】このことにより、被計測パターンの計測さ
れる位置が異なる位置において複数回行われるので、被
計測パターンを計測する上で発生する各種のシステマチ
ックな誤差が平均化効果により互いに相殺され、計測値
に内在する誤差を低減することができる。
【0022】また、本発明の一態様によれば、本発明の
パターン計測装置は、上記パターンの情報が、上記被計
測パターンの線幅又は二次元位置である。このことによ
り、被計測パターンの計測される位置が異なる位置にお
いて複数回行われるので、被計測パターンの線幅又は二
次元位置を計測する上で発生する各種のシステマチック
な誤差が平均化効果により互いに相殺され、計測値に内
在する誤差を低減することができる。
【0023】また、本発明の一態様によれば、本発明の
パターン計測装置は、上記制御手段が、上記ステージと
上記パターン情報計測手段とが所定間隔で相対移動する
毎に、上記被計測パターンの計測を行なわせる。
【0024】このことにより、被計測パターンの計測さ
れる位置が所定間隔の異なる位置において複数回行われ
るので、被計測パターンを計測する上で発生する各種の
システマチックな誤差が平均化効果により互いに相殺さ
れ、計測値に内在する誤差をさらに低減することができ
る。
【0025】また、本発明の一態様によれば、本発明の
パターン計測装置は、上記パターン情報計測手段が、上
記被計測パターンのエッジを検出する検出光学系を有
し、上記移動手段が、上記ステージと上記検出光学系と
の相対移動位置を検出する位置検出手段を有し、上記パ
ターンの情報は、上記検出光学系の検出結果と上記位置
検出手段の検出結果とに基づいて算出される。
【0026】このことにより、被計測パターンの計測さ
れる位置およびXYステージの検出される位置が異なる
位置において複数回行われるので、被計測パターンの二
次元位置を計測する上で発生する各種のシステマチック
な誤差が平均化効果により互いに相殺され、検出結果に
内在する誤差を低減することができる。
【0027】
【発明の実施の形態】以下、本発明の各実施の形態を、
図面を参照しながら詳細に説明する。図1は、本発明の
第1の実施の形態におけるパターン計測装置のブロック
図である。
【0028】図1において、パターン計測装置1は、X
Yステージ10と、パターン情報計測部20と、移動部
30と、制御部40と、算出部50とを備え、パターン
情報としての線幅や二次元位置、寸法等を計測する。こ
こでは、パターン情報として、線幅を計測する場合につ
いて説明する。
【0029】XYステージ10は、被計測パターン11
が形成された基板12を載置する。パターン情報計測部
20は、対物レンズ21と、光学系22と、CCDカメ
ラ23とを備え、基板12上の被計測パターン11を対
物レンズ21と光学系22とを介してCCDカメラ23
上に結像させることにより、被計測パターン11の線幅
を計測する。
【0030】移動部30は、XYステージ10とパター
ン情報計測部20とのうちどちらか一方あるいは双方を
移動する。すなわち、移動部30は、XYステージ10
とパターン情報計測部20とを相対的に移動させる。
【0031】制御部40は、XYステージ10とパター
ン情報計測部20とを相対的に移動させるように移動部
30を制御し、XYステージ10とパターン情報計測部
20とを相対的に所定間隔移動させる毎に、パターン情
報計測部20による被計測パターン11の線幅を複数回
計測する。
【0032】算出部50は、複数回計測された線幅の平
均値を算出する。図2は、本発明の第1の実施の形態に
おけるパターン計測装置の動作フローチャートである。
【0033】図2を用いて、上述した構成のパターン計
測装置1の動作例を説明する。まず、ステップS21に
おいて、制御部40が移動部30を制御することによ
り、移動部30は、被計測パターン11が対物レンズ2
1の視野内に入るようにXYステージ10とパターン情
報計測部20とを相対的に移動させる。
【0034】ステップS22において、パターン情報計
測部20は、被計測パターン11の線幅を計測する。具
体的には、CCDカメラ23が、対物レンズ21と光学
系22とを介して、XYステージ10に載置されている
基板12上の被計測パターン11を撮像することによ
り、被計測パターン11をCCDカメラ23に結像さ
せ、制御部40あるいは制御部40に接続された画像処
理部(不図示)が、結像された被計測パターン11の画
像を画像処理(例えば、二値化処理)することにより、
被計測パターン11のエッジ位置を求め、さらにエッジ
位置の差を求めることにより線幅を計測する。
【0035】図3は、CCDカメラ上に結像された被計
測パターンを示した図である。図3において、十字形状
(+符号形状)の被計測パターン11は、CCDカメラ
23の画面の中心301の近傍に結像しており、X方向
の2箇所のエッジ位置x1とx2との差(x2−x1)
を求めることにより線幅Wxが計測され、Y方向の2箇
所のエッジ位置y1とy2との差(y2−y1)を求め
ることにより線幅Wyが計測される。なお、CCDカメ
ラ23により得られる上記エッジ位置x1、x2、y
1、y2は、対物レンズ21または光学系22のディス
トーション、あるいはCCDカメラ23のピクセル位置
誤差または感度むらに起因する非線形な歪みがあるた
め、線幅WxおよびWyは、上記エッジ位置x1、x
2、y1、y2に起因するシステマチックな誤差が含ま
れている。
【0036】図2に戻り、ステップS23において、予
め定められた回数分の線幅の計測が終了したか否かを判
断する。ステップS23で予め定められた回数分の線幅
の計測が終了していないと判断した場合(S23:N
O)は、ステップS21乃至ステップS23の各ステッ
プの処理を繰り返す。
【0037】ステップS23で予め定められた回数分の
線幅の計測が終了したと判断した場合(S23:YE
S)は、ステップS24において、算出部50は、上記
回数分の線幅の平均値を算出する。
【0038】図4は、被計測パターンの5回の線幅の計
測を示した図である。図4において、(a)は、1回目
の計測によりCCDカメラ上に結像された被計測パター
ンであり、(b)乃至(e)は、2乃至5回目の計測に
よりCCDカメラ上に結像された被計測パターンであ
る。
【0039】図4を図2の動作フローチャートと対応さ
せて説明する。まず、図2中のステップS21におい
て、被計測パターン11が対物レンズ21の視野内に入
るように、移動部30がXYステージ10とパターン情
報計測部20とを相対的に移動させ、ステップS22に
おいて、パターン情報計測部20が被計測パターン11
の線幅Wx1とWy1を計測し(図4(a))、ステッ
プS23において、予め定められた回数である5回の線
幅の計測が終了したか否かを判断するが、5回の線幅の
計測は終了していないのでステップS21に戻る。
【0040】次に、同様にステップS21からステップ
S23を繰り返す過程において、被計測パターン11が
対物レンズ21の視野内に入るように、移動部30がX
Yステージ10とパターン情報計測部20とを相対的に
所定間隔移動(2回目のステップS21)させた後の2
回目のステップS22で、パターン情報計測部20が線
幅Wx2とWy2を計測する(図4(b))。
【0041】さらに、被計測パターン11が対物レンズ
21の視野内に入るように、移動部30がXYステージ
10とパターン情報計測部20とを相対的に所定間隔移
動(3回目のステップS21)させた後の3回目のステ
ップS22で、パターン情報計測部20が線幅Wx3と
Wy3を計測し(図4(c))、被計測パターン11が
対物レンズ21の視野内に入るように、移動部30がX
Yステージ10とパターン情報計測部20とを相対的に
所定間隔移動(4回目のステップS21)させた後の4
回目のステップS22で、パターン情報計測部20が線
幅Wx4とWy4を計測し(図4(d))、被計測パタ
ーン11が対物レンズ21の視野内に入るように、移動
部30がXYステージ10とパターン情報計測部20と
を相対的に所定間隔移動(5回目のステップS21)さ
せた後の5回目のステップS22で、パターン情報計測
部20が線幅Wx5とWy5を計測する(図4
(e))。
【0042】5回目のステップS23において、5回の
線幅の計測は終了していると判断するので、ステップS
24において、算出部50は、上記5回分の線幅の平均
値を算出する。すなわち、(Wx1+Wx2+Wx3+
Wx4+Wx5)/5、および、(Wy1+Wy2+W
y3+Wy4+Wy5)/5を算出する。この平均値を
計測した被計測パターン11の線幅とする。
【0043】なお、上述の第1の実施の形態において、
パターン情報計測部20は、CCDカメラ23を備えた
画像処理系として説明してきたが、後述する第2の実施
の形態におけるパターン情報計測部20aが行なう計測
と同様に、走査された出力光が対象物(被計測パター
ン)に反射した反射光を検出する走査型検出系でもよ
い。
【0044】また、上述の第1の実施の形態において、
移動部30がXYステージ10とパターン情報計測部2
0とを相対的に所定間隔移動させる毎に、パターン情報
計測部20が線幅を計測するとしたが、上記所定間隔
は、等間隔であってもよいし、不等間隔であってもよ
い。また、上記所定間隔は、XYステージ10およびパ
ターン情報計測部20の駆動系に起因する誤差周期の公
倍数と一致しないことが望ましい。
【0045】図5は、本発明の第2の実施の形態におけ
るパターン計測装置のブロック図である。図5におい
て、パターン計測装置1Aは、XYステージ10と、パ
ターン情報計測部20aと、移動部30aと、制御部4
0と、算出部50aとを備え、パターン情報としての二
次元位置を計測する。
【0046】XYステージ10は、移動ミラー61を備
え、被計測パターン11aが形成された基板12を載置
する。パターン情報計測部20aは、対物レンズ21a
と、走査型検出部24とを備え、基板12上の被計測パ
ターン11aを対物レンズ21aと走査型検出部24と
を介して走査することにより、被計測パターン11aの
XYステージ10に対する相対位置を計測する。
【0047】移動部30aは、位置検出部60を備え、
XYステージ10を移動する。位置検出部60は、移動
ミラー61を介してXYステージ10のステージ位置を
検出する。なお、位置検出部60は、X軸方向における
XYステージ10のステージ位置を検出するX方向位置
検出部と、Y軸方向におけるXYステージ10のステー
ジ位置を検出するY方向位置検出部とを備える。
【0048】制御部40は、XYステージ10を移動さ
せるように移動部30aを制御し、XYステージを所定
間隔移動させる毎に、被計測パターン11aのうち、特
定の箇所の相対位置を複数回計測するようにパターン情
報計測部20aを制御し、また、XYステージ10のス
テージ位置を複数回検出するように位置検出部60を制
御する。
【0049】算出部50aは、複数回計測された相対位
置およびステージ位置に基づいて二次元位置の平均値を
算出する。二次元位置は、相対位置とステージ位置とを
加算することにより算出する。
【0050】図6は、本発明の第2の実施の形態におけ
るパターン計測装置の動作フローチャートである。な
お、第1の実施の形態における動作ステップと同じ動作
ステップには同じステップ番号を用いている。
【0051】図6を用いて、上述した構成のパターン計
測装置1Aの動作例を説明する。まず、ステップS61
において、制御部40が移動部30aを制御することに
より、移動部30aは、被計測パターン11aが対物レ
ンズ21の視野内に入るようにXYステージ10を移動
させる。
【0052】ステップS62において、制御部40が移
動部30aを制御することにより、移動部30aは、X
Yステージ10の移動を停止させる。ステップS63に
おいて、パターン情報計測部20aは、被計測パターン
11aのXYステージ10に対する相対位置を計測し、
位置検出部60は、XYステージのステージ位置を検出
する。
【0053】具体的には、走査型検出部24が、対物レ
ンズ21aを介して、XYステージ10に載置されてい
る基板12上の被計測パターン11aを走査することに
より、被計測パターン11aのエッジ位置を検出し、さ
らにエッジ位置間の中点を求めることにより被計測パタ
ーン11aのXYステージ10に対する相対位置を計測
する。また、例えば干渉計等の位置検出部60が、移動
ミラー61を介して、XYステージのX方向およびY方
向のステージ位置を検出する。
【0054】図7は、被計測パターンの表示例を示した
図である。図7において、十字形状(+符号形状)の被
計測パターン11aは、パターン計測装置1Aが備える
表示部(不図示)の画面の中心701の近傍に表示され
ており、X軸方向の2箇所のエッジ位置x3とx4との
中点と、中心701との差を求めることによりX軸方向
の相対位置Ixが計測され、Y軸方向の2箇所のエッジ
位置y3とy4との中点と、中心701との差を求める
ことによりY軸方向の相対位置Iyが計測される。な
お、走査型検出部24により得られる上記エッジ位置x
3、x4、y3、y4は、対物レンズ21aのディスト
ーション等に起因する非線形な歪みがあるため、相対位
置IxおよびIyは、上記エッジ位置x3、x4、y
3、y4に起因するシステマチックな誤差が含まれてい
る。
【0055】図6に戻り、ステップS23′において、
予め定められた回数分の相対位置およびステージ位置の
計測および検出が終了したか否かを判断する。ステップ
S23′で予め定められた回数分の相対位置およびステ
ージ位置の計測および検出が終了していないと判断した
場合(S23′:NO)は、ステップS61乃至ステッ
プS23′の各ステップの処理を繰り返す。
【0056】ステップS23′で予め定められた回数分
の相対位置およびステージ位置の計測および検出が終了
したと判断した場合(S23′:YES)は、ステップ
S24′において、算出部50aは、複数回計測された
相対位置およびステージ位置に基づいて上記回数分の二
次元位置の平均値を算出する。
【0057】図8は、被計測パターンの5回の二次元位
置の計測を示した図である。図8において、(a)は、
1回目の計測により表示部に表示された被計測パターン
であり、(b)乃至(e)は、2乃至5回目の計測によ
り表示部に表示された被計測パターンである。
【0058】図8を図6の動作フローチャートと対応さ
せて説明する。まず、図6中のステップS61におい
て、被計測パターン11aが対物レンズ21aの視野内
に入るように、移動部30aがXYステージ10を移動
させ、ステップS62において、移動部30aがXYス
テージ10を停止させ、ステップS63において、パタ
ーン情報計測部20aが被計測パターン11aの相対位
置Ix1とIy1を計測し、位置検出部60がXYステ
ージ10のステージ位置(Sx1とSy1)を検出し
(図8(a))、ステップS23′において、予め定め
られた回数である5回の相対位置およびステージ位置の
計測および検出が終了したか否かを判断するが、5回の
相対位置およびステージ位置の計測および検出は終了し
ていないのでステップS61に戻る。
【0059】次に、同様にステップS61からステップ
S23′を繰り返す過程において、移動部30aがXY
ステージ10を所定間隔移動させた後の2回目のステッ
プS63で、パターン情報計測部20aが相対位置Ix
2とIy2を計測し(図8(b))、位置検出部60が
ステージ位置(Sx2とSy2)を検出する。
【0060】さらに、3回目のステップS63で、パタ
ーン情報計測部20aが相対位置Ix3とIy3を計測
し(図8(c))、位置検出部60がステージ位置(S
x3とSy3)を検出し、4回目のステップS63で、
パターン情報計測部20aが相対位置Ix4とIy4を
計測し(図8(d))、位置検出部60がステージ位置
(Sx4とSy4)を検出し、5回目のステップS63
で、パターン情報計測部20aが相対位置Ix5とIy
5を計測し(図8(e))、位置検出部60がステージ
位置(Sx5とSy5)を検出する。これら5回の計測
を行う際、XYステージ10の移動範囲は、被計測パタ
ーン11aが対物レンズ21aの視野内に入るような範
囲である。
【0061】5回目のステップS23′において、5回
の相対位置およびステージ位置の計測および検出は終了
していると判断するので、ステップS24′において、
算出部50aは、上記5回分の二次元位置の平均値を算
出する。すなわち、((Sx1+Ix1)+(Sx2+
Ix2)+(Sx3+Ix3)+(Sx4+Ix4)+
(Sx5+Ix5))/5、および、((Sy1+Iy
1)+(Sy2+Iy2)+(Sy3+Iy3)+(S
y4+Iy4)+(Sy5+Iy5))/5を算出す
る。この平均値を計測した被計測パターン11aの二次
元位置とする。
【0062】なお、上述の第2の実施の形態において、
移動部30aは、XYステージ10を移動させるとした
が、移動部30aは、XYステージ10とパターン情報
計測部20aとを相対的に移動させてもよい。その場
合、移動部30aは、位置検出部60の他にパターン情
報計測部20aの位置を検出する干渉計等を備える必要
があるが、これは上記位置検出部60と同様の機能を有
していればよい。
【0063】また、上述の第2の実施の形態において、
パターン情報計測部20aは、走査された出力光が対象
物(被計測パターン)に反射した反射光を検出する走査
型検出系として説明してきたが、上述の第1の実施の形
態におけるパターン情報計測部20の行なう計測と同様
に、CCDカメラ23を備えた画像処理系でもよい。
【0064】また、上述の第2の実施の形態において、
移動部30aがXYステージ10を停止させ、パターン
情報計測部20aが被計測パターン11aの相対位置を
計測し、位置検出部60がXYステージ10のステージ
位置を検出するとした。すなわち、XYステージ10が
停止している状態で、上記相対位置の計測およびステー
ジ位置の検出が行われるとしたが、必ずしもXYステー
ジ10を完全に停止させなくてもよい。パターン情報計
測部20aが被計測パターン11aの相対位置を計測す
ることができる速度であり、かつ、位置検出部60がX
Yステージのステージ位置を検出することができる速度
であれば、XYステージ10を停止させる代わりに所定
速度以下に減速させてあるいは減速させずに、XYステ
ージ10を移動させながら上記計測および検出を行なっ
てもよい。特に、パターン情報計測部20aが走査型検
出系ではなく画像処理系であれば、計測に要する時間が
短いので、XYステージ10の移動速度は停止させる必
要はない。
【0065】また、上述の第2の実施の形態において、
位置検出部60は、例えば干渉計等であるとしたが、走
査型検出系でもよいし画像処理系でもよい。また、上述
の第2の実施の形態において、移動部30aがXYステ
ージ10を所定間隔移動させる毎に、パターン情報計測
部20aが相対位置を計測し位置検出部60がステージ
位置を検出するとしたが、上記所定間隔は、等間隔であ
ってもよいし、不等間隔であってもよい。また、上記所
定間隔は、XYステージ10の駆動系に起因する誤差周
期の公倍数と一致しないことが望ましい。
【0066】また、上述の第2の実施の形態において、
算出部50aは、各回における相対位置とステージ位置
とを加算して各回の二次元位置を求めてから、これら5
回分の二次元位置の平均値を算出するとしたが、5回分
の相対位置の平均値と5回分のステージ位置の平均値と
を求めてから、これらの平均値を加算することにより、
二次元位置の平均値としてもよい。
【0067】さらに、上述の第1の実施の形態あるいは
第2の実施の形態において、パターン情報計測部20が
計測する回数、あるいは、パターン情報計測部20aが
計測し位置検出部60が検出する回数は5回として説明
してきたが、これらの回数は、任意に設定することがで
きるのは言うまでもない。さらに、XYステージ10、
パターン情報計測部20、20aの移動速度、対物レン
ズ21、21aの視野範囲、パターン情報計測部20、
20aの計測時間、位置検出部60の検出時間等によ
り、上記回数の上限が自動的に決まることもある。
【0068】また、上述の第1の実施の形態あるいは第
2の実施の形態において、算出部50、50aは、5回
分の単純平均値を算出すると説明してきたが、計測値や
検出値に重みを付けてもよい。例えば、全計測/検出回
の中間に行われる計測/検出の方が、より誤差の少ない
値を得られるであろうと予想できるような場合には、1
回目と5回目の値を除く2回目から4回目の値のみの平
均値を算出してもよいし、3回目の値を2回分として6
回の計測や検出が行なわれたように見なして平均値を算
出してもよい。
【0069】すなわち、本発明は、以上に述べた各実施
の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱
しない範囲内で種々の構成または形状を取ることが出来
る。
【0070】
【発明の効果】以上、説明したように、本発明のパター
ン計測方法およびパターン計測装置によれば、被計測パ
ターンの計測される位置が異なる位置において複数回行
われるので、被計測パターンの線幅を含むパターン情報
を計測する上で発生する各種のシステマチックな誤差が
平均化効果により互いに相殺され、計測値に内在する誤
差を低減することができる。
【0071】また、本発明のパターン計測方法およびパ
ターン計測装置によれば、被計測パターンの計測される
位置が所定間隔の異なる位置において複数回行われるの
で、計測値に内在する誤差をさらに低減することができ
る。
【0072】また、本発明のパターン計測方法およびパ
ターン計測装置によれば、被計測パターンの計測される
位置およびXYステージの検出される位置が異なる位置
において複数回行われるので、被計測パターンの二次元
位置を計測する上で発生する各種のシステマチックな誤
差が平均化効果により互いに相殺され、検出結果に内在
する誤差を低減することができる。
【0073】また、本発明のパターン計測方法およびパ
ターン計測装置によれば、被計測パターンの計測される
位置およびXYステージの検出される位置が異なる位置
において複数回行われるので、被計測パターンの二次元
位置を計測する上で発生する各種のシステマチックな誤
差が平均化効果により互いに相殺され、検出結果に内在
する誤差を低減することができる。
【0074】そして、本発明のパターン計測方法および
パターン計測装置によれば、XYステージの位置決めに
要する時間を無くし、被計測パターンの計測時間あるい
はXYステージの検出時間を短縮することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施の形態におけるパターン計
測装置のブロック図である。
【図2】本発明の第1の実施の形態におけるパターン計
測装置の動作フローチャートである。
【図3】CCDカメラ上に結像された被計測パターンを
示した図である。
【図4】被計測パターンの5回の線幅の計測を示した図
である。
【図5】本発明の第2の実施の形態におけるパターン計
測装置のブロック図である。
【図6】本発明の第2の実施の形態におけるパターン計
測装置の動作フローチャートである。
【図7】被計測パターンの表示例を示した図である。
【図8】被計測パターンの5回の二次元位置の計測を示
した図である。
【図9】光へテロダイン干渉法を用いたダブルパルス干
渉計による計測における非線形位相誤差を示す図であ
る。
【符号の説明】
1、1A 計測装置 10 XYステージ 11、11a 被計測パターン 12 基板 20、20a パターン情報計測部 21、21a 対物レンズ 22 光学系 23 CCDカメラ 24 走査型検出部 30 移動部 40 制御部 50 算出部 60 位置検出部 61 移動ミラー 301、701 中心

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】ステージとパターン情報計測手段とを相対
    移動させ、該ステージ上に載置された基板上の被計測パ
    ターンを複数回計測し、 該複数回計測したパターンの情報の平均値を算出するこ
    とを特徴とするパターン計測方法。
  2. 【請求項2】前記パターンの情報は、前記被計測パター
    ンの線幅又は二次元位置であることを特徴とする請求項
    1に記載のパターン計測方法。
  3. 【請求項3】前記ステージと前記パターン情報計測手段
    とが所定間隔で相対移動する毎に、前記被計測パターン
    の計測を行なうことを特徴とする請求項1又は2に記載
    のパターン計測方法。
  4. 【請求項4】前記パターン情報計測手段は、前記被計測
    パターンのエッジを検出し、 前記パターンの情報は、該被計測パターンのエッジを検
    出した検出結果と、前記ステージと該パターン情報計測
    手段との相対移動を検出した検出結果とに基づいて算出
    されることを特徴とする請求項1乃至3の何れか1項に
    記載のパターン計測方法。
  5. 【請求項5】基板を載置するステージと、 該基板上の被計測パターンを計測するパターン情報計測
    手段と、 該ステージと該パターン情報計測手段とを相対移動させ
    る移動手段と、 該移動手段により該ステージと該パターン情報計測手段
    とを移動させ、該パターン情報計測手段による該被計測
    パターンの計測を複数回行なわせる制御手段と、 複数回計測された該パターンの情報の平均値を算出する
    算出手段とを備えることを特徴とするパターン計測装
    置。
  6. 【請求項6】前記パターンの情報は、前記被計測パター
    ンの線幅又は二次元位置であることを特徴とする請求項
    5に記載のパターン計測装置。
  7. 【請求項7】前記制御手段は、前記ステージと前記パタ
    ーン情報計測手段とが所定間隔で相対移動する毎に、前
    記被計測パターンの計測を行なわせることを特徴とする
    請求項5又は6に記載のパターン計測装置。
  8. 【請求項8】前記パターン情報計測手段は、前記被計測
    パターンのエッジを検出する検出光学系を有し、 前記移動手段は、前記ステージと該検出光学系との相対
    移動位置を検出する位置検出手段を有し、 前記パターンの情報は、該検出光学系の検出結果と該位
    置検出手段の検出結果とに基づいて算出されることを特
    徴とする請求項5乃至7の何れか1項に記載のパターン
    計測装置。
JP11135157A 1999-05-17 1999-05-17 パターン計測方法およびパターン計測装置 Withdrawn JP2000321027A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP11135157A JP2000321027A (ja) 1999-05-17 1999-05-17 パターン計測方法およびパターン計測装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP11135157A JP2000321027A (ja) 1999-05-17 1999-05-17 パターン計測方法およびパターン計測装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2000321027A true JP2000321027A (ja) 2000-11-24

Family

ID=15145158

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP11135157A Withdrawn JP2000321027A (ja) 1999-05-17 1999-05-17 パターン計測方法およびパターン計測装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2000321027A (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002341517A (ja) * 2001-05-15 2002-11-27 Lsi Logic Corp 集積回路製造におけるレチクルcdを測定する走査型システム及び方法
US7429116B2 (en) 2003-12-19 2008-09-30 Carl Zeiss Smt Ag Projection objective and method for its manufacture
US8542346B2 (en) 2006-12-01 2013-09-24 Carl Zeiss Smt Gmbh Optical system with an exchangeable, manipulable correction arrangement for reducing image aberrations
US8605253B2 (en) 2006-07-03 2013-12-10 Carl Zeiss Smt Gmbh Lithographic projection objective

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002341517A (ja) * 2001-05-15 2002-11-27 Lsi Logic Corp 集積回路製造におけるレチクルcdを測定する走査型システム及び方法
JP4733857B2 (ja) * 2001-05-15 2011-07-27 エルエスアイ コーポレーション 集積回路製造におけるレチクルcdを測定する走査型システム及び方法
US7429116B2 (en) 2003-12-19 2008-09-30 Carl Zeiss Smt Ag Projection objective and method for its manufacture
US8944615B2 (en) 2003-12-19 2015-02-03 Carl Zeiss Smt Gmbh Projection objective and method for its manufacture
US8605253B2 (en) 2006-07-03 2013-12-10 Carl Zeiss Smt Gmbh Lithographic projection objective
US9494868B2 (en) 2006-07-03 2016-11-15 Carl Zeiss Smt Gmbh Lithographic projection objective
US10042265B2 (en) 2006-07-03 2018-08-07 Carl Zeiss Smt Gmbh Lithographic projection objective
US8542346B2 (en) 2006-12-01 2013-09-24 Carl Zeiss Smt Gmbh Optical system with an exchangeable, manipulable correction arrangement for reducing image aberrations
US8659745B2 (en) 2006-12-01 2014-02-25 Carl Zeiss Smt Gmbh Optical system with an exchangeable, manipulable correction arrangement for reducing image aberrations

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2712772B2 (ja) パターン位置測定方法及び装置
US10488180B2 (en) Mask inspection apparatus and mask inspection method
US6600561B2 (en) Apparatus and method for measuring pattern alignment error
JPH05304077A (ja) 位置合わせ方法
JP2000321027A (ja) パターン計測方法およびパターン計測装置
KR100396146B1 (ko) 위치검출장치 및 방법
JP2001281166A (ja) 周期性パターンの欠陥検査方法および装置
JP2003315014A (ja) 検査方法及び検査装置
JP4324848B2 (ja) 走査露光特性の評価方法及び露光装置
JP4106836B2 (ja) 検査装置
JP5305967B2 (ja) 露光装置、露光方法、及び表示用パネル基板の製造方法
JP5151136B2 (ja) 形状測定装置
KR100229070B1 (ko) 인쇄 회로 기판의 크림 납 검사 장치 및 방법
JP3414181B2 (ja) 光ビーム測定装置
JPH11132762A (ja) 走査型露光装置の長尺鏡の平面度差の測定方法
JP3118839B2 (ja) 位置合わせ方法、投影露光方法、位置合わせ装置、投影露光装置
JP2005197483A (ja) 撮像手段の回転誤差計測方法、及びこの回転誤差計測方法を用いた調整方法又は計測方法、及びこの回転誤差計測方法で計測された回転誤差を使用する位置計測装置、及びこの位置計測装置を備えた露光装置
JP2001066111A (ja) 位置計測方法及び位置計測装置、並びに露光方法及び露光装置
JP2003121129A (ja) 形状測定装置及び形状測定方法
JP3237022B2 (ja) 投影露光装置
JPH05332761A (ja) パターン位置測定装置
JP2005265816A (ja) 非接触形状計測方法及び装置
JP2000321032A (ja) パターン計測方法およびパターン計測装置
JP4320796B2 (ja) パターン位置測定装置
JPH09275074A (ja) アライメント方法

Legal Events

Date Code Title Description
A300 Withdrawal of application because of no request for examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300

Effective date: 20060801