JP2000319255A - 置換インドール誘導体の製造方法 - Google Patents
置換インドール誘導体の製造方法Info
- Publication number
- JP2000319255A JP2000319255A JP2000071046A JP2000071046A JP2000319255A JP 2000319255 A JP2000319255 A JP 2000319255A JP 2000071046 A JP2000071046 A JP 2000071046A JP 2000071046 A JP2000071046 A JP 2000071046A JP 2000319255 A JP2000319255 A JP 2000319255A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- group
- indole
- palladium
- phosphine
- derivative
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
- Y02P20/50—Improvements relating to the production of bulk chemicals
- Y02P20/52—Improvements relating to the production of bulk chemicals using catalysts, e.g. selective catalysts
Landscapes
- Plural Heterocyclic Compounds (AREA)
- Indole Compounds (AREA)
- Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 入手容易な原料を用いた置換インドール誘導
体の簡便な製造方法を提供する。 【解決手段】 下記一般式（１） 【化１】 （式中、Ｒ1及びＲ2は各々独立して水素、アルキル基、
アリール基又はヘテロアリール基を表し、Ｒ3は水素又
はアリール基を表し、Ｘはハロゲンを表す。）で示され
るヒドラゾン誘導体を、ホスフィンとパラジウム化合物
を含む触媒、下記一般式（２） Ｒ4Ｒ5ＮＨ （２） （式中、Ｒ4及びＲ5は各々独立して水素、アルキル基又
はアリール基を表し、さらにＲ4とＲ5が任意に結合して
ヘテロ環を形成していてもよい。）で示されるアミン、
及び塩基の存在下で反応させる。
体の簡便な製造方法を提供する。 【解決手段】 下記一般式（１） 【化１】 （式中、Ｒ1及びＲ2は各々独立して水素、アルキル基、
アリール基又はヘテロアリール基を表し、Ｒ3は水素又
はアリール基を表し、Ｘはハロゲンを表す。）で示され
るヒドラゾン誘導体を、ホスフィンとパラジウム化合物
を含む触媒、下記一般式（２） Ｒ4Ｒ5ＮＨ （２） （式中、Ｒ4及びＲ5は各々独立して水素、アルキル基又
はアリール基を表し、さらにＲ4とＲ5が任意に結合して
ヘテロ環を形成していてもよい。）で示されるアミン、
及び塩基の存在下で反応させる。
Description
【０００１】
【発明に属する技術分野】本発明は、置換インドール誘
導体の製造方法に関するものである。さらに詳しくは、
ハロゲン化アリール基を有するヒドラゾン誘導体を、ホ
スフィンとパラジウム化合物からなる触媒、アミン、及
び塩基を用いて、分子内環化させると同時に窒素を含ま
ない芳香環上にアミノ基を導入することからなる置換イ
ンドール誘導体の製造方法である。これらの置換インド
ール誘導体は医農薬原料及び電子材料原料等として有用
な化合物である。
導体の製造方法に関するものである。さらに詳しくは、
ハロゲン化アリール基を有するヒドラゾン誘導体を、ホ
スフィンとパラジウム化合物からなる触媒、アミン、及
び塩基を用いて、分子内環化させると同時に窒素を含ま
ない芳香環上にアミノ基を導入することからなる置換イ
ンドール誘導体の製造方法である。これらの置換インド
ール誘導体は医農薬原料及び電子材料原料等として有用
な化合物である。
【０００２】
【従来の技術】従来、置換インドール誘導体の合成法と
しては多くの方法が研究されてきており、フィッシャー
法、ライサート法、ビシュラー法等、著名な方法が古く
から知られている。また最近では、特開平３−２４０５
５号公報に記載されているパラジウム−銅−酸素による
ニトロスチレンを原料とする方法、Ｓ．Ｌ．Ｂｕｃｈｗ
ａｌｄらによる、パラジウム／ホスフィン触媒で合成し
たインドリン化合物のパラジウムカーボンを用いる脱水
素によるインドール誘導体合成（Ｊｏｕｒｎａｌｏｆ
Ａｍｅｒｉｃａｎ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｓｏｃｉｅｔ
ｙ，１９９８年，１２０巻，３０６８−３０７３頁）が
報告されている。
しては多くの方法が研究されてきており、フィッシャー
法、ライサート法、ビシュラー法等、著名な方法が古く
から知られている。また最近では、特開平３−２４０５
５号公報に記載されているパラジウム−銅−酸素による
ニトロスチレンを原料とする方法、Ｓ．Ｌ．Ｂｕｃｈｗ
ａｌｄらによる、パラジウム／ホスフィン触媒で合成し
たインドリン化合物のパラジウムカーボンを用いる脱水
素によるインドール誘導体合成（Ｊｏｕｒｎａｌｏｆ
Ａｍｅｒｉｃａｎ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｓｏｃｉｅｔ
ｙ，１９９８年，１２０巻，３０６８−３０７３頁）が
報告されている。
【０００３】ｏ−ヨードアニリンとケトンからパラジウ
ム触媒環化によるインドール合成（C．Ｃｈｅｎら、Ｊ
ｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｓｔ
ｒｙ，１９９７年、６２巻、２６７６−２６７７頁）及
びｏ−ヨードアニリンとアルキンからパラジウム触媒環
化によるインドール合成（Ｒ．C．Ｌａｒｏｃｋら、Ｊ
ｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｓｔ
ｒｙ，１９９８年、６３巻、７６５２−７６６２頁）が
報告されている。
ム触媒環化によるインドール合成（C．Ｃｈｅｎら、Ｊ
ｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｓｔ
ｒｙ，１９９７年、６２巻、２６７６−２６７７頁）及
びｏ−ヨードアニリンとアルキンからパラジウム触媒環
化によるインドール合成（Ｒ．C．Ｌａｒｏｃｋら、Ｊ
ｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｓｔ
ｒｙ，１９９８年、６３巻、７６５２−７６６２頁）が
報告されている。
【０００４】また１−アミノインドールの合成法とし
て、ｏ−ニトロソフェニルエチルアミンの電気化学的な
変換法が報告されている（Ｂ．Ａ．Ｆ−Ｕｒｉｂｅら、
Ｅｕｒｏｐｅａｎ Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｏｒｇａｎ
ｉｃ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ，１９９９年，２巻、４１９
−４３０頁）。
て、ｏ−ニトロソフェニルエチルアミンの電気化学的な
変換法が報告されている（Ｂ．Ａ．Ｆ−Ｕｒｉｂｅら、
Ｅｕｒｏｐｅａｎ Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｏｒｇａｎ
ｉｃ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ，１９９９年，２巻、４１９
−４３０頁）。
【０００５】Ａ．Ｄ．Ｂａｔｃｈｏらによるｏ−ニトロ
トルエン誘導体を用いる還元的環化によるインドール合
成（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｓｙｎｔｈｅｓｅｓ，１９８５
年，６３巻，２１４−２２４頁）が報告されている。
トルエン誘導体を用いる還元的環化によるインドール合
成（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｓｙｎｔｈｅｓｅｓ，１９８５
年，６３巻，２１４−２２４頁）が報告されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、これら
の方法では原料の入手が難しく、置換インドール類を合
成する場合、インドール環上の置換基の位置は、主に５
位、６位、又は７位等の特定の位置のみに限られ、イン
ドール環の４位のみに置換基を導入することは容易では
なかった。
の方法では原料の入手が難しく、置換インドール類を合
成する場合、インドール環上の置換基の位置は、主に５
位、６位、又は７位等の特定の位置のみに限られ、イン
ドール環の４位のみに置換基を導入することは容易では
なかった。
【０００７】本発明は上記の課題に鑑みてなされたもの
であり、その目的は、入手容易な原料を用いた置換イン
ドール誘導体の簡便な製造方法を提供することである。
であり、その目的は、入手容易な原料を用いた置換イン
ドール誘導体の簡便な製造方法を提供することである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記課題
を解決するため鋭意検討を行った結果、入手容易な２−
クロロトルエン骨格を有する化合物から合成することが
できるハロゲン化アリール基を有するヒドラゾン誘導体
を原料に用い、ホスフィンとパラジウム化合物を含む触
媒、アミン、及び塩基を用いて、分子内環化させると同
時に窒素を含まない芳香環上にアミノ基を導入すること
で、置換インドール誘導体が合成できることを見出し、
本発明を完成させるに至った。
を解決するため鋭意検討を行った結果、入手容易な２−
クロロトルエン骨格を有する化合物から合成することが
できるハロゲン化アリール基を有するヒドラゾン誘導体
を原料に用い、ホスフィンとパラジウム化合物を含む触
媒、アミン、及び塩基を用いて、分子内環化させると同
時に窒素を含まない芳香環上にアミノ基を導入すること
で、置換インドール誘導体が合成できることを見出し、
本発明を完成させるに至った。
【０００９】即ち本発明は、下記一般式（１）
【００１０】
【化３】
【００１１】（式中、Ｒ1及びＲ2は各々独立して水素、
アルキル基、アリール基又はヘテロアリール基を表し、
Ｒ3は水素又はアリール基を表し、Ｘはハロゲンを表
す。）で示されるヒドラゾン誘導体を、ホスフィンとパ
ラジウム化合物を含む触媒、下記一般式（２） Ｒ4Ｒ5ＮＨ （２） （式中、Ｒ4及びＲ5は各々独立して水素、アルキル基又
はアリール基を表し、さらにＲ4とＲ5が任意に結合して
ヘテロ環を形成していてもよい。）で示されるアミン、
及び塩基の存在下、反応させることを特徴とする、下記
一般式（３）
アルキル基、アリール基又はヘテロアリール基を表し、
Ｒ3は水素又はアリール基を表し、Ｘはハロゲンを表
す。）で示されるヒドラゾン誘導体を、ホスフィンとパ
ラジウム化合物を含む触媒、下記一般式（２） Ｒ4Ｒ5ＮＨ （２） （式中、Ｒ4及びＲ5は各々独立して水素、アルキル基又
はアリール基を表し、さらにＲ4とＲ5が任意に結合して
ヘテロ環を形成していてもよい。）で示されるアミン、
及び塩基の存在下、反応させることを特徴とする、下記
一般式（３）
【００１２】
【化４】
【００１３】（式中、Ｒ1及びＲ2は各々独立して水素、
アルキル基、アリール基又はヘテロアリール基を表し、
Ｒ3は水素又はアリール基を表す。また、Ｒ4及びＲ5は
各々独立して水素、アルキル基又はアリール基を表し、
さらにＲ4とＲ5が任意に結合してヘテロ環を形成してい
てもよい。）で示される置換インドール誘導体の製造方
法である。
アルキル基、アリール基又はヘテロアリール基を表し、
Ｒ3は水素又はアリール基を表す。また、Ｒ4及びＲ5は
各々独立して水素、アルキル基又はアリール基を表し、
さらにＲ4とＲ5が任意に結合してヘテロ環を形成してい
てもよい。）で示される置換インドール誘導体の製造方
法である。
【００１４】以下、本発明を更に詳細に説明する。
【００１５】本発明においては、ホスフィンとパラジウ
ム化合物を成分とする触媒、上記一般式（２）で示され
るアミン、及び塩基の存在下、上記一般式（１）で示さ
れるハロゲン化アリール基を有するヒドラゾン誘導体を
分子内環化させると同時に窒素を含まない芳香環上にア
ミノ基を導入する。
ム化合物を成分とする触媒、上記一般式（２）で示され
るアミン、及び塩基の存在下、上記一般式（１）で示さ
れるハロゲン化アリール基を有するヒドラゾン誘導体を
分子内環化させると同時に窒素を含まない芳香環上にア
ミノ基を導入する。
【００１６】上記一般式（１）で示されるヒドラゾン誘
導体の置換基Ｒ1及びＲ2のアルキル基としては、メチル
基、エチル基、プロピル基、ブチル基等であり、置換基
Ｒ1〜Ｒ3のアリール基としては、フェニル基、４−トリ
ル基、４−トリフルオロメチルフェニル基、４−メトキ
シフェニル基、４−ビフェニル基等である。置換基Ｒ1
及びＲ2のヘテロアリール基としては、４−ピリジル
基、３−ピリジル基、２−ピリジル基、２−フリル基、
２−チエニル基等を挙げることができる。Ｘのハロゲン
としては、塩素、臭素、ヨウ素である。
導体の置換基Ｒ1及びＲ2のアルキル基としては、メチル
基、エチル基、プロピル基、ブチル基等であり、置換基
Ｒ1〜Ｒ3のアリール基としては、フェニル基、４−トリ
ル基、４−トリフルオロメチルフェニル基、４−メトキ
シフェニル基、４−ビフェニル基等である。置換基Ｒ1
及びＲ2のヘテロアリール基としては、４−ピリジル
基、３−ピリジル基、２−ピリジル基、２−フリル基、
２−チエニル基等を挙げることができる。Ｘのハロゲン
としては、塩素、臭素、ヨウ素である。
【００１７】上記一般式（１）で示されるハロゲン化ア
リール基を有するヒドラゾン誘導体の製造方法は特に限
定するものではないが、例えば、下式に示される方法に
より合成することができる。
リール基を有するヒドラゾン誘導体の製造方法は特に限
定するものではないが、例えば、下式に示される方法に
より合成することができる。
【００１８】
【化５】
【００１９】即ち、ベンゼン環の２位にハロゲンである
Ｘ及びベンゼン環上にもう１つのハロゲンＸを有するベ
ンジルハライド（Ａ）をエーテル中、マグネシウムと接
触させることにより対応するベンジルグリニャール試薬
を調製した後、Ｎ，Ｎ−ジメチルカルボン酸アミド（Ｒ
3ＣＯＮＭｅ2）と反応させる。生成した置換基を有する
ベンジルケトン又はベンジルアルデヒド（Ｒ3＝Ｈ）
（Ｂ）とヒドラジン化合物（Ｒ1Ｒ2ＮＮＨ2）をトルエ
ン中、反応せしめることで、本発明の製造法の原料であ
るヒドラゾン誘導体（１）を合成することができる。
Ｘ及びベンゼン環上にもう１つのハロゲンＸを有するベ
ンジルハライド（Ａ）をエーテル中、マグネシウムと接
触させることにより対応するベンジルグリニャール試薬
を調製した後、Ｎ，Ｎ−ジメチルカルボン酸アミド（Ｒ
3ＣＯＮＭｅ2）と反応させる。生成した置換基を有する
ベンジルケトン又はベンジルアルデヒド（Ｒ3＝Ｈ）
（Ｂ）とヒドラジン化合物（Ｒ1Ｒ2ＮＮＨ2）をトルエ
ン中、反応せしめることで、本発明の製造法の原料であ
るヒドラゾン誘導体（１）を合成することができる。
【００２０】２，６−ジクロロベンジルクロライド、
２，４−ジクロロベンジルクロライド、及び２，５−ジ
クロロベンジルクロライド等の各種のハロゲン置換され
たベンジルハライド（Ａ）は市販されており、容易に入
手することが可能である。また、ジクロロトルエン類も
入手容易であり、側鎖メチル基は常法により塩素化又は
臭素化せしめて、ハロゲン置換されたベンジルハライド
（Ａ）とすることもできる。このように本発明の原料と
なるヒドラゾン誘導体は、入手容易な化合物から合成す
ることができるものである。該合成法によるヒドラゾン
誘導体の収率は、ハロゲン置換されたベンジルハライド
（Ａ）から通算して５０〜６０％である。
２，４−ジクロロベンジルクロライド、及び２，５−ジ
クロロベンジルクロライド等の各種のハロゲン置換され
たベンジルハライド（Ａ）は市販されており、容易に入
手することが可能である。また、ジクロロトルエン類も
入手容易であり、側鎖メチル基は常法により塩素化又は
臭素化せしめて、ハロゲン置換されたベンジルハライド
（Ａ）とすることもできる。このように本発明の原料と
なるヒドラゾン誘導体は、入手容易な化合物から合成す
ることができるものである。該合成法によるヒドラゾン
誘導体の収率は、ハロゲン置換されたベンジルハライド
（Ａ）から通算して５０〜６０％である。
【００２１】本発明において使用される上記一般式
（２）で示されるアミンとしては、具体的には、ジメチ
ルアミン、ジエチルアミン、ジ（ｎ−ブチル）アミン、
アニリン、Ｎ−メチルアニリン、ジフェニルアミン、ジ
（ｐ−トリル）アミン、ジ（ｐ−メトキシフェニル）ア
ミン、ジ（ｐ−フルオロフェニル）アミン、ジ｛ｍ−
（トリフルオロメチル）フェニル｝アミン、ｍ−（トリ
フルオロメチル）アニリン、ピペラジン、４−アルキル
−１−ピペラジン、２−メチルピペラジン、ホモピペラ
ジン、ピロール、インドール及びカルバゾール等が挙げ
られうる。これらのアミンの使用量は上記一般式（１）
で示される化合物に対してモル比で０．７〜１０の範囲
であり、より好ましくは０．９〜６の範囲である。
（２）で示されるアミンとしては、具体的には、ジメチ
ルアミン、ジエチルアミン、ジ（ｎ−ブチル）アミン、
アニリン、Ｎ−メチルアニリン、ジフェニルアミン、ジ
（ｐ−トリル）アミン、ジ（ｐ−メトキシフェニル）ア
ミン、ジ（ｐ−フルオロフェニル）アミン、ジ｛ｍ−
（トリフルオロメチル）フェニル｝アミン、ｍ−（トリ
フルオロメチル）アニリン、ピペラジン、４−アルキル
−１−ピペラジン、２−メチルピペラジン、ホモピペラ
ジン、ピロール、インドール及びカルバゾール等が挙げ
られうる。これらのアミンの使用量は上記一般式（１）
で示される化合物に対してモル比で０．７〜１０の範囲
であり、より好ましくは０．９〜６の範囲である。
【００２２】本反応においては触媒として、パラジウム
化合物とホスフィンを組み合わせて反応系に加える。添
加方法は、反応系にそれぞれ単独に加えても、予め錯体
の形に調製して添加してもよい。
化合物とホスフィンを組み合わせて反応系に加える。添
加方法は、反応系にそれぞれ単独に加えても、予め錯体
の形に調製して添加してもよい。
【００２３】本発明で用いるパラジウム化合物としては
特に限定するものではないが、例えば、塩化パラジウム
（ＩＩ）、臭化パラジウム（ＩＩ）、酢酸パラジウム
（ＩＩ）、パラジウムアセチルアセトナート（ＩＩ）、
ジクロロビス（ベンゾニトリル）パラジウム（ＩＩ）、
ジクロロビス（アセトニトリル）パラジウム（ＩＩ）、
ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム
（ＩＩ）、ジクロロテトラアンミンパラジウム（Ｉ
Ｉ）、ジクロロ（シクロオクタ−１，５−ジエン）パラ
ジウム（ＩＩ）、パラジウムトリフルオロアセテート
（ＩＩ）等の２価パラジウム化合物、トリス（ジベンジ
リデンアセトン）二パラジウム（０）、トリス（ジベン
ジリデンアセトン）二パラジウムクロロホルム錯体
（０）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジ
ウム（０）等の０価パラジウム化合物を挙げることがで
きる。これらのうち、特に好ましくは、酢酸パラジウム
及びトリス（ジベンジリデンアセトン）二パラジウム
（０）である。パラジウム化合物の使用量は、特に限定
するものではないが、上記一般式（１）で示される化合
物に対し、パラジウム換算で０．００１〜１０モル％で
あり、より好ましくはパラジウム換算で０．００５〜７
モル％であり、更に好ましくはパラジウム換算で０．０
０５〜５モル％である。
特に限定するものではないが、例えば、塩化パラジウム
（ＩＩ）、臭化パラジウム（ＩＩ）、酢酸パラジウム
（ＩＩ）、パラジウムアセチルアセトナート（ＩＩ）、
ジクロロビス（ベンゾニトリル）パラジウム（ＩＩ）、
ジクロロビス（アセトニトリル）パラジウム（ＩＩ）、
ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム
（ＩＩ）、ジクロロテトラアンミンパラジウム（Ｉ
Ｉ）、ジクロロ（シクロオクタ−１，５−ジエン）パラ
ジウム（ＩＩ）、パラジウムトリフルオロアセテート
（ＩＩ）等の２価パラジウム化合物、トリス（ジベンジ
リデンアセトン）二パラジウム（０）、トリス（ジベン
ジリデンアセトン）二パラジウムクロロホルム錯体
（０）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジ
ウム（０）等の０価パラジウム化合物を挙げることがで
きる。これらのうち、特に好ましくは、酢酸パラジウム
及びトリス（ジベンジリデンアセトン）二パラジウム
（０）である。パラジウム化合物の使用量は、特に限定
するものではないが、上記一般式（１）で示される化合
物に対し、パラジウム換算で０．００１〜１０モル％で
あり、より好ましくはパラジウム換算で０．００５〜７
モル％であり、更に好ましくはパラジウム換算で０．０
０５〜５モル％である。
【００２４】本発明において使用されるホスフィンの具
体例としては、トリ（ターシャリーブチル）ホスフィ
ン、１−（Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノメチル）−２−（ジ
ターシャーリーブチルホスフィノ）フェロセン、１−
（メトキシメチル）−２−（ジターシャーリーブチルホ
スフィノ）フェロセン、１，１’−ビス（ジターシャー
リーブチルホスフィノ）フェロセン、２，２’−ビス
（ジターシャーリーブチルホスフィノ）−１，１’−ビ
ナフチル、２−メトキシ−２’−（ジターシャーリーブ
チルホスフィノ）−１，１’−ビナフチル、２−（ジタ
ーシャリーブチルホスフィノ）ビフェニル、２−（ジタ
ーシャリーブチルホスフィノ）−２’−ジメチルアミノ
ビフェニル、２−（ジターシャリーブチルホスフィノ）
−２’−ジメチルアミノ−１，１’−ビナフチル、（ジ
ターシャリーブチルホスフィノ）フェロセン、９，９−
ジメチル−４，５−ビス（ジターシャリーブチルホスフ
ィノ）キサンテン等のターシャーリーブチル−リン結合
を有するホスフィン、及びトリ（ｏ−トリル）ホスフィ
ン、２，２’−ビス（ジフェニルホスフィノ）−１，
１’−ビナフチル、１−（Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノメチ
ル）−２−（ジフェニルホスフィノ）フェロセン、１−
（メトキシメチル）−２−（ジフェニルホスフィノ）フ
ェロセン等の芳香族ホスフィン、９，９−ジメチル−
４，５−ビス（ジフェニルホスフィノ）キサンテン等を
挙げることができる。特に反応の活性及び選択性を著し
く向上させることが可能な、ターシャーリーブチル−リ
ン結合を有するホスフィンを用いることが好ましい。ホ
スフィンの使用量は特に限定するものではないが、パラ
ジウム化合物に対して０．５〜１０倍モルが適当であ
り、より好ましくはパラジウム化合物に対して０．８〜
５倍モルの範囲である。
体例としては、トリ（ターシャリーブチル）ホスフィ
ン、１−（Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノメチル）−２−（ジ
ターシャーリーブチルホスフィノ）フェロセン、１−
（メトキシメチル）−２−（ジターシャーリーブチルホ
スフィノ）フェロセン、１，１’−ビス（ジターシャー
リーブチルホスフィノ）フェロセン、２，２’−ビス
（ジターシャーリーブチルホスフィノ）−１，１’−ビ
ナフチル、２−メトキシ−２’−（ジターシャーリーブ
チルホスフィノ）−１，１’−ビナフチル、２−（ジタ
ーシャリーブチルホスフィノ）ビフェニル、２−（ジタ
ーシャリーブチルホスフィノ）−２’−ジメチルアミノ
ビフェニル、２−（ジターシャリーブチルホスフィノ）
−２’−ジメチルアミノ−１，１’−ビナフチル、（ジ
ターシャリーブチルホスフィノ）フェロセン、９，９−
ジメチル−４，５−ビス（ジターシャリーブチルホスフ
ィノ）キサンテン等のターシャーリーブチル−リン結合
を有するホスフィン、及びトリ（ｏ−トリル）ホスフィ
ン、２，２’−ビス（ジフェニルホスフィノ）−１，
１’−ビナフチル、１−（Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノメチ
ル）−２−（ジフェニルホスフィノ）フェロセン、１−
（メトキシメチル）−２−（ジフェニルホスフィノ）フ
ェロセン等の芳香族ホスフィン、９，９−ジメチル−
４，５−ビス（ジフェニルホスフィノ）キサンテン等を
挙げることができる。特に反応の活性及び選択性を著し
く向上させることが可能な、ターシャーリーブチル−リ
ン結合を有するホスフィンを用いることが好ましい。ホ
スフィンの使用量は特に限定するものではないが、パラ
ジウム化合物に対して０．５〜１０倍モルが適当であ
り、より好ましくはパラジウム化合物に対して０．８〜
５倍モルの範囲である。
【００２５】本発明において使用される塩基としては、
有機塩基及び無機塩基からなる群より選択すればよく、
特に限定する必要はないが、より好ましくは、水素化ナ
トリウム、水素化カリウム、水素化リチウム、ナトリウ
ムアミド、カリウムアミド、リチウムアミド、炭酸カリ
ウム、炭酸ナトリウム、炭酸リチウム、炭酸ルビジウ
ム、炭酸セシウム、炭酸水素カリウム、炭酸水素ナトリ
ウム、ナトリウム金属、カリウム金属、リチウム金属、
メトキシナトリウム、メトキシカリウム、エトキシナト
リウム、エトキシカリウム、エトキシリチウム、ターシ
ャリーブトキシリチウム、ターシャリーブトキシナトリ
ウム、ターシャリーブトキシカリウム等を具体例として
挙げることができる。特に好ましくはターシャリーブト
キシナトリウム及び炭酸塩である。これらの塩基の使用
量は、一般式（１）で示される化合物に対してモル比で
０．７〜５の範囲であり、より好ましくは０．９〜３の
範囲である。
有機塩基及び無機塩基からなる群より選択すればよく、
特に限定する必要はないが、より好ましくは、水素化ナ
トリウム、水素化カリウム、水素化リチウム、ナトリウ
ムアミド、カリウムアミド、リチウムアミド、炭酸カリ
ウム、炭酸ナトリウム、炭酸リチウム、炭酸ルビジウ
ム、炭酸セシウム、炭酸水素カリウム、炭酸水素ナトリ
ウム、ナトリウム金属、カリウム金属、リチウム金属、
メトキシナトリウム、メトキシカリウム、エトキシナト
リウム、エトキシカリウム、エトキシリチウム、ターシ
ャリーブトキシリチウム、ターシャリーブトキシナトリ
ウム、ターシャリーブトキシカリウム等を具体例として
挙げることができる。特に好ましくはターシャリーブト
キシナトリウム及び炭酸塩である。これらの塩基の使用
量は、一般式（１）で示される化合物に対してモル比で
０．７〜５の範囲であり、より好ましくは０．９〜３の
範囲である。
【００２６】本反応は、通常は不活性溶媒下に実施され
る。使用できる溶媒としては、本反応を著しく阻害しな
い溶媒であればよく、ベンゼン、トルエン、キシレン等
の芳香族炭化水素溶媒、ジエチルエーテル、テトラヒド
ロフラン、ジオキサン等のエーテル溶媒、アセトニトリ
ル、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、ヘ
キサメチルホスホトリアミド等を例示することができ
る。より好ましくは、ベンゼン、トルエン、キシレン等
の芳香族炭化水素溶媒である。
る。使用できる溶媒としては、本反応を著しく阻害しな
い溶媒であればよく、ベンゼン、トルエン、キシレン等
の芳香族炭化水素溶媒、ジエチルエーテル、テトラヒド
ロフラン、ジオキサン等のエーテル溶媒、アセトニトリ
ル、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、ヘ
キサメチルホスホトリアミド等を例示することができ
る。より好ましくは、ベンゼン、トルエン、キシレン等
の芳香族炭化水素溶媒である。
【００２７】本反応は、常圧下、窒素、アルゴン等の不
活性ガス雰囲気下に実施されるが、加圧条件下に実施す
ることもできる。反応温度は２０℃〜３００℃の範囲で
実施されるが、より好ましくは５０℃〜２００℃の範囲
である。反応時間は、反応条件、一般式（１）で示され
る化合物、及びパラジウム化合物等により異なるが、数
分〜７２時間の範囲から選択すればよい。反応終了後、
常法に従い処理することにより目的とする化合物を得る
ことができる。
活性ガス雰囲気下に実施されるが、加圧条件下に実施す
ることもできる。反応温度は２０℃〜３００℃の範囲で
実施されるが、より好ましくは５０℃〜２００℃の範囲
である。反応時間は、反応条件、一般式（１）で示され
る化合物、及びパラジウム化合物等により異なるが、数
分〜７２時間の範囲から選択すればよい。反応終了後、
常法に従い処理することにより目的とする化合物を得る
ことができる。
【００２８】本発明で製造することのできる上記一般式
（３）で示される置換インドール誘導体の具体例として
は、以下のものを挙げることができる。即ち、４−ジメ
チルアミノ−１−（ジメチルアミノ）インドール、４−
ジブチルアミノ−１−（メチルアミノ）インドール、４
−（Ｎ−フェニル−Ｎ−メチルアミノ）−１−（ジフェ
ニルアミノ）インドール、４−（１−ピペラジニル）−
１−（ジメチルアミノ）インドール、４−（１−ピペラ
ジニル）−１−（ジフェニルアミノ）インドール、４−
（１−ピペラジニル）−１−（Ｎ−フェニル−Ｎ−メチ
ルアミノ）インドール、４−（１−ピペラジニル）−１
−｛（Ｎ−（４−ピリジル）−Ｎ−メチルアミノ｝イン
ドール、４−（１−ピペラジニル）−１−｛（Ｎ−（３
−ピリジル）−Ｎ−メチルアミノ｝インドール、４−
（１−ピペラジニル）−１−｛（Ｎ−（２−フリル）−
Ｎ−メチルアミノ｝インドール、４−（１−ピペラジニ
ル）−１−｛（Ｎ−（２−チエニル）−Ｎ−メチルアミ
ノ｝インドール、４−（１−ピペラジニル）−１−
｛（Ｎ−（４−トリフルオロメチルフェニル）−Ｎ−メ
チルアミノ｝インドール、４−（１−ピペラジニル）−
１−（ジメチルアミノ）−２−フェニルインドール、４
−（１−ピロリル）−１−（ジメチルアミノ）インドー
ル、４−（１−インドリル）−１−（ジメチルアミノ）
インドール、６−（１−ピペラジニル）−１−（ジメチ
ルアミノ）インドール、６−（１−ピロリル）−１−
（ジメチルアミノ）インドール、４−（１−ホモピペラ
ジニル）−１−（ジメチルアミノ）インドール、４−
（３−メチル−１−ピペラジニル）−１−（ジメチルア
ミノ）インドール、４−（９−カルバゾリル）−１−
（ジメチルアミノ）インドール等のインドール誘導体を
挙げることができる。
（３）で示される置換インドール誘導体の具体例として
は、以下のものを挙げることができる。即ち、４−ジメ
チルアミノ−１−（ジメチルアミノ）インドール、４−
ジブチルアミノ−１−（メチルアミノ）インドール、４
−（Ｎ−フェニル−Ｎ−メチルアミノ）−１−（ジフェ
ニルアミノ）インドール、４−（１−ピペラジニル）−
１−（ジメチルアミノ）インドール、４−（１−ピペラ
ジニル）−１−（ジフェニルアミノ）インドール、４−
（１−ピペラジニル）−１−（Ｎ−フェニル−Ｎ−メチ
ルアミノ）インドール、４−（１−ピペラジニル）−１
−｛（Ｎ−（４−ピリジル）−Ｎ−メチルアミノ｝イン
ドール、４−（１−ピペラジニル）−１−｛（Ｎ−（３
−ピリジル）−Ｎ−メチルアミノ｝インドール、４−
（１−ピペラジニル）−１−｛（Ｎ−（２−フリル）−
Ｎ−メチルアミノ｝インドール、４−（１−ピペラジニ
ル）−１−｛（Ｎ−（２−チエニル）−Ｎ−メチルアミ
ノ｝インドール、４−（１−ピペラジニル）−１−
｛（Ｎ−（４−トリフルオロメチルフェニル）−Ｎ−メ
チルアミノ｝インドール、４−（１−ピペラジニル）−
１−（ジメチルアミノ）−２−フェニルインドール、４
−（１−ピロリル）−１−（ジメチルアミノ）インドー
ル、４−（１−インドリル）−１−（ジメチルアミノ）
インドール、６−（１−ピペラジニル）−１−（ジメチ
ルアミノ）インドール、６−（１−ピロリル）−１−
（ジメチルアミノ）インドール、４−（１−ホモピペラ
ジニル）−１−（ジメチルアミノ）インドール、４−
（３−メチル−１−ピペラジニル）−１−（ジメチルア
ミノ）インドール、４−（９−カルバゾリル）−１−
（ジメチルアミノ）インドール等のインドール誘導体を
挙げることができる。
【００２９】
【発明の効果】本発明により、医薬、農薬原料及び電子
材料原料等として有用な置換インドール誘導体が、入手
容易なハロゲン化アリール基を有するヒドラゾン誘導体
を原料に用い、パラジウム化合物とホスフィンからなる
触媒、アミン、及び塩基存在下、分子内環化させると同
時に窒素を含まない芳香環上にアミノ基を導入すること
により合成することが可能となった。また、本発明の製
造法で得ることができる置換インドール化合物は、環内
窒素に直接窒素が結合した１−アミノ構造を有してい
る。このような構造の化合物は、例えば、特開平７−５
３３７６号公報には医薬としての用途が記載されている
有用な化合物であるが、従来の方法では限られた実施例
しかなく、また合成に手間を要していたが、本発明の方
法を用いて容易に合成することが可能となった。さら
に、従来法ではインドール環の４位のみに置換基を導入
することは容易ではなかったが、本発明の製造方法では
入手容易な原料から、４位のみに置換基を有するインド
ール誘導体を合成することが可能になった。
材料原料等として有用な置換インドール誘導体が、入手
容易なハロゲン化アリール基を有するヒドラゾン誘導体
を原料に用い、パラジウム化合物とホスフィンからなる
触媒、アミン、及び塩基存在下、分子内環化させると同
時に窒素を含まない芳香環上にアミノ基を導入すること
により合成することが可能となった。また、本発明の製
造法で得ることができる置換インドール化合物は、環内
窒素に直接窒素が結合した１−アミノ構造を有してい
る。このような構造の化合物は、例えば、特開平７−５
３３７６号公報には医薬としての用途が記載されている
有用な化合物であるが、従来の方法では限られた実施例
しかなく、また合成に手間を要していたが、本発明の方
法を用いて容易に合成することが可能となった。さら
に、従来法ではインドール環の４位のみに置換基を導入
することは容易ではなかったが、本発明の製造方法では
入手容易な原料から、４位のみに置換基を有するインド
ール誘導体を合成することが可能になった。
【００３０】一方、本発明の生成物は、水素化還元する
ことにより窒素−窒素結合が容易に開裂するので、窒素
上に置換基を有さない置換インドール誘導体を提供する
こともできる。
ことにより窒素−窒素結合が容易に開裂するので、窒素
上に置換基を有さない置換インドール誘導体を提供する
こともできる。
【００３１】
【実施例】以下に本発明の実施例を示すが、本発明はこ
れらに限定されるものではない。
れらに限定されるものではない。
【００３２】参考例１ （２，６−ジクロロフェニルアセトアルデヒド Ｎ，Ｎ
−ジメチルヒドラゾンの合成）温度計、滴下ロート、３
方コック、及びメカニカルスターラーを備えた２００ｍ
ｌの三口フラスコを窒素置換し、マグネシウム１．８５
ｇ（７６ｍｍｏｌ）及びジエチルエーテル３０ｍｌを加
えた。滴下ロートに２，６−ジクロロベンジルクロライ
ド（東京化成品）１３．５ｇ（６９ｍｍｏｌ）及びジエ
チルエーテル４０ｍｌからなる溶液を加え、反応系内の
温度が３０℃前後になるように滴下した。３０分間室温
で熟成後、氷冷し、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド６ｇ
（８２ｍｍｏｌ）を滴下した。室温で１時間熟成後、氷
冷し、３Ｎ塩酸５０ｍｌを投入した。分相し、ジエチル
エーテルで抽出し、合わせた有機相を無水硫酸ナトリウ
ムで乾燥した。濾過、濃縮後、得られた残渣にメチルタ
ーシャーリーブチルエーテル５ｍｌを添加し、加熱溶解
させた。室温まで冷却後、析出した結晶を濾過し、２，
６−ジクロロフェニルアセトアルデヒドの結晶８．１ｇ
（４３ｍｍｏｌ）を得た。収率６２％。
−ジメチルヒドラゾンの合成）温度計、滴下ロート、３
方コック、及びメカニカルスターラーを備えた２００ｍ
ｌの三口フラスコを窒素置換し、マグネシウム１．８５
ｇ（７６ｍｍｏｌ）及びジエチルエーテル３０ｍｌを加
えた。滴下ロートに２，６−ジクロロベンジルクロライ
ド（東京化成品）１３．５ｇ（６９ｍｍｏｌ）及びジエ
チルエーテル４０ｍｌからなる溶液を加え、反応系内の
温度が３０℃前後になるように滴下した。３０分間室温
で熟成後、氷冷し、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド６ｇ
（８２ｍｍｏｌ）を滴下した。室温で１時間熟成後、氷
冷し、３Ｎ塩酸５０ｍｌを投入した。分相し、ジエチル
エーテルで抽出し、合わせた有機相を無水硫酸ナトリウ
ムで乾燥した。濾過、濃縮後、得られた残渣にメチルタ
ーシャーリーブチルエーテル５ｍｌを添加し、加熱溶解
させた。室温まで冷却後、析出した結晶を濾過し、２，
６−ジクロロフェニルアセトアルデヒドの結晶８．１ｇ
（４３ｍｍｏｌ）を得た。収率６２％。
【００３３】３０ｍｌの一口フラスコに１．０ｇのモレ
キュラーシーブ４Ａを加え、窒素置換した。上記で得ら
れた２，６−ジクロロフェニルアセトアルデヒド１．０
１ｇ（５．３ｍｍｏｌ）を加え、トルエン４ｍｌに溶解
させた。氷冷し、Ｎ，Ｎ−ジメチルヒドラジン３５１ｍ
ｇ（５．８ｍｍｏｌ）を投入した。室温で３時間攪拌
後、濾過し濾液を減圧下、濃縮した。残渣を２ｍｍＨｇ
の減圧下蒸留し、２，６−ジクロロフェニルアセトアル
デヒド Ｎ，Ｎ−ジメチルヒドラゾン１．１４ｇ（４．
９ｍｍｏｌ）を得た。収率９３％。
キュラーシーブ４Ａを加え、窒素置換した。上記で得ら
れた２，６−ジクロロフェニルアセトアルデヒド１．０
１ｇ（５．３ｍｍｏｌ）を加え、トルエン４ｍｌに溶解
させた。氷冷し、Ｎ，Ｎ−ジメチルヒドラジン３５１ｍ
ｇ（５．８ｍｍｏｌ）を投入した。室温で３時間攪拌
後、濾過し濾液を減圧下、濃縮した。残渣を２ｍｍＨｇ
の減圧下蒸留し、２，６−ジクロロフェニルアセトアル
デヒド Ｎ，Ｎ−ジメチルヒドラゾン１．１４ｇ（４．
９ｍｍｏｌ）を得た。収率９３％。
【００３４】参考例２ ２，６−ジクロロベンジルクロライドの代わりに、２，
４−ジクロロベンジルクロライド（和光純薬品）を用い
た以外は、参考例１と同様な操作を繰り返した。２，４
−ジクロロフェニルアセトアルデヒド Ｎ，Ｎ−ジメチ
ルヒドラゾンが、収率５３％（２，４−ジクロロベンジ
ルクロライド基準）で得られた。
４−ジクロロベンジルクロライド（和光純薬品）を用い
た以外は、参考例１と同様な操作を繰り返した。２，４
−ジクロロフェニルアセトアルデヒド Ｎ，Ｎ−ジメチ
ルヒドラゾンが、収率５３％（２，４−ジクロロベンジ
ルクロライド基準）で得られた。
【００３５】実施例１ 温度計、３方コック、マグネチックスターラーを備えた
３０ｍｌの三口フラスコを窒素置換し、ピペラジン５２
１ｍｇ（６．０ｍｍｏｌ）、トリス（ジベンジリデンア
セトン）二パラジウム（０）（ストレム製、２１．２ｍ
ｇ，パラジウムとして０．０４６ｍｍｏｌ，基質２，６
−ジクロロフェニルアセトアルデヒドＮ，Ｎ−ジメチル
ヒドラゾンに対して３．０ｍｏｌ％）、ターシャリーブ
トキシナトリウム３３１ｍｇ（３．４４ｍｍｏｌ）、ｏ
−キシレン５ｍｌ、１−（Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノメチ
ル）−２−（ジターシャーリーブチルホスフィノ）フェ
ロセン２６．７ｍｇ（０．０６９ｍｍｏｌ）、及び２，
６−ジクロロフェニルアセトアルデヒド Ｎ，Ｎ−ジメ
チルヒドラゾン３５０ｍｇ（１．５１ｍｍｏｌ）を、こ
の順番に加えた。１２０℃まで昇温した後、その温度で
２０時間撹拌した。室温まで冷却後、水１０ｍｌを添加
し、ジエチルエーテルで抽出した。無水硫酸ナトリウム
で乾燥後、濃縮した。残渣をアルミナカラムクロマトグ
ラフィーで精製し（溶媒；酢酸エチル：メタノール＝
５：１）、目的物の４−（１−ピペラジニル）−１−
（ジメチルアミノ）インドールを１１１ｍｇ（０．４５
ｍｍｏｌ）得た。収率３０％。
３０ｍｌの三口フラスコを窒素置換し、ピペラジン５２
１ｍｇ（６．０ｍｍｏｌ）、トリス（ジベンジリデンア
セトン）二パラジウム（０）（ストレム製、２１．２ｍ
ｇ，パラジウムとして０．０４６ｍｍｏｌ，基質２，６
−ジクロロフェニルアセトアルデヒドＮ，Ｎ−ジメチル
ヒドラゾンに対して３．０ｍｏｌ％）、ターシャリーブ
トキシナトリウム３３１ｍｇ（３．４４ｍｍｏｌ）、ｏ
−キシレン５ｍｌ、１−（Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノメチ
ル）−２−（ジターシャーリーブチルホスフィノ）フェ
ロセン２６．７ｍｇ（０．０６９ｍｍｏｌ）、及び２，
６−ジクロロフェニルアセトアルデヒド Ｎ，Ｎ−ジメ
チルヒドラゾン３５０ｍｇ（１．５１ｍｍｏｌ）を、こ
の順番に加えた。１２０℃まで昇温した後、その温度で
２０時間撹拌した。室温まで冷却後、水１０ｍｌを添加
し、ジエチルエーテルで抽出した。無水硫酸ナトリウム
で乾燥後、濃縮した。残渣をアルミナカラムクロマトグ
ラフィーで精製し（溶媒；酢酸エチル：メタノール＝
５：１）、目的物の４−（１−ピペラジニル）−１−
（ジメチルアミノ）インドールを１１１ｍｇ（０．４５
ｍｍｏｌ）得た。収率３０％。
【００３６】実施例２ ２，６−ジクロロフェニルアセトアルデヒド Ｎ，Ｎ−
ジメチルヒドラゾンの代わりに、２，６−ジクロロフェ
ニルアセトアルデヒド Ｎ−フェニル−Ｎ−メチルヒド
ラゾンを用いた以外は、実施例１と同様な操作を繰り返
した。４−（１−ピペラジニル）−１−（Ｎ−フェニル
−Ｎ−メチルアミノ）インドールの収率は３２％であっ
た。
ジメチルヒドラゾンの代わりに、２，６−ジクロロフェ
ニルアセトアルデヒド Ｎ−フェニル−Ｎ−メチルヒド
ラゾンを用いた以外は、実施例１と同様な操作を繰り返
した。４−（１−ピペラジニル）−１−（Ｎ−フェニル
−Ｎ−メチルアミノ）インドールの収率は３２％であっ
た。
【００３７】実施例３ ピペラジンの代わりに、Ｎ−メチルアニリン（１９４ｍ
ｇ，１．８１ｍｍｏｌ）を用いた以外は、実施例１と同
様な操作を繰り返した。４−（Ｎ−フェニル−Ｎ−メチ
ルアミノ）−１−（ジメチルアミノ）インドールの収率
は３４％であった。
ｇ，１．８１ｍｍｏｌ）を用いた以外は、実施例１と同
様な操作を繰り返した。４−（Ｎ−フェニル−Ｎ−メチ
ルアミノ）−１−（ジメチルアミノ）インドールの収率
は３４％であった。
【００３８】実施例４ ２，６−ジクロロフェニルアセトアルデヒド Ｎ，Ｎ−
ジメチルヒドラゾンの代わりに、２，４−ジクロロフェ
ニルアセトアルデヒド Ｎ，Ｎ−ジメチルヒドラゾンを
用いた以外は、実施例１と同様な操作を繰り返した。６
−（１−ピペラジニル）−１−（ジメチルアミノ）イン
ドールを収率３０％で得た。
ジメチルヒドラゾンの代わりに、２，４−ジクロロフェ
ニルアセトアルデヒド Ｎ，Ｎ−ジメチルヒドラゾンを
用いた以外は、実施例１と同様な操作を繰り返した。６
−（１−ピペラジニル）−１−（ジメチルアミノ）イン
ドールを収率３０％で得た。
【００３９】実施例５ １−（Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノメチル）−２−（ジター
シャーリーブチルホスフィノ）フェロセンの代わりに、
トリ（ターシャリーブチル）ホスフィンを用い、ピペラ
ジンの代わりにピロール（１５４ｍｇ，２．３０ｍｍｏ
ｌ）を用い、ターシャリーブトキシナトリウムの代わり
に炭酸ルビジウムを用いた以外は、実施例４と同様な操
作を繰り返した。６−（１−ピロリル）−１−（ジメチ
ルアミノ）インドールの収率は２１％であった。
シャーリーブチルホスフィノ）フェロセンの代わりに、
トリ（ターシャリーブチル）ホスフィンを用い、ピペラ
ジンの代わりにピロール（１５４ｍｇ，２．３０ｍｍｏ
ｌ）を用い、ターシャリーブトキシナトリウムの代わり
に炭酸ルビジウムを用いた以外は、実施例４と同様な操
作を繰り返した。６−（１−ピロリル）−１−（ジメチ
ルアミノ）インドールの収率は２１％であった。
【００４０】実施例６ ２，４−ジクロロフェニルアセトアルデヒド Ｎ，Ｎ−
ジメチルヒドラゾンの代わりに２，６−ジクロロフェニ
ルアセトアルデヒド Ｎ，Ｎ−ジメチルヒドラゾンを用
い、トリス（ジベンジリデンアセトン）二パラジウムを
３４．８ｍｇ（パラジウムとして基質に対して５．０ｍ
ｏｌ％）用いた以外は実施例５と同様な操作を繰り返し
た。４−（１−ピロリル）−１−（ジメチルアミノ）イ
ンドールの収率は５４％であった。
ジメチルヒドラゾンの代わりに２，６−ジクロロフェニ
ルアセトアルデヒド Ｎ，Ｎ−ジメチルヒドラゾンを用
い、トリス（ジベンジリデンアセトン）二パラジウムを
３４．８ｍｇ（パラジウムとして基質に対して５．０ｍ
ｏｌ％）用いた以外は実施例５と同様な操作を繰り返し
た。４−（１−ピロリル）−１−（ジメチルアミノ）イ
ンドールの収率は５４％であった。
【００４１】実施例７ ２，４−ジクロロフェニルアセトアルデヒド Ｎ，Ｎ−
ジメチルヒドラゾンの代わりに２，６−ジクロロフェニ
ルアセトアルデヒド Ｎ，Ｎ−ジメチルヒドラゾンを用
い、ピロールの代わりにインドール（２１２ｍｇ，１．
８１ｍｍｏｌ）を用い、トリス（ジベンジリデンアセト
ン）二パラジウムを３４．８ｍｇ（パラジウムとして基
質に対して５．０ｍｏｌ％）用いた以外は実施例５と同
様な操作を繰り返した。４−（１−インドリル）−１−
（ジメチルアミノ）インドールの収率は４０％であっ
た。
ジメチルヒドラゾンの代わりに２，６−ジクロロフェニ
ルアセトアルデヒド Ｎ，Ｎ−ジメチルヒドラゾンを用
い、ピロールの代わりにインドール（２１２ｍｇ，１．
８１ｍｍｏｌ）を用い、トリス（ジベンジリデンアセト
ン）二パラジウムを３４．８ｍｇ（パラジウムとして基
質に対して５．０ｍｏｌ％）用いた以外は実施例５と同
様な操作を繰り返した。４−（１−インドリル）−１−
（ジメチルアミノ）インドールの収率は４０％であっ
た。
【００４２】実施例１〜実施例７の基質及び生成物を表
１及び表２に示した。
１及び表２に示した。
【００４３】
【表１】
【００４４】
【表２】
Claims (5)
- 【請求項１】 下記一般式（１） 【化１】 （式中、Ｒ1及びＲ2は各々独立して水素、アルキル基、
アリール基又はヘテロアリール基を表し、Ｒ3は水素又
はアリール基を表し、Ｘはハロゲンを表す。）で示され
るヒドラゾン誘導体を、ホスフィンとパラジウム化合物
を含む触媒、下記一般式（２） Ｒ4Ｒ5ＮＨ （２） （式中、Ｒ4及びＲ5は各々独立して水素、アルキル基又
はアリール基を表し、さらにＲ4とＲ5が任意に結合して
ヘテロ環を形成していてもよい。）で示されるアミン、
及び塩基の存在下、反応させることを特徴とする、下記
一般式（３） 【化２】 （式中、Ｒ1及びＲ2は各々独立して水素、アルキル基、
アリール基又はヘテロアリール基を表し、Ｒ3は水素又
はアリール基を表す。また、Ｒ4及びＲ5は各々独立して
水素、アルキル基、又はアリール基を表し、さらにＲ4
とＲ5が任意に結合してヘテロ環を形成していてもよ
い。）で示される置換インドール誘導体の製造方法。 - 【請求項２】 一般式（１）及び一般式（３）におい
て、Ｒ1及びＲ2が各々独立してアルキル基を表すことを
特徴とする請求項１に記載の製造方法。 - 【請求項３】 一般式（１）及び一般式（３）におい
て、Ｒ1及びＲ2が各々独立してフェニル基又は置換フェ
ニル基を表すことを特徴とする請求項１又は請求項２記
載の製造方法。 - 【請求項４】 一般式（１）及び一般式（３）におい
て、Ｒ4が４位であることを特徴とする請求項１乃至請
求項３のいずれかに記載の製造方法。 - 【請求項５】 ホスフィンが、ターシャリーブチル−リ
ン結合を有するホスフィンであることを特徴とする請求
項１乃至請求項４のいずれかに記載の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000071046A JP4608723B2 (ja) | 1999-03-10 | 2000-03-09 | 置換インドール誘導体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11-63694 | 1999-03-10 | ||
| JP6369499 | 1999-03-10 | ||
| JP2000071046A JP4608723B2 (ja) | 1999-03-10 | 2000-03-09 | 置換インドール誘導体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000319255A true JP2000319255A (ja) | 2000-11-21 |
| JP4608723B2 JP4608723B2 (ja) | 2011-01-12 |
Family
ID=26404826
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000071046A Expired - Fee Related JP4608723B2 (ja) | 1999-03-10 | 2000-03-09 | 置換インドール誘導体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4608723B2 (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0753376A (ja) * | 1993-07-19 | 1995-02-28 | Hoechst Roussel Pharmaceut Inc | 強迫疾患の治療用医薬を製造するためのｎ−（ピリジニル）−１ｈ−インドール−１−アミンの使用 |
-
2000
- 2000-03-09 JP JP2000071046A patent/JP4608723B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0753376A (ja) * | 1993-07-19 | 1995-02-28 | Hoechst Roussel Pharmaceut Inc | 強迫疾患の治療用医薬を製造するためのｎ−（ピリジニル）−１ｈ−インドール−１−アミンの使用 |
Non-Patent Citations (4)
| Title |
|---|
| JPN6010028165, Ｏｒｇ． Ｌｅｔｔ．, 1999, １, ３５−３７ * |
| JPN6010028168, Ｊ． Ｃｈｅｍ． Ｓｏｃ． Ｐｅｒｋｉｎ １, 1978, １６４６−１６５１ * |
| JPN6010028171, Ｊ． Ａｍ． Ｃｈｅｍ． Ｓｏｃ．, 1999, １２１, １０２５１−１０２６３ * |
| JPN6010028173, Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ Ｌｅｔｔ．, 1995, ３６, １３３−１３４ * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4608723B2 (ja) | 2011-01-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5216065B2 (ja) | ピリジルテトラヒドロピリジン類及びピリジルピペリジン類とそれらの製造方法 | |
| EP2736881B1 (en) | Process for producing n-(hetero)arylazoles | |
| PL209475B1 (pl) | Pochodne N-fenylo-2-pirymidynoaminy oraz sposoby ich wytwarzania | |
| JP2012184243A (ja) | ２，３−ジ置換インドール類の製造方法 | |
| CN102030701A (zh) | 一类Fluoradene衍生物及其制备方法 | |
| Banik et al. | Samarium-induced iodine-catalyzed reduction of imines: synthesis of amine derivatives | |
| JP2022105746A (ja) | ３，６－ジ置換イミダゾ［１，２－ｂ］ピリダジン誘導体の製造方法 | |
| JP2004155728A (ja) | 金属錯体の製造方法 | |
| JP6865462B2 (ja) | ペリキサンテノキサンテンビスイミド化合物、その製造方法、有機ｅｌ素子及び有機薄膜太陽電池 | |
| Kadari et al. | Iodoferrocene as a partner in N-arylation of amides | |
| JP4390861B2 (ja) | アクリジン誘導体多剤耐性阻害薬の合成 | |
| JP6794041B2 (ja) | 芳香族アミンの製造方法 | |
| PL178456B1 (pl) | Sposób wytwarzania N-metylo-3-(1-metylo-4-piperydynylo)-1H-indolo-5-etanosulfonamidu, N-metylo-3-(1-metylo-4-piperydynylo)-1H-indolo-5-etenosulfonamid oraz sposób wytwarzania N-metylo-3-(1-metylo-4-piperydynylo)-1H-indolo-5-etenosulfonamidu | |
| JP2000319255A (ja) | 置換インドール誘導体の製造方法 | |
| JP4683166B2 (ja) | 含窒素複素環化合物の製造方法 | |
| EP1035114B1 (en) | Processes for the preparation of nitrogen-heterocyclic compounds | |
| Kuvshinov et al. | Synthesis of 2-R-4, 6-Dinitro-2H-indazoles from 2, 4, 6-Trinitrotoluene | |
| JP4779185B2 (ja) | 含窒素複素環化合物及びその製造方法 | |
| De Blieck et al. | Synthesis of a variety of 2-alkyl-2-azabicyclo [3.1. 1] heptane-1-carbonitriles via a dynamic addition-intramolecular substitution sequence | |
| CN104926723B (zh) | 菲啶酮类化合物的合成方法 | |
| EP1795529B1 (en) | Process for producing N-(Hetero)Aryl-substituted nitrogen-containing heteroaryl compound | |
| CN102775392B (zh) | N-保护-3，5-二取代吲哚衍生物及其制备方法和应用 | |
| JP2564141B2 (ja) | アルキルベンゾチアゾール類の製造方法 | |
| JP2011037813A (ja) | ５−ヘテロ環置換イミノ−９−ジアルキルアミノベンゾ［ａ］フェノキサチン類またはその塩の製造方法 | |
| CZ289783B6 (cs) | Způsob výroby arylamidů heteroaromatických karboxylových kyselin |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070221 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100519 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100525 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100702 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100914 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100927 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131022 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131022 Year of fee payment: 3 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |