JP6794041B2 - 芳香族アミンの製造方法 - Google Patents
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本発明は、芳香族アミン化合物の製造方法に関するものであって、金属触媒存在下、芳香族ニトロ化合物とアミン化合物をクロスカップリング反応させることを特徴とする。
芳香族アミン化合物は、医農薬、液晶や有機エレクトロルミネッセンス用材料等として工業上需要の高いものであり、数多くの化合物及びその誘導体が開発されている。当該芳香族アミン化合物の製造方法としては、基質の応用範囲が広いことから、炭素−窒素結合を形成するクロスカップリング反応が多用されている。
このような炭素−窒素結合を形成するクロスカップリング反応は、脱離基を有する芳香族化合物と、１級または２級アミン化合物を反応させるが一般的である。脱離基としては、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子等のハロゲン原子、又はトリフルオロメタンスルホニルオキシ基等について報告されている（例えば、非特許文献１）。
Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｏｒｇａｎｏｍｅｔａｌｌｉｃ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ ５７６（１９９９） １２５−１４６
脱離基として前記のハロゲン原子を選択する場合、反応後に有害なハロゲン廃棄物が副生するため、廃液の処理や煩雑であり環境負荷が高いという課題があった。一方、脱離基としてトリフルオロメタンスルホニルオキシ基を選択した場合、反応後に有害なハロゲン廃棄物を副生する課題に加えて、トリフルオロメタンスルホニルオキシ基を有する原料化合物を製造する際の環境負荷が大きく、尚且つ当該製造作業が煩雑であるという課題があった。
出願人らは、ハロゲン化芳香族化合物やトリフルオロメタンスルホニルオキシ化芳香族化合物を用いることなく、所望の芳香族アミン化合物を製造する手段として、金属触媒存在下、芳香族ニトロ化合物と、アミン化合物をクロスカップリング反応させることを特徴とする芳香族アミン化合物の製造方法を見出した。
本発明によれば、有害なハロゲン廃棄物を副生させることがない為、環境負荷を低減することができ、製造工程を簡略化することができるため、工業的に優れた製造プロセスを提供することができる。また、従来技術に比べて反応基質の自由度・選択肢が広く、目的とする芳香族化合物を工業的に効率良く製造することができる。なお、得られた芳香族アミン化合物は、カラムクロマトグラフィー、蒸留及び再結晶等の簡易な精製操作により、高純度の芳香族アミン化合物を得ることができる。又、必要に応じて、さらに数段階の工程を経て別の化合物へと変換することができる。
以下、本発明について具体的に説明する。
本発明は、金属触媒存在下、芳香族ニトロ化合物と、アミン化合物をクロスカップリング反応させることを特徴とする芳香族アミン化合物の製造方法である。
芳香族ニトロ化合物としては、特に限定するものではないが、例えば、ニトロ化芳香族炭化水素化合物やニトロ化ヘテロ芳香族化合物を例示することができる。当該芳香族ニトロ化合物としては、特に限定するものではないが、下記一般式（１）
（式中、Ａｒ１は、置換基を有してもよい芳香族炭化水素基又は置換基を有してもよいヘテロ芳香族基を表し、ｎは１〜５の整数を表す。）
で表すこともできる。
で表すこともできる。
前記の置換基を有してもよい芳香族炭化水素基としては、特に限定するものではないが、例えば、置換基を有してもよいフェニル基、置換基を有してもよいビフェニル基、置換基を有してもよいナフチル基、置換基を有してもよいアントラセニル基、置換基を有してもよいピレニル基、置換基を有してもよいターフェニル基、置換基を有してもよいフェナントラセニル基、置換基を有してもよいペリレニル基、置換基を有してもよいトリフェニレニル基等を例示することができる。
前記の置換基を有してもよいヘテロ芳香族としては、特に限定するものではないが、例えば、置換基を有してもよいフラニル基、置換基を有してもよいベンゾフラニル基、置換基を有してもよいジベンゾフラニル基、置換基を有してもよいフェニルジベンゾフラニル基、置換基を有してもよいジベンゾフラニルフェニル基、置換基を有してもよいチエニレニル基、置換基を有してもよいベンゾチエニル基、置換基を有してもよいジベンゾチエニレニル基、置換基を有してもよいフェニルジベンゾチエニレニル基、置換基を有してもよいジベンゾチエニレニルフェニル基、置換基を有してもよいピリジル基、置換基を有してもよいピリミジル基、置換基を有してもよいピラジル基、置換基を有してもよいキノリル基、置換基を有してもよいイソキノリル基、置換基を有してもよいカルバゾリル基、置換基を有してもよい９−フェニルカルバゾリル基、置換基を有してもよいアクリジニル基、置換基を有してもよいベンゾチアゾリル基、置換基を有してもよいキナゾリル基、置換基を有してもよいキノキサリル基、置換基を有してもよい１，６−ナフチリジニル基、又は置換基を有してもよい１，８−ナフチリジニル基等を挙げることができる。
また、前記の置換基を有してもよい芳香族炭化水素基上及び置換基を有してもよいヘテロ芳香族基上の置換基としては、特に限定するものではないが、例えば、メチル基、エチル基、炭素数３〜１８のアルキル基（例えば、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ヘキシル基、シクロヘキシル基、シクロヘキサジエニル基、オクチル基、ベンジル基、又はフェネチル基等）、炭素数１−１８のハロゲン化アルキル基（例えば、トリフルオロメチル基等）、メトキシ基、エトキシ基、炭素数３−１８のアルコキシ基（例えば、ｎ−プロピルオキシ基、ｉ−プロピルオキシ基、ｎ−ブチルオキシ基、ｓｅｃ−ブチルオキシ基、ｔｅｒｔ−ブチルオキシ基、ｎ−ヘキシルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、シクロヘキサジエニルオキシ基、オクチルオキシ基、ベンジルオキシ基、フェネチルオキシ基等）、炭素数１−１８のハロゲン化アルコキシ基（例えば、トリフルオロメトキシ基等）、フェニル基、トリル基、ピリジル基、ピリミジル基、カルバゾリル基、ジベンゾチエニル基、又はジベンゾフラニル基等が挙げられる。
Ａｒ１については、芳香族アミン化合物の製造効率に優れる点で、置換基を有してもよい炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基、又は置換基を有してもよい炭素数３〜３０のヘテロ芳香族基であることが好ましく、置換基を有してもよい炭素数６〜２０の芳香族炭化水素基、又は置換基を有してもよい炭素数３〜２０のヘテロ芳香族基であることがより好ましく、さらに詳細には、フェニル基、ビフェニル基、ナフチル基、ターフェニル基、ジベンゾフラニル基、フェニルジベンゾフラニル基、ジベンゾフラニルフェニル基、ジベンゾチエニレニル基、フェニルジベンゾチエニレニル基、ジベンゾチエニレニルフェニル基、ピリジル基、フェニルピリジル基、ピリジルフェニル基、ピリミジル基、ピラジル基、キノリル基、イソキノリル基、カルバゾリル基、又は９−フェニルカルバゾリル基（これらの置換基は、メチル基、ブチル基、ヘキシル基、オクチル基、メトキシ基、フェニル基、トリル基、ピリジル基、ピリミジル基、カルバゾリル基、ジベンゾチエニル基、ジベンゾフラニル基で置換されていてもよい）であることがより好ましく、フェニル基、ビフェニル基、ナフチル基、ジベンゾフラニル基、フェニルジベンゾフラニル基、ジベンゾフラニルフェニル基、ジベンゾチエニル基、フェニルジベンゾチエニレニル基、ジベンゾチエニレニルフェニル基、ピリジル基、キノリル基、又はカルバゾリル基（これらの置換基は、メチル基、ブチル基、ヘキシル基、オクチル基、又はメトキシ基で置換されていてもよい）であることがより好ましい。
前記アミン化合物としては、特に限定するものではないが、例えば、アルキルアミン化合物、ジアルキルアミン化合物、芳香族アミン化合物、Ｎ−アルキル芳香族アミン化合物、ヘテロ芳香族アミン化合物、又はＮ−アルキルヘテロ芳香族アミン化合物等を例示することができる。当該アミン化合物としては、特に限定するものではないが、たとえば、下記一般式（２）
（式中、Ａｒ２及びＡｒ３は、各々独立して、水素原子、炭素数１〜１８のアルキル基、置換基を有してもよい芳香族炭化水素基、又は置換基を有してもよいヘテロ芳香族基を表す。なお、Ａｒ２及びＡｒ３は互いに結合して環を形成しても良い。）
で表すこともできる。
で表すこともできる。
前記の炭素数１〜１８のアルキル基としては、特に限定するものではないが、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ヘキシル基、シクロヘキシル基、シクロヘキサジエニル基、オクチル基、ベンジル基、又はフェネチル基等を例示することができる。
前記の置換基を有してもよい芳香族炭化水素基及び置換基を有してもよいヘテロ芳香族基については、それぞれ、前記Ａｒ１における置換基を有してもよい芳香族炭化水素基及び置換基を有してもよいヘテロ芳香族基と同様である。
Ａｒ２及びＡｒ３は互いに結合して環を形成した場合、下記一般式（４）
（式中、Ａｒ２及びＡｒ３は、各々独立して、水素原子、炭素数１〜１８のアルキル基、置換基を有してもよい芳香族炭化水素基、又は置換基を有してもよいヘテロ芳香族基を表す。）
で表される化合物となる。
で表される化合物となる。
当該一般式（４）で表される化合物としては、特に限定するものではないが、ピロール、インドール、カルバゾール、ベンゾカルバゾール、ピロリジン、ピペリジン、又はピペラジン等を例示することができる。
Ａｒ２及びＡｒ３については、芳香族アミン化合物の製造効率に優れる点で、各々独立して、水素原子、炭素数１〜１８のアルキル基、置換基を有してもよい炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基、又は置換基を有してもよい炭素数３〜３０のヘテロ芳香族基であることが好ましく、各々独立して、水素原子、炭素数１〜１８のアルキル基、置換基を有してもよい炭素数６〜２０の芳香族炭化水素基、又は置換基を有してもよい炭素数３〜２０のヘテロ芳香族基であることがより好ましく、さらに詳細には、各々独立して、フェニル基、ビフェニル基、ナフチル基、ターフェニル基、ジベンゾフラニル基、フェニルジベンゾフラニル基、ジベンゾフラニルフェニル基、ジベンゾチエニレニル基、フェニルジベンゾチエニレニル基、ジベンゾチエニレニルフェニル基、ピリジル基、フェニルピリジル基、ピリジルフェニル基、ピリミジル基、ピラジル基、キノリル基、イソキノリル基、カルバゾリル基、又は９−フェニルカルバゾリル基（これらの置換基は、メチル基、ブチル基、ヘキシル基、オクチル基、メトキシ基、フェニル基、トリル基、ピリジル基、ピリミジル基、カルバゾリル基、ジベンゾチエニル基、ジベンゾフラニル基で置換されていてもよい）、水素原子、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、又はヘキシル基であることがより好ましく、各々独立して、フェニル基、ビフェニル基、ナフチル基、ジベンゾフラニル基、フェニルジベンゾフラニル基、ジベンゾフラニルフェニル基、ジベンゾチエニル基、フェニルジベンゾチエニレニル基、ジベンゾチエニレニルフェニル基、ピリジル基、キノリル基、又はカルバゾリル基（これらの置換基は、メチル基、ブチル基、ヘキシル基、オクチル基、又はメトキシ基で置換されていてもよい）、水素原子、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、又はヘキシル基であることがより好ましい。
本発明において、金属触媒存在下、芳香族ニトロ化合物と、アミン化合物をクロスカップリング反応させることによって製造される芳香族アミン化合物としては、特に限定するものではないが、２級又は３級の芳香族アミン化合物を例示することができる。
なお、本発明において、前記一般式（１）で表される化合物と、前記一般式（２）で表される化合物を用いた場合、下記一般式（３）
（式中、Ａｒ１、Ａｒ２、Ａｒ３及びｎは一般式（１）及び（２）で示したものと同じものを表す。）
で表される芳香族アミン化合物が得られる。
で表される芳香族アミン化合物が得られる。
本発明では、ニトロ基が脱離するため、ニトロ基が結合してあった炭素上にアミン窒素原子との結合が新たに形成されることになる。
本発明の製造方法において、前記の芳香族ニトロ化合物（モル）÷前記のアミン化合物（モル）で示されるモル比は、特に限定するものではないが、０．１〜１０．０の範囲が好ましい。経済性の観点から、当該モル比については、０．２〜５．０であることが好ましく、０．３３〜３．０であることがより好ましく、０．５〜２．０の範囲であることがより好ましい。
ｎは１〜５の整数を表す。目的の芳香族アミン化合物を高選択的に合成する観点から、好ましくは１〜３の整数であり、更に好ましくは１〜２の整数である。
前記の金属触媒としては、特に限定するものではないが、パラジウム触媒又はニッケル触媒が挙げられる。パラジウム触媒としては、特に限定するものではないが、例えば、塩化パラジウム（ＩＩ）、臭化パラジウム（ＩＩ）、酢酸パラジウム（ＩＩ）、パラジウムアセチルアセトナート（ＩＩ）、ジクロロビス（ベンゾニトリル）パラジウム（ＩＩ）、ジクロロビス（アセトニトリル）パラジウム（ＩＩ）、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）、ジクロロテトラアンミンパラジウム（ＩＩ）、ジクロロ（シクロオクタ−１，５−ジエン）パラジウム（ＩＩ）、パラジウムトリフルオロアセテート（ＩＩ）等の２価パラジウム化合物、トリス（ジベンジリデンアセトン）二パラジウム（０）、トリス（ジベンジリデンアセトン）二パラジウムクロロホルム錯体（０）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）等の０価パラジウム化合物が挙げられる。また、ポリマー固定型パラジウム触媒、パラジウム炭素等の固定化パラジウム触媒も例示できる。なお、これらのパラジウム触媒については、ホスフィン化合物等の配位性化合物を共存させてもよい。当該配位性化合物としては、特に限定するものではないが、例えば、トリフェニルホスフィン、トリ（ｏ―トリル）ホスフィン、トリ（メシチル）ホスフィン等の単座アリールホスフィン、トリ（シクロヘキシル）ホスフィン、トリ（イソプロピル）ホスフィン、トリ（ｔｅｒｔ−ブチル）ホスフィン等の単座アルキルホスフィン、２−ジシクロヘキシルホスフィノ−２’，６’−ジメトキシビフェニル、２−ジシクロヘキシルホスフィノ−２’，６’−ジイソプロポキシビフェニル、２−ジシクロヘキシルホスフィノ−２’−メチルビフェニル、２−ジシクロヘキシルホスフィノ−２’，４’，６’−トリイソプロピルビフェニル、２−（ジ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィノ）−２’，４’，６’−トリイソプロピルビフェニル、２−ジシクロヘキシルホスフィノ−３，６−ジメトキシ−２’，４’，６’−トリイソプロピルビフェニル、２−（ジシクロヘキシルホスフィノ）ビフェニル、２−（ジ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィノ）−２’−（Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ）ビフェニル、２−ジシクロヘキシルホスフィノ−２’−（Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ）ビフェニル等のＢｕｃｈｗａｌｄホスフィン配位子、１，２−ビス（ジフェニルホスフィノ）エタン、１，２−ビス（ジフェニルホスフィノ）プロパン、１，２−ビス（ジシクロヘキシルホスフィノ）エタン、１，２−ビス（ジフェニルホスフィノ）ブタン、１，２−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン等のニ座ホスフィン、１，３−ビス（２，６−ジイソプロピルフェニル）−４，５−ジヒドロ−１Ｈ−イミダゾリウムクロライド、１，３−ビス（２，６−ジイソプロピルフェニル）イミダゾリウムクロライド、１，３−ビス（２，４，６−トリメチルフェニル）−４，５−ジヒドロ−１Ｈ−イミダゾリウムクロライド等のＮ−ヘテロカルベン配位子等が挙げられる。また、パラジウム触媒にホスフィン化合物等の配位性化合物を共存させる場合、上記パラジウム化合物とホスフィン化合物又はＮ−ヘテロカルベン化合物を事前に混合、調製したものを用いて反応させてもよい。
ニッケル触媒としては、例えば、ニッケル塩と前記ホスフィンからなる化合物が挙げられる。ニッケル塩とは、ニッケル元素を有効成分とする化合物を示し、例えば、０価から２価のニッケル塩を示す。具体的には、フッ化ニッケル（ＩＩ）、塩化ニッケル（ＩＩ）、臭化ニッケル（ＩＩ）、ヨウ化ニッケル（ＩＩ）等のハロゲン化ニッケル、ニッケル（０）粉末、硫酸ニッケル（ＩＩ）、硝酸ニッケル（ＩＩ）、過塩素酸ニッケル（ＩＩ）等の無機塩、蟻酸ニッケル（ＩＩ）、シュウ酸ニッケル（ＩＩ）、酢酸ニッケル（ＩＩ）、安息香酸ニッケル（ＩＩ）、ニッケルアセチルアセトナート（ＩＩ）等の有機酸ニッケル塩が挙げられる。
これら金属触媒の内、目的の反応を進行させる観点から、パラジウム触媒を用いることが好ましい。また、高選択的に目的の反応を進行させる観点から、金属触媒には、Ｂｕｃｈｗａｌｄホスフィン配位子を共存させるのが望ましく、中でも、２−ジシクロヘキシルホスフィノ−３，６−ジメトキシ−２’，４’，６’−トリイソプロピルビフェニルが特に好ましい。
なお、Ｂｕｃｈｗａｌｄホスフィン配位子としては、特に限定するものではないが、例えば、下記一般式（５）で表されるホスフィン化合物を挙げることができる。
（式中、Ｒ１は、各々独立して、シクロヘキシル基又はｔｅｒｔ−ブチル基を表す。Ｒ２は、各々独立して、水素原子、メチル基、メトキシ基、イソプロピル基、イソプロポキシ基、ジメチルアミノ基、又はスルホン酸基を表す。）
金属触媒の使用量は、特に限定するものではないが、芳香族ニトロ化合物１モルに対し通常０．０１〜２０モル％の範囲である。金属触媒が上記範囲内であれば、高い選択率で芳香族アミン化合物を合成できるが、高価な金属触媒の使用量を低減させる意味から、より好ましい金属触媒の使用量は、芳香族ニトロ化合物１モルに対し、金属換算で０．０１〜１０モル％の範囲である。
金属触媒の使用量は、特に限定するものではないが、芳香族ニトロ化合物１モルに対し通常０．０１〜２０モル％の範囲である。金属触媒が上記範囲内であれば、高い選択率で芳香族アミン化合物を合成できるが、高価な金属触媒の使用量を低減させる意味から、より好ましい金属触媒の使用量は、芳香族ニトロ化合物１モルに対し、金属換算で０．０１〜１０モル％の範囲である。
本発明においては、塩基の使用が好ましい。使用される塩基としては、無機塩基及び／又は有機塩基から選択すればよく、特に限定するものではないが、好ましくは、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸ルビジウム、炭酸セシウム、燐酸カリウム、燐酸ナトリウム、フッ化カリウム、フッ化セシウム等の無機塩基、ナトリウム−メトキシド、ナトリウム−エトキシド、カリウム−メトキシド、カリウム−エトキシド、リチウム−ｔｅｒｔ−ブトキシド、ナトリウム−ｔｅｒｔ−ブトキシド、カリウム−ｔｅｒｔ−ブトキシド等のようなアルカリ金属アルコキシド、トリエチルアミン、トリブチルアミン、ピリジン、ジアザビシクロウンデセン、ジアザビシクロノネン等の有機塩基であって、目的の芳香族アミン化合物の選択率を向上させる観点から、更に好ましくは、炭酸ルビジウム、炭酸セシウム、燐酸カリウム、燐酸ナトリウム、フッ化セシウム等の無機塩基である。
使用される塩基の量は、使用する芳香族ニトロ化合物に対し１．０倍モル以上使用するのが好ましい。塩基の量が１．０倍モル未満では、目的の芳香族アミン化合物の収率が低くなる場合がある。塩基を大過剰に加えても目的の芳香族アミン化合物の収率に変化はないが、反応終了後の後処理操作が煩雑になることから、より好ましい塩基の量は、１．０〜５．０倍モルの範囲である。
本反応は、通常、不活性溶媒存在下で行う。使用される溶媒としては、本反応を著しく阻害しない溶媒であればよく、特に限定するものではないが、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族系有機溶媒や、ジエチルエーテル、テトラハイドロフラン、ジメトキシエタン、ジオキサン、シクロペンチルメチルエーテルなどのエーテル系有機溶媒、アセトニトリル、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、ヘキサメチルホスホトリアミド等を挙げることができる。これらのうちより好ましくは、ジエチルエーテル、ジメトキシエタン、テトラハイドロフラン、ジオキサン、シクロペンチルメチルエーテル等のエーテル系有機溶媒である。
本反応は、常圧下、窒素、アルゴン等の不活性ガス雰囲気下で行うことも、また加圧下でも行うことができる。反応は、２０〜２５０℃の範囲で行われるが、目的の芳香族アミン化合物の収率を上げるため好ましくは５０〜２００℃の範囲で行われ、更に好ましくは、１００〜１６０℃の範囲で行われ、さらに好ましくは、１２０℃〜１５０度の範囲で行われる。
本反応は、添加剤として相関移動触媒を使用しても良い。相間移動触媒としては特に限定されるものではないが、具体的には、２４−クラウン−８、１８−クラウン−６、１５−クラウン−５、１２−クラウン−４等のクラウンエーテル類、テトラ（ｎ−ブチル）アンモニウムクロライド、テトラ（ｎ−ブチル）アンモニウムブロマイド、ベンジルトリエチルアンモニウムクロライド、トリエチル−ｎ−ドデシルアンモニウムクロライド、トリエチル−ｎ−ドデシルアンモニウムブロマイド、トリメチル−ｎ−ヘキサデシルアンモニウムクロライド、トリメチル−ｎ−ヘキサデシルアンモニウムブロマイド等の４級アンモニウム塩を挙げることができる。
本反応にかかる反応時間は、芳香族ニトロ化合物、アミン化合物、金属触媒、塩基の量、種類及び反応温度等によって一定ではないが、数分〜７２時間の範囲から選択することが好ましい。
以下、本発明を実施例によって具体的に記述する。しかし、これらによって本発明は制限されるものではない。
測定機器：ＮＭＲ 日本電子株式会社製ＥＣＳ−４００（１Ｈ ＮＭＲ、４００ＭＨｚ； １３Ｃ ＮＭＲ、１０１ ＭＨｚ）、中圧カラムクロマトグラフィー 昭光サイエンティフィック社製Ｐｕｒｉｆ−ｅｓｐｏｉｒ２
実施例１
窒素下において、１５ｍＬスクリューバイアル管に、撹拌子、４−ニトロアニソール ９２ｍｇ（０．６０ｍｍｏｌ）、ジフェニルアミン １５２ｍｇ（０．９０ｍｍｏｌ）、パラジウムアセチルアセトナート（ＩＩ） ９．１ｍｇ（０．０３０ｍｍｏｌ）、２−ジシクロヘキシルホスフィノ−３，６−ジメトキシ−２’，４’，６’−トリイソプロピルビフェニル ４８ｍｇ（０．０９０ｍｍｏｌ）、リン酸三カリウムｎ水和物 ４８０ｍｇ（１．８ｍｍｏｌ）、及びヘプタン ３ｍＬを加えた。バイアル管にしっかりと蓋をした後、１３０℃で２４時間加熱撹拌した。次いで、反応液を室温まで冷却した。この反応液に酢酸エチルを添加し、セライトを通じて濾過した。濾液を濃縮して得られた残渣をジエチルエーテル（１０ｍＬ）に溶解し、３０％過酸化水素水溶液（１．５ｍＬ）を加えた。室温で１０分撹拌したのち、ジエチルエーテル（２０ｍＬ×３）で抽出した。得られた有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥したのち、濃縮して得られた残渣を中圧カラムクロマトグラフィー（フルカ酸化アルミニウム（ａｃｔｉｖａｔｅｄ， ｎｅｕｔｒａｌ， Ｂｒｏｋｍａｎｎ Ａｃｔｉｖｉｔｙ Ｉ）使用、展開溶媒＝ヘキサン／酢酸エチル）で精製し、目的の４−メトキシトリフェニルアミンを白色粉末として１００ｍｇ得た（収率６１％）。目的物の同定は１Ｈ及び１３Ｃ−ＮＭＲで実施した。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣＬ３）＝δ ７．２２（ｔ，Ｊ＝７．７Ｈｚ，４Ｈ）， ７．１２−７．０２（ｍ，６Ｈ）， ６．９５（ｔ，Ｊ＝７．４Ｈｚ，２Ｈ）， ６．８５（ｄ，Ｊ＝９．４Ｈｚ，２Ｈ）， ３．８１（ｓ，３Ｈ）
１３Ｃ−ＮＭＲ（ＣＤＣＬ３）＝δ １５６．１， １４８．１， １４０．７， １２９．０， １２７．３， １２２．８， １２１．８， １１４．７， ５５．４。
実施例１
窒素下において、１５ｍＬスクリューバイアル管に、撹拌子、４−ニトロアニソール ９２ｍｇ（０．６０ｍｍｏｌ）、ジフェニルアミン １５２ｍｇ（０．９０ｍｍｏｌ）、パラジウムアセチルアセトナート（ＩＩ） ９．１ｍｇ（０．０３０ｍｍｏｌ）、２−ジシクロヘキシルホスフィノ−３，６−ジメトキシ−２’，４’，６’−トリイソプロピルビフェニル ４８ｍｇ（０．０９０ｍｍｏｌ）、リン酸三カリウムｎ水和物 ４８０ｍｇ（１．８ｍｍｏｌ）、及びヘプタン ３ｍＬを加えた。バイアル管にしっかりと蓋をした後、１３０℃で２４時間加熱撹拌した。次いで、反応液を室温まで冷却した。この反応液に酢酸エチルを添加し、セライトを通じて濾過した。濾液を濃縮して得られた残渣をジエチルエーテル（１０ｍＬ）に溶解し、３０％過酸化水素水溶液（１．５ｍＬ）を加えた。室温で１０分撹拌したのち、ジエチルエーテル（２０ｍＬ×３）で抽出した。得られた有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥したのち、濃縮して得られた残渣を中圧カラムクロマトグラフィー（フルカ酸化アルミニウム（ａｃｔｉｖａｔｅｄ， ｎｅｕｔｒａｌ， Ｂｒｏｋｍａｎｎ Ａｃｔｉｖｉｔｙ Ｉ）使用、展開溶媒＝ヘキサン／酢酸エチル）で精製し、目的の４−メトキシトリフェニルアミンを白色粉末として１００ｍｇ得た（収率６１％）。目的物の同定は１Ｈ及び１３Ｃ−ＮＭＲで実施した。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣＬ３）＝δ ７．２２（ｔ，Ｊ＝７．７Ｈｚ，４Ｈ）， ７．１２−７．０２（ｍ，６Ｈ）， ６．９５（ｔ，Ｊ＝７．４Ｈｚ，２Ｈ）， ６．８５（ｄ，Ｊ＝９．４Ｈｚ，２Ｈ）， ３．８１（ｓ，３Ｈ）
１３Ｃ−ＮＭＲ（ＣＤＣＬ３）＝δ １５６．１， １４８．１， １４０．７， １２９．０， １２７．３， １２２．８， １２１．８， １１４．７， ５５．４。
実施例２
実施例１において、４−ニトロアニソール ９２ｍｇ（０．６０ｍｍｏｌ）を用いる代わりに、ニトロベンゼン ７３ｍｇ（０．６０ｍｍｏｌ）を用いた以外は、同様の反応操作を行った。次いで、反応液を室温まで冷却した。この反応液に酢酸エチルを添加し、セライトを通じて濾過した。濃縮して得られた残渣を中圧カラムクロマトグラフィー（バイオタージＳＮＡＰ Ｕｌｔｒａカラム（粒径２５μｍ）使用、展開溶媒＝ヘキサン／酢酸エチル）で精製し、目的のトリフェニルアミンを白色粉末として１０４ｍｇ得た（収率７０％）。目的物の同定は１Ｈ及び１３Ｃ−ＮＭＲで実施した。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣＬ３）＝δ ７．２４（ｔ，Ｊ＝８．０Ｈｚ，６Ｈ）， ７．０８（ｄ，Ｊ＝７．８Ｈｚ，６Ｈ）， ７．００（ｔ，Ｊ＝７．３Ｈｚ，３Ｈ）
１３Ｃ−ＮＭＲ（ＣＤＣＬ３）＝δ １４７．８， １２９．２， １２４．１， １２２．６。
実施例１において、４−ニトロアニソール ９２ｍｇ（０．６０ｍｍｏｌ）を用いる代わりに、ニトロベンゼン ７３ｍｇ（０．６０ｍｍｏｌ）を用いた以外は、同様の反応操作を行った。次いで、反応液を室温まで冷却した。この反応液に酢酸エチルを添加し、セライトを通じて濾過した。濃縮して得られた残渣を中圧カラムクロマトグラフィー（バイオタージＳＮＡＰ Ｕｌｔｒａカラム（粒径２５μｍ）使用、展開溶媒＝ヘキサン／酢酸エチル）で精製し、目的のトリフェニルアミンを白色粉末として１０４ｍｇ得た（収率７０％）。目的物の同定は１Ｈ及び１３Ｃ−ＮＭＲで実施した。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣＬ３）＝δ ７．２４（ｔ，Ｊ＝８．０Ｈｚ，６Ｈ）， ７．０８（ｄ，Ｊ＝７．８Ｈｚ，６Ｈ）， ７．００（ｔ，Ｊ＝７．３Ｈｚ，３Ｈ）
１３Ｃ−ＮＭＲ（ＣＤＣＬ３）＝δ １４７．８， １２９．２， １２４．１， １２２．６。
実施例３
実施例１において、４−ニトロアニソール ９２ｍｇ（０．６０ｍｍｏｌ）を用いる代わりに、４−ニトロトルエン ８２ｍｇ（０．６０ｍｍｏｌ）を用いた以外は、同様の反応操作を行った。次いで、反応液を室温まで冷却した。この反応液に酢酸エチルを添加し、セライトを通じて濾過した。濾液を濃縮して得られた残渣をジエチルエーテル（１０ｍＬ）に溶解し、３０％過酸化水素水溶液（１．５ｍＬ）を加えた。室温で１０分撹拌したのち、ジエチルエーテル（２０ｍＬ×３）で抽出した。得られた有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥したのち、濃縮して得られた残渣を中圧カラムクロマトグラフィー（バイオタージＳＮＡＰ Ｕｌｔｒａカラム（粒径２５μｍ）使用、展開溶媒＝ヘキサン／トリエチルアミン）で精製し、目的の４−メチルトリフェニルアミンを白色粉末として１０７ｍｇ得た（収率６９％）。目的物の同定は１Ｈ及び１３Ｃ−ＮＭＲで実施した。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣＬ３）＝δ ７．２８−７．１７（ｍ，４Ｈ）， ７．１３−７．０２（ｍ，６Ｈ）， ７．０２−６．９１（ｍ，４Ｈ）， ２．３１（ｓ，３Ｈ）
１３Ｃ−ＮＭＲ（ＣＤＣＬ３）＝δ １４８．０， １４５．２， １３２．７， １２９．９， １２９．１， １２４．９， １２３．６， １２２．２， ２０．８。
実施例１において、４−ニトロアニソール ９２ｍｇ（０．６０ｍｍｏｌ）を用いる代わりに、４−ニトロトルエン ８２ｍｇ（０．６０ｍｍｏｌ）を用いた以外は、同様の反応操作を行った。次いで、反応液を室温まで冷却した。この反応液に酢酸エチルを添加し、セライトを通じて濾過した。濾液を濃縮して得られた残渣をジエチルエーテル（１０ｍＬ）に溶解し、３０％過酸化水素水溶液（１．５ｍＬ）を加えた。室温で１０分撹拌したのち、ジエチルエーテル（２０ｍＬ×３）で抽出した。得られた有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥したのち、濃縮して得られた残渣を中圧カラムクロマトグラフィー（バイオタージＳＮＡＰ Ｕｌｔｒａカラム（粒径２５μｍ）使用、展開溶媒＝ヘキサン／トリエチルアミン）で精製し、目的の４−メチルトリフェニルアミンを白色粉末として１０７ｍｇ得た（収率６９％）。目的物の同定は１Ｈ及び１３Ｃ−ＮＭＲで実施した。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣＬ３）＝δ ７．２８−７．１７（ｍ，４Ｈ）， ７．１３−７．０２（ｍ，６Ｈ）， ７．０２−６．９１（ｍ，４Ｈ）， ２．３１（ｓ，３Ｈ）
１３Ｃ−ＮＭＲ（ＣＤＣＬ３）＝δ １４８．０， １４５．２， １３２．７， １２９．９， １２９．１， １２４．９， １２３．６， １２２．２， ２０．８。
実施例４
実施例１において、４−ニトロアニソール ９２ｍｇ（０．６０ｍｍｏｌ）を用いる代わりに、２−ニトロトルエン ８２ｍｇ（０．６０ｍｍｏｌ）を用い、２−ジシクロヘキシルホスフィノ−３，６−ジメトキシ−２’，４’，６’−トリイソプロピルビフェニル ４８ｍｇ（０．０９０ｍｍｏｌ）を用いる代わりに２−ジシクロヘキシルホスフィノ−２’，４’，６’−トリイソプロピルビフェニル ４４ｍｇ（０．０９０ｍｍｏｌ）を用いた以外は、同様の反応操作を行った。次いで、反応液を室温まで冷却した。この反応液に酢酸エチルを添加し、セライトを通じて濾過した。濃縮して得られた残渣を中圧カラムクロマトグラフィー（バイオタージＳＮＡＰ Ｕｌｔｒａカラム（粒径２５μｍ）使用、展開溶媒＝ヘキサン）で精製し、目的の２−メチルトリフェニルアミンを白色粉末として１００ｍｇ得た（収率６４％）。目的物の同定は１Ｈ及び１３Ｃ−ＮＭＲで実施した。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣＬ３）＝δ ７．２５−７．１０（ｍ，８Ｈ）， ７．００−６．９４（ｍ，４Ｈ）， ６．９４−６．８８（ｍ，２Ｈ）， ２．０３（ｓ，３Ｈ）
１３Ｃ−ＮＭＲ（ＣＤＣＬ３）＝δ １４７．４， １４５．３， １３６．５， １３１．７， １２９．６， １２９．０， １２７．３， １２６．０， １２１．５， １２１．３， １８．６。
実施例１において、４−ニトロアニソール ９２ｍｇ（０．６０ｍｍｏｌ）を用いる代わりに、２−ニトロトルエン ８２ｍｇ（０．６０ｍｍｏｌ）を用い、２−ジシクロヘキシルホスフィノ−３，６−ジメトキシ−２’，４’，６’−トリイソプロピルビフェニル ４８ｍｇ（０．０９０ｍｍｏｌ）を用いる代わりに２−ジシクロヘキシルホスフィノ−２’，４’，６’−トリイソプロピルビフェニル ４４ｍｇ（０．０９０ｍｍｏｌ）を用いた以外は、同様の反応操作を行った。次いで、反応液を室温まで冷却した。この反応液に酢酸エチルを添加し、セライトを通じて濾過した。濃縮して得られた残渣を中圧カラムクロマトグラフィー（バイオタージＳＮＡＰ Ｕｌｔｒａカラム（粒径２５μｍ）使用、展開溶媒＝ヘキサン）で精製し、目的の２−メチルトリフェニルアミンを白色粉末として１００ｍｇ得た（収率６４％）。目的物の同定は１Ｈ及び１３Ｃ−ＮＭＲで実施した。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣＬ３）＝δ ７．２５−７．１０（ｍ，８Ｈ）， ７．００−６．９４（ｍ，４Ｈ）， ６．９４−６．８８（ｍ，２Ｈ）， ２．０３（ｓ，３Ｈ）
１３Ｃ−ＮＭＲ（ＣＤＣＬ３）＝δ １４７．４， １４５．３， １３６．５， １３１．７， １２９．６， １２９．０， １２７．３， １２６．０， １２１．５， １２１．３， １８．６。
実施例５
実施例１において、ジフェニルアミン １５２ｍｇ（０．９０ｍｍｏｌ）を用いる代わりに、４−フルオロジフェニルアミン １６８ｍｇ（０．９０ｍｍｏｌ）を用いた以外は、同様の反応操作を行った。次いで、反応液を室温まで冷却した。この反応液に酢酸エチルを添加し、セライトを通じて濾過した。濾液を濃縮して得られた残渣をジエチルエーテル（１０ｍＬ）に溶解し、３０％過酸化水素水溶液（１．５ｍＬ）を加えた。室温で１０分撹拌したのち、ジエチルエーテル（２０ｍＬ×３）で抽出した。得られた有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥したのち、濃縮して得られた残渣を中圧カラムクロマトグラフィー（バイオタージＳＮＡＰ Ｕｌｔｒａカラム（粒径２５μｍ）使用、展開溶媒＝ヘキサン／塩化メチレン）で精製し、目的のＮ−（４−フルオロフェニル）−Ｎ−（４−メトキシフェニル）ベンゼンアミンを白色固体として８９ｍｇ得た（収率５１％）。目的物の同定は１Ｈ、１３Ｃ及び１９Ｆ−ＮＭＲで実施した。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣＬ３）＝δ ７．２１（ｔ，Ｊ＝７．７Ｈｚ，２Ｈ）， ７．１５−６．９０（ｍ，９Ｈ）， ６．８５（ｄ，Ｊ＝８．７Ｈｚ，２Ｈ）， ３．８０（ｓ，３Ｈ）
１３Ｃ−ＮＭＲ（ＣＤＣＬ３）＝δ １５９．６， １５７．２， １５６．０， １４８．３， １４４．２， １４０．８， １２９．１， １２６．８， １２５．３， １２５．２， １２１．９， １２１．５， １１６．０， １１５．７， １１４．８， ５５．５
１９Ｆ−ＮＭＲ（ＣＤＣＬ３）＝δ １２０．６。
実施例１において、ジフェニルアミン １５２ｍｇ（０．９０ｍｍｏｌ）を用いる代わりに、４−フルオロジフェニルアミン １６８ｍｇ（０．９０ｍｍｏｌ）を用いた以外は、同様の反応操作を行った。次いで、反応液を室温まで冷却した。この反応液に酢酸エチルを添加し、セライトを通じて濾過した。濾液を濃縮して得られた残渣をジエチルエーテル（１０ｍＬ）に溶解し、３０％過酸化水素水溶液（１．５ｍＬ）を加えた。室温で１０分撹拌したのち、ジエチルエーテル（２０ｍＬ×３）で抽出した。得られた有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥したのち、濃縮して得られた残渣を中圧カラムクロマトグラフィー（バイオタージＳＮＡＰ Ｕｌｔｒａカラム（粒径２５μｍ）使用、展開溶媒＝ヘキサン／塩化メチレン）で精製し、目的のＮ−（４−フルオロフェニル）−Ｎ−（４−メトキシフェニル）ベンゼンアミンを白色固体として８９ｍｇ得た（収率５１％）。目的物の同定は１Ｈ、１３Ｃ及び１９Ｆ−ＮＭＲで実施した。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣＬ３）＝δ ７．２１（ｔ，Ｊ＝７．７Ｈｚ，２Ｈ）， ７．１５−６．９０（ｍ，９Ｈ）， ６．８５（ｄ，Ｊ＝８．７Ｈｚ，２Ｈ）， ３．８０（ｓ，３Ｈ）
１３Ｃ−ＮＭＲ（ＣＤＣＬ３）＝δ １５９．６， １５７．２， １５６．０， １４８．３， １４４．２， １４０．８， １２９．１， １２６．８， １２５．３， １２５．２， １２１．９， １２１．５， １１６．０， １１５．７， １１４．８， ５５．５
１９Ｆ−ＮＭＲ（ＣＤＣＬ３）＝δ １２０．６。
実施例６
実施例１において、ジフェニルアミン １５２ｍｇ（０．９０ｍｍｏｌ）を用いる代わりに、Ｎ−（１−ナフチル）フェニルアミン １９７ｍｇ（０．９０ｍｍｏｌ）を用いた以外は、同様の反応操作を行った。次いで、反応液を室温まで冷却した。この反応液に酢酸エチルを添加し、セライトを通じて濾過した。濾液を濃縮して得られた残渣をジエチルエーテル（１０ｍＬ）に溶解し、３０％過酸化水素水溶液（１．５ｍＬ）を加えた。室温で１０分撹拌したのち、ジエチルエーテル（２０ｍＬ×３）で抽出した。得られた有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥したのち、濃縮して得られた残渣を中圧カラムクロマトグラフィー（中性アルミナ使用、展開溶媒＝ヘキサン／酢酸エチル）で精製し、目的のＮ−（４−メトキシフェニル）−Ｎ−フェニル−１−ナフチルアミンを白色固体として８４ｍｇ得た（収率４３％）。目的物の同定は１Ｈ及び１３Ｃ−ＮＭＲで実施した。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣＬ３）＝δ ７．９７（ｄ，Ｊ＝８．７Ｈｚ，１Ｈ）， ７．８８（ｄ，Ｊ＝８．１Ｈｚ，１Ｈ）， ７．７４（ｄ，Ｊ＝８．１Ｈｚ，１Ｈ）， ７．４５（ｔ，Ｊ＝７．７Ｈｚ，２Ｈ）， ７．３６（ｔ，Ｊ＝７．４Ｈｚ，１Ｈ）， ７．３０（ｄ，Ｊ＝７．４Ｈｚ，１Ｈ）， ７．１５（ｔ，Ｊ＝７．７Ｈｚ，２Ｈ）， ７．０８（ｄ，Ｊ＝８．７Ｈｚ，２Ｈ）， ６．９０−６．７６（ｍ，５Ｈ）， ３．７７（ｓ，３Ｈ）
１３Ｃ−ＮＭＲ（ＣＤＣＬ３）＝δ １５５．４， １４９．３， １４３．９， １４１．６， １３５．２， １３１．１， １２８．９， １２８．３， １２６．７， １２６．３， １２６．２， １２６．０， １２５．２， １２４．４， １２０．３， １１９．９， １１４．５， ５５．４。
実施例１において、ジフェニルアミン １５２ｍｇ（０．９０ｍｍｏｌ）を用いる代わりに、Ｎ−（１−ナフチル）フェニルアミン １９７ｍｇ（０．９０ｍｍｏｌ）を用いた以外は、同様の反応操作を行った。次いで、反応液を室温まで冷却した。この反応液に酢酸エチルを添加し、セライトを通じて濾過した。濾液を濃縮して得られた残渣をジエチルエーテル（１０ｍＬ）に溶解し、３０％過酸化水素水溶液（１．５ｍＬ）を加えた。室温で１０分撹拌したのち、ジエチルエーテル（２０ｍＬ×３）で抽出した。得られた有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥したのち、濃縮して得られた残渣を中圧カラムクロマトグラフィー（中性アルミナ使用、展開溶媒＝ヘキサン／酢酸エチル）で精製し、目的のＮ−（４−メトキシフェニル）−Ｎ−フェニル−１−ナフチルアミンを白色固体として８４ｍｇ得た（収率４３％）。目的物の同定は１Ｈ及び１３Ｃ−ＮＭＲで実施した。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣＬ３）＝δ ７．９７（ｄ，Ｊ＝８．７Ｈｚ，１Ｈ）， ７．８８（ｄ，Ｊ＝８．１Ｈｚ，１Ｈ）， ７．７４（ｄ，Ｊ＝８．１Ｈｚ，１Ｈ）， ７．４５（ｔ，Ｊ＝７．７Ｈｚ，２Ｈ）， ７．３６（ｔ，Ｊ＝７．４Ｈｚ，１Ｈ）， ７．３０（ｄ，Ｊ＝７．４Ｈｚ，１Ｈ）， ７．１５（ｔ，Ｊ＝７．７Ｈｚ，２Ｈ）， ７．０８（ｄ，Ｊ＝８．７Ｈｚ，２Ｈ）， ６．９０−６．７６（ｍ，５Ｈ）， ３．７７（ｓ，３Ｈ）
１３Ｃ−ＮＭＲ（ＣＤＣＬ３）＝δ １５５．４， １４９．３， １４３．９， １４１．６， １３５．２， １３１．１， １２８．９， １２８．３， １２６．７， １２６．３， １２６．２， １２６．０， １２５．２， １２４．４， １２０．３， １１９．９， １１４．５， ５５．４。
実施例７
実施例１において、ジフェニルアミン １５２ｍｇ（０．９０ｍｍｏｌ）を用いる代わりに、アニリン ８４ｍｇ（０．９０ｍｍｏｌ）を用い、ヘプタン（３．０ｍＬ）を用いる代わりにＤＭＦ（３．０ｍＬ）を用いた以外は、同様の反応操作を行った。次いで、反応液を室温まで冷却した。この反応液に酢酸エチルを添加し、セライトを通じて濾過した。濾液を濃縮して得られた残渣をジエチルエーテル（１０ｍＬ）に溶解し、３０％過酸化水素水溶液（１．５ｍＬ）を加えた。室温で１０分撹拌したのち、ジエチルエーテル（２０ｍＬ×３）で抽出した。得られた有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥したのち、濃縮して得られた残渣を中圧カラムクロマトグラフィー（バイオタージＳＮＡＰ Ｕｌｔｒａカラム（粒径２５μｍ）使用、展開溶媒＝ヘキサン／酢酸エチル）で精製し、目的のＮ−（４−メトキシフェニル）ベンゼンアミンを黄色固体として３９ｍｇ得た（収率３３％）。目的物の同定は１Ｈ及び１３Ｃ−ＮＭＲで実施した。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣＬ３）＝δ ７．２１（ｔ，Ｊ＝７．７Ｈｚ，２Ｈ）， ７．０８（ｄ，Ｊ＝８．７Ｈｚ，２Ｈ）， ６．９４−６．８０（ｍ，５Ｈ）， ５．４９（ｂｒ ｓ，１Ｈ）， ３．８０（ｓ，３Ｈ）
１３Ｃ−ＮＭＲ（ＣＤＣＬ３）＝δ １５５．２， １４５．１， １３５．７， １２９．３， １２２．２， １１９．５， １１５．６， １１４．６， ５５．６。
実施例１において、ジフェニルアミン １５２ｍｇ（０．９０ｍｍｏｌ）を用いる代わりに、アニリン ８４ｍｇ（０．９０ｍｍｏｌ）を用い、ヘプタン（３．０ｍＬ）を用いる代わりにＤＭＦ（３．０ｍＬ）を用いた以外は、同様の反応操作を行った。次いで、反応液を室温まで冷却した。この反応液に酢酸エチルを添加し、セライトを通じて濾過した。濾液を濃縮して得られた残渣をジエチルエーテル（１０ｍＬ）に溶解し、３０％過酸化水素水溶液（１．５ｍＬ）を加えた。室温で１０分撹拌したのち、ジエチルエーテル（２０ｍＬ×３）で抽出した。得られた有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥したのち、濃縮して得られた残渣を中圧カラムクロマトグラフィー（バイオタージＳＮＡＰ Ｕｌｔｒａカラム（粒径２５μｍ）使用、展開溶媒＝ヘキサン／酢酸エチル）で精製し、目的のＮ−（４−メトキシフェニル）ベンゼンアミンを黄色固体として３９ｍｇ得た（収率３３％）。目的物の同定は１Ｈ及び１３Ｃ−ＮＭＲで実施した。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣＬ３）＝δ ７．２１（ｔ，Ｊ＝７．７Ｈｚ，２Ｈ）， ７．０８（ｄ，Ｊ＝８．７Ｈｚ，２Ｈ）， ６．９４−６．８０（ｍ，５Ｈ）， ５．４９（ｂｒ ｓ，１Ｈ）， ３．８０（ｓ，３Ｈ）
１３Ｃ−ＮＭＲ（ＣＤＣＬ３）＝δ １５５．２， １４５．１， １３５．７， １２９．３， １２２．２， １１９．５， １１５．６， １１４．６， ５５．６。
実施例８
実施例１において、ジフェニルアミン １５２ｍｇ（０．９０ｍｍｏｌ）を用いる代わりに、ｐ−トルイジン ９６ｍｇ（０．９０ｍｍｏｌ）を用い、ヘプタン（３．０ｍＬ）を用いる代わりにＤＭＦ（３．０ｍＬ）を用いた以外は、同様の反応操作を行った。次いで、反応液を室温まで冷却した。この反応液に酢酸エチルを添加し、セライトを通じて濾過した。濾液を濃縮して得られた残渣をジエチルエーテル（１０ｍＬ）に溶解し、３０％過酸化水素水溶液（１．５ｍＬ）を加えた。室温で１０分撹拌したのち、ジエチルエーテル（２０ｍＬ×３）で抽出した。得られた有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥したのち、濃縮して得られた残渣を中圧カラムクロマトグラフィー（バイオタージＳＮＡＰ Ｕｌｔｒａカラム（粒径２５μｍ）使用、展開溶媒＝ヘキサン／塩化メチレン）で精製し、目的の４−メトキシ−４’−メチルジフェニルアミンを黄色固体として６０ｍｇ得た（収率４７％）。目的物の同定は１Ｈ及び１３Ｃ−ＮＭＲで実施した。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣＬ３）＝δ ７．１０−７．０１（ｍ，４Ｈ）， ６．９２−６．８１（ｍ，４Ｈ）， ５．４１（ｂｒ ｓ，１Ｈ）， ３．８１（ｓ，３Ｈ）， ２．３０（ｓ，３Ｈ）
１３Ｃ−ＮＭＲ（ＣＤＣＬ３）＝δ １５４．７， １４２．４， １３６．６， １２９．８， １２９．３， １２１．１， １１６．５， １１４．６， ５５．６， ２０．５。
実施例１において、ジフェニルアミン １５２ｍｇ（０．９０ｍｍｏｌ）を用いる代わりに、ｐ−トルイジン ９６ｍｇ（０．９０ｍｍｏｌ）を用い、ヘプタン（３．０ｍＬ）を用いる代わりにＤＭＦ（３．０ｍＬ）を用いた以外は、同様の反応操作を行った。次いで、反応液を室温まで冷却した。この反応液に酢酸エチルを添加し、セライトを通じて濾過した。濾液を濃縮して得られた残渣をジエチルエーテル（１０ｍＬ）に溶解し、３０％過酸化水素水溶液（１．５ｍＬ）を加えた。室温で１０分撹拌したのち、ジエチルエーテル（２０ｍＬ×３）で抽出した。得られた有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥したのち、濃縮して得られた残渣を中圧カラムクロマトグラフィー（バイオタージＳＮＡＰ Ｕｌｔｒａカラム（粒径２５μｍ）使用、展開溶媒＝ヘキサン／塩化メチレン）で精製し、目的の４−メトキシ−４’−メチルジフェニルアミンを黄色固体として６０ｍｇ得た（収率４７％）。目的物の同定は１Ｈ及び１３Ｃ−ＮＭＲで実施した。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣＬ３）＝δ ７．１０−７．０１（ｍ，４Ｈ）， ６．９２−６．８１（ｍ，４Ｈ）， ５．４１（ｂｒ ｓ，１Ｈ）， ３．８１（ｓ，３Ｈ）， ２．３０（ｓ，３Ｈ）
１３Ｃ−ＮＭＲ（ＣＤＣＬ３）＝δ １５４．７， １４２．４， １３６．６， １２９．８， １２９．３， １２１．１， １１６．５， １１４．６， ５５．６， ２０．５。
実施例９
実施例１において、ジフェニルアミン １５２ｍｇ（０．９０ｍｍｏｌ）を用いる代わりに、ｐ−アニシジン １１１ｍｇ（０．９０ｍｍｏｌ）を用い、ヘプタン（３．０ｍＬ）を用いる代わりにＤＭＦ（３．０ｍＬ）を用いた以外は、同様の反応操作を行った。次いで、反応液を室温まで冷却した。この反応液に酢酸エチルを添加し、セライトを通じて濾過した。濾液を濃縮して得られた残渣をジエチルエーテル（１０ｍＬ）に溶解し、３０％過酸化水素水溶液（１．５ｍＬ）を加えた。室温で１０分撹拌したのち、ジエチルエーテル（２０ｍＬ×３）で抽出した。得られた有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥したのち、濃縮して得られた残渣を中圧カラムクロマトグラフィー（バイオタージＳＮＡＰ Ｕｌｔｒａカラム（粒径２５μｍ）使用、展開溶媒＝ヘキサン／酢酸エチル／トリエチルアミン）で精製し、次いで、中圧カラムクロマトグラフィー（バイオタージＳＮＡＰ Ｕｌｔｒａカラム（粒径２５μｍ）使用、展開溶媒＝トルエン／トリエチルアミン）で精製し、目的の４，４’−ジメトキシジフェニルアミンを黄色固体として６５ｍｇ得た（収率４７％）。目的物の同定は１Ｈ及び１３Ｃ−ＮＭＲで実施した。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣＬ３）＝δ ６．９５（ｄ，Ｊ＝８．１Ｈｚ，４Ｈ）， ６．８３（ｄ，Ｊ＝８．７Ｈｚ，４Ｈ）， ５．３０（ｂｒ ｓ，１Ｈ）， ３．７９（ｓ，６Ｈ）
１３Ｃ−ＮＭＲ（ＣＤＣＬ３）＝δ １５４．２， １３８．０， １１９．５， １１４．７， ５５．６。
実施例１において、ジフェニルアミン １５２ｍｇ（０．９０ｍｍｏｌ）を用いる代わりに、ｐ−アニシジン １１１ｍｇ（０．９０ｍｍｏｌ）を用い、ヘプタン（３．０ｍＬ）を用いる代わりにＤＭＦ（３．０ｍＬ）を用いた以外は、同様の反応操作を行った。次いで、反応液を室温まで冷却した。この反応液に酢酸エチルを添加し、セライトを通じて濾過した。濾液を濃縮して得られた残渣をジエチルエーテル（１０ｍＬ）に溶解し、３０％過酸化水素水溶液（１．５ｍＬ）を加えた。室温で１０分撹拌したのち、ジエチルエーテル（２０ｍＬ×３）で抽出した。得られた有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥したのち、濃縮して得られた残渣を中圧カラムクロマトグラフィー（バイオタージＳＮＡＰ Ｕｌｔｒａカラム（粒径２５μｍ）使用、展開溶媒＝ヘキサン／酢酸エチル／トリエチルアミン）で精製し、次いで、中圧カラムクロマトグラフィー（バイオタージＳＮＡＰ Ｕｌｔｒａカラム（粒径２５μｍ）使用、展開溶媒＝トルエン／トリエチルアミン）で精製し、目的の４，４’−ジメトキシジフェニルアミンを黄色固体として６５ｍｇ得た（収率４７％）。目的物の同定は１Ｈ及び１３Ｃ−ＮＭＲで実施した。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣＬ３）＝δ ６．９５（ｄ，Ｊ＝８．１Ｈｚ，４Ｈ）， ６．８３（ｄ，Ｊ＝８．７Ｈｚ，４Ｈ）， ５．３０（ｂｒ ｓ，１Ｈ）， ３．７９（ｓ，６Ｈ）
１３Ｃ−ＮＭＲ（ＣＤＣＬ３）＝δ １５４．２， １３８．０， １１９．５， １１４．７， ５５．６。
実施例のまとめを以下の表１に示す。
Claims (6)
- 配位性化合物を共存させた遷移金属触媒、及び塩基の存在下、下記一般式（１）
で表される芳香族ニトロ化合物と、下記一般式（２）
で表されるアミン化合物をクロスカップリング反応させることを特徴とする下記一般式（３）
で表される芳香族アミン化合物の製造方法。 - アミン化合物が、１級又は２級アミン化合物であることを特徴とする、請求項１に記載の芳香族アミン化合物の製造方法。
- アミン化合物が、１級又は２級の芳香族アミン化合物であることを特徴とする、請求項１又は２に記載の芳香族アミン化合物の製造方法。
- 遷移金属触媒が、パラジウム又はニッケル化合物であることを特徴とする、請求項１に記載の製造方法。
- 前記の配位性化合物が、ホスフィン化合物であることを特徴とする請求項１に記載の製造方法。
- 前記の配位性化合物が、下記一般式（５）
で表されるホスフィン化合物である、請求項１乃至３のいずれか一項に記載の製造方法。
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