JP2000313788A - 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 - Google Patents
半導体封止用エポキシ樹脂組成物Info
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- JP2000313788A JP2000313788A JP11122215A JP12221599A JP2000313788A JP 2000313788 A JP2000313788 A JP 2000313788A JP 11122215 A JP11122215 A JP 11122215A JP 12221599 A JP12221599 A JP 12221599A JP 2000313788 A JP2000313788 A JP 2000313788A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】ＹＭＧレーザーマーキング性が良好であり、し
かも半導体の機能に悪影響を与えない半導体封止用エポ
キシ樹脂組成物を提供する。 【解決手段】 下記式(Ｉ)で表されるフタロシアニン化
合物を配合してなる半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
【化１】 (式中、Ｒはアルキル基又はアルコキシアルキル基を示
し、Ｘはハロゲン原子、アルキルチオ基、置換基を有し
てもよいフェニルチオ基又は置換基を有してもよいナフ
チルチオ基を示し、Ｍは２個の水素原子、２価の金属又
は３価若しくは４価の金属の誘導体を示す。)
かも半導体の機能に悪影響を与えない半導体封止用エポ
キシ樹脂組成物を提供する。 【解決手段】 下記式(Ｉ)で表されるフタロシアニン化
合物を配合してなる半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
【化１】 (式中、Ｒはアルキル基又はアルコキシアルキル基を示
し、Ｘはハロゲン原子、アルキルチオ基、置換基を有し
てもよいフェニルチオ基又は置換基を有してもよいナフ
チルチオ基を示し、Ｍは２個の水素原子、２価の金属又
は３価若しくは４価の金属の誘導体を示す。)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、レーザーマーキング性
に優れ、半導体の機能に悪影響を与えない半導体封止用
エポキシ樹脂組成物に関するものである。
に優れ、半導体の機能に悪影響を与えない半導体封止用
エポキシ樹脂組成物に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、エポキシ樹脂組成物等で封止され
た半導体パッケージは、熱硬化型或いはＵＶ硬化型の特
殊なインクで製品名やロット番号等をマーキングされて
いるが、マーキングやその硬化に時間がかかったり、イ
ンクの取扱い等に難点があり、近年、レーザーマーキン
グ方法を採用する電子部品メーカーが増加している。す
なわちＹＡＧレーザー、炭酸ガスレーザー等のレーザー
光線で短時間照射して半導体パッケージにマーキングす
る方法は、インクによるマーキングよりも作業性に優
れ、且つ短時間で終了するため、利点が大きい。
た半導体パッケージは、熱硬化型或いはＵＶ硬化型の特
殊なインクで製品名やロット番号等をマーキングされて
いるが、マーキングやその硬化に時間がかかったり、イ
ンクの取扱い等に難点があり、近年、レーザーマーキン
グ方法を採用する電子部品メーカーが増加している。す
なわちＹＡＧレーザー、炭酸ガスレーザー等のレーザー
光線で短時間照射して半導体パッケージにマーキングす
る方法は、インクによるマーキングよりも作業性に優
れ、且つ短時間で終了するため、利点が大きい。
【０００３】レーザーマーキングの方法としては炭酸ガ
スレーザー、ＹＡＧレーザー等を用いてマークすべき表
面の有機物をそのエネルギーで燃焼させてしまったり、
もしくはマークすべき面にヘコミ等の段差を作製するこ
とにより、表面上のコントラストもしくは色差によって
マーク表示するもの等がある。
スレーザー、ＹＡＧレーザー等を用いてマークすべき表
面の有機物をそのエネルギーで燃焼させてしまったり、
もしくはマークすべき面にヘコミ等の段差を作製するこ
とにより、表面上のコントラストもしくは色差によって
マーク表示するもの等がある。
【０００４】半導体封止用エポキシ樹脂をレーザーマー
キングする方法としてはレーザー光を吸収して熱エネル
ギーに変える着色物質を配合したエポキシ樹脂組成物に
レーザー光を照射すると照射面のみが高温に加熱され、
その部分のエポキシ樹脂と着色物質が速やかに酸化され
て空気中に除去されて、クボミ等の段差の形成と共にエ
ポキシ樹脂の本来の白色面が露出してコントラストをつ
くることである。
キングする方法としてはレーザー光を吸収して熱エネル
ギーに変える着色物質を配合したエポキシ樹脂組成物に
レーザー光を照射すると照射面のみが高温に加熱され、
その部分のエポキシ樹脂と着色物質が速やかに酸化され
て空気中に除去されて、クボミ等の段差の形成と共にエ
ポキシ樹脂の本来の白色面が露出してコントラストをつ
くることである。
【０００５】特にＹＡＧレーザーを用いる方法が多く、
ＹＡＧレーザー光を熱に変える物質として特開平２−１
２７４４９号報に記載されている様にカーボンブラック
が多く使用されている。しかしながら、近年、半導体が
使用されている電子部品の小型化、軽量化に伴い、半導
体パッケージも小型化、薄型化が追求され始め、高い電
気伝導性を有するカーボンブラックが半導体の機能に悪
影響を及ぼすことが懸念されており、光熱変換剤及び着
色剤として電気伝導性の小さい材料が要望されている。
ＹＡＧレーザー光を熱に変える物質として特開平２−１
２７４４９号報に記載されている様にカーボンブラック
が多く使用されている。しかしながら、近年、半導体が
使用されている電子部品の小型化、軽量化に伴い、半導
体パッケージも小型化、薄型化が追求され始め、高い電
気伝導性を有するカーボンブラックが半導体の機能に悪
影響を及ぼすことが懸念されており、光熱変換剤及び着
色剤として電気伝導性の小さい材料が要望されている。
【０００６】また特開昭６１−１９２７３７号公報及び
特開昭６２−２２７９５５号公報にフタロシアニン化合
物、例えばピグメントグリーン７等を着色剤に用いた封
止用樹脂またはレーザーマーキング法が記載されている
が、ここに記載のフタロシアニン化合物はＹＡＧレーザ
ーの波長（１．０６μｍ）域に吸収帯がないため、光熱
変換能力が低く、良好なレーザーマーキング特性が得ら
れない。
特開昭６２−２２７９５５号公報にフタロシアニン化合
物、例えばピグメントグリーン７等を着色剤に用いた封
止用樹脂またはレーザーマーキング法が記載されている
が、ここに記載のフタロシアニン化合物はＹＡＧレーザ
ーの波長（１．０６μｍ）域に吸収帯がないため、光熱
変換能力が低く、良好なレーザーマーキング特性が得ら
れない。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、半導
体の機能に悪影響を及ぼさず、レーザーマーキング、特
にＹＡＧレーザーを使用したマーキングの特性が良好な
半導体封止用エポキシ樹脂組成物を提供することにあ
る。
体の機能に悪影響を及ぼさず、レーザーマーキング、特
にＹＡＧレーザーを使用したマーキングの特性が良好な
半導体封止用エポキシ樹脂組成物を提供することにあ
る。
【０００８】
【課題を解決するための手段】前記した課題を解決する
ために種々検討した結果、本発明者らは９００〜１１０
０ｎｍの波長域に吸収帯を有し、且つ電気伝導性が小さ
く、高耐久性を有する特定のフタロシアニン化合物を用
いることにより特にＹＡＧレーザーマーキングの特性、
耐熱性、耐湿性に優れ、半導体に悪影響を与えない半導
体封止用エポキシ樹脂組成物が得られるとの知見を得
て、本発明を達成した。即ち、本発明は下記一般式
（Ｉ）で表わされるフタロシアニン化合物を配合してな
る半導体封止用エポキシ樹脂組成物を提供するものであ
る。
ために種々検討した結果、本発明者らは９００〜１１０
０ｎｍの波長域に吸収帯を有し、且つ電気伝導性が小さ
く、高耐久性を有する特定のフタロシアニン化合物を用
いることにより特にＹＡＧレーザーマーキングの特性、
耐熱性、耐湿性に優れ、半導体に悪影響を与えない半導
体封止用エポキシ樹脂組成物が得られるとの知見を得
て、本発明を達成した。即ち、本発明は下記一般式
（Ｉ）で表わされるフタロシアニン化合物を配合してな
る半導体封止用エポキシ樹脂組成物を提供するものであ
る。
【０００９】
【化６】 （式中、Ｒはアルキル基又はアルコキシアルキル基を示
し、Ｘはハロゲン原子、アルキルチオ基、置換基を有し
てもよいフェニルチオ基又は置換基を有してもよいナフ
チルチオ基を示し、Ｍは２個の水素原子、２価の金属も
しくは３価又は４価の金属の誘導体を示す。）
し、Ｘはハロゲン原子、アルキルチオ基、置換基を有し
てもよいフェニルチオ基又は置換基を有してもよいナフ
チルチオ基を示し、Ｍは２個の水素原子、２価の金属も
しくは３価又は４価の金属の誘導体を示す。）
【００１０】また本発明は下記一般式（ＩＩ）〜（Ｖ）
の少なくとも一種からなるフタロシアニン化合物を配合
してなる半導体封止用エポキシ樹脂組成物である。
の少なくとも一種からなるフタロシアニン化合物を配合
してなる半導体封止用エポキシ樹脂組成物である。
【００１１】
【化７】
【００１２】
【化８】
【００１３】
【化９】
【００１４】
【化１０】 （式中、Ｒ１〜Ｒ４はアルキル基又はアルコキシアルキ
ル基を示し、Ｘはハロゲン原子、アルキルチオ基、置換
基を有してもよいフェニルチオ基又は置換基を有しても
よいナフチルチオ基を示し、Ｍは２個の水素原子、２価
の金属もしくは３価又は４価の金属の誘導体を示す。）
ル基を示し、Ｘはハロゲン原子、アルキルチオ基、置換
基を有してもよいフェニルチオ基又は置換基を有しても
よいナフチルチオ基を示し、Ｍは２個の水素原子、２価
の金属もしくは３価又は４価の金属の誘導体を示す。）
【００１５】また本発明は、前記の半導体封止用エポキ
シ樹脂組成物を用いて半導体素子を封止、硬化し、次い
でＹＡＧレーザーを照射してマーキングすることを特徴
とする半導体装置の製造方法である。
シ樹脂組成物を用いて半導体素子を封止、硬化し、次い
でＹＡＧレーザーを照射してマーキングすることを特徴
とする半導体装置の製造方法である。
【００１６】さらに本発明は、前記の半導体封止用エポ
キシ樹脂組成物を封止剤として使用した半導体装置であ
る。
キシ樹脂組成物を封止剤として使用した半導体装置であ
る。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下に本発明を詳しく説明する。
【００１８】本願の発明は下記一般式（Ｉ）で表される
フタロシアニン化合物又は（ＩＩ）〜（Ｖ）で表わされ
るフタロシアニン化合物の少なくとも一種を配合してな
る半導体封止用エポキシ樹脂組成物である。
フタロシアニン化合物又は（ＩＩ）〜（Ｖ）で表わされ
るフタロシアニン化合物の少なくとも一種を配合してな
る半導体封止用エポキシ樹脂組成物である。
【００１９】
【化１１】
【００２０】
【化１２】
【００２１】
【化１３】
【００２２】
【化１４】
【００２３】
【化１５】 （式中（Ｉ）及び（ＩＩ）〜（Ｖ）中、Ｒ、 Ｒ２〜Ｒ
４、Ｘ、Ｍは前記と同じものを示す。）
４、Ｘ、Ｍは前記と同じものを示す。）
【００２４】Ｒ又はＲ２〜Ｒ４がアルキル基である場合
は、炭素数１〜１２の直鎖或いは分岐のアルキル基が好
ましく、炭素数１〜８の直鎖或いは分岐のアルキル基が
特に好ましい。例としてはメチル基、エチル基、ｎ−プ
ロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル
基、ｓｅｃ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、イソペンチル
基、ネオペンチル基、ｎ−ヘプチル基、イソヘプチル
基、ｓｅｃ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、２−エチル
ヘキシル基が挙げられる。
は、炭素数１〜１２の直鎖或いは分岐のアルキル基が好
ましく、炭素数１〜８の直鎖或いは分岐のアルキル基が
特に好ましい。例としてはメチル基、エチル基、ｎ−プ
ロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル
基、ｓｅｃ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、イソペンチル
基、ネオペンチル基、ｎ−ヘプチル基、イソヘプチル
基、ｓｅｃ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、２−エチル
ヘキシル基が挙げられる。
【００２５】Ｒ又はＲ２〜Ｒ４がアルコキシアルキル基
である場合は、総炭素数２〜６のものが好ましい。例と
してメトキシエチル基、メトキシプロピル基、メトキシ
ブチル基、エトキシエチル基、エトキシプロピル基、エ
トキシブチル基、ｎ−プロポキシエチル基、ｉｓｏ−プ
ロポキシエチル基が挙げられる。Ｘはハロゲン原子、ア
ルキルチオ基、置換基を有してもよいフェニルチオ基又
は置換基を有してもよいナフチルチオ基であるが、Ｘが
ハロゲン原子であるものとしては、塩素原子、臭素原
子、弗素原子が好ましく、特に塩素原子が好ましい。
である場合は、総炭素数２〜６のものが好ましい。例と
してメトキシエチル基、メトキシプロピル基、メトキシ
ブチル基、エトキシエチル基、エトキシプロピル基、エ
トキシブチル基、ｎ−プロポキシエチル基、ｉｓｏ−プ
ロポキシエチル基が挙げられる。Ｘはハロゲン原子、ア
ルキルチオ基、置換基を有してもよいフェニルチオ基又
は置換基を有してもよいナフチルチオ基であるが、Ｘが
ハロゲン原子であるものとしては、塩素原子、臭素原
子、弗素原子が好ましく、特に塩素原子が好ましい。
【００２６】Ｘがアルキルチオ基である場合としては炭
素数１〜１２のアルキルチオ基が好ましい。具体例とし
てはメチルチオ基、エチルチオ基、ｎ−プロピルチオ
基、イソプロピルチオ基、ｎ−ブチルチオ基、ｓｅｃ−
ブチルチオ基、ｔｅｒｔ−ブチルチオ基、ｎ−ペンチル
チオ基、イソペンチルチオ基、ネオペンチルチオ基、ｎ
−ヘキシルチオ基、イソヘキシルチオ基、ｓｅｃ−ヘキ
シルチオ基、シクロヘキシルチオ基、ｎ−ヘプチルチオ
基、イソヘプチルチオ基、ｓｅｃ−ヘプチルチオ基、ｎ
−オクチルチオ基、２−エチルヘキシルチオ基、ｎ−ノ
ニルチオ基、ｎ−デシルチオ基、ｎ−ウンデシルチオ
基、ｎ−ドデシルチオ基等が挙げられる。
素数１〜１２のアルキルチオ基が好ましい。具体例とし
てはメチルチオ基、エチルチオ基、ｎ−プロピルチオ
基、イソプロピルチオ基、ｎ−ブチルチオ基、ｓｅｃ−
ブチルチオ基、ｔｅｒｔ−ブチルチオ基、ｎ−ペンチル
チオ基、イソペンチルチオ基、ネオペンチルチオ基、ｎ
−ヘキシルチオ基、イソヘキシルチオ基、ｓｅｃ−ヘキ
シルチオ基、シクロヘキシルチオ基、ｎ−ヘプチルチオ
基、イソヘプチルチオ基、ｓｅｃ−ヘプチルチオ基、ｎ
−オクチルチオ基、２−エチルヘキシルチオ基、ｎ−ノ
ニルチオ基、ｎ−デシルチオ基、ｎ−ウンデシルチオ
基、ｎ−ドデシルチオ基等が挙げられる。
【００２７】Ｘが置換基を有してもよいフェニルチオ基
である場合は、この様な置換基としては炭素数１〜８の
アルキル基、炭素数１〜８のアルコキシ基、更にアルキ
ル基で置換されてもよいアミノ基、ハロゲン原子等が挙
げられる。
である場合は、この様な置換基としては炭素数１〜８の
アルキル基、炭素数１〜８のアルコキシ基、更にアルキ
ル基で置換されてもよいアミノ基、ハロゲン原子等が挙
げられる。
【００２８】この様な置換基を有してもよいフェニルチ
オ基の具体例としてはフェニルチオ基、ｐ−メチルフェ
ニルチオ基、ｐ−エチルフェニルチオ基、ｐ−ｎ−ブチ
ルフェニルチオ基、ｐ−ｎ−プロピルフェニルチオ基、
ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルチオ基、ｐ−ｎ−オクチ
ルフェニルチオ基、ｐ−メトキシフェニルチオ基、ｐ−
エトキシフェニルチオ基、ｐ−ｎ−プロポキシフェニル
チオ基、ｐ−ｉｓｏ−プロポキシフェニルチオ基、ｐ−
ｎ−ブトキシフェニルチオ基、ｐ−ｉｓｏ−ブトキシフ
ェニルチオ基、ｐ−ｓｅｃ−ブトキシフェニルチオ基、
ｐ−ｎ−ペントキシフェニルチオ基、ｐ−ｎ−オクチル
フェニルチオ基、２，４−ジメチルフェニルチオ基、ｐ
−ジメチルアミノフェニルチオ基、ｐ−ジエチルアミノ
フェニルチオ基、ｐ−ジ−ｎ−ブチルアミノフェニルチ
オ基、ｐ−クロロフェニルチオ基、ｐ−ブロモフェニル
チオ基、ｐ−フロロフェニルチオ基、２，４−ジクロロ
フェニルチオ基等が挙げられる。
オ基の具体例としてはフェニルチオ基、ｐ−メチルフェ
ニルチオ基、ｐ−エチルフェニルチオ基、ｐ−ｎ−ブチ
ルフェニルチオ基、ｐ−ｎ−プロピルフェニルチオ基、
ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルチオ基、ｐ−ｎ−オクチ
ルフェニルチオ基、ｐ−メトキシフェニルチオ基、ｐ−
エトキシフェニルチオ基、ｐ−ｎ−プロポキシフェニル
チオ基、ｐ−ｉｓｏ−プロポキシフェニルチオ基、ｐ−
ｎ−ブトキシフェニルチオ基、ｐ−ｉｓｏ−ブトキシフ
ェニルチオ基、ｐ−ｓｅｃ−ブトキシフェニルチオ基、
ｐ−ｎ−ペントキシフェニルチオ基、ｐ−ｎ−オクチル
フェニルチオ基、２，４−ジメチルフェニルチオ基、ｐ
−ジメチルアミノフェニルチオ基、ｐ−ジエチルアミノ
フェニルチオ基、ｐ−ジ−ｎ−ブチルアミノフェニルチ
オ基、ｐ−クロロフェニルチオ基、ｐ−ブロモフェニル
チオ基、ｐ−フロロフェニルチオ基、２，４−ジクロロ
フェニルチオ基等が挙げられる。
【００２９】特にフェニルチオ基、置換基として炭素数
１〜８のアルキル基、炭素数１〜８のアルコキシ基、炭
素数１〜８のジアルキルアミノ基又はハロゲン原子を有
するフェニルチオ基が好ましい。
１〜８のアルキル基、炭素数１〜８のアルコキシ基、炭
素数１〜８のジアルキルアミノ基又はハロゲン原子を有
するフェニルチオ基が好ましい。
【００３０】Ｘが置換基を有してもよいナフチルチオ基
である場合は、この様な置換基としては炭素数１〜４の
アルキル基、ハロゲン原子等が挙げられる。この様な置
換基を有してもよいナフチルチオ基の具体例としては、
ナフチルチオ基、メチルナフチルチオ基、ｎ−プロピル
ナフチルチオ基、ｉｓｏ−プロピルナフチルチオ基、ｎ
−ブチルナフチルチオ基、ｔｅｒｔ−ブチルナフチルチ
オ基、クロロナフチルチオ基、ブロモナフチルチオ基、
フロロナフチルチオ基等が挙げられる。特にナフチルチ
オ基、炭素数１〜４のアルキル基を有するナフチルチオ
基が好ましい。
である場合は、この様な置換基としては炭素数１〜４の
アルキル基、ハロゲン原子等が挙げられる。この様な置
換基を有してもよいナフチルチオ基の具体例としては、
ナフチルチオ基、メチルナフチルチオ基、ｎ−プロピル
ナフチルチオ基、ｉｓｏ−プロピルナフチルチオ基、ｎ
−ブチルナフチルチオ基、ｔｅｒｔ−ブチルナフチルチ
オ基、クロロナフチルチオ基、ブロモナフチルチオ基、
フロロナフチルチオ基等が挙げられる。特にナフチルチ
オ基、炭素数１〜４のアルキル基を有するナフチルチオ
基が好ましい。
【００３１】Ｍが２価の金属であるものとしては、Ｃ
ｕ、Ｚｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｒｕ、Ｐｂ、Ｒｈ、Ｐ
ｄ、Ｐｔ、Ｍｎ、Ｓｎが好ましく、３価又は４価の金属
の誘導体であるものとしてはとしては、ＡｌＣｌ、Ｉｎ
Ｃｌ、ＦｅＣｌ、ＭｎＯＨ、ＳｉＣｌ２、ＳｎＣｌ２、
ＧｅＣｌ２、Ｓｉ（ＯＨ）２、Ｓｎ（ＯＨ）２、Ｇｅ
（ＯＨ）２、ＶＯ、ＴｉＯが好ましい。Ｍとしては特に
Ｃｕ、Ｎｉ、Ｃｏ、ＦｅＣｌ、Ｚｎ、ＶＯ、Ｐｄ、Ｍｎ
ＯＨが好ましい。
ｕ、Ｚｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｒｕ、Ｐｂ、Ｒｈ、Ｐ
ｄ、Ｐｔ、Ｍｎ、Ｓｎが好ましく、３価又は４価の金属
の誘導体であるものとしてはとしては、ＡｌＣｌ、Ｉｎ
Ｃｌ、ＦｅＣｌ、ＭｎＯＨ、ＳｉＣｌ２、ＳｎＣｌ２、
ＧｅＣｌ２、Ｓｉ（ＯＨ）２、Ｓｎ（ＯＨ）２、Ｇｅ
（ＯＨ）２、ＶＯ、ＴｉＯが好ましい。Ｍとしては特に
Ｃｕ、Ｎｉ、Ｃｏ、ＦｅＣｌ、Ｚｎ、ＶＯ、Ｐｄ、Ｍｎ
ＯＨが好ましい。
【００３２】本発明に用いることができる一般式（Ｉ）
又は（ＩＩ）〜（Ｖ）で表わされるフタロシアニン化合
物は、例えば下記一般式（ＶＩ）で表されるジイミノイ
ソインドリン化合物と金属又は金属誘導体を、適当な溶
媒中、好ましくは沸点１３０℃以上の有機溶媒中、１０
０〜３００℃で反応させることにより製造できる。
又は（ＩＩ）〜（Ｖ）で表わされるフタロシアニン化合
物は、例えば下記一般式（ＶＩ）で表されるジイミノイ
ソインドリン化合物と金属又は金属誘導体を、適当な溶
媒中、好ましくは沸点１３０℃以上の有機溶媒中、１０
０〜３００℃で反応させることにより製造できる。
【００３３】
【化１６】 （式中、Ｒ５、Ｒ６はアルキル基又はアルコキシアルキ
ル基を示し、Ｘはハロゲン原子、アルキルチオ基、置換
基を有してもよいフェニルチオ基又は置換基を有しても
よいナフチルチオ基を示す。） 本発明のフタロシアニン化合物の好ましい具体例を表１
〜６に示す。
ル基を示し、Ｘはハロゲン原子、アルキルチオ基、置換
基を有してもよいフェニルチオ基又は置換基を有しても
よいナフチルチオ基を示す。） 本発明のフタロシアニン化合物の好ましい具体例を表１
〜６に示す。
【００３４】
【表１】
【００３５】
【表２】
【００３６】
【表３】
【００３７】
【表４】
【００３８】
【表５】
【００３９】
【表６】
【００４０】なお、一般式（Ｉ）及び（ＩＩ）〜（Ｖ）
のフタロシアニン化合物自体は本発明者らが先に出願し
ている(特願平１０−３７６８７０号)。本発明者らはこ
の化合物がＹＡＧレーザーに対する感度が良好で電気伝
導性が小さく、高耐久性を有するため、ＹＡＧレーザー
マーキング性の優れた半導体封止用エポキシ樹脂組成物
の着色剤として好適に用いることができるとの知見を得
た。
のフタロシアニン化合物自体は本発明者らが先に出願し
ている(特願平１０−３７６８７０号)。本発明者らはこ
の化合物がＹＡＧレーザーに対する感度が良好で電気伝
導性が小さく、高耐久性を有するため、ＹＡＧレーザー
マーキング性の優れた半導体封止用エポキシ樹脂組成物
の着色剤として好適に用いることができるとの知見を得
た。
【００４１】本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物
には、エポキシ樹脂、前記のフタロシアニン化合物の
他、公知の封止剤に用いられるフェノール樹脂硬化剤、
硬化促進剤、無機充填剤等が配合される。
には、エポキシ樹脂、前記のフタロシアニン化合物の
他、公知の封止剤に用いられるフェノール樹脂硬化剤、
硬化促進剤、無機充填剤等が配合される。
【００４２】本発明に用いられるフタロシアニン化合物
の配合量は組成物中の樹脂成分に対し、０．１〜６重量
％とすることが好ましく、０．５〜３重量％とすること
が特に好ましい。また本発明の目的を逸脱しない範囲
で、コントラスト調整用にカーボンブラック、各種、各
色の着色剤を併用することも可能である。本発明に用い
る着色剤は半導体封止用樹脂組成物としての耐湿信頼性
を考慮してイオン性不純物であるＮａイオン或いはＣｌ
イオンは極力少ない方が望ましい。
の配合量は組成物中の樹脂成分に対し、０．１〜６重量
％とすることが好ましく、０．５〜３重量％とすること
が特に好ましい。また本発明の目的を逸脱しない範囲
で、コントラスト調整用にカーボンブラック、各種、各
色の着色剤を併用することも可能である。本発明に用い
る着色剤は半導体封止用樹脂組成物としての耐湿信頼性
を考慮してイオン性不純物であるＮａイオン或いはＣｌ
イオンは極力少ない方が望ましい。
【００４３】本発明に用いられるエポキシ樹脂として
は、少なくとも２個以上のエポキシ基を有するものなら
ば、その分子量、分子構造は特に限定するものではな
い。例えばビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェ
ノールＦ型エポキシ樹脂、オルソクレゾールノボラック
型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、トリフェ
ニルメタン型エポキシ樹脂、ハイドロキノン型エポキシ
樹脂等が挙げられるが、これらに限定されるものではな
く、又これらのエポキシ樹脂は併用しても差し支えな
い。
は、少なくとも２個以上のエポキシ基を有するものなら
ば、その分子量、分子構造は特に限定するものではな
い。例えばビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェ
ノールＦ型エポキシ樹脂、オルソクレゾールノボラック
型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、トリフェ
ニルメタン型エポキシ樹脂、ハイドロキノン型エポキシ
樹脂等が挙げられるが、これらに限定されるものではな
く、又これらのエポキシ樹脂は併用しても差し支えな
い。
【００４４】本発明に用いられるフェノール樹脂硬化剤
は、上記エポキシ樹脂と硬化反応を行い架橋構造を形成
することができる少なくとも２個以上のフェノール性水
酸基を有するものならば、その分子量、分子構造は特に
限定するものではない。例えばフェノールノボラック樹
脂、パラキシリレン変性フェノール樹脂、テルペン変性
フェノール樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェノール
樹脂、ビスフェノールＡ、トリフェノールメタン等が挙
げられるが、これらに限定されるものではない。
は、上記エポキシ樹脂と硬化反応を行い架橋構造を形成
することができる少なくとも２個以上のフェノール性水
酸基を有するものならば、その分子量、分子構造は特に
限定するものではない。例えばフェノールノボラック樹
脂、パラキシリレン変性フェノール樹脂、テルペン変性
フェノール樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェノール
樹脂、ビスフェノールＡ、トリフェノールメタン等が挙
げられるが、これらに限定されるものではない。
【００４５】これらのフェノール樹脂硬化剤は単独もし
くは併用しても差し支えない。本発明に用いるエポキシ
樹脂とフェノール樹脂の配合割合は、特に限定しない
が、エポキシ基数／水酸基数で０．８〜１．３が好まし
い。
くは併用しても差し支えない。本発明に用いるエポキシ
樹脂とフェノール樹脂の配合割合は、特に限定しない
が、エポキシ基数／水酸基数で０．８〜１．３が好まし
い。
【００４６】硬化促進剤としては、上記エポキシ樹脂と
フェノール樹脂硬化剤との架橋反応を促進するものであ
って、例えば、トリフェニルホスフィン等の有機リン化
合物、１，８−ジアザビシクロウンデセン等のアミン系
化合物、２−メチルイミダゾール等のイミダゾール化合
物等が挙げられる。これらの硬化促進剤は単独もしくは
併用しても差し支えない。
フェノール樹脂硬化剤との架橋反応を促進するものであ
って、例えば、トリフェニルホスフィン等の有機リン化
合物、１，８−ジアザビシクロウンデセン等のアミン系
化合物、２−メチルイミダゾール等のイミダゾール化合
物等が挙げられる。これらの硬化促進剤は単独もしくは
併用しても差し支えない。
【００４７】無機充填剤としては、溶融シリカ粉末、結
晶性シリカ粉末、アルミナ、窒化珪素等が挙げられる。
これら無機質充填剤の配合量は、成形性と信頼性のバラ
ンスから全樹脂組成物中に５５〜９２重量％含有するこ
とが好ましい。特に無機質充填剤量の多い配合では、球
状の溶融シリカを用いるのが一般的である。
晶性シリカ粉末、アルミナ、窒化珪素等が挙げられる。
これら無機質充填剤の配合量は、成形性と信頼性のバラ
ンスから全樹脂組成物中に５５〜９２重量％含有するこ
とが好ましい。特に無機質充填剤量の多い配合では、球
状の溶融シリカを用いるのが一般的である。
【００４８】本発明の樹脂組成物は、上記成分以外にも
必要に応じて、シランカップリング剤に代表される各種
カップリング剤、天然ワックス及び合成ワックス等の離
型剤、シリコーンオイル、シリコーンゴム、合成ゴム等
の低応力添加剤、エポキシ樹脂及びフェノール樹脂等の
酸化劣化を防止する酸化剤を適宜配合してよい。
必要に応じて、シランカップリング剤に代表される各種
カップリング剤、天然ワックス及び合成ワックス等の離
型剤、シリコーンオイル、シリコーンゴム、合成ゴム等
の低応力添加剤、エポキシ樹脂及びフェノール樹脂等の
酸化劣化を防止する酸化剤を適宜配合してよい。
【００４９】成形材料化するに際しては、加熱ニーダー
や熱ロールにより全組成物を加熱混練し、続いて冷却、
粉砕することで目的とする半導体封止用エポキシ樹脂組
成物が得られる。なお、封止法としてはトランスファ成
形、インクジェット成形、注型法など公知の方法が用い
られる。その成形条件としては、例えばエポキシ樹脂組
成物の場合、成形温度は１５０〜１８０℃、ポストキュ
アーは１５０〜１８０℃で２〜１６時間が好ましい。こ
のようにして得られた半導体装置の硬化表面にＹＡＧレ
ーザーを照射してマーキングを行う。
や熱ロールにより全組成物を加熱混練し、続いて冷却、
粉砕することで目的とする半導体封止用エポキシ樹脂組
成物が得られる。なお、封止法としてはトランスファ成
形、インクジェット成形、注型法など公知の方法が用い
られる。その成形条件としては、例えばエポキシ樹脂組
成物の場合、成形温度は１５０〜１８０℃、ポストキュ
アーは１５０〜１８０℃で２〜１６時間が好ましい。こ
のようにして得られた半導体装置の硬化表面にＹＡＧレ
ーザーを照射してマーキングを行う。
【００５０】
【実施例】以下に、実施例、製造例により本発明を具体
的に説明するが、本発明はこれらにより限定されるもの
ではない。
的に説明するが、本発明はこれらにより限定されるもの
ではない。
【００５１】（参考製造例１） ５−（２−アミノフェニルチオ）−６−クロロ−１，３
−ジイミノ−４，７−ジイソペントキシイソインドリン ｎ−プロピルアルコール２００ｍＬに金属ナトリウム
０.７ｇを溶解させた液へ室温下、アンモニアガスを流
速１２０ｍＬ／分にて１時間導入した。次いで、４−
（２−アミノフェニルチオ）−５−クロロ−３，６−ジ
イソペントキシフタロニトリル２２．８ｇを添加し、５
０〜６０℃で２０時間撹拌した。冷却後、ｎ−プロピル
アルコールを留去し、残渣へトルエン２００ｍＬを加
え、３０〜４０℃で加温溶解した。次いで、水５００ｍ
Ｌを加え、分散、静置、分液した。同操作を４回繰り返
してトルエン層を洗浄した。次いで、トルエン層よりト
ルエンを留去し、ｎ−ヘプタン２００ｍＬを加え、６０
〜６５℃で３０分撹拌後、室温まで冷却した。結晶を濾
取、乾燥して５−（２−アミノフェニルチオ）−６−ク
ロロ−１，３−ジイミノ−４，７−ジイソペントキシイ
ソインドリン２０．３ｇ（収率８５．８％）を得た。
−ジイミノ−４，７−ジイソペントキシイソインドリン ｎ−プロピルアルコール２００ｍＬに金属ナトリウム
０.７ｇを溶解させた液へ室温下、アンモニアガスを流
速１２０ｍＬ／分にて１時間導入した。次いで、４−
（２−アミノフェニルチオ）−５−クロロ−３，６−ジ
イソペントキシフタロニトリル２２．８ｇを添加し、５
０〜６０℃で２０時間撹拌した。冷却後、ｎ−プロピル
アルコールを留去し、残渣へトルエン２００ｍＬを加
え、３０〜４０℃で加温溶解した。次いで、水５００ｍ
Ｌを加え、分散、静置、分液した。同操作を４回繰り返
してトルエン層を洗浄した。次いで、トルエン層よりト
ルエンを留去し、ｎ−ヘプタン２００ｍＬを加え、６０
〜６５℃で３０分撹拌後、室温まで冷却した。結晶を濾
取、乾燥して５−（２−アミノフェニルチオ）−６−ク
ロロ−１，３−ジイミノ−４，７−ジイソペントキシイ
ソインドリン２０．３ｇ（収率８５．８％）を得た。
【００５２】この結晶の元素分析値、質量分析値及び融
点は、下記の通りであった。 元素分析値（Ｃ２４Ｈ３１ＣｌＮ４Ｏ２Ｓ）： ４７５．０５ Ｍ．Ｗ． Ｃ Ｈ Ｎ 計算値（％） ６０．６８ ６．５８ １１．７９ 実測値（％） ６０．６５ ６．５６ １１．８１ ＭＳ（ｍ／ｅ）：４７４（Ｍ＋） 融点：１７４.８〜１７６.１℃
点は、下記の通りであった。 元素分析値（Ｃ２４Ｈ３１ＣｌＮ４Ｏ２Ｓ）： ４７５．０５ Ｍ．Ｗ． Ｃ Ｈ Ｎ 計算値（％） ６０．６８ ６．５８ １１．７９ 実測値（％） ６０．６５ ６．５６ １１．８１ ＭＳ（ｍ／ｅ）：４７４（Ｍ＋） 融点：１７４.８〜１７６.１℃
【００５３】（参考製造例２） ５−（２−アミノフェニルチオ）−６−クロロ−１，３
−ジイミノ−４，７−ジ−ｎ−オクチルオキシイソイン
ドリンの製造 ｎ−プロピルアルコール２６５ｍＬに金属ナトリウム
０．９ｇを溶解させた液へ室温下、アンモニアガスを流
速１２０ｍＬ／分にて１時間導入した。次いで、４−
（２−アミノフェニルチオ）−５−クロロ−３，６−ジ
−ｎ−オクチルオキシフタロニトリル３５．８ｇを添加
し、５０〜６０℃で２０時間撹拌した。冷却後、参考製
造例１と同様な処理を行って５−（２−アミノフェニル
チオ）−６−クロロ−１，３−ジイミノ−４，７−ジ−
ｎ−オクチルオキシイソインドリン１６．４ｇ（収率４
４．４％）を得た。
−ジイミノ−４，７−ジ−ｎ−オクチルオキシイソイン
ドリンの製造 ｎ−プロピルアルコール２６５ｍＬに金属ナトリウム
０．９ｇを溶解させた液へ室温下、アンモニアガスを流
速１２０ｍＬ／分にて１時間導入した。次いで、４−
（２−アミノフェニルチオ）−５−クロロ−３，６−ジ
−ｎ−オクチルオキシフタロニトリル３５．８ｇを添加
し、５０〜６０℃で２０時間撹拌した。冷却後、参考製
造例１と同様な処理を行って５−（２−アミノフェニル
チオ）−６−クロロ−１，３−ジイミノ−４，７−ジ−
ｎ−オクチルオキシイソインドリン１６．４ｇ（収率４
４．４％）を得た。
【００５４】この結晶の元素分析値、質量分析値及び融
点は、下記の通りであった。 元素分析値（Ｃ３０Ｈ４３ＣｌＮ４Ｏ２Ｓ）： ５５９．２１ Ｍ．Ｗ． Ｃ Ｈ Ｎ 計算値（％） ６４．４３ ７．７５ １０．０２ 実測値（％） ６４．４２ ７．７８ １０．０５ ＭＳ（ｍ／ｅ）：５５９（Ｍ＋） 融点 : ９７〜９９℃
点は、下記の通りであった。 元素分析値（Ｃ３０Ｈ４３ＣｌＮ４Ｏ２Ｓ）： ５５９．２１ Ｍ．Ｗ． Ｃ Ｈ Ｎ 計算値（％） ６４．４３ ７．７５ １０．０２ 実測値（％） ６４．４２ ７．７８ １０．０５ ＭＳ（ｍ／ｅ）：５５９（Ｍ＋） 融点 : ９７〜９９℃
【００５５】（参考製造例３） ５−（２−アミノフェニルチオ）−６−クロロ−１，３
−ジイミノ−４，７−ジ−（２−エトキシエトキシ）イ
ソインドリンの製造 ｎ−プロピルアルコール２５０ｍＬに金属ナトリウム
０．８ｇを溶解させた液へ室温下、アンモニアガスを流
速１２０ｍＬ／分にて１時間導入した。次いで、４−
（２−アミノフェニルチオ）−５−クロロ−３，６−ジ
−（２−エトキシエトキシ）フタロニトリル２７．６ｇ
を添加し、５０〜６０℃で２０時間撹拌した。冷却後、
参考製造例１と同様な処理を行って５−（２−アミノフ
ェニルチオ）−６−クロロ−１，３−ジイミノ−４，７
−ジ−（２−エトキシエトキシ）イソインドリン２７．
６ｇ（収率９６．２％）を得た。
−ジイミノ−４，７−ジ−（２−エトキシエトキシ）イ
ソインドリンの製造 ｎ−プロピルアルコール２５０ｍＬに金属ナトリウム
０．８ｇを溶解させた液へ室温下、アンモニアガスを流
速１２０ｍＬ／分にて１時間導入した。次いで、４−
（２−アミノフェニルチオ）−５−クロロ−３，６−ジ
−（２−エトキシエトキシ）フタロニトリル２７．６ｇ
を添加し、５０〜６０℃で２０時間撹拌した。冷却後、
参考製造例１と同様な処理を行って５−（２−アミノフ
ェニルチオ）−６−クロロ−１，３−ジイミノ−４，７
−ジ−（２−エトキシエトキシ）イソインドリン２７．
６ｇ（収率９６．２％）を得た。
【００５６】この結晶の元素分析値、質量分析値及び融
点は、下記の通りであった。 元素分析値（Ｃ２２Ｈ２７ＣｌＮ４Ｏ４Ｓ）： ４７８．９９ Ｍ．Ｗ． Ｃ Ｈ Ｎ 計算値（％） ５５．１６ ５．６８ １１．７０ 実測値（％） ５５．１４ ５．７０ １１．７３ ＭＳ（ｍ／ｅ）：４８０（Ｍ＋） 融点 :１１４〜１１６℃
点は、下記の通りであった。 元素分析値（Ｃ２２Ｈ２７ＣｌＮ４Ｏ４Ｓ）： ４７８．９９ Ｍ．Ｗ． Ｃ Ｈ Ｎ 計算値（％） ５５．１６ ５．６８ １１．７０ 実測値（％） ５５．１４ ５．７０ １１．７３ ＭＳ（ｍ／ｅ）：４８０（Ｍ＋） 融点 :１１４〜１１６℃
【００５７】（参考製造例４） ５−（２−アミノフェニルチオ）−６−（４−ｔｅｒｔ
−ブチルフェニルチオ）−１，３−ジイミノ−４，７−
ジイソペントキシイソインドリンの製造 ｎ−プロピルアルコール２００ｍＬに金属ナトリウム
０．６ｇを溶解させた液へ室温下、アンモニアガスを流
速１２０ｍＬ／分にて１時間導入した。次いで、４−
（２−アミノフェニルチオ）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブ
チルフェニルチオ）−３，６−ジイソペントキシフタロ
ニトリル２７．０ｇを添加し、５０〜６０℃で２０時間
撹拌した。冷却後、参考製造例１と同様な処理を行って
５−（２−アミノフェニルチオ）−６−（４−ｔｅｒｔ
−ブチルフェニルチオ）−１，３−ジイミノ−４，７−
ジイソペントキシイソインドリン２０．９ｇ（収率７
５．２％）を得た。
−ブチルフェニルチオ）−１，３−ジイミノ−４，７−
ジイソペントキシイソインドリンの製造 ｎ−プロピルアルコール２００ｍＬに金属ナトリウム
０．６ｇを溶解させた液へ室温下、アンモニアガスを流
速１２０ｍＬ／分にて１時間導入した。次いで、４−
（２−アミノフェニルチオ）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブ
チルフェニルチオ）−３，６−ジイソペントキシフタロ
ニトリル２７．０ｇを添加し、５０〜６０℃で２０時間
撹拌した。冷却後、参考製造例１と同様な処理を行って
５−（２−アミノフェニルチオ）−６−（４−ｔｅｒｔ
−ブチルフェニルチオ）−１，３−ジイミノ−４，７−
ジイソペントキシイソインドリン２０．９ｇ（収率７
５．２％）を得た。
【００５８】この結晶の元素分析値、質量分析値及び融
点は、下記の通りであった。 元素分析値（Ｃ３４Ｈ４４Ｎ４Ｏ２Ｓ２）： ６０４．８７ Ｍ．Ｗ． Ｃ Ｈ Ｎ 計算値（％） ６７．５１ ７．３３ ９．２６ 実測値（％） ６７．４９ ７．３５ ９．２８ ＭＳ（ｍ／ｅ）：６０５（Ｍ＋＋１） 融点 :１９８〜１９９℃
点は、下記の通りであった。 元素分析値（Ｃ３４Ｈ４４Ｎ４Ｏ２Ｓ２）： ６０４．８７ Ｍ．Ｗ． Ｃ Ｈ Ｎ 計算値（％） ６７．５１ ７．３３ ９．２６ 実測値（％） ６７．４９ ７．３５ ９．２８ ＭＳ（ｍ／ｅ）：６０５（Ｍ＋＋１） 融点 :１９８〜１９９℃
【００５９】［製造例１］ フタロシアニン化合物（化合物（３１））の製造 ２−ｎ−ブトキシエタノール１５ｍＬとＤＢＵ０．７５
ｇの混合物を１４５〜１５５℃に加熱後、参考製造例１
で製造した５−（２−アミノフェニルチオ）−６−クロ
ロ−１，３−ジイミノ−４，７−ジイソペントキシイソ
インドリン４．７５ｇ及び塩化バナジウム０．４７ｇを
添加した。次いで、１５５〜１６０℃で３時間撹拌した
後、６０〜７０℃に冷却してメタノール３００ｍｌを添
加した。室温まで冷却した後、濾取、乾燥して黒緑色粉
末３．６ｇを得た。カラムクロマトグラフィーで精製
［シリカゲル／トルエン：ｎ−ヘキサン（１：１）］し
て精製物２．５ｇを黒緑色粉末として得た。ＩＲスペク
トル及び下記の元素分析結果により目的物であることを
確認した。
ｇの混合物を１４５〜１５５℃に加熱後、参考製造例１
で製造した５−（２−アミノフェニルチオ）−６−クロ
ロ−１，３−ジイミノ−４，７−ジイソペントキシイソ
インドリン４．７５ｇ及び塩化バナジウム０．４７ｇを
添加した。次いで、１５５〜１６０℃で３時間撹拌した
後、６０〜７０℃に冷却してメタノール３００ｍｌを添
加した。室温まで冷却した後、濾取、乾燥して黒緑色粉
末３．６ｇを得た。カラムクロマトグラフィーで精製
［シリカゲル／トルエン：ｎ−ヘキサン（１：１）］し
て精製物２．５ｇを黒緑色粉末として得た。ＩＲスペク
トル及び下記の元素分析結果により目的物であることを
確認した。
【００６０】 元素分析値（Ｃ７６Ｈ６４Ｃｌ４Ｎ１２Ｏ５Ｓ４Ｖ）： １５４６．４１ Ｍ． Ｗ． Ｃ Ｈ Ｎ 計算値（％） ５９.０３ ４.１７ １０.８７ 実測値（％） ５９.０５ ４.２１ １０.８５ ＭＳ（ｍ／ｅ）：１５４５（Ｍ＋）
【００６１】このようにして得られた化合物のトルエン
溶液は１００４.５ｎｍに極大吸収を示し、グラム吸光
係数は８.２９×１０４ｍｌ／ｇ・ｃｍであった。
溶液は１００４.５ｎｍに極大吸収を示し、グラム吸光
係数は８.２９×１０４ｍｌ／ｇ・ｃｍであった。
【００６２】［製造例２］ フタロシアニン化合物（化合物（１１２））の製造 ２−ｎ−ブトキシエタノール１５ｍＬとＤＢＵ０．６１
ｇの混合物を１４５〜１５５℃に加熱後、参考例１で製
造した５−（２−アミノフェニルチオ）−６−クロロ−
１，３−ジイミノ−４，７−ジイソペントキシイソイン
ドリン３．７９ｇ及び塩化マンガン０．４ｇを添加し
た。次いで、１５５〜１６０℃で２時間撹拌した後、製
造例１と同様な処理を行って暗青色粉末２．８ｇを得
た。カラムクロマトグラフィーで精製［シリカゲル／ト
ルエン：メタノール（５０：１）］して精製物１．６ｇ
を暗青色粉末として得た。ＩＲスペクトル及び下記の元
素分析結果により目的物であることを確認した。
ｇの混合物を１４５〜１５５℃に加熱後、参考例１で製
造した５−（２−アミノフェニルチオ）−６−クロロ−
１，３−ジイミノ−４，７−ジイソペントキシイソイン
ドリン３．７９ｇ及び塩化マンガン０．４ｇを添加し
た。次いで、１５５〜１６０℃で２時間撹拌した後、製
造例１と同様な処理を行って暗青色粉末２．８ｇを得
た。カラムクロマトグラフィーで精製［シリカゲル／ト
ルエン：メタノール（５０：１）］して精製物１．６ｇ
を暗青色粉末として得た。ＩＲスペクトル及び下記の元
素分析結果により目的物であることを確認した。
【００６３】 元素分析値（Ｃ７６Ｈ６５Ｃｌ４ＭｎＮ１２Ｏ５Ｓ４）：１５５１．４２ Ｍ． Ｗ． Ｃ Ｈ Ｎ 計算値（％） ５８.８４ ４.２２ １０.８３ 実測値（％） ５８.８７ ４.３１ １０.８７
【００６４】このようにして得られた化合物のトルエン
溶液は１０４７．０ｎｍに極大吸収を示し、グラム吸光
係数は７．３６×１０４ｍｌ／ｇ・ｃｍであった。
溶液は１０４７．０ｎｍに極大吸収を示し、グラム吸光
係数は７．３６×１０４ｍｌ／ｇ・ｃｍであった。
【００６５】［製造例３］ フタロシアニン化合物（化合物（１５２））の製造 ２−ｎ−ブトキシエタノール１５ｍＬとＤＢＵ０．７６
ｇの混合物を１４５〜１５５℃に加熱後、参考製造例４
で製造した５−（２−アミノフェニルチオ）−６−（４
−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルチオ）−１，３−ジイミノ
−４，７−ジイソペントキシイソインドリン６．０４ｇ
及び塩化バナジウム０．４ｇを添加した。次いで、１５
５〜１６０℃で８時間撹拌した後、製造例１と同様な処
理を行って暗緑色粉末４．７ｇを得た。カラムクロマト
グラフィーで精製［シリカゲル／トルエン：ｎ−ヘキサ
ン（１：２）］して精製物３．１ｇを暗緑色粉末として
得た。ＩＲスペクトル及び下記の元素分析結果により目
的物であることを確認した。
ｇの混合物を１４５〜１５５℃に加熱後、参考製造例４
で製造した５−（２−アミノフェニルチオ）−６−（４
−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルチオ）−１，３−ジイミノ
−４，７−ジイソペントキシイソインドリン６．０４ｇ
及び塩化バナジウム０．４ｇを添加した。次いで、１５
５〜１６０℃で８時間撹拌した後、製造例１と同様な処
理を行って暗緑色粉末４．７ｇを得た。カラムクロマト
グラフィーで精製［シリカゲル／トルエン：ｎ−ヘキサ
ン（１：２）］して精製物３．１ｇを暗緑色粉末として
得た。ＩＲスペクトル及び下記の元素分析結果により目
的物であることを確認した。
【００６６】 元素分析値（Ｃ１１６Ｈ１１６Ｎ１２Ｏ５Ｓ８Ｖ）：２０６５．６９ Ｍ．Ｗ． Ｃ Ｈ Ｎ 計算値（％） ６７.４５ ５.６６ ８.１４ 実測値（％） ６７.５０ ５.６８ ８.１８ ＭＳ（ｍ／ｅ）：２０６５（Ｍ＋＋１）
【００６７】このようにして得られた化合物のトルエン
溶液は１０６６．０ｎｍに極大吸収を示し、グラム吸光
係数は８．０２×１０４ｍｌ／ｇ・ｃｍであった。
溶液は１０６６．０ｎｍに極大吸収を示し、グラム吸光
係数は８．０２×１０４ｍｌ／ｇ・ｃｍであった。
【００６８】［製造例４］ フタロシアニン化合物（化合物（１５９））の製造 ２−ｎ−ブトキシエタノール１５ｍＬとＤＢＵ０．６１
ｇの混合物を１４５〜１５５℃に加熱後、参考製造例２
で製造した５−（２−アミノフェニルチオ）−６−クロ
ロ−１，３−ジイミノ−４，７−ジ−ｎ−オクチルオキ
シイソインドリン４．４７ｇ及び塩化バナジウム０．３
ｇを添加した。次いで、１５５〜１６０℃で５時間撹拌
した後、製造例１と同様な処理を行って暗緑色粉末３．
１ｇを得た。カラムクロマトグラフィーで精製［シリカ
ゲル／トルエン：ｎ−ヘキサン（１：２）］して精製物
１．６ｇを暗緑色粉末として得た。ＩＲスペクトル及び
下記の元素分析結果により目的物であることを確認し
た。
ｇの混合物を１４５〜１５５℃に加熱後、参考製造例２
で製造した５−（２−アミノフェニルチオ）−６−クロ
ロ−１，３−ジイミノ−４，７−ジ−ｎ−オクチルオキ
シイソインドリン４．４７ｇ及び塩化バナジウム０．３
ｇを添加した。次いで、１５５〜１６０℃で５時間撹拌
した後、製造例１と同様な処理を行って暗緑色粉末３．
１ｇを得た。カラムクロマトグラフィーで精製［シリカ
ゲル／トルエン：ｎ−ヘキサン（１：２）］して精製物
１．６ｇを暗緑色粉末として得た。ＩＲスペクトル及び
下記の元素分析結果により目的物であることを確認し
た。
【００６９】 元素分析値（Ｃ８８Ｈ８８Ｃｌ４ＶＮ１２Ｏ５Ｓ４）：１７１４．７３ Ｍ．Ｗ ． Ｃ Ｈ Ｎ 計算値（％） ６１.６４ ５.１７ ９．８０ 実測値（％） ６１.４１ ５.３４ ９．６０ ＭＳ（ｍ／ｅ）：１７１２（Ｍ＋）
【００７０】このようにして得られた化合物のトルエン
溶液は１００４．０ｎｍに極大吸収を示し、グラム吸光
係数は８．２０×１０４ｍｌ／ｇ・ｃｍであった。
溶液は１００４．０ｎｍに極大吸収を示し、グラム吸光
係数は８．２０×１０４ｍｌ／ｇ・ｃｍであった。
【００７１】［製造例５］ フタロシアニン化合物（化合物（１６４））の製造 ２−ｎ−ブトキシエタノール１５ｍＬとＤＢＵ０．７６
ｇの混合物を１４５〜１５５℃に加熱後、参考製造例３
で製造した５−（２−アミノフェニルチオ）−６−クロ
ロ−１，３−ジイミノ−４，７−ジ−（２−エトキシエ
トキシ）イソインドリン７．１８ｇ及び塩化バナジウム
０．６ｇを添加した。次いで、１５５〜１６０℃で１０
時間撹拌した後、製造例１と同様な処理を行って暗緑色
粉末５．１ｇを得た。カラムクロマトグラフィーで精製
［活性アルミナ／トルエン：アセトン（１００：１）］
して精製物３．８ｇを暗緑色粉末として得た。ＩＲスペ
クトル及び下記の元素分析結果により目的物であること
を確認した。
ｇの混合物を１４５〜１５５℃に加熱後、参考製造例３
で製造した５−（２−アミノフェニルチオ）−６−クロ
ロ−１，３−ジイミノ−４，７−ジ−（２−エトキシエ
トキシ）イソインドリン７．１８ｇ及び塩化バナジウム
０．６ｇを添加した。次いで、１５５〜１６０℃で１０
時間撹拌した後、製造例１と同様な処理を行って暗緑色
粉末５．１ｇを得た。カラムクロマトグラフィーで精製
［活性アルミナ／トルエン：アセトン（１００：１）］
して精製物３．８ｇを暗緑色粉末として得た。ＩＲスペ
クトル及び下記の元素分析結果により目的物であること
を確認した。
【００７２】 元素分析値（Ｃ７２Ｈ５６Ｃｌ４Ｎ１２Ｏ９Ｓ４Ｖ）：１５５４．３０ Ｍ．Ｗ ． Ｃ Ｈ Ｎ 計算値（％） ５５.６４ ３.６３ １０.８１ 実測値（％） ５５.６０ ３.９７ １０.５５ ＭＳ（ｍ／ｅ）：１５５２（Ｍ＋＋１）
【００７３】このようにして得られた化合物のトルエン
溶液は９９８．０ｎｍに極大吸収を示し、グラム吸光係
数は８．４０×１０４ｍｌ／ｇ・ｃｍであった。
溶液は９９８．０ｎｍに極大吸収を示し、グラム吸光係
数は８．４０×１０４ｍｌ／ｇ・ｃｍであった。
【００７４】［実施例１］エポキシ化クレゾールノボラ
ック樹脂（ＥＯＣＮ１０２０−７０、日本化薬製）５５
ｇ、フェノールノボラック樹脂（ＰＳＫ４３００、群栄
化学製）３５ｇ、ブロム化エポキシノボラック樹脂（Ｂ
ＲＥＮ−Ｓ、日本化薬製）１０ｇ、溶融シリカ粉末（平
均粒径１０μｍ）２５０ｇ、三酸化アンチモン５ｇ、γ
−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（ＫＢＭ４
０３、信越化学工業製）１ｇ、トリフェニルホスフィン
１ｇ、カルナバワックス１ｇ及び前記具体例のフタロシ
アニン化合物（３１）［製造例１］２ｇを配合した。
ック樹脂（ＥＯＣＮ１０２０−７０、日本化薬製）５５
ｇ、フェノールノボラック樹脂（ＰＳＫ４３００、群栄
化学製）３５ｇ、ブロム化エポキシノボラック樹脂（Ｂ
ＲＥＮ−Ｓ、日本化薬製）１０ｇ、溶融シリカ粉末（平
均粒径１０μｍ）２５０ｇ、三酸化アンチモン５ｇ、γ
−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（ＫＢＭ４
０３、信越化学工業製）１ｇ、トリフェニルホスフィン
１ｇ、カルナバワックス１ｇ及び前記具体例のフタロシ
アニン化合物（３１）［製造例１］２ｇを配合した。
【００７５】この組成物を６インチロールを用い、８０
〜９０℃にて５分間混練した後、冷却、粉砕してエポキ
シ樹脂組成物を得た。得られたエポキシ樹脂組成物をタ
ブレット化し、低圧トランスファー成形機にて１７５
℃、７０ｋｇｆ／ｃｍ２の条件で成形し、更に１７５℃
で８時間ポストキュアし捺印用サンプルとした。
〜９０℃にて５分間混練した後、冷却、粉砕してエポキ
シ樹脂組成物を得た。得られたエポキシ樹脂組成物をタ
ブレット化し、低圧トランスファー成形機にて１７５
℃、７０ｋｇｆ／ｃｍ２の条件で成形し、更に１７５℃
で８時間ポストキュアし捺印用サンプルとした。
【００７６】得られたサンプルに日本電気（株）製のマ
スクタイプのＹＡＧレーザー捺印機（印加電圧２．４ｋ
Ｖ、パルス幅１２０μｓの条件）で捺印したところ、鮮
明な捺印が得られた。
スクタイプのＹＡＧレーザー捺印機（印加電圧２．４ｋ
Ｖ、パルス幅１２０μｓの条件）で捺印したところ、鮮
明な捺印が得られた。
【００７７】［実施例２〜５］実施例１に於いてフタロ
シアニン化合物（３１）の代わりに各製造例２〜４にて
得られたフタロシアニン化合物（１１２）、フタロシア
ニン化合物（１５２）、フタロシアニン化合物（１５
９）或いはフタロシアニン化合物（１６４）を用いた以
外は実施例１と同様な操作で捺印用サンプルを作製し、
捺印した結果、いずれも鮮明な捺印が得られた。
シアニン化合物（３１）の代わりに各製造例２〜４にて
得られたフタロシアニン化合物（１１２）、フタロシア
ニン化合物（１５２）、フタロシアニン化合物（１５
９）或いはフタロシアニン化合物（１６４）を用いた以
外は実施例１と同様な操作で捺印用サンプルを作製し、
捺印した結果、いずれも鮮明な捺印が得られた。
【００７８】
【発明の効果】本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成
物は特定のフタロシアニン化合物を用いることによりＹ
ＡＧレーザー光を吸収する能力が高く、ＹＡＧレーザー
マーキング性が良好であり、しかも半導体の機能に悪影
響を与えないため、種々の半導体装置の封止用エポキシ
樹脂組成物として使用できる。
物は特定のフタロシアニン化合物を用いることによりＹ
ＡＧレーザー光を吸収する能力が高く、ＹＡＧレーザー
マーキング性が良好であり、しかも半導体の機能に悪影
響を与えないため、種々の半導体装置の封止用エポキシ
樹脂組成物として使用できる。
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成１１年５月１７日（１９９９．５．１
７）
７）
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正内容】
【化１】 (式中、Ｒはアルキル基又はアルコキシアルキル基を示
し、Ｘはハロゲン原子、アルキルチオ基、置換基を有し
てもよいフェニルチオ基又は置換基を有してもよいナフ
チルチオ基を示し、Ｍは２個の水素原子、２価の金属又
は３価若しくは４価の金属の誘導体を示す。)
し、Ｘはハロゲン原子、アルキルチオ基、置換基を有し
てもよいフェニルチオ基又は置換基を有してもよいナフ
チルチオ基を示し、Ｍは２個の水素原子、２価の金属又
は３価若しくは４価の金属の誘導体を示す。)
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００９】
【化６】 (式中、Ｒはアルキル基又はアルコキシアルキル基を示
し、Ｘはハロゲン原子、アルキルチオ基、置換基を有し
てもよいフェニルチオ基又は置換基を有してもよいナフ
チルチオ基を示し、Ｍは２個の水素原子、２価の金属又
は３価若しくは４価の金属の誘導体を示す。)
し、Ｘはハロゲン原子、アルキルチオ基、置換基を有し
てもよいフェニルチオ基又は置換基を有してもよいナフ
チルチオ基を示し、Ｍは２個の水素原子、２価の金属又
は３価若しくは４価の金属の誘導体を示す。)
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１４】
【化１０】 (式中、Ｒ１〜Ｒ４はアルキル基又はアルコキシアルキ
ル基を示し、Ｘはハロゲン原子、アルキルチオ基、置換
基を有してもよいフェニルチオ基又は置換基を有しても
よいナフチルチオ基を示し、Ｍは２個の水素原子、２価
の金属又は３価若しくは４価の金属の誘導体を示す。)
ル基を示し、Ｘはハロゲン原子、アルキルチオ基、置換
基を有してもよいフェニルチオ基又は置換基を有しても
よいナフチルチオ基を示し、Ｍは２個の水素原子、２価
の金属又は３価若しくは４価の金属の誘導体を示す。)
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 寺尾 博 大阪府八尾市弓削町南１丁目43番地 山本 化成株式会社内 (72)発明者 原田 裕昭 大阪府八尾市弓削町南１丁目43番地 山本 化成株式会社内 (72)発明者 江田 恒人 大阪府八尾市弓削町南１丁目43番地 山本 化成株式会社内 (72)発明者 熊谷 洋二郎 大阪府八尾市弓削町南１丁目43番地 山本 化成株式会社内 Ｆターム(参考） 4J002 CC042 CC122 CD041 CD051 CD061 CE002 EJ036 EU117 EU137 EV318 EW147 FD010 FD146 FD157 GQ05 4M109 AA01 BA01 CA01 CA21 EA03 EB03 EB04 EB06 EB08 EB09 EB12 EB18 EB19 EC13 GA08
Claims (8)
- 【請求項１】 下記一般式(Ｉ)で表わされるフタロシア
ニン化合物を配合してなる半導体封止用エポキシ樹脂組
成物。 【化１】 （式中、Ｒはアルキル基又はアルコキシアルキル基を示
し、Ｘはハロゲン原子、アルキルチオ基、置換基を有し
てもよいフェニルチオ基又は置換基を有してもよいナフ
チルチオ基を示し、Ｍは２個の水素原子、２価の金属も
しくは３価又は４価の金属の誘導体を示す。） - 【請求項２】 一般式（Ｉ）に於いてＲが炭素数１〜１
２のアルキル基又は総炭素数２〜６のアルコキシアルキ
ル基である請求項１の半導体封止用エポキシ樹脂組成
物。 - 【請求項３】 下記一般式（ＩＩ）〜（Ｖ）で表わされ
るフタロシアニン化合物の少なくとも１種を配合してな
る半導体封止用エポキシ樹脂組成物。 【化２】 【化３】 【化４】 【化５】 （式中、Ｒ１〜Ｒ４はアルキル基又はアルコキシアルキ
ル基を示し、Ｘはハロゲン原子、アルキルチオ基、置換
基を有してもよいフェニルチオ基又は置換基を有しても
よいナフチルチオ基を示し、Ｍは２個の水素原子、２価
の金属又は３価もしくは４価の金属の誘導体を示す。） - 【請求項４】 一般式（ＩＩ）〜（Ｖ）に於いてＲ１、
Ｒ２、Ｒ３及びＲ４が各々別個に炭素数１〜１２のアル
キル基又は総炭素数２〜６のアルコキシアルキル基であ
る請求項３の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。 - 【請求項５】 ＭがＣｕ、Ｚｎ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐ
ｂ、ＭｎＯＨ、ＡｌＣｌ、ＦｅＣｌ、ＩｎＣｌ、ＳｎＣ
ｌ２、ＶＯまたはＴｉＯである、請求項１〜４の半導体
封止用エポキシ樹脂組成物。 - 【請求項６】 Ｘが塩素原子；臭素原子；フッ素原子；
炭素数１〜１２のアルキルチオ基；置換基として炭素数
１〜８のアルキル基又は炭素数１〜８のアルコキシ基、
アルキル基で置換されても良いアミノ基又はハロゲン原
子を有してもよいフェニルチオ基；又は置換基として炭
素数１〜４のアルキル基もしくはハロゲン原子を有して
もよいナフチルチオ基である請求項１〜５の半導体封止
用エポキシ樹脂組成物。 - 【請求項７】 請求項１〜６の半導体封止用エポキシ樹
脂組成物を用いて半導体素子を封止、硬化し、次いでＹ
ＡＧレーザーを照射してマーキングすることを特徴とす
る半導体装置の製造方法。 - 【請求項８】 請求項１〜６の半導体封止用エポキシ樹
脂組成物を封止剤として使用した半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12221599A JP3855067B2 (ja) | 1999-04-28 | 1999-04-28 | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12221599A JP3855067B2 (ja) | 1999-04-28 | 1999-04-28 | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000313788A true JP2000313788A (ja) | 2000-11-14 |
| JP3855067B2 JP3855067B2 (ja) | 2006-12-06 |
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ID=14830415
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12221599A Expired - Lifetime JP3855067B2 (ja) | 1999-04-28 | 1999-04-28 | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3855067B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006282980A (ja) * | 2005-03-09 | 2006-10-19 | Yamamoto Chem Inc | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
| US8017670B2 (en) * | 2006-09-21 | 2011-09-13 | Nitto Denko Corporation | Epoxy resin composition for optical-semiconductor encapsulation, cured resin thereof, and optical semiconductor device obtained with the same |
| KR20210143831A (ko) | 2019-04-26 | 2021-11-29 | 미쓰이 가가쿠 가부시키가이샤 | 광학 재료, 광학 재료용 중합성 조성물, 플라스틱 렌즈, 아이웨어, 적외선 센서 및 적외선 카메라 |
| KR20210144775A (ko) | 2019-04-26 | 2021-11-30 | 미쓰이 가가쿠 가부시키가이샤 | 광학 재료, 광학 재료용 중합성 조성물, 플라스틱 렌즈, 아이웨어, 적외선 센서 및 적외선 카메라 |
-
1999
- 1999-04-28 JP JP12221599A patent/JP3855067B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006282980A (ja) * | 2005-03-09 | 2006-10-19 | Yamamoto Chem Inc | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
| US8017670B2 (en) * | 2006-09-21 | 2011-09-13 | Nitto Denko Corporation | Epoxy resin composition for optical-semiconductor encapsulation, cured resin thereof, and optical semiconductor device obtained with the same |
| TWI415231B (zh) * | 2006-09-21 | 2013-11-11 | Nitto Denko Corp | 光半導體封裝用環氧樹脂組合物、其硬化樹脂及以其所製得之光半導體裝置 |
| KR20210143831A (ko) | 2019-04-26 | 2021-11-29 | 미쓰이 가가쿠 가부시키가이샤 | 광학 재료, 광학 재료용 중합성 조성물, 플라스틱 렌즈, 아이웨어, 적외선 센서 및 적외선 카메라 |
| KR20210144775A (ko) | 2019-04-26 | 2021-11-30 | 미쓰이 가가쿠 가부시키가이샤 | 광학 재료, 광학 재료용 중합성 조성물, 플라스틱 렌즈, 아이웨어, 적외선 센서 및 적외선 카메라 |
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