JP2000309776A - 低電圧用青色蛍光体及びその製造方法 - Google Patents
低電圧用青色蛍光体及びその製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 輝度を増加させた低電圧用青色蛍光体及びそ
の製造方法を提供すること。 【解決手段】 ＺｎＯ・Ｇａ２Ｏ３母体材料（マトリッ
クス）と，前記母体材料（マトリックス）にドーピング
されたＢｉとを含む低電圧用青色蛍光体を提供する。こ
の低電圧用青色蛍光体の製造方法は，ＺｎＯ，Ｇａ２Ｏ
３，Ｂｉ系化合物及び融剤を混合する段階と，前記混合
物を１１００〜１３００℃で１次焼成する段階と，前記
１次焼成された物質をミリングする段階と，前記ミリン
グした物質を酸で洗浄する段階と，前記洗浄した物質を
８００〜１１００℃で２次焼成する段階と，前記２次焼
成された物質を分級する段階とを含む。
の製造方法を提供すること。 【解決手段】 ＺｎＯ・Ｇａ２Ｏ３母体材料（マトリッ
クス）と，前記母体材料（マトリックス）にドーピング
されたＢｉとを含む低電圧用青色蛍光体を提供する。こ
の低電圧用青色蛍光体の製造方法は，ＺｎＯ，Ｇａ２Ｏ
３，Ｂｉ系化合物及び融剤を混合する段階と，前記混合
物を１１００〜１３００℃で１次焼成する段階と，前記
１次焼成された物質をミリングする段階と，前記ミリン
グした物質を酸で洗浄する段階と，前記洗浄した物質を
８００〜１１００℃で２次焼成する段階と，前記２次焼
成された物質を分級する段階とを含む。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は低電圧用青色蛍光体
及びその製造方法に係り，より詳しくは輝度を向上させ
た低電圧用青色蛍光体及びその製造方法に関する。
及びその製造方法に係り，より詳しくは輝度を向上させ
た低電圧用青色蛍光体及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】真空蛍光ディスプレイ装置，フィールド
エミッションディスプレイ（Ｆｉｅｌｄ Ｅｍｉｓｓｉ
ｏｎ Ｄｉｓｐｌａｙ）装置などの低電圧駆動装置用青
色蛍光体としてはＺｎＳ：Ｚｎ蛍光体が主に使用されて
いる。この蛍光体は初期輝度が優秀であるが，寿命が短
いという問題点を有する。このため，この蛍光体の代わ
りに，初期輝度は多少低いが寿命が長く，かつ輝度残存
率が優秀な酸化物系統の蛍光体を使用するのが最近の趨
勢である。
エミッションディスプレイ（Ｆｉｅｌｄ Ｅｍｉｓｓｉ
ｏｎ Ｄｉｓｐｌａｙ）装置などの低電圧駆動装置用青
色蛍光体としてはＺｎＳ：Ｚｎ蛍光体が主に使用されて
いる。この蛍光体は初期輝度が優秀であるが，寿命が短
いという問題点を有する。このため，この蛍光体の代わ
りに，初期輝度は多少低いが寿命が長く，かつ輝度残存
率が優秀な酸化物系統の蛍光体を使用するのが最近の趨
勢である。
【０００３】その中でもジンクガレート（ｚｉｎｃ ｇ
ａｌｌａｔｅ）蛍光体は相対的に輝度が優秀であり，安
定した青色を有するので注目を浴びている。このジンク
ガレート蛍光体は付活剤（ａｃｔｉｖａｔｏｒ）を使用
しなくても発光する自発光（ｓｅｌｆ−ａｃｔｉｖａｔ
ｉｏｎ）蛍光体である。
ａｌｌａｔｅ）蛍光体は相対的に輝度が優秀であり，安
定した青色を有するので注目を浴びている。このジンク
ガレート蛍光体は付活剤（ａｃｔｉｖａｔｏｒ）を使用
しなくても発光する自発光（ｓｅｌｆ−ａｃｔｉｖａｔ
ｉｏｎ）蛍光体である。
【０００４】前記ジンクガレート蛍光体を製造する方法
を図２を参照して説明する。ＺｎＯ，Ｇａ２Ｏ３及び融
剤（ｆｌｕｘ）であるＬｉ３ＰＯ４を混合する。次い
で，この混合物を大気雰囲気下の１２００℃で３時間程
度，１次焼成する。１次焼成した母体材料（マトリック
ス）をミリング，好ましくはボールミリングし，これに
より凝集された母体材料（マトリックス）の粒子を均一
に分散させる。余分なＬｉ３ＰＯ４を除去するために分
散させた母体材料（マトリックス）の粒子を硝酸で洗浄
する。洗浄した母体材料（マトリックス）を還元雰囲気
下の１１００℃で１〜３時間，２次焼成する。２次焼成
した母体材料（マトリックス）をふるい（ｓｉｅｖｅ）
を使用して分級して低電圧用青色蛍光体を製造する。
を図２を参照して説明する。ＺｎＯ，Ｇａ２Ｏ３及び融
剤（ｆｌｕｘ）であるＬｉ３ＰＯ４を混合する。次い
で，この混合物を大気雰囲気下の１２００℃で３時間程
度，１次焼成する。１次焼成した母体材料（マトリック
ス）をミリング，好ましくはボールミリングし，これに
より凝集された母体材料（マトリックス）の粒子を均一
に分散させる。余分なＬｉ３ＰＯ４を除去するために分
散させた母体材料（マトリックス）の粒子を硝酸で洗浄
する。洗浄した母体材料（マトリックス）を還元雰囲気
下の１１００℃で１〜３時間，２次焼成する。２次焼成
した母体材料（マトリックス）をふるい（ｓｉｅｖｅ）
を使用して分級して低電圧用青色蛍光体を製造する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら，前記ジ
ンクガレート蛍光体は付活剤を使用しないため，輝度が
満足な水準に達していないという問題があった。
ンクガレート蛍光体は付活剤を使用しないため，輝度が
満足な水準に達していないという問題があった。
【０００６】本発明は前記問題点を解決するためのもの
であって，本発明の目的は輝度を増加させた低電圧用青
色蛍光体を提供することにある。また，本発明の他の目
的は前記低電圧用青色蛍光体の製造方法を提供すること
にある。
であって，本発明の目的は輝度を増加させた低電圧用青
色蛍光体を提供することにある。また，本発明の他の目
的は前記低電圧用青色蛍光体の製造方法を提供すること
にある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に，本発明は，請求項1に記載のように，ＺｎＯ・Ｇａ
２Ｏ３母体材料（マトリックス）と，前記母体材料（マ
トリックス）にドーピングされたＢｉと，を含むことを
特徴とする低電圧用青色蛍光体を提供する。これによ
り，輝度を増加させることができる。その際に，請求項
２に記載のように，前記青色蛍光体はＣＩＥ色座標系上
におけるｘ，ｙ座標がｘ＝０．２０±０．００５，ｙ＝
０．０２５±０．００５であることが好ましい。
に，本発明は，請求項1に記載のように，ＺｎＯ・Ｇａ
２Ｏ３母体材料（マトリックス）と，前記母体材料（マ
トリックス）にドーピングされたＢｉと，を含むことを
特徴とする低電圧用青色蛍光体を提供する。これによ
り，輝度を増加させることができる。その際に，請求項
２に記載のように，前記青色蛍光体はＣＩＥ色座標系上
におけるｘ，ｙ座標がｘ＝０．２０±０．００５，ｙ＝
０．０２５±０．００５であることが好ましい。
【０００８】また，本発明の別の観点によれば，請求項
３に記載のように，ＺｎＯ，Ｇａ２Ｏ３，Ｂｉ系化合物
及び融剤を混合する段階と，前記混合物を１１００〜１
３００℃で１次焼成する段階と，前記１次焼成された物
質をミリングする段階と，前記ミリングした物質を酸で
洗浄する段階と，前記洗浄した物質を８００〜１１００
℃で２次焼成する段階と，前記２次焼成された物質を分
級する段階と，を含むことを特徴とする低電圧用青色蛍
光体の製造方法が提供される。前記Ｂｉ系化合物は，請
求項４に記載のように，Ｂｉ２Ｏ３及びＢｉＣｌ３から
なる群から選択することができる。なお，請求項５に記
載のように，前記Ｂｉ系化合物の量はＺｎＯ１モル当り
０．００１〜０．１モルであることが好ましい。
３に記載のように，ＺｎＯ，Ｇａ２Ｏ３，Ｂｉ系化合物
及び融剤を混合する段階と，前記混合物を１１００〜１
３００℃で１次焼成する段階と，前記１次焼成された物
質をミリングする段階と，前記ミリングした物質を酸で
洗浄する段階と，前記洗浄した物質を８００〜１１００
℃で２次焼成する段階と，前記２次焼成された物質を分
級する段階と，を含むことを特徴とする低電圧用青色蛍
光体の製造方法が提供される。前記Ｂｉ系化合物は，請
求項４に記載のように，Ｂｉ２Ｏ３及びＢｉＣｌ３から
なる群から選択することができる。なお，請求項５に記
載のように，前記Ｂｉ系化合物の量はＺｎＯ１モル当り
０．００１〜０．１モルであることが好ましい。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下，本発明の実施の形態を詳細
に説明する。本発明に係る低電圧用青色蛍光体はＺｎＯ
・Ｇａ２Ｏ３母体材料（マトリックス）と付活剤である
Ｂｉとから構成される。このような低電圧用青色蛍光体
を製造する方法を図１に基づいて詳しく説明する。
に説明する。本発明に係る低電圧用青色蛍光体はＺｎＯ
・Ｇａ２Ｏ３母体材料（マトリックス）と付活剤である
Ｂｉとから構成される。このような低電圧用青色蛍光体
を製造する方法を図１に基づいて詳しく説明する。
【００１０】ＺｎＯ，Ｇａ２Ｏ３，Ｂｉ系化合物及び融
剤（ｆｌｕｘ）を混合する。この時，ＺｎＯ及びＧａ２
Ｏ３は同一モル量を使用することができる。Ｂｉ系化合
物としてはＢｉ２Ｏ３又はＢｉＣｌ３を使用することが
できる。使用するＢｉ系化合物の量は，後工程で製造さ
れるＺｎＯ・Ｇａ２Ｏ３母体材料（マトリックス）１モ
ル当り０．００１〜０．１モル％であることが好まし
い。本実施の形態では，ＺｎＯとＧａ２Ｏ３とは同一の
モル量で反応して同一モル量のＺｎＯ・Ｇａ２Ｏ ３母体
材料（マトリックス）が生成される。したがって，Ｂｉ
系化合物はＺｎＯの１モル当り０．００１〜０．１モル
％を使用すればよい。
剤（ｆｌｕｘ）を混合する。この時，ＺｎＯ及びＧａ２
Ｏ３は同一モル量を使用することができる。Ｂｉ系化合
物としてはＢｉ２Ｏ３又はＢｉＣｌ３を使用することが
できる。使用するＢｉ系化合物の量は，後工程で製造さ
れるＺｎＯ・Ｇａ２Ｏ３母体材料（マトリックス）１モ
ル当り０．００１〜０．１モル％であることが好まし
い。本実施の形態では，ＺｎＯとＧａ２Ｏ３とは同一の
モル量で反応して同一モル量のＺｎＯ・Ｇａ２Ｏ ３母体
材料（マトリックス）が生成される。したがって，Ｂｉ
系化合物はＺｎＯの１モル当り０．００１〜０．１モル
％を使用すればよい。
【００１１】前記混合物を１１００〜１３００℃で１次
焼成する。この時，焼成工程の条件を大気雰囲気下で温
度約１２００℃とする場合には，約３時間程度焼成工程
を実施する。この焼成工程によってＺｎＯ・Ｇａ２Ｏ３
母体材料（マトリックス）が形成され，この母体材料
（マトリックス）内にＢｉが浸透して，母体材料（マト
リックス）内にＢｉ３＋形態で存在する。
焼成する。この時，焼成工程の条件を大気雰囲気下で温
度約１２００℃とする場合には，約３時間程度焼成工程
を実施する。この焼成工程によってＺｎＯ・Ｇａ２Ｏ３
母体材料（マトリックス）が形成され，この母体材料
（マトリックス）内にＢｉが浸透して，母体材料（マト
リックス）内にＢｉ３＋形態で存在する。
【００１２】次いで，前記１次焼成物をミリング（ｍｉ
ｌｌｉｎｇ）する。凝集した粒子を除去し，分散性及び
粒度分布を向上させるために約３時間ボールミル（ｂａ
ｌｌ−ｍｉｌｌ）を実施するのが好ましい。
ｌｌｉｎｇ）する。凝集した粒子を除去し，分散性及び
粒度分布を向上させるために約３時間ボールミル（ｂａ
ｌｌ−ｍｉｌｌ）を実施するのが好ましい。
【００１３】ミリングした物質を約０．５Ｎの硝酸又は
約１％濃度の塩酸で洗浄する。この工程によって余剰な
量の融剤を除去することができる。
約１％濃度の塩酸で洗浄する。この工程によって余剰な
量の融剤を除去することができる。
【００１４】硝酸又は塩酸で洗浄した物質を８００〜１
１００℃で２次焼成する。この時，焼成工程は酸素が欠
乏した雰囲気を作り伝導度に寄与するように還元雰囲気
下の約１１００℃で約２時間程度実施するのが好まし
い。この２次焼成工程によってジンクガレート蛍光体の
結晶性が増加して蛍光体の発光効率が向上する。
１００℃で２次焼成する。この時，焼成工程は酸素が欠
乏した雰囲気を作り伝導度に寄与するように還元雰囲気
下の約１１００℃で約２時間程度実施するのが好まし
い。この２次焼成工程によってジンクガレート蛍光体の
結晶性が増加して蛍光体の発光効率が向上する。
【００１５】このように２次焼成した物質をふるい（ｓ
ｉｅｖｅ）を使用して分級することにより低電圧用青色
蛍光体を製造する。
ｉｅｖｅ）を使用して分級することにより低電圧用青色
蛍光体を製造する。
【００１６】製造された低電圧用青色蛍光体はＣＩＥ色
座標系上におけるｘ，ｙ座標が，ｘ＝０．２０±０．０
５，ｙ＝０．２５±０．０５である。
座標系上におけるｘ，ｙ座標が，ｘ＝０．２０±０．０
５，ｙ＝０．２５±０．０５である。
【００１７】前記方法によって製造された低電圧用蛍光
体はＺｎＯ・Ｇａ２Ｏ３母体材料（マトリックス）と付
活剤であるＢｉとから構成される。付活剤として作用す
るＢｉは，前記母体材料（マトリックス）上にＢｉ３＋
イオンとして存在し，常温で ３Ｐ１⇒１Ｓ遷移に起因す
る青色の発光領域を有する。光学的バンド幅（ｂａｎｄ
ｇａｐ）が４．４ｅＶであるＺｎＧａ２Ｏ４蛍光体の
発光は，Ｂｉ３＋が添加された時にはＢｉ３＋はＺｎＧ
ａ２Ｏ４内にドーピングされているため，外部の刺激に
よるＺｎＧａ２Ｏ４蛍光体の発光と母体からのエネルギ
ー伝達によるＢｉ３＋による発光に起因して現われる。
体はＺｎＯ・Ｇａ２Ｏ３母体材料（マトリックス）と付
活剤であるＢｉとから構成される。付活剤として作用す
るＢｉは，前記母体材料（マトリックス）上にＢｉ３＋
イオンとして存在し，常温で ３Ｐ１⇒１Ｓ遷移に起因す
る青色の発光領域を有する。光学的バンド幅（ｂａｎｄ
ｇａｐ）が４．４ｅＶであるＺｎＧａ２Ｏ４蛍光体の
発光は，Ｂｉ３＋が添加された時にはＢｉ３＋はＺｎＧ
ａ２Ｏ４内にドーピングされているため，外部の刺激に
よるＺｎＧａ２Ｏ４蛍光体の発光と母体からのエネルギ
ー伝達によるＢｉ３＋による発光に起因して現われる。
【００１８】本発明による青色蛍光体の青色発光スペク
トルの強度はＢｉ３＋の３Ｐ１⇒１Ｓ遷移に起因するＢ
ｉ３＋濃度変化によって変化する。従って，青色発光ス
ペクトルの強度の中の最大発光強度はＺｎＧａ２Ｏ４の
自己遷移の確率とＢｉ３＋イオンにエネルギーが伝達さ
れる確率とが高い時に得ることができる。
トルの強度はＢｉ３＋の３Ｐ１⇒１Ｓ遷移に起因するＢ
ｉ３＋濃度変化によって変化する。従って，青色発光ス
ペクトルの強度の中の最大発光強度はＺｎＧａ２Ｏ４の
自己遷移の確率とＢｉ３＋イオンにエネルギーが伝達さ
れる確率とが高い時に得ることができる。
【００１９】次は本発明の理解を助けるための好ましい
実施例を提示する。しかし，下記の実施例は本発明をよ
り容易に理解するために提供されるものにすぎず，本発
明が下記の実施例に限定されるわけではない。実施例１ ＺｎＯ１モル，Ｇａ２Ｏ３１モル，過剰のＬｉ３ＰＯ４
及びＢｉ２Ｏ３０．００１モルを混合した後，大気雰囲
気下の１２００℃で３時間，１次焼成した。焼成した物
質に３時間程度ボールミルを実施した後に０．５Ｎの硝
酸で洗浄した。酸で洗浄した物質を還元雰囲気下の１１
００℃で２時間，２次焼成した。焼成した物質を分級し
て低電圧用青色蛍光体を製造した。
実施例を提示する。しかし，下記の実施例は本発明をよ
り容易に理解するために提供されるものにすぎず，本発
明が下記の実施例に限定されるわけではない。実施例１ ＺｎＯ１モル，Ｇａ２Ｏ３１モル，過剰のＬｉ３ＰＯ４
及びＢｉ２Ｏ３０．００１モルを混合した後，大気雰囲
気下の１２００℃で３時間，１次焼成した。焼成した物
質に３時間程度ボールミルを実施した後に０．５Ｎの硝
酸で洗浄した。酸で洗浄した物質を還元雰囲気下の１１
００℃で２時間，２次焼成した。焼成した物質を分級し
て低電圧用青色蛍光体を製造した。
【００２０】実施例２ Ｂｉ２Ｏ３を０．００５モル使用したこと以外は前記実
施例１と同様に実施した。
施例１と同様に実施した。
【００２１】実施例３ Ｂｉ２Ｏ３を０．０１モル使用したこと以外は前記実施
例１と同様に実施した。
例１と同様に実施した。
【００２２】前記実施例１ないし３の方法によって製造
された低電圧用青色蛍光体と従来のＺｎＧａ２Ｏ４蛍光
体を利用してＶＦＤ（Ｖａｃｕｕｍ Ｆｌｕｏｒｅｓｃ
ｅｎｔ Ｄｉｓｐｌａｙ）を製造した後，５０Ｖで駆動
して輝度を測定した。測定した従来の蛍光体の輝度を１
００に換算した時の相対輝度を下記表１に示す。
された低電圧用青色蛍光体と従来のＺｎＧａ２Ｏ４蛍光
体を利用してＶＦＤ（Ｖａｃｕｕｍ Ｆｌｕｏｒｅｓｃ
ｅｎｔ Ｄｉｓｐｌａｙ）を製造した後，５０Ｖで駆動
して輝度を測定した。測定した従来の蛍光体の輝度を１
００に換算した時の相対輝度を下記表１に示す。
【００２３】
【表１】
【００２４】以上，添付図面を参照しながら本発明にか
かる好適な実施形態について説明したが，本発明はかか
る例に限定されないことは言うまでもない。当業者であ
れば，特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内
において，各種の変更例または修正例に想到し得ること
は明らかであり，それらについても当然に本発明の技術
的範囲に属するものと了解される。
かる好適な実施形態について説明したが，本発明はかか
る例に限定されないことは言うまでもない。当業者であ
れば，特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内
において，各種の変更例または修正例に想到し得ること
は明らかであり，それらについても当然に本発明の技術
的範囲に属するものと了解される。
【００２５】
【発明の効果】以上，詳細に説明したように本発明によ
れば，従来の自発光蛍光体であるＺｎＧａ２Ｏ４に付活
剤（ａｃｔｉｖａｔｏｒ）としてＢｉ系化合物を添加す
ることにより，従来の蛍光体に比べ，輝度が１５％以上
増加し発光効率に優れた低電圧表示装置を提供すること
が可能になる。
れば，従来の自発光蛍光体であるＺｎＧａ２Ｏ４に付活
剤（ａｃｔｉｖａｔｏｒ）としてＢｉ系化合物を添加す
ることにより，従来の蛍光体に比べ，輝度が１５％以上
増加し発光効率に優れた低電圧表示装置を提供すること
が可能になる。
【図１】 本発明の一実施例による低電圧用青色蛍光体
の製造工程を示した流れ図である。
の製造工程を示した流れ図である。
【図２】 従来の低電圧用青色蛍光体の製造工程を示し
た流れ図である。
た流れ図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｊ 31/12 Ｈ０１Ｊ 31/12 Ｃ 31/15 31/15 Ｅ (72)発明者 宋 美蘭 大韓民国京畿道水原市勸善区勸善洞（番地 なし）ソンジアパート105棟802号
Claims (5)
- 【請求項１】 ＺｎＯ・Ｇａ２Ｏ３母体材料（マトリッ
クス）と，前記母体材料（マトリックス）にドーピング
されたＢｉと，を含むことを特徴とする低電圧用青色蛍
光体。 - 【請求項２】 前記青色蛍光体はＣＩＥ色座標系上にお
けるｘ，ｙ座標がｘ＝０．２０±０．００５，ｙ＝０．
０２５±０．００５であることを特徴とする請求項１に
記載の低電圧用青色蛍光体。 - 【請求項３】 ＺｎＯ，Ｇａ２Ｏ３，Ｂｉ系化合物及び
融剤を混合する段階と，前記混合物を１１００〜１３０
０℃で１次焼成する段階と，前記１次焼成された物質を
ミリングする段階と，前記ミリングした物質を酸で洗浄
する段階と，前記洗浄した物質を８００〜１１００℃で
２次焼成する段階と，前記２次焼成された物質を分級す
る段階と，を含むことを特徴とする低電圧用青色蛍光体
の製造方法。 - 【請求項４】 前記Ｂｉ系化合物はＢｉ２Ｏ３及びＢｉ
Ｃｌ３からなる群から選択されることを特徴とする請求
項３に記載の低電圧用青色蛍光体の製造方法。 - 【請求項５】 前記Ｂｉ系化合物の量はＺｎＯ１モル当
り０．００１〜０．１モルであることを特徴とする請求
項３または４に記載の低電圧用青色蛍光体の製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019990007972A KR100300322B1 (ko) | 1999-03-10 | 1999-03-10 | 저전압용 청색 형광체 및 그 제조 방법 |
| KR1999P7972 | 1999-03-10 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000309776A true JP2000309776A (ja) | 2000-11-07 |
Family
ID=19576150
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000071010A Withdrawn JP2000309776A (ja) | 1999-03-10 | 2000-03-09 | 低電圧用青色蛍光体及びその製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6322725B1 (ja) |
| JP (1) | JP2000309776A (ja) |
| KR (1) | KR100300322B1 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003292950A (ja) * | 2002-04-04 | 2003-10-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 蛍光体とその製造方法 |
| JP2005255885A (ja) * | 2004-03-12 | 2005-09-22 | National Institute For Materials Science | 蛍光体とその製造方法 |
| JP2007039293A (ja) * | 2005-08-05 | 2007-02-15 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 亜鉛系酸化物粉末の製造方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20010103846A (ko) * | 2000-04-26 | 2001-11-24 | 김순택 | 저전압용 적색 형광체 및 그 제조방법 |
| KR20030025354A (ko) * | 2001-09-20 | 2003-03-29 | 한국과학기술연구원 | 청색발광 ＺｎＯ 박막형광체의 제조방법 |
| CN103540315A (zh) * | 2013-10-14 | 2014-01-29 | 昆明理工大学 | 一种紫外激发的掺杂铋的镓酸锌蓝色长余辉发光粉 |
| US11312902B2 (en) * | 2016-06-30 | 2022-04-26 | Sakai Chemical Industry Co., Ltd. | Zinc oxide phosphor and method for producing same |
| CN106590637B (zh) * | 2016-10-31 | 2019-07-05 | 昆明理工大学 | 一种黄色长余辉材料及其制备方法 |
-
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Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003292950A (ja) * | 2002-04-04 | 2003-10-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 蛍光体とその製造方法 |
| JP2005255885A (ja) * | 2004-03-12 | 2005-09-22 | National Institute For Materials Science | 蛍光体とその製造方法 |
| JP2007039293A (ja) * | 2005-08-05 | 2007-02-15 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 亜鉛系酸化物粉末の製造方法 |
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