JP2000309016A - ワイヤソー用スラリー - Google Patents
ワイヤソー用スラリーInfo
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- B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
- B28D1/00—Working stone or stone-like materials, e.g. brick, concrete or glass, not provided for elsewhere; Machines, devices, tools therefor
- B28D1/02—Working stone or stone-like materials, e.g. brick, concrete or glass, not provided for elsewhere; Machines, devices, tools therefor by sawing
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- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Grinding-Machine Dressing And Accessory Apparatuses (AREA)
- Processing Of Stones Or Stones Resemblance Materials (AREA)
Abstract
ハの厚さを所定範囲に保つ。十分なラップ取り代を確保
する。ウェーハ厚さバラツキをなくす。 【解決手段】 砥粒全体の体積累積値が97%となる点
での砥粒の粒径が、その体積累積値で50%となる点の
砥粒の粒径の1.5〜1.8倍(例えば30μm)に管
理した砥粒を砥液に混入してワイヤソー用スラリーを作
製する。大径の遊離砥粒が従来より少なく、カーフロス
の低減が図れる。ウェーハの厚さが安定化し、十分なラ
ップ取り代を確保できる。ソーマーク不良を低減でき
る。
Description
リー、詳しくはワイヤソーでのインゴット切断時におけ
るカーフロスを少なくし、ウェーハの厚さを安定させる
ワイヤソー用スラリーに関する。
から導出されたインゴット切断用のワイヤを、複数本の
ワイヤソー用溝ローラに対してコイル状に巻き架けてワ
イヤ列を形成し、巻取ボビンに巻き取る装置構成となっ
ている。ラッピングオイルに砥粒を含む砥液(スラリ
ー)をインゴットまたはワイヤ列に連続して供給しなが
ら、往復走行中のワイヤ列に例えば単結晶シリコンイン
ゴットを相対的に押し付け、砥粒の研削作用によってイ
ンゴットを多数枚のウェーハに切断する。従来、このワ
イヤソー用スラリーに含まれる砥粒の粒度管理は、その
平均粒径値を基準にして行われていた。
うな管理方法によった従来のワイヤソー用スラリーで
は、砥粒の粒度分布にあって、小粒径のものから累積さ
せてその体積が全体の97%の値を示す砥粒の粒径が3
0.0μmを超える場合が多々あった。このように累積
体積値で97%の点の粒径が30.0μmを超えてしま
うと、インゴット切断時の溝幅が大きくなり、よってカ
ーフロスが大きくなるという問題点があった。また、切
断された多数枚のウェーハの中には、設定範囲を超えて
最小厚さが薄くなりすぎたものが出現するという問題点
もあった。
なりすぎると、その後のラッピング工程で、スライス時
にウェーハ表裏面に形成されたソーマークを除去するた
めの十分なラップ取り代を確保することができなかっ
た。また、前述したように、従来の遊離砥粒の管理は平
均粒径を基準とした管理であったので、粒度分布を示す
山形グラフ(図2のグラフ参照)の、例えば上記体積累
積値が97%の砥粒の粒径といった、そのすその部分の
管理が野放しになっていた。その結果、砥粒の納入ロッ
トごとにおいて、それぞれのロットの粒度分布に大きな
バラツキが発生し、切断される各インゴット間で、ウェ
ーハの厚さにバラツキがあった。
果、砥粒の粒度分布にあって小さい粒度のものから加算
して体積累積値で97%となる砥粒の粒径を、その50
%となる砥粒のそれの1.5〜1.8倍の範囲となるよ
うに管理すれば、ウェーハの最小厚さが設定範囲内にお
さまり、その結果、ラップ取り代を十分に確保すること
ができて、ウェーハ表裏面のソーマーク不良を低減させ
ることができることを突き止め、さらにこのように砥粒
の粒度分布で体積累積値が97%となる砥粒の粒径を基
準にして粒度管理を行えば、砥粒の納入ロットごとのウ
ェーハ厚さのバラツキを抑えることができることを知見
し、この発明を完成させた。
することができ、ウェーハ表裏面のソーマーク不良を低
減させることができるワイヤソー用スラリーを提供する
ことを、その目的としている。また、この発明は、遊離
砥粒の納入ロットごとに発生していたインゴット単位の
ウェーハ厚さのバラツキを抑えることができるワイヤソ
ー用スラリーを提供することを、その目的としている。
さらに、この発明は、カーフロスを削減することができ
るワイヤソー用スラリーを提供することを、その目的と
している。
は、砥液中に砥粒を含み、ワイヤソーによるインゴット
切断時にインゴットの表面に供給されるワイヤソー用ス
ラリーにおいて、スラリー中の上記砥粒の粒度の分布状
態が、小さい粒度のものから加算した砥粒全体の体積累
積値が97%となる点での砥粒の粒径が、それが50%
となる点での砥粒の粒径の1.5〜1.8倍の範囲であ
るワイヤソー用スラリーである。
えばラッピングオイルなどが挙げられる。また、砥液中
に混入される遊離砥粒としては、例えばSiC砥粒、ダ
イヤモンド砥粒などが挙げられる。砥液への砥粒の混入
量は限定されない。例えば、50〜60重量%などであ
る。ここで、小さい粒度のものから加算した砥粒全体の
体積累積値が97%となる点での砥粒の粒径が、それが
50%となる点での砥粒の粒径の1.5〜1.8倍の範
囲であることは、例えば50%での粒径が20μm前後
の#600の砥粒の場合、30〜36μmであることを
意味する。好ましい97%値は、50%値の1.5〜
1.8倍である。1.5倍未満では、切削性能が落ちる
という問題があり、1.8倍を超えると、加工ダメージ
が大きくなるという不都合を生じる。
うな種類のものでもよい。例えば、インゴットを動かし
てワイヤ列に押圧、接触させて切断するものでもよく、
反対にワイヤ列を動かしてインゴットに押圧、接触させ
て切断するものでもよい。また、ワイヤ列の上部にイン
ゴット下面が当接するものでもよく、また、ワイヤ列の
下部にインゴット上面が押し当てられるものでもよい。
ワイヤソーにより切断されるインゴットとしては、例え
ばシリコン単結晶、化合物半導体単結晶、磁性材料、石
英、セラミックスなどが挙げられる。
の場合で、上記体積累積値が97%となる点の砥粒の粒
径が30.0μm以下である請求項1に記載のワイヤソ
ー用スラリーである。30.0μmを超えると、加工ダ
メージが大きくなるという不都合が生じる。
7%となる点での砥粒の粒径が、その体積累積値で50
%となる点の砥粒の粒径の1.5〜1.8倍に管理され
た砥粒を砥液に混入してワイヤソー用スラリーを作製す
る。このワイヤソー用スラリーでは、大径の遊離砥粒が
従来より少なくなるので、インゴットを切断するときの
カーフロスの低減が図れる。その結果、ウェーハの厚さ
が安定化し、十分なラップ取り代を確保することができ
る。よって、ウェーハ表裏面のソーマーク不良を低減す
ることができる。また、このように体積累積値97%点
の粒径を基準として砥粒の粒度管理を行うので、遊離砥
粒の納入ロットごとに発生するウェーハ厚さのバラツキ
を抑えることもできる。
参照して説明する。図1はこの発明の一実施例に係るワ
イヤソー用スラリーが使用されるワイヤソーの概略構成
図である。図1において、10はこの発明の一実施例に
係るワイヤソー用スラリーが使用されるワイヤソーであ
り、このワイヤソー10は、CZ法により引き上げられ
た単結晶シリコン製のインゴットIを多数枚のウェーハ
にワイヤ切断する装置である。
ラ12に多数回巻掛けすることで一平面を構成するよう
にワイヤが並設されたワイヤ列11を有している。ワイ
ヤ列11は、正面視して逆三角形状に配置された3本の
溝ローラ12間で駆動モータにより往復走行される。上
側に配置された2本の溝ローラ12の中間が、インゴッ
トIの切断位置となっている。この切断位置の両側の上
方には、一対のスラリーノズル13が配設されている。
各スラリーノズル13からは、スラリータンク14に貯
留されたワイヤソー用スラリーSが、水平面を構成する
ようなワイヤ列11上に連続供給される。このワイヤソ
ー用スラリーSは、砥液であるラッピングオイル中にフ
ジミインコーポレーテッド社製の#600のSiC遊離
砥粒(商品名GC#600)が所定重量%混入されたも
のである。なお、このSiC遊離砥粒は、粒度分布を示
すグラフ(図2のグラフ参照)における体積累積値97
%の点の砥粒の粒径を基準にして粒度管理された砥粒で
ある。
トIの切断方法を説明する。図1に示すように、ワイヤ
ソー10では、スラリータンク14に貯留されたワイヤ
ソー用スラリーSをスラリーノズル13からワイヤ列1
上に供給しながら、このワイヤ列11を往復走行させ
る。その際、インゴットIを上方からワイヤ列11に押
し付けることで、このインゴットIが何枚ものウェーハ
にスライスされる。すなわち、ワイヤ列11の往復走行
時に、ワイヤソー用スラリーS中の遊離砥粒が、ワイヤ
列11のワイヤによりインゴットIの切断溝の底部に擦
りつけられ、その部分が徐々に削り取られて最終的に多
数枚のウェーハに切り分けられる。
生し、スライス後の各ウェーハの厚さに影響を与えるカ
ーフロスは、主に、大きな粒径の遊離砥粒の粒度バラツ
キの度合いにより増減する。すなわち、この砥粒バラツ
キが大きければカーフロスも大きくなる。一方、バラツ
キの度合いが小さければカーフロスも小さくなる。この
ように、カーフロスの大小に多大な影響を及ぼす大きな
粒径の遊離砥粒の粒度バラツキの度合いは、この砥粒の
粒度管理をいかなる基準により行うかによって異なる。
以下、これを図2のワイヤソー用スラリーの砥粒の粒度
分布を示すグラフを参照しながら説明する。
ソー用スラリーSに混入された小さい粒度のものから加
算した砥粒全体の体積累積値が97%となる点の砥粒の
粒径を基準にして粒度管理された#600の遊離砥粒の
粒度分布(実線)と、従来手段の平均粒径を基準に粒度
管理された#600の遊離砥粒の粒度分布(二点鎖線)
とが表示されている。なお、この実施例では、#600
の遊離砥粒の平均粒径20μmに定数1.5を乗算した
30μmが、この粒度分布上の体積累積値97%点の値
となっている。
均粒径に基づき粒度管理された遊離砥粒では平均粒径の
調整だけに注目され、その平均粒径(体積累積値50%
の点)から大きく離れた点、例えば体積累積値97%点
の管理はおろそかにされていた。そのため、従来の体積
累積値97%点では砥粒の粒径が40μmにまで達し、
カーフロスが増大してウェーハの厚さにバラツキが増え
ていた。これにより、設定範囲を超えた薄さのウェーハ
が現出し、ラップ工程でのラップ取り代を十分に確保す
ることができず、その結果、ラップ工程後におけるソー
マーク不良のウェーハが5%も発生していた。
ように粒度分布上の体積累積値97%点(30μm)を
基準にして砥粒の粒度管理を行うようにしたので、カー
フロスが少なくなり、ウェーハの厚さバラツキが減少
し、ウェーハ表裏面に形成されるソーマーク不良を1%
に抑えることができた。また、このように粒度分布上の
体積累積値97%点の粒径を基準にして砥粒の粒度管理
を行うようにしたので、ウェーハの厚さが常に安定化す
る。これにより図3に示すグラフからも明らかなよう
に、砥粒の納入ロットごとに発生するインゴット単位で
のウェーハの厚さバラツキの発生を抑えることができ
る。なお、図3はこの発明のスラリーおよび従来のスラ
リーにおける納入ロットごとの粒度分布のバラツキ度合
いを示すグラフである。また、このように体積累積値9
7%点を基準にして粒度管理を行えば、図2のグラフに
示すように体積累積値50%点前後の砥粒が多く集中す
る。この結果、この実施例のワイヤソー用スラリーS
は、単に30μmを超える大粒の遊離砥粒が少ないとい
う利点だけでなく、より粒度が揃った高品質のワイヤソ
ー用スラリーともなる。
最大粒径を抑えるようにしたので、インゴット切断時の
カーフロスが少なくなり、ウェーハの厚さを安定化させ
ることができる。これにより、十分なラップ取り代を確
保することができ、その結果、ウェーハ表裏面のソーマ
ーク不良の発生を低減することができる。また、このよ
うに粒度分布上の体積累積値97%点を基準にして砥粒
の粒度管理を行うので、砥粒の納入ロットごとに発生す
るインゴット単位のウェーハ厚さのバラツキを抑えるこ
ともできる。
ーが使用されるワイヤソーの概略構成図である。
グラフである。
ける納入ロットごとの粒度分布のバラツキ度合いを示す
グラフである。
Claims (2)
- 【請求項1】 砥液中に砥粒を含み、ワイヤソーによる
インゴット切断時にインゴットの表面に供給されるワイ
ヤソー用スラリーにおいて、 スラリー中の上記砥粒の粒度の分布状態が、小さい粒度
のものから加算した砥粒全体の体積累積値が97%とな
る点での砥粒の粒径が、それが50%となる点での砥粒
の粒径の1.5〜1.8倍の範囲であるワイヤソー用ス
ラリー。 - 【請求項2】 #600の砥粒の場合、上記体積累積値
が97%となる点の砥粒の粒径が30.0μm以下であ
る請求項1に記載のワイヤソー用スラリー。
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---|---|---|---|---|
WO2012147472A1 (ja) * | 2011-04-27 | 2012-11-01 | 住友電気工業株式会社 | 化合物半導体単結晶基板およびその製造方法 |
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---|---|---|---|---|
JP6604313B2 (ja) * | 2016-11-10 | 2019-11-13 | 株式会社Sumco | 砥粒の評価方法並びにウェーハの製造方法 |
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- 1999-04-27 JP JP12040799A patent/JP3669557B2/ja not_active Expired - Fee Related
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