JP2000308266A - 充電スイッチ制御回路 - Google Patents
充電スイッチ制御回路Info
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- H02J—CIRCUIT ARRANGEMENTS OR SYSTEMS FOR SUPPLYING OR DISTRIBUTING ELECTRIC POWER; SYSTEMS FOR STORING ELECTRIC ENERGY
- H02J7/00—Circuit arrangements for charging or depolarising batteries or for supplying loads from batteries
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- H02J7/00—Circuit arrangements for charging or depolarising batteries or for supplying loads from batteries
- H02J7/0029—Circuit arrangements for charging or depolarising batteries or for supplying loads from batteries with safety or protection devices or circuits
- H02J7/0031—Circuit arrangements for charging or depolarising batteries or for supplying loads from batteries with safety or protection devices or circuits using battery or load disconnect circuits
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- Power Engineering (AREA)
- Charge And Discharge Circuits For Batteries Or The Like (AREA)
- Protection Of Static Devices (AREA)
- Secondary Cells (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 充電式電源装置の信頼性を高めるとともに、
安全性の向上をはかる充放電制御回路及びその回路の提
供。 【解決手段】 充放電制御回路において、二次電池の電
圧がＭＯＳインバータ回路のしきい値電圧以下の異常電
圧で、充電器が接続された場合、充電制御スイッチをＯ
ＦＦして、充電電流を遮断し、異常な電池への充電を禁
止する様な回路構成にし、二次電池の破壊、爆発を防ぐ
様にした。
安全性の向上をはかる充放電制御回路及びその回路の提
供。 【解決手段】 充放電制御回路において、二次電池の電
圧がＭＯＳインバータ回路のしきい値電圧以下の異常電
圧で、充電器が接続された場合、充電制御スイッチをＯ
ＦＦして、充電電流を遮断し、異常な電池への充電を禁
止する様な回路構成にし、二次電池の破壊、爆発を防ぐ
様にした。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、二次電池の充電
を制御することが出来る充電制御回路と、その回路を利
用した充電式電源装置に関する。
を制御することが出来る充電制御回路と、その回路を利
用した充電式電源装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の充電制御回路としては、図２に回
路ブロック図を示すような回路が知られていた。このよ
うな回路において、二次電池２０１の電圧により充電器
２０８の制御を行うためにはこの充電制御回路に二系統
の電源、すなわち二次電池２０１と充電器２０８が存在
することになる。二次電池２０１の電圧を監視し、充放
電の制御を行う充放電制御回路２０２は二次電池２０１
を電源として動作し、充電制御スイッチＦＥＴ−Ｂ２１
１を駆動するための充電スイッチ制御回路２０７は充電
器２０８またはＦＥＴを通して二次電池２０１を電源と
して動作する。このとき二次電池２０１の異常劣化や破
損、短絡等により電圧が充放電制御回路２０２の最低動
作電圧以下となった場合、二次電池２０１を電源とする
充電制御回路２０２が正常に動作せず、充電スイッチ制
御回路２０３への出力が不安定となり充電制御スイッチ
ＦＥＴ−Ｂを正常に動作させることが不可能となる。そ
の結果二次電池２０１に異常充電が行われる可能性があ
る。そのため、図２に示す充電スイッチ制御回路２０３
により二次電池２０１の電圧が低下したことをＭＯＳト
ランジスタ３０４のしきい値電圧により検出し、異常電
池への充電を禁止している。
路ブロック図を示すような回路が知られていた。このよ
うな回路において、二次電池２０１の電圧により充電器
２０８の制御を行うためにはこの充電制御回路に二系統
の電源、すなわち二次電池２０１と充電器２０８が存在
することになる。二次電池２０１の電圧を監視し、充放
電の制御を行う充放電制御回路２０２は二次電池２０１
を電源として動作し、充電制御スイッチＦＥＴ−Ｂ２１
１を駆動するための充電スイッチ制御回路２０７は充電
器２０８またはＦＥＴを通して二次電池２０１を電源と
して動作する。このとき二次電池２０１の異常劣化や破
損、短絡等により電圧が充放電制御回路２０２の最低動
作電圧以下となった場合、二次電池２０１を電源とする
充電制御回路２０２が正常に動作せず、充電スイッチ制
御回路２０３への出力が不安定となり充電制御スイッチ
ＦＥＴ−Ｂを正常に動作させることが不可能となる。そ
の結果二次電池２０１に異常充電が行われる可能性があ
る。そのため、図２に示す充電スイッチ制御回路２０３
により二次電池２０１の電圧が低下したことをＭＯＳト
ランジスタ３０４のしきい値電圧により検出し、異常電
池への充電を禁止している。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うにＭＯＳトランジスタ３０４のしきい値電圧により二
次電池２０１の電池電圧を監視する場合、二次電池２０
１がＭＯＳトランジスタ３０４のしきい値電圧以下であ
れば充電制御スイッチＦＥＴ−Ｂはオフし充電を禁止す
る。また、二次電池２０１の電圧が充放電制御回路２０
２の最低動作電圧以上であれば充電制御スイッチＦＥＴ
−Ｂはオンし充電を可能にする。しかし、二次電池の電
圧がＭＯＳトランジスタ３０４のしきい値電圧から充電
制御回路２０２の最低動作電圧の間にある場合、充電制
御スイッチはオンになるかオフになるかの制御は不可能
である。さらに、二次電池２０１がＭＯＳトランジスタ
３０４のしきい値電圧以下であったとしてもＭＯＳトラ
ンジスタ３０４の漏れ電流により充電制御スイッチＦＥ
Ｔ−Ｂがオンしてしまうことがある。その結果、二次電
池２０１の電圧がＭＯＳトランジスタのしきい値電圧を
十分下回りほぼ０Ｖにならないと完全に充電禁止を保証
できないという欠点がある。
うにＭＯＳトランジスタ３０４のしきい値電圧により二
次電池２０１の電池電圧を監視する場合、二次電池２０
１がＭＯＳトランジスタ３０４のしきい値電圧以下であ
れば充電制御スイッチＦＥＴ−Ｂはオフし充電を禁止す
る。また、二次電池２０１の電圧が充放電制御回路２０
２の最低動作電圧以上であれば充電制御スイッチＦＥＴ
−Ｂはオンし充電を可能にする。しかし、二次電池の電
圧がＭＯＳトランジスタ３０４のしきい値電圧から充電
制御回路２０２の最低動作電圧の間にある場合、充電制
御スイッチはオンになるかオフになるかの制御は不可能
である。さらに、二次電池２０１がＭＯＳトランジスタ
３０４のしきい値電圧以下であったとしてもＭＯＳトラ
ンジスタ３０４の漏れ電流により充電制御スイッチＦＥ
Ｔ−Ｂがオンしてしまうことがある。その結果、二次電
池２０１の電圧がＭＯＳトランジスタのしきい値電圧を
十分下回りほぼ０Ｖにならないと完全に充電禁止を保証
できないという欠点がある。
【０００４】そこで、本発明の目的は、従来のこのよう
な課題を解決するため、電池電圧がＭＯＳトランジスタ
のしきい値電圧以下になっていてもＭＯＳトランジスタ
の漏れ電流により充電制御スイッチがオンすることがな
いようにＭＯＳインバータ回路を用い、二次電池電圧が
ＭＯＳインバータ回路のしきい値電圧以下の時に充電器
が接続されてもその電池には充電電流を流さず充電でき
ない状態にする信頼性が高く安全な充放電制御回路を得
ることである。
な課題を解決するため、電池電圧がＭＯＳトランジスタ
のしきい値電圧以下になっていてもＭＯＳトランジスタ
の漏れ電流により充電制御スイッチがオンすることがな
いようにＭＯＳインバータ回路を用い、二次電池電圧が
ＭＯＳインバータ回路のしきい値電圧以下の時に充電器
が接続されてもその電池には充電電流を流さず充電でき
ない状態にする信頼性が高く安全な充放電制御回路を得
ることである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明は充放電制御回路において、二次電池がＭＯ
Ｓインバータ回路のしきい値電圧以下の電圧になり、そ
の時に充電器が接続された場合、スイッチ回路をＯＦＦ
し充電電流が流れない様な回路構成にすることで、異常
状態の電池に対しては充電出来ない様にした。
に、本発明は充放電制御回路において、二次電池がＭＯ
Ｓインバータ回路のしきい値電圧以下の電圧になり、そ
の時に充電器が接続された場合、スイッチ回路をＯＦＦ
し充電電流が流れない様な回路構成にすることで、異常
状態の電池に対しては充電出来ない様にした。
【０００６】
【発明の実施の形態】上記の様に構成された充放電制御
回路においては、電池電圧がＭＯＳインバータ回路のし
きい値電圧以下の異常電池接続時に充電器が接続された
場合、充電電流を遮断し、二次電池に充電出来ない様に
なるので、二次電池の破壊を防ぐ様に動作して機器全体
の信頼性を高め、安全性も向上する事になる。
回路においては、電池電圧がＭＯＳインバータ回路のし
きい値電圧以下の異常電池接続時に充電器が接続された
場合、充電電流を遮断し、二次電池に充電出来ない様に
なるので、二次電池の破壊を防ぐ様に動作して機器全体
の信頼性を高め、安全性も向上する事になる。
【０００７】
【実施例】以下にこの発明の実施例を図１に基づいて説
明する。図１は、本発明を含む充放電制御回路の回路ブ
ロック図である。外部端子＋ＶＯ１０４と−ＶＯ１０５
にスイッチ回路１０３を介して二次電池１０１が接続さ
れている。スイッチ回路１０３は２個のＮｃｈ ＦＥＴ
で構成されている。二次電池１０１の電圧は充放電制御
回路１０２と充電スイッチ制御回路１０７により監視さ
れている。充放電制御回路１０２は信号線１１４ＡでＦ
ＥＴ−Ａ１１０に接続され、ＦＥＴ−Ａ１１０のＯＮ／
ＯＦＦを制御する。また充電スイッチ制御回路１０７は
充電器と並列に＋ＶＯ１０４、−ＶＯ１０５間に過電流
検出端子１１３を介して接続され、その電圧を電源とし
て動作し、信号線１１４Ｂで充電スイッチ制御回路１０
７を介してＦＥＴ−Ｂ１１１に接続されＦＥＴ−Ｂ１１
１のＯＮ／ＯＦＦを制御する。
明する。図１は、本発明を含む充放電制御回路の回路ブ
ロック図である。外部端子＋ＶＯ１０４と−ＶＯ１０５
にスイッチ回路１０３を介して二次電池１０１が接続さ
れている。スイッチ回路１０３は２個のＮｃｈ ＦＥＴ
で構成されている。二次電池１０１の電圧は充放電制御
回路１０２と充電スイッチ制御回路１０７により監視さ
れている。充放電制御回路１０２は信号線１１４ＡでＦ
ＥＴ−Ａ１１０に接続され、ＦＥＴ−Ａ１１０のＯＮ／
ＯＦＦを制御する。また充電スイッチ制御回路１０７は
充電器と並列に＋ＶＯ１０４、−ＶＯ１０５間に過電流
検出端子１１３を介して接続され、その電圧を電源とし
て動作し、信号線１１４Ｂで充電スイッチ制御回路１０
７を介してＦＥＴ−Ｂ１１１に接続されＦＥＴ−Ｂ１１
１のＯＮ／ＯＦＦを制御する。
【０００８】二次電池１０１への充電を行うための充電
器１０８や二次電池で駆動出来る機器（二次電池から見
て負荷）は外部端子＋ＶＯ１０４と−ＶＯ１０５の間に
接続される。外部端子−ＶＯ１０５または、＋ＶＯ１０
４にＦＥＴ−Ａ１１０とＦＥＴ−Ｂ１１１が直列に接続
される。まず、充電スイッチ制御回路１０７の回路構成
を図１に基づいて説明する。充放電制御回路１０２から
の信号はレベルシフタ回路４０１に入力される。また、
二次電池１０１の電池電圧が電池電圧検出回路として使
用するＰチャネルＭＯＳトランジスタ４０２とＮチャネ
ルＭＯＳトランジスタ４０４のゲートに入力される。そ
してＰチャネルＭＯＳトランジスタ４０２のドレインと
ＮチャネルＭＯＳトランジスタ４０４のドレイン間を抵
抗素子４０３で接続する。 ＰチャネルＭＯＳトランジ
スタ４０２のドレインと抵抗素子４０３の接点とレベル
シフタ回路４０１の出力が反転論理積発生回路４０５に
入力する。この反転論理積発生回路４０５の出力はＰチ
ャネルＭＯＳトランジスタ４０６とＮチャネルＭＯＳト
ランジスタ４０７のゲートに入力される。このＰチャネ
ルＭＯＳトランジスタ４０２のドレインとＮチャネルＭ
ＯＳトランジスタ４０４のドレインを接続し、更にその
信号を充電制御信号出力端子１１２Ｂから信号線１１４
Ｂを介してスイッチ回路１０３内のＦＥＴ−Ｂ１１１の
ゲートに接続される。この時充電スイッチ制御回路１０
７を構成する各素子、すなわちレベルシフタ回路４０
１、 ＰチャネルＭＯＳトランジスタ４０２および４０
６、 NチャネルＭＯＳトランジスタ４０4および４０7、抵
抗素子４０３、反転論理和発生回路４０５の電源は充電
器１０８より外部端子＋ＶＯ１０４、−ＶＯ１０５から
供給される。あるいは二次電池１０１よりスイッチ回路
１０３内のＦＥＴ−Ａ１１０およびＦＥＴ−Ｂ１１１を
介して外部端子＋ＶＯ１０４、−ＶＯ１０５から供給さ
れる。
器１０８や二次電池で駆動出来る機器（二次電池から見
て負荷）は外部端子＋ＶＯ１０４と−ＶＯ１０５の間に
接続される。外部端子−ＶＯ１０５または、＋ＶＯ１０
４にＦＥＴ−Ａ１１０とＦＥＴ−Ｂ１１１が直列に接続
される。まず、充電スイッチ制御回路１０７の回路構成
を図１に基づいて説明する。充放電制御回路１０２から
の信号はレベルシフタ回路４０１に入力される。また、
二次電池１０１の電池電圧が電池電圧検出回路として使
用するＰチャネルＭＯＳトランジスタ４０２とＮチャネ
ルＭＯＳトランジスタ４０４のゲートに入力される。そ
してＰチャネルＭＯＳトランジスタ４０２のドレインと
ＮチャネルＭＯＳトランジスタ４０４のドレイン間を抵
抗素子４０３で接続する。 ＰチャネルＭＯＳトランジ
スタ４０２のドレインと抵抗素子４０３の接点とレベル
シフタ回路４０１の出力が反転論理積発生回路４０５に
入力する。この反転論理積発生回路４０５の出力はＰチ
ャネルＭＯＳトランジスタ４０６とＮチャネルＭＯＳト
ランジスタ４０７のゲートに入力される。このＰチャネ
ルＭＯＳトランジスタ４０２のドレインとＮチャネルＭ
ＯＳトランジスタ４０４のドレインを接続し、更にその
信号を充電制御信号出力端子１１２Ｂから信号線１１４
Ｂを介してスイッチ回路１０３内のＦＥＴ−Ｂ１１１の
ゲートに接続される。この時充電スイッチ制御回路１０
７を構成する各素子、すなわちレベルシフタ回路４０
１、 ＰチャネルＭＯＳトランジスタ４０２および４０
６、 NチャネルＭＯＳトランジスタ４０4および４０7、抵
抗素子４０３、反転論理和発生回路４０５の電源は充電
器１０８より外部端子＋ＶＯ１０４、−ＶＯ１０５から
供給される。あるいは二次電池１０１よりスイッチ回路
１０３内のＦＥＴ−Ａ１１０およびＦＥＴ−Ｂ１１１を
介して外部端子＋ＶＯ１０４、−ＶＯ１０５から供給さ
れる。
【０００９】そして、充電スイッチ制御回路１０７の動
作を図１に基づいて説明する。レベルシフタ回路４０１
は入力信号、すなわち充放電制御回路１０２の出力信号
がハイレベルの時、出力は外部端子＋ＶＯ１０４の電圧
(以下“Ｈ”)を出力し、放電制御回路１０２の出力信号
がローレベルの時、出力は外部端子−ＶＯ１０５の電圧
(以下“Ｌ”)を出力し反転論理積発生回路４０５の入力
になる。また、ＰチャネルＭＯＳトランジスタ４０２と
ＮチャネルＭＯＳトランジスタ４０４および抵抗素子４
０３で構成された二次電池１０１の電圧検出回路は、二
次電池１０１の電圧が低下しＰチャネルＭＯＳトランジ
スタ４０２のしきい値電圧よりも低くなった場合“Ｌ”
を出力し反転論理積発生回路４０５の入力になる。さら
に反転論理積発生回路４０５の出力はＰチャネルＭＯＳ
トランジスタ４０６とＮチャネルＭＯＳトランジスタ４
０７で構成された反転出力回路で充電制御用ＦＥＴ−Ｂ
１１１を駆動する。すなわち、レベルシフタ回路と二次
電池電圧検出回路の出力が両方とも“Ｈ”である場合の
み充電制御用ＦＥＴ−Ｂのゲート電圧が“Ｈ”となり充
電が可能となる。どちらかの信号が“Ｌ”の場合はＦＥ
Ｔ−Ｂのゲート電圧が“Ｌ”となるため充電は禁止され
る。
作を図１に基づいて説明する。レベルシフタ回路４０１
は入力信号、すなわち充放電制御回路１０２の出力信号
がハイレベルの時、出力は外部端子＋ＶＯ１０４の電圧
(以下“Ｈ”)を出力し、放電制御回路１０２の出力信号
がローレベルの時、出力は外部端子−ＶＯ１０５の電圧
(以下“Ｌ”)を出力し反転論理積発生回路４０５の入力
になる。また、ＰチャネルＭＯＳトランジスタ４０２と
ＮチャネルＭＯＳトランジスタ４０４および抵抗素子４
０３で構成された二次電池１０１の電圧検出回路は、二
次電池１０１の電圧が低下しＰチャネルＭＯＳトランジ
スタ４０２のしきい値電圧よりも低くなった場合“Ｌ”
を出力し反転論理積発生回路４０５の入力になる。さら
に反転論理積発生回路４０５の出力はＰチャネルＭＯＳ
トランジスタ４０６とＮチャネルＭＯＳトランジスタ４
０７で構成された反転出力回路で充電制御用ＦＥＴ−Ｂ
１１１を駆動する。すなわち、レベルシフタ回路と二次
電池電圧検出回路の出力が両方とも“Ｈ”である場合の
み充電制御用ＦＥＴ−Ｂのゲート電圧が“Ｈ”となり充
電が可能となる。どちらかの信号が“Ｌ”の場合はＦＥ
Ｔ−Ｂのゲート電圧が“Ｌ”となるため充電は禁止され
る。
【００１０】以上の動作は、充電スイッチ制御回路１０
７が図４の場合であるが充電スイッチ制御回路が図５で
も同様の動作をする。すなわち二次電池検出回路をＰチ
ャネルＭＯＳトランジスタ５０２と抵抗素子５０３で構
成しその出力をレベルシフタ回路の出力と論理積するこ
とで図４の回路と同一の動作が可能となる。二次電池電
圧がＰチャネルＭＯＳトランジスタのしきい値電圧以下
の場合この電池電圧検出回路は“Ｌ”を出力し、反転論
理積発生回路４０５の他の入力であるレベルシフタ回路
４０１の出力が“H”であっても“L”であっても反転論
理積発生回路４０５の出力は“H”となる。その結果反
転出力回路により反転された“Ｌ”信号が充電制御用Ｆ
ＥＴ−Ｂのゲートに入力され、充電制御用ＦＥＴ−Ｂが
オフし充電禁止になる。二次電池１０１の電圧がＰチャ
ネルＭＯＳトランジスタのしきい値電圧以上になるとＰ
チャネルＭＯＳトランジスタがオンし、この電池電圧検
出回路の出力は“Ｌ”から“Ｈ”に変化し、反転論理積
発生回路４０５の他の入力であるレベルシフタ回路４０
１の出力が“H”であれば反転論理積発生回路４０５の
出力は“Ｌ”となる。その結果反転出力回路により反転
された“Ｈ”信号が充電制御用ＦＥＴ−Ｂのゲートに入
力され、充電制御用ＦＥＴ−Ｂがオンされ充電が可能に
なる。
７が図４の場合であるが充電スイッチ制御回路が図５で
も同様の動作をする。すなわち二次電池検出回路をＰチ
ャネルＭＯＳトランジスタ５０２と抵抗素子５０３で構
成しその出力をレベルシフタ回路の出力と論理積するこ
とで図４の回路と同一の動作が可能となる。二次電池電
圧がＰチャネルＭＯＳトランジスタのしきい値電圧以下
の場合この電池電圧検出回路は“Ｌ”を出力し、反転論
理積発生回路４０５の他の入力であるレベルシフタ回路
４０１の出力が“H”であっても“L”であっても反転論
理積発生回路４０５の出力は“H”となる。その結果反
転出力回路により反転された“Ｌ”信号が充電制御用Ｆ
ＥＴ−Ｂのゲートに入力され、充電制御用ＦＥＴ−Ｂが
オフし充電禁止になる。二次電池１０１の電圧がＰチャ
ネルＭＯＳトランジスタのしきい値電圧以上になるとＰ
チャネルＭＯＳトランジスタがオンし、この電池電圧検
出回路の出力は“Ｌ”から“Ｈ”に変化し、反転論理積
発生回路４０５の他の入力であるレベルシフタ回路４０
１の出力が“H”であれば反転論理積発生回路４０５の
出力は“Ｌ”となる。その結果反転出力回路により反転
された“Ｈ”信号が充電制御用ＦＥＴ−Ｂのゲートに入
力され、充電制御用ＦＥＴ−Ｂがオンされ充電が可能に
なる。
【００１１】次に本発明の他の実施例を図６に基づいて
説明する。図４の回路と同様に充放電制御回路の出力が
レベルシフタ回路６０１の入力となり、その出力が反転
論理和発生回路６０６の入力となる。また、Ｐチャネル
ＭＯＳトランジスタ６０２とＮチャネルＭＯＳトランジ
スタ６０４および抵抗素子６０３で構成された電池電圧
検出回路の出力がインバータ回路６０５の入力となり、
さらにそのインバータ回路６０５の出力は反転論理和発
生回路６０６の入力となる。レベルシフタ回路と電池電
圧検出回路の出力が入力される反転論理和発生回路の出
力はＰチャネルＭＯＳトランジスタ６０７とＮチャネル
ＭＯＳトランジスタ６０８で構成された反転出力回路に
入力される。さらにその反転出力回路の出力が充電制御
用ＦＥＴのゲート電圧に入力される。
説明する。図４の回路と同様に充放電制御回路の出力が
レベルシフタ回路６０１の入力となり、その出力が反転
論理和発生回路６０６の入力となる。また、Ｐチャネル
ＭＯＳトランジスタ６０２とＮチャネルＭＯＳトランジ
スタ６０４および抵抗素子６０３で構成された電池電圧
検出回路の出力がインバータ回路６０５の入力となり、
さらにそのインバータ回路６０５の出力は反転論理和発
生回路６０６の入力となる。レベルシフタ回路と電池電
圧検出回路の出力が入力される反転論理和発生回路の出
力はＰチャネルＭＯＳトランジスタ６０７とＮチャネル
ＭＯＳトランジスタ６０８で構成された反転出力回路に
入力される。さらにその反転出力回路の出力が充電制御
用ＦＥＴのゲート電圧に入力される。
【００１２】そして、本発明の他の実施例の動作を図６
に基づいて説明する。レベルシフタ回路６０１は入力信
号がハイレベルの時、出力は“Ｈ”を出力し、入力信号
がローレベルの時、出力は“Ｌ”を出力し反転論理和発
生回路６０６の入力になる。また、ＰチャネルＭＯＳト
ランジスタ６０２とＮチャネルＭＯＳトランジスタ６０
４および抵抗素子６０３で構成された電池電圧検出回路
は、二次電池の電圧が低下しＰチャネルＭＯＳトランジ
スタ６０２のしきい値電圧よりも低くなった場合“Ｌ”
を出力しさらにインバータ回路６０５の入力となりその
出力が“Ｈ”となり反転論理和発生回路６０６の入力と
なる。さらに反転論理和発生回路６０６の出力はＰチャ
ネルＭＯＳトランジスタ６０７とＮチャネルＭＯＳトラ
ンジスタ６０８で構成された反転出力回路で充電制御用
ＦＥＴ−Ｂを駆動する。レベルシフタ回路の出力が
“Ｌ”であり、電池電圧検出回路の出力が“Ｈ”である
場合にはインバータ回路６０５の出力は“Ｌ”となり反
転論理和発生回路６０６の入力は両方とも“Ｌ”となり
反転論理和発生回路６０６の出力は“Ｈ”となる。この
信号が反転出力回路に入力されるため充電制御用ＦＥＴ
−Ｂのゲート電圧が“Ｌ”となり充電が不可能となる。
上記以外の場合は反転論理和発生回路６０６の出力は
“Ｌ”となるためＦＥＴ−Ｂのゲート電圧が“Ｈ”とな
り充電可能となる。この様に図４の回路とは反対に電池
電圧がＰチャネルＭＯＳのしきい値よりも低い電圧の二
次電池を充電可能にすることが出来る。
に基づいて説明する。レベルシフタ回路６０１は入力信
号がハイレベルの時、出力は“Ｈ”を出力し、入力信号
がローレベルの時、出力は“Ｌ”を出力し反転論理和発
生回路６０６の入力になる。また、ＰチャネルＭＯＳト
ランジスタ６０２とＮチャネルＭＯＳトランジスタ６０
４および抵抗素子６０３で構成された電池電圧検出回路
は、二次電池の電圧が低下しＰチャネルＭＯＳトランジ
スタ６０２のしきい値電圧よりも低くなった場合“Ｌ”
を出力しさらにインバータ回路６０５の入力となりその
出力が“Ｈ”となり反転論理和発生回路６０６の入力と
なる。さらに反転論理和発生回路６０６の出力はＰチャ
ネルＭＯＳトランジスタ６０７とＮチャネルＭＯＳトラ
ンジスタ６０８で構成された反転出力回路で充電制御用
ＦＥＴ−Ｂを駆動する。レベルシフタ回路の出力が
“Ｌ”であり、電池電圧検出回路の出力が“Ｈ”である
場合にはインバータ回路６０５の出力は“Ｌ”となり反
転論理和発生回路６０６の入力は両方とも“Ｌ”となり
反転論理和発生回路６０６の出力は“Ｈ”となる。この
信号が反転出力回路に入力されるため充電制御用ＦＥＴ
−Ｂのゲート電圧が“Ｌ”となり充電が不可能となる。
上記以外の場合は反転論理和発生回路６０６の出力は
“Ｌ”となるためＦＥＴ−Ｂのゲート電圧が“Ｈ”とな
り充電可能となる。この様に図４の回路とは反対に電池
電圧がＰチャネルＭＯＳのしきい値よりも低い電圧の二
次電池を充電可能にすることが出来る。
【００１３】以上の動作は、充電スイッチ制御回路が図
６の場合であるが充電スイッチ制御回路が図７でも同様
の動作をする。すなわち電池電圧検出回路をＰチャネル
ＭＯＳトランジスタ７０２と抵抗素子７０３で構成しそ
の出力をインバータ回路７０４で反転しそのインバータ
回路の出力とレベルシフタ回路の出力を論理和すること
で図６の回路と同一の動作が可能となる。二次電池の電
圧がＰチャネルＭＯＳトランジスタのしきい値電圧以下
の場合この電池電圧検出回路は“Ｌ”出力し、反転論理
和発生回路７０５の他の入力であるレベルシフタ回路７
０１の出力が“H”であっても“L”であっても反転論理
和発生回路７０５の出力は“Ｌ”となる。その結果反転
出力回路により反転された“Ｈ”信号が充電制御用ＦＥ
Ｔ−Ｂのゲートに入力され、充電制御用ＦＥＴ−Ｂがオ
ンし充電可能となる。二次電池の電圧がＰチャネルＭＯ
Ｓトランジスタのしきい値電圧以上になるとＰチャネル
ＭＯＳトランジスタがオンし、この電池電圧検出回路の
出力は“Ｌ”から“Ｈ”に変化しさらにインバータ回路
７０４の入力となりその出力が“Ｌ”となる。反転論理
和発生回路７０５の他の入力であるレベルシフタ回路７
０１の出力が“Ｌ”であれば反転論理積発生回路７０５
の出力は“Ｈ”となる。その結果反転出力回路により反
転された“Ｌ”信号が充電制御用ＦＥＴ−Ｂのゲートに
入力され、充電制御用ＦＥＴ−Ｂがオフし充電禁止とな
る。このように反転論理和発生回路７０５の入力が両方
とも“Ｌ”の場合のみ充電禁止となる。
６の場合であるが充電スイッチ制御回路が図７でも同様
の動作をする。すなわち電池電圧検出回路をＰチャネル
ＭＯＳトランジスタ７０２と抵抗素子７０３で構成しそ
の出力をインバータ回路７０４で反転しそのインバータ
回路の出力とレベルシフタ回路の出力を論理和すること
で図６の回路と同一の動作が可能となる。二次電池の電
圧がＰチャネルＭＯＳトランジスタのしきい値電圧以下
の場合この電池電圧検出回路は“Ｌ”出力し、反転論理
和発生回路７０５の他の入力であるレベルシフタ回路７
０１の出力が“H”であっても“L”であっても反転論理
和発生回路７０５の出力は“Ｌ”となる。その結果反転
出力回路により反転された“Ｈ”信号が充電制御用ＦＥ
Ｔ−Ｂのゲートに入力され、充電制御用ＦＥＴ−Ｂがオ
ンし充電可能となる。二次電池の電圧がＰチャネルＭＯ
Ｓトランジスタのしきい値電圧以上になるとＰチャネル
ＭＯＳトランジスタがオンし、この電池電圧検出回路の
出力は“Ｌ”から“Ｈ”に変化しさらにインバータ回路
７０４の入力となりその出力が“Ｌ”となる。反転論理
和発生回路７０５の他の入力であるレベルシフタ回路７
０１の出力が“Ｌ”であれば反転論理積発生回路７０５
の出力は“Ｈ”となる。その結果反転出力回路により反
転された“Ｌ”信号が充電制御用ＦＥＴ−Ｂのゲートに
入力され、充電制御用ＦＥＴ−Ｂがオフし充電禁止とな
る。このように反転論理和発生回路７０５の入力が両方
とも“Ｌ”の場合のみ充電禁止となる。
【００１４】上記の説明はすべてスイッチ回路にＮｃｈ
−ＦＥＴが使用されている場合であるが、図９で示すよ
うにスイッチ回路にＰｃｈ−ＦＥＴを使用しても同様の
動作が可能である。本発明の他の実施例としてＰｃｈ−
ＦＥＴを使用した回路について図９に基づいて説明す
る。図１との相違点はスイッチ回路がＮｃｈ−ＦＥＴで
はなくＰｃｈ−ＦＥＴで構成されていることである。外
部端子＋ＶＯ９０４と−ＶＯ９０５にスイッチ回路９０
３を介して二次電池９０１が接続されている。スイッチ
回路９０３は２個のＰｃｈ ＦＥＴで構成されている。
二次電池９０１の電圧は充放電制御回路９０２と充電ス
イッチ制御回路９０７により監視されている。充放電制
御回路９０２は信号線９１４ＡでＦＥＴ−Ａ９１０に接
続され、ＦＥＴ−Ａ９１０のＯＮ／ＯＦＦを制御する。
また充電スイッチ制御回路９０７は充電器と並列に＋Ｖ
Ｏ９０４、−ＶＯ９０５間に過電流検出端子９１３を介
して接続され、その電圧を電源として動作し、信号線９
１４Ｂで充電スイッチ制御回路９０７を介してＦＥＴ−
Ｂ９１１に接続されＦＥＴ−Ｂ９１１のＯＮ／ＯＦＦを
制御する。二次電池９０１への充電を行うための充電器
９０８や二次電池で駆動出来る機器は外部端子＋ＶＯ９
０４と−ＶＯ９０５の間に接続される。外部端子−ＶＯ
９０５または、＋ＶＯ９０４にＦＥＴ−Ａ９１０とＦＥ
Ｔ−Ｂ９１１が直列に接続される。
−ＦＥＴが使用されている場合であるが、図９で示すよ
うにスイッチ回路にＰｃｈ−ＦＥＴを使用しても同様の
動作が可能である。本発明の他の実施例としてＰｃｈ−
ＦＥＴを使用した回路について図９に基づいて説明す
る。図１との相違点はスイッチ回路がＮｃｈ−ＦＥＴで
はなくＰｃｈ−ＦＥＴで構成されていることである。外
部端子＋ＶＯ９０４と−ＶＯ９０５にスイッチ回路９０
３を介して二次電池９０１が接続されている。スイッチ
回路９０３は２個のＰｃｈ ＦＥＴで構成されている。
二次電池９０１の電圧は充放電制御回路９０２と充電ス
イッチ制御回路９０７により監視されている。充放電制
御回路９０２は信号線９１４ＡでＦＥＴ−Ａ９１０に接
続され、ＦＥＴ−Ａ９１０のＯＮ／ＯＦＦを制御する。
また充電スイッチ制御回路９０７は充電器と並列に＋Ｖ
Ｏ９０４、−ＶＯ９０５間に過電流検出端子９１３を介
して接続され、その電圧を電源として動作し、信号線９
１４Ｂで充電スイッチ制御回路９０７を介してＦＥＴ−
Ｂ９１１に接続されＦＥＴ−Ｂ９１１のＯＮ／ＯＦＦを
制御する。二次電池９０１への充電を行うための充電器
９０８や二次電池で駆動出来る機器は外部端子＋ＶＯ９
０４と−ＶＯ９０５の間に接続される。外部端子−ＶＯ
９０５または、＋ＶＯ９０４にＦＥＴ−Ａ９１０とＦＥ
Ｔ−Ｂ９１１が直列に接続される。
【００１５】そして、充電スイッチ制御回路９０７の回
路構成を図９に基づいて説明する。充放電制御回路９０
２からの信号はレベルシフタ回路８０１に入力される。
また、二次電池９０１の電池電圧が電池電圧検出回路と
して使用するＰチャネルＭＯＳトランジスタ８０２とＮ
チャネルＭＯＳトランジスタ８０４のゲートに入力され
る。そしてＰチャネルＭＯＳトランジスタ８０２のドレ
インとＮチャネルＭＯＳトランジスタ８０４のドレイン
間を抵抗素子８０３で接続する。 ＮチャネルＭＯＳト
ランジスタ８０４のドレインと抵抗素子８０３の接点と
レベルシフタ回路８０１の出力がインバータ回路８０５
を介して反転論理和発生回路８０６に入力する。この反
転論理和発生回路８０６の出力はＰチャネルＭＯＳトラ
ンジスタ８０７とＮチャネルＭＯＳトランジスタ８０８
のゲートに入力される。このＰチャネルＭＯＳトランジ
スタ８０７のドレインとＮチャネルＭＯＳトランジスタ
８０８のドレインを接続し、更にその信号を充電制御信
号出力端子９１２Ｂから信号線９１４Ｂを介してスイッ
チ回路９０３内のＦＥＴ−Ｂ９１１のゲートに接続され
る。この時充電スイッチ制御回路９０７を構成する各素
子、すなわちレベルシフタ回路８０１、 ＰチャネルＭＯ
Ｓトランジスタ８０２および８０７、 NチャネルＭＯＳ
トランジスタ８０4および８０８、抵抗素子８０３、イン
バータ回路８０５、反転論理和発生回路８０６の電源は
充電器９０８より外部端子＋ＶＯ９０４、−ＶＯ９０５
から供給される。あるいは二次電池９０１よりスイッチ
回路９０３内のＦＥＴ−Ａ９１０およびＦＥＴ−Ｂ９１
１を介して外部端子＋ＶＯ９０４、−ＶＯ９０５から供
給される。
路構成を図９に基づいて説明する。充放電制御回路９０
２からの信号はレベルシフタ回路８０１に入力される。
また、二次電池９０１の電池電圧が電池電圧検出回路と
して使用するＰチャネルＭＯＳトランジスタ８０２とＮ
チャネルＭＯＳトランジスタ８０４のゲートに入力され
る。そしてＰチャネルＭＯＳトランジスタ８０２のドレ
インとＮチャネルＭＯＳトランジスタ８０４のドレイン
間を抵抗素子８０３で接続する。 ＮチャネルＭＯＳト
ランジスタ８０４のドレインと抵抗素子８０３の接点と
レベルシフタ回路８０１の出力がインバータ回路８０５
を介して反転論理和発生回路８０６に入力する。この反
転論理和発生回路８０６の出力はＰチャネルＭＯＳトラ
ンジスタ８０７とＮチャネルＭＯＳトランジスタ８０８
のゲートに入力される。このＰチャネルＭＯＳトランジ
スタ８０７のドレインとＮチャネルＭＯＳトランジスタ
８０８のドレインを接続し、更にその信号を充電制御信
号出力端子９１２Ｂから信号線９１４Ｂを介してスイッ
チ回路９０３内のＦＥＴ−Ｂ９１１のゲートに接続され
る。この時充電スイッチ制御回路９０７を構成する各素
子、すなわちレベルシフタ回路８０１、 ＰチャネルＭＯ
Ｓトランジスタ８０２および８０７、 NチャネルＭＯＳ
トランジスタ８０4および８０８、抵抗素子８０３、イン
バータ回路８０５、反転論理和発生回路８０６の電源は
充電器９０８より外部端子＋ＶＯ９０４、−ＶＯ９０５
から供給される。あるいは二次電池９０１よりスイッチ
回路９０３内のＦＥＴ−Ａ９１０およびＦＥＴ−Ｂ９１
１を介して外部端子＋ＶＯ９０４、−ＶＯ９０５から供
給される。
【００１６】そして、充電スイッチ制御回路９０７の動
作を図９に基づいて説明する。レベルシフタ回路８０１
は入力信号、すなわち充放電制御回路９０２の出力信号
がハイレベルの時、“Ｈ”を出力し、放電制御回路９０
２の出力信号がローレベルの時、出力は“Ｌ”を出力し
インバータ回路８０５を介して反転論理和発生回路８０
６の入力になる。また、ＰチャネルＭＯＳトランジスタ
８０２とＮチャネルＭＯＳトランジスタ８０４および抵
抗素子８０３で構成された二次電池９０１の電圧検出回
路は、二次電池９０１の電圧が低下しＮチャネルＭＯＳ
トランジスタ８０４のしきい値電圧よりも低くなった場
合“Ｌ”を出力し反転論理和発生回路８０６の入力にな
る。さらに反転論理和発生回路８０６の出力はＰチャネ
ルＭＯＳトランジスタ８０７とＮチャネルＭＯＳトラン
ジスタ８０８で構成された反転出力回路で充電制御用Ｆ
ＥＴ−Ｂ９１１を駆動する。すなわち、レベルシフタ回
路と二次電池の電圧検出回路の出力が両方とも“Ｈ”で
ある場合のみ充電制御用ＦＥＴ−Ｂのゲート電圧が
“Ｌ”となり充電が可能となる。また、レベルシフタ回
路と二次電池の電圧検出回路のどちらかの信号が“Ｌ”
の場合はＦＥＴ−Ｂのゲート電圧が“Ｈ”となるため充
電は禁止される。このように従来の充放電制御回路から
の制御信号だけでなく、直接二次電池電圧の検出信号を
使用することで定電圧電池の充放電制御が実現可能であ
る。
作を図９に基づいて説明する。レベルシフタ回路８０１
は入力信号、すなわち充放電制御回路９０２の出力信号
がハイレベルの時、“Ｈ”を出力し、放電制御回路９０
２の出力信号がローレベルの時、出力は“Ｌ”を出力し
インバータ回路８０５を介して反転論理和発生回路８０
６の入力になる。また、ＰチャネルＭＯＳトランジスタ
８０２とＮチャネルＭＯＳトランジスタ８０４および抵
抗素子８０３で構成された二次電池９０１の電圧検出回
路は、二次電池９０１の電圧が低下しＮチャネルＭＯＳ
トランジスタ８０４のしきい値電圧よりも低くなった場
合“Ｌ”を出力し反転論理和発生回路８０６の入力にな
る。さらに反転論理和発生回路８０６の出力はＰチャネ
ルＭＯＳトランジスタ８０７とＮチャネルＭＯＳトラン
ジスタ８０８で構成された反転出力回路で充電制御用Ｆ
ＥＴ−Ｂ９１１を駆動する。すなわち、レベルシフタ回
路と二次電池の電圧検出回路の出力が両方とも“Ｈ”で
ある場合のみ充電制御用ＦＥＴ−Ｂのゲート電圧が
“Ｌ”となり充電が可能となる。また、レベルシフタ回
路と二次電池の電圧検出回路のどちらかの信号が“Ｌ”
の場合はＦＥＴ−Ｂのゲート電圧が“Ｈ”となるため充
電は禁止される。このように従来の充放電制御回路から
の制御信号だけでなく、直接二次電池電圧の検出信号を
使用することで定電圧電池の充放電制御が実現可能であ
る。
【００１７】
【発明の効果】本発明は、以上説明したように簡単な回
路を追加するだけで、二次電池電圧がＭＯＳトランジス
タのしきい値電圧以下の電圧になった状態で、充電器が
接続された場合、スイッチ回路をＯＦＦして充電電流を
遮断し、異常な電池への充電を禁止するように働くた
め、二次電池を破壊を防ぎ、機器全体の信頼性を高め、
安全性を向上させるという効果がある。
路を追加するだけで、二次電池電圧がＭＯＳトランジス
タのしきい値電圧以下の電圧になった状態で、充電器が
接続された場合、スイッチ回路をＯＦＦして充電電流を
遮断し、異常な電池への充電を禁止するように働くた
め、二次電池を破壊を防ぎ、機器全体の信頼性を高め、
安全性を向上させるという効果がある。
【図１】本発明の充電式電源装置の回路ブロックを示し
た説明図である。
た説明図である。
【図２】従来の充電式電源装置の回路ブロックを示した
説明図である。
説明図である。
【図３】従来の充電式電源装置の回路の一部の回路ブロ
ック図である。
ック図である。
【図４】本発明の充電式電源装置の回路の一部の回路ブ
ロック図である。
ロック図である。
【図５】本発明の充電式電源装置の回路の一部の他の例
を示す回路ブロック図である。
を示す回路ブロック図である。
【図６】本発明の充電式電源装置の回路の一部の他の例
を示す回路ブロック図である。
を示す回路ブロック図である。
【図７】本発明の充電式電源装置の回路の一部の他の例
を示す回路ブロック図である。
を示す回路ブロック図である。
【図８】本発明の充電式電源装置の回路の一部の他の例
を示す回路ブロック図である。
を示す回路ブロック図である。
【図９】本発明の充電式電源装置の他の例を示す回路ブ
ロック図である。
ロック図である。
１０１、２０１、９０１・・・二次電池 １０２、２０２、９０２・・・充放電制御回路 １０３、２０３、９０３・・・スイッチ回路 １０７、２０７、９０７・・・充電スイッチ制御回路 １０４、２０４、９０４・・・外部端子＋ＶＯ １０５、２０５、９０５・・・外部端子−ＶＯ １０６， １１４Ａ，１１４Ｂ、２０６、２１４Ａ、２
１４Ｂ ９０６、９１４Ａ、９１４Ｂ・・・信号線 １０８、２０８、９０８・・・充電器 １０９、 ２０９、９０９・・・負荷 １１２Ａ、１１２B、１１３、２１２Ａ、２１２B、２１
３ ９１２Ａ、９１２Ｂ、９１３・・・出力端子 １１０、１１１、２１０、２１１・・・NチャネルＦＥ
Ｔ ９１０、９１１・・・ＰチャネルＦＥＴ ３０１、４０１、５０１、６０１、７０１、８０１・・
・レベルシフタ回路 ３０７、４０８、５０７、６０９、７０８、８０９・・
・入力端子 ３１１、４０９、５０８、６１０、７０９、８１０・・
・被検出端子 ３０８、４１０、５０９、６１１、７１０、８１１・・
・正電源端子 ３０９、４１１、５１０、６１２、７１１、８１２・・
・負電源端子 ３１０、 ４１２、５１１、６１３、７１２、８１３・
・・出力端子 ３１１、 ３０４、４０２、４０６、５０２、５０５、
６０２、６０７ ７０２、７０６、８０２、８０７・・・PチャネルＭＯ
Ｓトランジスタ ３０５、 ４０４、４０７、５０６、６０４、６０８ ７０７、８０４、８０８・・・NチャネルＭＯＳトラン
ジスタ ３０２、６０５、７０４、８０５・・・インバータ回路 ４０５、５０４・・・反転論理積発生回路 ６０６、７０５、８０６・・・反転論理和発生回路 ３０６・・・プルダウン素子 ４０３、５０３、６０３、７０３、８０３・・・抵抗素
子
１４Ｂ ９０６、９１４Ａ、９１４Ｂ・・・信号線 １０８、２０８、９０８・・・充電器 １０９、 ２０９、９０９・・・負荷 １１２Ａ、１１２B、１１３、２１２Ａ、２１２B、２１
３ ９１２Ａ、９１２Ｂ、９１３・・・出力端子 １１０、１１１、２１０、２１１・・・NチャネルＦＥ
Ｔ ９１０、９１１・・・ＰチャネルＦＥＴ ３０１、４０１、５０１、６０１、７０１、８０１・・
・レベルシフタ回路 ３０７、４０８、５０７、６０９、７０８、８０９・・
・入力端子 ３１１、４０９、５０８、６１０、７０９、８１０・・
・被検出端子 ３０８、４１０、５０９、６１１、７１０、８１１・・
・正電源端子 ３０９、４１１、５１０、６１２、７１１、８１２・・
・負電源端子 ３１０、 ４１２、５１１、６１３、７１２、８１３・
・・出力端子 ３１１、 ３０４、４０２、４０６、５０２、５０５、
６０２、６０７ ７０２、７０６、８０２、８０７・・・PチャネルＭＯ
Ｓトランジスタ ３０５、 ４０４、４０７、５０６、６０４、６０８ ７０７、８０４、８０８・・・NチャネルＭＯＳトラン
ジスタ ３０２、６０５、７０４、８０５・・・インバータ回路 ４０５、５０４・・・反転論理積発生回路 ６０６、７０５、８０６・・・反転論理和発生回路 ３０６・・・プルダウン素子 ４０３、５０３、６０３、７０３、８０３・・・抵抗素
子
Claims (3)
- 【請求項１】 充電器電圧を電源としたＭＯＳインバー
タ回路に二次電池電圧を入力し、該二次電池電圧を監視
し、該二次電池への充電可能、禁止を制御する信号を出
力することを特徴とする充電制御回路。 - 【請求項２】 該充電制御回路において、該二次電池電
圧がＭＯＳインバータ回路のしきい値電圧以下の場合
に、充電を禁止することを特徴とする特許請求項１に記
載の充電制御回路。 - 【請求項３】 該充電制御回路において、該二次電池電
圧がＭＯＳインバータ回路のしきい値電圧以下の場合
に、充電を可能にすることを特徴とする特許請求項１に
記載の充電制御回路。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11107074A JP2000308266A (ja) | 1999-04-14 | 1999-04-14 | 充電スイッチ制御回路 |
| TW089106708A TW466815B (en) | 1999-04-14 | 2000-04-11 | Charge switch control circuit |
| US09/548,122 US6380763B1 (en) | 1999-04-14 | 2000-04-12 | Charge switch control circuit |
| KR1020000019628A KR20010014735A (ko) | 1999-04-14 | 2000-04-14 | 충전스위치제어회로 |
| CNB001067672A CN1223066C (zh) | 1999-04-14 | 2000-04-14 | 充电开关控制电路 |
| HK01102737A HK1032153A1 (en) | 1999-04-14 | 2001-04-18 | Charge switch control circuit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11107074A JP2000308266A (ja) | 1999-04-14 | 1999-04-14 | 充電スイッチ制御回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000308266A true JP2000308266A (ja) | 2000-11-02 |
Family
ID=14449834
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11107074A Pending JP2000308266A (ja) | 1999-04-14 | 1999-04-14 | 充電スイッチ制御回路 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6380763B1 (ja) |
| JP (1) | JP2000308266A (ja) |
| KR (1) | KR20010014735A (ja) |
| CN (1) | CN1223066C (ja) |
| HK (1) | HK1032153A1 (ja) |
| TW (1) | TW466815B (ja) |
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|---|---|---|---|---|
| JP2010124681A (ja) * | 2008-10-21 | 2010-06-03 | Seiko Instruments Inc | バッテリ状態監視回路及びバッテリ装置 |
| KR20110066872A (ko) | 2009-12-11 | 2011-06-17 | 세이코 인스트루 가부시키가이샤 | 배터리 상태 감시 회로 및 배터리 장치 |
| US8384355B2 (en) | 2009-09-02 | 2013-02-26 | Seiko Instruments Inc. | Battery state monitoring circuit and battery device |
| JP2014241664A (ja) * | 2013-06-11 | 2014-12-25 | コニカミノルタ株式会社 | 充電システム、電子機器および充電装置 |
| CN116190896A (zh) * | 2023-04-25 | 2023-05-30 | 成都署信科技有限公司 | 一种大容量便携式储能电源及控制方法 |
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|---|---|---|---|---|
| CN101414760B (zh) * | 2007-10-19 | 2012-09-19 | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 | 充电电路及其误差补偿方法 |
| CN101425678B (zh) * | 2007-10-30 | 2011-11-23 | 比亚迪股份有限公司 | 电池保护方法和系统 |
| JP5217468B2 (ja) * | 2008-02-01 | 2013-06-19 | 株式会社リコー | 二次電池保護用半導体装置および該二次電池保護用半導体装置を用いた電池パック、ならびに該電池パックを用いた電子機器 |
| CN101572402B (zh) * | 2008-04-29 | 2011-10-05 | 纮康科技股份有限公司 | 可充式电池保护装置 |
| TWI423577B (zh) * | 2009-01-10 | 2014-01-11 | Sino American Silicon Prod Inc | 能源收集系統及方法 |
| KR101182890B1 (ko) | 2010-12-01 | 2012-09-13 | 삼성에스디아이 주식회사 | 배터리 팩 충전 제어 시스템 |
| KR101816978B1 (ko) * | 2012-11-19 | 2018-01-09 | 비와이디 컴퍼니 리미티드 | 배터리 어셈블리에 대한 보호 디바이스 및 보호 시스템 |
| CN104682355B (zh) * | 2015-02-13 | 2018-03-30 | 深圳市富满电子集团股份有限公司 | 一种锂电池保护电路 |
| TWI591477B (zh) * | 2016-05-31 | 2017-07-11 | 廣達電腦股份有限公司 | 電子裝置 |
| US10886753B2 (en) * | 2017-02-13 | 2021-01-05 | O2Micro Inc. | Systems and methods for managing a battery pack |
| CN112865255A (zh) * | 2018-02-06 | 2021-05-28 | 凹凸电子（武汉）有限公司 | 管理电池组的控制器、系统和方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5367645A (en) * | 1992-06-12 | 1994-11-22 | National Semiconductor Corporation | Modified interface for parallel access EPROM |
| US5742178A (en) * | 1994-09-14 | 1998-04-21 | Xilinx, Inc. | Programmable voltage stabilizing circuit for a programmable integrated circuit device |
-
1999
- 1999-04-14 JP JP11107074A patent/JP2000308266A/ja active Pending
-
2000
- 2000-04-11 TW TW089106708A patent/TW466815B/zh not_active IP Right Cessation
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