JP2000307151A - 半導体発光装置 - Google Patents

半導体発光装置

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JP2000307151A
JP2000307151A JP11663999A JP11663999A JP2000307151A JP 2000307151 A JP2000307151 A JP 2000307151A JP 11663999 A JP11663999 A JP 11663999A JP 11663999 A JP11663999 A JP 11663999A JP 2000307151 A JP2000307151 A JP 2000307151A
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JP
Japan
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chip
electrode
light emitting
emitting element
wire
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JP11663999A
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Hideki Koshimizu
秀輝 小清水
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Stanley Electric Co Ltd
Original Assignee
Stanley Electric Co Ltd
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Publication date
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484Connecting portions
    • H01L2224/48463Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
    • H01L2224/48465Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 表電極と裏電極を有した発光素子のチップの
高さを低くし、製品の小型化を図る。 【解決手段】 発光素子1の表電極2の位置をチップ中
心よりずらし、その電極中心がチップ中心から20μm
以上離れ、且つその電極端部がチップ端部より0〜10
0μmの範囲内に位置するように設ける。そして、発光
素子1の裏電極を一方のチップ電極と接続し、表電極2
をもう一方のチップ電極とワイヤーにて接合する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、発光素子チップの
表電極をワイヤーにてチップ電極に電気的に接続した半
導体発光装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】図3は一般的な発光素子を示す上面図で
ある。同図中、11は発光素子(チップ)、12はその
表電極で、その電極中心はチップ中心とほぼ一致してい
る。
【0003】図4は上記の発光素子11を有したチップ
タイプLEDを示す図であり、(a)は上面図、(b)
は側面図である。同図中、13は発光素子11の裏電極
と接続されたチップ電極、14はもう一方のチップ電極
で、表電極12とワイヤー15により接続されている。
なお、外側のモールド樹脂は省略してある。
【0004】従来の発光素子11は、上記のように表電
極12をほぼチップ中心にパターニングしてある。そし
て、この発光素子11を一方のチップ電極13にAgペ
ースト等で固定した後、ほぼ中央にある表電極12にワ
イヤー15の端部を接合し、ワイヤー15の他方の端部
は発光素子11と接続されていないもう一方のチップ電
極14に接合する。これにより、チップ電極13,14
間に電圧をかけることで、発光素子11に電流が流れ、
発光素子11が発光する。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記のよう
な従来の半導体発光装置にあっては、LEDチップの高
さを低くするにはワイヤーの高さを低く抑える必要があ
るが、ワイヤーの高さを低くしようとするとワイヤーが
チップ端部と当接する虞れがあり、LEDチップの高さ
を低く抑えられないという問題点があった。
【0006】本発明は、上記のような問題点に着目して
なされたもので、表電極と裏電極を有した発光素子のチ
ップの高さを低くすることができる半導体発光装置を提
供することを目的としている。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明に係る半導体発光
装置は、次のように構成したものである。
【0008】(1)発光素子チップの表電極をワイヤー
にてチップ電極に電気的に接続した半導体発光装置であ
って、前記表電極の中心位置を発光素子チップの中心位
置から所定量ずらし、且つその電極端部が発光素子チッ
プのチップ端部と同じかそれより所定量内側に位置する
ように設けた。
【0009】(2)表電極の中心位置を発光素子チップ
の中心位置から20μm以上ずらし、且つその電極端部
がチップ端部より0〜100μmの範囲内に位置するよ
うに設けた。
【0010】
【発明の実施の形態】図1は本発明の実施例の構成を示
す上面図である。同図において、1は発光素子(チッ
プ)、2はその表電極で、この表電極2の中心位置はチ
ップの中心位置から所定量(A)ずらし、且つその電極
端部(端面)がチップ端部(端面)と同じかそれより所
定量(B)内側に位置するように設けている。
【0011】図2は上記の発光素子1を有したチップタ
イプLEDを示す図であり、(a)は上面図、(b)は
側面図である。同図中、3は発光素子1の裏電極と接続
されたチップ電極、4はもう一方のチップ電極で、表電
極2とワイヤー5にて電気的に接続されている。なお、
外側のモールド樹脂は省略してある。
【0012】本実施例の発光素子1は、上記のように表
電極2の位置をチップ中心よりずらしてパターニングし
てある。そして、この発光素子1を一方のチップ電極3
にAgペースト等で固定した後、表電極2にワイヤー5
の端部を接合し、ワイヤー5の他方の端部は発光素子1
と接続されていないもう一方のチップ電極4に接合す
る。これにより、チップ電極3,4間に電圧をかけるこ
とで、発光素子1に電流が流れ、発光素子1が発光す
る。
【0013】ここで、本実施例では、発光素子1の表電
極2をチップ中心よりずらして設けている。この電極位
置をずらす量としては、その中心位置をチップの中心位
置から20μm以上ずらし、且つその電極端部がチップ
端部より0〜100μmの範囲、好ましくは0〜50μ
mの範囲内に位置するように設けることが有効である。
【0014】これにより、ワイヤーループを低くしても
チップ端部に接触することなくワイヤーボンドが可能で
あり、低ループのワイヤーボンドが可能となる。したが
って、ワイヤー5の高さ、つまりLEDチップの高さを
低くすることができ、装置の小型化を図ることができ
る。
【0015】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
表電極と裏電極を有した発光素子のチップの高さを低く
することができ、製品の小型化を図ることができるとい
う効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の実施例の構成を示す上面図
【図2】 実施例の発光素子を有したチップタイプLE
Dを示す図
【図3】 従来例の構成を示す上面図
【図4】 従来の発光素子を有したチップタイプLED
を示す図
【符号の説明】
1 発光素子(チップ) 2 表電極 3 チップ電極 4 チップ電極 5 ワイヤー

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 発光素子チップの表電極をワイヤーにて
    チップ電極に電気的に接続した半導体発光装置であっ
    て、前記表電極の中心位置を発光素子チップの中心位置
    から所定量ずらし、且つその電極端部が発光素子チップ
    のチップ端部と同じかそれより所定量内側に位置するよ
    うに設けたことを特徴とする半導体発光素子。
  2. 【請求項2】 表電極の中心位置を発光素子チップの中
    心位置から20μm以上ずらし、且つその電極端部がチ
    ップ端部より0〜100μmの範囲内に位置するように
    設けたことを特徴とする請求項1記載の半導体発光装
    置。
JP11663999A 1999-04-23 1999-04-23 半導体発光装置 Pending JP2000307151A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014194979A (ja) * 2013-03-28 2014-10-09 Toshiba Lighting & Technology Corp 照明装置
JP2016213480A (ja) * 2016-06-29 2016-12-15 東芝ライテック株式会社 照明装置

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JP2014194979A (ja) * 2013-03-28 2014-10-09 Toshiba Lighting & Technology Corp 照明装置
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