JPS6191976A - 発光ダイオ−ドチップを用いた全周囲発光体 - Google Patents

発光ダイオ−ドチップを用いた全周囲発光体

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JPS6191976A
JPS6191976A JP59212698A JP21269884A JPS6191976A JP S6191976 A JPS6191976 A JP S6191976A JP 59212698 A JP59212698 A JP 59212698A JP 21269884 A JP21269884 A JP 21269884A JP S6191976 A JPS6191976 A JP S6191976A
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Japan
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light emitting
emitting diode
wires
diode chips
substrate
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Shotaro Yagi
八木　章太郎
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Hakuyo Denkyu KK
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    • H01L33/54—Encapsulations having a particular shape

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〈産業−Ｌの利用分野） 本発明は発光ダイオードチップを用いた全周囲発光体に
関する。
（従来の技術） 発光ダイオードチップを用いた発光体として、不透光性
基板又は基台の一面に該チップを配設したものが知られ
ている。
（発明が解決しようとする問題点） 従来の前記発光体は全周囲に配光することができない不
都合があった。
本発明はかかる不都合を簡単な椙成ｒ：Ｆ／？消するこ
とをその目的としたものである。
（問題点を解決するための手段） 本発明は、絶縁基板の両面にそれぞれ発光ダイオードチ
ップを配設したことを特徴とする。
（実施例） 第１図〜第３図は本発明の一実施例を示す。
図面において、（１）はセラミックまたはガラス座紺入
りエポキシ樹脂等で作製された絶縁基数で、該基板（１
）の中心部及び端部にそれぞれ明けられた孔（２１）　
（２２）に嵌入され、該基板（１）の面から突出した部
分をかしめる等の手段で固着された銅又はアルミニウム
等の良導電性の金１ｉ１１ｉ３又は鋲（３１）　（３２
）　（以下単に鋲（３ｔ）　（３２）という。）を有す
る。
この鋲（３＋）　（３２）のかしめられた両端部は、ｚ
７゛　に平行な平ＩＧ面に形成されると共に銀メッキが
施されており、鋲（３１）の両端部の平ｌＦｉ面にそれ
ぞれ発光ダイオードチップ（４＋）　（４２）が導電性
接着剤により固着させている。
（５＋）　（５２）は発光ダイオ−トチツブ（４１）（
４２）に電圧を供給するためのリード線で、その１つ（
５１）は鋲（３２）の一端に、仙の１つ（５２）は鋲（
３１）の−ＯＸ＋にそれぞれ半田付け、かしめ等の手段
で固着されＣいる。このリード線（５１）と、発光タイ
オートチツブ（４＋）　（４２）とは金、アルミニウム
等の延展性に富んだ金属の微細な導電線（６ｄ　１６２
ｅをそれぞれに超音波圧接等の手段で圧着することによ
り接続されている。
（１）は発光ダイオードチップ（４１）　（４２）、導
電線（（３＋）　（６２）、鋲（３＋）　（３２）及び
リード線＜５１）　（５２）の一部を被覆し、これ等を
保護する透光性樹脂で、加熱等の手段により基板（１）
に固着されている。
このような構成によれば、リードａ　（５ｄ　ｆｓ２）
に直流電圧を印加すると、発光ダイオードチップ（Ｌｌ
）　（４２）は発光し、リード線（５１）＜５２）で遮
光させる以外は全周囲に配光される。
尚、この実施例の外に、プリント基板に電極を形成し、
これにチップをボンディングしてもよく、また基板の両
側のチップを直列接続したり、基板の各面に配設するチ
ップの数を？！２数個にしてもよい。
第４母はイヤリングに適用された本発明の他の実施例ｃ
Ｓる。
絶縁基板（１）の両面に配設された発光ダイオードチッ
プ（４１）（４２）及び導電線（６１）　（６２１を保
シする透光性樹脂（７）がイ１７リング形状に形成され
ている。
同図において、（８１）　（８２）は、外部から電圧が
加えられるビンで、このビン（８１）　（８２）は通常
のビンソケットを介して微細絶縁電線に接続され、耳た
ぶに止める美装ケースに入れた電池からビンに電線を介
して電圧が加えられるようにする。
この発光体の両面のチップとして、赤、縁等異なる色を
発光するチップを使用寸れば高度のアクセサリ−効果が
得られる。
（発明の効果） 本発明は、絶縁基板の両面にそれぞれ発光ダイオードチ
ップを配設したので、発光体を全周囲に配光させること
ができ、その構成が非常に簡単である等の効果を有する
。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の一実施例の正面図、第２図はその実部
図、第３図は第１図のＡ−Ａ線截断面図、第４図はイヤ
リングに適用された本発明の他の実施例の正面図を示す
。 （１）・・・絶縁基板 ’　　　（２１）（２２）・・・孔 （３１）　（３２）・・・金属線又は鋲（４＋）’（’
ｈ）・・・発光ダイオードチップ（５１）（５２）・・
・リード線 （６１）　（６２）・・・導電線　　　・（７）・・・
透光性樹脂 （８＋）　（８２）・・・ピン

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 　絶縁基板の両面にそれぞれ発光ダイオードチップを配
    設したことを特徴とする発光ダイオードチップを用いた
    全周囲発光体。
JP59212698A 1984-10-12 1984-10-12 発光ダイオ−ドチップを用いた全周囲発光体 Granted JPS6191976A (ja)

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JP59212698A JPS6191976A (ja) 1984-10-12 1984-10-12 発光ダイオ−ドチップを用いた全周囲発光体

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JPS6191976A true JPS6191976A (ja) 1986-05-10
JPH0421354B2 JPH0421354B2 (ja) 1992-04-09

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ID=16626942

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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6419991U (ja) * 1987-07-23 1989-01-31
JPS6419990U (ja) * 1987-07-23 1989-01-31
JPS6419989U (ja) * 1987-07-23 1989-01-31
JPS6423090U (ja) * 1987-07-29 1989-02-07
WO2002090825A1 (fr) * 2001-04-23 2002-11-14 Lab. Sphere Corporation Dispositif d'eclairage faisant intervenir l'utilisation d'une diode electroluminescente
EP1318549A2 (de) * 2001-12-05 2003-06-11 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiter-Bauelementes und damit hergestelltes Bauelement

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6419991U (ja) * 1987-07-23 1989-01-31
JPS6419990U (ja) * 1987-07-23 1989-01-31
JPS6419989U (ja) * 1987-07-23 1989-01-31
JPS6423090U (ja) * 1987-07-29 1989-02-07
WO2002090825A1 (fr) * 2001-04-23 2002-11-14 Lab. Sphere Corporation Dispositif d'eclairage faisant intervenir l'utilisation d'une diode electroluminescente
EP1318549A2 (de) * 2001-12-05 2003-06-11 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiter-Bauelementes und damit hergestelltes Bauelement
EP1318549A3 (de) * 2001-12-05 2009-04-29 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiter-Bauelementes und damit hergestelltes Bauelement

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JPH0421354B2 (ja) 1992-04-09

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