JP2000306825A - Treatment apparatus, treatment system, discriminating method, and detection method - Google Patents

Treatment apparatus, treatment system, discriminating method, and detection method

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JP2000306825A
JP2000306825A JP35101699A JP35101699A JP2000306825A JP 2000306825 A JP2000306825 A JP 2000306825A JP 35101699 A JP35101699 A JP 35101699A JP 35101699 A JP35101699 A JP 35101699A JP 2000306825 A JP2000306825 A JP 2000306825A
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processing plate
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浩二 原田
Juichi Nakayama
寿一 中山
Atsushi Okura
淳 大倉
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To minimize failures which occurs at heating or cooling of a substrate which is transferred onto a treating plate by quickly detecting whether the substrate is accurately positioned to be substrate placing position on the treating plate. SOLUTION: The temperature of a hot plate 31 becomes lower than a prescribed threshold, when a wafer is accurately positioned to the substrate placing position on the plate 1, but the temperature becomes a threshold when the wafer is not positioned accurately to the substrate placing position on the plate 31. When the temperature of the hot plate 31 reaches the threshold or higher when the water is placed on the plate 31, it is considered that the wafer is riding on a guide 43 and a warning is issued from a loudspeaker or on a displaying section.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、基板、例えば特に
半導体ウェハやLCD用基板等にレジストの塗布や現像
処理を施す装置等に具備され基板に熱処理を適切に施す
ための処理装置、処理システム、判別方法及び検出方法
に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a processing apparatus and a processing system which are provided in an apparatus for applying and developing a resist on a substrate, for example, a semiconductor wafer, an LCD substrate, etc., and for appropriately performing a heat treatment on the substrate. , A determination method and a detection method.

【0002】[0002]

【従来の技術】この種の塗布・現像処理システムでは、
一般に基板上にレジストを塗布して露光装置に受け渡
し、更に露光装置から露光された基板を受け取り、現像
処理を施すことが行われており、更にその露光の前後等
においては基板に対して加熱処理や冷却処理が施されて
いる。
2. Description of the Related Art In a coating and developing system of this kind,
In general, a resist is applied to a substrate and transferred to an exposure apparatus, the exposed substrate is received from the exposure apparatus, and development processing is performed. In addition, before and after the exposure, the substrate is subjected to a heat treatment. And cooling treatment.

【0003】図23は半導体ウェハ(以下、単に「ウェ
ハ」と呼ぶ。)に対して加熱処理を施す加熱処理ユニッ
トの概略的な正面図である。
FIG. 23 is a schematic front view of a heat treatment unit for performing a heat treatment on a semiconductor wafer (hereinafter, simply referred to as “wafer”).

【0004】図23において、101はウェハWに対し
て加熱処理を施すためのホットプレートであり、このホ
ットプレート101上にはホットプレート101上でウ
ェハWを浮かせて保持するためのプロキシミティピン1
02及びプロキシミティシート102’が配置され、更
にホットプレート101上のほぼ中央のウェハ載置位置
103に向けて傾斜面104を有する複数のガイド10
5がウェハ載置位置103を取り囲むように設けられて
いる。
[0005] In FIG. 23, reference numeral 101 denotes a hot plate for performing a heat treatment on the wafer W. Proximity pins 1 for holding the wafer W floating on the hot plate 101 are provided on the hot plate 101.
02 and a proximity sheet 102 ′, and a plurality of guides 10 having an inclined surface 104 toward a wafer mounting position 103 substantially at the center on the hot plate 101.
5 is provided so as to surround the wafer mounting position 103.

【0005】また、このユニットには、システム内でウ
ェハWを搬送するための搬送装置との間でウェハWの受
け渡しを行うための昇降ピン(図示を省略)がホットプ
レート101表面から出没可能に配置されている。そし
て、昇降ピンがホットプレート101表面から突き出た
状態で搬送装置からウェハWを受け取って下降し、ホッ
トプレート101表面から没入する。これにより、ウェ
ハWはホットプレート101表面上に載置されることに
なる。
Further, in this unit, elevating pins (not shown) for transferring the wafer W to and from a transfer device for transferring the wafer W in the system can be protruded and retracted from the surface of the hot plate 101. Are located. Then, the wafer W is received from the transfer device with the elevating pins protruding from the surface of the hot plate 101, lowered, and immersed from the surface of the hot plate 101. Thus, the wafer W is placed on the surface of the hot plate 101.

【0006】その際、搬送装置が昇降ピンに対してウェ
ハWを正確な位置に受け渡さないとウェハWをウェハ載
置位置103の正確な載置位置に載置できない。そのた
め、上記のようにガイド105を設け、搬送装置が昇降
ピンに対してウェハWを多少ずれた位置に対して受け渡
したときでも、ウェハWをガイド105を介してウェハ
載置位置103の正確な載置位置に導かれるようにして
いる。
[0006] At this time, the wafer W cannot be placed at the correct mounting position of the wafer mounting position 103 unless the transfer device transfers the wafer W to the accurate position. Therefore, the guide 105 is provided as described above, and even when the transfer device transfers the wafer W to a position slightly shifted with respect to the elevating pins, the wafer W is accurately positioned at the wafer mounting position 103 via the guide 105. It is guided to the mounting position.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、搬送装
置が昇降ピンに対してウェハWを受け渡した位置が相当
ずれているときには、ウェハWがガイド105の上に乗
り上げてしまい、熱処理が正確に行われず製品不良が発
生する。そして、このような不良の発生は後工程の検査
工程で発見されるのが通常であり、しかもこのような搬
送装置による昇降ピンに対するウェハWの受け渡しの位
置ずれは偶発的ではなく、連続的に発生することが多い
ことから、不良が発見されたときは既に相当数の不良が
発生していることになり、その被害は甚大である。
However, when the position at which the transfer device transfers the wafer W to the elevating pins is considerably displaced, the wafer W rides on the guide 105, and the heat treatment is not performed accurately. Product failure occurs. The occurrence of such a defect is usually found in a later inspection step, and the positional deviation of the transfer of the wafer W to the elevating pins by such a transport device is not accidental but continuous. Since defects often occur, when a defect is found, a considerable number of defects have already occurred, and the damage is enormous.

【0008】本発明はかかる課題を解決するためになさ
れもので、処理板上に搬送された基板が基板載置位置に
正確に載置されていない状態等を迅速に検知し、加熱処
理や冷却処理の際の不良を最小限に食い止めることがで
きる技術を提供することを目的としている。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve such a problem, and quickly detects a state in which a substrate conveyed on a processing plate is not accurately placed at a substrate mounting position, and performs heating processing and cooling. It is an object of the present invention to provide a technique capable of minimizing defects during processing.

【0009】本発明の別の目的は、処理板上に搬送され
た基板の基板載置位置からのずれ位置を迅速に検出し、
調整を迅速かつ正確に行うことができる技術を提供する
ことを目的としている。
Another object of the present invention is to quickly detect a position of a substrate conveyed on a processing plate from a substrate mounting position,
It is an object of the present invention to provide a technique capable of performing adjustment quickly and accurately.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】かかる課題を解決するた
め、本発明の処理装置は、基板が表面に載置され、載置
された基板を加熱処理または冷却処理する処理板と、前
記処理板上の基板載置位置を取り囲むように処理板上に
設けられた基板案内用の案内部材と、前記処理板の所定
の位置に設けられた温度センサと、前記処理板上に基板
が載置された際の前記温度センサにより検出された温度
が所定以上変化しないとき、異常が発生したものとみな
す手段(例えば前記処理板上に基板が載置された際の前
記温度センサにより検出された温度が所定以上変化しな
いとき、前記処理板上に搬送された基板が前記基板載置
位置に正確に載置されていないものとみなす手段)とを
具備することを特徴とする。
In order to solve the above-mentioned problems, a processing apparatus according to the present invention comprises a processing plate on which a substrate is mounted on a surface, and a heating or cooling process for the mounted substrate; A guide member for guiding a substrate provided on the processing plate so as to surround the upper substrate mounting position, a temperature sensor provided at a predetermined position on the processing plate, and a substrate mounted on the processing plate. Means for determining that an abnormality has occurred when the temperature detected by the temperature sensor does not change by a predetermined amount or more (for example, when the temperature detected by the temperature sensor when a substrate is placed on the processing plate is Means for assuming that the substrate conveyed on the processing plate is not correctly placed at the substrate placing position when the change does not occur for a predetermined amount or more.

【0011】処理板上に搬送された基板が案内部材上に
乗り上げて基板載置位置からずれると、基板が案内部材
上に乗り上げた位置とは反対側の当該基板の端部が処理
板表面と接触するだけで、当該基板は処理板上から浮い
た状態となる。一方、例えば基板を加熱処理する処理板
では、当該処理板上に基板が載置されると処理板が基板
から熱を奪われ温度が一旦低下する。そして、基板が処
理板上から浮いた状態となった場合、基板が基板載置位
置に正確に載置された場合と比較すると、基板が処理板
上に載置された際の温度の低下が小さくなる。本発明は
かかる点に着目し、処理板上に基板が載置された際の温
度センサにより検出された処理板の温度が所定以上変化
しないとき、例えば処理板上に搬送された基板が基板載
置位置に正確に載置されていないものとみなすことで、
処理板上に搬送された基板が基板載置位置に正確に載置
されていない状態を迅速に検知している。従って、本発
明によれば、加熱処理や冷却処理の際の不良を最小限に
食い止めることができる。
When the substrate conveyed onto the processing plate rides on the guide member and deviates from the substrate mounting position, the end of the substrate on the side opposite to the position where the substrate rides on the guide member is flush with the surface of the processing plate. Just by making contact, the substrate floats above the processing plate. On the other hand, for example, in the case of a processing plate that heats a substrate, when the substrate is placed on the processing plate, the processing plate loses heat from the substrate and the temperature temporarily drops. When the substrate floats from the processing plate, the temperature of the substrate when the substrate is placed on the processing plate is lower than when the substrate is accurately placed at the substrate mounting position. Become smaller. The present invention focuses on this point, and when the temperature of the processing plate detected by the temperature sensor when the substrate is mounted on the processing plate does not change by a predetermined amount or more, for example, the substrate conveyed on the processing plate is placed on the substrate. By assuming that it is not correctly placed at the placement position,
The state where the substrate conveyed on the processing plate is not accurately placed at the substrate placing position is quickly detected. Therefore, according to the present invention, it is possible to minimize defects during the heating process and the cooling process.

【0012】本発明の処理装置は、基板が表面に載置さ
れ、載置された基板を加熱処理または冷却処理する処理
板と、前記処理板上の基板載置位置を取り囲むように処
理板上に設けらた基板案内用の案内部材と、前記処理板
の基板載置位置の中心から所定距離離れた位置に設けら
れた温度センサと、前記処理板上に基板が載置された際
の前記温度センサにより検出された温度に基づき、前記
処理板上に搬送された基板の前記基板載置位置からのず
れ位置を推定する手段とを具備する。
[0012] The processing apparatus of the present invention has a processing plate on which a substrate is mounted on a surface, and a heating or cooling process for the mounted substrate, and a processing plate on the processing plate surrounding the substrate mounting position on the processing plate. A guide member for guiding the substrate provided on the substrate, a temperature sensor provided at a position separated by a predetermined distance from the center of the substrate mounting position of the processing plate, and a substrate when the substrate is mounted on the processing plate. Means for estimating, based on the temperature detected by the temperature sensor, the position of the substrate conveyed on the processing plate, which is shifted from the substrate mounting position.

【0013】処理板上に搬送された基板が案内部材上に
乗り上げて基板載置位置からずれると、基板が案内部材
上に乗り上げた位置とは反対側の当該基板の端部が処理
板表面と接触するだけで、当該基板は処理板上から浮い
た状態となる。一方、例えば基板を加熱処理する処理板
では、当該処理板上に基板が載置されると処理板が基板
から熱を奪われ温度が一旦低下する。そして、基板が処
理板上から浮いた状態となった場合、基板が基板載置位
置に正確に載置された場合と比較すると、基板が処理板
上に載置された際の温度の低下が小さくなり、しかもこ
のような温度の低下は処理板上の位置に応じて異なる。
例えば、基板が案内部材上に乗り上げた位置の近くとそ
の反対側(基板が案内部材上に乗り上げた位置とは反対
側の当該基板の端部が接触する位置の近く)とでは、基
板が処理板上に載置された際の温度の低下が異なる。即
ち、基板が案内部材上に乗り上げた位置の近くにおける
基板と処理板との間隔は、その反対側における基板と処
理板との間隔と比べると、より大きいため、基板が案内
部材上に乗り上げた位置の近くにおける、基板が処理板
上に載置された際の温度の低下はより小さい。本発明は
かかる点に着目し、処理板上に基板が載置された際の処
理板の所定位置における温度センサにより検出された温
度に基づき、処理板上に搬送された基板の基板載置位置
からのずれ位置を推定することで、処理板上に搬送され
た基板の基板載置位置からのずれ位置を迅速に検出し、
調整を迅速かつ正確に行うことができるようにしたもの
である。
When the substrate conveyed onto the processing plate rides on the guide member and deviates from the substrate mounting position, the end of the substrate on the side opposite to the position where the substrate rides on the guide member is flush with the surface of the processing plate. Just by making contact, the substrate floats above the processing plate. On the other hand, for example, in the case of a processing plate that heats a substrate, when the substrate is placed on the processing plate, the processing plate loses heat from the substrate and the temperature temporarily drops. When the substrate floats from the processing plate, the temperature of the substrate when the substrate is placed on the processing plate is lower than when the substrate is accurately placed at the substrate mounting position. The temperature decreases, and such a decrease in temperature differs depending on the position on the processing plate.
For example, in the vicinity of the position where the substrate rides on the guide member and on the opposite side (near the position where the end of the substrate contacts the opposite side to the position where the substrate rides on the guide member), The temperature drop when placed on a plate is different. That is, since the distance between the substrate and the processing plate near the position where the substrate has landed on the guide member is larger than the distance between the substrate and the processing plate on the opposite side, the substrate has landed on the guide member. The temperature drop near the location when the substrate is placed on the processing plate is smaller. The present invention pays attention to this point, and based on the temperature detected by the temperature sensor at a predetermined position of the processing plate when the substrate is mounted on the processing plate, the substrate mounting position of the substrate transferred onto the processing plate By estimating the position of deviation from the substrate, the position of the substrate conveyed on the processing plate can be quickly detected from the substrate mounting position,
The adjustment can be performed quickly and accurately.

【0014】本発明の処理システムは、基板が表面に載
置され、載置された基板を加熱処理または冷却処理する
処理板と、前記処理板上の基板載置位置を取り囲むよう
に処理板上に設けらた基板案内用の案内部材と、前記処
理板のそれぞれ別個の位置に設けられた複数の温度セン
サと、前記処理板上に基板が載置された際の前記各温度
センサにより検出された温度の差異に基づき、前記処理
板上に搬送された基板の前記基板載置位置からのずれ位
置を推定する手段とを具備する。
[0014] The processing system of the present invention comprises a processing plate on which a substrate is mounted on a surface, and a heating or cooling process for the mounted substrate; and a processing plate on the processing plate surrounding the substrate mounting position on the processing plate. A guide member for guiding the substrate provided on the substrate, a plurality of temperature sensors provided at separate positions on the processing plate, and the temperature sensors detected when the substrate is mounted on the processing plate. Means for estimating, based on the difference in temperature, the position of the substrate transferred onto the processing plate from the substrate mounting position.

【0015】本発明では、処理板上に基板が載置された
際の処理板における異なる位置に配置された各温度セン
サにより検出された温度の差異に基づき、処理板上に搬
送された基板の基板載置位置からのずれ位置を推定する
ことで、処理板上に搬送された基板の基板載置位置から
のずれ位置を迅速に検出し、調整を迅速かつ正確に行う
ことができるようにしたものである。
In the present invention, when the substrate is placed on the processing plate, the temperature of the substrate conveyed onto the processing plate is determined based on the difference between the temperatures detected by the temperature sensors arranged at different positions on the processing plate. By estimating the shift position from the substrate mounting position, the shift position of the substrate transferred onto the processing plate from the substrate mounting position can be quickly detected, and the adjustment can be performed quickly and accurately. Things.

【0016】本発明の処理システムは、基板が表面に載
置され、載置された基板を加熱処理または冷却処理する
処理板と、前記処理板上の基板載置位置を取り囲むよう
に処理板上に設けらた基板案内用の案内部材と、前記処
理板の所定の位置に設けられた温度センサと、前記処理
板上に基板が載置された際の前記温度センサにより検出
された温度が所定以上変化しないとき、前記処理板上に
搬送された基板が前記基板載置位置に正確に載置されて
いないものとみなす手段とを具備する複数の処理装置
と、少なくとも前記処理装置間で基板を受け渡しするた
めの搬送装置と、1つの前記処理装置で前記処理板上に
搬送された基板が前記基板載置位置に正確に載置されて
いないものとみなされたとき、当該処理装置による処理
を禁止して残りの処理装置で処理を行わせる手段とを具
備する。
A processing system according to the present invention has a processing plate on which a substrate is mounted on a surface thereof, and a processing plate for heating or cooling the mounted substrate, and a processing plate on the processing plate surrounding the substrate mounting position on the processing plate. A guide member for guiding the substrate, a temperature sensor provided at a predetermined position on the processing plate, and a temperature detected by the temperature sensor when the substrate is placed on the processing plate. When the above change does not occur, a plurality of processing apparatuses including means for assuming that the substrate conveyed on the processing plate is not correctly placed at the substrate mounting position, and at least a substrate between the processing apparatuses A transfer device for transferring, and when it is considered that the substrate transferred onto the processing plate by one of the processing devices is not accurately placed at the substrate mounting position, the processing by the processing device is performed. Prohibit the rest of the process And means for causing the processing in the apparatus.

【0017】本発明では、1つの処理装置で処理板上に
搬送された基板が基板載置位置に正確に載置されていな
いものとみなされたとき、当該処理装置による処理を禁
止して残りの処理装置で処理を行わせるようにしている
ので、加熱処理または冷却処理による不良が連続的に発
生するのを防止することができ、しかもかかる不良が発
生してもシステムを停止することなく通常の処理を続行
できる。
In the present invention, when it is considered that the substrate conveyed on the processing plate by one processing apparatus is not correctly placed on the substrate mounting position, the processing by the processing apparatus is prohibited and the remaining The processing is performed by the processing device of the above, so that it is possible to prevent the continuous occurrence of defects due to the heating process or the cooling process. Processing can be continued.

【0018】本発明の処理システムは、基板が表面に載
置され、載置された基板を加熱処理または冷却処理する
処理板と、前記処理板上の基板載置位置を取り囲むよう
に処理板上に設けらた基板案内用の案内部材と、前記処
理板の所定の位置に設けられた温度センサと、前記処理
板上に基板が載置された際の前記温度センサにより検出
された温度が所定以上変化しないとき、前記処理板上に
搬送された基板が前記基板載置位置に正確に載置されて
いないものとみなす手段とを具備する複数の処理装置
と、少なくとも前記処理装置間で基板を受け渡しするた
めの搬送装置と、1つの前記処理装置で前記処理板上に
搬送された基板が前記基板載置位置に正確に載置されて
いないものと連続してみなされたとき、当該処理装置に
よる処理を禁止して残りの処理装置で処理を行わせる手
段とを具備する。
A processing system according to the present invention includes a processing plate on which a substrate is mounted on a front surface, a heating plate or a cooling plate for the mounted substrate, and a processing plate on the processing plate surrounding the substrate mounting position on the processing plate. A guide member for guiding the substrate, a temperature sensor provided at a predetermined position on the processing plate, and a temperature detected by the temperature sensor when the substrate is placed on the processing plate. When the above change does not occur, a plurality of processing apparatuses including means for assuming that the substrate conveyed on the processing plate is not correctly placed at the substrate mounting position, and at least a substrate between the processing apparatuses A transfer device for transferring and, when the substrate conveyed onto the processing plate by one of the processing devices is continuously regarded as not correctly placed on the substrate mounting position, the processing device; Prohibit processing by And means for causing the processing at Rino processor.

【0019】本発明では、1つの処理装置で処理板上に
搬送された基板が基板載置位置に正確に載置されていな
いものと連続してみなされたとき、当該処理装置による
処理を禁止して残りの処理装置で処理を行わせるように
しているので、加熱処理または冷却処理による不良が連
続的に発生するのを防止することができ、しかもかかる
不良が発生してもシステムを停止することなく通常の処
理を続行でき、更に偶発的に処理板上に搬送された基板
が基板載置位置に正確に載置されていなかったときには
当該処理装置による処理が禁止されるこはなくなる。
According to the present invention, when a substrate conveyed onto a processing plate by one processing apparatus is continuously regarded as not being correctly placed at the substrate mounting position, processing by the processing apparatus is prohibited. Then, the remaining processing devices are used to perform the processing, so that it is possible to prevent the continuous occurrence of defects due to the heat treatment or the cooling process, and to stop the system even if such defects occur. The normal processing can be continued without any further processing, and the processing by the processing apparatus is not prohibited when the substrate conveyed onto the processing plate by accident is not accurately placed at the substrate mounting position.

【0020】本発明の処理システムは、基板が表面に載
置され、載置された基板を加熱処理または冷却処理する
処理板と、前記処理板上の基板載置位置を取り囲むよう
に処理板上に設けらた基板案内用の案内部材と、前記処
理板の所定の位置に設けられた温度センサと、前記処理
板上に基板が載置された際の前記温度センサにより検出
された温度が所定以上変化しないとき、前記処理板上に
搬送された基板が前記基板載置位置に正確に載置されて
いないものとみなす手段とを具備する複数の処理装置
と、少なくとも前記処理装置間で基板を受け渡しするた
めの搬送装置と、1つの前記処理装置で前記処理板上に
搬送された基板が前記基板載置位置に正確に載置されて
いないものとみなされたとき、当該処理装置による処理
された基板にマーキングを施す手段とを具備する。
[0020] The processing system of the present invention comprises a processing plate on which a substrate is mounted on a surface, a heating process or a cooling process for the mounted substrate, and a processing plate on the processing plate surrounding the substrate mounting position on the processing plate. A guide member for guiding the substrate, a temperature sensor provided at a predetermined position on the processing plate, and a temperature detected by the temperature sensor when the substrate is placed on the processing plate. When the above change does not occur, a plurality of processing apparatuses including means for assuming that the substrate conveyed on the processing plate is not correctly placed at the substrate mounting position, and at least a substrate between the processing apparatuses A transfer device for transferring, and when it is considered that the substrate transferred onto the processing plate by one of the processing devices is not accurately placed at the substrate mounting position, the processing by the processing device is performed. Marquee on board And means for applying a grayed.

【0021】本発明では、1つの処理装置で処理板上に
搬送された基板が基板載置位置に正確に載置されていな
いものとみなされたとき、当該処理装置による処理され
た基板にマーキングを施すようにしているので、加熱処
理または冷却処理による不良が発生してもシステムを停
止することなく通常の処理を続行でき、しかも不良基板
を正常基板から容易に区分することができる。なお、こ
こで、マーキングとは、基板に実際に直接付されるマー
キングの他、ソフトウェア上で正常基板から区別できる
ように不良基板にマーキングするような場合も含まれ
る。
According to the present invention, when a substrate conveyed onto a processing plate by one processing apparatus is regarded as not being accurately placed at the substrate mounting position, marking is performed on the substrate processed by the processing apparatus. The normal processing can be continued without stopping the system even if a failure due to the heating process or the cooling process occurs, and the defective substrate can be easily separated from the normal substrate. Here, the term “marking” includes not only the marking actually applied directly to the board but also the case where marking is performed on a defective board so that it can be distinguished from a normal board on software.

【0022】本発明は、基板が表面に載置され、載置さ
れた基板を加熱処理または冷却処理する処理板と、前記
処理板上の基板載置位置を取り囲むように処理板上に設
けらた基板案内用の案内部材とを具備する処理装置内
で、前記処理板上に搬送された基板が前記基板載置位置
に正確に載置されているかどうか判別する方法であっ
て、前記処理板の所定位置の温度を検出する工程と、前
記検出された温度が所定以上変化しないとき、前記処理
板上に搬送された基板が前記基板載置位置に正確に載置
されていないものとみなす工程とを具備する。
According to the present invention, there is provided a processing plate on which a substrate is mounted on a surface, a heating or cooling process for the mounted substrate, and a processing plate provided on the processing plate so as to surround a substrate mounting position on the processing plate. A method for determining whether a substrate conveyed on the processing plate is accurately placed at the substrate mounting position in a processing apparatus having a guide member for guiding the substrate, Detecting the temperature at the predetermined position, and, when the detected temperature does not change by a predetermined amount or more, assuming that the substrate transported on the processing plate is not accurately placed at the substrate mounting position. And

【0023】本発明は、基板が表面に載置され、載置さ
れた基板を加熱処理または冷却処理する処理板と、前記
処理板上の基板載置位置を取り囲むように処理板上に設
けらた基板案内用の案内部材とを具備する処理装置内
で、前記処理板上に搬送された基板の前記基板載置位置
からのずれ位置を検出する方法であって、前記処理板の
所定位置の温度を検出する工程と、前記検出された温度
に基づき、前記処理板上に搬送された基板の前記基板載
置位置からのずれ位置を推定する工程とを具備する。
According to the present invention, there is provided a processing plate on which a substrate is mounted on a surface, and a heat processing or a cooling processing of the mounted substrate, and a processing plate provided on the processing plate so as to surround a substrate mounting position on the processing plate. And a guide member for guiding the substrate, a method of detecting a position of the substrate transported on the processing plate from the substrate mounting position, wherein the predetermined position of the processing plate A step of detecting a temperature; and a step of estimating, based on the detected temperature, a position of the substrate transported on the processing plate from a position at which the substrate is placed.

【0024】本発明は、基板が表面に載置され、載置さ
れた基板を加熱処理または冷却処理する処理板と、前記
処理板上の基板載置位置を取り囲むように処理板上に設
けらた基板案内用の案内部材とを具備する処理装置内
で、前記処理板上に搬送された基板の前記基板載置位置
からのずれ位置を検出する方法であって、前記処理板の
複数位置の温度を検出する工程と、前記検出された複数
位置での温度の差異に基づき、前記処理板上に搬送され
た基板の前記基板載置位置からのずれ位置を推定する工
程とを具備する。
According to the present invention, there is provided a processing plate on which a substrate is mounted on a surface, a heating process or a cooling process for the mounted substrate, and a processing plate provided on the processing plate so as to surround a substrate mounting position on the processing plate. And a guide member for guiding the substrate, wherein a method of detecting a shift position of the substrate transported on the processing plate from the substrate mounting position, comprising: A step of detecting a temperature, and a step of estimating a shift position of the substrate conveyed onto the processing plate from the substrate mounting position based on a difference between the detected temperatures at the plurality of positions.

【0025】[0025]

【発明の実施の形態】以下、半導体ウェハに化学増幅型
レジストを塗布し、現像するレジスト塗布現像システム
に本発明を適用した実施形態を図面に基づき説明する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment in which the present invention is applied to a resist coating and developing system for applying and developing a chemically amplified resist on a semiconductor wafer will be described below with reference to the drawings.

【0026】図1はこの実施形態に係るレジスト塗布現
像システムの平面図、図2は図1に示したレジスト塗布
現像システムの正面図、図3は図1に示したレジスト塗
布現像システムの背面図、図4は図1に示したレジスト
塗布現像システムにおける空気の流れを示す正面図であ
る。
FIG. 1 is a plan view of the resist coating and developing system according to this embodiment, FIG. 2 is a front view of the resist coating and developing system shown in FIG. 1, and FIG. 3 is a rear view of the resist coating and developing system shown in FIG. FIG. 4 is a front view showing the flow of air in the resist coating and developing system shown in FIG.

【0027】図1に示すように、このレジスト塗布現像
システム1は、カセットステーション10、処理ステー
ション11及びインターフェイス部12を一体に接続し
た構成を有している。カセットステーション10では、
ウェハWがカセットC単位で複数枚、例えば25枚単位
で外部からレジスト塗布現像システム1に搬入され、ま
たレジスト塗布現像システム1から外部に搬出される。
また、カセットCに対してウェハWが搬出・搬入され
る。処理ステーション11では、塗布現像処理工程の中
で1枚ずつウェハWに所定の処理を施す枚葉式の各種処
理ユニットが所定位置に多段に配置されている。インタ
ーフェイス部12では、このレジスト塗布現像システム
1に隣接して設けられる露光装置13との間でウェハW
が受け渡される。
As shown in FIG. 1, the resist coating and developing system 1 has a configuration in which a cassette station 10, a processing station 11, and an interface unit 12 are integrally connected. At the cassette station 10,
A plurality of wafers W are loaded into the resist coating and developing system 1 from the outside in units of cassettes C, for example, 25 wafers, and are unloaded from the resist coating and developing system 1 to the outside.
Further, the wafer W is carried in / out of the cassette C. In the processing station 11, various single-wafer processing units for performing predetermined processing on the wafers W one by one in the coating and developing processing steps are arranged at predetermined positions in multiple stages. In the interface section 12, the wafer W is communicated with an exposure apparatus 13 provided adjacent to the resist coating and developing system 1.
Is passed.

【0028】カセットステーション10では、カセット
載置台20上の位置決め突起20aの位置に複数個、例
えば4個のカセットCが、それぞれのウェハW出入口を
処理ステーション11側に向けてX方向(図1中の上下
方向)一列に載置される。このカセットC配列方向(X
方向)およびカセットC内に収容されたウェハWのウェ
ハW配列方向(Z方向;垂直方向)に移動可能なウェハ
搬送装置21が、搬送路21aに沿って移動自在であ
り、各カセットCに選択的にアクセスする。
In the cassette station 10, a plurality of, for example, four cassettes C are positioned at the positions of the positioning projections 20a on the cassette mounting table 20 in the X direction (in FIG. (Vertical direction). This cassette C arrangement direction (X
Direction) and the wafer transfer device 21 that can move in the wafer W arrangement direction (Z direction; vertical direction) of the wafers W accommodated in the cassette C, is movable along the transfer path 21a, and is selected for each cassette C. Access.

【0029】ウェハ搬送装置21は、θ方向に回転自在
に構成されており、後述するように処理ステーション1
1側の第3の処理装置群G3の多段ユニット部に属する
アライメントユニット(ALIM)およびエクステンシ
ョンユニット(EXT)にもアクセスできるようになっ
ている。
The wafer transfer device 21 is configured to be rotatable in the θ direction.
The alignment unit (ALIM) and the extension unit (EXT) belonging to the multi-stage unit of the third processing unit group G3 on the first side can also be accessed.

【0030】処理ステーション11では、図1に示すよ
うに、その中心部には垂直搬送型の搬送装置22が設け
られ、その周りに処理室としての各種処理ユニットが1
組または複数の組に亙って多段集積配置されて処理ユニ
ット群を構成している。このレジスト塗布現像システム
1においては、5つの処理ユニット群G1、G2、G
3、G4、G5が配置可能な構成であり、第1および第
2の処理ユニット群G1、G2はシステム正面側に配置
され、第3の処理ユニット群G3はカセットステーショ
ン10に隣接して配置され、第4の処理ユニット群G4
はインターフェイス部12に隣接して配置され、さらに
破線で示した第5の処理ユニット群G5を背面側に配置
することが可能となっている。搬送装置22は、θ方向
に回転自在でZ方向に移動可能に構成されており、各処
理ユニットとの間でウェハWの受け渡しが可能とされて
いる。
In the processing station 11, as shown in FIG. 1, a vertical transfer type transfer device 22 is provided at the center, and various processing units as processing chambers are provided around the transfer device 22.
A plurality of sets or a plurality of sets are multi-tiered to form a processing unit group. In this resist coating and developing system 1, five processing unit groups G1, G2, G
3, G4, G5 can be arranged, the first and second processing unit groups G1, G2 are arranged on the front side of the system, and the third processing unit group G3 is arranged adjacent to the cassette station 10. , The fourth processing unit group G4
Is disposed adjacent to the interface section 12, and a fifth processing unit group G5 indicated by a broken line can be disposed on the back side. The transfer device 22 is configured to be rotatable in the θ direction and movable in the Z direction, and is capable of transferring the wafer W to and from each processing unit.

【0031】第1の処理ユニット群G1では、図2に示
すように、カップCP内でウェハWをスピンチャックに
載せて所定の処理を行う2台のスピンナ型処理ユニッ
ト、例えばレジスト塗布ユニット(COT)および現像
処理ユニット(DEV)が下から順に2段に重ねられて
いる。そして第1の処理ユニット群G1と同様に、第2
の処理ユニット群G2においても、2台のスピンナ型処
理ユニット、例えばレジスト塗布ユニット(COT)及
び現像処理ユニット(DEV)が下から順に2段に重ね
られている。
In the first processing unit group G1, as shown in FIG. 2, two spinner-type processing units for mounting a wafer W on a spin chuck in a cup CP and performing predetermined processing, for example, a resist coating unit (COT) ) And the development processing unit (DEV) are stacked in two stages from the bottom. And like the first processing unit group G1, the second
In the processing unit group G2, two spinner type processing units, for example, a resist coating unit (COT) and a development processing unit (DEV) are stacked in two stages from the bottom.

【0032】第3の処理ユニット群G3では、図3に示
すように、ウェハWを載置台(図示せず)に載せて所定
の処理を行うオーブン型の処理ユニット、例えば冷却処
理を行う冷却処理ユニット(COL)、レジストの定着
性を高めるためのいわゆる疎水化処理を行うアドヒージ
ョン処理ユニット(AD)、位置合わせを行うアライメ
ントユニット(ALIM)、エクステンションユニット
(EXT)、プリベークを行う加熱処理ユニット(PR
EBAKE)及びポストベークを行う加熱処理ユニット
(POBAKE)が下から順に、例えば8段に重ねられ
ている。
In the third processing unit group G3, as shown in FIG. 3, an oven-type processing unit for performing a predetermined process by placing the wafer W on a mounting table (not shown), for example, a cooling process for performing a cooling process Unit (COL), an adhesion processing unit (AD) for performing a so-called hydrophobic treatment for improving the fixability of the resist, an alignment unit (ALIM) for positioning, an extension unit (EXT), and a heating processing unit (PR) for pre-baking
EBAKE) and a heat treatment unit (POBAKE) for performing post-baking are stacked in order from the bottom, for example, in eight stages.

【0033】同様に、第4の処理ユニット群G4では、
ウェハWを載置台に載せて所定の処理を行うオーブン型
の処理ユニット、例えば冷却処理を行う冷却処理ユニッ
ト(COL)、冷却処理も兼ねたエクステンション・冷
却処理ユニット(EXTCOL)、エクステンションユ
ニット(EXT)、アドヒージョン処理ユニット(A
D)、プリベークを行う加熱処理ユニット(PREBA
KE)及びポストベークを行う加熱処理ユニット(PO
BAKE)が下から順に、例えば8段に重ねられてい
る。
Similarly, in the fourth processing unit group G4,
An oven-type processing unit that performs a predetermined process by placing the wafer W on a mounting table, for example, a cooling process unit (COL) that performs a cooling process, an extension / cooling process unit (EXTCOL) that also performs a cooling process, and an extension unit (EXT). , Adhesion processing unit (A
D), a pre-baking heat treatment unit (PREBA)
KE) and a heat treatment unit (PO
BAKE) are stacked in order from the bottom, for example, in eight layers.

【0034】インターフェイス部12では、図1に示す
ように、奥行き方向(X方向)については、上記処理ス
テーション11と同じ寸法を有するが、幅方向について
はより小さなサイズに設定されている。図1及び図2に
示すように、このインターフェイス部12の正面側に
は、可搬性のピックアップカセットCRと、定置型のバ
ッファカセットBRが2段に配置され、他方背面部には
周辺露光装置24が配設されている。
As shown in FIG. 1, the interface section 12 has the same dimensions in the depth direction (X direction) as the processing station 11, but has a smaller size in the width direction. As shown in FIGS. 1 and 2, a portable pickup cassette CR and a stationary buffer cassette BR are arranged in two stages on the front side of the interface unit 12, and the peripheral exposure device 24 is arranged on the rear side. Are arranged.

【0035】インターフェイス部12の中央部には、ウ
ェハ搬送装置25が設けられている。ウェハ搬送装置2
5は、X方向、Z方向(垂直方向)に移動して両カセッ
トCR、BR及び周辺露光装置24にアクセスできるよ
うになっている。ウェハ搬送装置25は、θ方向にも回
転自在となるように構成されており、処理ステーション
11側の第4の処理ユニット群G4に属するエクステン
ションユニット(EXT)や、さらには隣接する露光装
置側のウェハ受け渡し台(図示せず)にもアクセスでき
るようになっている。
At the center of the interface section 12, a wafer transfer device 25 is provided. Wafer transfer device 2
Numeral 5 moves in the X direction and the Z direction (vertical direction) so that the cassettes CR and BR and the peripheral exposure device 24 can be accessed. The wafer transfer device 25 is configured to be rotatable also in the θ direction, and includes an extension unit (EXT) belonging to the fourth processing unit group G4 on the processing station 11 side, and an adjacent exposure device side. A wafer transfer table (not shown) can also be accessed.

【0036】図4に示すように、カセットステーション
10の上部にはフィルタ26が、処理ステーション11
の上部にはフイルタ27が、インタフェース部12の上
部にはフィルタ28がそれぞれ取り付けられている。こ
れらのフィルタは上部空間29を共有している。この上
部空間29はダクト(図示を省略)を介して下方の空調
装置(図示を省略)に連通し、アンモニアを除去し、湿
度及び温度が制御された清浄空気が空調装置から上部空
間29に供給されるようになっている。清浄空気は、上
部空間29から各フィルタを通って下方に向けて吹き出
され、これにより清浄空気のダウンフローが各部10、
11、12に形成されるようになっている。
As shown in FIG. 4, a filter 26 is provided above the cassette station 10 and a processing station 11 is provided thereon.
The filter 27 is attached to the upper part of the interface unit 12, and the filter 28 is attached to the upper part of the interface unit 12. These filters share a headspace 29. The upper space 29 communicates with a lower air conditioner (not shown) through a duct (not shown) to remove ammonia and supply clean air of which humidity and temperature are controlled to the upper space 29 from the air conditioner. It is supposed to be. The clean air is blown downward from the upper space 29 through each filter, whereby the down flow of the clean air is reduced to each part 10,
11, 12 are formed.

【0037】図5は上述した加熱処理ユニットの正面
図、図6はその平面図である。
FIG. 5 is a front view of the above-described heat treatment unit, and FIG. 6 is a plan view thereof.

【0038】図5及び図6に示すように、上記の加熱処
理ユニットのほぼ中央には、ウェハWを加熱処理するた
めの処理板としてのホットプレート31が配置されてい
る。このホットプレート31では、例えばウェハWより
少し大きな直径で円形状の保持板32の裏面側に、例え
ばこの保持板32とほぼ同形状の発熱素子33、例えば
ヒーター或いはペルチェ素子等が保持板32と密着する
ように配置されている。発熱素子33は、例えば電流が
流されることで発熱する抵抗体により構成され、制御機
構としての制御部40によりこの電流値が制御されるこ
とで加熱処理のための温度が制御されるようになってい
る。
As shown in FIGS. 5 and 6, a hot plate 31 as a processing plate for heating the wafer W is disposed substantially at the center of the heat processing unit. In the hot plate 31, for example, on the back side of a circular holding plate 32 having a diameter slightly larger than the wafer W, for example, a heating element 33 having substantially the same shape as the holding plate 32, such as a heater or a Peltier element, is attached to the holding plate 32. It is arranged so that it may adhere. The heating element 33 is formed of, for example, a resistor that generates heat when a current flows, and the temperature for the heat treatment is controlled by controlling the current value by the control unit 40 as a control mechanism. ing.

【0039】ホットプレート31の表面と裏面との間
に、複数カ所、例えば3カ所に貫通穴34が設けられて
いる。これら貫通穴34には、それぞれ、ウェハWの受
け渡しのための複数本、例えば3本の支持ピン35が出
没可能に介挿されている。これら支持ピン35は、保持
板32の裏面側に配置された結合部材36により、保持
板32の裏面側で一体に結合されている。結合部材36
は、保持板32の裏面側に配置された昇降機構37に接
続されている。昇降機構37の昇降動作により、支持ピ
ン35は保持板32の表面から突き出たり、没したりす
る。支持ピン35は、保持板32の表面から突き出た状
態で、搬送装置22との間でウェハWの受け渡しを行
う。搬送装置22からウェハWを受け取った支持ピン3
5は、下降して保持板32内に没し、これによりウェハ
Wが保持板32の表面に密着し、ウェハWの加熱処理が
行われるようになっている。
A plurality of, for example, three, through holes 34 are provided between the front and back surfaces of the hot plate 31. In these through holes 34, a plurality of, for example, three support pins 35 for transferring the wafer W are inserted so as to be able to protrude and retract. These support pins 35 are integrally connected on the back side of the holding plate 32 by a connecting member 36 disposed on the back side of the holding plate 32. Coupling member 36
Is connected to a lifting mechanism 37 arranged on the back side of the holding plate 32. Due to the elevating operation of the elevating mechanism 37, the support pins 35 protrude from the surface of the holding plate 32 or sink. The support pins 35 transfer the wafer W to and from the transfer device 22 while protruding from the surface of the holding plate 32. Support pins 3 receiving wafer W from transfer device 22
5 is lowered and immersed in the holding plate 32, whereby the wafer W comes into close contact with the surface of the holding plate 32, so that the wafer W is heated.

【0040】保持板32の上方には、保持板32により
保持されるウェハWを覆うように、蓋体51が配置され
ている。蓋体51は、図示を省略した昇降機構により昇
降可能とされている。該ユニット内では、蓋体51が上
昇し蓋体51が開いた状態で、搬送装置22との間でウ
ェハWの受け渡しを行い、蓋体51が下降し蓋体51が
閉じた状態で、密閉空間を形成し、ウェハWの加熱処理
が行われるようになっている。
A lid 51 is arranged above the holding plate 32 so as to cover the wafer W held by the holding plate 32. The lid 51 can be moved up and down by a lifting mechanism (not shown). In the unit, the wafer W is transferred to and from the transfer device 22 in a state where the lid 51 is lifted and the lid 51 is opened, and is sealed in a state where the lid 51 is lowered and the lid 51 is closed. A space is formed, and heat treatment of the wafer W is performed.

【0041】蓋体51は、そのほぼ中央に向かって上向
きに傾斜する構造を有し、そのほぼ中央、つまり保持板
32により保持されたウェハWのほほ中央に対応する位
置に排気口52が設けられている。排気口52には、真
空ポンプ等の排気装置53が接続され、密閉空間内の排
気が行われるようになっている。
The lid 51 has a structure that is inclined upward substantially toward the center thereof, and an exhaust port 52 is provided substantially at the center, that is, at a position corresponding to the approximate center of the wafer W held by the holding plate 32. Have been. An exhaust device 53 such as a vacuum pump is connected to the exhaust port 52 so that the inside of the sealed space is exhausted.

【0042】また、ホットプレート31の周囲には、ホ
ットプレート31を取り囲むようにシャッター部材54
が出没可能に配置されている。シャッター部材54は、
ホットプレート31の裏面に配置された昇降機構55に
より昇降されるようになっている。さらに、シャッター
部材54の内壁には、例えば高温の不活性ガスを噴出す
るための噴出孔56が多数設けられている。噴出孔56
は噴出孔56へ高温ガスを供給する高温ガス供給装置1
06に接続されている。保持板32上にウェハWを保持
し、ウェハWを加熱処理するとき、シャッター部材54
がホットプレート31表面から突き出て、噴出孔56か
ら保持板32上に保持されたウェハWの表面に向けて高
温ガスが噴出されるようになっている。
A shutter member 54 is provided around the hot plate 31 so as to surround the hot plate 31.
Are arranged so that they can appear and disappear. The shutter member 54 is
The hot plate 31 is raised and lowered by a lifting mechanism 55 arranged on the back surface. Further, on the inner wall of the shutter member 54, for example, a large number of ejection holes 56 for ejecting a high-temperature inert gas are provided. Vent hole 56
Is a high-temperature gas supply device 1 for supplying a high-temperature gas to the ejection holes 56.
06. When holding the wafer W on the holding plate 32 and heating the wafer W, the shutter member 54
Protrudes from the surface of the hot plate 31 and the high-temperature gas is ejected from the ejection holes 56 toward the surface of the wafer W held on the holding plate 32.

【0043】ここで、加熱処理ユニット内でウェハWの
加熱処理を良好に行うためには、ウェハWは温度分布の
ばらつきが少ないホットプレート31上のほぼ中心に載
置される必要がある。このようにホットプレート31上
でウェハWが本来載置されるべき位置を基板載置位置と
呼び、図6中点線で囲まれた領域41が基板載置位置で
ある。
Here, in order to perform the heat treatment of the wafer W in the heat treatment unit satisfactorily, the wafer W needs to be placed almost at the center on the hot plate 31 with little variation in temperature distribution. The position where the wafer W should be originally placed on the hot plate 31 is called a substrate placing position, and an area 41 surrounded by a dotted line in FIG. 6 is the substrate placing position.

【0044】そして、ウェハWをホットプレート31上
に密着することなくホットプレート31上で浮かせて、
つまりホットプレートとウェハWとが直接接しないよう
に所定の間隔にホットプレート31上にウェハWを離間
して保持するためのプロキシミティシート42’が基板
載置位置41の外周部の複数カ所、例えば6カ所に配置
され、更に基板載置位置41の中央にプロキシミティピ
ン42が配置されている。
Then, the wafer W is floated on the hot plate 31 without adhering to the hot plate 31,
That is, the proximity sheet 42 ′ for holding the wafer W apart on the hot plate 31 at a predetermined interval so as not to directly contact the hot plate and the wafer W is provided at a plurality of locations on the outer peripheral portion of the substrate mounting position 41, For example, the proximity pins 42 are arranged at six places, and a proximity pin 42 is arranged at the center of the substrate mounting position 41.

【0045】また、基板載置位置41の外周部に配置さ
れたプロキシミティシート42’は、それぞれ基板載置
位置41の外側に延在しており、各プロキシミティシー
ト42’の延在した位置には、それぞれ基板案内用の案
内ガイド43が配置されている。従って、本実施の形態
においては、6個の案内ガイド43が基板載置位置41
を取り囲むようにホットプレート31上に設けられてい
る。案内ガイド43は例えば断面が矩形で、高さ(少な
くとも基板載置位置41側の壁面のほぼ垂直部分の高
さ)が1mmを越えるもの、より好ましくは3mm前後
とされている。
The proximity sheets 42 ′ arranged on the outer periphery of the substrate mounting position 41 extend outside the substrate mounting position 41, respectively, and extend to the positions where the respective proximity sheets 42 ′ extend. Are provided with guide guides 43 for guiding the substrates. Therefore, in the present embodiment, six guides 43 are provided at the substrate mounting positions 41.
Is provided on the hot plate 31 so as to surround the hot plate. The guide 43 has, for example, a rectangular cross section and a height (at least the height of at least a substantially vertical portion of the wall surface on the substrate mounting position 41 side) of more than 1 mm, more preferably about 3 mm.

【0046】また、基板載置位置41の中央から所定距
離離れた位置、例えば基板載置位置41の外周に近い位
置には、ホットプレート31の裏面から表面に向けて所
定の深さの有底の穴38が設けられている。この穴38
の底部(穴38内で保持板32の表面に最も近い位置)
には、例えば熱伝対である温度センサ39が配置されて
いる。この温度センサ39による検出結果は制御部40
に送られるようになっており、制御部40ではこの検出
結果に基づき発熱機構としての発熱素子33に対する電
流の制御や後述するウェハW載置不良の検出等が行われ
る。また、制御部40には、警報等を発するためのスピ
ーカや表示部(図示を省略)が接続されている。その
際、表示部では、処理をそのまま続行するかどうかを作
業者に提示し、作業者からはこの提示に応じて図示を省
略したキーボードや入力部を兼ねる表示部等から作業の
続行を指示してもよいし、処理を中断するようにしても
よい。そして、加熱処理を中断するようにすれば、後述
する搬送装置22と支持ピン35との位置ずれを即座に
修正することができる。また、そのまま処理を続行すれ
ばシステムにおけるスループットを落とさずに処理を行
うことができる。ただし、この場合、加熱不良のウェハ
Wが良品と混在してシステム内を流れることになる。そ
こで、このように処理を続行するような場合にはウェハ
Wに対して不良であることを示すマーキングを行うよう
にすればよい。このようなマーキング方法としては、実
際にウェハWに対してマーキングを行う他、ソフトウェ
ア上で良品から区別できるように不良ウェハWにマーキ
ングするように構成しても構わない。
Further, at a position away from the center of the substrate mounting position 41 by a predetermined distance, for example, at a position close to the outer periphery of the substrate mounting position 41, a bottomed plate having a predetermined depth from the back surface to the surface of the hot plate 31 Hole 38 is provided. This hole 38
(The position closest to the surface of the holding plate 32 in the hole 38)
Is provided with a temperature sensor 39 which is, for example, a thermocouple. The detection result by the temperature sensor 39 is transmitted to the control unit 40.
The control unit 40 controls the current to the heating element 33 as a heating mechanism based on the detection result, and detects a wafer W mounting defect described later. Further, a speaker and a display unit (not shown) for issuing an alarm or the like are connected to the control unit 40. At this time, the display unit presents to the worker whether or not to continue the processing as it is, and in accordance with this presentation, the worker instructs the continuation of the work from a keyboard or a display unit also serving as an input unit (not shown). Alternatively, the processing may be interrupted. If the heating process is interrupted, it is possible to immediately correct a displacement between the transport device 22 and the support pin 35 described later. If the processing is continued, the processing can be performed without lowering the throughput in the system. However, in this case, the wafer W having poor heating flows in the system together with the non-defective product. Therefore, when the processing is continued as described above, the wafer W may be marked to indicate that it is defective. As such a marking method, in addition to actually marking the wafer W, the marking may be performed on the defective wafer W so that it can be distinguished from the non-defective product on software.

【0047】次に、このように構成された加熱処理装置
の動作を図7〜図10に基づき説明する。
Next, the operation of the heat treatment apparatus thus configured will be described with reference to FIGS.

【0048】まず、図7に示すように、ホットプレート
31の表面から支持ピン35が突き出た状態で、搬送装
置22から支持ピン35上にウェハWが受け渡される。
First, as shown in FIG. 7, the wafer W is transferred from the transfer device 22 onto the support pins 35 with the support pins 35 protruding from the surface of the hot plate 31.

【0049】次に、図8に示すように、搬送装置22か
らウェハWを受け取った支持ピン35が下降してホット
プレート31内に没入し、これによりウェハWがホット
プレート31上に載置される。そして、ウェハWの加熱
処理が行われるようになっている。
Next, as shown in FIG. 8, the support pins 35 receiving the wafer W from the transfer device 22 are lowered and immersed in the hot plate 31, whereby the wafer W is placed on the hot plate 31. You. Then, the heat treatment of the wafer W is performed.

【0050】その後、ウェハWの加熱処理が終了する
と、再び支持ピン35が突き出て、搬送装置22が支持
ピン35上に載置されたウェハWを受け取る。
Thereafter, when the heating process of the wafer W is completed, the support pins 35 protrude again, and the transfer device 22 receives the wafer W placed on the support pins 35.

【0051】図7は及び図8は搬送装置22と支持ピン
35との間でのウェハWの受け渡しが位置ずれすること
なく行われ、ウェハWがホットプレート31の基板載置
位置41内に正確に載置された例を示している。
FIGS. 7 and 8 show that the transfer of the wafer W between the transfer device 22 and the support pins 35 is performed without displacement, and the wafer W is accurately placed in the substrate mounting position 41 of the hot plate 31. 2 shows an example placed on the screen.

【0052】ところが、図9に示すように、搬送装置2
2から支持ピン35へウェハWを受け渡す際に、ウェハ
Wが支持ピン35上の所望の位置(点線で示す。)から
ずれた位置に受け渡されると、その後支持ピン35が下
降してホットプレート31内に没入したときに、図10
に示すように、ウェハWは基板載置位置41内に正確に
載置されずに案内ガイド43上に乗り上げてしまう。
However, as shown in FIG.
When the wafer W is transferred to a position deviated from a desired position (shown by a dotted line) on the support pins 35 when the wafer W is transferred from the support pins 35 to the support pins 35, the support pins 35 are then lowered and hot. When immersed in the plate 31, FIG.
As shown in (2), the wafer W is not accurately placed in the substrate placement position 41 and rides on the guide 43.

【0053】図11は加熱処理の際に温度センサ39に
より検出されるホットプレート31の温度変化を示して
いる。図11は図8に示したようにウェハWがホット
プレート31の基板載置位置41内に正確に載置された
ときの温度変化、図11は図10に示したようにウェ
ハWは基板載置位置41内に正確に載置されずに案内ガ
イド43上に乗り上げたときの温度変化を示している。
この図から分かるように、ウェハWがホットプレート3
1の基板載置位置41内に正確に載置されたときとウェ
ハWが基板載置位置41内に正確に載置されずに案内ガ
イド43上に乗り上げたときとでは、温度変化が異な
る。具体的には、前者が後者と比べ温度が一旦より大き
く下がる。これは、ウェハWが基板載置位置41内に正
確に載置された方がこれらの間の近接面積が大きくホッ
トプレート31から奪う熱量が大きいからである。
FIG. 11 shows a temperature change of the hot plate 31 detected by the temperature sensor 39 during the heating process. FIG. 11 shows a temperature change when the wafer W is accurately placed in the substrate placing position 41 of the hot plate 31 as shown in FIG. 8, and FIG. A temperature change when the user rides on the guide 43 without being accurately placed in the placement position 41 is shown.
As can be seen from FIG.
The temperature change differs between when the wafer W is accurately placed in the substrate mounting position 41 and when the wafer W rides on the guide 43 without being accurately placed in the substrate mounting position 41. Specifically, the temperature of the former temporarily drops more than the latter. This is because the closer the wafer W is placed in the substrate placement position 41, the larger the proximity area between them and the larger the amount of heat taken from the hot plate 31.

【0054】そこで、本実施形態では、制御部40がこ
のような温度変化の差異に基づき図10に示したような
ウェハWの載置不良の検出を行っている。即ち、制御部
40では、温度センサ39からホットプレート31の温
度検出結果を入力しており、ホットプレート31上にウ
ェハWが載置されたときにホットプレート31が所定の
しきい値以下、図11の例でいうと例えば89℃以下に
なったときに、図8に示したようにウェハWがホットプ
レート31の基板載置位置41内に正確に載置されたも
のとみなし、ホットプレート31上にウェハWが載置さ
れたときにホットプレート31が所定のしきい値以上、
図11の例でいうと例えば89℃以上になったときに、
図10に示したようにウェハWが基板載置位置41内に
正確に載置されずに案内ガイド43上に乗り上げたもの
とみなしている。そして、ウェハWが案内ガイド43上
に乗り上げたものとみなしたときには、スピーカや表示
部より警報を発している。なお、所定のしきい値として
は、上記のように絶対温度としてもよいし、ウェハWが
載置される以前のホットプレート31の温度を基準とし
てその基準温度からの低下温度としてもよい。
Therefore, in the present embodiment, the control unit 40 detects a mounting failure of the wafer W as shown in FIG. 10 based on such a difference in temperature change. That is, the control unit 40 receives the temperature detection result of the hot plate 31 from the temperature sensor 39, and when the wafer W is placed on the hot plate 31, the hot plate 31 is not more than a predetermined threshold. In the example of FIG. 11, when the temperature becomes, for example, 89 ° C. or lower, it is considered that the wafer W is accurately placed in the substrate placing position 41 of the hot plate 31 as shown in FIG. When the wafer W is placed on the hot plate 31, the hot plate 31
In the example of FIG. 11, for example, when the temperature reaches 89 ° C. or higher,
As shown in FIG. 10, it is assumed that the wafer W has not been accurately placed in the substrate placement position 41 and has climbed on the guide 43. When it is determined that the wafer W has run on the guide 43, an alarm is issued from a speaker or a display unit. The predetermined threshold may be the absolute temperature as described above, or may be a temperature lower than the reference temperature based on the temperature of the hot plate 31 before the wafer W is mounted.

【0055】このように本実施形態の加熱処理装置で
は、ホットプレート31上にウェハWが載置されたとき
にホットプレート31の温度が所定のしきい値以上にな
ったときに、ウェハWが案内ガイド43上に乗り上げた
ものとみなし、スピーカや表示部より警報を発している
ので、ホットプレート31上に搬送されたウェハWが基
板載置位置41に正確に載置されていない状態を迅速に
検知し、加熱処理の不良を最小限に食い止めることがで
きる。また、温度センサ39はホットプレート31の温
度制御のために従来から必要なデバイスであるので、特
別なハード構成を必要とせずに、上記の効果を奏する。
As described above, in the heat treatment apparatus of the present embodiment, when the temperature of the hot plate 31 becomes higher than the predetermined threshold when the wafer W is mounted on the hot plate 31, Since it is assumed that the user has got on the guide guide 43 and an alarm is issued from the speaker or the display unit, the state in which the wafer W conveyed on the hot plate 31 is not accurately placed on the substrate placing position 41 can be quickly determined. , And defects in the heat treatment can be minimized. Further, since the temperature sensor 39 is a device conventionally required for controlling the temperature of the hot plate 31, the above-described effect can be obtained without requiring a special hardware configuration.

【0056】また、本実施形態では、特にウェハWを基
板載置位置41内に案内するための案内ガイド43の断
面が矩形でその高さが3mm前後とされているので、ウ
ェハWが基板載置位置41内に正確に載置されずに案内
ガイド43上に乗り上げたときのホットプレート31の
低下温度がより小さくなる。即ち、ウェハWがホットプ
レート31の基板載置位置41内に正確に載置されたと
きとウェハWが基板載置位置41内に正確に載置されず
に案内ガイド43上に乗り上げたときとの温度低下の差
異がより大きくなる。従って、これらの状態の差異をよ
り明確に区別できて誤検出がなくなると共に、上記のし
きい値の調整が容易となる。しかしながら、本発明で
は、図12に示すように、案内ガイド43が基板載置位
置41内に向けてウェハ案内用の斜面43aを有し、そ
の高さを1mm以下とするように構成しても勿論構わな
い。そして、このような案内ガイド43がウェハ案内用
の斜面43aを有することで基板載置位置41内へのウ
ェハWの案内をより確実に行うことができる。
In this embodiment, the guide W 43 for guiding the wafer W into the substrate mounting position 41 has a rectangular cross section and a height of about 3 mm. The temperature at which the hot plate 31 is lowered when the user rides on the guide 43 without being accurately placed in the placement position 41 becomes smaller. That is, when the wafer W is accurately placed in the substrate placing position 41 of the hot plate 31, and when the wafer W rides on the guide 43 without being accurately placed in the substrate placing position 41. The difference in the temperature drop is larger. Therefore, the difference between these states can be more clearly distinguished, erroneous detection is eliminated, and the adjustment of the threshold value is facilitated. However, in the present invention, as shown in FIG. 12, the guide 43 may have a slope 43a for guiding the wafer toward the inside of the substrate mounting position 41, and the height may be set to 1 mm or less. Of course it doesn't matter. Since the guide 43 has the inclined surface 43a for guiding the wafer, the wafer W can be more reliably guided into the substrate mounting position 41.

【0057】次に、本発明の他の実施形態を説明する。Next, another embodiment of the present invention will be described.

【0058】ここで、図13に示すように、ウェハWが
案内ガイド43上に乗り上げた位置が異なると(例えば
図中実線のウェハWと点線のウェハWの如く。)、図1
4に示すように、ウェハWが乗り上げた位置に応じて温
度変化が異なる。例えば、図13の実線で示す場合の方
(図14)が図13の点線で示した場合(図14)
と比べて温度変化が大きい。つまり、前者が後者と比べ
温度が一旦より大きく下がる。
Here, as shown in FIG. 13, if the position where the wafer W rides on the guide 43 is different (for example, a wafer W indicated by a solid line and a wafer W indicated by a dotted line in FIG. 13), FIG.
As shown in FIG. 4, the temperature change differs depending on the position on which the wafer W has climbed. For example, the case indicated by the solid line in FIG. 13 (FIG. 14) is indicated by the dotted line in FIG. 13 (FIG. 14).
The temperature change is large compared to. In other words, the former temporarily lowers the temperature more than the latter.

【0059】そこで、本実施形態では、制御部40がこ
のような温度変化の差異に基づきホットプレート31上
に搬送されたウェハWの基板載置位置41からのずれ位
置を推定し、この推定結果を例えば表示部45に表示し
ている。従って、例えば作業者は、この表示内容に基づ
いて搬送装置22と支持ピン35との位置ずれを簡単に
修正することができる。また、このように推定されたず
れ位置に応じて搬送装置22と支持ピン35との位置ず
れを自動的に修正しても構わない。
Therefore, in the present embodiment, the control unit 40 estimates the deviation position of the wafer W transferred onto the hot plate 31 from the substrate mounting position 41 based on such a difference in temperature change. Is displayed on the display unit 45, for example. Therefore, for example, the operator can easily correct the displacement between the transport device 22 and the support pins 35 based on the displayed contents. Further, the positional deviation between the transport device 22 and the support pins 35 may be automatically corrected according to the estimated positional deviation.

【0060】なお、ホットプレート31上の複数の位
置、より好ましくは3カ所以上例えば図15に示すよう
に3カ所に温度センサ39を配置し、複数位置での検出
結果を用いることで、より正確にホットプレート31上
のウェハWのずれ位置を推定することができる。
It is to be noted that the temperature sensors 39 are arranged at a plurality of positions on the hot plate 31, more preferably at three or more positions, for example, as shown in FIG. Then, the position of the shift of the wafer W on the hot plate 31 can be estimated.

【0061】次に、本発明の更に別の実施形態を説明す
る。
Next, still another embodiment of the present invention will be described.

【0062】この実施形態は、本発明を図1乃至図4に
示した塗布現像処理システムにおける冷却処理ユニット
に適用したものである。図16は冷却処理ユニットにお
ける冷却プレートの構成を示す正面図であり、前述の加
熱処理ユニットとほぼ同様の構成を有する。
In this embodiment, the present invention is applied to a cooling processing unit in the coating and developing processing system shown in FIGS. FIG. 16 is a front view showing the configuration of the cooling plate in the cooling processing unit, and has substantially the same configuration as the above-described heating processing unit.

【0063】即ち、図16に示すように、上記の冷却処
理ユニットのほぼ中央には、ウェハWを冷却処理するた
めの処理板としての冷却プレート61が配置されてい
る。この冷却プレート61内には、例えば多数のペルチ
ェ素子62が埋め込まれている。そして、制御部(図示
を省略)によりペルチェ素子62に流れる電流値が制御
されることで冷却処理のための温度が制御されるように
なっている。
That is, as shown in FIG. 16, a cooling plate 61 as a processing plate for cooling the wafer W is disposed substantially at the center of the cooling unit. In the cooling plate 61, for example, many Peltier elements 62 are embedded. The temperature for the cooling process is controlled by controlling the value of the current flowing through the Peltier element 62 by a control unit (not shown).

【0064】冷却プレート61の表面と裏面との間に、
複数カ所、例えば3カ所に貫通穴64が設けられてい
る。これら貫通穴64には、それぞれ、ウェハWの受け
渡しのための複数本、例えば3本の支持ピン65が出没
可能に介挿されている。これら支持ピン65は、冷却プ
レート61の裏面側に配置された結合部材66により、
冷却プレート61の裏面側で一体に結合されている。結
合部材66は、冷却プレート61の裏面側に配置された
昇降機構67に接続されている。昇降機構67の昇降動
作により、支持ピン65は冷却プレート61の表面から
突き出たり、没したりする。なお、冷却プレート61の
上方には、図示を省略した昇降可能な蓋体が配置されて
いる。
Between the front surface and the back surface of the cooling plate 61,
The through holes 64 are provided at a plurality of places, for example, three places. In each of these through holes 64, a plurality of, for example, three support pins 65 for transferring the wafer W are inserted so as to be able to protrude and retract. These support pins 65 are connected by a coupling member 66 arranged on the back side of the cooling plate 61.
The cooling plate 61 is integrally connected on the back surface side. The coupling member 66 is connected to an elevating mechanism 67 disposed on the back side of the cooling plate 61. Due to the elevating operation of the elevating mechanism 67, the support pins 65 protrude or sink from the surface of the cooling plate 61. In addition, a lid (not shown) that can be moved up and down is arranged above the cooling plate 61.

【0065】そして、プロキシミティシート72’が基
板載置位置71の外周部の複数カ所、例えば6カ所に配
置され、更に基板載置位置71の中央に配置されてい
る。基板載置位置71の外周部に配置されたプロキシミ
ティシート72’は、それぞれ基板載置位置71の外側
に延在しており、各プロキシミティシート72’の延在
した位置には、それぞれ基板案内用の案内ガイド73が
配置されている。
The proximity sheets 72 ′ are arranged at a plurality of, for example, six, positions on the outer peripheral portion of the substrate mounting position 71, and are further disposed at the center of the substrate mounting position 71. Proximity sheets 72 ′ arranged on the outer peripheral portion of the substrate mounting position 71 extend outside the substrate mounting position 71, respectively. A guidance guide 73 for guidance is arranged.

【0066】また、基板載置位置71の中央から所定距
離離れた位置、その裏面より有底の穴78が設けられて
おり、この穴78の底部には温度センサ79が配置され
ている。この温度センサ79による検出結果は制御部に
送られるようになっている。
A hole 78 having a bottom is provided at a position away from the center of the substrate mounting position 71 by a predetermined distance, and a bottom is provided at the bottom of the hole 78. A temperature sensor 79 is provided at the bottom of the hole 78. The result detected by the temperature sensor 79 is sent to the control unit.

【0067】そして、制御部が冷却プレート61の温度
変化の差異に基づきウェハWの載置不良の検出を行って
いる。即ち、制御部では、温度センサ79から冷却プレ
ート61の温度検出結果を入力しており、冷却プレート
61上にウェハWが載置されたときに冷却プレート61
が所定のしきい値以上となったときに、ウェハWが冷却
プレート61の基板載置位置71内に正確に載置された
ものとみなし、冷却プレート61上にウェハWが載置さ
れたときに冷却プレート61が所定のしきい値以下であ
ったときに、ウェハWが基板載置位置71内に正確に載
置されずに案内ガイド73上に乗り上げたものとみなし
ている。そして、ウェハWが案内ガイド73上に乗り上
げたものとみなしたとき、支持ピン65を一旦昇降して
ウェハWを冷却プレート61から浮かして再び支持ピン
65を下降してウェハWを冷却プレート61表面に戻
し、これによりウェハWが冷却プレート61の基板載置
位置71内に正確に載置される試みをしている。そし
て、再試行してもウェハWが冷却プレート61の基板載
置位置71内に正確に載置されないときに警報等を発し
ている。
Then, the control unit detects the mounting failure of the wafer W based on the difference in the temperature change of the cooling plate 61. That is, the control unit inputs the temperature detection result of the cooling plate 61 from the temperature sensor 79, and when the wafer W is mounted on the cooling plate 61, the cooling plate 61
Is greater than or equal to a predetermined threshold value, it is assumed that the wafer W is accurately placed in the substrate placement position 71 of the cooling plate 61, and the wafer W is placed on the cooling plate 61. When the temperature of the cooling plate 61 is equal to or lower than the predetermined threshold value, it is assumed that the wafer W has not been accurately placed in the substrate placement position 71 and has climbed onto the guide 73. Then, when it is considered that the wafer W has climbed on the guide 73, the support pins 65 are once moved up and down to float the wafer W from the cooling plate 61, and the support pins 65 are again lowered to place the wafer W on the surface of the cooling plate 61. Thus, an attempt is made to accurately place the wafer W in the substrate placement position 71 of the cooling plate 61. Then, an alarm or the like is issued when the wafer W is not correctly placed in the substrate placement position 71 of the cooling plate 61 even after the retry.

【0068】従って、本実施形態の冷却処理ユニットで
は、ウェハWの冷却不良を激減することができる。特
に、加熱処理の場合にはそれまでの熱履歴が重要である
ことから、一旦加熱処理した不良品を再度加熱処理して
も良品化することは非常に困難であるが、冷却処理では
熱履歴はそれ程問題とならないので、本実施形態の如く
位置決めを再試行し、正しい基板載置位置71内で再度
冷却処理することは有効である。
Therefore, in the cooling processing unit according to the present embodiment, defective cooling of the wafer W can be drastically reduced. In particular, in the case of heat treatment, since the heat history up to that point is important, it is very difficult to make a defective product once heat-treated again even if it is heat-treated again. Is not so problematic, it is effective to retry the positioning as in the present embodiment and perform the cooling process again within the correct substrate mounting position 71.

【0069】なお、位置決めの再試行の手段としては、
例えば冷却プレート61に振動を付与する振動装置を設
けても良いし、支持ピンを35を少なくとも1回以上上
下動させるように構成しても構わない。
As means for retrying positioning,
For example, a vibration device for applying vibration to the cooling plate 61 may be provided, or the support pin may be configured to move the support pin 35 up and down at least once.

【0070】また、前述の加熱処理ユニットの場合と同
様に、冷却処理ユニットにおいてもずれ位置の推定を行
うように構成しても構わない。
Further, as in the case of the above-described heat treatment unit, the shift position may be estimated in the cooling treatment unit.

【0071】次に、本発明の他の実施形態を説明する。Next, another embodiment of the present invention will be described.

【0072】ここで、図17に示すように、搬送された
ウェハWの裏面にパーティクル等のゴミ80が付着、或
いはホットプレート31上にゴミ80が付着していた場
合、前述のような案内ガイド43上に乗り上げた位置が
異なるのと同様にホットプレート31の温度センサー3
9による温度検出にバラツキが生ずることとなる。
Here, as shown in FIG. 17, when dust 80 such as particles adheres to the back surface of the transferred wafer W or dust 80 adheres to the hot plate 31, the above-described guide guide is used. 43, the temperature sensor 3 of the hot plate 31
9 will vary.

【0073】このような要因は他に図18に示すよう
に、ウェハW自体の形状の変化、例えばそり81等の凸
凹が発生している場合において、他の正常なフラットな
ウエハWに比べホットプレート31の温度センサー39
による温度検出にバラツキが生ずることとなる。
As shown in FIG. 18, such a factor is caused by a change in the shape of the wafer W itself, for example, when irregularities such as the sled 81 are generated, as compared with other normal flat wafers W. Temperature sensor 39 for plate 31
This causes variation in temperature detection.

【0074】このような要因でのウェハWの温度処理の
不具合は、搬送装置22又は支持ピン35とウェハWの
位置ずれを自動的に修正が容易に出来できうるものでは
ないのであるので、例えば図19に示すようなシーケン
スにて判断することが可能である。すなわち、ホットプ
レート31上にウエハWを搬送した際に複数の温度セン
サー39により温度検出にバラツキが生ずるか否かを判
断する(ステップ82)。このときのバラツキ量が所定
の量以下であれば正常とみなすことが出来るので終了す
る。
The problem of the temperature processing of the wafer W due to such a factor is that it is not possible to automatically correct the displacement between the transfer device 22 or the support pins 35 and the wafer W automatically. The determination can be made in a sequence as shown in FIG. That is, it is determined whether the temperature detection by the plurality of temperature sensors 39 varies when the wafer W is transferred onto the hot plate 31 (step 82). If the variation amount at this time is equal to or less than a predetermined amount, it can be regarded as normal, and the process ends.

【0075】一方、バラツキ量が所定の量以上であれば
異常であるので所定回数ループ処理(ステップ83)を
繰り返す、この繰り返しにおいて、搬送装置22又は支
持ピン35によりウェハWの位置ずれを修正する動作
(ステップ87)を所定回数、例えば3回(カウンター
値3)行う。
On the other hand, if the variation amount is equal to or more than the predetermined amount, it is abnormal, so the loop process (step 83) is repeated a predetermined number of times. In this repetition, the transfer device 22 or the support pins 35 correct the positional deviation of the wafer W. The operation (step 87) is performed a predetermined number of times, for example, three times (counter value 3).

【0076】この所定回数の間にホットプレート31上
にウエハWを搬送した際の複数の温度センサー39によ
る温度検出バラツキ量が所定の量以下、つまり正常とみ
なしても良い状態となればカウンターの値を0にし(ス
テップ85)、搬送装置22によるウェハWの搬送の位
置ずれから次のウェハWを搬送する位置情報を校正して
記憶し動作を終了する。
If the variation in the temperature detection by the plurality of temperature sensors 39 when the wafer W is transferred onto the hot plate 31 during the predetermined number of times becomes equal to or less than a predetermined amount, that is, when the state can be regarded as normal, the counter of the counter is activated. The value is set to 0 (step 85), the positional information for transporting the next wafer W is calibrated and stored based on the displacement of the transport of the wafer W by the transport device 22, and the operation ends.

【0077】また、所定回数ループ処理(ステップ8
3)を繰り返しても、バラツキ量が所定の量以上である
場合、つまり搬送装置22又は支持ピン35によりウェ
ハWの位置ずれを修正出来ない要因に起因する原因(例
えば前述のようなパーティクルの付着によるもの或いは
ウエハWの形状或いは搬送装置22又は支持ピン35の
動作不良等)であるとみなし、ルート84に進み異常対
応(ステップ88)を行いカウンターの値を0にし(ス
テップ85)、終了する。
Further, a loop processing for a predetermined number of times (step 8)
Even if 3) is repeated, if the variation amount is equal to or more than the predetermined amount, that is, a cause due to a factor that the transfer device 22 or the support pins 35 cannot correct the positional deviation of the wafer W (for example, the adhesion of particles as described above) , Or the shape of the wafer W, or a malfunction of the transfer device 22 or the support pins 35), and proceeds to the route 84 to deal with the abnormality (step 88), sets the counter value to 0 (step 85), and ends. .

【0078】前述の異常対応(ステップ88)において
は、例えば前述のように警報を作業員等に発してもよい
し、さらにそのウエハWは実質的に処理が不完全である
のでそのウエハWは不具合として情報を記憶し、また所
定の手段、例えば表示で見れたり、通信等で外部にその
情報を伝達するようにするのが好ましい。これにより不
完全なウエハWをこの処理の後工程で処理することなく
カセットC等に排出したりでき、処理の無駄を省くこと
が可能となる。
In the above-described abnormality handling (step 88), for example, an alarm may be issued to an operator or the like as described above. Further, since the processing of the wafer W is substantially incomplete, the wafer W It is preferable that the information is stored as a defect, and that the information is transmitted to the outside by a predetermined means, for example, a display or communication. As a result, the incomplete wafer W can be discharged to the cassette C or the like without being processed in a post-process of this processing, and waste of the processing can be reduced.

【0079】次に、本発明の他の実施形態を説明する。Next, another embodiment of the present invention will be described.

【0080】ホットプレート31上にウエハWを搬送し
た際の温度センサー39による温度検出は、例えば図2
0に示すようにしきい値を例えば、89℃とした場合、
温度検出値が第1の領域90に存在する場合を正常とみ
なし、温度検出値が第2の領域91に存在する場合を搬
送装置22又は支持ピン35によりウェハWの位置ずれ
を修正出来ない要因に起因する原因(前述のようにパー
ティクル等の原因)によるものとみなし、温度検出値が
第3の領域92に存在する場合を搬送装置22又は支持
ピン35によりウェハWの位置ずれを修正出来る要因に
起因する原因(例えば案内ガイド34等にウェハWが乗
り上げている場合等)によるものとみなすものである。
The temperature detection by the temperature sensor 39 when the wafer W is transferred onto the hot plate 31 is performed, for example, by referring to FIG.
When the threshold value is, for example, 89 ° C. as shown in FIG.
The case where the detected temperature value exists in the first area 90 is regarded as normal, and the case where the detected temperature value exists in the second area 91 is a factor in which the position shift of the wafer W cannot be corrected by the transfer device 22 or the support pins 35. Is considered to be caused by the above-mentioned factor (the cause of particles and the like as described above), and the case where the detected temperature value exists in the third region 92 is a factor by which the position shift of the wafer W can be corrected by the transfer device 22 or the support pin 35. (For example, when the wafer W rides on the guide 34 or the like).

【0081】第2の領域91と第3の領域92との差
は、ホットプレート31とウエハWとの間の距離にも比
例し、案内ガイド34等にウェハWが乗り上げている場
合のホットプレート31とウエハWとの間の距離はパー
ティクル等の原因等によるホットプレート31とウエハ
Wとの間の距離より大きいため、その分ある程度温度に
差が生じるのを区別するものである。
The difference between the second area 91 and the third area 92 is also proportional to the distance between the hot plate 31 and the wafer W, and the hot plate when the wafer W rides on the guide 34 or the like. Since the distance between the wafer 31 and the wafer W is larger than the distance between the hot plate 31 and the wafer W due to particles or the like, a difference in temperature is generated to some extent.

【0082】このような領域における温度センサー39
による温度検出値で搬送装置22又は支持ピン35によ
りウェハWの位置ずれを修正するのか、それともウェハ
Wの位置ずれを修正出来ない要因に起因する原因による
ものかを判断することにより毎回、搬送装置22又は支
持ピン35によりウェハWの位置ずれを修正することな
く正確に異常時の対応動作を行うことが可能となる。こ
れにより処理のスループット或いは装置の稼働率を向上
することが可能となる。
The temperature sensor 39 in such a region
Each time the transfer device is determined by judging whether the displacement of the wafer W is corrected by the transfer device 22 or the support pins 35 based on the temperature detection value obtained by the method, or whether the position is caused by a factor that cannot correct the position shift of the wafer W. By using the support pins 22 or the support pins 35, it is possible to accurately perform an abnormal response operation without correcting a position shift of the wafer W. This makes it possible to improve the processing throughput or the operation rate of the apparatus.

【0083】次に、本発明の他の実施形態を説明する。Next, another embodiment of the present invention will be described.

【0084】図21は、ホットプレート31の発熱素子
33、例えばヒーターを径方向に複数例えば四つH1〜
H4備えた例である。これらの発熱素子33には、温度
センサー39が各1つ以上設けられ、領域毎に温度を検
出することが出来るよう構成されている。
FIG. 21 shows a plurality of heating elements 33, for example, four heaters H1-H4 of the hot plate 31 in the radial direction.
This is an example in which H4 is provided. Each of the heating elements 33 is provided with one or more temperature sensors 39, and is configured to be able to detect a temperature for each region.

【0085】このような、発熱素子33を複数設けるの
は発熱素子33を一つ設けたシステムに比べてよりウェ
ハWの温度の面内均一性をコントロールすることが出来
るものである。
The provision of a plurality of such heating elements 33 can control the in-plane uniformity of the temperature of the wafer W more than in a system provided with one heating element 33.

【0086】このような構成において、ホットプレート
31上にウェハWが搬送された際に前述したしきい値以
下に温度が低下するか否か或いは所定の領域に温度が低
下したか否かによって各温度センサー39の情報に基づ
いて判断しても良いが、例えばホットプレート31の各
発熱素子33毎の面積に対する総発熱量と各発熱素子3
3毎に対応し熱を一時的に奪うウェハWの面積当たりの
熱の消費量とが各発熱素子33H1〜H4で異なること
が考えられる。したがって温度の低下点が正常な領域に
存在するか否かについては、図22に示すように異なる
領域Z1〜Z4を設定し、対応するのが好ましい。この
異なる領域Z1〜Z4を設定し、各Z1〜Z4毎に図2
0にて説明したように、ウェハWの位置ずれを修正出来
ない要因に起因する原因によるものか否を判断する領域
を設定しても良い。
In such a configuration, when the wafer W is transported onto the hot plate 31, whether the temperature falls below the above-described threshold value or whether the temperature falls in a predetermined region depends on whether the temperature has fallen. The determination may be made based on information of the temperature sensor 39. For example, the total amount of heat generated with respect to the area of each heating element 33 of the hot plate 31 and each heating element 3
It is conceivable that the heat consumption per area of the wafer W corresponding to each of the three heating elements 33H1 to H4 is different for each of the heating elements 33H1 to H4. Therefore, it is preferable to set different areas Z1 to Z4 as shown in FIG. 22 to determine whether the temperature drop point exists in the normal area. These different areas Z1 to Z4 are set, and for each of the Z1 to Z4, FIG.
As described with reference to FIG. 0, an area for determining whether or not the positional deviation of the wafer W is caused by a factor that cannot be corrected may be set.

【0087】更に、前述の実施形態の如くレジスト塗布
現像システム1内に複数の加熱処理ユニット(或いは冷
却処理ユニット)が設けられた場合には、次のように構
成する。
Further, when a plurality of heat processing units (or cooling processing units) are provided in the resist coating and developing system 1 as in the above-described embodiment, the configuration is as follows.

【0088】例えば、1つの加熱処理ユニットでホット
プレート上に搬送されたウェハWが基板載置位置に正確
に載置されていないものとみなされたときには、該加熱
処理ユニットによる加熱処理を禁止して以降残りの加熱
処理ユニットで加熱処理を行わせるように構成する。こ
れにより、加熱処理による不良が連続的に発生するのを
防止することができ、しかもかかる不良が発生してもシ
ステムを停止することなく通常の加熱処理を続行でき
る。
For example, when it is considered that the wafer W carried on the hot plate by one heat processing unit is not accurately placed on the substrate mounting position, the heat processing by the heat processing unit is prohibited. After that, the heat treatment is performed by the remaining heat treatment units. Thus, it is possible to prevent the failure caused by the heat treatment from occurring continuously, and even if such a failure occurs, it is possible to continue the normal heat treatment without stopping the system.

【0089】また、このような加熱処理ユニットによる
加熱処理の禁止は連続的にウェハWが基板載置位置に正
確に載置されていないものとみなされたときだけ行うよ
うにしてもよい。これにより、加熱処理による不良が連
続的に発生するのを防止することができ、しかもかかる
不良が発生してもシステムを停止することなく通常の加
熱処理を続行でき、更に偶発的にホットプレート上に搬
送されたウェハWが基板載置位置に正確に載置されてい
なかったときには当該加熱処理ユニットによる加熱処理
が禁止されるこはなくなる。
Further, the prohibition of the heat treatment by such a heat treatment unit may be performed only when it is continuously determined that the wafer W is not correctly placed at the substrate placing position. As a result, it is possible to prevent the continuous occurrence of defects due to the heat treatment, and even if such a defect occurs, the normal heat treatment can be continued without stopping the system, and furthermore, the accidental failure on the hot plate can be prevented. When the wafer W transferred to the substrate is not accurately placed at the substrate placement position, the heating processing by the heating processing unit is not prohibited.

【0090】更に、上記の実施の形態においては、警報
等を発するための手段としてスピーカや表示部が制御部
40に接続されているとしたが、本発明はかかる例には
限定されず、例えば制御部40に警報情報として記憶媒
体、例えばハードデイスク或いはRAM等の記憶メモリ
ー或いはフロッピーディスク等に記憶しておいても良い
し、装置外部のCPUに対して警報情報を所定の通信に
より発するようにしても良い。
Further, in the above embodiment, the speaker and the display unit are connected to the control unit 40 as means for issuing an alarm or the like. However, the present invention is not limited to this example. The control unit 40 may store the alarm information in a storage medium, for example, a storage memory such as a hard disk or a RAM, or a floppy disk, or may issue the alarm information to a CPU outside the apparatus by a predetermined communication. Is also good.

【0091】更に、上記の実施の形態においては、複数
位置での温度を検出する温度センサ39を配置したが、
複数ではなく一箇所での検出でもよいことに言うまでも
無く発明はかかる例には限定されない。
Further, in the above embodiment, the temperature sensors 39 for detecting the temperatures at a plurality of positions are arranged.
Needless to say, detection may be performed at one place instead of a plurality, and the invention is not limited to such an example.

【0092】更に、上記の実施の形態においては、基板
にウェハWを用いた例について説明したが、本発明はか
かる例には限定されず、例えばLCD基板を使用する例
についても適用が可能である。
Further, in the above-described embodiment, an example in which a wafer W is used as a substrate has been described. However, the present invention is not limited to such an example, and can be applied to, for example, an example using an LCD substrate. is there.

【0093】[0093]

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
処理板上に搬送された基板が基板載置位置に正確に載置
されていない状態等を迅速に検知し、加熱処理や冷却処
理の際の不良を最小限に食い止めることができる。ま
た、本発明によれば、処理板上に搬送された基板の基板
載置位置からのずれ位置を迅速に検出し、調整を迅速か
つ正確に行うことができる。
As described above, according to the present invention,
It is possible to quickly detect, for example, a state in which the substrate conveyed on the processing plate is not accurately placed at the substrate placement position, and to minimize defects during the heating process and the cooling process. Further, according to the present invention, it is possible to quickly detect a shift position of the substrate transferred onto the processing plate from the substrate mounting position, and to perform adjustment quickly and accurately.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 本発明の一実施形態に係るレジスト塗布現像
システムの平面図である。
FIG. 1 is a plan view of a resist coating and developing system according to an embodiment of the present invention.

【図2】 図1に示したレジスト塗布現像システムの正
面図である。
FIG. 2 is a front view of the resist coating and developing system shown in FIG.

【図3】 図1に示したレジスト塗布現像システムの背
面図である。
FIG. 3 is a rear view of the resist coating and developing system shown in FIG. 1;

【図4】 図1に示したレジスト塗布現像システムにお
ける空気の流れを示す正面図である。
FIG. 4 is a front view showing a flow of air in the resist coating and developing system shown in FIG.

【図5】 図3に示した加熱処理ユニットを示す正面図
である。
FIG. 5 is a front view showing the heat treatment unit shown in FIG. 3;

【図6】 図5に示した加熱処理ユニットの平面図であ
る。
6 is a plan view of the heat treatment unit shown in FIG.

【図7】 本発明の一実施形態に係る加熱処理ユニット
の動作(その1)の説明図である。
FIG. 7 is an explanatory diagram of an operation (part 1) of the heat treatment unit according to the embodiment of the present invention.

【図8】 本発明の一実施形態に係る加熱処理ユニット
の動作(その2)の説明図である。
FIG. 8 is an explanatory diagram of an operation (part 2) of the heat treatment unit according to the embodiment of the present invention.

【図9】 本発明の一実施形態に係る加熱処理ユニット
の動作(その3)の説明図である。
FIG. 9 is an explanatory diagram of an operation (part 3) of the heat treatment unit according to the embodiment of the present invention.

【図10】 は本発明の一実施形態に係る加熱処理ユニ
ットの動作(その4)の説明図である。
FIG. 10 is an explanatory diagram of an operation (part 4) of the heat treatment unit according to the embodiment of the present invention.

【図11】 本発明の一実施形態における加熱処理ユニ
ットでの温度変化を示す図である。
FIG. 11 is a diagram showing a temperature change in a heat treatment unit according to an embodiment of the present invention.

【図12】 本発明の他の実施形態に係る加熱処理ユニ
ットの説明図である。
FIG. 12 is an explanatory diagram of a heat treatment unit according to another embodiment of the present invention.

【図13】 本発明の更に別の実施形態に係る加熱処理
ユニットの説明図である。
FIG. 13 is an explanatory diagram of a heat treatment unit according to still another embodiment of the present invention.

【図14】 本発明の更に別の実施形態に係る加熱処理
ユニットでの温度変化を示す図である。
FIG. 14 is a diagram showing a temperature change in a heat treatment unit according to still another embodiment of the present invention.

【図15】 本発明のまた更に別の実施形態に係る加熱
処理ユニットの平面図である。
FIG. 15 is a plan view of a heat treatment unit according to still another embodiment of the present invention.

【図16】 本発明のまた別の実施形態に係る冷却処理
ユニットの正面図である。
FIG. 16 is a front view of a cooling processing unit according to still another embodiment of the present invention.

【図17】 本発明のまた別の実施形態に係る加熱処理
ユニットの断面図である。
FIG. 17 is a sectional view of a heat treatment unit according to still another embodiment of the present invention.

【図18】 本発明のまた別の実施形態に係る加熱処理
ユニットの断面図である。
FIG. 18 is a cross-sectional view of a heat treatment unit according to still another embodiment of the present invention.

【図19】 本発明の一実施形態における動作を説明す
る処理フロー図である。
FIG. 19 is a process flowchart illustrating an operation according to an embodiment of the present invention.

【図20】 本発明のまた別の実施形態における加熱処
理ユニットでの温度変化を示す図である。
FIG. 20 is a diagram showing a temperature change in a heat treatment unit according to still another embodiment of the present invention.

【図21】 本発明の更に別の実施形態に係る加熱処理
ユニットの説明図である。
FIG. 21 is an explanatory diagram of a heat treatment unit according to still another embodiment of the present invention.

【図22】 本発明のまた別の実施形態における加熱処
理ユニットでの温度領域を示す図である。
FIG. 22 is a diagram showing a temperature region in a heat treatment unit according to still another embodiment of the present invention.

【図23】 従来技術を説明するための加熱処理ユニッ
トの概略的な正面図である。
FIG. 23 is a schematic front view of a heat treatment unit for explaining a conventional technique.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

W ウェハ 22 搬送装置 31 ホットプレート 35 支持ピン 39 温度センサ 40 制御部 41 基板載置位置 43 案内ガイド 61 冷却プレート 65 支持ピン 71 基板載置位置 73 案内ガイド 79 温度センサ W wafer 22 transfer device 31 hot plate 35 support pin 39 temperature sensor 40 control unit 41 substrate mounting position 43 guide guide 61 cooling plate 65 support pin 71 substrate mounting position 73 guide guide 79 temperature sensor

Claims (25)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 基板を加熱処理または冷却処理する処理
装置において、 基板が表面に載置され、載置された基板を加熱処理また
は冷却処理する処理板と、 前記処理板上の基板載置位置を取り囲むように処理板上
に設けられた基板案内用の案内部材と、 前記処理板の所定の位置に設けられた温度センサと、 前記処理板上に基板が載置された際の前記温度センサに
より検出された温度が所定以上変化しないとき、異常が
発生したものとみなす手段とを具備することを特徴とす
る処理装置。
1. A processing apparatus for performing a heat treatment or a cooling treatment on a substrate, wherein the substrate is placed on the surface, a treatment plate for performing a heat treatment or a cooling treatment on the placed substrate, and a substrate placement position on the treatment plate A guide member for guiding the substrate provided on the processing plate so as to surround the processing plate; a temperature sensor provided at a predetermined position on the processing plate; and the temperature sensor when a substrate is placed on the processing plate. Means for determining that an abnormality has occurred when the temperature detected by the apparatus does not change by a predetermined amount or more.
【請求項2】 請求項1に記載の処理装置において、 前記異常発生みなし手段が、前記処理板上に基板が載置
された際の前記温度センサにより検出された温度が所定
以上変化しないとき、前記処理板上に搬送された基板が
前記基板載置位置に正確に載置されていないものとみな
すことを特徴とする処理装置。
2. The processing apparatus according to claim 1, wherein the abnormality occurrence deeming unit determines that the temperature detected by the temperature sensor when the substrate is placed on the processing plate does not change by a predetermined amount or more. A processing apparatus, wherein a substrate conveyed onto the processing plate is regarded as not correctly placed on the substrate placement position.
【請求項3】 請求項1に記載の処理装置において、 前記異常発生みなし手段が、前記処理板上に基板が載置
された際の前記温度センサにより検出された温度が所定
以上変化しないとき、前記基板が不良であるとみなすこ
とを特徴とする処理装置。
3. The processing apparatus according to claim 1, wherein the abnormality occurrence deeming unit determines that the temperature detected by the temperature sensor when the substrate is placed on the processing plate does not change by a predetermined amount or more. A processing apparatus, wherein the substrate is considered to be defective.
【請求項4】 請求項1に記載の処理装置において、 前記異常発生みなし手段が、前記処理板上に基板が載置
された際の前記温度センサにより検出された温度が所定
以上変化しないとき、前記基板にゴミが付着したものと
みなすことを特徴とする処理装置。
4. The processing apparatus according to claim 1, wherein the abnormality occurrence deeming unit determines that the temperature detected by the temperature sensor when the substrate is placed on the processing plate does not change by a predetermined amount or more. A processing apparatus, wherein it is regarded that dust is attached to the substrate.
【請求項5】 請求項1に記載の処理装置において、 前記異常発生みなし手段が、前記処理板上に基板が載置
された際の前記温度センサにより検出された温度が第1
の値以上変化しないとき、前記処理板上に搬送された基
板が前記基板載置位置に正確に載置されていないものと
みなし、前記処理板上に基板が載置された際の前記温度
センサにより検出された温度が前記第1の温度よりも小
さくかつ前記第1の値よりも小さい第2の値以上変化し
ないとき前記基板が不良または前記基板にゴミが付着し
たものとみなすことを特徴とする処理装置。
5. The processing apparatus according to claim 1, wherein said abnormality occurrence deeming means detects a temperature detected by said temperature sensor when said substrate is placed on said processing plate, as a first temperature.
When the temperature is not changed more than the value, it is considered that the substrate conveyed on the processing plate is not accurately placed at the substrate mounting position, and the temperature sensor when the substrate is mounted on the processing plate When the detected temperature does not change by a second value smaller than the first temperature and smaller than the first value, it is considered that the substrate is defective or dust is attached to the substrate. Processing equipment.
【請求項6】 請求項1に記載の処理装置において、 前記前記異常発生みなし手段により異常が発生したもの
とみなされたとき、警報を発する手段を具備することを
特徴とする処理装置。
6. The processing apparatus according to claim 1, further comprising: means for issuing an alarm when said abnormality occurrence deeming means determines that an abnormality has occurred.
【請求項7】 請求項1に記載の処理装置において、 前記処理板表面から出没可能配置され、基板の受け渡し
を行うための複数のピンと、 前記異常発生みなし手段により異常が発生したものとみ
なされたとき前記ピンを処理板表面から突き出し再び処
理板表面より没入させる没入手段とを具備することを特
徴とする処理装置。
7. The processing apparatus according to claim 1, wherein a plurality of pins are disposed so as to be able to protrude and retract from the surface of the processing plate and transfer the substrate, and the abnormality is regarded as having occurred by the abnormality occurrence determination means. And an immersion means for projecting the pin from the surface of the processing plate and immersing the pin again from the surface of the processing plate.
【請求項8】 請求項7に記載の処理装置において、 前記没入手段が前記ピンを処理板表面から突き出し再び
処理板表面より没入させた後に、前記温度センサにより
検出された温度が所定以上変化しないとき、前記基板が
不良または前記基板にゴミが付着したものとみなす手段
を具備することを特徴とする処理装置。
8. The processing apparatus according to claim 7, wherein the temperature detected by the temperature sensor does not change by more than a predetermined amount after the immersion means projects the pin from the surface of the processing plate and immerses the pin again from the surface of the processing plate. A processing unit for determining that the substrate is defective or that dust is attached to the substrate.
【請求項9】 請求項1に記載の処理装置において、 前記異常発生みなし手段により異常が発生したものとみ
なされたとき前記処理板に振動を付与する手段を具備す
ることを特徴とする処理装置。
9. The processing apparatus according to claim 1, further comprising: means for applying vibration to the processing plate when the abnormality occurrence deeming means determines that an abnormality has occurred. .
【請求項10】 請求項9に記載の処理装置において、 前記処理板が、基板を冷却処理するものであることを特
徴とする処理装置。
10. The processing apparatus according to claim 9, wherein the processing plate cools a substrate.
【請求項11】 請求項1に記載の処理装置において、 前記案内部材の前記基板載置位置側の壁面のほぼ垂直部
分の高さが1mmを越えることを特徴とする処理装置。
11. The processing apparatus according to claim 1, wherein a height of a substantially vertical portion of a wall surface of the guide member on the substrate mounting position side exceeds 1 mm.
【請求項12】 請求項1に記載の処理装置において、 前記異常発生みなし手段により異常が発生したものとみ
なすために前記温度センサにより検出される温度変化
は、前記温度センサにより検出された温度と予め定めら
れた温度との比較によって行われることを特徴とする処
理装置。
12. The processing apparatus according to claim 1, wherein the temperature change detected by the temperature sensor for deeming that the abnormality has occurred by the abnormality occurrence deeming unit is equal to the temperature detected by the temperature sensor. A processing device which is performed by comparing with a predetermined temperature.
【請求項13】 請求項1に記載の処理装置において、 前記異常発生みなし手段により異常が発生したものとみ
なすために前記温度センサにより検出される温度変化
は、前記温度センサにより検出された温度の変化と予め
定められた変化温度との比較によって行われることを特
徴とする処理装置。
13. The processing apparatus according to claim 1, wherein the temperature change detected by the temperature sensor for deeming that the abnormality has occurred by the abnormality occurrence deeming unit is a temperature change of the temperature detected by the temperature sensor. A processing device which is performed by comparing a change with a predetermined change temperature.
【請求項14】 基板を加熱処理または冷却処理する処
理装置において、 基板が表面に載置され、載置された基板を加熱処理また
は冷却処理する処理板と、 前記処理板上の基板載置位置を取り囲むように処理板上
に設けらた基板案内用の案内部材と、 前記処理板の基板載置位置の中心から所定距離離れた位
置に設けられた温度センサと、 前記処理板上に基板が載置された際の前記温度センサに
より検出された温度に基づき、前記処理板上に搬送され
た基板の前記基板載置位置からのずれ位置を推定する手
段とを具備することを特徴とする処理装置。
14. A processing apparatus for performing a heat treatment or a cooling treatment on a substrate, wherein the substrate is placed on the surface, a treatment plate for performing a heat treatment or a cooling treatment on the placed substrate, and a substrate placement position on the treatment plate A guide member for guiding the substrate provided on the processing plate so as to surround the processing plate; a temperature sensor provided at a predetermined distance from the center of the substrate mounting position of the processing plate; and a substrate on the processing plate. Means for estimating a position of the substrate conveyed on the processing plate, which is shifted from the substrate mounting position, based on a temperature detected by the temperature sensor when the substrate is mounted. apparatus.
【請求項15】 基板を加熱処理または冷却処理する処
理装置において、 基板が表面に載置され、載置された基板を加熱処理また
は冷却処理する処理板と、 前記処理板上の基板載置位置を取り囲むように処理板上
に設けらた基板案内用の案内部材と、 前記処理板のそれぞれ別個の位置に設けられた複数の温
度センサと、 前記処理板上に基板が載置された際の前記各温度センサ
により検出された温度の差異に基づき、前記処理板上に
搬送された基板の前記基板載置位置からのずれ位置を推
定する手段とを具備することを特徴とする処理装置。
15. A processing apparatus for performing a heat treatment or a cooling treatment on a substrate, wherein the substrate is placed on a surface, a treatment plate for performing a heat treatment or a cooling treatment on the placed substrate, and a substrate placement position on the treatment plate. A guide member for guiding the substrate provided on the processing plate so as to surround the processing plate, a plurality of temperature sensors provided at respective different positions on the processing plate, and when a substrate is placed on the processing plate. A processing unit for estimating a position of the substrate conveyed on the processing plate, which is shifted from the substrate mounting position, based on a difference between the temperatures detected by the temperature sensors.
【請求項16】 請求項15に記載の処理装置におい
て、 前記温度センサが、前記処理基板上の3カ所以上の位置
に設けられていることを特徴とする処理装置。
16. The processing apparatus according to claim 15, wherein the temperature sensor is provided at three or more positions on the processing substrate.
【請求項17】 基板が表面に載置され、載置された基
板を加熱処理または冷却処理する処理板と、前記処理板
上の基板載置位置を取り囲むように処理板上に設けらた
基板案内用の案内部材と、前記処理板の所定の位置に設
けられた温度センサと、前記処理板上に基板が載置され
た際の前記温度センサにより検出された温度が所定以上
変化しないとき、前記処理板上に搬送された基板が前記
基板載置位置に正確に載置されていないものとみなす手
段とを具備する複数の処理装置と、 少なくとも前記処理装置間で基板を受け渡しするための
搬送装置と、 1つの前記処理装置で前記処理板上に搬送された基板が
前記基板載置位置に正確に載置されていないものとみな
されたとき、当該処理装置による処理を禁止して残りの
処理装置で処理を行わせる手段とを具備することを特徴
とする処理システム。
17. A processing plate on which a substrate is mounted on a front surface, a processing plate for heating or cooling the mounted substrate, and a substrate provided on the processing plate so as to surround a substrate mounting position on the processing plate. A guide member for guidance, a temperature sensor provided at a predetermined position on the processing plate, and when a temperature detected by the temperature sensor when a substrate is placed on the processing plate does not change by a predetermined amount or more, A plurality of processing apparatuses including means for assuming that the substrate conveyed on the processing plate is not correctly placed at the substrate mounting position; and a transfer for transferring the substrate between at least the processing apparatuses. When the substrate conveyed on the processing plate by one of the processing devices is regarded as not being accurately placed at the substrate mounting position, the processing by the processing device is prohibited and the remaining Let the processing equipment do the processing Processing system characterized by comprising a means.
【請求項18】 基板が表面に載置され、載置された基
板を加熱処理または冷却処理する処理板と、前記処理板
上の基板載置位置を取り囲むように処理板上に設けらた
基板案内用の案内部材と、前記処理板の所定の位置に設
けられた温度センサと、前記処理板上に基板が載置され
た際の前記温度センサにより検出された温度が所定以上
変化しないとき、前記処理板上に搬送された基板が前記
基板載置位置に正確に載置されていないものとみなす手
段とを具備する複数の処理装置と、 少なくとも前記処理装置間で基板を受け渡しするための
搬送装置と、 1つの前記処理装置で前記処理板上に搬送された基板が
前記基板載置位置に正確に載置されていないものと連続
してみなされたとき、当該処理装置による処理を禁止し
て残りの処理装置で処理を行わせる手段とを具備するこ
とを特徴とする処理システム。
18. A processing plate on which a substrate is mounted on a surface, a processing plate for heating or cooling the mounted substrate, and a substrate provided on the processing plate so as to surround a substrate mounting position on the processing plate. A guide member for guidance, a temperature sensor provided at a predetermined position on the processing plate, and when a temperature detected by the temperature sensor when a substrate is placed on the processing plate does not change by a predetermined amount or more, A plurality of processing apparatuses including means for assuming that the substrate conveyed on the processing plate is not correctly placed at the substrate mounting position; and a transfer for transferring the substrate between at least the processing apparatuses. And when the substrate conveyed on the processing plate by one of the processing devices is continuously regarded as not correctly placed on the substrate mounting position, the processing by the processing device is prohibited. Processing with the remaining processing equipment Processing system characterized by comprising a means for causing.
【請求項19】 基板が表面に載置され、載置された基
板を加熱処理または冷却処理する処理板と、前記処理板
上の基板載置位置を取り囲むように処理板上に設けらた
基板案内用の案内部材と、前記処理板の所定の位置に設
けられた温度センサと、前記処理板上に基板が載置され
た際の前記温度センサにより検出された温度が所定以上
変化しないとき、前記処理板上に搬送された基板が前記
基板載置位置に正確に載置されていないものとみなす手
段とを具備する複数の処理装置と、 少なくとも前記処理装置間で基板を受け渡しするための
搬送装置と、 1つの前記処理装置で前記処理板上に搬送された基板が
前記基板載置位置に正確に載置されていないものとみな
されたとき、当該処理装置による処理された基板にマー
キングを施す手段とを具備することを特徴とする処理シ
ステム。
19. A processing plate on which a substrate is mounted on a surface, a processing plate for heating or cooling the mounted substrate, and a substrate provided on the processing plate so as to surround a substrate mounting position on the processing plate. A guide member for guidance, a temperature sensor provided at a predetermined position on the processing plate, and when a temperature detected by the temperature sensor when a substrate is placed on the processing plate does not change by a predetermined amount or more, A plurality of processing apparatuses including means for assuming that the substrate conveyed on the processing plate is not correctly placed at the substrate mounting position; and a transfer for transferring the substrate between at least the processing apparatuses. When the substrate conveyed on the processing plate by one of the processing devices is regarded as not being accurately placed at the substrate mounting position, marking is performed on the substrate processed by the processing device. Means to apply Processing system characterized by.
【請求項20】 基板が表面に載置され、載置された基
板を加熱処理または冷却処理する処理板と、前記処理板
上の基板載置位置を取り囲むように処理板上に設けらた
基板案内用の案内部材とを具備する処理装置内で、前記
処理板上に搬送された基板が前記基板載置位置に正確に
載置されているかどうか判別する方法であって、 前記処理板の所定位置の温度を検出する工程と、 前記検出された温度が所定以上変化しないとき、前記処
理板上に搬送された基板が前記基板載置位置に正確に載
置されていないものとみなす工程とを具備することを特
徴とする判別方法。
20. A processing plate on which a substrate is mounted on a surface, a processing plate for heating or cooling the mounted substrate, and a substrate provided on the processing plate so as to surround a substrate mounting position on the processing plate. In a processing apparatus having a guide member for guiding, a method for determining whether or not a substrate transported on the processing plate is accurately placed at the substrate mounting position, comprising: Detecting the temperature of the position, and, when the detected temperature does not change by a predetermined amount or more, a step of deeming that the substrate conveyed on the processing plate is not accurately placed at the substrate mounting position A discrimination method characterized by comprising:
【請求項21】 基板が表面に載置され、載置された基
板を加熱処理または冷却処理する処理板と、前記処理板
上の基板載置位置を取り囲むように処理板上に設けらた
基板案内用の案内部材とを具備する処理装置内で、前記
処理板上に搬送された基板の前記基板載置位置からのず
れ位置を検出する方法であって、 前記処理板の所定位置の温度を検出する工程と、 前記検出された温度に基づき、前記処理板上に搬送され
た基板の前記基板載置位置からのずれ位置を推定する工
程とを具備することを特徴とする検出方法。
21. A processing plate on which a substrate is mounted on a surface, a processing plate for heating or cooling the mounted substrate, and a substrate provided on the processing plate so as to surround a substrate mounting position on the processing plate. A method for detecting a position of a substrate conveyed on the processing plate, which is shifted from the substrate mounting position, in a processing apparatus having a guide member for guiding, wherein a temperature of a predetermined position of the processing plate is determined. A detection method, comprising: a step of detecting; and a step of estimating, based on the detected temperature, a position of a substrate conveyed on the processing plate from a position at which the substrate is placed.
【請求項22】 基板が表面に載置され、載置された基
板を加熱処理または冷却処理する処理板と、前記処理板
上の基板載置位置を取り囲むように処理板上に設けらた
基板案内用の案内部材とを具備する処理装置内で、前記
処理板上に搬送された基板の前記基板載置位置からのず
れ位置を検出する方法であって、 前記処理板の複数位置の温度を検出する工程と、 前記検出された複数位置での温度の差異に基づき、前記
処理板上に搬送された基板の前記基板載置位置からのず
れ位置を推定する工程とを具備することを特徴とする検
出方法。
22. A processing plate on which a substrate is mounted on a surface, a processing plate for heating or cooling the mounted substrate, and a substrate provided on the processing plate so as to surround a substrate mounting position on the processing plate. In a processing apparatus having a guide member for guiding, a method of detecting a shift position of a substrate conveyed on the processing plate from the substrate mounting position, wherein a temperature of a plurality of positions of the processing plate is detected. Detecting, based on a difference between the detected temperatures at the plurality of positions, a step of estimating a shift position of the substrate transported on the processing plate from the substrate mounting position, Detection method.
【請求項23】 載置された基板を加熱処理または冷却
処理する処理板と、 この処理板と前記基板とを所定の間隔に維持するシート
と、 前記処理板の所定の位置に設けられた温度センサと、 前記処理板上に基板が載置された際に前記温度センサに
より検出された温度が所定値以上変化しないとき、異常
と判断及び/または前記処理板上に基板を再載置するよ
う判断する制御機構とを具備することを特徴とする処理
装置。
23. A processing plate for heating or cooling the mounted substrate, a sheet for maintaining the processing plate and the substrate at a predetermined distance, and a temperature provided at a predetermined position on the processing plate. A sensor, when the temperature detected by the temperature sensor does not change by a predetermined value or more when the substrate is mounted on the processing plate, it is determined that the temperature is abnormal and / or the substrate is mounted again on the processing plate. A processing device, comprising: a control mechanism for determining.
【請求項24】 請求項23に記載の処理装置におい
て、 前記処理板には、発熱機構が複数設けられ、その発熱機
構には各々温度センサが設けられ、前記処理板上に基板
が載置された際に前記各温度センサにより検出された温
度の正常とみなす許容範囲は各々異なることを特徴とす
る処理装置。
24. The processing apparatus according to claim 23, wherein the processing plate is provided with a plurality of heat generating mechanisms, each of the heat generating mechanisms is provided with a temperature sensor, and a substrate is mounted on the processing plate. In this case, the allowable range of the temperature detected by each of the temperature sensors is considered to be normal.
【請求項25】 請求項23に記載の処理装置におい
て、 前記処理板上に基板が載置された際に前記各温度センサ
により検出された温度により搬送装置及び/または支持
ピンにより基板の位置ずれを修正出来ない要因に起因す
る原因か否かを判断することを特徴とする処理装置。
25. The processing apparatus according to claim 23, wherein the substrate is displaced by a transfer device and / or a support pin according to a temperature detected by each of the temperature sensors when the substrate is placed on the processing plate. A processing device that determines whether or not the cause is caused by a factor that cannot be corrected.
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