JP2007194508A - Substrate transport device, substrate transport method, and computer program - Google Patents
Substrate transport device, substrate transport method, and computer program Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007194508A JP2007194508A JP2006013141A JP2006013141A JP2007194508A JP 2007194508 A JP2007194508 A JP 2007194508A JP 2006013141 A JP2006013141 A JP 2006013141A JP 2006013141 A JP2006013141 A JP 2006013141A JP 2007194508 A JP2007194508 A JP 2007194508A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- transfer
- gas
- transport
- wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
Description
本発明は、空気などの気体により基板を浮上させながら搬送する基板搬送装置、基板搬送方法及びその方法を実施するためのコンピュータプログラムに関する。 The present invention relates to a substrate transfer apparatus, a substrate transfer method, and a computer program for carrying out the method, which transfer a substrate while floating with a gas such as air.
半導体製造プロセスにおける基板の搬送機構としては、搬送アームが主流であるが、搬送アームを進退させる機構や搬送路に沿って搬送するための機構などが必要である。基板サイズが大型化するとそれらの機構も大型化し、例えば半導体ウエハのサイズが12インチあるいは16インチにもなると、それらの機構における駆動部もかなり大掛かりになり、この駆動部の磨耗により発生するパーティクルが基板に付着することを抑えるために専用の排気流を形成するなどの発塵対策にも工夫が必要になってくる。一方、半導体製造装置も基板の大型化にともなって大型化してくることから、できるだけ構造の簡素化を図る要請が大きくなっている。 As a substrate transport mechanism in a semiconductor manufacturing process, a transport arm is the mainstream, but a mechanism for moving the transport arm back and forth, a mechanism for transporting along a transport path, and the like are necessary. As the substrate size increases, these mechanisms also increase. For example, when the size of a semiconductor wafer becomes 12 inches or 16 inches, the drive section in those mechanisms becomes considerably large, and particles generated by wear of the drive section are generated. In order to suppress adhesion to the substrate, it is necessary to devise measures for dust generation such as forming a dedicated exhaust flow. On the other hand, since the size of the semiconductor manufacturing apparatus is increased with the increase in size of the substrate, there is an increasing demand for simplifying the structure as much as possible.
こうした観点からすれば、基板の搬送機構としてエアーにより浮上させて搬送させる手法は装置を薄型にできることから得策である。この手法は広く知られている。例えば特許文献1には搬送路を形成する扁平構造体と、その扁平構造体の下面全体を覆うようにカバーが設けられた搬送機構について示されており、基板の搬送面をなすその偏平構造体の上面には、斜め上方に向かう多数の細孔が搬送路に沿って形成されている。この搬送機構においては、そのカバーと扁平構造体とに囲まれる通気室にエアーが供給され、その通気室に供給されたエアーが前記細孔から吐出することにより搬送面に載置された基板が浮上すると共にこのエアーの推力を受けて搬送路に沿って移動する。また特許文献2にもこれと略同様な構成を有する搬送機構について示されている。
From this point of view, the method of floating and transporting with air as the substrate transport mechanism is advantageous because the apparatus can be made thin. This technique is widely known. For example,
しかしこのようにエアーにより浮上した基板は摩擦力が作用していないため不安定な状態であり、僅かな力の作用により移動中に左右方向に位置ずれを起こしやすく、位置決めされた安定した状態で搬送することが難しい。位置ずれを起こした基板は、搬送路から飛び出したり、また搬送路の左右に飛び出しを防ぐためのガイドが設けられている場合はそのガイドに衝突したりすることで衝撃を受けて、その被処理面が影響を受けるおそれがある。 However, the substrate that has been levitated by air in this way is in an unstable state because no frictional force is acting on it, and it is likely to be displaced in the horizontal direction during movement due to the action of a slight force, and in a stable and positioned state. Difficult to carry. A substrate that has been misaligned will be ejected from the transport path, and if guides are provided on the left and right sides of the transport path to prevent the projecting, it will be impacted by colliding with the guide, and the substrate will be processed. The surface may be affected.
また通気室に供給されたエアーは、搬送面を下方から押圧するためその搬送面において高い圧力を受ける箇所が次第に盛り上がり、その盛り上がった箇所の周囲におけるエアーの吐出方向が変化するおそれがある。そしてこの吐出方向の変化によって既述のような移動中における基板の位置ずれがさらに起こりやすくなるおそれがある。
例えば基板に対してレジストの塗布及び現像を行う塗布、現像装置においては、処理ユニットの数が多いことから例えば処理ブロックを積層すると共に、運用の都合上処理ユニットの配置されたブロック内を直通搬送することも検討されており、このように長い距離を搬送する場合には気体浮上型の搬送機構は薄型であることから有利であると考えられるが、上述の課題があることから適用が阻まれている。
Further, since the air supplied to the ventilation chamber presses the conveyance surface from below, a portion receiving high pressure on the conveyance surface gradually rises, and there is a possibility that the air discharge direction around the raised portion changes. The change in the ejection direction may cause the substrate to be displaced more easily during the movement as described above.
For example, in a coating / developing apparatus that performs resist coating and development on a substrate, the number of processing units is large. For example, processing blocks are stacked and conveyed directly through the block where processing units are arranged for operational convenience. However, when transporting such a long distance, the gas floating type transport mechanism is considered to be advantageous because it is thin. ing.
本発明は、このような事情のもとになされたものであり、その目的は、基板を安定して搬送することのできる気体浮上型の基板搬送装置、基板搬送方法及びその方法を実施するコンピュータプログラムを提供することにある。 The present invention has been made under such circumstances, and an object of the present invention is to provide a gas floating substrate transport apparatus, a substrate transport method, and a computer that implements the method, which can transport the substrate stably. To provide a program.
本発明の基板搬送装置は、気体を吐出して、基板を搬送路の搬送面から浮上させながら搬送する基板搬送装置において、基板の搬送方向に沿って伸び、横断面で見たときに、中央部に向かうにつれて低くなると共に両端の高さが浮上した基板の高さと同じかそれよりも高い搬送面を備えた搬送路形成部材と、基板の搬送面に基板の搬送方向に沿って設けられ、上方に向けて気体を吐出し、基板を浮上させる気体吐出孔群と、を備えたことを特徴とする。 The substrate transfer device of the present invention is a substrate transfer device that discharges gas and transfers the substrate while floating from the transfer surface of the transfer path. The substrate transfer device extends along the transfer direction of the substrate and is centered when viewed in a cross section. A transport path forming member having a transport surface that is lower or higher as the height of the substrate rises toward the part, and is equal to or higher than the height of the substrate, and is provided along the transport direction of the substrate on the transport surface of the substrate, And a gas discharge hole group for discharging gas upward and floating the substrate.
基板の搬送面は、例えば横断面で見たときに下方側に湾曲している。気体吐出孔群は、搬送路の中心線を挟んで左右両側について対となるように設けられていると共に搬送路の中央側に向けて斜め上方に気体を吐出する気体吐出孔を含む場合があり、さらに浮上した基板を、搬送路の一端から他端に向けて搬送するように、搬送路の他端側に向けて上方斜めに気体を吐出する気体吐出孔を含む場合がある。さらに搬送路部材の下方には基板の搬送方向に沿って気体吐出孔群に気体を供給するための、互いに区画された複数の通気路が設けられていてもよい。 The transport surface of the substrate is curved downward when viewed in a cross section, for example. The gas discharge hole group may include a gas discharge hole that is provided as a pair on both the left and right sides across the center line of the transport path and discharges gas obliquely upward toward the center side of the transport path. Further, in some cases, the substrate may further include a gas discharge hole for discharging gas obliquely upward toward the other end side of the transfer path so as to transfer the floated substrate from one end of the transfer path toward the other end. Furthermore, a plurality of air passages partitioned from each other for supplying gas to the gas ejection hole group along the substrate transport direction may be provided below the transport path member.
基板の搬送路を搬送方向に複数に分割して形成した各分割区域毎に気体吐出孔からの気体の吐出、停止を独立して行うための開閉手段と、基板の搬送路上における搬送方向の位置を検出する位置検出手段と、この位置検出手段による検出結果に基づいて、各分割区域の気体の吐出、停止を開閉手段を介して制御する制御部と、を備えていてもよく、この場合前記位置検出手段は、例えば前記分割領域の各々に設けられ、基板の有無を検出する基板検出センサである。また基板搬送装置は、搬送路からの基板の高さを検出する高さ検出手段と、この高さ検出手段の検出結果に基づいて基板が予め設定した高さに位置しているか否かを判定する手段と、を備えていてもよい。 Opening / closing means for independently discharging and stopping gas from the gas discharge holes in each divided area formed by dividing the substrate conveyance path into a plurality of divisions in the conveyance direction, and the position in the conveyance direction on the substrate conveyance path And a control unit for controlling the discharge and stop of the gas in each divided area via the opening / closing means based on the detection result by the position detection means. The position detection means is, for example, a substrate detection sensor that is provided in each of the divided regions and detects the presence or absence of the substrate. Further, the substrate transfer device determines whether or not the substrate is located at a preset height based on the height detection means for detecting the height of the substrate from the transfer path and the detection result of the height detection means. And a means for performing.
本発明の基板搬送方法は、基板の搬送方向に沿って伸び、横断面で見たときに、中央部に向かうにつれて低くなると共に両端の高さが浮上した基板の高さと同じかそれよりも高い搬送面を備えた搬送路形成部材上に基板を位置させる工程と、基板の搬送面に基板の搬送方向に沿って設けられた気体吐出孔群から上方に向けて気体を吐出して基板を搬送面から浮上させて搬送する工程と、を含むことを特徴とする。 The substrate transfer method of the present invention extends along the substrate transfer direction, and when viewed in a cross section, it becomes lower toward the center and the height of both ends is equal to or higher than the height of the substrate that has floated. A step of positioning the substrate on a conveyance path forming member having a conveyance surface, and conveying the substrate by discharging gas upward from a group of gas ejection holes provided along the conveyance direction of the substrate on the conveyance surface of the substrate And a process of floating and conveying from the surface.
例えば基板を搬送面から浮上させて搬送する工程は、例えば搬送路の中心線を挟んで左右両側について対となるように設けられた気体吐出孔群から搬送路の中央側に向けて斜め上方に気体を吐出する工程を含む場合があり、また搬送路の中心線を挟んで左右両側について対となるように設けられた気体吐出孔群から搬送路の一端から他端に向けて搬送するように、搬送路の他端側に向けて上方斜めに気体を吐出する工程を含む場合がある。 For example, the step of transporting the substrate by floating from the transport surface is, for example, obliquely upward from a group of gas discharge holes provided in pairs on the left and right sides across the center line of the transport path toward the center of the transport path. It may include a step of discharging gas, and it is transported from one end of the transport path to the other end from a group of gas discharge holes provided in pairs on the left and right sides across the center line of the transport path In some cases, the method may include a step of discharging gas obliquely upward toward the other end side of the conveyance path.
また前記搬送方法は、搬送路部材の下方に基板の搬送方向に沿って設けられた、気体吐出孔群に気体を供給するための、互いに区画された複数の通気路に気体を供給する工程を含んでいてもよく、さらに基板の搬送路上における搬送方向の位置を検出する工程と、基板の搬送路を搬送方向に複数に分割して形成した各分割区域の気体の吐出、停止の制御を、前記工程による検出結果に基づいて行う工程と、を備えていてもよい。 Further, the transport method includes a step of supplying gas to a plurality of mutually separated ventilation paths for supplying gas to the gas discharge hole group provided below the transport path member along the transport direction of the substrate. A step of detecting the position in the transport direction on the transport path of the substrate, and control of gas discharge and stop in each divided area formed by dividing the transport path of the substrate into a plurality of transport directions, A step of performing based on the detection result of the step.
本発明のコンピュータプログラムは気体を吐出して、基板を搬送路の搬送面から浮上させながら搬送する基板搬送装置に用いられるコンピュータプログラムであって、上述の基板の搬送方法を実施するためのステップ群が組まれていることを特徴とする。 The computer program of the present invention is a computer program used for a substrate transport apparatus that transports a gas while discharging a substrate from a transport surface of a transport path, and includes a group of steps for carrying out the above-described substrate transport method It is characterized by being assembled.
本発明によれば、基板の搬送路形成部材を、横断面で見たときに、中央部に向かうにつれて低くなると共に両端の高さが浮上した基板の高さと同じかそれよりも高い搬送面を備えるように構成し、その搬送面に基板の搬送方向に沿って上方に向けて気体を吐出する気体吐出孔群を形成している。基板を浮上させるために搬送面上に吐出された気体は、搬送面上に貯留され、搬送される基板の周囲を囲むように層を形成して、当該基板は左右からこの貯留された気体の圧力を受けながら搬送路の中央部を搬送される。この基板に搬送路の左右に向かう力が作用して基板が左右に位置ずれを起こしても基板と搬送面との間の距離が近くなることで、その間の圧力が高くなり、基板は搬送路の中央部に向かう力を受けて再び搬送路の中央部に移動する。従って基板が搬送路から飛び出すことが抑えられ、基板を安定して搬送することができる。 According to the present invention, when the transport path forming member of the substrate is viewed in a cross section, the transport surface becomes lower as it goes toward the center and the height of both ends is equal to or higher than the height of the surfacing substrate. The gas discharge hole group which discharges gas toward the upper direction along the conveyance direction of a board | substrate is formed in the conveyance surface. The gas discharged on the transfer surface to float the substrate is stored on the transfer surface, and a layer is formed so as to surround the periphery of the transferred substrate. It is transported through the center of the transport path while receiving pressure. Even if the substrate moves to the left and right due to the force acting toward the left and right of the transport path on this substrate, the distance between the substrate and the transport surface becomes closer, so the pressure between them increases, and the substrate In response to the force toward the central portion of the paper, it again moves to the central portion of the transport path. Accordingly, it is possible to suppress the substrate from jumping out of the transport path, and it is possible to transport the substrate stably.
図1は、本発明の実施の形態に係る基板搬送装置を示す図であり、同図中1は基板の搬送路を形成する搬送路部材である長尺な搬送路プレートである。この搬送路プレート1は、水平に設けられており、その上面は基板の搬送面10をなす。搬送路プレート1は左右対称な形状になるように湾曲され、その搬送面10は、その左右両側(図1中上下側)から中央部側に向かうに従って下方に向かい、搬送路の中心を挟んで左右対称な湾曲面として形成されている。この搬送路プレート1は、一端側(図1中左端側)及び他端側が夫々搬入用の受け渡し台2及び搬出用の受け渡し台3をなすものである。搬入用の受け渡し台2は、外部の馬蹄形の搬送アーム20から基板である半導体ウエハW(以下ウエハという)が搬入される部位であり、搬送アーム20と受け渡し台2との間でウエハの受け渡しができるように3本の昇降ピン21が突出、没入自在に設けられている。また搬出用の受け渡し台3についても同様に3本の昇降ピン31が突出、没入自在に設けられており、図示しない搬送アームと受け渡し台3との間でウエハWの受け渡しができるように構成されている。
FIG. 1 is a view showing a substrate transfer apparatus according to an embodiment of the present invention. In FIG. 1,
また搬送路プレート1は搬送方向に複数に分割されており、図1では受け渡し台2、3も含めて8個に分割されている。この分割された領域を分割区域と呼ぶことにすると、搬送路プレート1の一端側から8つの分割区域S1〜S8が配列されていることになる(分割区域S1、S8は夫々受け渡し台2、3に相当する)。
Further, the
搬送路プレート1の分割領域S1〜S7には、当該搬送路プレート1の表裏を貫通する気体吐出孔4が幅方向に複数配列されており(図1では便宜上4個としてある)、この気体吐出孔4の配列群が長さ方向つまり搬送方向に沿って多数配列されている。搬送面10の中央側には搬送路の中心線を挟んで互いに対となる気体吐出孔4a,4aが設けられ、これら気体吐出孔4a,4aを挟むように互いに対となる気体吐出孔4b,4bが設けられている。図2に示すようにこれらの気体吐出孔4(4a,4b)は、搬送路の一端側(受け渡し台2)から他端側(受け渡し台3)に向かって斜め上方に気体を吐出し、ウエハWを浮上させると共に浮上して摩擦力がゼロになったウエハWに推力を与えて、前記受け渡しアーム20により搬送路の中央に受け渡されたウエハWを、この搬送路の中央部に沿って受け渡し台3に向かって搬送できるように板の厚さ方向に対して傾いて穿孔されている。
In the divided areas S1 to S7 of the
図3を参照して搬送面10及び気体吐出孔4について説明する。この図3は搬送路プレート1の幅方向の横断平面を示している。例えばこの図に示すように各気体吐出孔4は、その横断面が搬送面10と直交するように穿孔されており、各気体吐出孔4は搬送路の他端側(受け渡し台3側)に向けて気体を吐出すると共に図中矢印で示すように搬送路の中央側に向けて斜め上方に気体を吐出するように穿孔されている。また搬送路の内側の気体吐出孔4a,4a及びその外側の4b,4bは互いに搬送路の中心に対して左右対称に形成されており、浮上したウエハWは、これら気体吐出孔4a,4bから吐出される気体により搬送路の中心に向かう力を受けながら搬送路の中央部に沿って受け渡し台3に向かって搬送される。また分割領域S2〜S7において搬送路の両側縁には図1及び図3に示すようにウエハWの軌道が左右に外れたときに落下しないように夫々ガイド部材11、12が設けられており(図1では、片方のガイド部材12は省略してある)、このガイド部材11,12の内側の面は例えば搬送路プレート1の搬送面10に連続し、搬送面10を実質的に上方に延長するように設けられている。
The
そしてウエハWの搬送時に気体吐出孔4から上方に気体が吐出されると、吐出された気体は、図4(a)に点線で示すように搬送面10上に貯留されて、浮上したウエハWの下面及び側面を取り巻くような層を形成する。この搬送中に例えばウエハWが左に位置ずれを起こし、図4(b)に示すように搬送路の左側のガイド11に衝突しそうになるとガイド11とウエハWとの間の気体が押圧され、このガイド11とウエハWとの間における圧力が高くなる。この押圧された気体の圧力によりウエハWは右側、つまり搬送路の中央側に向かう力を受けて図4(c)に示すようにガイド11に当接することなく、当該ガイドから離れて再び搬送路の中央部に戻り、当該中央部に沿って下流側に搬送される。
Then, when the gas is discharged upward from the
なおこの例においては気体吐出孔4a、4bから吐出される気体は搬送路の中心に向かうことでウエハWに搬送路の中心に向かう力を与えてより確実にウエハWが搬送路の中央部に沿って搬送されるようにしているが、既述のような気体の層を搬送面10上に形成するためには既述のように各気体吐出孔4の気体の吐出方向が搬送路の中心に向いていなくてもよく、例えば図3において気体吐出孔4の横断面が、真上に向かうように穿孔されていてもよい。また気体吐出孔4a,4bの片方のみが受け渡し台3側に向けて気体を吐出し、ウエハWに当該受け渡し台3に向かう推力を与えるような構成であってもよい。
またこの例においては浮上したウエハWの高さ位置をガイド11,12に挟まれる位置に設定しているが、図5に示すように気体吐出孔4から浮上したウエハWの高さ位置が、搬送路プレート1の搬送面10の上端と同じかそれよりも低くなるように設定してもよい。
In this example, the gas discharged from the
In this example, the height position of the wafer W that has floated is set to a position between the
なお図6にhで示す、この搬送路プレート1における搬送面10の中心と搬送面10の左右両端との間の高さは例えば0.3mm〜0.5mmであり、搬送面10の幅の大きさh2(搬送面10の左端と右端との距離)は例えば300mm〜350mmである。また水平軸に対してこの搬送路の中心と搬送面10の左右両端とを結ぶ線分のなす角θは例えば0.1度〜0.3度である。
In addition, the height between the center of the
続いて搬送路の終端部であるウエハ搬出用の受け渡し台3について図7(a)をも参照しながら説明する。この受け渡し台3にはウエハWの外縁に対応する位置よりもウエハWの中心に寄った位置にて前記中心を中心とする円に沿って周方向に複数例えば6個の位置合わせ用気体吐出孔51が配列されている。更に前記円よりも小さい同心円に沿って環状溝52が形成されると共にこの環状溝52から各位置合わせ用気体吐出孔51に向かうように放射状に、この受け渡し台3上においてウエハWを位置合わせするための位置合わせ用気流形成溝53が形成されている。また環状溝52の底面において例えば各位置合わせ用気流形成溝53の中央方向への延長上には吸引孔54が設けられており、図2に示すように搬送路プレート1の裏面においてこの吸引孔54には排気管55の一端が接続されている。排気管55の他端は、後述の通気室49の外部へと伸長し、バルブV9を介して例えば真空ポンプなどの吸引手段56に接続されている。
Next, the transfer table 3 for carrying out the wafer, which is the terminal portion of the transfer path, will be described with reference to FIG. The transfer table 3 includes a plurality of, for example, six alignment gas discharge holes in a circumferential direction along a circle centered on the center at a position closer to the center of the wafer W than a position corresponding to the outer edge of the wafer W. 51 are arranged. Further, an
そしてウエハWが、搬送路の下流側へと向かって搬送され、分割区域S7からこの受け渡し台4上にウエハWが搬送されると通気室49を介して気体吐出孔51からエアーが吐出される。また例えばこのエアーの吐出と略同時に吸引孔54から吸引排気が行われて図7(b)に矢印で示すように各気体吐出孔51から気流形成溝53を通り対応する吸引孔54に向かう気流が形成される。受け渡し台3に搬送されたウエハWは、この気流に乗って受け渡し台3上において浮上した状態で所定の位置に位置合わせされて静止する。
Then, the wafer W is transferred toward the downstream side of the transfer path, and when the wafer W is transferred from the divided section S7 onto the delivery table 4, air is discharged from the
気体吐出孔4、51は、分割区域S1〜S8毎に独立して気体を吐出、制御できるよう構成されている。即ち、図2及び図3に示すように搬送路プレート1の分割区域S1〜S7における下面側には通気路形成部材40が、分割区域毎に夫々複数、設けられており、また分割区域S8の下面側には通気室形成部材48が設けられている。図7はこの通気路形成部材40の斜視図であり、この図に示すように通気路形成部材40は、上面が開口した容器として形成されている。通気路形成部材40の内部にはブロック状の気流規制部材41,41が、この通気路形成部材40の長さ方向に沿って間隔をおいて各々並行に、また通気路形成部材40の側壁と間隔をおいて設けられることにより、気流規制部材41,41を取り巻くように通気路42が形成されている。そして図3に示すように気体吐出孔4群の入口側がこの通気路42に開口するように各通気路形成部材40は、分割領域S1〜S7に取り付けられている。なお通気路形成部材40の上面及び気流規制部材41の上面は搬送路プレート1の下面に沿って湾曲し、通気路42に流入した気体が通気路形成部材40の外部に漏れずに図4中矢印で示すように通気路42を流通して気体吐出孔4から吐出されるようになっている。
The gas discharge holes 4 and 51 are configured to discharge and control gas independently for each of the divided areas S1 to S8. That is, as shown in FIGS. 2 and 3, a plurality of ventilation
また前記通気室形成部材48は例えば分割区域S8の下面を覆うことにより分割区域S8の下部に中空領域である通気室49を形成し、各位置合わせ用気体吐出孔51の入り口側がこの通気室49に開口している。
The vent
各通気路形成部材40及び通気室形成部材48には通気路42及び通気室49に夫々連通するように気体供給管45が接続されており、各気体供給管45の上流側には、気体の供給、停止を行うための開閉手段であるバルブV1〜V8が介設されている。なおFはパーティクル除去用のフィルタである。各気体供給管45は、基端側が共通の配管46に接続されていて、流量調整部であるマスフローコントローラMFC及びバルブV10を介してエアーの供給源である気体供給源47に接続されている。
A
分割領域S1(S8)に関しては、図9に示すように通気路42,通気室49における昇降ピン21(31)の設置位置に対応する部位にスリーブ22a(32a)が配置されていて、通気路42,通気室49の下方から昇降ピン21(31)が、スリーブ22a(32a)内及び受け渡し台2(3)に形成された孔を介して昇降できるようになっている。なお図7中、23(33)は、昇降ピン21(31)を、支持部材24(34)を介して昇降させる昇降機構である。なお搬送路プレート1は一体のプレートで構成してもよいが、各分割区域S1〜S8を構成するプレートを連結した構造であってもよい。
For the divided region S1 (S8), as shown in FIG. 9, the sleeve 22a (32a) is disposed at a position corresponding to the installation position of the elevating pin 21 (31) in the
また分割区域S2〜S8には、ウエハWの搬送方向の位置を検出する位置検出手段をなす光センサである反射型センサあるいは静電容量センサからなるウエハ検出センサ5が設けられており、この例では分割領域S2〜S8における幅方向中央部かつ上流端に配置されている。各ウエハ検出センサ5は、図2に示すように制御部100に接続されており、制御部100は、これらウエハ検出センサ5からの検出信号に基づいてウエハWの位置を判断し、その判断結果(検出結果)に基づいてバルブV1〜V9を制御する例えばソフトウエアからなるプログラムを備えている。
In the divided areas S2 to S8, a
例えばこのプログラムは、分割区域S2〜S7において、一の分割区域のウエハ検出センサ5がウエハWを検出したときに当該分割区域に対応するバルブが開いて気体が吐出し、当該分割区域の一つ下流側の分割区域のウエハ検出センサ5がウエハWを検出しなくなったときに前記一の分割区域に対応するバルブが閉じて気体の吐出が停止するようにステップ群が組まれている。従って例えば分割区域S2に着目すると、この分割領域S2の入り口に設けられたウエハ検出センサ5がオンになったときにバルブV2が開き、一つ下流側の分割領域S3の入り口のウエハ検出センサ5がオンからオフになったときにバルブV2が閉じることになる。
For example, in this program, when the
なお制御部100は、例えばコンピュータからなるプログラム格納部を有しており、このプログラム格納部に前記プログラムが格納されることでこのプログラムが制御部100に読み出されて制御部100は、既述の各ステップを実行する。なおこのプログラムは、例えばハードディスク、コンパクトディスク、マグネットオプティカルディスク、メモリーカードなどの記録媒体に収納された状態でプログラム格納部に格納される。
The
また分割区域S1(搬入用の受け渡し台2)については、例えば昇降ピン21が上昇位置にありつまりウエハWが載置されている状態にあり、かつ搬出用の受け渡し台3にウエハWが存在しないときに例えば当該受け渡し台3の昇降ピン31が下降位置にあるときに、バルブV1が開かれて気体吐出孔4から気体が吐出すると共に、分割領域S2の入り口のウエハ検出センサ5がオンからオフになったときにバルブV1が閉じられて気体の吐出が停止する。更に分割領域S8(搬出用の受け渡し台3)については、当該分割区域S8の入り口のウエハ検出センサ5がオンになったときにバルブV8が開かれて気体吐出孔4から気体が吐出すると共に、昇降ピン31が上昇位置にあるときにバルブV8が閉じられる。前記プログラムは、このようなシーケンスが組まれるように構成されている。
In the divided area S1 (transfer table 2 for loading), for example, the lift pins 21 are in the raised position, that is, the wafer W is placed, and the wafer W is not present on the transfer table 3 for unloading. Sometimes, for example, when the raising / lowering
前記ガイド部材11、12には、例えば分割区域S2〜S8毎にウエハWの浮上高さを検出するための高さ検出手段が設けられている。この例では、図10に示すようにウエハWが正常に浮上しているときの高さh3(搬送面10の中心からの高さ)例えば0.5mmよりも低いレベルH1と高いレベルH2との夫々に光軸を有する高さ検出センサである透過型の光センサ13、14が配置されている。なお光センサ13(14)における発光部13a(14a)及び受光部13b(14b)は、夫々ガイド部材11、12に設けられている。
The
これら光センサ13あるいは14は、実際には、ウエハWの厚さよりも小さい間隔で上下に複数配列されていて、ウエハWがある高さゾーンに位置しているときに検出できるように構成される。
Actually, a plurality of these
前記受光部13b(14b)の出力は制御部100に送られ、制御部100は、いずれかの受光信号が検出されたときに、アラームを出力する機能を有している。また制御部100は、その受光信号に応じた表示、例えば受光部13bによりウエハWを検出したときには浮上力低下に応じた信号或いは表示を行い、また受光部14bによりウエハWを検出したときには浮上力が大きすぎた旨の信号或いは表示を行う機能を備えた構成としてもよい。
The output of the
また制御部100は、例えば分割区域S2のウエハ検出センサ5がウエハWを検出してから分割区域S8のウエハ検出センサ5がウエハWを検出するまでに経過した時間を計測する機能を有しており、例えば予め設定された時間が経過しても分割区域S8のウエハ検出センサ5がウエハWを検出しない場合は、搬送路においてウエハWの搬送が停止している旨のアラームを出力する機能を有している。
The
次に上述の実施の形態の作用について説明する。今、図1に示すように外部から搬送アーム20によりウエハWが保持されて、搬送路プレート1の一端側の搬入用の受け渡し台2の上方に位置したとすると、昇降ピン21が突出して搬送アーム20上のウエハWを突き上げて保持し、続いて搬送アーム20が退避し、昇降ピン21が下降してウエハWが受け渡し台2上に載置される。続いて搬送路プレート1の他端側の搬出用の受け渡し台3にウエハWが載置されていないことを条件にバルブV1(図2参照)が開かれて受け渡し台2の気体吐出孔4からエアーが吐出され、ウエハWが浮上する。図2、図3に示したように気体吐出孔4は、搬送路の中央側に向かうと共に受け渡し台3に向かって斜め上方にエアーを吐出するので前記ウエハWはこのエアーの圧力を受けて搬送路の中央部に位置合わせされながら搬送路プレート1の搬送面10上を滑るように受け渡し台3側に向けて移動し始める。
Next, the operation of the above embodiment will be described. As shown in FIG. 1, if the wafer W is held from the outside by the
ウエハWが搬入用の受け渡し台2の上に位置しているときには、他の分割区域S2〜S8におけるバルブV2〜V8は閉じていてエアーの吐出は行われていないが、ウエハWが分割区域S2の入り口を通過すると、そこに位置しているウエハ検出センサ5によりウエハWの通過を検出され、その結果、分割区域S2におけるバルブV2が開かれて気体吐出孔4からエアーが吐出される。そして吐出されたエアーは搬送面10及びガイド部材11,12に囲まれる空間に貯留されウエハの下方及び側方を取り巻くようにエアーの層が形成される。
When the wafer W is positioned on the transfer table 2 for loading, the valves V2 to V8 in the other divided sections S2 to S8 are closed and no air is discharged, but the wafer W is divided into the divided sections S2. , The passage of the wafer W is detected by the
こうして周囲をエアーで囲まれたウエハWは、分割区域S2を中央側に寄りながらさらに受け渡し台3に向けて進んでいく。また図11は、ウエハWの位置とエアーの吐出との対応を示す図である。今分割区域S3にウエハWが収まっているとすると、当該分割区域S3においてのみエアーが吐出している。そしてウエハWが前進してその一部が分割区域S4にさしかかると、その入り口のウエハ検出センサ5がオフからオンになり、当該分割区域S4においてもバルブV4が開かれてエアーが吐出し、ウエハWは分割区域S3及びS4から吐出するエアーにより浮上した状態になっている。更にウエハWが前進して分割区域S3を通過し終えて分割区域Sの入り口のウエハ検出センサ5がオンからオフに変わると、分割区域S3におけるバルブV3が閉じてエアーの吐出が停止する。
The wafer W surrounded by air in this way proceeds further toward the delivery table 3 while approaching the divided area S2 toward the center. FIG. 11 is a diagram showing the correspondence between the position of the wafer W and the discharge of air. If the wafer W is now accommodated in the divided area S3, air is discharged only in the divided area S3. When the wafer W advances and part of the wafer W reaches the division area S4, the
このように分割区域S1〜S8では、ウエハWの移動に伴って必要な区域についてだけエアーの吐出がなされ、ウエハWは搬出用の受け渡し台3まで搬送される。また分割区域S2〜S7においてウエハWに例えば左右方向に向かう力が加わり、ウエハWが位置ずれを起こしてガイド部材11(12)に衝突しそうになってもウエハWとガイド部材11(12)とに挟まれたエアーの層が押圧され、そのエアーが、ウエハWを搬送路の中央側に押し戻すことによりウエハWは再び搬送路の中央側に位置合わせされる。そしてウエハWが、この受け渡し台3の入り口にさしかかりこの受け渡し台3のウエハ検出センサ5がオフからオンになると、バルブV8が開いて位置合わせ用気体吐出孔51からエアーが吐出されると共にバルブV9が開いて吸引孔54から吸引排気が行われ、各位置合わせ用気流形成溝53を当該受け渡し台3の中心へと向かう気流が形成される。
As described above, in the divided areas S1 to S8, air is discharged only in a necessary area as the wafer W moves, and the wafer W is transferred to the delivery table 3 for unloading. Further, for example, a force in the left-right direction is applied to the wafer W in the divided areas S2 to S7, so that the wafer W and the guide member 11 (12) are likely to collide with the guide member 11 (12) due to positional displacement. The air layer sandwiched between the wafers is pressed, and the air pushes the wafer W back to the center side of the transfer path, whereby the wafer W is aligned again to the center side of the transfer path. When the wafer W reaches the entrance of the transfer table 3 and the
さらにウエハWが受け渡し台3の中央部へ移動し、前記ウエハ検出センサ5がオンからオフになるとバルブV7が閉じられ、分割区域S7における気体吐出孔4からの気体の吐出が停止する。気体吐出孔4からの気体が停止した後もウエハWは、慣性によって下流側へ移動し、前記位置合わせ用気流形成溝53に形成される気流に乗って受け渡し台3における予定された位置にてエアーにより浮上した状態で静止する。
Further, when the wafer W moves to the center of the delivery table 3 and the
続いて昇降ピン31がこのウエハWを突き上げ、バルブV8及びV9を閉じてエアーの吐出及び吸引を停止し、その後昇降ピン31が下降してウエハWが受け渡し台3上に載置されることになる。しかる後、図示しない搬送アームにより昇降ピン31との協働作用で当該ウエハWが受け取られて搬出される。 Subsequently, the lift pins 31 push up the wafer W, close the valves V8 and V9 to stop the discharge and suction of air, and then the lift pins 31 are lowered to place the wafer W on the delivery table 3. Become. Thereafter, the wafer W is received and carried out by the transfer arm (not shown) in cooperation with the lift pins 31.
またこうしたウエハWの一連の搬送中において気体吐出系統などに不具合が生じてウエハWの浮力が足りなくなり、ウエハWの高さレベルがH1になったとすると、高さ検出センサ13によりウエハWが検出されてオンになり、この結果制御部100は、ウエハWの浮力が足らないと判断してアラームを発する。またウエハWの浮力が大きすぎて、ウエハWの高さレベルがH2になったとすると、高さ検出センサ13によりウエハWが検出され、この結果制御部100は、ウエハWの浮力が大きすぎると判断してアラームを発する。なお高さレベルH1、H2は、既述のように各々1点の高さではなく、ある高さゾーンのウエハWを検出できるように設定されている。
Further, if a defect occurs in the gas discharge system during a series of such transfers of the wafer W, the buoyancy of the wafer W becomes insufficient, and the height level of the wafer W becomes H1, the wafer W is detected by the
さらにウエハWの浮力が失われ、一つの分割区域の高さ検出センサ13とその一つ下流側の高さ検出センサ13との間にウエハWが落下して搬送が停止した場合、分割区域S2のウエハ検出センサ5がウエハWを検出してから所定の時間が経過したときに制御部100が、搬送路においてウエハWの搬送が停止していると判断してアラームを発する。
Further, when the buoyancy of the wafer W is lost and the wafer W falls between the
上述の実施の形態によれば、搬送路プレート1の搬送面10を、その幅が搬送するウエハWの幅よりも大きな幅を有し、またその中央部側が下方に向かうように湾曲するように形成し、搬送面10と連続するように上方に向かうガイド部材11、12を設けている。ウエハWを浮上させると共に受け渡し台3に搬送するために吐出されるエアーは、この搬送面10上において、ガイド部材11、12に挟まれるように浮上したウエハWの周囲を取り囲むように貯留されることにより、ウエハWが搬送中に左右に向かう力を受けて位置ずれを起こしても、ガイド部材11、12との距離が近くなることによりそれらガイド部材11,12とウエハWとの間の圧力が高くなり、ウエハWは搬送路の中央に押し戻されるため、安定して搬送することができ、ガイド部材11、12に衝突することが抑えられる。
According to the above-described embodiment, the
また各分割領域S1〜S7において搬送路に沿って設けられた気体吐出孔4の真下に当該気体吐出孔4に気体を供給するための区画された複数の通気路42を形成しているため、搬送路プレート1において吐出孔4が形成されていない部分の下面に加わる圧力が抑えられる。従って搬送路プレート1が変形し、ウエハWの搬送が影響を受けることが抑えられる。
In addition, since a plurality of
また搬送路プレート1を搬送方向に複数に分割し、ウエハ検出センサ5によりウエハWの搬送路上における搬送方向の位置を検出してその検出結果に基づいて各分割区域S1〜S8のうちウエハWの搬送に寄与する区域についてのみエアーを吐出するようにしているので、即ちウエハWが通過する区域について順次エアーを吐出し、通過した後はその区域のエアーの吐出を停止するようにしているのでエアーの消費量を抑えることができる。
Further, the
本発明者は、上述の実施形態に係る基板搬送装置を実際に製作して実験を行ったところ安定してウエハの搬送を行うことができることを確認した。実験に用いた装置は、搬送路の長さが2000mmであり、図6中h2で示す搬送面10の幅が320mmである。この装置において図6中hで示す搬送面10の中心と搬送面10の左右両端との間の高さは0.5mmであり、図6中θで示す水平軸に対する搬送路の中心と搬送面10の左右両端とを結ぶ線分のなす角は0.2度である。また搬送路の長さ方向における各気体吐出孔4,4間の間隔が65mm、搬送路の幅方向における各気体吐出孔4,4間の間隔が50mmとなるように搬送面10に気体吐出孔4群を形成し、搬送するウエハとしては12インチサイズのものを用いた。
The present inventor has actually manufactured the substrate transfer apparatus according to the above-described embodiment and conducted an experiment, and confirmed that the wafer can be transferred stably. In the apparatus used for the experiment, the length of the conveyance path is 2000 mm, and the width of the
また既述の実施形態において斜めにエアーを吐出するように気体吐出孔4を形成する代わりに真上にエアーを吐出するように気体吐出孔4を形成すると共に搬送路の受け渡しステージ3側(ウエハWの進行側)が受け渡しステージ2側よりも下方に位置するように搬送路プレート1を傾け、さらに搬送面10上を受け渡しステージ2からステージ3に向けて移動する押圧部材を設けて、エアーにより浮上したウエハWが、その前端部分を前記押圧部材に抑えられながらその自重により搬送路上をこの押圧部材の動きに従って滑り落ちることで受け渡しステージ3側に向けて搬送されるようにしてもよい。
なお既述の実施形態においてウエハWの搬送面10が湾曲面となるように搬送路プレート1を構成することに限られず、図12にその横断平面を示すように搬送面10が、中央部が下方に向かった平滑面となるように搬送路プレート1を構成してもよい。
Further, in the above-described embodiment, instead of forming the
In the embodiment described above, the
次いで本発明の基板搬送装置を半導体製造装置に適用した例について図13〜図16を参照しながら述べておく。この半導体製造装置は、ウエハにレジストを塗布し、露光後のウエハに対して現像液により現像する塗布、現像装置である。図13は、このシステムの一実施の形態における平面図を示し、図14は同概略斜視図、図15は同概略側面図である。この塗布、現像装置は、大気雰囲気中のクリーンルーム内に設置されており、基板例えばウエハであるウエハWが13枚密閉収納されたキャリア120を搬入出するためのキャリアブロックP1と、複数個例えば4個のブロックB1〜B4及び搬送ブロックM1を縦に配列して構成された処理ブロックP2と、インターフェイスブロックP3と、露光装置P4と、を備えている。
Next, an example in which the substrate transfer apparatus of the present invention is applied to a semiconductor manufacturing apparatus will be described with reference to FIGS. This semiconductor manufacturing apparatus is a coating and developing apparatus for applying a resist to a wafer and developing the exposed wafer with a developer. FIG. 13 shows a plan view of an embodiment of this system, FIG. 14 is a schematic perspective view thereof, and FIG. 15 is a schematic side view thereof. This coating / developing apparatus is installed in a clean room in an air atmosphere, and a carrier block P1 for carrying in / out a
前記キャリアブロックP1には、前記キャリア120を複数個載置可能な載置台121と、この載置台121から見て前方の壁面に設けられる開閉部122と、開閉部122を介してキャリア120からウエハWを取り出すためのトランスファーアームCとが設けられている。このトランスファーアームCは、後述するブロックB1及びB2の受け渡しステージTRS1〜2との間でウエハWの受け渡しを行うように、進退自在、昇降自在、鉛直軸回りに回転自在、キャリア20の配列方向に移動自在に構成されている。
In the
キャリアブロックP1の奥側には筐体124にて周囲を囲まれる処理ブロックP2が接続されている。処理ブロックP2は、この例では下方側から、現像処理を行うための第1のブロック(DEV層)B1、搬送ブロックM1、レジスト膜の上層側に形成される反射防止膜(以下「上部反射防止膜」という)の形成処理を行うための第2のブロック(BCT層)B2、レジスト液の塗布処理を行うための第3のブロック(COT層)B3、レジスト膜の下層側に形成される反射防止膜(以下「下部反射防止膜」という)の形成処理を行うための第4のブロック(TCT層)B4、として割り当てられている。これらブロックB1〜B4及び搬送ブロックM1はキャリアブロックP1からインターフェイスブロックP3へ向かって伸びている。ここで前記DEV層B1が現像用のブロック、BCT層B2、COT層B3、TCT層B4、が感光材料例えばレジストからなる塗布膜を形成するための塗布膜形成用のブロックに相当する。なお各ブロック間は仕切り板(ベース体)により区画されている。
A processing block P2 surrounded by a
続いて第1〜第4のブロックB(B1〜B4)の構成について説明するが本実施形態においてこれらのブロックB1〜B4には共通部分が多く含まれており、各ブロックBは略同様のレイアウトで構成されている。そこでDEV層B1を例として図16を参照しながら説明する。このDEV層B1の中央部には、横方向、詳しくはDEV層B1の長さ方向(図中Y方向)に、キャリアブロックP1とインターフェイスブロックP3とを接続するためのウエハWの搬送用通路R1が形成されている。 Subsequently, the configuration of the first to fourth blocks B (B1 to B4) will be described. In the present embodiment, these blocks B1 to B4 include many common portions, and each block B has a substantially similar layout. It consists of Therefore, the DEV layer B1 will be described as an example with reference to FIG. In the central portion of the DEV layer B1, a transfer path R1 for transferring the wafer W for connecting the carrier block P1 and the interface block P3 in the lateral direction, specifically in the length direction of the DEV layer B1 (Y direction in the figure). Is formed.
この搬送用通路R1のキャリアブロックP1側から見て、手前側(キャリアブロックP1側)から奥側に向かって右側には、液処理ユニットとして現像液の塗布処理を行うための複数個の塗布部を備えた現像ユニット300が搬送用通路R1に沿って設けられている。またDEV層B1の手前側から奥側に向かって左側には、順に加熱・冷却系の熱系処理ユニットを多段化した4個の棚ユニットU1,U2,U3,U4、排気ユニット500が搬送用通路R1に沿って設けられている。即ち現像ユニット3と棚ユニットU1〜U4とが搬送用通路R1を介して対向して配列されている。棚ユニットU1〜U4は現像ユニット300にて行われる処理の前処理及び後処理を行うための熱系処理ユニットが2段に積層されている。
As viewed from the carrier block P1 side of the transport path R1, a plurality of coating units for performing a developer coating process as a liquid processing unit are provided on the right side from the front side (carrier block P1 side) to the back side. Is provided along the transport path R1. In addition, on the left side from the front side to the back side of the DEV layer B1, four shelf units U1, U2, U3, U4 in which heating / cooling heat treatment units are sequentially arranged, and an
上述の熱系処理ユニットの中には、例えば露光後のウエハWを加熱処理したり、現像処理後のウエハWを乾燥させるために加熱処理したりする加熱ユニットや、この加熱ユニットにおける処理の後にウエハWを所定温度に調整するための冷却ユニット等が含まれている。なお本実施形態では当該DEV層B1における棚ユニットU1,U2,U3として加熱ユニットが2段に積層され、棚ユニットU4として冷却ユニットが2段に積層されている。 Among the thermal processing units described above, for example, a heating unit that heat-treats the wafer W after exposure or heat-treats the wafer W after development processing to dry, and after the processing in this heating unit A cooling unit or the like for adjusting the wafer W to a predetermined temperature is included. In the present embodiment, the heating units are stacked in two stages as the shelf units U1, U2, U3 in the DEV layer B1, and the cooling units are stacked in two stages as the shelf unit U4.
ここで搬送ブロックM1には、ウエハWをキャリアブロックP1からインターフェイスブロックP3へ直行して搬送する直通搬送手段である本発明の基板搬送装置1Aが設けられている。この基板搬送装置1Aは、既述のエアー浮上型の基板搬送装置により構成されており、例えば図1に示したものと同様に構成されており、既述の搬入用の受け渡し台2に相当する受け渡しステージTRSB1から搬出用の受け渡し台3に相当する受け渡しステージTRSB5にウエハWを搬送する役割を持っている。 Here, the transfer block M1 is provided with the substrate transfer apparatus 1A of the present invention which is a direct transfer means for transferring the wafer W directly from the carrier block P1 to the interface block P3. The substrate transfer apparatus 1A is configured by the above-described air floating type substrate transfer apparatus, and is configured, for example, in the same manner as shown in FIG. 1, and corresponds to the transfer table 2 for transfer described above. The wafer W is transferred from the transfer stage TRSB1 to the transfer stage TRSB5 corresponding to the transfer table 3 for unloading.
搬送用通路R1及び搬送ブロックM1の搬送領域M2におけるキャリアブロックP1と隣接する領域は、第1のウエハ受け渡し領域R2となっていて、この領域R2には、図13及び図15に示すようにメインアームA1と、基板搬送装置1Aと、及びトランスファーアームCとがアクセスできる位置に棚ユニットU5が設けられると共に、この棚ユニットU5に対してウエハWの受け渡しを行うための昇降搬送手段である受け渡しアームD1を備えている。 An area adjacent to the carrier block P1 in the transfer path R1 and the transfer area M2 of the transfer block M1 is a first wafer transfer area R2, and this area R2 has a main area as shown in FIGS. A shelf unit U5 is provided at a position where the arm A1, the substrate transfer apparatus 1A, and the transfer arm C can access, and a transfer arm that is a lifting and lowering transfer means for transferring the wafer W to the shelf unit U5. D1 is provided.
この棚ユニットU5において、ブロックB1には受け渡しステージTRS1B、受け渡しステージTRS1が上段からこの順に設けられており、受け渡しステージTRS1BにはトランスファーアームC、受け渡しアームD1がアクセスできるように構成されている。受け渡しステージTRS1はメインアームA1、トランスファーアームC及び受け渡しアームD1がアクセスできるように構成されている。当該受け渡しステージTRS1及び受け渡しステージTRS1Bの構造としては例えば方形の筺体内を備え、当該筺体内にはウエハWを載置することでウエハWの温度を予定した温度に調節する機構を備えたステージが設けられ、また当該ステージ上を突没自在なピンが設けられている。例えば筺体の各アームに向かう側面に設けられた搬送口を介して各アームが前記筺体内に進入し、前記ピンを介してステージから浮いたウエハWの裏面を各アームが保持することができる、または前記ピンを介してプレート上に各アームにより搬送されたウエハWが載置されるような構造を備えている。 In the shelf unit U5, a delivery stage TRS1B and a delivery stage TRS1 are provided in this order from the upper stage in the block B1, and the transfer arm C and the delivery arm D1 are configured to be accessible to the delivery stage TRS1B. The delivery stage TRS1 is configured so that the main arm A1, the transfer arm C, and the delivery arm D1 can be accessed. As the structures of the delivery stage TRS1 and the delivery stage TRS1B, for example, a square housing is provided, and a stage having a mechanism for adjusting the temperature of the wafer W to a predetermined temperature by placing the wafer W in the housing. Also provided is a pin that can project and retract on the stage. For example, each arm can enter the housing through a transfer port provided on a side surface facing each arm of the housing, and each arm can hold the back surface of the wafer W floating from the stage through the pins. Alternatively, a structure in which the wafer W transferred by each arm is placed on the plate via the pins is provided.
なおこの例では図15に示すようにブロックB2〜B4には各2基の受け渡しステージTRS2〜TRS4が設けられているが各TRSは総て既述のような構造を有しており、受け渡しステージTRS2〜TRS4は各層に設けられたメインアームA2〜A4及び受け渡しアームD1とウエハWの受け渡しができるように構成されている。またTRS2にはこれらのアームの他にトランスファーアームCともウエハの受け渡しができるように構成されている。ところで各TRSの数は限定されるものではなく、各ブロックに対応して2基以上設けられていてもよい。
In this example, as shown in FIG. 15, each of the blocks B2 to B4 is provided with two delivery stages TRS2 to TRS4, but each TRS has the structure as described above. The TRS2 to TRS4 are configured so that the wafer W can be transferred to and from the main arms A2 to A4 and the transfer arm D1 provided in each layer. In addition to these arms, the
前記受け渡しアームD1はB1からB4の各層を移動して、各層に設けられた受け渡しステージTRS1〜TRS4及び受け渡しステージTRS1Bに対してウエハWの受け渡しを行うことができるように、進退自在及び昇降自在に構成されている。また前記受け渡しステージTRS1、TRS2及び受け渡しステージTRS1Bは、この例ではトランスファーアームCとの間でウエハWの受け渡しが行われるように構成されている。 The transfer arm D1 moves between the layers B1 to B4, and can move forward and backward and move up and down so that the wafer W can be transferred to the transfer stages TRS1 to TRS4 and the transfer stage TRS1B provided in each layer. It is configured. Further, the transfer stages TRS1, TRS2 and the transfer stage TRS1B are configured such that the wafer W is transferred to and from the transfer arm C in this example.
さらにDEV層B1の搬送用通路R1及び搬送ブロックM1の搬送領域M2のインターフェイスブロックP3と隣接する領域は、第2のウエハ受け渡し領域R3となっていて、この領域R3には、図13に示すように棚ユニットU6が設けられている。棚ユニットU6は図13に示すように、受け渡しステージであるTRS5B,TRS5が上からこの順に設けられており、受け渡しステージTRS5Bは基板搬送装置1AとインターフェイスアームBとの間でウエハWの受け渡しが行えるように構成されている。また受け渡しステージTRS5はメインアームA1及びインターフェイスアームBとの間でウエハWの受け渡しが行えるように構成されている。受け渡しステージTRS5B,TRS5は例えば既述の受け渡しステージTRS1Bと同様の構造を有しており、ウエハWの冷却機能を備え、受け渡されたウエハWの温調管理ができるように構成されている。 Furthermore, the area adjacent to the interface block P3 in the transfer path R1 of the DEV layer B1 and the transfer area M2 of the transfer block M1 is a second wafer transfer area R3. This area R3 includes the area shown in FIG. Is provided with a shelf unit U6. As shown in FIG. 13, the shelf unit U6 is provided with the transfer stages TRS5B and TRS5 in this order from the top, and the transfer stage TRS5B can transfer the wafer W between the substrate transfer apparatus 1A and the interface arm B. It is configured as follows. The transfer stage TRS5 is configured to transfer the wafer W between the main arm A1 and the interface arm B. The transfer stages TRS5B and TRS5 have, for example, the same structure as the transfer stage TRS1B described above, and have a cooling function for the wafer W so that the temperature of the transferred wafer W can be controlled.
また処理ブロックP2における棚ユニットU6の奥側には、インターフェイスブロックP3を介して露光装置P4が接続されている。インターフェイスブロックP3には、処理ブロックP2の棚ユニットU6と露光装置P4とに対してウエハWの受け渡しを行うためのインターフェイスアームBが備えられている。このインターフェイスアームBは例えばウエハWの裏面側中央領域を支持するための1本のアーム201が基台202に沿って進退自在に設けられている。前記基台202は、昇降台203に回転機構204により鉛直軸回りに回転自在に取り付けられ、昇降レール205に沿って昇降自在に設けられている。こうしてアーム201は、進退自在、昇降自在、鉛直軸回りに回転自在に構成されている。
なお既述の受け渡しアームD1も、鉛直軸回りに回転しない他は、インターフェイスアームBと同様に構成されている。
An exposure device P4 is connected to the back side of the shelf unit U6 in the processing block P2 via an interface block P3. The interface block P3 is provided with an interface arm B for delivering the wafer W to the shelf unit U6 of the processing block P2 and the exposure apparatus P4. In this interface arm B, for example, one arm 201 for supporting the central region on the back surface side of the wafer W is provided along the base 202 so as to be able to advance and retract. The base 202 is attached to a lift 203 so as to be rotatable about a vertical axis by a rotation mechanism 204, and is provided so as to be movable up and down along a lift rail 205. In this way, the arm 201 is configured to be able to move forward and backward, move up and down, and rotate about a vertical axis.
The above-described delivery arm D1 is also configured in the same manner as the interface arm B except that it does not rotate around the vertical axis.
このインターフェイスアームBは、処理ブロックP2と露光装置P4との間に介在するウエハWの搬送手段をなすものであり、この実施形態では、ブロックB1の受け渡しステージTRS5からウエハWを受け取り露光装置P4へ搬入する一方で、露光装置P4からウエハWを受け取り、ステージTRS5Bに受け渡すように構成されている。 The interface arm B serves as a transfer means for the wafer W interposed between the processing block P2 and the exposure apparatus P4. In this embodiment, the interface arm B receives the wafer W from the transfer stage TRS5 of the block B1 and supplies it to the exposure apparatus P4. On the other hand, the wafer W is received from the exposure apparatus P4 and transferred to the stage TRS5B.
ここでこの塗布、現像装置における作用について先ずレジスト膜の上下に夫々反射防止膜を形成する場合におけるウエハWの流れの例について説明する。外部からキャリア120がキャリアブロックP1に搬入され、トランスファーアームCによりこのキャリア120内からウエハWが取り出される。ウエハWは、トランスファーアームCから、棚ユニットU5の受け渡しステージTRS2を介してBCT層B2のメインアームA2に受け渡される。そしてBCT層B2では、メインアームA2により、冷却ユニット→反射防止膜形成ユニット(図示していないが、現像ユニット300に対応するユニットである)→加熱ユニット→棚ユニットU5の受け渡しステージTRS2の順序で搬送されて、下部反射防止膜が形成される。
Here, an example of the flow of the wafer W when the antireflection film is formed on the upper and lower sides of the resist film will be described with respect to the action in the coating and developing apparatus. The
続いて受け渡しステージTRS2のウエハWは受け渡しアームD1により、COT層B3の受け渡しステージTRS3に搬送され、次いで当該COT層B3のメインアームA3に受け渡される。そしてCOT層B3では、メインアームA3により、ウエハWは冷却ユニット→レジスト塗布ユニット→加熱ユニットの順序で搬送されて下部反射防止膜の上層にレジスト膜が形成された後、周縁露光ユニットに搬送されて周縁部が露光され、さらに棚ユニットU5の受け渡しステージTRS3に搬送される。 Subsequently, the wafer W of the transfer stage TRS2 is transferred by the transfer arm D1 to the transfer stage TRS3 of the COT layer B3, and then transferred to the main arm A3 of the COT layer B3. In the COT layer B3, the main arm A3 transports the wafer W in the order of cooling unit → resist coating unit → heating unit, forms a resist film on the upper layer of the lower antireflection film, and then transports it to the edge exposure unit. Then, the peripheral edge is exposed and further conveyed to the delivery stage TRS3 of the shelf unit U5.
次いで受け渡しステージTRS3のウエハWは受け渡しアームD1により、TCT層B4の受け渡しステージTRS4に搬送され、当該TCT層B4のメインアームA4に受け渡される。そしてTCT層B4では、メインアームA4により、冷却ユニット→第2の反射防止膜形成ユニット(図示していないが、現像ユニット300に対応するユニットである)→加熱ユニットの順序で搬送されてレジスト膜の上層に上部反射防止膜が形成された後に、棚ユニットU5の受け渡しステージTRS4に搬送される。 Next, the wafer W of the transfer stage TRS3 is transferred to the transfer stage TRS4 of the TCT layer B4 by the transfer arm D1, and transferred to the main arm A4 of the TCT layer B4. In the TCT layer B4, the main arm A4 transports the resist film in the order of cooling unit → second antireflection film forming unit (not shown, but corresponding to the developing unit 300) → heating unit. After the upper antireflection film is formed on the upper layer, the film is transported to the delivery stage TRS4 of the shelf unit U5.
受け渡しステージTRS4のウエハWは受け渡しアームD1により、受け渡しステージTRS1Bに搬送される。次いでウエハWは本発明の基板搬送装置により既述のように浮上してインターフェイスブロックP3側に移動し、受け渡しステージTRS5Bに搬送される。なおこのステージTRS5Bは、ウエハWを露光装置における露光時の温度に調整するための温度調整プレートである冷却プレートとして構成してもよい。ステージTRS5B上に載置されたウエハWはインターフェイスアームBにより露光装置P4に搬送され、ここで所定の露光処理が行われる。 The wafer W on the transfer stage TRS4 is transferred to the transfer stage TRS1B by the transfer arm D1. Next, the wafer W floats as described above by the substrate transfer apparatus of the present invention, moves to the interface block P3 side, and is transferred to the delivery stage TRS5B. The stage TRS5B may be configured as a cooling plate that is a temperature adjustment plate for adjusting the wafer W to a temperature at the time of exposure in the exposure apparatus. The wafer W placed on the stage TRS5B is transferred to the exposure apparatus P4 by the interface arm B, where a predetermined exposure process is performed.
露光処理後のウエハWはインターフェイスアームBにより棚ユニットU6の受け渡しステージTRS5に搬送され、このステージTRS5上のウエハWは、DEV層B1のメインアームA1に受け取られ、当該DEV層B1にて、棚ユニットU1〜U4に含まれる加熱ユニット→冷却ユニット→現像ユニット300→加熱ユニット→冷却ユニットの順序で搬送され、所定の現像処理が行われる。こうして現像処理が行われたウエハWは棚ユニットU5の受け渡しステージTRS1に搬送されトランスファーアームCにより、キャリアブロックP1に載置されている元のキャリア120に戻される。
The wafer W after the exposure processing is transferred to the transfer stage TRS5 of the shelf unit U6 by the interface arm B, and the wafer W on the stage TRS5 is received by the main arm A1 of the DEV layer B1, and in the DEV layer B1, the shelf W The units U1 to U4 are conveyed in the order of heating unit → cooling unit → developing
W 半導体ウエハ
1 搬送路プレート
10 搬送面
13、14 ウエハ高さ検出センサ
2 搬入用の受け渡しステージ
3 搬出用の受け渡しステージ
21、31 昇降ピン
S1〜S8 分割区域
4 気体吐出孔
40 通気路形成部材
42 通気路
44 通気室
45 ガス供給管
V1〜V9 バルブ
5 ウエハ検出センサ
2
Claims (14)
基板の搬送方向に沿って伸び、横断面で見たときに、中央部に向かうにつれて低くなると共に両端の高さが浮上した基板の高さと同じかそれよりも高い搬送面を備えた搬送路形成部材と、
基板の搬送面に搬送方向に沿って設けられ、上方に向けて気体を吐出し、基板を浮上させる気体吐出孔群と、を備えたことを特徴とする基板搬送装置。 In a substrate transfer device that discharges gas and transfers the substrate while floating from the transfer surface of the transfer path,
Forming a transport path with a transport surface that extends along the transport direction of the substrate and becomes lower toward the center when viewed in cross section, and the height of both ends is equal to or higher than the height of the substrate that has floated A member,
A substrate transfer apparatus, comprising: a gas discharge hole group provided on a transfer surface of the substrate along the transfer direction, for discharging gas upward and levitation of the substrate.
基板の搬送路上における搬送方向の位置を検出する位置検出手段と、
この位置検出手段による検出結果に基づいて、各分割区域の気体の吐出、停止を開閉手段を介して制御する制御部と、を備えたことを特徴とする請求項1ないし5のいずれか一に記載の基板搬送装置。 Opening / closing means for independently performing discharge and stop of gas from the gas discharge holes for each divided area formed by dividing the transport path of the substrate into a plurality of transport directions,
Position detecting means for detecting the position in the transport direction on the transport path of the substrate;
6. A control unit that controls the discharge and stop of gas in each divided area via the opening / closing means based on the detection result by the position detecting means. The board | substrate conveyance apparatus of description.
この高さ検出手段の検出結果に基づいて基板が予め設定した高さに位置しているか否かを判定する手段と、を備えたことを特徴とする請求項1ないし7のいずれか一つに記載の基板搬送装置。 Height detection means for detecting the height of the substrate from the transport path;
A means for determining whether or not the substrate is positioned at a preset height based on a detection result of the height detection means is provided. The board | substrate conveyance apparatus of description.
基板の搬送面に基板の搬送方向に沿って設けられた気体吐出孔群から上方に向けて気体を吐出して基板を搬送面から浮上させて搬送する工程と、
を含むことを特徴とする基板搬送方法。 Forming a transport path with a transport surface that extends along the transport direction of the substrate and becomes lower toward the center when viewed in cross section, and the height of both ends is equal to or higher than the height of the substrate that has floated Positioning the substrate on the member;
A step of discharging gas upwardly from a group of gas discharge holes provided along the substrate transfer direction on the transfer surface of the substrate to float the substrate from the transfer surface and transferring the substrate;
The board | substrate conveyance method characterized by including.
基板の搬送路を搬送方向に複数に分割して形成した各分割区域の気体の吐出、停止の制御を、前記工程による検出結果に基づいて行う工程と、を備えたことを特徴とする請求項9ないし12のいずれか一に記載の基板搬送方法。 Detecting the position in the transport direction on the transport path of the substrate;
And a step of controlling the discharge and stop of the gas in each divided area formed by dividing the substrate transport path into a plurality of directions in the transport direction, based on the detection result of the step. The substrate carrying method according to any one of 9 to 12.
請求項9ないし13のいずれか一つを実施するためのステップ群が組まれていることを特徴とするコンピュータプログラム。
A computer program used in a substrate transfer device that discharges gas and transfers the substrate while floating from the transfer surface of the transfer path,
A computer program comprising a set of steps for carrying out any one of claims 9 to 13.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006013141A JP2007194508A (en) | 2006-01-20 | 2006-01-20 | Substrate transport device, substrate transport method, and computer program |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006013141A JP2007194508A (en) | 2006-01-20 | 2006-01-20 | Substrate transport device, substrate transport method, and computer program |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007194508A true JP2007194508A (en) | 2007-08-02 |
Family
ID=38449942
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006013141A Pending JP2007194508A (en) | 2006-01-20 | 2006-01-20 | Substrate transport device, substrate transport method, and computer program |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2007194508A (en) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015060925A (en) * | 2013-09-18 | 2015-03-30 | 三星ダイヤモンド工業株式会社 | Support mechanism and carrier device |
CN110718496A (en) * | 2019-09-20 | 2020-01-21 | 深圳市矽电半导体设备有限公司 | Wafer center alignment method |
JP2022192027A (en) * | 2021-06-16 | 2022-12-28 | 盛詮科技股▲フン▼有限公司 | Air floating type wafer transfer arm |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6019613A (en) * | 1983-07-14 | 1985-01-31 | Hitachi Ltd | Conveyance method |
JPH07228342A (en) * | 1994-02-17 | 1995-08-29 | Hitachi Ltd | Pneumatic conveyer and control method thereof |
JP2000072251A (en) * | 1998-08-31 | 2000-03-07 | Watanabe Shoko:Kk | Flotation carrier device and flotation carrier system |
JP2000118712A (en) * | 1998-10-12 | 2000-04-25 | Watanabe Shoko:Kk | Gas blowing structure for floating transfer device |
JP2002280321A (en) * | 2001-03-21 | 2002-09-27 | Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd | Laser annealing device |
JP2004207708A (en) * | 2002-12-10 | 2004-07-22 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Plasma treatment apparatus and plasma treatment method, and manufacturing method for thin film transistor |
JP2004262608A (en) * | 2003-03-03 | 2004-09-24 | Orbotech Ltd | Air flotation device |
JP2004530242A (en) * | 2001-03-16 | 2004-09-30 | トダ シトロン テクノロジーズ インク | Air truck transport system for disc production |
-
2006
- 2006-01-20 JP JP2006013141A patent/JP2007194508A/en active Pending
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6019613A (en) * | 1983-07-14 | 1985-01-31 | Hitachi Ltd | Conveyance method |
JPH07228342A (en) * | 1994-02-17 | 1995-08-29 | Hitachi Ltd | Pneumatic conveyer and control method thereof |
JP2000072251A (en) * | 1998-08-31 | 2000-03-07 | Watanabe Shoko:Kk | Flotation carrier device and flotation carrier system |
JP2000118712A (en) * | 1998-10-12 | 2000-04-25 | Watanabe Shoko:Kk | Gas blowing structure for floating transfer device |
JP2004530242A (en) * | 2001-03-16 | 2004-09-30 | トダ シトロン テクノロジーズ インク | Air truck transport system for disc production |
JP2002280321A (en) * | 2001-03-21 | 2002-09-27 | Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd | Laser annealing device |
JP2004207708A (en) * | 2002-12-10 | 2004-07-22 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Plasma treatment apparatus and plasma treatment method, and manufacturing method for thin film transistor |
JP2004262608A (en) * | 2003-03-03 | 2004-09-24 | Orbotech Ltd | Air flotation device |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015060925A (en) * | 2013-09-18 | 2015-03-30 | 三星ダイヤモンド工業株式会社 | Support mechanism and carrier device |
CN110718496A (en) * | 2019-09-20 | 2020-01-21 | 深圳市矽电半导体设备有限公司 | Wafer center alignment method |
JP2022192027A (en) * | 2021-06-16 | 2022-12-28 | 盛詮科技股▲フン▼有限公司 | Air floating type wafer transfer arm |
JP7333114B2 (en) | 2021-06-16 | 2023-08-24 | 盛詮科技股▲フン▼有限公司 | Air floating wafer transfer arm |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4594241B2 (en) | Substrate transport apparatus, substrate transport method, and computer program | |
KR101121321B1 (en) | Coating apparatus, developing apparatus, coating method, developing method and recording medium | |
JP4421501B2 (en) | Heating device, coating, developing device and heating method | |
JP2007182304A (en) | Substrate carrying device and its method, and computer program | |
JP4571525B2 (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method | |
JP4459831B2 (en) | Coating and developing equipment | |
JP4272230B2 (en) | Vacuum dryer | |
JP4755498B2 (en) | Heating apparatus and heating method | |
JP2006287178A (en) | Application/development device | |
JP4381121B2 (en) | Substrate processing equipment | |
US8038769B2 (en) | Liquid processing apparatus, liquid processing method and storage medium | |
JP2010192684A (en) | Substrate transfer apparatus and substrate treatment system | |
TW202025236A (en) | Substrate processing method and substrate processing device | |
JP2000306825A (en) | Treatment apparatus, treatment system, discriminating method, and detection method | |
CN214848548U (en) | Substrate processing apparatus | |
JP2007194508A (en) | Substrate transport device, substrate transport method, and computer program | |
JP5221508B2 (en) | Substrate processing equipment | |
JP4804567B2 (en) | Substrate floating device | |
JP2010041059A (en) | Coating and developing apparatus | |
JP2018143942A (en) | Coating device and coating method |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20071101 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20091228 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100112 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100315 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110215 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20110705 |