JP2010147294A - Substrate holding method, substrate holding device, exposure device using the same, and method of manufacturing device - Google Patents

Substrate holding method, substrate holding device, exposure device using the same, and method of manufacturing device Download PDF

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  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To reduce a down time of an exposure device by determining the cause of suction trouble without installing a special detection device when a substrate is not normally sucked onto a temperature regulation means. <P>SOLUTION: This substrate holding method includes: a temperature regulation means to regulate the temperature of a substrate by sucking and holding the substrate; a drop prevention member for preventing the drop of the substrate from the temperature regulation means; a knocking-up pin including a suction mechanism and a vertical drive mechanism for transferring the substrate; and a control system for controlling the suction mechanism and the drive mechanism; and is used for holding the substrate and regulating the temperature thereof. The substrate holding method includes a determination process S12 of determining whether suction trouble is caused by the substrate having run on the drop prevention member when the suction trouble occurs in sucking and holding the substrate to the temperature regulation means. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

本発明は、基板保持方法及び基板保持装置、それを用いた露光装置及びデバイスの製造方法に関するものである。   The present invention relates to a substrate holding method and a substrate holding apparatus, an exposure apparatus using the same, and a device manufacturing method.

半導体素子を製造する半導体製造システムは、複数の処理を基板(ウエハ)に施すさまざまな製造工程を有する。その工程の中でも、露光装置は、リソグラフィ工程において、原版(レチクル)のパターンを、投影光学系を介して感光性の基板(例えば、表面にレジスト層が形成されたウエハ)に転写する装置である。一般に、この露光装置には、塗布、ベーク及び現像のレジスト処理プロセスを担う塗布現像装置が連結され、被処理基板は、各装置間に位置する受渡ステーションを介して搬送される。   A semiconductor manufacturing system for manufacturing a semiconductor element has various manufacturing processes for applying a plurality of processes to a substrate (wafer). Among the processes, the exposure apparatus is an apparatus that transfers a pattern of an original (reticle) to a photosensitive substrate (for example, a wafer having a resist layer formed on the surface) via a projection optical system in a lithography process. . In general, this exposure apparatus is connected to a coating / developing apparatus responsible for a resist processing process of coating, baking and developing, and the substrate to be processed is transported through a delivery station located between the apparatuses.

受渡ステーションは、基板を一旦保持するための基板保持装置を有する。例えば、特許文献1は、温調プレートを備えた基板保持装置であって、3本ピン上に搬入された基板を温調プレート上に載置して基板の温調を行うとき、プレートの温度から基板の温調時間を決定し、確実に基板の温調を行う基板温調装置を開示している。しかしながら、基板保持装置のプレート上に基板を搬送する際に、基板の受け渡し位置のズレや、ピン下降駆動時の振動、及び風圧等の外力による基板の落下等の不具合が発生する場合がある。そこで、これらの不具合を防止するために、プレート上に、基板の外周面を複数箇所で保持するような落下防止部材を設置したり、プレートへの基板の吸着異常を検出することでズレや落下を未然に回避したりする対策が採られている。例えば、特許文献2は、基板吸着部の真空圧を検出し、複数枚の基板データを演算することにより、未然に吸着エラーを予測する基板搬送装置を開示している。
特開2002−83756号公報 特開2007−281073号公報
The delivery station has a substrate holding device for temporarily holding the substrate. For example, Patent Document 1 is a substrate holding device provided with a temperature control plate, and when the substrate carried on three pins is placed on the temperature control plate and the temperature of the substrate is controlled, the temperature of the plate Discloses a substrate temperature control device that determines the temperature control time of a substrate and reliably controls the temperature of the substrate. However, when the substrate is transported onto the plate of the substrate holding device, there may be a problem such as displacement of the delivery position of the substrate, vibration during pin lowering drive, and dropping of the substrate due to external force such as wind pressure. Therefore, in order to prevent these problems, a drop prevention member that holds the outer peripheral surface of the substrate at a plurality of locations on the plate, or an abnormality in the adsorption of the substrate to the plate is detected. Measures are taken to avoid such problems. For example, Patent Document 2 discloses a substrate transport apparatus that predicts a suction error in advance by detecting the vacuum pressure of a substrate suction unit and calculating a plurality of pieces of substrate data.
JP 2002-83756 A JP 2007-281073 A

しかしながら、基板保持装置に落下防止部材を採用する場合、基板のズレ量が許容値より大きいと、搬送されてきた基板が落下防止部材上に乗り上げてしまう可能性がある。ここで、特許文献2に開示された基板搬送装置によれば、プレート上の異物付着に起因する吸着異常であれば、基板搬送装置は、吸着閾値を変化させ、搬送速度及び加速度を低減させることで、基板回収動作を継続することができる。ところが、基板が落下防止部材に乗り上げたことに起因する吸着異常の場合は、基板がピン上昇駆動によって傾き、特許文献2に記載の吸着閾値、搬送速度及び加速度の可変による復旧手段では対応できず、基板がプレートから落下する可能性がある。これは、異物付着による吸着異常時と、落下防止部材への乗り上げによる吸着異常時とでは、異物付着の程度により吸着圧が同等となるために、吸着異常の原因を吸着圧検出では特定できないことに起因する。即ち、従来の基板保持装置では、吸着エラーが発せられた場合、吸着異常の原因を特定するために、人的介在による基板の目視が必要となり、各装置にダウンタイムが発生するという問題がある。これに対して、異物付着による吸着異常と、落下防止部材への乗り上げによる吸着異常とを判断するために、基板保持装置に落下防止部材への乗り上げを検出する機構を設置することも考えられるが、装置構成が複雑化し、高コスト化するという問題がある。   However, when the fall prevention member is employed in the substrate holding device, if the amount of deviation of the substrate is larger than an allowable value, the conveyed substrate may ride on the fall prevention member. Here, according to the substrate transport apparatus disclosed in Patent Document 2, if the suction abnormality is caused by the adhesion of foreign matter on the plate, the substrate transport apparatus changes the suction threshold value to reduce the transport speed and acceleration. Thus, the substrate recovery operation can be continued. However, in the case of a suction abnormality caused by the board riding on the fall prevention member, the board is tilted by the pin raising drive, and cannot be dealt with by the recovery means described in Patent Document 2 by changing the suction threshold, the conveyance speed, and the acceleration. The substrate may fall off the plate. This is because the adsorption pressure is equal depending on the degree of foreign matter adhesion between the adsorption abnormality due to foreign matter adhesion and the adsorption abnormality due to climbing on the fall prevention member, so the cause of the adsorption abnormality cannot be specified by adsorption pressure detection. caused by. That is, in the conventional substrate holding apparatus, when an adsorption error is generated, in order to identify the cause of the adsorption abnormality, it is necessary to visually check the substrate, and there is a problem that downtime occurs in each apparatus. . On the other hand, it is conceivable to install a mechanism for detecting the climbing onto the fall prevention member in the substrate holding device in order to judge the adsorption malfunction due to the adhesion of foreign matter and the adsorption malfunction due to climbing on the fall prevention member. However, there is a problem that the device configuration is complicated and the cost is increased.

本発明は、このような状況を鑑みてなされたものであり、プレート上に基板が正常に吸着されなかった場合に、特別な検出装置を設置することなく、吸着異常の原因を判定し、露光装置のダウンタイムを低減する基板保持方法及び装置を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of such a situation. When the substrate is not normally sucked on the plate, the cause of the suction abnormality is determined without installing a special detection device, and exposure is performed. It is an object of the present invention to provide a substrate holding method and apparatus that reduce downtime of the apparatus.

上記課題を解決するために、基板を吸着保持し、基板の温調を行う温調手段と、該温調手段からの基板の落下を防止する落下防止部材と、基板の受け渡しを行うための吸着機構及び上下駆動機構を備えた突き上げピンと、吸着機構及び駆動機構を制御する制御系とを備え、基板の保持及び温調を行う基板保持方法において、基板を温調手段に吸着保持させる際に、吸着異常が発生した場合、吸着異常の原因が、基板が落下防止部材に乗り上げたことに起因するものかを判定する判定工程を有することを特徴とする。   In order to solve the above-described problems, a temperature control unit that holds the substrate by suction and controls the temperature of the substrate, a fall prevention member that prevents the substrate from dropping from the temperature control unit, and a suction for performing transfer of the substrate In a substrate holding method that includes a push-up pin having a mechanism and a vertical drive mechanism and a control system that controls the suction mechanism and the drive mechanism, and holds and temperature-controls the substrate, when the substrate is suction-held by the temperature control means, It is characterized by having a determination step of determining whether the cause of the suction abnormality is caused by the board riding on the fall prevention member when the suction abnormality occurs.

本発明によれば、判定工程において、吸着異常の原因が、異物等の付着によるものであるのか、若しくは、基板の落下防止部材への乗り上げによるものであるのかを判断することが可能となる。これにより、オペレータ等の人的介在が不要な吸着異常から基板の搬送シーケンスを自動で復旧させることで、露光装置のダウンタイムを低減することができ、ひいては半導体製造工程における生産性を向上させることができる。   According to the present invention, in the determination step, it is possible to determine whether the cause of the adsorption abnormality is due to adhesion of foreign matter or the like, or due to the board riding on the fall prevention member. As a result, it is possible to reduce the downtime of the exposure apparatus by automatically recovering the substrate transfer sequence from an adsorption abnormality that does not require human intervention by an operator or the like, thereby improving the productivity in the semiconductor manufacturing process. Can do.

以下、本発明を実施するための最良の形態について図面等を参照して説明する。   The best mode for carrying out the present invention will be described below with reference to the drawings.

(露光装置)
図1は、本発明の実施形態に係る露光装置の本体部分(以下、「露光ユニット」と表記する)を示す概略図である。露光ユニット1は、ステップ・アンド・スキャン方式やステップ・アンド・リピート方式でレチクルのパターンをウエハに露光する装置であるが、露光方式は、特に限定するものではない。なお、図1において、露光ユニット1を構成する投影光学系の光軸に平行にZ軸を取り、該Z軸に垂直な平面内で走査露光時のレチクル(原版)及びウエハ(基板)の走査方向にY軸を取り、該Y軸に直交する非走査方向にX軸を取って説明する。
(Exposure equipment)
FIG. 1 is a schematic view showing a main part (hereinafter referred to as “exposure unit”) of an exposure apparatus according to an embodiment of the present invention. The exposure unit 1 is an apparatus that exposes a reticle pattern onto a wafer by a step-and-scan method or a step-and-repeat method, but the exposure method is not particularly limited. In FIG. 1, the Z axis is parallel to the optical axis of the projection optical system constituting the exposure unit 1, and the reticle (original) and wafer (substrate) are scanned during scanning exposure in a plane perpendicular to the Z axis. A description will be given by taking the Y axis in the direction and the X axis in the non-scanning direction orthogonal to the Y axis.

露光ユニット1は、照明光学系2と、パターンが形成されたレチクル3を保持するレチクルステージ系4と、レチクル位置計測ユニット5と、投影光学系6と、感光剤が塗布されたウエハ7を位置決めする基板ステージ系8とを備える。   The exposure unit 1 positions an illumination optical system 2, a reticle stage system 4 that holds a reticle 3 on which a pattern is formed, a reticle position measurement unit 5, a projection optical system 6, and a wafer 7 coated with a photosensitive agent. The substrate stage system 8 is provided.

照明光学系2は、内蔵光源(超高圧水銀ランプ等の放電灯)、若しくは露光ユニット1とは別に設置された光源装置(光源部)から、ビームラインを経て照明光を導入し、各種レンズや絞りによってスリット光を生成して、レチクル3を上方から照明する。レチクルステージ系4は、XY方向に移動可能なステージである。レチクル位置計測ユニット5は、レチクル3の位置を計測する装置である。投影光学系6は、レチクル3のパターンをウエハ7に所定の倍率(例えば4:1)で縮小投影する。また、基板ステージ系8は、ウエハ7をXY方向に移動可能なXYステージ9と、ウエハ7をZ方向に移動可能なZステージ10とを含む。更に、露光ユニット1は、XYステージ9のXY方向の位置を計測するレーザ干渉計11と、ウエハ7のZ方向の位置を計測するフォーカスユニット12とを備える。   The illumination optical system 2 introduces illumination light through a beam line from a built-in light source (discharge lamp such as an ultra-high pressure mercury lamp) or a light source device (light source unit) installed separately from the exposure unit 1, and various lenses, Slit light is generated by the diaphragm, and the reticle 3 is illuminated from above. The reticle stage system 4 is a stage that can move in the XY directions. The reticle position measurement unit 5 is a device that measures the position of the reticle 3. The projection optical system 6 reduces and projects the pattern of the reticle 3 onto the wafer 7 at a predetermined magnification (for example, 4: 1). The substrate stage system 8 includes an XY stage 9 that can move the wafer 7 in the XY directions, and a Z stage 10 that can move the wafer 7 in the Z direction. The exposure unit 1 further includes a laser interferometer 11 that measures the position of the XY stage 9 in the XY direction, and a focus unit 12 that measures the position of the wafer 7 in the Z direction.

(デバイス製造装置)
図2は、本発明の実施形態に係るデバイス製造装置を示す概略図(平面図)である。デバイス製造装置13は、図1に示す露光ユニット1を有する露光装置15と、塗布現像装置16とから構成される。
(Device manufacturing equipment)
FIG. 2 is a schematic view (plan view) showing the device manufacturing apparatus according to the embodiment of the present invention. The device manufacturing apparatus 13 includes an exposure apparatus 15 having the exposure unit 1 shown in FIG.

露光装置15は、露光ユニット1を含む露光処理部17と、処理対象物であるウエハを保持するハンド18を備えた第1搬送ユニット19と、露光装置15を制御する制御部20と、ユーザーインターフェースである入出力装置21とを有する。更に、露光装置15は、主電源22と、副電源23と、第1搬送ユニット19を制御する第1搬送制御部24とを有する。これらの構成部は、露光チャンバ25内にそれぞれ配置されている。   The exposure apparatus 15 includes an exposure processing unit 17 including the exposure unit 1, a first transfer unit 19 including a hand 18 that holds a wafer that is a processing target, a control unit 20 that controls the exposure apparatus 15, and a user interface. The input / output device 21 is. Further, the exposure apparatus 15 includes a main power source 22, a sub power source 23, and a first transport control unit 24 that controls the first transport unit 19. These components are arranged in the exposure chamber 25, respectively.

ここで、主電源22は、少なくとも、露光処理部17、制御部20、及び入出力装置21にそれぞれ電力を供給する。一方、副電源23は、第1搬送制御部24に電力を供給する。なお、副電源23は、主電源22による電力供給対象に対する電力供給が遮断された場合、代替して電力供給が継続されるように構成されている。具体的には、副電源23は、例えば2次電池を含んで構成されうる。この場合、副電源23は、主電源22が正常である場合には、主電源22から提供される電力によって2次電池を充電し、一方、主電源22の異常や停電等によって主電源22による電力供給が遮断された場合には、2次電池によって電力供給対象に電力を供給する。   Here, the main power supply 22 supplies power to at least the exposure processing unit 17, the control unit 20, and the input / output device 21, respectively. On the other hand, the sub power supply 23 supplies power to the first transport control unit 24. The sub power source 23 is configured to continue power supply instead when the power supply to the power supply target by the main power source 22 is interrupted. Specifically, the sub power source 23 can be configured to include, for example, a secondary battery. In this case, when the main power source 22 is normal, the sub power source 23 charges the secondary battery with the power provided from the main power source 22, while the main power source 22 uses the main power source 22 due to an abnormality or a power failure. When the power supply is interrupted, power is supplied to the power supply target by the secondary battery.

塗布現像装置16は、ウエハへの感光剤の塗布及び露光済みウエハの現像を行う機能を有する塗布現像ユニットを含む塗布現像部26と、ウエハを保持するハンド27を備えた第2搬送ユニット28と、塗布現像装置16を制御する制御部29とを有する。更に、塗布現像装置16は、主電源30と、副電源31と、第2搬送ユニット28を制御する第2搬送制御部32を有する。これらの構成部は、塗布現像チャンバ33内にそれぞれ配置されている。なお、主電源30及び副電源31の作用は、上記露光装置15に備えられた主電源22及び副電源23の作用と同一である。   The coating and developing apparatus 16 includes a coating and developing unit 26 including a coating and developing unit having a function of applying a photosensitive agent to a wafer and developing an exposed wafer, a second transport unit 28 including a hand 27 for holding the wafer, and the like. And a control unit 29 for controlling the coating and developing apparatus 16. Further, the coating and developing apparatus 16 includes a main power supply 30, a sub power supply 31, and a second transport control unit 32 that controls the second transport unit 28. These components are arranged in the coating and developing chamber 33, respectively. The operations of the main power supply 30 and the sub power supply 31 are the same as the operations of the main power supply 22 and the sub power supply 23 provided in the exposure apparatus 15.

また、デバイス製造装置13は、露光装置15と塗布現像装置16との間でウエハを受け渡す受渡ステーション34を備える。まず、第2搬送ユニット28は、感光剤が塗布されたウエハを受渡ステーション34内の搬入部35へ搬送する。第1搬送ユニット19は、搬送された搬入部35内のウエハを受け取り、露光処理部17へ搬送する。露光処理の終了後、第1搬送ユニット19は、ウエハを露光処理部17から受渡ステーション34内の搬出部36へ搬送する。そして、第2搬送ユニット28は、搬送された搬出部36内のウエハを受け取り、塗布現像部26へ搬送し、現像処理を行う。   In addition, the device manufacturing apparatus 13 includes a delivery station 34 that delivers a wafer between the exposure apparatus 15 and the coating and developing apparatus 16. First, the second transport unit 28 transports the wafer coated with the photosensitive agent to the carry-in unit 35 in the delivery station 34. The first transfer unit 19 receives the transferred wafer in the loading unit 35 and transfers it to the exposure processing unit 17. After the exposure process is completed, the first transfer unit 19 transfers the wafer from the exposure processing unit 17 to the unloading unit 36 in the delivery station 34. Then, the second transfer unit 28 receives the transferred wafer in the unloading unit 36, transfers it to the coating and developing unit 26, and performs development processing.

なお、第1搬送ユニット19は、不図示のウエハアライメントユニットを経由して、ウエハを図1に示すXYステージ9に搬送する場合もある。更に、露光装置15は、複数のウエハ搬送ユニットを備える場合もある。   The first transfer unit 19 may transfer the wafer to the XY stage 9 shown in FIG. 1 via a wafer alignment unit (not shown). Further, the exposure apparatus 15 may include a plurality of wafer transfer units.

(基板保持装置)
次に、本発明の実施形態に係る基板保持装置について説明する。図3は、基板保持装置の構成を示す概略図(側面図)である。なお、該基板保持装置は、上記受渡ステーション34内の搬入部35、若しくは搬出部36に適用されるものとする。
(Substrate holding device)
Next, a substrate holding device according to an embodiment of the present invention will be described. FIG. 3 is a schematic view (side view) showing the configuration of the substrate holding device. The substrate holding device is applied to the carry-in unit 35 or the carry-out unit 36 in the delivery station 34.

まず、基板保持装置50は、ウエハ51が載置される温調手段52と、該温調手段52を保持する設置台53と、ウエハ51を上下に移動させる突き上げピン54と、該突き上げピン54を駆動させる上下駆動機構55とを備える。   First, the substrate holding device 50 includes a temperature adjusting means 52 on which the wafer 51 is placed, an installation base 53 for holding the temperature adjusting means 52, a push-up pin 54 for moving the wafer 51 up and down, and the push-up pin 54. And a vertical drive mechanism 55 for driving the motor.

温調手段52は、搬入出されるウエハ51の温度管理を行うプレートであり、ウエハ51を載置する上位層のチャック層57と、中間層のペルチェ層58と、下位層の放熱層59との三層構造を有する。チャック層57は、ウエハ51の温度を一定の温度に管理し、不均一な熱分布をなくすための均熱層であり、チャック層57の内部には、温度センサ60が埋設されている。ペルチェ層58は、ペルチェ効果を有する熱電素子(ペルチェ素子)を内部に備えた温熱層である。また、放熱層59は、放熱管61を内部に備えた層であり、ペルチェ層58から下方に排出される熱を、放熱管61内を環流する冷媒により外部へ放出する。   The temperature control means 52 is a plate that controls the temperature of the wafer 51 that is loaded and unloaded, and includes an upper layer chuck layer 57 on which the wafer 51 is placed, an intermediate layer Peltier layer 58, and a lower layer heat dissipation layer 59. Has a three-layer structure. The chuck layer 57 is a soaking layer for managing the temperature of the wafer 51 at a constant temperature and eliminating uneven heat distribution. A temperature sensor 60 is embedded in the chuck layer 57. The Peltier layer 58 is a thermal layer having a thermoelectric element (Peltier element) having a Peltier effect inside. The heat radiation layer 59 is a layer having a heat radiation pipe 61 therein, and releases heat discharged downward from the Peltier layer 58 to the outside by a refrigerant circulating in the heat radiation pipe 61.

突き上げピン54は、温調手段52を貫通しつつ、矢印aで示すように、上端がチャック層57の表面に対して出没自在に上下駆動可能な3本のピンで構成されている。各ピンの軸内部には、細管が貫設されており、不図示の吸着機構によって、ウエハ51は、真空吸着によりピン先端部に圧接される。なお、本実施形態では、ピンの数を3本としているが、ピン数、及び、ピンの材質や形状については、基板を保持するという目的が達成される範囲において、特に限定するものではない。   The push-up pin 54 is composed of three pins that can be driven up and down so that the upper end of the push-up pin 54 can protrude and retract with respect to the surface of the chuck layer 57 while passing through the temperature adjusting means 52. A thin tube is penetrated inside the shaft of each pin, and the wafer 51 is pressed against the tip of the pin by vacuum suction by a suction mechanism (not shown). In the present embodiment, the number of pins is three, but the number of pins and the material and shape of the pins are not particularly limited as long as the object of holding the substrate is achieved.

上下駆動機構55は、突き上げピン54を支持する支持台62と、該支持台62を上下移動可能に保持するリニアガイド63と、該リニアガイド63にガイドされ、支持台62を駆動するボールネジ64と、該ボールネジ64を回転させるモータ65とを備える。   The vertical drive mechanism 55 includes a support base 62 that supports the push-up pin 54, a linear guide 63 that holds the support base 62 so as to be vertically movable, and a ball screw 64 that is guided by the linear guide 63 and drives the support base 62. And a motor 65 for rotating the ball screw 64.

また、基板保持装置50は、ウエハ51をチャック層57上に載置する際、チャック層57からのウエハ51の落下を防止するための落下防止部材66を備える。落下防止部材66は、チャック層57上の周辺に複数個所の突起部を有する部材である。図3では、認識可能に拡大して表現しているが、実際の突起部の高さは、1〜2mm程度である。一般に、落下防止部材66の材質は、樹脂が採用されるが、特に限定するものではない。   The substrate holding device 50 also includes a fall prevention member 66 for preventing the wafer 51 from falling from the chuck layer 57 when the wafer 51 is placed on the chuck layer 57. The fall prevention member 66 is a member having a plurality of protrusions around the chuck layer 57. In FIG. 3, the recognizable enlarged representation is shown, but the actual height of the protrusion is about 1 to 2 mm. Generally, the material of the fall prevention member 66 is a resin, but is not particularly limited.

更に、基板保持装置50は、突き上げピン54に備えられた上記吸着機構と、温調手段52に備えられた、ウエハ51をチャック層57の表面に吸着するための不図示の吸着機構とに接続された真空装置67を備える。また、基板保持装置50は、上下駆動機構55と、真空装置67とを制御する制御系68を備える。該制御系68は、シーケンサ、若しくは、記録媒体を内蔵したコンピュータ等で構成される制御装置である。なお、制御系68は、露光装置15内の制御部20と通信可能に接続されている。   Further, the substrate holding device 50 is connected to the suction mechanism provided on the push-up pin 54 and the suction mechanism (not shown) provided on the surface of the chuck layer 57 provided on the temperature adjustment means 52. The vacuum device 67 is provided. Further, the substrate holding device 50 includes a control system 68 that controls the vertical drive mechanism 55 and the vacuum device 67. The control system 68 is a control device including a sequencer or a computer with a built-in recording medium. The control system 68 is communicably connected to the control unit 20 in the exposure apparatus 15.

次に、基板保持装置50における温調手段52の温調方法について説明する。まず、図2に示す塗布現像装置16にて、感光性材料であるレジストを塗布されたウエハ51は、第2搬送ユニット28により、温調手段52上に待機している突き上げピン54上に載置される。次に、該突き上げピン54を下降させることにより、ウエハ51は、温調手段52のチャック層57上に面接触で載置され、吸着保持される。このとき、チャック層57上に微小なピンを複数配置し、ウエハ51を面接触ではなく、チャック層57との間に微少なギャップを設けて載置してもよい。一方、ウエハ51を微小なピンではなく、チャック層57上にプロキシミティボールを複数設置し、チャック層57との間に微少なギャップを設けてプロキシミティボール上に載置してもよい。   Next, a temperature adjustment method of the temperature adjustment means 52 in the substrate holding device 50 will be described. First, in the coating and developing apparatus 16 shown in FIG. 2, the wafer 51 coated with a resist, which is a photosensitive material, is placed on the push-up pins 54 waiting on the temperature adjustment means 52 by the second transport unit 28. Placed. Next, by lowering the push-up pins 54, the wafer 51 is placed in surface contact on the chuck layer 57 of the temperature adjustment means 52 and held by suction. At this time, a plurality of minute pins may be disposed on the chuck layer 57, and the wafer 51 may be placed with a minute gap between the wafer 51 and the chuck layer 57 instead of being in surface contact. On the other hand, a plurality of proximity balls may be provided on the chuck layer 57 instead of the minute pins, and the wafer 51 may be placed on the proximity ball with a minute gap provided between the wafer 51 and the chuck layer 57.

ウエハ51がチャック層57上に載置されると、ウエハ51の熱量は、徐々にチャック層57に伝達される。次に、チャック層57の温度を上昇させ、この温度上昇に伴う温度センサ60の温度上昇に対して、温度センサ60の温度が一定となるように、ペルチェ層58に通電する電流値をPID制御する。そして、ペルチェ層58は、チャック層57の熱を吸熱し、チャック層57ごとウエハ51の温度を所望の温度に収束させる。   When the wafer 51 is placed on the chuck layer 57, the heat amount of the wafer 51 is gradually transmitted to the chuck layer 57. Next, the temperature of the chuck layer 57 is raised, and the value of the current supplied to the Peltier layer 58 is PID controlled so that the temperature of the temperature sensor 60 becomes constant with respect to the temperature rise of the temperature sensor 60 accompanying this temperature rise. To do. The Peltier layer 58 absorbs the heat of the chuck layer 57 and converges the temperature of the wafer 51 together with the chuck layer 57 to a desired temperature.

次に、基板保持装置50の作用について説明する。図4は、本発明の実施形態に係る基板保持装置50の動作の流れを示す概略図である。なお、図4において、図3と同一構成のものには同一の符号を付し、説明を省略する。以下、ウエハ51の搬入時に位置ズレが発生し、ウエハ51が落下防止部材66上に乗り上げた場合を想定して説明する。   Next, the operation of the substrate holding device 50 will be described. FIG. 4 is a schematic view showing an operation flow of the substrate holding device 50 according to the embodiment of the present invention. In FIG. 4, the same components as those in FIG. 3 are denoted by the same reference numerals, and description thereof is omitted. In the following description, it is assumed that the wafer 51 is displaced when the wafer 51 is carried in and the wafer 51 is placed on the fall prevention member 66.

図4(A)は、ウエハ51が、突き上げピン54上の正規位置に対して、許容量を越えない範囲の位置に搬入された場合を示す図である。なお、「正規位置」とは、ウエハ51を落下防止部材66よりも内側のチャック層57中心で搬入する位置を示す。また、「許容量」とは、ウエハ51を、突き上げピン54により吸着を不要として保持可能な搬入位置のズレ範囲を示す。   FIG. 4A is a diagram illustrating a case where the wafer 51 is loaded into a position within a range that does not exceed the allowable amount with respect to the normal position on the push-up pin 54. The “regular position” indicates a position where the wafer 51 is carried in at the center of the chuck layer 57 inside the fall prevention member 66. The “allowable amount” indicates a shift range of the loading position where the wafer 51 can be held by the push-up pins 54 without requiring suction.

ここでは、ウエハ51が突き上げピン54上に載置された後、制御系68は、ウエハ51の搬入位置が正規位置に対して許容量を越えない位置であるかの確認を行う。具体的には、搬入確認は、ウエハ51を突き上げピン54に吸着させたときに、正常に吸着されたかで判断する。ウエハ51の搬入確認が完了した後、制御系68は、突き上げピン54を下降駆動させ、ウエハ51をチャック層57上へと移動させる。なお、突き上げピン54からチャック層57へのウエハ51の受け渡し処理速度の向上を考慮し、突き上げピン54の下降前には、予めウエハ51の吸着状態をOFFとする。   Here, after the wafer 51 is placed on the push-up pins 54, the control system 68 confirms whether the loading position of the wafer 51 is a position that does not exceed the allowable amount with respect to the normal position. Specifically, the loading confirmation is determined based on whether the wafer 51 is normally sucked when the wafer 51 is sucked by the push-up pins 54. After the confirmation of the loading of the wafer 51 is completed, the control system 68 drives the push-up pins 54 downward to move the wafer 51 onto the chuck layer 57. In consideration of an improvement in the transfer processing speed of the wafer 51 from the push-up pin 54 to the chuck layer 57, the suction state of the wafer 51 is turned off in advance before the push-up pin 54 is lowered.

図4(B)は、ウエハ51が、正規位置に対して許容量を越えない範囲でズレを起こした位置に配置され、落下防止部材66に乗り上げた場合を示す図である。ここで、突き上げピン54の下降前はウエハ51の吸着状態がOFFであるため、制御系68は、突き上げピン54の下降駆動中には、ウエハ51が落下防止部材66に乗り上げたことを吸着状態の監視によって検出することはできない。したがって、制御系68は、ウエハ51を搬送させる搬送シーケンスを中断せず、突き上げピン54は、下降駆動を継続し、指定下段位置で停止する。   FIG. 4B is a diagram showing a case where the wafer 51 is disposed at a position where the wafer 51 is displaced within the allowable range with respect to the normal position and rides on the fall prevention member 66. Here, since the suction state of the wafer 51 is OFF before the push-up pin 54 is lowered, the control system 68 indicates that the wafer 51 has been placed on the fall prevention member 66 while the push-up pin 54 is being lowered. It cannot be detected by monitoring. Therefore, the control system 68 does not interrupt the transfer sequence for transferring the wafer 51, and the push-up pin 54 continues to be lowered and stops at the designated lower position.

次に、制御系68は、ウエハ51を温調するにあたり、チャック層57に備えられた不図示の吸着機構により、ウエハ51をチャック層57上に吸着する吸着シーケンスを開始する。しかしながら、ウエハ51は、落下防止部材66に乗り上げた状態であるため、チャック層57は、ウエハ51の吸着を正常に行うことができない。したがって、吸着エラーが発生し、制御系68は、吸着シーケンスを中断する。   Next, when the temperature of the wafer 51 is controlled, the control system 68 starts an adsorption sequence for attracting the wafer 51 onto the chuck layer 57 by an unillustrated adsorption mechanism provided on the chuck layer 57. However, since the wafer 51 is on the fall prevention member 66, the chuck layer 57 cannot normally attract the wafer 51. Therefore, an adsorption error occurs, and the control system 68 interrupts the adsorption sequence.

図4(C)は、吸着シーケンスの中断から正常動作へ復旧させるにあたり、本発明の特徴である、吸着異常が、異物付着に起因するものか、若しくは、ウエハ51の落下防止部材66への乗り上げに起因するものかを判断するシーケンスの開始を示す図である。   FIG. 4C shows that when returning from the interruption of the adsorption sequence to the normal operation, the adsorption abnormality, which is a feature of the present invention, is caused by adhesion of foreign matter, or the wafer 51 rides on the fall prevention member 66. It is a figure which shows the start of the sequence which judges whether it originates in.

まず、制御系68は、突き上げピン54を指定下段位置から上昇駆動させる。ここで、制御系68は、ウエハ51が突き上げピン54の上昇によって跳ね上がらないようにするために、突き上げピン54の駆動量を、微小単位(例えば、0.1mm程度)に区切り、突き上げピン54を段階的に上昇駆動させる。以下、この突き上げピン54の上昇駆動方法を、「ステップ上昇駆動」と表す。次に、制御系68は、ステップ上昇駆動を、突き上げピン54の先端部が落下防止部材66の高さよりも1段階低い位置(上昇限界位置)になるまで実行する。ここで、「1段」とは、例えば、上記微小単位の一単位分を示し、また、チャック層57の表面から落下防止部材66の高さよりも1段低い位置までの駆動量を、「駆動規定量」と定義する。   First, the control system 68 drives the push-up pin 54 upward from the designated lower position. Here, the control system 68 divides the drive amount of the push-up pin 54 into minute units (for example, about 0.1 mm) so that the wafer 51 does not jump up due to the rise of the push-up pin 54, and the push-up pin 54 is separated. Drive up in stages. Hereinafter, this upward drive method of the push-up pin 54 is referred to as “step upward drive”. Next, the control system 68 executes the step-up drive until the tip of the push-up pin 54 reaches a position (upward limit position) that is one step lower than the height of the fall prevention member 66. Here, “one step” indicates, for example, one unit of the minute unit, and the driving amount from the surface of the chuck layer 57 to a position one step lower than the height of the fall prevention member 66 is “drive”. Defined amount.

更に、突き上げピン54のステップ上昇駆動において、各上昇駆動の間の一旦停止時には、制御系68は、突き上げピン54に備えられた吸着機構により、吸着確認を実行させる。ここで、最終的な突き上げピン54の高さである、落下防止部材66の高さよりも1段低い位置になる前に、ウエハ51の吸着状態がONとなることを確認できた場合、ウエハ51は、チャック層57の表面と平行な状態で突き上げピン54上に載置されている。即ち、ウエハ51は落下防止部材66に乗り上げていないと判断できる。一方、最終的な突き上げピン54の高さ位置においても、ウエハ51の吸着状態がONとなることを確認できなかった場合、ウエハ51は落下防止部材66に乗り上げていると判断できる。   Further, in the step-up drive of the push-up pin 54, when temporarily stopping during each lift-up drive, the control system 68 causes the suction mechanism provided in the push-up pin 54 to perform suction confirmation. Here, when it is confirmed that the suction state of the wafer 51 is turned on before reaching the position one step lower than the height of the fall prevention member 66, which is the final height of the push-up pin 54, the wafer 51 Is placed on the push-up pin 54 in a state parallel to the surface of the chuck layer 57. That is, it can be determined that the wafer 51 does not ride on the fall prevention member 66. On the other hand, if it cannot be confirmed that the suction state of the wafer 51 is ON even at the final height of the push-up pin 54, it can be determined that the wafer 51 is riding on the fall prevention member 66.

次に、本発明の特徴である制御系68の搬送シーケンス及び判定シーケンスについて、図5及び図6のフローチャートを用いて説明する。図5は、制御系68の搬送シーケンスを示すフローチャートである。   Next, the conveyance sequence and determination sequence of the control system 68, which is a feature of the present invention, will be described with reference to the flowcharts of FIGS. FIG. 5 is a flowchart showing a transport sequence of the control system 68.

まず、第2搬送ユニット28は、ウエハ51を塗布現像装置16から搬入部35内の基板保持装置50へ搬送する(ステップS1)。このとき、基板保持装置50の突き上げピン54は、指定上段位置にて待機している。   First, the second transport unit 28 transports the wafer 51 from the coating and developing apparatus 16 to the substrate holding device 50 in the carry-in unit 35 (step S1). At this time, the push-up pin 54 of the substrate holding device 50 stands by at the designated upper position.

次に、ウエハ51が搬送された後、制御系68は、ウエハ51の搬入位置が正規位置に対して許容量を越えない位置であるかの確認を行うため、突き上げピン54上にウエハ51を吸着させる(ステップS2)。   Next, after the wafer 51 is transferred, the control system 68 moves the wafer 51 onto the push-up pins 54 in order to check whether the loading position of the wafer 51 is a position that does not exceed the allowable amount with respect to the normal position. Adsorption is performed (step S2).

ここで、ウエハ51の吸着が正常に終了しなかった場合、露光装置15内の第1搬送制御部24は、塗布現像装置16内の塗布現像装置制御部29、若しくは、第2搬送制御部32に対して、基板位置異常を通知する(ステップS15)。次に、第2搬送ユニット28は、ウエハ51を基板保持装置50から塗布現像装置16へ搬出し、制御系68は、搬送シーケンスを復旧する(ステップS16)。   Here, when the suction of the wafer 51 is not normally completed, the first transport control unit 24 in the exposure apparatus 15 is configured so that the coating / developing apparatus control unit 29 in the coating / developing apparatus 16 or the second transport control unit 32. Is notified of the substrate position abnormality (step S15). Next, the second transfer unit 28 unloads the wafer 51 from the substrate holding device 50 to the coating and developing apparatus 16, and the control system 68 restores the transfer sequence (step S16).

一方、ウエハ51の吸着が正常に終了した場合、制御系68は、突き上げピン54を下降させ、ウエハ51をチャック層57上に載置する(ステップS3)。なお、図4(A)で説明したとおり、突き上げピン54の下降前には、予めウエハ51の吸着状態をOFFとしている。   On the other hand, when the adsorption of the wafer 51 is normally completed, the control system 68 lowers the push-up pin 54 and places the wafer 51 on the chuck layer 57 (step S3). As described with reference to FIG. 4A, the suction state of the wafer 51 is turned off in advance before the push-up pins 54 are lowered.

次に、温調手段52にてウエハ51を温調するにあたり、チャック層57に備えられた吸着機構により、ウエハ51の吸着を実行する(ステップS4)。   Next, when the temperature of the wafer 51 is adjusted by the temperature adjustment means 52, the wafer 51 is sucked by the suction mechanism provided in the chuck layer 57 (step S4).

次に、制御系68は、ウエハ51がチャック層57上に正常に吸着されたかの結果に基づいて、ウエハ51の保持確認を行う(ステップS5)。ここで、ウエハ51がチャック層57上に正常に吸着された場合は、制御系68は、基板温調シーケンスに移行し、ウエハ51の温調を開始する(ステップS6)。一方、ウエハ51が正常に吸着されなかった場合は、ウエハ51が落下防止部材66への乗り上げたかを判定する判定シーケンスに移行する(判定工程:ステップS12)。該判定シーケンスについては、図6にて説明する。   Next, the control system 68 confirms the holding of the wafer 51 based on the result of whether the wafer 51 is normally attracted onto the chuck layer 57 (step S5). Here, when the wafer 51 is normally adsorbed on the chuck layer 57, the control system 68 shifts to a substrate temperature adjustment sequence and starts temperature adjustment of the wafer 51 (step S6). On the other hand, when the wafer 51 is not normally attracted, the process proceeds to a determination sequence for determining whether the wafer 51 has been placed on the fall prevention member 66 (determination step: step S12). The determination sequence will be described with reference to FIG.

次に、基板温調シーケンスの終了後、制御系68は、ウエハ51の吸着を終了させ、ウエハ51をチャック層57から開放する(ステップS7)。次に、制御系68は、突き上げピン54の上昇駆動時に、ウエハ51に位置ズレが発生しないように、予め突き上げピン54の吸着をONとし(ステップS8)、突き上げピン54を上昇駆動させる(ステップS9)。次に、制御系68は、突き上げピン54を所定の位置まで上昇させた後、突き上げピン54の吸着をOFFとする(ステップS10)。そして、露光装置15内の第1搬送ユニット19は、基板保持装置50からウエハ51を搬出し、露光処理部17にウエハ51を搬入する(ステップS11)。   Next, after the substrate temperature adjustment sequence is completed, the control system 68 ends the adsorption of the wafer 51 and releases the wafer 51 from the chuck layer 57 (step S7). Next, the control system 68 turns on the suction of the push-up pins 54 in advance so that the wafer 51 does not shift when the push-up pins 54 are raised (step S8), and drives the push-up pins 54 up (step S8). S9). Next, the control system 68 raises the push-up pin 54 to a predetermined position, and then turns off the suction of the push-up pin 54 (step S10). Then, the first transfer unit 19 in the exposure apparatus 15 unloads the wafer 51 from the substrate holding apparatus 50 and loads the wafer 51 into the exposure processing unit 17 (step S11).

図6は、本発明の特徴である判定シーケンス(ステップS12)を示すフローチャートである。   FIG. 6 is a flowchart showing a determination sequence (step S12) that is a feature of the present invention.

まず、図4(C)に示したとおり、制御系68は、突き上げピン54を指定下段位置から上昇させ、突き上げピン54の先端部がチャック層57の表面に達した後、ステップ上昇駆動を開始させる(ステップ上昇駆動工程:ステップS121)。   First, as shown in FIG. 4C, the control system 68 raises the push-up pin 54 from the designated lower position, and starts the step-up drive after the tip of the push-up pin 54 reaches the surface of the chuck layer 57. (Step rising drive process: step S121).

次に、ステップ上昇駆動における各上昇駆動の間の一旦停止時は、制御系68は、突き上げピン54の吸着確認を毎回実施させる(吸着確認工程:ステップS122)。この突き上げピン54の一旦停止時の吸着確認において、ウエハ51が落下防止部材66に乗り上げているかを判定するため、制御系68は、突き上げピン54による保持確認(ステップS123)と、続いて、駆動量の確認(ステップS124)を実行する。   Next, when temporarily stopping during each ascending drive in the step ascending drive, the control system 68 performs suction confirmation of the push-up pin 54 every time (suction confirmation step: step S122). In order to determine whether or not the wafer 51 is riding on the fall prevention member 66 in the suction confirmation when the push-up pin 54 is temporarily stopped, the control system 68 confirms the holding by the push-up pin 54 (step S123), and then drives. The amount is confirmed (step S124).

ここで、突き上げピン54の上昇駆動量が駆動規定量に達する前に、ウエハ51の吸着状態がONとなることを確認できた場合は、制御系68は、ウエハ51が落下防止部材66に乗り上げていないと判定する(ステップS127)。一方、突き上げピン54の上昇駆動量が駆動規定量に達しても、ウエハ51の吸着状態がONになることを確認できなかった場合は、制御系68は、ウエハ51が落下防止部材66に乗り上げていると判定する(ステップS125)。ステップS125にて、ウエハ51が落下防止部材66に乗り上げていると判定された場合、制御系68は、検出結果を露光装置15内の制御部20に送信し、記憶させる(ステップS126)。   Here, if it can be confirmed that the suction state of the wafer 51 is turned on before the rising drive amount of the push-up pin 54 reaches the drive specified amount, the control system 68 rides the wafer 51 on the fall prevention member 66. It is determined that it is not present (step S127). On the other hand, even if the raising drive amount of the push-up pin 54 reaches the drive specified amount, if it cannot be confirmed that the suction state of the wafer 51 is turned ON, the control system 68 rides the wafer 51 on the fall prevention member 66. (Step S125). If it is determined in step S125 that the wafer 51 is riding on the fall prevention member 66, the control system 68 transmits the detection result to the control unit 20 in the exposure apparatus 15 and stores it (step S126).

次に、露光装置15は、制御部20に記憶した検出結果に基づいて、ウエハ51の乗り上げが検出されなかった場合は、図5のステップS9の搬送シーケンスに自動復旧する(ステップS13)。一方、ウエハ51の乗り上げが検出された場合は、制御系68は、オペレータによる基板搬出を要求し、オペレータによる基板搬出後、通常の搬送シーケンスに復旧する(ステップS14)。   Next, based on the detection result stored in the control unit 20, the exposure apparatus 15 automatically recovers to the transfer sequence of step S9 in FIG. 5 when the loading of the wafer 51 is not detected (step S13). On the other hand, when the loading of the wafer 51 is detected, the control system 68 requests the operator to carry out the substrate, and after the substrate is carried out by the operator, the normal transfer sequence is restored (step S14).

以上のように、本発明によれば、上記判定シーケンスにより、吸着異常の原因が、異物等の付着によるものであるのか、若しくは、基板の落下防止部材への乗り上げによるものであるのかを判断することが可能となる。したがって、オペレータ等の人的介在が不要な吸着異常の場合、基板の搬送シーケンスを自動で復旧させることができるので、露光装置のダウンタイムを低減することが可能となる。   As described above, according to the present invention, the determination sequence determines whether the cause of the adsorption abnormality is due to adhesion of foreign matter or the like, or due to the board riding on the fall prevention member. It becomes possible. Therefore, in the case of an adsorption abnormality that does not require human intervention by an operator or the like, the substrate transfer sequence can be automatically restored, so that the downtime of the exposure apparatus can be reduced.

(デバイスの製造方法)
次に、上記の露光装置を利用したデバイスの製造方法の実施形態について説明する。
(Device manufacturing method)
Next, an embodiment of a device manufacturing method using the above exposure apparatus will be described.

半導体素子、液晶表示素子、撮像素子(CCD等)、薄膜磁気ヘッド等のデバイスは、レジスト(感光剤)が塗布された基板(ウエハ、ガラスプレート等)を、上記の露光装置を用いて露光する工程を経る。続いて、露光された前記基板を現像する工程と、その他の周知の工程と、を行うことによってデバイスが製造される。該周知の工程は、例えば、酸化、成膜、蒸着、ドーピング、平坦化、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、及びパッケージング等の少なくとも1つの工程を含む。   Devices such as semiconductor elements, liquid crystal display elements, imaging elements (CCDs, etc.), thin film magnetic heads, etc., expose a substrate (wafer, glass plate, etc.) coated with a resist (photosensitive agent) using the above exposure apparatus. Go through the process. Subsequently, a device is manufactured by performing a process of developing the exposed substrate and other known processes. The known processes include at least one process such as oxidation, film formation, vapor deposition, doping, planarization, etching, resist stripping, dicing, bonding, and packaging.

(その他の実施形態)
本発明は、上記実施形態に限定するものでなく、本発明の目的が達成される範囲において、各構成が代替的に置換されても良い。
(Other embodiments)
The present invention is not limited to the above-described embodiment, and each configuration may be alternatively substituted as long as the object of the present invention is achieved.

上記実施形態では、基板搬入時において基板に位置ズレが発生した場合を例示したが、例えば、突き上げピン54の下降駆動時において、振動、又は風圧等の外力による基板の位置ズレが発生した場合でも、本発明は適用可能である。   In the above-described embodiment, the case where the positional deviation occurs in the substrate at the time of carrying in the substrate is illustrated. However, for example, even when the positional deviation of the substrate due to external force such as vibration or wind pressure occurs when the push-up pin 54 is driven downward. The present invention is applicable.

また、本発明の基板保持装置は、ステップS12に示した判定シーケンスによる判定結果に基づいて、基板の受け渡し位置の精度を規定することが可能である。この場合、落下防止部材は、予め搬送するウエハの大きさや形状に合わせて任意に配置される。例えば、所望の受け渡し精度に合わせて、落下防止部材を、基板を囲うように配置してもよい。これによれば、判定シーケンスにより、基板が落下防止部材へ乗り上げていない状態を確認できれば、基板の受け渡し位置は、精度を満たしていると判断することができる。   Further, the substrate holding apparatus of the present invention can define the accuracy of the substrate delivery position based on the determination result by the determination sequence shown in step S12. In this case, the fall prevention member is arbitrarily arranged according to the size and shape of the wafer to be transferred in advance. For example, the fall prevention member may be arranged so as to surround the substrate in accordance with a desired delivery accuracy. According to this, if it can be confirmed by the determination sequence that the substrate is not on the fall prevention member, it can be determined that the substrate delivery position satisfies the accuracy.

なお、本発明は、その精神、又はその主要な特徴から逸脱することなく、様々な形で実現する事ができる。したがって、前述の実施形態はあらゆる点に於いて単なる例示に過ぎ
ず、限定的に解釈してはならない。
Note that the present invention can be realized in various forms without departing from the spirit or main features thereof. Accordingly, the above-described embodiment is merely an example in all respects and should not be interpreted in a limited manner.

本発明の実施形態に係る露光装置の本体部分の構成を示す概略図である。It is the schematic which shows the structure of the main-body part of the exposure apparatus which concerns on embodiment of this invention. 本発明の実施形態に係るデバイス製造装置の構成を示す概略図である。It is the schematic which shows the structure of the device manufacturing apparatus which concerns on embodiment of this invention. 本発明の実施形態に係る基板保持装置の構成を示す概略図である。It is a schematic diagram showing the composition of the substrate holding device concerning the embodiment of the present invention. 本発明の実施形態に係る基板保持装置の動作の流れを示す概略図である。It is the schematic which shows the flow of operation | movement of the substrate holding apparatus which concerns on embodiment of this invention. 本発明の実施形態に係る制御系の搬送シーケンスを示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the conveyance sequence of the control system which concerns on embodiment of this invention. 本発明の実施形態に係る制御系の判定シーケンスを示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the determination sequence of the control system which concerns on embodiment of this invention.

符号の説明Explanation of symbols

2 照明光学系
3 レチクル
4 レチクルステージ系
6 投影光学系
7 ウエハ
8 基板ステージ系
15 露光装置
34 受渡ステーション
50 基板保持装置
51 ウエハ
52 温調手段
54 突き上げピン
55 上下駆動機構
66 落下防止部材
68 制御系
DESCRIPTION OF SYMBOLS 2 Illumination optical system 3 Reticle 4 Reticle stage system 6 Projection optical system 7 Wafer 8 Substrate stage system 15 Exposure apparatus 34 Delivery station 50 Substrate holding apparatus 51 Wafer 52 Temperature control means 54 Push-up pin 55 Vertical drive mechanism 66 Drop prevention member 68 Control system

Claims (11)

基板を吸着保持し、前記基板の温調を行う温調手段と、該温調手段からの前記基板の落下を防止する落下防止部材と、前記基板の受け渡しを行うための吸着機構及び上下駆動機構を備えた突き上げピンと、前記吸着機構及び上下駆動機構を制御する制御系とを備え、前記基板の保持及び温調を行う基板保持方法において、
前記基板を前記温調手段に吸着保持させる際に、吸着異常が発生した場合、吸着異常の原因が、前記基板が前記落下防止部材に乗り上げたことに起因するものかを判定する判定工程を有することを特徴とする基板保持方法。
Temperature control means for adsorbing and holding the substrate and adjusting the temperature of the substrate; a fall prevention member for preventing the substrate from dropping from the temperature adjustment means; an adsorption mechanism and a vertical drive mechanism for delivering the substrate A substrate holding method for holding and controlling the temperature of the substrate, comprising a push-up pin provided with a control system for controlling the suction mechanism and the vertical drive mechanism,
A determination step of determining whether the cause of the adsorption abnormality is caused by the board riding on the fall prevention member when the adsorption abnormality occurs when the substrate is adsorbed and held by the temperature control means; A substrate holding method.
前記判定工程は、更に、
前記突き上げピンの駆動量を微小単位に区切り、前記突き上げピンを、前記微小単位に基づいて段階的に上昇駆動させるステップ上昇駆動工程と、
前記ステップ上昇駆動工程における各上昇駆動の間の一旦停止時に、前記基板の吸着確認を行う吸着確認工程と、
を有することを特徴とする請求項1に記載の基板保持方法。
The determination step further includes
A step-up drive step of dividing the drive amount of the push-up pin into small units, and driving the push-up pin up in stages based on the fine units;
An adsorption confirmation process for confirming adsorption of the substrate at the time of temporary stop during each ascending drive in the step-up drive process,
The substrate holding method according to claim 1, wherein:
前記突き上げピンの先端部の上昇限界位置は、前記落下防止部材の高さよりも1段階低い位置であることを特徴とする請求項2に記載の基板保持方法。   The substrate holding method according to claim 2, wherein the rising limit position of the tip of the push-up pin is a position that is one step lower than the height of the fall prevention member. 前記判定工程による判定結果に基づいて、前記基板の受け渡し位置の精度を規定することを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の基板保持方法。   The substrate holding method according to claim 1, wherein the accuracy of the delivery position of the substrate is defined based on a determination result in the determination step. 基板を吸着保持し、前記基板の温調を行う温調手段と、該温調手段からの前記基板の落下を防止する落下防止部材と、前記基板の受け渡しを行うための吸着機構及び上下駆動機構を備えた突き上げピンと、前記吸着機構及び上下駆動機構を制御する制御系とを備える基板保持装置において、
前記制御系は、前記基板を前記温調手段に吸着保持させる際に、吸着異常が発生した場合、吸着異常の原因が、前記基板が前記落下防止部材に乗り上げたことに起因するものかを判定する判定シーケンスを有することを特徴とする基板保持装置。
Temperature control means for adsorbing and holding the substrate and adjusting the temperature of the substrate; a fall prevention member for preventing the substrate from dropping from the temperature adjustment means; an adsorption mechanism and a vertical drive mechanism for delivering the substrate In a substrate holding apparatus comprising a push-up pin provided with a control system for controlling the suction mechanism and the vertical drive mechanism,
The control system determines whether or not the cause of the adsorption abnormality is caused by the board riding on the fall prevention member when the adsorption abnormality occurs when the substrate is adsorbed and held by the temperature control means. A substrate holding apparatus having a determination sequence to perform.
前記判定シーケンスは、前記突き上げピンの駆動量を微小単位に区切り、前記突き上げピンを、前記微小単位に基づいて段階的に上昇駆動させるように前記上下駆動機構を制御させ、更に、各上昇駆動の間の一旦停止時に、前記基板の吸着確認を行うように前記吸着機構を制御させるものであることを特徴とする請求項5に記載の基板保持装置。   The determination sequence divides the drive amount of the push-up pin into minute units, controls the vertical drive mechanism to drive the push-up pin stepwise based on the minute unit, and further, The substrate holding apparatus according to claim 5, wherein the suction mechanism is controlled so as to check the suction of the substrate when it is temporarily stopped. 前記突き上げピンの先端部の上昇限界位置は、前記落下防止部材の高さよりも1段階低い位置であることを特徴とする請求項6に記載の基板保持装置。   The substrate holding apparatus according to claim 6, wherein the rising limit position of the tip of the push-up pin is a position that is one step lower than the height of the fall prevention member. 前記判定シーケンスによる判定結果に基づいて、前記基板の受け渡し位置の精度を規定することを特徴とする請求項5〜7のいずれか1項に記載の基板保持装置。   The substrate holding apparatus according to claim 5, wherein the accuracy of the delivery position of the substrate is defined based on a determination result by the determination sequence. 光源部からの光でレチクルを照明する照明光学系と、前記レチクルを載置して移動可能なレチクルステージ系と、前記レチクルからの光を基板に導く投影光学系と、前記基板を載置して移動可能な基板ステージ系とを有する露光装置であって、
前記基板を前記基板ステージ系へと受け渡す受渡ステーションに設けられた複数の基板保持装置の少なくとも1つは、請求項1〜4のいずれか1項に記載の基板保持方法を採用するか、若しくは、請求項5〜8のいずれか1項に記載の基板保持装置であることを特徴とする露光装置。
An illumination optical system that illuminates a reticle with light from a light source unit, a reticle stage system that can be moved by placing the reticle, a projection optical system that guides light from the reticle to the substrate, and a substrate that is placed An exposure apparatus having a movable and movable substrate stage system,
At least one of a plurality of substrate holding devices provided in a delivery station that delivers the substrate to the substrate stage system employs the substrate holding method according to any one of claims 1 to 4, or An exposure apparatus comprising the substrate holding apparatus according to claim 5.
請求項5〜8のいずれか1項に記載の基板保持装置が備える前記制御系の前記判定シーケンスによる判定結果に基づいて、前記基板を搬送させる搬送シーケンスを自動復旧させることを特徴とする請求項9に記載の露光装置。   The conveyance sequence for conveying the substrate is automatically restored based on the determination result of the determination sequence of the control system included in the substrate holding device according to any one of claims 5 to 8. 9. The exposure apparatus according to 9. 請求項9又は10に記載の露光装置を用いて基板を露光する工程と、
前記基板を現像する工程と、
を有することを特徴とするデバイスの製造方法。
A step of exposing the substrate using the exposure apparatus according to claim 9 or 10;
Developing the substrate;
A device manufacturing method characterized by comprising:
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