KR20150078608A - Apparatus for treating substrate - Google Patents

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Abstract

Provided are an apparatus and a method for treating a substrate by heat. The apparatus for treating a substrate comprises: a heating plate having a plurality of heating zones on an upper surface, and where the substrate is settled; a heater located in the heating plate to heat each heating zone; a measurement member measuring the temperature of each heating zone; and a controller receiving a temperature value measured from the measurement member and deciding a settlement condition of the substrate. The measurement member face the heating plate around a central axis, and comprises temperature sensors having a first sensor and a second sensor measuring the different temperature of heating zones. The controller decides the settlement condition of the substrate based on a first difference value between a first temperature value provided from the first sensor, and a second temperature value provided from the second sensor. Also, the controller separates the normal settlement condition about a central area and an edge area of the substrate and decides the same, thereby precisely understanding the settlement condition about the substrate in which one surface is round.

Description

기판처리장치{Apparatus for treating substrate}[0001] Apparatus for treating substrate [0002]

본 발명은 기판을 처리하는 장치 및 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 기판을 열처리하는 장치 및 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an apparatus and a method for processing a substrate, and more particularly to an apparatus and a method for heat-treating a substrate.

반도체 소자 및 평판표시패널의 제조 공정은 사진, 식각, 애싱, 박막증착, 그리고 세정 공정등 다양한 공정들이 수행된다. 이러한 공정들은 기판반송로봇을 이용하여 각각의 처리부에 기판을 순차적으로 반송하고, 각각의 처리부는 하나의 기판 또는 다수의 기판을 공정 처리 한다. 예컨대, 사진공정에는 기판을 도포 처리부로 반송하여 기판 상에 포토레지스트막을 형성하고, 기판을 노광 처리부에 반송하여 포토레지스트막을 노광처리하며, 기판을 현상처리부에 반송하여 노광된 포토레지시트막을 현상한다.Various processes such as photolithography, etching, ashing, thin film deposition, and cleaning process are performed on the semiconductor device and the flat panel display panel. These processes sequentially transfer the substrates to the respective processing units using the substrate transfer robot, and each of the processing units processes one substrate or a plurality of substrates. For example, in the photolithography process, the substrate is transferred to a coating section to form a photoresist film on the substrate, the substrate is transferred to the exposure section to expose the photoresist film, and the substrate is transferred to the development section to develop the exposed photoresist film .

일반적으로 사진공정 및 현상공정을 수행하기 전후에는 기판을 열처리하는 베이크 공정이 수행된다. 베이크공정은 가열플레이트에 기판이 놓이면, 가열플레이트에 제공된 히터들을 통해 그 기판을 가열한다. 가열플레이트에는 복수 개의 히팅존이 제공되며, 히팅존들은 가열플레이트 내부에 제공된 히터를 통해 각각 가열된다. 그러나 히팅존에 부착된 이물이나, 반송되는 과정 중 로봇의 오판으로 인해 기판은 비정상 안착될 수 있다. 이로 인해 기판은 불균일하게 가열처리된다. In general, a baking process for heat-treating the substrate is performed before and after the photolithography and development processes. The baking process heats the substrate through the heaters provided in the heating plate when the substrate is placed on the heating plate. The heating plate is provided with a plurality of heating zones, and the heating zones are each heated through a heater provided inside the heating plate. However, the foreign matter attached to the heating zone or the misfit of the robot during the transportation may cause the substrate to be abnormally seated. As a result, the substrate is heat-treated non-uniformly.

이를 해결하기 위해 각각의 히팅존의 온도를 측정하는 센서들이 제공된다. 센서들은 각각의 히팅좀의 온도를 측정하고, 그 측정된 값들 중 최고값과 최소값 간의 차이값을 계산한다. 차이값은 작업자가 설정한 기준값보다 높다고 판단되면, 이를 비정상상태로 판단하고, 가성 알람을 발생시킨다.To address this, sensors are provided to measure the temperature of each heating zone. The sensors measure the temperature of each heating element and calculate the difference between the highest value and the lowest value of the measured values. If it is determined that the difference value is higher than the reference value set by the operator, it is determined that the difference is abnormal and a false alarm is generated.

그러나 도1과 같이, 일부 기판(W)은 그 저면이 편평하게 제공되지 않고, 라운드지게 제공된다. 이로 인해 기판(W)이 정상 안착됐음에도 불구하고, 기판의 중앙영역과 대응되는 히팅존의 온도 및 가장자리영역에 대응되는 히팅존의 온도는 차이가 발생된다. However, as shown in Fig. 1, some of the substrates W are not provided flatly at their bottoms but are provided roundly. Thus, although the substrate W is normally seated, the temperature of the heating zone corresponding to the central region of the substrate and the temperature of the heating zone corresponding to the edge region are different from each other.

이로 인해 도1과 같이, 기판(W)이 정상 안착됐음에도 불구하고, 발생되는 가성알람으로 인해 작업자는 기판이 비정상 안착된 경우 발생되는 진성알람과 혼동될 수 있으며, 기판의 실제 안착 상태를 구분하는 것이 어렵다.As a result, even though the substrate W is normally seated as shown in FIG. 1, the operator may be confused with the intrinsic alarm generated when the substrate is placed in an abnormal state due to the false alarm generated, It is difficult.

본 발명은 일면이 라운드지게 제공되는 기판에 대해 안착 상태를 정확하게 파악할 수 있는 장치 및 방법을 제공하고자 한다.SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide an apparatus and a method for precisely grasping a seating state with respect to a substrate provided with a rounded surface.

또한 본 발명은 기판이 정상 안착된 상태에서 가성알람이 발생되는 것을 방지할 수 있는 장치 및 방법을 제공하고자 한다.It is another object of the present invention to provide an apparatus and a method for preventing a false alarm from occurring in a state where a substrate is normally seated.

또한 본 발명은 실제 안착 상태가 비정상적으로 안착된 상태에서만 알람이 발생되는 장치 및 방법을 제공하고자 한다..The present invention also provides an apparatus and method for generating an alarm only when an actual seating state is abnormally seated.

본 발명의 실시예는 기판을 열처리하는 장치 및 방법을 제공한다. 기판처리장치는 상면에 복수 개의 히팅존들을 가지며, 기판이 안착되는 가열플레이트, 상기 히팅존들 각각을 가열하도록 상기 가열플레이트의 내부에 위치되는 히터, 상기 히팅존들 각각의 온도를 측정하는 측정부재, 그리고 상기 측정부재로부터 측정된 온도값을 제공받아 상기 기판의 안착상태를 판단하는 제어기를 포함하되, 상기 측정부재는 상기 가열플레이트의 중심축을 중심으로 서로 대향되게 위치되며, 서로 상이한 상기 히팅존의 온도를 측정하는 제1센서 및 제2센서를 가지는 온도센서들을 포함하되, 상기 제어기는 상기 제1센서로부터 제공되는 제1온도값과 상기 제2센서로부터 제공되는 제2온도값 간의 제1차이값를 근거로 상기 기판의 안착상태를 판단한다. An embodiment of the present invention provides an apparatus and a method for heat-treating a substrate. The substrate processing apparatus includes a heating plate having a plurality of heating zones on its upper surface, a heating plate on which the substrate is placed, a heater positioned inside the heating plate to heat each of the heating zones, a measuring member for measuring the temperature of each of the heating zones, And a controller for receiving a measured temperature value from the measuring member and determining a seating state of the substrate, wherein the measuring member is positioned opposite to the center axis of the heating plate, A temperature sensor having a first sensor for measuring temperature and a second sensor, the controller being operable to determine a first difference value between a first temperature value provided from the first sensor and a second temperature value provided from the second sensor Thereby determining the seating state of the substrate.

상기 제어기는 상기 제1차이값이 허용범위값 내에 제공되면, 상기 기판의 안착상태를 정상상태로 판단하고, 상기 제1차이값이 상기 허용범위값을 벗어나면, 상기 기판의 안착상태를 비정상상태로 판단할 수 있다. 상기 제1센서 및 상기 제2센서는 상기 가열플레이트의 중심축으로부터 동일하게 이격되게 위치될 수 있다. 상기 제1센서 및 상기 제2센서는 상기 가열플레이트의 가장자리영역에 위치되고, 상기 온도센서는 상기 가열플레이트의 중앙영역에 위치되는 제3센서를 더 포함하되, 상기 제어기는 상기 제1온도값 또는 상기 제2온도값과 상기 제3센서로부터 제공된 제3온도값 간의 제2차이값이 상기 허용범위값을 벗어나더라도, 상기 기판의 안착상태를 비정상상태로 판단할 수 있다. 상기 온도센서는 상기 가열플레이트의 중심축을 기준으로, 상기 제3센서와 대향되게 위치되는 제4센서를 더 포함하되, 상기 제어기는 상기 제3온도값과 상기 제4센서로부터 제공되는 제4온도값 간의 제3차이값이 상기 허용범위값을 벗어나면, 상기 기판의 안착상태를 비정상상태로 판단할 수 있다.Wherein the controller determines that the seating state of the substrate is a steady state when the first difference value is provided within the allowable range value and sets the seating state of the substrate to an abnormal state when the first difference value is out of the allowable range value . The first sensor and the second sensor may be equally spaced from the central axis of the heating plate. Wherein the first sensor and the second sensor are located in an edge region of the heating plate and the temperature sensor is located in a central region of the heating plate, The seating state of the substrate may be determined as an abnormal state even if the second difference value between the second temperature value and the third temperature value provided from the third sensor is out of the allowable range value. Wherein the temperature sensor further includes a fourth sensor positioned opposite to the third sensor with respect to a center axis of the heating plate, wherein the controller controls the third temperature value and the fourth temperature value provided from the fourth sensor It is possible to determine the seating state of the substrate to be in an abnormal state if the third difference value is out of the allowable range value.

기판처리방법으로는 가열플레이트에 안착된 기판을 가열하는 단계, 가열플레이트에 형성된 복수 개의 히팅존들 각각의 온도를 측정하는 측정단계, 상기 히팅존들 중 상기 가열플레이트의 중심축을 중심으로 대칭되게 위치되는 히팅존들 간의 온도 차이값을 산출하는 산출단계, 그리고 상기 온도 차이값으로부터 상기 기판의 안착 상태를 판단하는 판단단계를 포함하되, 상기 판단단계에는 상기 온도 차이값이 허용범위값 내에 제공되면, 상기 기판의 안착상태를 정상상태로 판단하고, 상기 온도 차이값이 상기 허용범위값을 벗어나면, 상기 기판의 안착상태를 비정상상태로 판단할 수 있다.The substrate processing method includes heating a substrate placed on a heating plate, measuring a temperature of each of a plurality of heating zones formed on the heating plate, measuring a temperature of each of the plurality of heating zones formed on the heating plate symmetrically about the center axis of the heating plate, A determination step of determining a seating state of the substrate from the temperature difference value, wherein in the determining step, if the temperature difference value is provided within the allowable range value, The seating state of the substrate may be determined as a normal state and the seating state of the substrate may be determined as an abnormal state when the temperature difference value is out of the allowable range value.

상기 판단단계에는 상기 히팅존들 중 상기 가열플레이트의 중심축을 중심으로 비대칭되게 위치되는 히팅존들 간의 온도 차이값이 상기 허용범위값을 벗어나더라도, 상기 기판의 안착상태를 정상상태로 판단할 수 있다, 상기 산출단계에는 상기 히팅존들 중 상기 가열플레이트의 가장자리영역에 위치되는 히팅존들의 온도 차이값을 상기 가열플레이트의 중앙영역에 위치되는 히팅존들보다 우선적으로 산출할 수 있다.In the determining step, the seating state of the substrate may be determined as a normal state even if the temperature difference value between the heating zones positioned asymmetrically about the central axis of the heating plate out of the heating zones is out of the allowable range value And the calculating step may preferentially calculate the temperature difference value of the heating zones located in the edge region of the heating plate among the heating zones with respect to the heating zones located in the central region of the heating plate.

본 발명의 실시예에 의하면, 기판의 중앙영역과 가장자리영역에 대한 정상 안착 상태를 분리하여 판단하므로, 일면이 라운드지게 제공되는 기판에 대해 안착 상태를 정확하게 파악할 수 있다.According to the embodiment of the present invention, since the normal seating state of the central region and the edge region of the substrate is separated and determined, the seating state can be grasped accurately with respect to the substrate provided with one side rounded.

도1은 일면이 라운드지도록 제공되는 기판이 안착된 상태를 보여주는 단면도이다.
도2는 기판 처리 설비를 상부에서 바라본 도면이다.
도3은 도2의 설비를 A-A 방향에서 바라본 도면이다.
도4는 도2의 설비를 B-B 방향에서 바라본 도면이다.
도5는 도2의 설비를 C-C 방향에서 바라본 도면이다.
도6은 도2의 기판지지유닛을 보여주는 단면도이다.
도7은 도6의 가열플레이트를 보여주는 평면도이다.
도8은 도6의 가열플레이트에 기판이 정상 안착된 상태를 보여주는 도면이다.
도9는 도6의 가열플레이트에 기판이 비정상 안착된 상태를 보여주는 도면이다.1 is a cross-sectional view showing a state in which a substrate provided with a rounded surface is seated.
Figure 2 is a top view of the substrate processing facility.
Fig. 3 is a view of the equipment of Fig. 2 viewed from the direction AA.
Fig. 4 is a view of the equipment of Fig. 2 viewed from the BB direction. Fig.
Fig. 5 is a view of the equipment of Fig. 2 viewed from the CC direction.
FIG. 6 is a cross-sectional view showing the substrate supporting unit of FIG. 2;
FIG. 7 is a plan view showing the heating plate of FIG. 6;
FIG. 8 is a view showing a state where the substrate is normally placed on the heating plate of FIG. 6;
FIG. 9 is a view showing a state where the substrate is abnormally placed on the heating plate of FIG. 6;

이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면을 참조하여 더욱 상세히 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장되었다. Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The embodiments of the present invention may be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited to the following embodiments. This embodiment is provided to more fully describe the present invention to those skilled in the art. Thus, the shape of the elements in the figures has been exaggerated to emphasize a clearer description.

본 실시예의 설비는 반도체 웨이퍼 또는 평판 표시 패널과 같은 기판에 대해 포토리소그래피 공정을 수행하는 데 사용될 수 있다. 특히 본 실시예의 설비는 노광장치에 연결되어 기판에 대해 도포 공정 및 현상 공정을 수행하는 데 사용될 수 있다. 아래에서는 기판으로 웨이퍼가 사용된 경우를 예로 들어 설명한다.The facilities of this embodiment can be used to perform a photolithography process on a substrate such as a semiconductor wafer or a flat panel display panel. In particular, the apparatus of this embodiment can be used to perform a coating process and a developing process on a substrate, which is connected to an exposure apparatus. Hereinafter, a case where a wafer is used as a substrate will be described as an example.

이하 도 2 내지 도 9를 통해 본 발명의 기판 처리 설비를 설명한다.Hereinafter, the substrate processing apparatus of the present invention will be described with reference to FIGS. 2 to 9. FIG.

도 2는 기판 처리 설비를 상부에서 바라본 도면이고, 도 3은 도 2의 설비를 A-A 방향에서 바라본 도면이고, 도 4는 도 2의 설비를 B-B 방향에서 바라본 도면이고, 도 5는 도 2의 설비를 C-C 방향에서 바라본 도면이다. FIG. 2 is a view of the substrate processing apparatus viewed from above, FIG. 3 is a view of the apparatus of FIG. 2 viewed from the AA direction, FIG. 4 is a view of the apparatus of FIG. 2 viewed from the BB direction, In the CC direction.

도 2 내지 도 5를 참조하면, 기판 처리 설비(1)는 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 제 1 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 제 2 버퍼 모듈(500), 노광 전후 처리 모듈(600), 그리고 인터페이스 모듈(700)을 포함한다. 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 제 1 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 제 2 버퍼 모듈(500), 노광 전후 처리 모듈(600), 그리고 인터페이스 모듈(700)은 순차적으로 일 방향으로 일렬로 배치된다. 2 to 5, the substrate processing apparatus 1 includes a load port 100, an index module 200, a first buffer module 300, a coating and developing module 400, a second buffer module 500 An exposure pre- and post-processing module 600, and an interface module 700. The load port 100, the index module 200, the first buffer module 300, the application and development module 400, the second buffer module 500, the pre-exposure processing module 600, and the interface module 700, Are sequentially arranged in one direction in a single direction.

이하, 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 제 1 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 제 2 버퍼 모듈(500), 노광 전후 처리 모듈(600), 그리고 인터페이스 모듈(700)이 배치된 방향을 제 1 방향(12)이라 칭하고, 상부에서 바라볼 때 제 1 방향(12)과 수직한 방향을 제 2 방향(14)이라 칭하고, 제 1 방향(12) 및 제 2 방향(14)과 각각 수직한 방향을 제 3 방향(16)이라 칭한다. Hereinafter, the load port 100, the index module 200, the first buffer module 300, the coating and developing module 400, the second buffer module 500, the pre-exposure processing module 600, 700 are referred to as a first direction 12 and a direction perpendicular to the first direction 12 as viewed from above is referred to as a second direction 14 and a direction in which the first direction 12 and the second And a direction perpendicular to the direction 14 is referred to as a third direction 16.

기판(W)은 카세트(20) 내에 수납된 상태로 이동된다. 이때 카세트(20)는 외부로부터 밀폐될 수 있는 구조를 가진다. 예컨대, 카세트(20)로는 전방에 도어를 가지는 전면 개방 일체식 포드(Front Open Unified Pod; FOUP)가 사용될 수 있다. The substrate W is moved in a state accommodated in the cassette 20. At this time, the cassette 20 has a structure that can be sealed from the outside. For example, as the cassette 20, a front open unified pod (FOUP) having a door at the front can be used.

이하에서는 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 제 1 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 제 2 버퍼 모듈(500), 노광 전후 처리 모듈(600), 그리고 인터페이스 모듈(700)에 대해 상세히 설명한다.Hereinafter, the load port 100, the index module 200, the first buffer module 300, the application and development module 400, the second buffer module 500, the pre-exposure processing module 600, 700 will be described in detail.

로드 포트(100)는 기판들(W)이 수납된 카세트(20)가 놓여지는 재치대(120)를 가진다. 재치대(120)는 복수개가 제공되며, 재치대들(200)은 제 2 방향(14)을 따라 일렬로 배치된다. 도 2에서는 4개의 재치대(120)가 제공되었다. The load port 100 has a mounting table 120 on which the cassette 20 accommodating the substrates W is placed. A plurality of mounts 120 are provided, and the mounts 200 are arranged in a line along the second direction 14. [ In Fig. 2, four placement tables 120 are provided.

인덱스 모듈(200)은 로드 포트(100)의 재치대(120)에 놓인 카세트(20)와 제 1 버퍼 모듈(300) 간에 기판(W)을 이송한다. 인덱스 모듈(200)은 프레임(210), 인덱스 로봇(220), 그리고 가이드 레일(230)을 가진다. 프레임(210)은 대체로 내부가 빈 직육면체의 형상으로 제공되며, 로드 포트(100)와 제 1 버퍼 모듈(300) 사이에 배치된다. 인덱스 모듈(200)의 프레임(210)은 후술하는 제 1 버퍼 모듈(300)의 프레임(310)보다 낮은 높이로 제공될 수 있다. 인덱스 로봇(220)과 가이드 레일(230)은 프레임(210) 내에 배치된다. 인덱스 로봇(220)은 기판(W)을 직접 핸들링하는 핸드(221)가 제 1 방향(12), 제 2 방향(14), 제 3 방향(16)으로 이동 가능하고 회전될 수 있도록 4축 구동이 가능한 구조를 가진다. 인덱스 로봇(220)은 핸드(221), 아암(222), 지지대(223), 그리고 받침대(224)를 가진다. 핸드(221)는 아암(222)에 고정 설치된다. 아암(222)은 신축 가능한 구조 및 회전 가능한 구조로 제공된다. 지지대(223)는 그 길이 방향이 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 아암(222)은 지지대(223)를 따라 이동 가능하도록 지지대(223)에 결합된다. 지지대(223)는 받침대(224)에 고정결합된다. 가이드 레일(230)은 그 길이 방향이 제 2 방향(14)을 따라 배치되도록 제공된다. 받침대(224)는 가이드 레일(230)을 따라 직선 이동 가능하도록 가이드 레일(230)에 결합된다. 또한, 도시되지는 않았지만, 프레임(210)에는 카세트(20)의 도어를 개폐하는 도어 오프너가 더 제공된다.The index module 200 transfers the substrate W between the cassette 20 placed on the table 120 of the load port 100 and the first buffer module 300. The index module 200 has a frame 210, an index robot 220, and a guide rail 230. The frame 210 is provided generally in the shape of an inner rectangular parallelepiped and is disposed between the load port 100 and the first buffer module 300. The frame 210 of the index module 200 may be provided at a lower height than the frame 310 of the first buffer module 300 described later. The index robot 220 and the guide rail 230 are disposed within the frame 210. The index robot 220 is moved in the first direction 12, the second direction 14 and the third direction 16 so that the hand 221 that directly handles the substrate W can be moved and rotated in the first direction 12, the second direction 14, . The index robot 220 has a hand 221, an arm 222, a support 223, and a pedestal 224. The hand 221 is fixed to the arm 222. The arm 222 is provided with a stretchable structure and a rotatable structure. The support base 223 is disposed along the third direction 16 in the longitudinal direction. The arm 222 is coupled to the support 223 to be movable along the support 223. The support 223 is fixedly coupled to the pedestal 224. The guide rails 230 are provided so that their longitudinal direction is arranged along the second direction 14. The pedestal 224 is coupled to the guide rail 230 so as to be linearly movable along the guide rail 230. Further, although not shown, the frame 210 is further provided with a door opener for opening and closing the door of the cassette 20.

제 1 버퍼 모듈(300)은 프레임(310), 제 1 버퍼(320), 제 2 버퍼(330), 냉각 챔버(350), 그리고 제 1 버퍼 로봇(360)을 가진다. 프레임(310)은 내부가 빈 직육면체의 형상으로 제공되며, 인덱스 모듈(200)과 도포 및 현상 모듈(400) 사이에 배치된다. 제 1 버퍼(320), 제 2 버퍼(330), 냉각 챔버(350), 그리고 제 1 버퍼 로봇(360)은 프레임(310) 내에 위치된다. 냉각 챔버(350), 제 2 버퍼(330), 그리고 제 1 버퍼(320)는 순차적으로 아래에서부터 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 제 1 버퍼(320)는 후술하는 도포 및 현상 모듈(400)의 도포 모듈(401)과 대응되는 높이에 위치되고, 제 2 버퍼(330)와 냉각 챔버(350)는 후술하는 도포 및 현상 모듈(400)의 현상 모듈(402)과 대응되는 높이에 위치된다. 제 1 버퍼 로봇(360)은 제 2 버퍼(330), 냉각 챔버(350), 그리고 제 1 버퍼(320)와 제 2 방향(14)으로 일정 거리 이격되게 위치된다. The first buffer module 300 has a frame 310, a first buffer 320, a second buffer 330, a cooling chamber 350, and a first buffer robot 360. The frame 310 is provided in the shape of an inner rectangular parallelepiped and is disposed between the index module 200 and the application and development module 400. The first buffer 320, the second buffer 330, the cooling chamber 350, and the first buffer robot 360 are located within the frame 310. The cooling chamber 350, the second buffer 330, and the first buffer 320 are sequentially disposed in the third direction 16 from below. The second buffer 330 and the cooling chamber 350 are located at a height corresponding to the coating module 401 of the coating and developing module 400 described later and the coating and developing module 400 at a height corresponding to the developing module 402. [ The first buffer robot 360 is spaced apart from the second buffer 330, the cooling chamber 350 and the first buffer 320 by a predetermined distance in the second direction 14.

제 1 버퍼(320)와 제 2 버퍼(330)는 각각 복수의 기판들(W)을 일시적으로 보관한다. 제 2 버퍼(330)는 하우징(331)과 복수의 지지대들(332)을 가진다. 지지대들(332)은 하우징(331) 내에 배치되며, 서로 간에 제 3 방향(16)을 따라 이격되게 제공된다. 각각의 지지대(332)에는 하나의 기판(W)이 놓인다. 하우징(331)은 인덱스 로봇(220), 제 1 버퍼 로봇(360), 그리고 후술하는 현상 모듈(402)의 현상부 로봇(482)이 하우징(331) 내 지지대(332)에 기판(W)을 반입 또는 반출할 수 있도록 인덱스 로봇(220)이 제공된 방향, 제 1 버퍼 로봇(360)이 제공된 방향, 그리고 현상부 로봇(482)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 제 1 버퍼(320)는 제 2 버퍼(330)와 대체로 유사한 구조를 가진다. 다만, 제 1 버퍼(320)의 하우징(321)에는 제 1 버퍼 로봇(360)이 제공된 방향 및 후술하는 도포 모듈(401)에 위치된 도포부 로봇(432)이 제공된 방향에 개구를 가진다. 제 1 버퍼(320)에 제공된 지지대(322)의 수와 제 2 버퍼(330)에 제공된 지지대(332)의 수는 동일하거나 상이할 수 있다. 일 예에 의하면, 제 2 버퍼(330)에 제공된 지지대(332)의 수는 제 1 버퍼(320)에 제공된 지지대(322)의 수보다 많을 수 있다. The first buffer 320 and the second buffer 330 temporarily store a plurality of substrates W, respectively. The second buffer 330 has a housing 331 and a plurality of supports 332. The supports 332 are disposed within the housing 331 and are provided spaced apart from each other in the third direction 16. One substrate W is placed on each support 332. The housing 331 is constructed so that the index robot 220, the first buffer robot 360 and the developing robot 482 of the developing module 402 described later mount the substrate W on the support 332 in the housing 331 (Not shown) in the direction in which the index robot 220 is provided, in the direction in which the first buffer robot 360 is provided, and in the direction in which the developing robot 482 is provided, so that the developing robot 482 can carry it in or out. The first buffer 320 has a structure substantially similar to that of the second buffer 330. The housing 321 of the first buffer 320 has an opening in a direction in which the first buffer robot 360 is provided and in a direction in which the application unit robot 432 located in the application module 401 described later is provided. The number of supports 322 provided in the first buffer 320 and the number of supports 332 provided in the second buffer 330 may be the same or different. According to one example, the number of supports 332 provided in the second buffer 330 may be greater than the number of supports 322 provided in the first buffer 320.

제 1 버퍼 로봇(360)은 제 1 버퍼(320)와 제 2 버퍼(330) 간에 기판(W)을 이송시킨다. 제 1 버퍼 로봇(360)은 핸드(361), 아암(362), 그리고 지지대(363)를 가진다. 핸드(361)는 아암(362)에 고정 설치된다. 아암(362)은 신축 가능한 구조로 제공되어, 핸드(361)가 제 2 방향(14)을 따라 이동 가능하도록 한다. 아암(362)은 지지대(363)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(363)에 결합된다. 지지대(363)는 제 2 버퍼(330)에 대응되는 위치부터 제 1 버퍼(320)에 대응되는 위치까지 연장된 길이를 가진다. 지지대(363)는 이보다 위 또는 아래 방향으로 더 길게 제공될 수 있다. 제 1 버퍼 로봇(360)은 단순히 핸드(361)가 제 2 방향(14) 및 제 3 방향(16)을 따른 2축 구동만 되도록 제공될 수 있다. The first buffer robot 360 transfers the substrate W between the first buffer 320 and the second buffer 330. The first buffer robot 360 has a hand 361, an arm 362, and a support base 363. The hand 361 is fixed to the arm 362. The arm 362 is provided in a stretchable configuration so that the hand 361 is movable along the second direction 14. The arm 362 is coupled to the support 363 so as to be linearly movable along the support 363 in the third direction 16. The support base 363 has a length extending from a position corresponding to the second buffer 330 to a position corresponding to the first buffer 320. The support member 363 may be provided longer in the upward or downward direction. The first buffer robot 360 may be provided so that the hand 361 is simply driven in two directions along the second direction 14 and the third direction 16.

냉각 챔버(350)는 각각 기판(W)을 냉각한다. 냉각 챔버(350)는 하우징(351)과 냉각 플레이트(352)를 가진다. 냉각 플레이트(352)는 기판(W)이 놓이는 상면 및 기판(W)을 냉각하는 냉각 수단(353)을 가진다. 냉각 수단(353)으로는 냉각수에 의한 냉각이나 열전 소자를 이용한 냉각 등 다양한 방식이 사용될 수 있다. 또한, 냉각 챔버(350)에는 기판(W)을 냉각 플레이트(352) 상에 위치시키는 리프트 핀 어셈블리(도시되지 않음)가 제공될 수 있다. 하우징(351)은 인덱스 로봇(220) 및 후술하는 현상 모듈(402)에 제공된 현상부 로봇(482)이 냉각 플레이트(352)에 기판(W)을 반입 또는 반출할 수 있도록 인덱스 로봇(220)이 제공된 방향 및 현상부 로봇(482)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 또한, 냉각 챔버(350)에는 상술한 개구를 개폐하는 도어들(도시되지 않음)이 제공될 수 있다. The cooling chamber 350 cools the substrate W, respectively. The cooling chamber 350 has a housing 351 and a cooling plate 352. The cooling plate 352 has an upper surface on which the substrate W is placed and a cooling means 353 for cooling the substrate W. [ As the cooling means 353, various methods such as cooling with cooling water and cooling using a thermoelectric element can be used. In addition, the cooling chamber 350 may be provided with a lift pin assembly (not shown) for positioning the substrate W on the cooling plate 352. The housing 351 is provided with an index robot 220 so that the developing robot 482 provided in the index robot 220 and a developing module 402 to be described later can carry the substrate W into or out of the cooling plate 352 (Not shown) in the direction provided and the direction in which the developing robot 482 is provided. Further, the cooling chamber 350 may be provided with doors (not shown) for opening and closing the above-described opening.

도포 및 현상 모듈(400)은 노광 공정 전에 기판(W) 상에 포토 레지스트를 도포하는 공정 및 노광 공정 후에 기판(W)을 현상하는 공정을 수행한다. 도포 및 현상 모듈(400)은 대체로 직육면체의 형상을 가진다. 도포 및 현상 모듈(400)은 도포 모듈(401)과 현상 모듈(402)을 가진다. 도포 모듈(401)과 현상 모듈(402)은 서로 간에 층으로 구획되도록 배치된다. 일 예에 의하면, 도포 모듈(401)은 현상 모듈(402)의 상부에 위치된다.The application and development module 400 performs a process of applying a photoresist on the substrate W before the exposure process and a process of developing the substrate W after the exposure process. The application and development module 400 has a generally rectangular parallelepiped shape. The coating and developing module 400 has a coating module 401 and a developing module 402. The application module 401 and the development module 402 are arranged so as to be partitioned into layers with respect to each other. According to one example, the application module 401 is located on top of the development module 402.

도포 모듈(401)은 기판(W)에 대해 포토레지스트와 같은 감광액을 도포하는 공정 및 레지스트 도포 공정 전후에 기판(W)에 대해 가열 및 냉각과 같은 열처리 공정을 포함한다. 도포 모듈(401)은 레지스트 도포 챔버(410), 베이크 챔버(420), 그리고 반송 챔버(430)를 가진다. 레지스트 도포 챔버(410), 베이크 챔버(420), 그리고 반송 챔버(430)는 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 따라서 레지스트 도포 챔버(410)와 베이크 챔버(420)는 반송 챔버(430)를 사이에 두고 제 2 방향(14)으로 서로 이격되게 위치된다. 레지스트 도포 챔버(410)는 복수 개가 제공되며, 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 도면에서는 6개의 레지스트 도포 챔버(410)가 제공된 예가 도시되었다. 베이크 챔버(420)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 도면에서는 6개의 베이크 챔버(420)가 제공된 예가 도시되었다. 그러나 이와 달리 베이크 챔버(420)는 더 많은 수로 제공될 수 있다.The application module 401 includes a process of applying a photosensitive liquid such as a photoresist to the substrate W and a heat treatment process such as heating and cooling for the substrate W before and after the resist application process. The application module 401 has a resist application chamber 410, a bake chamber 420, and a transfer chamber 430. The resist application chamber 410, the bake chamber 420, and the transfer chamber 430 are sequentially disposed along the second direction 14. [ The resist application chamber 410 and the bake chamber 420 are positioned apart from each other in the second direction 14 with the transfer chamber 430 interposed therebetween. A plurality of resist coating chambers 410 are provided, and a plurality of resist coating chambers 410 are provided in the first direction 12 and the third direction 16, respectively. In the figure, six resist coating chambers 410 are provided. A plurality of bake chambers 420 are provided in the first direction 12 and the third direction 16, respectively. In the drawing, six bake chambers 420 are provided. Alternatively, however, the bake chamber 420 may be provided in a greater number.

반송 챔버(430)는 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 1 버퍼(320)와 제 1 방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(430) 내에는 도포부 로봇(432)과 가이드 레일(433)이 위치된다. 반송 챔버(430)는 대체로 직사각의 형상을 가진다. 도포부 로봇(432)은 베이크 챔버들(420), 레지스트 도포 챔버들(400), 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 1 버퍼(320), 그리고 후술하는 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 1 냉각 챔버(520) 간에 기판(W)을 이송한다. 가이드 레일(433)은 그 길이 방향이 제 1 방향(12)과 나란하도록 배치된다. 가이드 레일(433)은 도포부 로봇(432)이 제 1 방향(12)으로 직선 이동되도록 안내한다. 도포부 로봇(432)은 핸드(434), 아암(435), 지지대(436), 그리고 받침대(437)를 가진다. 핸드(434)는 아암(435)에 고정 설치된다. 아암(435)은 신축 가능한 구조로 제공되어 핸드(434)가 수평 방향으로 이동 가능하도록 한다. 지지대(436)는 그 길이 방향이 제 3 방향(16)을 따라 배치되도록 제공된다. 아암(435)은 지지대(436)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(436)에 결합된다. 지지대(436)는 받침대(437)에 고정 결합되고, 받침대(437)는 가이드 레일(433)을 따라 이동 가능하도록 가이드 레일(433)에 결합된다.The transfer chamber 430 is positioned in parallel with the first buffer 320 of the first buffer module 300 in the first direction 12. In the transfer chamber 430, a dispenser robot 432 and a guide rail 433 are positioned. The transfer chamber 430 has a generally rectangular shape. The applicator robot 432 is connected to the bake chambers 420, the resist application chambers 400, the first buffer 320 of the first buffer module 300, and the first buffer module 500 of the second buffer module 500 And transfers the substrate W between the cooling chambers 520. The guide rails 433 are arranged so that their longitudinal directions are parallel to the first direction 12. The guide rails 433 guide the applying robot 432 to move linearly in the first direction 12. The applicator robot 432 has a hand 434, an arm 435, a support 436, and a pedestal 437. The hand 434 is fixed to the arm 435. The arm 435 is provided in a stretchable configuration so that the hand 434 is movable in the horizontal direction. The support 436 is provided so that its longitudinal direction is disposed along the third direction 16. The arm 435 is coupled to the support 436 so as to be linearly movable in the third direction 16 along the support 436. The support 436 is fixedly coupled to the pedestal 437 and the pedestal 437 is coupled to the guide rail 433 so as to be movable along the guide rail 433.

레지스트 도포 챔버들(410)은 모두 동일한 구조를 가진다. 다만, 각각의 레지스트 도포 챔버(410)에서 사용되는 포토 레지스트의 종류는 서로 상이할 수 있다. 일 예로서 포토 레지스트로는 화학 증폭형 레지스트(chemical amplification resist)가 사용될 수 있다. 레지스트 도포 챔버(410)는 기판(W) 상에 포토 레지스트를 도포한다. 레지스트 도포 챔버(410)는 하우징(411), 지지 플레이트(412), 그리고 노즐(413)을 가진다. 하우징(411)은 상부가 개방된 컵 형상을 가진다. 지지 플레이트(412)는 하우징(411) 내에 위치되며, 기판(W)을 지지한다. 지지 플레이트(412)는 회전 가능하게 제공된다. 노즐(413)은 지지 플레이트(412)에 놓인 기판(W) 상으로 포토 레지스트를 공급한다. 노즐(413)은 원형의 관 형상을 가지고, 기판(W)의 중심으로 포토 레지스트를 공급할 수 있다. 선택적으로 노즐(413)은 기판(W)의 직경에 상응하는 길이를 가지고, 노즐(413)의 토출구는 슬릿으로 제공될 수 있다. 또한, 추가적으로 레지스트 도포 챔버(410)에는 포토 레지스트가 도포된 기판(W) 표면을 세정하기 위해 탈이온수와 같은 세정액을 공급하는 노즐(414)이 더 제공될 수 있다. The resist coating chambers 410 all have the same structure. However, the types of the photoresist used in each of the resist coating chambers 410 may be different from each other. As an example, a chemical amplification resist may be used as the photoresist. The resist coating chamber 410 applies a photoresist on the substrate W. [ The resist coating chamber 410 has a housing 411, a support plate 412, and a nozzle 413. The housing 411 has a cup shape with an open top. The support plate 412 is located in the housing 411 and supports the substrate W. [ The support plate 412 is rotatably provided. The nozzle 413 supplies the photoresist onto the substrate W placed on the support plate 412. The nozzle 413 has a circular tube shape and can supply photoresist to the center of the substrate W. [ Alternatively, the nozzle 413 may have a length corresponding to the diameter of the substrate W, and the discharge port of the nozzle 413 may be provided as a slit. In addition, the resist coating chamber 410 may further be provided with a nozzle 414 for supplying a cleaning liquid such as deionized water to clean the surface of the substrate W to which the photoresist is applied.

베이크 챔버(420)에는 기판(W)을 열처리하는 베이크유닛으로 제공된다. 베이크 챔버(420)는 가열유닛(421) 및 냉각유닛(422)을 포함한다. 가열유닛은 포토 레지스트를 도포하기 전에 기판(W)을 소정의 온도로 가열하여 기판(W) 표면의 유기물이나 수분을 제거하는 프리 베이크(prebake) 공정이나 포토레지스트를 기판(W) 상에 도포한 후에 행하는 소프트 베이크(soft bake) 공정 등을 수행하기 위해 사용될 수 있다. The bake chamber 420 is provided with a bake unit for heat-treating the substrate W. [ The bake chamber 420 includes a heating unit 421 and a cooling unit 422. The heating unit may include a prebake step of heating the substrate W to a predetermined temperature to remove organic matter and moisture on the surface of the substrate W before the photoresist is applied or a prebake step in which a photoresist is coated on the substrate W A soft bake process to be performed later, and the like.

가열유닛(421)은 기판(W)을 가열 처리한다. 가열유닛(421)의 내부에는 기판(W)을 가열처리하는 열처리공간을 제공한다. 열처리공간에는 기판지지유닛(820)이 제공된다. 기판지지유닛(820)은 열처리공간에서 기판(W)을 지지한다. 도6은 도2의 기판지지유닛을 보여주는 단면도이고, 도7은 도6의 가열플레이트를 보여주는 평면도이다. 도6 및 도7을 참조하면, 기판지지유닛(820)은 가열플레이트(822), 리프트핀, 가이드(824), 히터(826), 측정부재(미도시), 그리고 제어기(860)를 포함한다.The heating unit 421 heat-processes the substrate W. Inside the heating unit 421, a heat treatment space for heating the substrate W is provided. A substrate supporting unit 820 is provided in the heat treatment space. The substrate supporting unit 820 supports the substrate W in the heat treatment space. FIG. 6 is a cross-sectional view showing the substrate supporting unit of FIG. 2, and FIG. 7 is a plan view showing the heating plate of FIG. 6 and 7, the substrate support unit 820 includes a heating plate 822, a lift pin, a guide 824, a heater 826, a measurement member (not shown), and a controller 860 .

가열플레이트(822)는 원형의 판 형상을 가지도록 제공된다. 가열플레이트(822)의 상면에는 복수 개의 핀홀(828)들이 형성된다. 예컨대, 핀홀(828)들은 3 개로 제공될 수 있다. 각각의 핀홀(828)은 가열플레이트(822)의 원주방향을 따라 이격되게 위치된다. 핀홀들(828)은 서로 간게 동일 간격으로 이격되게 위치된다. 리프트핀(823)은 각각의 핀홀(828)에 위치된다. 리프트핀(823)은 구동부재(미도시)에 의해 승강위치 및 하강위치로 이동 가능한다. 승강위치는 리프트핀(823)의 상단이 핀홀(828)로부터 위로 돌출되는 위치이고, 하강위치는 리프트핀(823)의 상단이 핀홀(828)에 제공되는 위치이다. 승강위치에 위치된 리프트핀(823)은 도포부로봇으로부터 기판(W)을 인수받거나, 인계할 수 있다. The heating plate 822 is provided to have a circular plate shape. A plurality of pinholes 828 are formed on the upper surface of the heating plate 822. For example, pinholes 828 may be provided in three. Each of the pinholes 828 is spaced apart along the circumferential direction of the heating plate 822. The pinholes 828 are spaced equidistantly from each other. The lift pins 823 are located in the respective pinholes 828. The lift pins 823 are movable to a lift position and a lift position by a driving member (not shown). The lift position is a position where the upper end of the lift pin 823 protrudes upward from the pinhole 828 and the lowered position is a position where the upper end of the lift pin 823 is provided to the pinhole 828. The lift pins 823 positioned at the lift position can take over or take over the substrate W from the application robot.

가이드(824)는 가열플레이트(822)에 기판(W)이 정위치에 놓이도록 기판(W)을 안내한다. 가이드(824)는 복수 개로 제공된다. 각각의 가이드(824)는 가열플레이트(822)의 상면 가장자리에 위치된다. 각각의 가이드(824)는 그 상면이 가열플레이트(822)의 중심축과 가까울수록 하향 경사진 방향을 향하도록 제공된다. 각각의 가이드(824)는 가열플레이트(822)의 원주방향을 따라 서로 이격되게 위치된다. 가이드(824)들은 서로 간에 동일 간격으로 이격되게 위치된다. 가이드(824)들은 서로 조합되어 환형의 링 형상을 가지도록 제공된다.The guide 824 guides the substrate W so that the substrate W is in a correct position on the heating plate 822. A plurality of guides 824 are provided. Each guide 824 is positioned at the top edge of the heating plate 822. Each of the guides 824 is provided so that its upper surface faces downwardly inclined as it is closer to the central axis of the heating plate 822. Each guide 824 is spaced apart from one another along the circumferential direction of the heating plate 822. The guides 824 are spaced equidistantly from each other. The guides 824 are provided so as to have an annular ring shape in combination with each other.

히터(826)는 가열플레이트(822)의 내부에 제공된다. 히터(826)는 복수 개로 제공되며, 각각은 동일 평면 상에 위치된다. 각각의 히터(826)는 가열플레이트의 서로 상이한 영역을 가열한다. 따라서 가열플레이트(822)의 상면에는 각각의 히터(826)에 의해 가열되는 히팅존(841 내지 855)을 가진다. 히팅존들(841 내지 855)은 히터(826)들과 일대일 대응되도록 제공된다 예컨대, 히팅존들(841 내지 855)은 15 개 일 수 있다. 각각의 히팅존(841 내지 855)은 각각의 히터(826)와 대향되게 위치된다. 각각의 히터(826)는 설정된 세팅값에 대응되는 온도로 히팅존을 가열한다. 히터(826)는 외부에 위치된 전원과 연결된다. 히터(826)는 전원으로부터 전력을 인가받아 발열된다. 발열된 히터(826)는 가열플레이트(822)를 가열시키고, 이는 가열플레이트(822)에 놓인 기판(W)을 가열 처리한다. The heater 826 is provided inside the heating plate 822. A plurality of heaters 826 are provided, and each is positioned on the same plane. Each heater 826 heats different areas of the heating plate. Therefore, the upper surface of the heating plate 822 has heating zones 841 to 855 heated by the respective heaters 826. The heating zones 841 to 855 are provided in a one-to-one correspondence with the heaters 826. For example, the number of the heating zones 841 to 855 may be fifteen. Each of the heating zones 841 to 855 is positioned to face each heater 826. Each heater 826 heats the heating zone to a temperature corresponding to the set set value. The heater 826 is connected to an externally located power source. The heater 826 receives power from the power source and generates heat. The heated heater 826 heats the heating plate 822, which heats the substrate W placed on the heating plate 822.

측정부재(미도시)는 히팅존들(841 내지 855) 각각의 온도를 측정한다. 측정부재는 온도센서를 포함한다. 온도센서는 서로 상이한 위치에 제공되는 히팅존들(841 내지 855)의 온도를 측정한다. 온도센서는 15 개의 히팅존들(841 내지 855)의 온도를 측정하는 15 개의 센서로 제공될 수 있다. 일 예에 의하면, 제1센서 및 제2센서 가열플레이트(822)의 가장자리영역에 위치되는 히팅존의 온도를 측정한다. 제3센서 및 제4센서는 가열플레이트(822)의 중앙영역에 위치되는 히팅존의 온도를 측정한다. 제1센서 및 제2센서는 서로 상이한 히팅존의 온도를 측정한다. 제1센서 및 제2센서는 가열플레이트(822)의 중심축을 중심으로 서로 대향되게 위치된다. 제1센서 및 제2센서 각각은 가열플레이트(822)의 중심축으로부터 이격되는 거리과 동일하게 제공되는다. 제3센서 및 제4센서는 서로 상이한 히팅존의 온도를 측정한다. 제3센서 및 제4센서는 가열플레이트(822)의 중심축을 중심으로 서로 대향되게 위치된다. 제3센서 및 제4센서 각각은 가열플레이트(822)의 중심축으로부터 이격되는 거리과 동일하게 제공되는다. 도7에 도시된 15 개의 히팅존(841 내지 855) 중 제1센서 및 제2센서는 제8히팅존(848) 및 제12히팅존(852)의 온도를 측정하고, 제3센서 및 제4센서는 제2히팅존(842) 및 제3히팅존(843)의 온도를 측정할 수 있다. A measurement member (not shown) measures the temperature of each of the heating zones 841 to 855. The measuring member includes a temperature sensor. The temperature sensors measure the temperatures of the heating zones 841 to 855 provided at mutually different positions. The temperature sensor may be provided with fifteen sensors for measuring the temperature of the fifteen heating zones 841 to 855. According to one example, the temperature of the heating zone located in the edge region of the first sensor and the second sensor heating plate 822 is measured. The third sensor and the fourth sensor measure the temperature of the heating zone located in the central region of the heating plate 822. The first sensor and the second sensor measure the temperature of the heating zones which are different from each other. The first sensor and the second sensor are positioned opposite to each other about the central axis of the heating plate 822. [ Each of the first sensor and the second sensor is provided at a distance equal to the distance from the center axis of the heating plate 822. [ The third sensor and the fourth sensor measure the temperature of the heating zones which are different from each other. The third sensor and the fourth sensor are positioned opposite to each other about the center axis of the heating plate 822. [ Each of the third sensor and the fourth sensor is provided at a distance equal to the distance from the central axis of the heating plate 822. [ The first and second sensors among the fifteen heating zones 841 to 855 shown in FIG. 7 measure the temperatures of the eighth heating zone 848 and the twelfth heating zone 852, and the third sensor and the fourth sensor The sensor can measure the temperatures of the second heating zone 842 and the third heating zone 843.

제어기(860)는 측정부재로부터 측정된 온도값을 제공받아 기판의 안착상태를 판단한다. 제어기(860)는 가열플레이트(822)의 중심축을 중심으로 서로 대향되게 위치되는 2 개의 센서로부터 제공된 온도값을 제공받아 기판(W)의 안착상태를 판단한다. 제어기(860)는 2 개의 센서로부터 제공된 온도값들 간의 차이값이 허용범위값 내에 제공되면, 이를 기판(W)의 안착상태를 정상상태로 판단한다. 이와 달리 제어기(860)는 2 개의 센서로부터 제공된 온도값들 간의 차이값이 허용범위값을 벗어났다고 판단되면, 기판(W)의 안착상태를 비정상상태로 판단한다. 제어기(860)는 기판(W)의 안착 상태가 비정상 상태라고 판단되면, 알람을 발생할 수 있다. 예컨대, 제어기(860)는 제1센서로부터 제공된 제1온도값과 제2센서로부터 제공된 제2온도값 간의 제1차이값을 허용범위값과 비교하고, 이를 근거로 기판의 안착 상태를 판단한다. 또한 제어기(860)는 제3센서로부터 제공된 제3온도값과 제4센서로부터 제공된 제4온도값 간의 제2차이값을 허용범위값과 비교하고, 이를 근거로 기판(W)의 안착 상태를 판단한다.The controller 860 receives the measured temperature value from the measuring member and determines the seating state of the substrate. The controller 860 receives a temperature value provided from two sensors positioned opposite to each other with respect to the center axis of the heating plate 822 to determine the seating state of the substrate W. [ The controller 860 judges that the seating state of the substrate W is a normal state when the difference value between the temperature values provided from the two sensors is provided within the allowable range value. The controller 860 determines that the seating state of the substrate W is abnormal if it is determined that the difference value between the temperature values provided from the two sensors is out of the allowable range value. The controller 860 can generate an alarm if it is determined that the seating state of the substrate W is in an abnormal state. For example, the controller 860 compares the first difference value between the first temperature value provided from the first sensor and the second temperature value provided from the second sensor with the tolerance value, and determines the seating state of the substrate based on the first difference value. Further, the controller 860 compares the second difference value between the third temperature value provided from the third sensor and the fourth temperature value provided from the fourth sensor with the allowable range value, and determines the seating state of the substrate W based on the second difference value do.

도8은 도6의 가열플레이트에 기판이 정상 안착된 상태를 보여주는 도면이고, 도9는 도6의 가열플레이트에 기판이 비정상 안착된 상태를 보여주는 도면이다. 도8 및 도9를 참조하면, 제어기(860)는 제2히팅존(842) 및 제3히팅존(843), 제4히팅존(844) 및 제6히팅존(846), 제5히팅존(845) 및 제7히팅존(847), 제8히팅존(848) 및 제12히팅존(852), 제9히팅존(849) 및 제13히팅존(853), 제10히팅존(850) 및 제14히팅존(854), 그리고 제11히팅존(851) 및 제15히팅존(855)의 온도값을 제공받아 기판(W)의 안착상태를 판단할 수 있다. 예컨대, 제어기(860)는 가열플레이트(822)의 중앙영역에 위치되는 온도값과 가장자리영역에 위치되는 온도값 간에 차이가 발생하여도 이에 대한 데이터를 기판(W)의 안착상태를 판단하는 근거로 사용되지 않는다. 예컨대, 제2히팅존(842)의 온도값과 제10히팅존(850)의 온도값 간에 차이가 허용범위값을 벗어날지라도, 이는 기판(W)의 안착상태를 판단하는 근거로 사용되지 않는다. 또한 각각의 온도값이 가열플레이트(822)의 가장자리영역에 대한 값일라라도, 이에 대한 값이 서로 대향되지 않으면, 이를 기판의 안착상태를 판단하는 근거로 사용되지 않는다. 예컨대, 제10히팅존(850)의 온도값과 제11히팅존(851)의 온도값 간의 차이가 허용범위값을 벗어날지라도, 이는 기판(W)의 안착상태를 판단하는 근거로 사용되지 않는다. 또한 제어기(860)는 가열플레이트(822)의 중앙영역에 위치되는 온도값보다 가장자리영역에 위치되는 온도값을 우선으로 처리할 수 있다. 이는 기판(W)이 비정상 안착 시 그 중앙영역에 비해 온도값 간의 차이가 크게 발생되므로, 기판(W)의 안착 상태를 보다 신속하게 판단할 수 있다. FIG. 8 is a view showing a state where the substrate is normally placed on the heating plate of FIG. 6, and FIG. 9 is a view showing a state where the substrate is abnormally placed on the heating plate of FIG. 8 and 9, the controller 860 includes a second heating zone 842 and a third heating zone 843, a fourth heating zone 844 and a sixth heating zone 846, The seventh heating zone 842 and the seventh heating zone 847 and the eighth heating zone 848 and the twelfth heating zone 852. The ninth heating zone 849 and the thirteenth heating zone 853 and the tenth heating zone 850 The fourth heating zone 854 and the eleventh heating zone 851 and the fifteenth heating zone 855 to determine the seating state of the substrate W. [ For example, if a difference occurs between a temperature value located in the central region of the heating plate 822 and a temperature value located in the edge region, the controller 860 determines that the data is related to the determination of the seating state of the substrate W Not used. For example, even if the difference between the temperature value of the second heating zone 842 and the temperature value of the tenth heating zone 850 exceeds the allowable range value, this is not used as a basis for determining the seating state of the substrate W. Further, even if the respective temperature values are values for the edge region of the heating plate 822, unless the values thereof are opposed to each other, it is not used as a basis for judging the seating state of the substrate. For example, even if the difference between the temperature value of the tenth heating zone 850 and the temperature value of the eleventh heating zone 851 exceeds the allowable range value, this is not used as a basis for determining the seating state of the substrate W. The controller 860 can preferentially process the temperature value located in the edge region than the temperature value located in the central region of the heating plate 822. [ This makes it possible to more quickly determine the seating state of the substrate W since a large difference in temperature value occurs between the substrate W and the central region when the substrate W is placed in an abnormal state.

다시 도2 내지 도5를 참조하면, 냉각유닛(421)은 각각의 가열 공정 이후에 기판(W)을 냉각하는 냉각 공정 등을 수행하기 위해 사용된다. 냉각유닛은 냉각 플레이트 및 리프트 어셈블리를 포함한다. 냉각 플레이트(421)에는 냉각플레이트는 하나의 베이크 챔버(420) 내에서 가열플레이트(822)의 일측에 위치된다. 냉각플레이트는 기판을 지지하며, 내부에 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단(423)이 제공된다. 선택적으로 베이크 챔버들 중 일부에는 냉각유닛만을 제공되고, 다른 일부에는 가열유닛만이 제공될 수 있다. 2 to 5, the cooling unit 421 is used to perform a cooling process or the like for cooling the substrate W after each heating process. The cooling unit includes a cooling plate and a lift assembly. In the cooling plate 421, the cooling plate is positioned on one side of the heating plate 822 in one bake chamber 420. The cooling plate supports the substrate, and a cooling means (423) such as a cooling water or a thermoelectric element is provided therein. Optionally, only some of the bake chambers may be provided with cooling units, while others may be provided with only heating units.

현상 모듈(402)은 기판(W) 상에 패턴을 얻기 위해 현상액을 공급하여 포토 레지스트의 일부를 제거하는 현상 공정, 및 현상 공정 전후에 기판(W)에 대해 수행되는 가열 및 냉각과 같은 열처리 공정을 포함한다. 현상모듈(402)은 현상 챔버(460), 베이크 챔버(470), 그리고 반송 챔버(480)를 가진다. 현상 챔버(460), 베이크 챔버(470), 그리고 반송 챔버(480)는 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 따라서 현상 챔버(460)와 베이크 챔버(470)는 반송 챔버(480)를 사이에 두고 제 2 방향(14)으로 서로 이격되게 위치된다. 현상 챔버(460)는 복수 개가 제공되며, 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 도면에서는 6개의 현상 챔버(460)가 제공된 예가 도시되었다. 베이크 챔버(470)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 도면에서는 6개의 베이크 챔버(470)가 제공된 예가 도시되었다. 그러나 이와 달리 베이크 챔버(470)는 더 많은 수로 제공될 수 있다.The developing module 402 includes a developing process for supplying a developing solution to obtain a pattern on the substrate W to remove a part of the photoresist and a heat treatment process such as heating and cooling performed on the substrate W before and after the developing process . The development module 402 has a development chamber 460, a bake chamber 470, and a transfer chamber 480. The development chamber 460, the bake chamber 470, and the transfer chamber 480 are sequentially disposed along the second direction 14. The development chamber 460 and the bake chamber 470 are positioned apart from each other in the second direction 14 with the transfer chamber 480 therebetween. A plurality of developing chambers 460 are provided, and a plurality of developing chambers 460 are provided in the first direction 12 and the third direction 16, respectively. In the drawing, six development chambers 460 are provided. A plurality of bake chambers 470 are provided in the first direction 12 and the third direction 16, respectively. In the drawing, six bake chambers 470 are provided. Alternatively, however, the bake chamber 470 can be provided in greater numbers.

반송 챔버(480)는 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 2 버퍼(330)와 제 1 방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(480) 내에는 현상부 로봇(482)과 가이드 레일(483)이 위치된다. 반송 챔버(480)는 대체로 직사각의 형상을 가진다. 현상부 로봇(482)은 베이크 챔버들(470), 현상 챔버들(460), 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 2 버퍼(330)와 냉각 챔버(350), 그리고 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 2 냉각 챔버(540) 간에 기판(W)을 이송한다. 가이드 레일(483)은 그 길이 방향이 제 1 방향(12)과 나란하도록 배치된다. 가이드 레일(483)은 현상부 로봇(482)이 제 1 방향(12)으로 직선 이동되도록 안내한다. 현상부 로봇(482)은 핸드(484), 아암(485), 지지대(486), 그리고 받침대(487)를 가진다. 핸드(484)는 아암(485)에 고정 설치된다. 아암(485)은 신축 가능한 구조로 제공되어 핸드(484)가 수평 방향으로 이동 가능하도록 한다. 지지대(486)는 그 길이 방향이 제 3 방향(16)을 따라 배치되도록 제공된다. 아암(485)은 지지대(486)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(486)에 결합된다. 지지대(486)는 받침대(487)에 고정 결합된다. 받침대(487)는 가이드 레일(483)을 따라 이동 가능하도록 가이드 레일(483)에 결합된다.The transfer chamber 480 is positioned in parallel with the second buffer 330 of the first buffer module 300 in the first direction 12. In the transfer chamber 480, the developing robot 482 and the guide rail 483 are positioned. The delivery chamber 480 has a generally rectangular shape. The development robot 482 is connected to the bake chambers 470 and the development chambers 460 and the second buffer 330 and the cooling chamber 350 of the first buffer module 300 and the second buffer module 500, And the second cooling chamber 540 of the second cooling chamber 540. The guide rail 483 is arranged such that its longitudinal direction is parallel to the first direction 12. The guide rail 483 guides the developing robot 482 to linearly move in the first direction 12. The developing sub-robot 482 has a hand 484, an arm 485, a supporting stand 486, and a pedestal 487. The hand 484 is fixed to the arm 485. The arm 485 is provided in a stretchable configuration to allow the hand 484 to move in a horizontal direction. The support 486 is provided so that its longitudinal direction is disposed along the third direction 16. The arm 485 is coupled to the support 486 such that it is linearly movable along the support 486 in the third direction 16. The support table 486 is fixedly coupled to the pedestal 487. The pedestal 487 is coupled to the guide rail 483 so as to be movable along the guide rail 483.

현상 챔버들(460)은 모두 동일한 구조를 가진다. 다만, 각각의 현상 챔버(460)에서 사용되는 현상액의 종류는 서로 상이할 수 있다. 현상 챔버(460)는 기판(W) 상의 포토 레지스트 중 광이 조사된 영역을 제거한다. 이때, 보호막 중 광이 조사된 영역도 같이 제거된다. 선택적으로 사용되는 포토 레지스트의 종류에 따라 포토 레지스트 및 보호막의 영역들 중 광이 조사되지 않은 영역만이 제거될 수 있다. The development chambers 460 all have the same structure. However, the types of developers used in the respective developing chambers 460 may be different from each other. The development chamber 460 removes a region of the photoresist on the substrate W where light is irradiated. At this time, the area of the protective film irradiated with the light is also removed. Depending on the type of selectively used photoresist, only the areas of the photoresist and protective film that are not irradiated with light can be removed.

현상 챔버(460)는 하우징(461), 지지 플레이트(462), 그리고 노즐(463)을 가진다. 하우징(461)은 상부가 개방된 컵 형상을 가진다. 지지 플레이트(462)는 하우징(461) 내에 위치되며, 기판(W)을 지지한다. 지지 플레이트(462)는 회전 가능하게 제공된다. 노즐(463)은 지지 플레이트(462)에 놓인 기판(W) 상으로 현상액을 공급한다. 노즐(463)은 원형의 관 형상을 가지고, 기판(W)의 중심으로 현상액 공급할 수 있다. 선택적으로 노즐(463)은 기판(W)의 직경에 상응하는 길이를 가지고, 노즐(463)의 토출구는 슬릿으로 제공될 수 있다. 또한, 현상 챔버(460)에는 추가적으로 현상액이 공급된 기판(W) 표면을 세정하기 위해 탈이온수와 같은 세정액을 공급하는 노즐(464)이 더 제공될 수 있다. The development chamber 460 has a housing 461, a support plate 462, and a nozzle 463. The housing 461 has a cup shape with an open top. The support plate 462 is located in the housing 461 and supports the substrate W. [ The support plate 462 is rotatably provided. The nozzle 463 supplies the developer onto the substrate W placed on the support plate 462. The nozzle 463 has a circular tube shape and can supply developer to the center of the substrate W. [ Alternatively, the nozzle 463 may have a length corresponding to the diameter of the substrate W, and the discharge port of the nozzle 463 may be provided with a slit. Further, the developing chamber 460 may further be provided with a nozzle 464 for supplying a cleaning liquid such as deionized water to clean the surface of the substrate W to which the developer is supplied.

현상모듈(402)의 베이크 챔버(470)는 도포모듈(401)의 베이크 챔버(470)와 동일한 형상을 가지므로, 이에 대한 상세한 설명은 생략한다.베이크 챔버(470)는 기판(W)을 열처리한다. 예컨대, 베이크 챔버들(470)은 현상 공정이 수행되기 전에 기판(W)을 가열하는 포스트 베이크 공정 및 현상 공정이 수행된 후에 기판(W)을 가열하는 하드 베이크 공정 및 각각의 베이크 공정 이후에 가열된 기판(W)을 냉각하는 냉각 공정 등을 수행한다. 베이크 챔버(470)는 냉각 플레이트(471) 또는 가열 플레이트(472)를 가진다. 냉각 플레이트(471)에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단(473)이 제공된다. 또는 가열 플레이트(472)에는 열선 또는 열전 소자와 같은 가열 수단(474)이 제공된다. 냉각 플레이트(471)와 가열 플레이트(472)는 하나의 베이크 챔버(470) 내에 각각 제공될 수 있다. 선택적으로 베이크 챔버(470)들 중 일부는 냉각 플레이트(471)만을 구비하고, 다른 일부는 가열 플레이트(472)만을 구비할 수 있다. The bake chamber 470 of the developing module 402 has the same shape as that of the bake chamber 470 of the application module 401 and thus a detailed description thereof will be omitted. do. For example, the bake chambers 470 may include a post-bake process for heating the substrate W before the development process is performed, a hard bake process for heating the substrate W after the development process is performed, And a cooling step for cooling the substrate W is performed. The bake chamber 470 has a cooling plate 471 or a heating plate 472. The cooling plate 471 is provided with a cooling means 473 such as a cooling water or a thermoelectric element. Or the heating plate 472 is provided with a heating means 474 such as a hot wire or a thermoelectric element. The cooling plate 471 and the heating plate 472 may be provided in one bake chamber 470, respectively. Optionally, some of the bake chambers 470 may have only a cooling plate 471, while the other may have only a heating plate 472. [

상술한 바와 같이 도포 및 현상 모듈(400)에서 도포 모듈(401)과 현상 모듈(402)은 서로 간에 분리되도록 제공된다. 또한, 상부에서 바라볼 때 도포 모듈(401)과 현상 모듈(402)은 동일한 챔버 배치를 가질 수 있다. As described above, in the application and development module 400, the application module 401 and the development module 402 are provided to be separated from each other. In addition, the application module 401 and the development module 402 may have the same chamber arrangement as viewed from above.

제 2 버퍼 모듈(500)은 도포 및 현상 모듈(400)과 노광 전후 처리 모듈(600) 사이에 기판(W)이 운반되는 통로로서 제공된다. 또한, 제 2 버퍼 모듈(500)은 기판(W)에 대해 냉각 공정이나 에지 노광 공정 등과 같은 소정의 공정을 수행한다. 제 2 버퍼 모듈(500)은 프레임(510), 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 제 2 냉각 챔버(540), 에지 노광 챔버(550), 그리고 제 2 버퍼 로봇(560)을 가진다. 프레임(510)은 직육면체의 형상을 가진다. 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 제 2 냉각 챔버(540), 에지 노광 챔버(550), 그리고 제 2 버퍼 로봇(560)은 프레임(510) 내에 위치된다. 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 그리고 에지 노광 챔버(550)는 도포 모듈(401)에 대응하는 높이에 배치된다. 제 2 냉각 챔버(540)는 현상 모듈(402)에 대응하는 높이에 배치된다. 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 그리고 제 2 냉각 챔버(540)는 순차적으로 제 3 방향(16)을 따라 일렬로 배치된다. 상부에서 바라볼 때 버퍼(520)은 도포 모듈(401)의 반송 챔버(430)와 제 1 방향(12)을 따라 배치된다. 에지 노광 챔버(550)는 버퍼(520) 또는 제 1 냉각 챔버(530)와 제 2 방향(14)으로 일정 거리 이격되게 배치된다. The second buffer module 500 is provided as a path through which the substrate W is transferred between the coating and developing module 400 and the pre- and post-exposure processing module 600. The second buffer module 500 performs a predetermined process on the substrate W such as a cooling process or an edge exposure process. The second buffer module 500 includes a frame 510, a buffer 520, a first cooling chamber 530, a second cooling chamber 540, an edge exposure chamber 550, and a second buffer robot 560 I have. The frame 510 has a rectangular parallelepiped shape. The buffer 520, the first cooling chamber 530, the second cooling chamber 540, the edge exposure chamber 550, and the second buffer robot 560 are located within the frame 510. The buffer 520, the first cooling chamber 530, and the edge exposure chamber 550 are disposed at a height corresponding to the application module 401. The second cooling chamber 540 is disposed at a height corresponding to the development module 402. The buffer 520, the first cooling chamber 530, and the second cooling chamber 540 are sequentially arranged in a row along the third direction 16. The buffer 520 is disposed along the first direction 12 with the transfer chamber 430 of the application module 401. [ The edge exposure chamber 550 is spaced a certain distance in the second direction 14 from the buffer 520 or the first cooling chamber 530.

제 2 버퍼 로봇(560)은 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 그리고 에지 노광 챔버(550) 간에 기판(W)을 운반한다. 제 2 버퍼 로봇(560)은 에지 노광 챔버(550)와 버퍼(520) 사이에 위치된다. 제 2 버퍼 로봇(560)은 제 1 버퍼 로봇(360)과 유사한 구조로 제공될 수 있다. 제 1 냉각 챔버(530)와 에지 노광 챔버(550)는 도포 모듈(401)에서 공정이 수행된 기판들(W)에 대해 후속 공정을 수행한다. 제 1 냉각 챔버(530)는 도포 모듈(401)에서 공정이 수행된 기판(W)을 냉각한다. 제 1 냉각 챔버(530)는 제 1 버퍼 모듈(300)의 냉각 챔버(350)과 유사한 구조를 가진다. 에지 노광 챔버(550)는 제 1 냉각 챔버(530)에서 냉각 공정이 수행된 기판들(W)에 대해 그 가장자리를 노광한다. 버퍼(520)는 에지 노광 챔버(550)에서 공정이 수행된 기판(W)들이 후술하는 전처리 모듈(601)로 운반되기 전에 기판(W)을 일시적으로 보관한다. 제 2 냉각 챔버(540)는 후술하는 후처리 모듈(602)에서 공정이 수행된 기판들(W)이 현상 모듈(402)로 운반되기 전에 기판들(W)을 냉각한다. 제 2 버퍼 모듈(500)은 현상 모듈(402)와 대응되는 높이에 추가된 버퍼를 더 가질 수 있다. 이 경우, 후처리 모듈(602)에서 공정이 수행된 기판들(W)은 추가된 버퍼에 일시적으로 보관된 후 현상 모듈(402)로 운반될 수 있다.The second buffer robot 560 carries the substrate W between the buffer 520, the first cooling chamber 530, and the edge exposure chamber 550. A second buffer robot 560 is positioned between the edge exposure chamber 550 and the buffer 520. The second buffer robot 560 may be provided in a structure similar to that of the first buffer robot 360. The first cooling chamber 530 and the edge exposure chamber 550 perform a subsequent process on the substrates W that have been processed in the application module 401. The first cooling chamber 530 cools the substrate W processed in the application module 401. The first cooling chamber 530 has a structure similar to the cooling chamber 350 of the first buffer module 300. The edge exposure chamber 550 exposes its edge to the substrates W that have undergone the cooling process in the first cooling chamber 530. [ The buffer 520 temporarily stores the substrate W before the substrates W processed in the edge exposure chamber 550 are transported to a preprocessing module 601 described later. The second cooling chamber 540 cools the substrates W before the processed substrates W are transferred to the developing module 402 in the post-processing module 602 described later. The second buffer module 500 may further have a buffer added to the height corresponding to the development module 402. In this case, the substrates W processed in the post-processing module 602 may be temporarily stored in the added buffer and then conveyed to the developing module 402.

노광 전후 처리 모듈(600)은, 노광 장치(900)가 액침 노광 공정을 수행하는 경우, 액침 노광시에 기판(W)에 도포된 포토레지스트 막을 보호하는 보호막을 도포하는 공정을 처리할 수 있다. 또한, 노광 전후 처리 모듈(600)은 노광 이후에 기판(W)을 세정하는 공정을 수행할 수 있다. 또한, 화학증폭형 레지스트를 사용하여 도포 공정이 수행된 경우, 노광 전후 처리 모듈(600)은 노광 후 베이크 공정을 처리할 수 있다. The pre- and post-exposure processing module 600 may process a process of applying a protective film for protecting the photoresist film applied to the substrate W during liquid immersion exposure, when the exposure apparatus 900 performs the liquid immersion exposure process. In addition, the pre- and post-exposure processing module 600 may perform a process of cleaning the substrate W after exposure. In addition, when the coating process is performed using the chemically amplified resist, the pre- and post-exposure processing module 600 can process the post-exposure bake process.

노광 전후 처리 모듈(600)은 전처리 모듈(601)과 후처리 모듈(602)을 가진다. 전처리 모듈(601)은 노광 공정 수행 전에 기판(W)을 처리하는 공정을 수행하고, 후처리 모듈(602)은 노광 공정 이후에 기판(W)을 처리하는 공정을 수행한다. 전처리 모듈(601)과 후처리 모듈(602)은 서로 간에 층으로 구획되도록 배치된다. 일 예에 의하면, 전처리 모듈(601)은 후처리 모듈(602)의 상부에 위치된다. 전처리 모듈(601)은 도포 모듈(401)과 동일한 높이로 제공된다. 후처리 모듈(602)은 현상 모듈(402)과 동일한 높이로 제공된다. 전처리 모듈(601)은 보호막 도포 챔버(610), 베이크 챔버(620), 그리고 반송 챔버(630)를 가진다. 보호막 도포 챔버(610), 반송 챔버(630), 그리고 베이크 챔버(620)는 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 따라서 보호막 도포 챔버(610)와 베이크 챔버(620)는 반송 챔버(630)를 사이에 두고 제 2 방향(14)으로 서로 이격되게 위치된다. 보호막 도포 챔버(610)는 복수 개가 제공되며, 서로 층을 이루도록 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 선택적으로 보호막 도포 챔버(610)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공될 수 있다. 베이크 챔버(620)는 복수 개가 제공되며, 서로 층을 이루도록 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 선택적으로 베이크 챔버(620)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공될 수 있다. The pre-exposure post-processing module 600 has a pre-processing module 601 and a post-processing module 602. The pre-processing module 601 performs a process of processing the substrate W before the exposure process, and the post-process module 602 performs a process of processing the substrate W after the exposure process. The pre-processing module 601 and the post-processing module 602 are arranged so as to be partitioned into layers with respect to each other. According to one example, the preprocessing module 601 is located on top of the post-processing module 602. The preprocessing module 601 is provided at the same height as the application module 401. The post-processing module 602 is provided at the same height as the developing module 402. The pretreatment module 601 has a protective film application chamber 610, a bake chamber 620, and a transfer chamber 630. The protective film application chamber 610, the transfer chamber 630, and the bake chamber 620 are sequentially disposed along the second direction 14. The protective film application chamber 610 and the bake chamber 620 are positioned apart from each other in the second direction 14 with the transfer chamber 630 therebetween. A plurality of protective film application chambers 610 are provided and are arranged along the third direction 16 to form layers. Alternatively, a plurality of protective film application chambers 610 may be provided in the first direction 12 and the third direction 16, respectively. A plurality of bake chambers 620 are provided and are disposed along the third direction 16 to form layers. Alternatively, a plurality of bake chambers 620 may be provided in the first direction 12 and the third direction 16, respectively.

반송 챔버(630)는 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 1 냉각 챔버(530)와 제 1 방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(630) 내에는 전처리 로봇(632)이 위치된다. 반송 챔버(630)는 대체로 정사각 또는 직사각의 형상을 가진다. 전처리 로봇(632)은 보호막 도포 챔버들(610), 베이크 챔버들(620), 제 2 버퍼 모듈(500)의 버퍼(520), 그리고 후술하는 인터페이스 모듈(700)의 제 1 버퍼(720) 간에 기판(W)을 이송한다. 전처리 로봇(632)은 핸드(633), 아암(634), 그리고 지지대(635)를 가진다. 핸드(633)는 아암(634)에 고정 설치된다. 아암(634)은 신축 가능한 구조 및 회전 가능한 구조로 제공된다. 아암(634)은 지지대(635)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(635)에 결합된다. The transfer chamber 630 is positioned in parallel with the first cooling chamber 530 of the second buffer module 500 in the first direction 12. In the transfer chamber 630, a pre-processing robot 632 is located. The transfer chamber 630 has a generally square or rectangular shape. The preprocessing robot 632 is connected between the protective film application chambers 610, the bake chambers 620, the buffer 520 of the second buffer module 500 and the first buffer 720 of the interface module 700, The substrate W is transferred. The preprocessing robot 632 has a hand 633, an arm 634, and a support 635. The hand 633 is fixed to the arm 634. The arm 634 is provided with a retractable structure and a rotatable structure. The arm 634 is coupled to the support 635 so as to be linearly movable along the support 635 in the third direction 16.

보호막 도포 챔버(610)는 액침 노광 시에 레지스트 막을 보호하는 보호막을 기판(W) 상에 도포한다. 보호막 도포 챔버(610)는 하우징(611), 지지 플레이트(612), 그리고 노즐(613)을 가진다. 하우징(611)은 상부가 개방된 컵 형상을 가진다. 지지 플레이트(612)는 하우징(611) 내에 위치되며, 기판(W)을 지지한다. 지지 플레이트(612)는 회전 가능하게 제공된다. 노즐(613)은 지지 플레이트(612)에 놓인 기판(W) 상으로 보호막 형성을 위한 보호액을 공급한다. 노즐(613)은 원형의 관 형상을 가지고, 기판(W)의 중심으로 보호액을 공급할 수 있다. 선택적으로 노즐(613)은 기판(W)의 직경에 상응하는 길이를 가지고, 노즐(613)의 토출구는 슬릿으로 제공될 수 있다. 이 경우, 지지 플레이트(612)는 고정된 상태로 제공될 수 있다. 보호액은 발포성 재료를 포함한다. 보호액은 포토 레지스터 및 물과의 친화력이 낮은 재료가 사용될 수 있다. 예컨대, 보호액은 불소계의 용제를 포함할 수 있다. 보호막 도포 챔버(610)는 지지 플레이트(612)에 놓인 기판(W)을 회전시키면서 기판(W)의 중심 영역으로 보호액을 공급한다. The protective film applying chamber 610 applies a protective film for protecting the resist film on the substrate W during liquid immersion exposure. The protective film application chamber 610 has a housing 611, a support plate 612, and a nozzle 613. The housing 611 has a cup shape with its top opened. The support plate 612 is located in the housing 611 and supports the substrate W. [ The support plate 612 is rotatably provided. The nozzle 613 supplies a protective liquid for forming a protective film onto the substrate W placed on the supporting plate 612. The nozzle 613 has a circular tube shape and can supply the protective liquid to the center of the substrate W. [ Alternatively, the nozzle 613 may have a length corresponding to the diameter of the substrate W, and the discharge port of the nozzle 613 may be provided with a slit. In this case, the support plate 612 may be provided in a fixed state. The protective liquid includes a foamable material. The protective liquid may be a photoresist and a material having a low affinity for water. For example, the protective liquid may contain a fluorine-based solvent. The protective film application chamber 610 supplies the protective liquid to the central region of the substrate W while rotating the substrate W placed on the support plate 612.

베이크 챔버(620)는 보호막이 도포된 기판(W)을 열처리한다. 베이크 챔버(620)는 냉각 플레이트(621) 또는 가열 플레이트(622)를 가진다. 냉각 플레이트(621)에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단(623)이 제공된다. 또는 가열 플레이트(622)에는 열선 또는 열전 소자와 같은 가열 수단(624)이 제공된다. 가열 플레이트(622)와 냉각 플레이트(621)는 하나의 베이크 챔버(620) 내에 각각 제공될 수 있다. 선택적으로 베이크 챔버들(620) 중 일부는 가열 플레이트(622) 만을 구비하고, 다른 일부는 냉각 플레이트(621) 만을 구비할 수 있다. The bake chamber 620 heat-treats the substrate W coated with the protective film. The bake chamber 620 has a cooling plate 621 or a heating plate 622. The cooling plate 621 is provided with a cooling means 623 such as a cooling water or a thermoelectric element. Or heating plate 622 is provided with a heating means 624, such as a hot wire or a thermoelectric element. The heating plate 622 and the cooling plate 621 may be provided in a single bake chamber 620, respectively. Optionally, some of the bake chambers 620 may have only the heating plate 622, while others may only have the cooling plate 621.

후처리 모듈(602)은 세정 챔버(660), 노광 후 베이크 챔버(670), 그리고 반송 챔버(680)를 가진다. 세정 챔버(660), 반송 챔버(680), 그리고 노광 후 베이크 챔버(670)는 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 따라서 세정 챔버(660)와 노광 후 베이크 챔버(670)는 반송 챔버(680)를 사이에 두고 제 2 방향(14)으로 서로 이격되게 위치된다. 세정 챔버(660)는 복수 개가 제공되며, 서로 층을 이루도록 제 3 방향(16)을 따라 배치될 수 있다. 선택적으로 세정 챔버(660)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공될 수 있다. 노광 후 베이크 챔버(670)는 복수 개가 제공되며, 서로 층을 이루도록 제 3 방향(16)을 따라 배치될 수 있다. 선택적으로 노광 후 베이크 챔버(670)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공될 수 있다. The post-processing module 602 has a cleaning chamber 660, a post-exposure bake chamber 670, and a delivery chamber 680. The cleaning chamber 660, the transfer chamber 680, and the post-exposure bake chamber 670 are sequentially disposed along the second direction 14. Accordingly, the cleaning chamber 660 and the post-exposure baking chamber 670 are positioned apart from each other in the second direction 14 with the transfer chamber 680 therebetween. A plurality of cleaning chambers 660 are provided and may be disposed along the third direction 16 to form layers. Alternatively, a plurality of cleaning chambers 660 may be provided in the first direction 12 and the third direction 16, respectively. A plurality of post-exposure bake chambers 670 are provided and may be disposed along the third direction 16 to form layers. Alternatively, a plurality of post-exposure bake chambers 670 may be provided in the first direction 12 and the third direction 16, respectively.

반송 챔버(680)는 상부에서 바라볼 때 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 2 냉각 챔버(540)와 제 1 방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(680)는 대체로 정사각 또는 직사각의 형상을 가진다. 반송 챔버(680) 내에는 후처리 로봇(682)이 위치된다. 후처리 로봇(682)은 세정 챔버들(660), 노광 후 베이크 챔버들(670), 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 2 냉각 챔버(540), 그리고 후술하는 인터페이스 모듈(700)의 제 2 버퍼(730) 간에 기판(W)을 운반한다. 후처리 모듈(602)에 제공된 후처리 로봇(682)은 전처리 모듈(601)에 제공된 전처리 로봇(632)과 동일한 구조로 제공될 수 있다. The transfer chamber 680 is positioned in parallel with the second cooling chamber 540 of the second buffer module 500 in the first direction 12 as viewed from above. The transfer chamber 680 has a generally square or rectangular shape. A post processing robot 682 is located in the transfer chamber 680. The post-processing robot 682 is connected to the cleaning chambers 660, post-exposure bake chambers 670, the second cooling chamber 540 of the second buffer module 500, and the second And transfers the substrate W between the buffers 730. The postprocessing robot 682 provided in the postprocessing module 602 may be provided with the same structure as the preprocessing robot 632 provided in the preprocessing module 601. [

세정 챔버(660)는 노광 공정 이후에 기판(W)을 세정한다. 세정 챔버(660)는 하우징(661), 지지 플레이트(662), 그리고 노즐(663)을 가진다. 하우징(661)는 상부가 개방된 컵 형상을 가진다. 지지 플레이트(662)는 하우징(661) 내에 위치되며, 기판(W)을 지지한다. 지지 플레이트(662)는 회전 가능하게 제공된다. 노즐(663)은 지지 플레이트(662)에 놓인 기판(W) 상으로 세정액을 공급한다. 세정액으로는 탈이온수와 같은 물이 사용될 수 있다. 세정 챔버(660)는 지지 플레이트(662)에 놓인 기판(W)을 회전시키면서 기판(W)의 중심 영역으로 세정액을 공급한다. 선택적으로 기판(W)이 회전되는 동안 노즐(663)은 기판(W)의 중심 영역에서 가장자리 영역까지 직선 이동 또는 회전 이동할 수 있다. The cleaning chamber 660 cleans the substrate W after the exposure process. The cleaning chamber 660 has a housing 661, a support plate 662, and a nozzle 663. The housing 661 has a cup shape with an open top. The support plate 662 is located in the housing 661 and supports the substrate W. [ The support plate 662 is rotatably provided. The nozzle 663 supplies the cleaning liquid onto the substrate W placed on the support plate 662. As the cleaning liquid, water such as deionized water may be used. The cleaning chamber 660 supplies the cleaning liquid to the central region of the substrate W while rotating the substrate W placed on the support plate 662. Optionally, while the substrate W is rotating, the nozzle 663 may move linearly or rotationally from the central region of the substrate W to the edge region.

노광 후 베이크 챔버(670)는 원자외선을 이용하여 노광 공정이 수행된 기판(W)을 가열한다. 노광 후 베이크 공정은 기판(W)을 가열하여 노광에 의해 포토 레지스트에 생성된 산(acid)을 증폭시켜 포토 레지스트의 성질 변화를 완성시킨다. 노광 후 베이크 챔버(670)는 가열 플레이트(672)를 가진다. 가열 플레이트(672)에는 열선 또는 열전 소자와 같은 가열 수단(674)이 제공된다. 노광 후 베이크 챔버(670)는 그 내부에 냉각 플레이트(671)를 더 구비할 수 있다. 냉각 플레이트(671)에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단(673)이 제공된다. 또한, 선택적으로 냉각 플레이트(671)만을 가진 베이크 챔버가 더 제공될 수 있다. The post-exposure bake chamber 670 heats the substrate W subjected to the exposure process using deep UV light. The post-exposure baking step heats the substrate W and amplifies the acid generated in the photoresist by exposure to complete the property change of the photoresist. The post-exposure bake chamber 670 has a heating plate 672. The heating plate 672 is provided with a heating means 674 such as a hot wire or a thermoelectric element. The post-exposure bake chamber 670 may further include a cooling plate 671 therein. The cooling plate 671 is provided with a cooling means 673 such as a cooling water or a thermoelectric element. Further, a bake chamber having only the cooling plate 671 may be further provided.

상술한 바와 같이 노광 전후 처리 모듈(600)에서 전처리 모듈(601)과 후처리 모듈(602)은 서로 간에 완전히 분리되도록 제공된다. 또한, 전처리 모듈(601)의 반송 챔버(630)와 후처리 모듈(602)의 반송 챔버(680)는 동일한 크기로 제공되어, 상부에서 바라볼 때 서로 간에 완전히 중첩되도록 제공될 수 있다. 또한, 보호막 도포 챔버(610)와 세정 챔버(660)는 서로 동일한 크기로 제공되어 상부에서 바라볼 때 서로 간에 완전히 중첩되도록 제공될 수 있다. 또한, 베이크 챔버(620)와 노광 후 베이크 챔버(670)는 동일한 크기로 제공되어, 상부에서 바라볼 때 서로 간에 완전히 중첩되도록 제공될 수 있다.As described above, the pre-processing module 601 and the post-processing module 602 in the pre-exposure processing module 600 are provided to be completely separated from each other. The transfer chamber 630 of the preprocessing module 601 and the transfer chamber 680 of the postprocessing module 602 are provided in the same size and can be provided so as to completely overlap each other when viewed from above. Further, the protective film application chamber 610 and the cleaning chamber 660 may be provided to have the same size as each other and be provided so as to completely overlap with each other when viewed from above. Further, the bake chamber 620 and the post-exposure bake chamber 670 are provided in the same size, and can be provided so as to completely overlap each other when viewed from above.

인터페이스 모듈(700)은 노광 전후 처리 모듈(600), 및 노광 장치(900) 간에 기판(W)을 이송한다. 인터페이스 모듈(700)은 프레임(710), 제 1 버퍼(720), 제 2 버퍼(730), 그리고 인터페이스 로봇(740)를 가진다. 제 1 버퍼(720), 제 2 버퍼(730), 그리고 인터페이스 로봇(740)은 프레임(710) 내에 위치된다. 제 1 버퍼(720)와 제 2 버퍼(730)는 서로 간에 일정거리 이격되며, 서로 적층되도록 배치된다. 제 1 버퍼(720)는 제 2 버퍼(730)보다 높게 배치된다. 제 1 버퍼(720)는 전처리 모듈(601)과 대응되는 높이에 위치되고, 제 2 버퍼(730)는 후처리 모듈(602)에 대응되는 높이에 배치된다. 상부에서 바라볼 때 제 1 버퍼(720)는 전처리 모듈(601)의 반송 챔버(630)와 제 1 방향(12)을 따라 일렬로 배치되고, 제 2 버퍼(730)는 후처리 모듈(602)의 반송 챔버(630)와 제 1 방향(12)을 따라 일렬로 배치되게 위치된다. The interface module 700 transfers the substrate W between the exposure pre- and post-processing module 600 and the exposure apparatus 900. The interface module 700 has a frame 710, a first buffer 720, a second buffer 730, and an interface robot 740. The first buffer 720, the second buffer 730, and the interface robot 740 are located within the frame 710. The first buffer 720 and the second buffer 730 are spaced apart from each other by a predetermined distance and are stacked on each other. The first buffer 720 is disposed higher than the second buffer 730. The first buffer 720 is positioned at a height corresponding to the preprocessing module 601 and the second buffer 730 is positioned at a height corresponding to the postprocessing module 602. The first buffer 720 is arranged in a line along the first direction 12 with the transfer chamber 630 of the preprocessing module 601 while the second buffer 730 is arranged in the postprocessing module 602, Are arranged in a line along the first direction 12 with the transfer chamber 630 of the transfer chamber 630. [

인터페이스 로봇(740)은 제 1 버퍼(720) 및 제 2 버퍼(730)와 제 2 방향(14)으로 이격되게 위치된다. 인터페이스 로봇(740)은 제 1 버퍼(720), 제 2 버퍼(730), 그리고 노광 장치(900) 간에 기판(W)을 운반한다. 인터페이스 로봇(740)은 제 2 버퍼 로봇(560)과 대체로 유사한 구조를 가진다.The interface robot 740 is spaced apart from the first buffer 720 and the second buffer 730 in the second direction 14. The interface robot 740 carries the substrate W between the first buffer 720, the second buffer 730 and the exposure apparatus 900. The interface robot 740 has a structure substantially similar to that of the second buffer robot 560.

제 1 버퍼(720)는 전처리 모듈(601)에서 공정이 수행된 기판(W)들이 노광 장치(900)로 이동되기 전에 이들을 일시적으로 보관한다. 그리고 제 2 버퍼(730)는 노광 장치(900)에서 공정이 완료된 기판(W)들이 후처리 모듈(602)로 이동되기 전에 이들을 일시적으로 보관한다. 제 1 버퍼(720)는 하우징(721)과 복수의 지지대들(722)을 가진다. 지지대들(722)은 하우징(721) 내에 배치되며, 서로 간에 제 3 방향(16)을 따라 이격되게 제공된다. 각각의 지지대(722)에는 하나의 기판(W)이 놓인다. 하우징(721)은 인터페이스 로봇(740) 및 전처리 로봇(632)이 하우징(721) 내로 지지대(722)에 기판(W)을 반입 또는 반출할 수 있도록 인터페이스 로봇(740)이 제공된 방향 및 전처리 로봇(632)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 제 2 버퍼(730)는 제 1 버퍼(720)와 대체로 유사한 구조를 가진다. 다만, 제 2 버퍼(730)의 하우징(4531)에는 인터페이스 로봇(740)이 제공된 방향 및 후처리 로봇(682)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 인터페이스 모듈에는 기판(W)에 대해 소정의 공정을 수행하는 챔버의 제공 없이 상술한 바와 같이 버퍼들 및 로봇만 제공될 수 있다.The first buffer 720 temporarily stores the substrates W processed in the preprocessing module 601 before they are transferred to the exposure apparatus 900. The second buffer 730 temporarily stores the processed substrates W in the exposure apparatus 900 before they are transferred to the post-processing module 602. The first buffer 720 has a housing 721 and a plurality of supports 722. The supports 722 are disposed within the housing 721 and are provided spaced apart from each other in the third direction 16. One substrate W is placed on each support 722. The housing 721 is movable in the direction in which the interface robot 740 is provided and in the direction in which the interface robot 740 and the preprocessing robot 632 transfer the substrate W to and from the support table 722, 632 are provided with openings (not shown) in the direction in which they are provided. The second buffer 730 has a structure substantially similar to that of the first buffer 720. However, the housing 4531 of the second buffer 730 has an opening (not shown) in the direction in which the interface robot 740 is provided and in a direction in which the postprocessing robot 682 is provided. Only the buffers and robots can be provided as described above without providing a chamber for performing a predetermined process on the substrate W in the interface module.

상술한 실시예에는 측정부재(미도시) 및 제어기(860)가 레지스트 도포모듈(401)에 제공된 베이크챔버(420)에 제공되는 것으로 설명하였다. 그러나 측정부재(미도시) 및 제어기(860)는 현상모듈(402)의 베이크유닛(420)에 제공될 수 있다. In the above-described embodiment, the measurement member (not shown) and the controller 860 are described as being provided in the bake chamber 420 provided in the resist application module 401. However, the measurement member (not shown) and the controller 860 may be provided in the bake unit 420 of the development module 402.

822: 가열플레이트 826: 히터
840 내지 855: 히팅존들 860: 제어기822: Heating plate 826: Heater
840 to 855: Heating zones 860:

Claims (2)

상면에 복수 개의 히팅존들을 가지며, 기판이 안착되는 가열플레이트와;
상기 히팅존들 각각을 가열하도록 상기 가열플레이트의 내부에 위치되는 히터와;
상기 히팅존들 각각의 온도를 측정하는 측정부재와;
상기 측정부재로부터 측정된 온도값을 제공받아 상기 기판의 안착상태를 판단하는 제어기를 포함하되,
상기 측정부재는,
상기 가열플레이트의 중심축을 중심으로 서로 대향되게 위치되며, 서로 상이한 상기 히팅존의 온도를 측정하는 제1센서 및 제2센서를 가지는 온도센서들을 포함하되,
상기 제어기는 상기 제1센서로부터 제공되는 제1온도값과 상기 제2센서로부터 제공되는 제2온도값 간의 제1차이값를 근거로 상기 기판의 안착상태를 판단하는 기판처리장치.A heating plate having a plurality of heating zones on its upper surface, on which a substrate is placed;
A heater positioned within the heating plate to heat each of the heating zones;
A measuring member for measuring the temperature of each of the heating zones;
And a controller for receiving a measured temperature value from the measuring member and determining a seating state of the substrate,
Wherein the measuring member comprises:
And temperature sensors having a first sensor and a second sensor positioned opposite to each other with respect to a central axis of the heating plate and measuring the temperature of the heating zone,
Wherein the controller determines a seating state of the substrate based on a first difference value between a first temperature value provided from the first sensor and a second temperature value provided from the second sensor. 제1항에 있어서,
상기 제어기는 상기 제1차이값이 허용범위값 내에 제공되면, 상기 기판의 안착상태를 정상상태로 판단하고,
상기 제1차이값이 상기 허용범위값을 벗어나면, 상기 기판의 안착상태를 비정상상태로 판단하는 기판처리장치.


The method according to claim 1,
Wherein the controller determines that the seating state of the substrate is a normal state when the first difference value is provided within the allowable range value,
And determines that the seating state of the substrate is in an abnormal state when the first difference value is out of the allowable range value.


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