JP2000306255A - 半導体レーザ駆動装置、駆動方法およびそれを用いた記録再生装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】光ディスクの高密度記録化にともない、高密度
マーク形成には、記録レベルの多値化およびその記録レ
ベルの高精度の設定が必要となってくる。特に半導体レ
ーザの温度による特性変化、光ディスク記録面の場所に
よって異なる記録感度むら、さらにディスク表面の汚れ
等による記録感度変化などを高精度でしかも高速に補正
する必要がる。 【解決手段】少なくとも２つの記録電流レベルを有する
記録電流指令値が時系列的に供給され、この記録電流指
令値に対応した記録電流を半導体レーザに供給する記録
電流生成手段、該記録電流生成手段の各記録電流指令値
に対応した各記録電流をｋ倍化するｋ倍化制御手段、該
ｋ倍化制御手段にｋ倍化指令を供給するｋ倍化指令生成
手段を設けた。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光学的記録再生装
置およびそれに用いる半導体レーザ駆動装置、駆動方法
に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】光学的記録再生装置の高密度記録化、高
速記録化および高信頼性化に伴って、半導体レーザのパ
ワーを高精度でかつ高速に可変制御する必要がある。こ
の半導体レーザのパワーの制御要因として以下の要因が
ある。

【０００３】（ａ）半導体レーザ自身のパワー（駆動電
流−光出力特性）は温度や経時変化（寿命）により大き
く変化する。よって温度や経時変化に対応して補正し、
所定のパワーとなるように制御する必要がある。（再生
時のこのパワー補正をRead-APC:Automatic Power Contr
ol、記録時のこのパワー補正をWrite-APCと以下称
す。） （ｂ）光ディスク記録面の記録感度がディスク内の場所
によりむらがある。またこの記録感度はレーザの波長依
存性があり温度変化によるレーザの波長変化によっても
記録感度が変動する。さらに、ディスク表面の汚れなど
によって記録面への入射パワーが減衰し等価的に記録感
度が低下する。これらの記録感度変動要因に対応して記
録時のディスクからの反射光を利用して記録状態を検出
し、最適のパワーに制御する制御方法が近年用いられて
いる。この制御方法をRunning OPC(Optimum Power Cont
rol)と以下称す。

【０００４】（ｃ）高密度記録化に伴い、光ディスク記
録面に微小なマーク（あるいはピット）を形成するた
め、パワーをパルス分割化（マルチパルス）し、さらに
そのレベルを多値（例えば３値や４値）に変化させるパ
ワー制御が必要となってきている。また記録面のマー
ク、スペース長を最適化するため、マーク記録時に、隣
接のスペース長およびマーク長に応じて分割された記録
パルスの時間的位置やパルス幅をアダブティブに可変制
御する記録パルスのアダプティブ制御（以下、この制御
を記録ストラテジと称す。）が必要となってきている。

【０００５】（ｄ）高速記録化に伴い、半導体レーザの
パワー制御は、マルチパスルの各パルスの立ち上がり特
性（Ｔｒ特性）および立ち下がり特性（Ｔｆ特性）の高
速化（例えば数ｎｓ以下）とともに、前述の記録感度補
正（Running OPC)もディスク回転数の高速化に対応して
より高速の制御が必要となってくる。

【０００６】従来の半導体レーザのパワー制御装置の詳
細が特開平６−３３８０７３号公報に記載されている。
この従来例では記録時の２値のパワーレベルＰｐ、Ｐｂ
に対応して、Ｐｐ用ＤＡ変換回路とその出力値に対応し
た駆動電流を出力するＰｐ用電流源、Ｐｂ用のＤＡ変換
回路とその出力値に対応した駆動電流を出力するＰｂ用
電流源を設け、それぞれのＤＡ変換回路の入力値を可変
することにより２値のパワーレベルの制御を可能にして
いる。Ｐｂ用電流源の出力電流をＩｂ、Ｐｐ用電流源の
出力電流をＩｐ、再生時用の電流源の出力電流をＩｒと
すると、記録時には、（Ｉｒ＋Ｉｂ）と（Ｉｒ＋Ｉｂ＋
Ｉｐ）の２値レベルを取るようにＰｂ用電流源の出力電
流がスイッチ制御される。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】上記した従来の構成で
は、前述した高密度記録化、高速記録化および高信頼性
化に於いて以下の難点がある。

【０００８】（ａ）記録レベルの多値化に伴い、多値レ
ベル数に対応したＤＡ変換回路（以下、ＤＡＣと称す）
が必要になり、半導体レーザ駆動装置の回路規模が増大
し、集積回路化時のチップサイズが増大し高価になる。

【０００９】（ｂ）記録レベルの高精度の制御を行うた
めには、それぞれのＤＡＣの分解能を高くする必要があ
り、前記同様に回路規模増大となる。

【００１０】また、Ｔｒと特性、Ｔｆ特性をより高速に
するためには、半導体レーザ駆動装置を半導体レーザダ
イオードに近接して配置して駆動電流波形のなまり（Ｔ
ｒ、Ｔｆ特性の劣化）を防止する必要がある。このため
には集積回路化された半導体レーザ駆動装置を半導体レ
ーザダイオードを搭載する光ピックアップに搭載し、フ
レキシブルケーブルを介して前述ＤＡＣを制御する必要
がある。この場合、従来の構成ではさらに以下の難点が
ある。

【００１１】（ｃ）上記（ｂ）のＤＡＣの高分解能化
（例えば８ビットを１６ビット化）した場合、フレキシ
ブルケーブルは、ＤＡＣの制御線だけでも１６本必要と
なり、装置の小型化の障害となってくる。

【００１２】（ｄ）ＤＡＣを上記のように並列化制御信
号で制御するのではなく、シリアル転送化によって制御
することにより制御線数を低減することは可能となる
が、多値レベル数に対応した複数のＤＡＣの入力値を高
速制御できなくなる。１つのＤＡＣにとっても並列化制
御がシリアル転送制御となるので制御速度が大幅に低下
する。さらに複数のＤＡＣを制御する場合はＤＡＣ数と
その分解能に比例して速度が低下することになる。この
結果、高速記録に対応した高速のRunning-OPC制御など
の高速レベル制御ができなくなる。また、各ＤＡＣを順
に時間のかかるシリアル転送制御するため各レベルが五
月雨的に制御されることになり、多値のレベルの高精度
の高速制御が困難となってくる。

【００１３】本発明は、記録レベルの精度を高くすると
ともに、多値のレベルを同時に変更して高速のレベル制
御を可能にし、しかも回路規模および制御線数を低減し
光ピックアップ搭載に適した半導体レーザ駆動装置（駆
動集積回路）を提供することを目的とする。

【００１４】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明では、光学的に情報の記録または再生が可能
な情報記録媒体に対し、供給される駆動電流に応じた強
さでレーザを発射する半導体レーザと、複数の記録電流
値を有する記録電流値制御信号と、該記録電流値の増幅
率を制御するｋ倍化制御信号が時系列的に供給され、該
記録電流値を該増幅率で増幅し、該増幅後の電流を駆動
電流として出力する記録電流生成手段と、前記増幅率を
示すｋ倍化指令に応じて、前記記録電流生成手段を制御
するｋ倍化制御信号を生成し、前記記録電流生成手段へ
出力するｋ倍化制御手段と、該ｋ倍化制御手段に前記ｋ
倍化指令を供給するｋ倍化指令生成手段と、を具備する
半導体レーザ駆動装置を提供する。

【００１５】

【発明の実施の形態】以下、図を用いて本発明の実施例
を説明する。

【００１６】（１）第１の実施例 第１の実施例は記録状態が連続（データ記録途中に間欠
的にセクタアドレスの再生のための再生状態が入らな
い）し、しかも記録感度補正（R-OPC)が必要とされるＣ
Ｄ−Ｒなどの記録媒体の記録に適した実施例である。

【００１７】（１．１）第１の実施例の構成 図１に本発明の第１の実施例の構成を示す。

【００１８】１はRead level制御信号（再生電流値制御
信号ともいう）Pread、Write level制御信号（記録電流
値制御信号ともいう）Pw1,Pw2,Pzeroおよび記録状態目
標係数αtrgtを出力する制御部、２はPreadをもとに再
生パワーレベルを一定化するRead-APC制御部、４はRead
-APC制御部２の出力を電流変換するＶ−Ｉ変換手段、５
はPw1、Pw2、Pzeroの制御信号に対応した記録電流を生
成する記録電流生成手段、９は半導体レーザダイオー
ド、１０は半導体レーザダイオードの発射光量をモニタ
するフォトダイオード（発射光量検出手段ともいう）、
１１は光ディスク１２からの反射光量を検出するフォト
ダイオード（反射光量検出手段ともいう）、７はフォト
ダイオード１０の電流を電圧に変換するＩ−Ｖ変換手
段、８はフォトダイオード１１の電流を電圧に変換する
Ｉ−Ｖ変換手段、１３は光ディスク１２を回転させるモ
ータ、３はαtrgt、Write levelおよびＩ−Ｖ変換手段
７と８の出力をもとに記録電流生成手段５の出力電流値
をｋ倍化する旨のｋ倍化指令を生成するｋ倍化指令生成
手段、６はｋ倍化指令に対応して記録電流生成手段５を
制御するｋ倍化制御手段である。

【００１９】Read-APC制御部２は、Ｉ−Ｖ変換手段７の
出力信号PfmをReadタイミング（タイミング信号Ｒ）で
サンプル・ホールドするＳ／Ｈ手段２０２およびＳ／Ｈ
手段２０２の出力値とPreadの差を演算しＶ−Ｉ変換手
段４に供給する減算手段２０１より構成される。

【００２０】ｋ倍化指令生成手段３は、Ｉ−Ｖ変換手段
８の出力信号Prfをタイミング信号R-OPC1,R-OPC2でサン
プル・ホールドするＳ／Ｈ手段３０７、Ｓ／Ｈ手段３０
７の出力値をもとに記録時のディスクの記録状態の係数
を検出する記録状態係数検出手段３０６、記録状態係数
検出手段３０６の出力値αinと制御部１より出力される
記録状態目標係数αtrgtの差を演算する減算手段３０
１、減算手段３０１の出力値を係数の次元からパワーの
次元に変換する係数−power変換手段３０２、係数−pow
er変換手段３０２の出力ΔPopcと制御部１より供給され
るPw2を加算する加算手段３０３、加算手段３０３の出
力値（Pw2＋ΔPopc）とＩ−Ｖ変換手段７の出力値Pfmの
差を演算する減算手段３０４、および減算手段３０４の
出力値ΔPapcをタイミング信号Ｗ２でサンプル・ホール
ドし、その出力をｋ倍化制御手段６に供給するＳ／Ｈ手
段３０５より構成される。

【００２１】（１．２）第１の実施例の動作 以下、この第１の実施例の動作および各部の詳細につい
て説明する。

【００２２】（１．２．１）第１の実施例の動作概要 第１の実施例は下記の３つの半導体レーザのパワー制御
を並列に行う。

【００２３】（ａ）半導体レーザ自身の温度および経時
変化による駆動電流−光出力特性、特にいわゆるしきい
値電流の変動に対してReadレベルを一定化するRead-APC
動作。

【００２４】（ｂ）半導体レーザ自身の温度および経時
変化による駆動電流−光出力特性、特に駆動電流変化に
対する光出力変化（いわゆるスロープ効率）の変動に対
して各記録レベルを一定化するWrite-APC動作。

【００２５】（ｃ）光ディスク記録面の記録感度むら、
半導体レーザの波長変化（温度変化による）による記録
感度変動、ディスク入射面の汚れによる等価記録感度変
動などを補償するいわゆるR-OPC動作。

【００２６】図５に、第１の実施例の動作タイミングを
示す。

【００２７】この実施例では、図５の（１）NRZ(EFM)波
形と（２）Pout波形に示すように、マーク（あるいはピ
ット）を形成する記録レベルをPout(w1)とPout(w2)の２
値レベルの制御とし、スペース（あるいはランド）は再
生時のパワーレベルと同じPout(read)の計３値レベル制
御としている。

【００２８】制御部１は記録時および再生時に、図５の
（３）に示すように再生時のパワーレベル信号Preadを
出力する。また制御部は記録時に、図５の（２）の所望
のタイミングの記録パワー波形となるように記録レベル
信号Pw1、Pw2およびPzeroを出力する。記録パワーレベ
ルPout(w1)の開始タイミングをＴｓｆｐ、Pout(w2)開始
タイミングをＴｅｆｐ、Pout(w2)が終了しPout(read)開
始となるタイミングをＴｅｌｐとすると、制御部１は図
５の（４）に示すように、Pw1をＴｓｆｐタイミング
で、Pw2をＴｅｆｐタイミングで、PzeroをＴｅｌｐタイ
ミングで出力する。また、Ｔｓｆｐ、ＴｅｆｐおよびＴ
ｅｌｐのタイミングは記録するマークの長さおよび先行
するスペース長、後続するスペース長に依存してアダプ
ティブに制御され、対応するタイミングでPw1,Pw2およ
びPzeroが制御部１より出力される。

【００２９】再生レベル信号PreadはRead-APC制御部2お
よびＶ−Ｉ変換手段４を介して半導体レーザダイオード
９を電流駆動する。この電流をIreadとする。記録レベ
ル信号Pw1、Pw2およびPzeroは記録電流生成手段を介し
て半導体レーザダイオード９を駆動する。この電流をIw
riteとする。Iwriteは図５の（５）に示すように、Pw1
に対応してIw1、Pw2に対応してIw2、Pzero時はIwrite＝
０となる記録駆動電流となる。よって、記録時の半導体
レーザダイオード９の駆動電流は、Pw1入力時の駆動電
流ILD(w1)は ILD(w1)=Iread + Iw1、 Pw2入力時の駆動電流ILD(w2)は ＩＬＤ（ｗ２）＝Ｉｒｅａｄ ＋ Ｉｗ２ およびＰｚｅｒｏ入力時のILD(zero)は ILD(zero)=Iread となる。この駆動電流ILDに対応して半導体レーザダイ
オード９のパワーは図５の（２）に示した３値の記録パ
ワー波形となる。

【００３０】再生レベルの駆動電流Ireadは、Ｉ−Ｖ変
換手段７の出力値PfmをもとにRead-APC制御部２によっ
て一定パワーとなるように制御（Read-APC動作)され
る。マーク記録時の記録電流Iw1、Iw2はＩ−Ｖ変換手段
７の出力値Pfmをもとに一定パワーとなるように制御(Wr
ite-APC動作)される。またIw1、Iw2はＩ−Ｖ変換手段８
の出力値Prfをもとに所定の記録状態となるように制御
(R-OPC動作)される。

【００３１】以下、図５の動作タイミング図、図６のRe
ad-APC動作説明図、図７のWrite-APC動作説明図、およ
び図８のR-OPC動作説明図を用いて順次その動作を説明
していく。

【００３２】（１．２．２）Read-APC動作 図６に温度変化による半導体レーザの駆動電流ILDに対
する出力パワーPout特性の変動およびこの変動に対する
Ireadの最適化(Read-APC）動作を示す。図６の（４）が
ILD-Pout特性で、TLは低温時の特性、TMは通常温度の特
性およびTHは高温時の特性を示している。温度の上昇に
伴いいわゆるしきい値電流IthがIthL、IthM、IthHと増
加するとともにスロープ効率ηが低下していく。

【００３３】この特性の温度変動に対して、出力パワー
Pout(read)を図中（４）の破線に示すように一定に保持
するためには、各温度でのILD-Pout特性線とPout(read)
の破線の交点に対応する駆動電流となるように駆動電流
を制御する必要がある。この様子を図中の（１）、
（２）および（３）に示している。（１）は低温時のIr
ead電流でIread(TL)、（２）は通常温度でのIread電流
でIread(TM)、（３）は高温時のIread電流でIread(TH)
を示している。このように出力パワーがPout(read)で一
定となるように駆動電流Ireadを可変制御する。

【００３４】この駆動電流Ireadの可変制御を行うの
が、Read-APC制御部２である。Ｓ／Ｈ手段２０２は図５
の（６）に示すようにパワーレベルPout(read)に対応す
るスペース記録タイミングの所定の区間（ハッチングし
た区間）で、半導体レーザ９の発射光量をモニタするフ
ロント・モニタ用フォトダイオード１０の出力をＩ−Ｖ
変換手段７で変換された出力Pfmをサンプルし減算手段
２０１に供給する。減算手段２０１は目標であるPread
値とPfm値を減算し、(Pread - Pfm)値に対応した制御信
号をＶ−Ｉ変換手段４に供給する。このループはいわゆ
るフィードバック・ループを形成し、Pread - Pfmが微
小となるようにIread電流を制御することになり、半導
体レーザ９のILD-Pout特性の変動に対しても一定のパワ
ーPout(Read)を保持することができる。

【００３５】Ｓ／Ｈ手段２０２は図５の（６）のハッチ
ングした区間以外はサンプル区間の値を保持しているの
でIread電流も保持される。このサンプル・ホールドを
スペースごとに繰り返すので、温度上昇によるILD-Pout
特性の変動に対して追従し、一定のパワーレベルPout(r
ead)となるように制御することができる。

【００３６】（１．２．３）Write-APC動作 図６に示したように、ILD-Pout特性は、温度によって変
動し、しきい値電流およびスロープ効率ηが変化する。
Read-APC動作はしきい値電流の変動を補正するのに対
し、Write-APC動作はスロープ効率ηの変動を補正する
制御動作である。

【００３７】図７にWrite-APC動作の様子を示す。図中
（１）は記録電流Iwriteに着目した駆動電流と半導体レ
ーザ９の出力パワーPoutの関係を示す。図中（２）はｋ
倍化制御手段６の入力値ｋとｋ倍化制御手段６の出力
(ｋ倍化制御信号ともいう)Refによって制御される記録
電流生成手段５の出力電流Iwriteの関係を示す。また図
中（３）は半導体レーザ９の出力パワーを時間軸で示し
ている。

【００３８】前述のRead-APC動作が行われると、しきい
値電流Ithの変動が補正されるので、記録電流Iwriteは
この補正された再生パワーレベルの駆動電流Ireadに加
算することによりPout(w1)およびPout(w2)の記録パワー
を生成することになる。よって、記録電流Iwriteに着目
すると、IwriteとPoutの関係は図７の（１）のように表
現することができる。Iwrite-Pout特性はPout(read)な
る出力パワーの点（図中のＱ点）でクロスし、このクロ
ス点Ｑの駆動電流がIread電流となる。図では低温時の
特性TLと高温時の特性THの２つを示している。

【００３９】Write-APC動作は、温度TLの時Pout(w1)お
よびPout(w2)のパワーが所定値となるように制御すると
ともに、温度が変化してTHになっても前記所定のパワー
となるように記録駆動電流Iwriteを制御する。具体的に
はｋ倍化制御手段６の入力値ｋを可変して記録電流生成
手段５のIw1およびIw2を制御し記録パワーがPout(w1)お
よびPout(w2)の所定値になるように制御する。

【００４０】この実施例の場合は、記録電流生成手段５
はPw1用電流源とPw2用電流源を有している。両者の電流
比率はPw1とPw2に比例する。記録電流生成手段５はPw1
入力に対応してPw1用電流源より記録電流Iw1を、Pw2入
力に対応してPw2用電流源より記録電流Iw2を出力する。
この記録電流生成手段５の詳細な構成については第２、
第３および第４の実施例にて具体的に提示および動作を
説明する。

【００４１】ｋ倍化制御手段６は記録電流生成手段５の
出力電流Iw1あるいはIw2を前述の比率関係を維持したま
まその電流値を入力値ｋによって制御する。このｋ倍化
制御手段６の入力値ｋとｋ倍化制御手段６の出力Refに
よって制御される記録電流生成手段５の出力電流Iwrite
の関係を図７の（２）に示している。

【００４２】低温時TLの時はｋを図のようにk(TL)とな
るように、また高温時THの時はｋを図のようにk(TH)と
なるように制御することにより、半導体レーザ９の温度
によるスロープ効率の変動を補正し、Pout(w1)、Pout(w
2)の所定の記録パワーとなるように制御することができ
る。

【００４３】このｋ倍化制御手段６の入力値ｋを制御す
るのがｋ倍化指令生成手段３を構成する減算手段３０４
およびＳ／Ｈ手段３０５である。減算手段３０４はフロ
ントモニタ用フォトダイオード１０のＩ−Ｖ変換後の信
号Pfmと制御部１より供給されるPw2信号の差ΔPapc=Pw2
- Pfmを演算する。 Ｓ／Ｈ手段３０５は、この差分ΔP
apcを図５の（７）に示すPout(w2)レベル区間でサンプ
ルしｋ倍化制御手段６に入力値ｋとして供給する。この
減算手段３０４、Ｓ／Ｈ手段３０５、ｋ倍化制御手段
６、記録電流生成手段５半導体レーザ９、フロントモニ
タ用フォトダイオード１０およびＩ−Ｖ変換手段７はフ
ィードバックループを形成し、その目標値が加算手段３
０３を介して制御部１より供給される。よって、このル
ープによりPout(w2)が一定パワーとなるように制御され
る。

【００４４】Ｓ／Ｈ手段３０５は図５の（７）のハッチ
ングした区間以外はサンプル区間の値を保持しているの
でｋ値も保持される。このサンプル・ホールドをマーク
ごとに繰り返すので、温度上昇によるスロープ効率ηの
変動に対して追従し、一定の記録パワーレベルPout(w2)
となるように制御することができる。この実施例では、
Pout(w2)のレベルに対してのみ制御している。Pout(w1)
のレベルは、前述したように記録電流生成手段５のPw1
用電流源の出力はｋ値に依存せずIw2に比例した電流を
出力する構成にしているので、Iw2を制御してPout(w2)
を一定化することにより、記録電流生成手段５ではIw2
に比例した電流を出力するので結果的にPout(w1)も一定
化することになる。

【００４５】（１．２．４）R-OPC動作 図８にR-OPC動作を示す。図８の（１）はある温度でのI
LD-Pout特性を示している。この特性は図７の（１）と
同様にIwriteに着目した表現にしている。図８の（２）
は図７の（２）と同様にｋ倍化制御手段６の入力値ｋと
ｋ倍化制御手段６の出力Refによって制御される記録電
流生成手段５の出力電流Iwriteの関係を示している。ま
た図８の（３）は半導体レーザ９の出力パワーを時間軸
で示している。

【００４６】R-OPC動作は、後述する記録状態を検出し
て、所定の記録状態となるように半導体レーザ９の出力
パワーを図８の（３）のように制御する。正常な記録状
態の時ののパワーを（３）−２とすると、等価的に記録
感度が低下した場合は（３）−３のようにパワーを増加
させ、記録感度が高くなった場合は（３）−１のように
パワーを減少させ、記録感度の変動に対して所定の記録
状態となるように半導体レーザ９の出力パワーを制御す
る。この半導体レーザ９の出力パワーは前述のR-APC動
作と同様に、ｋ倍化制御手段６の入力値ｋを可変するこ
とにより制御する。

【００４７】記録時の記録状態を監視するため、フォト
ダイオード１１は記録中の光ディスク１２からの反射光
を検出し、この検出値をもとに記録状態を検出し検出値
に対応してｋ値を可変していく。Ｓ／Ｈ手段３０７はＩ
−Ｖ変換手段８によって変換された反射光量Prfを図５
の（８）R-OPC1および（９）R-OPC2のタイミングでサン
プリングする。このサンプリングタイミングは記録レベ
ルPout(w2)の区間内のタイミングである。記録状態係数
検出手段３０６はR-OPC1およびR-POC2のタイミングで検
出された反射光量Prf1およびPrf2をもとに記録状態を示
す係数αinを検出する。

【００４８】マーク（あるいはピット）の形成は半導体
レーザ光の熱的効果で行うので、マーク形成に時間がか
かる。記録感度が上がった場合、等価的に記録パワーは
過大となりマーク（あるいはピット）を大きく（あるい
は深く）形成する。このマーク形成過程においてその反
射光量は急激に低下する。また記録感度が下がった場
合、等価的に記録パワーは不足となりマーク（あるいは
ピット）を小さく（あるいは浅く）形成する。このマー
ク形成過程において反射光量の減衰は緩やかとなる。こ
の光ディスクの特性を利用して反射光量Prf1とPrf2のレ
ベル比をもとに記録状態を検出する。

【００４９】減算手段３０１は記録状態係数検出手段３
０６の出力値αinと制御部１より供給される記録状態目
標係数値αtrgtとの差分（αtrgt - αin）を演算し係
数−power変換手段３０２に供給する。係数−ower変換
手段は差分（αtrgt - αin）をパワーの次元に変換し
差分に対応した出力値ΔPopcを出力する。このΔPopcは
加算手段３０３で制御部１より供給されるPw2と加算さ
れ減算手段３０４に供給される。ΔPopc + Pw2は前述し
たWrite-APCの目標値をPw2からΔPopc + Pw2に変更する
ことになる。この結果Write-APCループはこの新たな目
標値に対応するようにｋ値を変更し新たな記録パワーを
維持するように動作する。

【００５０】記録感度が高くなった場合は、図８に示す
ようにｋ値はｋ（ｌ）と標準値ｋ（ｍ）に比し小さくな
り、半導体レーザ９の出力パワーは同図（３）−１に示
すように小さくなる。また記録感度が低下した場合はｋ
値はｋ（ｕ）と標準値ｋ（ｍ）より大きくなり、半導体
レーザ９の出力パワーは同図（３）−３に示すように大
きくなる。

【００５１】このR-OPC動作が所定のマーク長が出現す
るごとに行われるので等価的記録感度の変動に追従して
最適な記録状態となるように半導体レーザ９の出力パワ
ーを制御することが可能となる。

【００５２】（１．３）第１の実施例の効果 以上説明したように、本発明の第１の実施例では、ｋ倍
化制御手段６の入力値ｋを可変するのみで、多値の記録
レベルを同時に可変制御できるので、高速のWrite-APC
および高速のR-OPCを行うことが可能となる。

【００５３】（２）第２の実施例 以下本発明の第２の実施例を説明する。この第２の実施
例はデータ記録途中に間欠的にセクタアドレスの再生の
ための再生状態が入るＤＶＤ−ＲＡＭなどの記録に適し
た実施例である。

【００５４】（２．１）第２の実施例の構成 図２に本発明の第２の実施例の構成図を示す。図１と同
一の機能を有するものは同一の番号を付している。

【００５５】１４は前述の第１の実施例のRead-APC制御
部２の機能およびｋ倍化指令生成手段３の機能を有すマ
イクロコンピュータあるいはディジタル信号処理ＬＳＩ
（いわゆるＤＳＰ）で構成される演算・制御部である。
１６は光ピックアップに搭載されるレーザドライバ集積
回路、１５は演算・制御部より光ピックアップに搭載さ
れたレーザドライバ集積回路１６に各種の制御信号を供
給する制御信号線および光ピックアップに搭載されたＩ
−Ｖ変換手段７および８の出力信号を演算・制御部１４
に供給する信号線を配置するフレキシブルケーブルであ
る。

【００５６】レーザドライバ集積回路１６は以下の構成
要素で構成される。１７は演算・制御部１４よりシリア
ル転送されて供給される各種レジスタの設定値を取込み
パラレルに変換して対応するレジスタに設定値を書込む
Serial Inteface制御部、４０１は再生パワーレベルPre
adを記憶するPreadレジスタ、４０２はPreadの値に対応
して駆動電流Ireadを出力するディジタル・アナログ変
換回路で構成されるRead-DAC、１９は再生時に半導体レ
ーザ９に高周波電流Ihfを重畳するＨＦＭ（High Freque
ncy Module）である。

【００５７】５１は第２の実施例の記録電流生成手段で
あり、記録パワーPaを記憶するPaレジスタ５０１、記録
パワーPbを記憶するPbレジスタ５０２、記録パワーPcを
記憶するPcレジスタ５０３、記録パワーPdを記憶するPd
レジスタ５０４、５０１から５０５のレジスタの出力の
いずれかを選択するセレクタ５０５および選択されたレ
ジスタの記録パワー値に対応して記録駆動電流Iwriteを
出力するディジタル・アナログ変換回路で構成されるWr
ite Power DAC５０６より構成される。

【００５８】６０１はｋ値を記憶するkレジスタ、６０
２はkレジスタ６０１のｋ値に対応した電流をWrite Pow
er DAC５０６の基準電流Irefとして出力するディジタル
・アナログ変換回路で構成されるFull-Scale DACであ
る。１８は演算・制御部１４より供給されるＮＲＺ（Ｅ
ＦＭ）信号、クロック信号chCLKおよび記録再生状態を
設定する制御信号ＷＲＧをもとに記録パワー波形のタイ
ミング（Pa〜Pdレジスタを選択する制御信号Px-selec
t）を生成するWrite Strategy制御部である。

【００５９】（２．２）第２の実施例の動作 以下、この第２の実施例の動作および各部の詳細につい
て説明する。

【００６０】（２．２．１）第２の実施例の動作概要 この実施例では、記録のパワーレベルを４値、再生時１
値の計５値のパワー制御を行う。再生時は、再生パワー
が一定値になるように前述したRead-APC動作を行い、記
録時はRead-APC動作とともに各記録パワーが所定値とな
るように前述したWrite-APC動作を行う。記録動作およ
び再生動作の切替は演算・制御部１４より供給される制
御信号ＷＲＧの極性によってセクタ（データ記録の１単
位で例えば２Ｋバイト単位）単位毎に制御される。また
レーザドライバ集積回路１６の各レジスタはSerial Int
erface制御部１７を介して演算・制御部１４よりシリア
ル転送され設定される。再生時は、Read DAC４０２の出
力電流IreadとＨＦＭ１９の高周波出力電流Ihfが加算さ
れ半導体レーザ９を駆動する。記録時は、Read DAC４０
２の出力電流IreadとWrite Power DACの出力電流Iwrite
が加算され半導体レーザ９を駆動する。

【００６１】（２．２．２）再生時のRead-APC動作 再生時はIread + Ihfの駆動電流が半導体レーザ９を駆
動する。半導体レーザ９の出力パワーは第１の実施例と
同様にフロントモニタ用フォトダイオード１０でIhfの
高周波成分は平滑化（フロントモニタ用フォトダイオー
ド１０は高周波重畳の周波数には応答しないので）さ
れ、この平滑化されたパワーがモニタされＩ−Ｖ変換手
段７で変換されフレキシブルケーブル１５を介して演算
・制御部１４に供給される。演算・制御部１４では一旦
ディジタル値に変換後、第１の実施例で説明したRead-A
PC制御部２の機能により所定レベルからの誤差が演算さ
れる。パワーが低い場合、演算・制御部１４はその誤差
に比例した値を現在の指令値Preadに加算し、加算結果
を新たな指令値としてSerial Interface制御部１７を介
してPreadレジスタ４０１の値を更新する。パワーが大
きい場合、Preadレジスタ４０１の値を同様にして小さ
くする。このフィードバック制御により再生パワーが所
定値Prとなるように制御する。

【００６２】（２．２．３）記録時の動作タイミング 図１０に、第２の実施例の記録時の動作タイミングを示
す。図中（１）はＮＲＺ信号、（２）は半導体レーザ９
の出力パワー波形、（３）はPreadレジスタ４０１の
値、（４）はWrite Strategy制御部１８によってそのタ
イミングが制御されたWrite Power DAC５０６の入力値
系列、（５）は前記入力値に対応したWritePower DAC５
０６の出力電流Iwrite、（８）は記録再生状態を切替え
る制御信号ＷＲＧ、（６）はデータ記録時のRead APCタ
イミング、（７）はWrite APCタイミングを示してい
る。

【００６３】（２．２．３．１）記録時のRead APCタイ
ミング 複数セクタに渡るデータ記録の場合は、セクタ毎にその
セクタアドレスを読取るため再生動作が入る。この再生
および記録のタイミングは図１０の（８）に示す制御信
号ＷＲＧにより制御される。この制御信号ＷＲＧがread
の場合、図１０の（６）に示すタイミング（ハッチング
した区間）で前述したRead APC動作を行う。

【００６４】演算・制御部１４は、このReadタイミング
にて前述の新たなPreadを演算し、Serial Interface制
御部１７を介してPreadレジスタ４０１の値を更新す
る。図１０の（３）に示すように、この更新されたPrea
dレジスタ４０１の値は次のReadタイミングまで保持す
る。このセクタ毎の動作を繰返し行うことにより、再生
パワーの一定化を行う。

【００６５】（２．２．３．２）Write APCタイミング Write Strategy制御部１８は、図１０の（１）に示すＮ
ＲＺ信号およびクロック信号であるｃｈＣＬＫ信号をも
とにマーク長およびスペース長を検出し、記録するマー
ク長と隣接するスペース長により予め定めたタイミング
（いわゆる記録ストラテジ）でセレクタ制御信号Px-sel
ectを出力する。セレクタ５０５はこのセレクタ制御信
号Px-selectに対応して、５０１から５０４のレジスタ
のいずれかを選択しWrite Power DACに供給する。図１
０の（４）にWrie Power DAC５０６の入力値系列を示
す。Paレジスタ５０１に記録電流Iwaに対応する値を、P
bレジスタ５０２に記録電流Iwb、Pcレジスタ５０３に記
録電流IwcおよびPdレジスタ５０４に記録電流Iwdを予め
Serial Interface制御部１７を介して設定しておくと、
図１０の（４）に示した入力値系列に対してWrie Power
DAC５０６の出力電流は図１０の（５）に示すようにな
る。ここではIwa>Iwb>Iwc>Iwdの大小関係としている。
この記録電流IwriteがRead DAC４０２の出力電流Iread
と加算され半導体レーザ９を駆動する。この結果、半導
体レーザ９の出力パワーは図１０の（２）に示すよう
に、記録電流Iwriteに比例した出力パワーとなる。

【００６６】Write APCタイミングは、図１０の（７）
のハッチングした区間で行う。このタイミングは、スペ
ースを記録する区間であり、半導体レーザ９の出力パワ
ーがPout(Pb)のタイミングである。マーク記録区間は、
記録パワー波形がマルチパルス化されているので、Pout
(Pa)、Pout(Pd)およびPout(c)の継続時間が短い。この
ためこれらのパワーレベルを検出するには高速なフロン
トモニタ用フォトダイオードが必要なこと、また継続時
間が短いので各レベルの安定したパワー検出が困難であ
る。そこで、この実施例では継続時間の長いスペース区
間を利用して安定したパワーを検出する。

【００６７】演算・制御部１４は、図１０の（７）に示
したタイミング(ハッチング区間）で半導体レーザ９のP
out(Pb）に対応するパワーをフロントモニタ用フォトダ
イオード１０およびＩ−Ｖ変換手段７を介して取込む。
この検出値と予め設定している所定値との誤差を演算
し、この誤差に比例した値を現在設定しているｋレジス
タ６０１の値に加算して新たなｋ値を得る。この新たな
ｋ値をSerial Interfac制御部１７を介してｋレジスタ
６０１を更新する。検出値が所定値より小さい場合はｋ
値を大きくし、検出値が所定値より大きい場合はｋ値を
小さくする。

【００６８】Full Scale DAC６０２はこのｋ値に対応し
てその出力電流Irefを可変する。このIrefはWrite Powe
r DAC５０６の基準電流として入力される。

【００６９】（２．２．４）Write APC動作 図９にこの第２の実施例のWrite-APC動作の様子を示
す。図中（１）は記録電流Iwriteに着目した駆動電流と
半導体レーザ９の出力パワーPoutの関係を示す。図中
（２）はWrite Power DAC５０６の入力値とその出力電
流Iwriteの関係を示す。図中（３）はFull Scale DAC６
０２の入力値ｋとその出力電流Irefの関係を示す。図中
（４）は再生時（ＨＦon)の出力パワーと記録時（ＨＦ
off)の出力パワーを時間軸で示している。

【００７０】制御信号ＷＲＧが再生を指示するごとに、
前記したRead-APC動作を繰返し再生パワーを一定値Prに
制御する。 このRead-APC動作によってしきい値電流Ith
の変動が補正される。この時Read DAC４０２の出力電流
Ireadは図９の（１）に示すようにしきい値電流Ithより
わずかに小さい電流となる。これはIhfの重畳により駆
動電流がIthを超える（レーザ発振状態)、超えない（自
然発行状態）を高周波で繰り返すことによって半導体レ
ーザ９からのノイズを低減する時、より自然発行状態を
確保し、ノイズ低減効果を得るためである。

【００７１】記録時は、この一定化された再生パワーに
対応する電流Ireadに記録電流Iwriteを加算し半導体レ
ーザ９を駆動する。記録電流Iwriteに着目すると、低温
時TLと高温時THのIwrite-Pout特性は図９の（１）に示
すように点Ｑ（両者のスロープ特性を延長した点)でク
ロスする。Write-APC動作は図９の（１）に示すように
温度によってスロープ効率が変動しても図９の（４）に
示すように所定の記録パワーとなるように記録電流Iwri
teを制御する。

【００７２】この記録電流Iwriteは、Paレジスタ５０１
のPa値、Pbレジスタ５０２のPb値、Pcレジスタ５０３の
Pc値によって４値のレベル値が制御され、第１の実施例
と同様に、ｋレジスタ６０１のｋ値によってPa、Pb、Pc
およびPdの４値のレベルが比例関係を保ったまま、その
レベルが制御される。

【００７３】第２の実施例ではWrite Power DAC５０６
の入力ビット数を８ビット、Full Scale DAC６０２の入
力値ｋを８ビットとしている。ｋ、Pa,Pb,PcおよびPdを
０から２５５の値をとるものとする。 Full Scale DAC
６０２はｋレジスタ６０１の出力値ｋに対応した電流Ir
efを出力する。このIrefはWrite Power DAC５０６の基
準電流となる。

【００７４】図９の（３）に示すように、ｋレジスタ６
０１のｋ値がｋ(TL)の場合のFull Scale DAC６０２の出
力電流をIref(TL)=30mAとすると、Write Power DAC５０
６のフルスケール（入力値が最大の255の場合)電流値は
30mAとなる。よって、Pa=200,Pb=100,Pc=50,Pd=25とし
た場合、Write Power DAC５０６の出力電流は、Pa入力
時の出力電流をIwaとすると、 Iwa=(Pa/255)*Iref(TL)=(200/255)*30mA となる。以下同様にIwb,Iwc,Iwdは Iwb=(Pb/255)*Iref(TL)=(100/255)*30mA Iwc=(Pc/255)*Iref(TL)=(50/255)*30mA Iwd=(Pd/255)*Iref(TL)=(25/255)*30mA となる。

【００７５】また、同様に、ｋレジスタ６０１のｋ値が
ｋ(TH)の場合のFull Scale DAC６０２の出力電流をIref
(TH)=100mAとすると、Write Power DAC５０６のフルス
ケール電流値は100mAとなり、この時のPa,Pb,Pc,Pdの入
力値に対するWrite Power DAC５０６の出力電流は、 Iwa=(Pa/255)*Iref(TH)=(200/255)*100mA Iwb=(Pb/255)*Iref(TH)=(100/255)*100mA Iwc=(Pc/255)*Iref(TH)=(50/255)*100mA Iwc=(Pd/255)*Iref(TH)=(25/255)*100mA となる。よってｋレジスタ６０１のｋ値を制御すること
により４値レベルを比例関係を保ったままそのレベルを
制御することができる。

【００７６】図９の（１）に示すようにスロープ特性が
(a)TLの場合、半導体レーザ９のPout(Pb)のレベルが所
定値となるようにｋ値を制御することにより、結果的に
ｋ値はK(TL)の値ととることになる。またスロープ特性
が(b)THに変動した場合は、半導体レーザ９のPout(Pb)
の検出レベルは所定値より小さいので徐々にｋ値を大き
くしていき、ｋ値をｋ(TH)まで増加すると、検出レベル
は所定値に一致する。この結果半導体レーザ９のスロー
プ特性が変動してもその出力の４値のレベルを所定値と
なるように制御することができる。

【００７７】（２．３）第２の実施例の効果 以上説明したように、第２の実施例では以下の効果があ
る。

【００７８】（ａ）記録電流生成手段（Write Power DA
C５０６）で多値レベルの記録電流を生成できるので、
多値レベル数に対応した数のＤＡＣ(記録電流源)を設け
る必要がなく、回路規模を低減できる。

【００７９】（ｂ）記録電流生成手段（Write Power DA
C５０６）とｋ倍化制御手段（Full Scale DAC６０２）
の構成により、各記録パワーレベルに対応する記録電流
の設定精度を上げることができる。例えば、記録電流生
成手段をＤＡＣで構成しこれを８ビットの分解能、ｋ倍
化制御手段をＤＡＣで構成し、これを８ビットの分解能
とした場合、各記録パワーレベルの分解能は１６ビット
の高設定精度を得ることができる。

【００８０】（ｃ）各記録電流の値をｋ倍化指令（ｋレ
ジスタ６０１の値)で同時に可変できるので、R-OPCなど
の高速の半導体レーザのパワー制御を行うことが可能と
なる。

【００８１】（ｄ）同様に、半導体レーザのスロープ効
率変化に対しても、ｋ倍化指令（ｋレジスタ６０１の
値）の可変によりスロープ効率の変化を補正することが
可能となる。

【００８２】（ｅ）ｋ倍化指令（ｋレジスタ６０１の
値）で各記録レベルを同時に制御できるので、ｋ倍化指
令をシリアル転送制御しても高速制御が可能となり、ま
たこれによってフレキシブルケーブルの信号線数を大幅
に低減し装置の小型化も可能となる。

【００８３】（ｆ）４値の各レベル値を可変制御するの
ではなく、ｋ倍化指令のみの制御によって上記が可能と
なるので、半導体レーザ駆動装置を制御するマイコンの
処理負担を大幅に低減することが出来る。

【００８４】（３）第３の実施例 第３の実施例は、第２の実施例の記録電流生成手段５１
の内部構成を別構成にした実施例である。

【００８５】（３．１）第３の実施例の構成 図３に第３の実施例の構成を示す。図２の第２の実施例
と同一の機能を有するものは同一の番号を付している。

【００８６】５２が第３の実施例の記録電流生成手段で
ある。５０７はPaレジスタ５０１の出力値に対応した電
流Iwaを出力するディジタル・アナログ変換回路で構成
されるPa-DAC、５０８はPbレジスタ５０２の出力値に対
応した電流Iwbを出力するディジタル・アナログ変換回
路で構成されるPb-DAC、５０９はPcレジスタ５０３の出
力値に対応した電流Iwcを出力するディジタル・アナロ
グ変換回路で構成されるPc-DAC、５１０はPdレジスタ５
０４の出力値に対応した電流Iwdを出力するディジタル
・アナログ変換回路より構成されるPd-DACである。５０
６は５０７から５１０の各DACの出力電流のうちのいず
れかをWrite Strategy制御部１８からのPx-select信号
により選択するセレクタ、５１１はセレクタ５０５の出
力電流を半導体レーザ９に供給するドライバである。

【００８７】Full Scale DAC６０２の出力電流Irefは、
５０７から５１０の各DACの基準電流として共通に供給
される。

【００８８】（３．２）第３の実施例の動作 この第３の実施例の場合は、４値の記録パワーに対応す
る記録電流を、４つのPa-DAC５０７、Pb-DAC５０８、Pc
-DAC５０９およびPd-DAC５１０で生成する。この４つの
DACで生成された記録電流のうち１つの記録電流がセレ
クタ５０５によって選択されドライバ５５１を介してIr
eadと加算され半導体レーザ９を駆動する。

【００８９】Write-APC動作は、ｋレジスタ６０１の値
を変えることによりFull Scale DAC６０２の出力電流Ir
efを変え、５０７から５１０の各DACのフルスケール値
を制御することにより５０７から５１０の各DACの出力
電流を４値の比例関係を保ったままその大きさを制御す
ることにより行う。

【００９０】（３．３）第３の実施例の効果 この第３の実施例では、前述の第２の実施例の効果
（ｂ）から（ｆ）と同じ効果がある。また、ドライバ５
１１に電流増幅機能を持たせることにより、５０７から
５１０の４値に対応する各DACは、第２の実施例のWrite
Power DAC５０６のように高速で大電流で半導体レーザ
９を駆動する必要がなく、低速動作でしかも小電流のデ
ィジタル・アナログ変換回路で構成することができ、比
較的回路規模増大なしに実現することができる。

【００９１】（４）第４の実施例 第４の実施例は、第３の実施例の記録電流生成手段５２
の内部構成をさらに別構成にした実施例である。

【００９２】（４．１）第４の実施例の構成 図４に第４の実施例の構成を示す。図３の第３の実施例
と同一の機能を有するものは同一の番号を付している。

【００９３】５１２は可変電流利得ドライバである。第
３の実施例と異なる点は、Full Scale DAC６０２の出力
電流Irefによって５０７から５１０の４値レベルに対応
する各DACの出力電流を制御するのではなく、可変電流
利得ドライバの電流利得を制御する構成としたことであ
る。

【００９４】（４．２）第４の実施例の動作 この第４の実施例の場合は、４値の記録パワーに対応す
る記録電流を、４つのPa-DAC５０７、Pb-DAC５０８、Pc
-DAC５０９およびPd-DAC５１０で生成する。この４つの
DACで生成された記録電流のうち１つの記録電流がセレ
クタ５０５によって選択され可変電流利得ドライバ５５
２を介してIreadと加算され半導体レーザ９を駆動す
る。

【００９５】Write-APC動作は、ｋレジスタ６０１の値
を変えることによりFull Scale DAC６０２の出力電流Ir
efを変え、可変電流利得ドライバ５１２の電流利得を制
御することにより、４値の比例関係を保ったままその大
きさを制御することにより行う。 （４．３）第４の実施例の効果 第４の実施例では前述の第３の実施例と同様な効果があ
る。

【００９６】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
記録レベルの精度を高くするとともに、多値のレベルを
同時に変更して高速のレベル制御を可能にする。また回
路規模および制御線数を低減し、光ピックアップ搭載に
適した半導体レーザ駆動装置（駆動集積回路）を提供す
ることが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施例の構成図

【図２】本発明の第２の実施例の構成図

【図３】本発明の第３の実施例の構成図

【図４】本発明の第４の実施例の構成図

【図５】第１の実施例の動作タイミング図

【図６】Read ＡＰＣ動作の説明図

【図７】Write ＡＰＣ動作の説明図

【図８】Ｒ−ＯＰＣ動作の説明図

【図９】第２の実施例のWrite ＡＰＣ動作の説明図

【図１０】第２の実施例の記録時の動作タイミング図

【符号の説明】

１・・・制御部 ２・・・Read A
PC制御部 ３・・・ｋ倍化指令生成手段 ４・・・Ｖ−Ｉ
変換手段 ５・・・記録電流生成手段 ６・・・ｋ倍化
制御手段 ７・・・Ｉ−Ｖ変換手段 ８・・・Ｉ−Ｖ
変換手段 ９・・・レーザダイオード １０・・フォト
ダイオード １１・・フォトダイオード １２・・光ディ
スク １３・・モータ １４・・演算・
制御部 １５・・フレキシブルケーブル １６・・レーザ
ドライバ集積回路 １７・・Serial Interface制御部 １８・・Write
Strategy制御部 １９・・High Frequency Module ５１・・第２の実施例の記録電流生成手段 ５２・・第３の実施例の記録電流生成手段 ５３・・第４の実施例の記録電流生成手段 ２０１・減算手段 ２０２・Ｓ／Ｈ
手段 ３０１・減算手段 ３０２・係数−
power変換手段 ３０３・加算手段 ３０４・減算手
段 ３０５・Ｓ／Ｈ手段 ３０６・記録状
態係数検出手段 ３０７・Ｓ／Ｈ手段 ４０１・Preadレジスタ ４０２・Read DA
C ５０１・Paレジスタ ５０２・Pbレジ
スタ ５０３・Pcレジスタ ５０４・Pdレジ
スタ ５０５・セレクタ ５０６・Write
Power DAC ５０７・Pa-DAC ５０８・Pb-DAC ５０９・Pc-DAC ５１０・Pd-DAC ５１１・Driver ５１２・可変電
流利得Driver ６０１・ｋレジスタ ６０２・Ｆｕｌ
ｌ Ｓｃａｌｅ ＤＡＣ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 星野 隆司 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地株式 会社日立製作所マルチメディアシステム開 発本部内 (72)発明者 榑林 正明 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地株式 会社日立製作所マルチメディアシステム開 発本部内 Ｆターム(参考） 5D119 AA22 DA01 FA05 HA36

Claims (11)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】光学的に情報の記録または再生が可能な情
   報記録媒体に対し、供給される駆動電流に応じた強さで
   レーザを発射する半導体レーザと、複数の記録電流値を
   有する記録電流値制御信号と、該記録電流値の増幅率を
   制御するｋ倍化制御信号が時系列的に供給され、該記録
   電流値を該増幅率で増幅し、該増幅後の電流を駆動電流
   として出力する記録電流生成手段と、前記増幅率を示す
   ｋ倍化指令に応じて、前記記録電流生成手段を制御する
   ｋ倍化制御信号を生成し、前記記録電流生成手段へ出力
   するｋ倍化制御手段と、該ｋ倍化制御手段に前記ｋ倍化
   指令を供給するｋ倍化指令生成手段と、を具備すること
   を特徴とする半導体レーザ駆動装置。
2. 【請求項２】請求項１に記載の半導体レーザ駆動装置に
   おいて、さらに、前記半導体レーザの発射光量を検出す
   る発射光量検出手段を具備し、前記ｋ倍化指令生成手段
   は、前記発射光量検出手段の出力を用いて前記増幅率を
   決定することを特徴とする半導体レーザ駆動装置。
3. 【請求項３】請求項１に記載の半導体レーザ駆動装置に
   おいて、さらに、前記半導体レーザの情報記録媒体から
   の反射光量を検出する反射光量検出手段を具備し、前記
   ｋ倍化指令生成手段は、前記反射光量検出手段の出力を
   用いて前記増幅率を決定することを特徴とする半導体レ
   ーザ駆動装置。
4. 【請求項４】請求項１から３何れか一項記載の半導体レ
   ーザ駆動装置において、前記記録電流生成手段には、ｎ
   ビットで表現される前記記録電流値制御信号に対応した
   記録電流を生成するＤＡ変換手段、が含まれることを特
   徴とする半導体レーザ駆動装置。
5. 【請求項５】請求項１から３何れか一項記載の半導体レ
   ーザ駆動装置において、前記記録電流生成手段には、前
   記複数の記録電流値制御信号のそれぞれに対応する複数
   の記録電流源と、供給された記録電流値制御信号に対応
   する記録電流源を選択する選択手段と、が含まれること
   を特徴とする半導体レーザ駆動装置。
6. 【請求項６】請求項１から４何れか一項に記載の半導体
   レーザ駆動装置において、前記ｋ倍化制御手段を、ｍビ
   ットで表現される前記ｋ倍化指令に対応した電流を生成
   し、該電流を前記記録電流生成手段のｋ倍化指令として
   供給する増幅ＤＡ変換手段で構成されたことを特徴とす
   る半導体レーザ駆動装置。
7. 【請求項７】請求項１、２、３、５何れか一項に記載の
   半導体レーザ駆動装置において、前記ｋ倍化制御手段
   は、前記ｋ倍化指令に対応してその電流利得を可変し、
   前記選択手段からの出力電流を増幅する可変電流利得ア
   ンプで構成されたことを特徴とする半導体レーザ駆動装
   置。
8. 【請求項８】光学的に情報の記録または再生が可能な記
   録媒体に対し、レーザを発射し情報を記録するレーザ駆
   動装置を具備する記録媒体記録再生装置において、前記
   レーザ駆動装置とは、請求項１から７何れか一項記載の
   半導体レーザ駆動装置であることを特徴とする記録媒体
   記録再生装置。
9. 【請求項９】光学的に情報の記録または再生が可能な記
   録媒体に対し、入力される駆動電流に応じた強さでレー
   ザを発射し情報を記録する半導体レーザ駆動方法におい
   て、情報の記録に用いる駆動電流の基礎となる記録電流
   値を示す記録電流値制御信号を時系列的に出力する制御
   ステップと、前記記録電流値制御信号に応じた記録電流
   を生成する記録電流生成ステップと、該記録電流生成ス
   テップにて生成された記録電流をｋ倍化し、出力するｋ
   倍化ステップと、該ｋ倍化された記録電流を駆動電流と
   してレーザを発射するレーザ発射ステップと、からなる
   ことを特徴とする半導体レーザ駆動方法。
10. 【請求項１０】請求項９に記載の半導体レーザ駆動方法
    において、さらに、前記半導体レーザの発射光量を検出
    する発射光量検出ステップからなり、前記ｋ倍化ステッ
    プでの、ｋ倍とは前記発射光量検出ステップの出力に応
    じて変化することを特徴とする半導体レーザ駆動方法。
11. 【請求項１１】請求項９に記載の半導体レーザ駆動方法
    において、さらに、前記記録媒体からの反射光量を検出
    する反射光量検出ステップからなり、前記ｋ倍化ステッ
    プでの、ｋ倍とは前記反射光量検出ステップの出力に応
    じて変化することを特徴とする半導体レーザ駆動方法。