JP2000299557A - 多層プリント配線板の製造方法および多層プリント配線板 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【課題】 導体回路上に形成された粗化面や粗化層を酸
等から充分に保護することができ、その上に形成するバ
イアホールとの接続信頼性を充分に確保することができ
るとともに、製造工程の簡略化が可能な上記粗化面や粗
化層の保護膜の形成方法を含む多層プリント配線板の製
造方法を提供すること。 【解決手段】 導体回路を形成した後粗化処理を施して
導体回路上に粗化面を形成し、前記粗化面を有する導体
回路を層間樹脂絶縁層により被覆した後バイアホール用
開口を形成する工程を繰り返すことにより絶縁性基板上
に層間樹脂絶縁層を挟んだ複数層からなる導体回路を形
成する多層プリント配線板の製造方法において、導体回
路５上に粗化面１１を形成した後、酸化処理を施すこと
により、前記粗化面の表面全体に酸化膜１８を形成し、
その後、層間樹脂絶縁層２を形成することを特徴とする
多層プリント配線板の製造方法。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

〔発明の詳細な説明〕

【０００２】

【従来の技術】近年、多層配線基板に対する高密度化の
要請から、いわゆるビルドアップ多層配線基板が注目さ
れている。このビルドアップ多層配線基板は、例えば、
特公平４−５５５５５号公報に開示されているような方
法により製造される。即ち、下層導体回路が形成された
コア基板上に、感光性樹脂からなる無電解めっき用接着
剤を塗布し、これを乾燥した後露光、現像処理すること
により、バイアホール用開口を有する層間樹脂絶縁層を
形成する。次いで、この層間樹脂絶縁層の表面を酸化剤
等による処理にて粗化した後、該感光性樹脂層に露光、
現像処理を施してめっきレジストを設け、その後、めっ
きレジスト非形成部分に無電解めっき等を施してバイア
ホールを含む導体回路パターンを形成する。そして、こ
のような工程を複数回繰り返すことにより、多層化した
ビルドアップ配線基板が製造されるのである。

【０００３】このようなビルドアップ多層配線基板で
は、特開平６−２８３８６０号公報に開示されているよ
うに、導体回路と樹脂絶縁層との密着性改善のため、導
体回路上に、Ｃｕ−Ｎｉ−Ｐ合金よりなる針状または多
孔質状の粗化面を有する粗化層を形成する。また、導体
回路と樹脂絶縁層との密着性改善のため、導体回路にエ
ッチング処理を施して粗化面を形成する場合もある。

【０００４】この後、後工程における基板の酸洗浄や、
バイアホール用開口を設けた層間樹脂絶縁層表面をクロ
ム酸等で処理する際の導体回路表面の溶解を防止するた
めに、導体回路上に形成した粗化面を、さらにＳｎ等の
金属で被覆する。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、Ｓｎ等
の金属の被覆層を形成するためには、粗化面を有する導
体回路に、無電解めっき処理を施す必要があり、そのた
めに製造工程が複雑化してコストが嵩んでしまう。

【０００６】また、このようなＳｎ等の金属の被覆層を
有する導体回路上にバイアホールを形成すると、加熱時
やヒートサイクル時に、バイアホールとその下の導体回
路との接触部分で剥離が発生してバイアホールの接続信
頼性が低下してしまうことがある。

【０００７】本発明の目的は、導体回路上に形成された
粗化面を粗化液から充分に保護することができ、その上
に形成するバイアホールとの接続信頼性を充分に確保す
ることができるとともに、製造工程の簡略化が可能な上
記粗化面の保護膜の形成方法を含む多層プリント配線板
の製造方法および該製造方法により製造された多層プリ
ント配線板を提供することにある。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明者は上記課題に鑑
み、上記目的達成のために鋭意研究した結果、絶縁基板
上や層間樹脂絶縁層上に導体回路を形成し、粗化処理を
施した後、空気中等で加熱処理を行って導体回路表面全
体に酸化膜を形成することにより、後工程における基板
の酸洗浄や、バイアホール用開口を設けた層間樹脂絶縁
層をクロム酸等で粗化処理する際にも導体回路表面の溶
解を防止することができ、かつ、導体回路上に形成する
バイアホールとの密着性にも問題がないことを見いだ
し、以下に示す内容を要旨構成とする本発明を完成する
に至った。

【０００９】即ち、本発明の多層プリント配線板の製造
方法は、導体回路を形成した後粗化処理を施して導体回
路上に粗化面を形成し、上記粗化面を有する導体回路を
層間樹脂絶縁層により被覆した後バイアホール用開口を
形成する工程を繰り返すことにより絶縁性基板上に層間
樹脂絶縁層を挟んだ複数層からなる導体回路を形成する
多層プリント配線板の製造方法において、導体回路上に
粗化面を形成した後、酸化処理を施すことにより、上記
粗化面の表面全体に酸化膜を形成し、その後、層間樹脂
絶縁層を形成することを特徴とする。

【００１０】上記多層プリント配線板の製造方法におい
ては、上記導体回路上に粗化面を形成した後、大気雰囲
気下、１００〜２００℃で１０分〜３時間加熱すること
により酸化処理を施し、上記粗化面の表面全体に酸化膜
を形成することが望ましい。

【００１１】本発明の多層プリント配線板は、その表面
が粗化面により構成される導体回路が形成された基板上
に層間樹脂絶縁層が形成され、上記層間樹脂絶縁層にバ
イアホール用開口が形成され、さらに、上記バイアホー
ル用開口に導電体が形成されてバイアホールを構成して
なる多層プリント配線板において、上記粗化面により構
成される導体回路表面には、上記酸化膜からなる被覆層
が形成されていることを特徴とする。

【００１２】本発明の多層プリント配線板において、酸
化膜からなる被覆層の厚さは、０．０１〜０．２μｍで
あることが望ましい。

【００１３】

【発明の実施の形態】本発明の多層プリント配線板の製
造方法は、導体回路を形成した後粗化処理を施して導体
回路上に粗化面を形成し、上記粗化面を有する導体回路
を層間樹脂絶縁層により被覆した後バイアホール用開口
を形成する工程を繰り返すことにより絶縁性基板上に層
間樹脂絶縁層を挟んだ複数層からなる導体回路を形成す
る多層プリント配線板の製造方法において、導体回路上
に粗化面を形成した後、酸化処理を施すことにより、上
記粗化面の表面全体に酸化膜を形成し、その後、層間樹
脂絶縁層を形成することに特徴がある。

【００１４】本発明の構成によれば、導体回路上に粗化
面を形成した後、基板を加熱処理する等の簡単な方法
で、これらの表面全体に酸化膜を形成することができる
ので、多層プリント配線板の製造工程を簡略化すること
ができ、しかも、下層の導体回路との密着性に優れたバ
イアホールを形成することができ、バイアホールと導体
回路との接続信頼性が充分に確保された多層プリント配
線板を製造することができる。図６（ａ）〜（ｃ）は、
本発明における酸化膜の形成工程を示す断面図であり、
図７（ａ）〜（ｃ）は、従来における酸化膜の形成工程
を示す断面図である。本発明では、図６に示すように、
導体回路５上に粗化層１１を形成した後（図６（ａ）参
照）、粗化層１１（粗化面）の表面全体に酸化膜１８を
形成し（図６（ｂ）参照）、その後層間樹脂絶縁層２お
よびバイアホール６を形成する（図６（ｃ）参照）。上
記工程により形成された酸化膜１８は、層間樹脂絶縁層
２で被覆される部分および層間樹脂絶縁層２から露出す
る部分の全てを覆っており、粗化液が接触しても局部電
池反応が発生しない。このため、酸化剤等に対して耐食
性を有し、後工程における酸洗浄等において酸性溶液等
と導体回路表面が接触した場合にも、導体回路５の表面
（粗化層）が溶解して、ボイド等が発生することはな
い。なお、従来でも、導体回路５上に粗化層１１を形成
した後（図７（ａ）参照）、この導体回路５上に層間樹
脂絶縁層２を形成し、バイアホール用開口６を設け（図
７（ｂ）参照）、層間樹脂絶縁層２を完全に硬化させる
ために１５０℃で熱硬化させる場合があった。しかしな
がら、このような層間樹脂絶縁層２を硬化させる際の加
熱では、バイアホール用開口のみが酸化されて酸化膜１
８が形成されるため、粗化液が層間樹脂絶縁層２から浸
透すると、酸化膜１８と導体回路５との間で局部電池が
生じ、ボイド１９が発生してしまう（図７（ｃ）参
照）。

【００１５】導体回路上に粗化面を形成する方法として
は特に限定されるものではなく、エッチング処理、黒化
還元処理、めっき処理等が挙げられる。上記エッチング
処理方法としては、例えば、第二銅錯体および有機酸か
らなるエッチング液を酸素共存化で作用させる方法が挙
げられ、めっき処理方法としては、例えば、無電解めっ
きによりＣｕ−Ｎｉ−Ｐ合金からなる針状または多孔質
状の粗化層を形成する方法等が挙げられる。

【００１６】上記めっき処理やエッチング等の方法によ
りに導体回路上に粗化面を形成した後、上記粗化面の表
面に酸化膜を形成する方法としては特に限定されず、酸
化剤等を含む溶液を導体回路表面と接触させる方法を用
いてもよいが、上記工程を経た基板を、大気雰囲気下、
１００〜２００℃で１０分〜３時間加熱することにより
酸化処理を施し、上記粗化面の表面全体に酸化膜を形成
する方法が、簡単であり、緻密な酸化膜を形成すること
ができる点から望ましい。酸化処理の温度は、１３０〜
１６０℃がより望ましく、粗化液との接触時間は、１０
〜１８０秒がより望ましい。

【００１７】上記酸化処理により、０．０１〜０．２μ
ｍ程度の厚さの酸化膜がその表面に形成され、粗化面の
形状は、殆どそのまま維持される。また、この酸化膜
は、酸化剤等に対して耐食性を有するため、導体回路の
表面にＳｎ等の金属の被覆層を設けなくても、後工程に
おいて基板を酸洗浄する際や、バイアホール用開口を設
けた層間樹脂絶縁層表面をクロム酸等で粗化処理する際
に、導体回路表面が溶解して、ボイド等が発生すること
はない。

【００１８】従って、表面に酸化膜が形成された導体回
路上に、該導体回路との密着性に優れた層間樹脂絶縁層
を形成することができる。また、この層間樹脂絶縁層に
バイアホール用開口を形成した後、バイアホールを形成
すると、形成されるバイアホールは、下の導体回路との
密着性に優れたものとなる。

【００１９】本発明の多層プリント配線板は、その表面
が粗化面により構成される導体回路が形成された基板上
に層間樹脂絶縁層が形成され、上記層間樹脂絶縁層にバ
イアホール用開口が形成され、さらに、上記バイアホー
ル用開口に導電体が形成されてバイアホールを構成して
なる多層プリント配線板において、上記粗化面により構
成される導体回路表面には、上記酸化膜からなる被覆層
が形成されていることに特徴がある。

【００２０】本発明の構成によれば、上記粗化面により
構成される導体回路表面には、上記酸化膜からなる被覆
層が形成されており、この酸化膜は導体回路表面の全体
が酸化されて形成されたものであるので、緻密であり、
この酸化膜を有する導体回路上にバイアホールを形成し
ても、酸化膜が剥離することはない。従って、この導体
回路上に形成されたバイアホールは、該導体回路との密
着性に優れ、ヒートサイクル等の温度の変化に対しても
耐久性を有し、剥離等が発生することはない。

【００２１】次に、本発明の多層プリント配線板を製造
する方法をセミアディティブ法を例にとり説明する。 (1) まず、コア基板の表面に内層銅パターン（下層導体
回路）が形成された基板を作製する。このコア基板に対
する導体回路を形成する際には、銅張積層板を特定パタ
ーン状にエッチングする方法、ガラスエポキシ基板、ポ
リイミド基板、セラミック基板、金属基板などの基板に
無電解めっき用接着剤層を形成し、この無電解めっき用
接着剤層表面を粗化して粗化面とした後、無電解めっき
を施す方法、または、上記粗化面全体に無電解めっきを
施し、めっきレジストを形成し、めっきレジスト非形成
部分に電解めっきを施した後、めっきレジストを除去
し、エッチング処理を行って、電解めっき膜と無電解め
っき膜からなる導体回路を形成する方法（セミアディテ
ィブ法）などを用いることができる。

【００２２】通常、基板上に導体回路を形成した後、ス
ルーホールおよびコア基板の導体回路間にビスフェノー
ルＦ型エポキシ樹脂などの低粘度の樹脂充填剤を充填し
た後、樹脂層および導体回路を研磨することにより樹脂
層と導体回路との平滑性を確保するが、上記樹脂充填剤
を充填する前に導体回路の表面に、粗化面を形成する。

【００２３】なお、コア基板には、スルーホールが形成
され、このスルーホールを介して表面と裏面の配線層が
電気的に接続されていてもよい。

【００２４】上記粗化面は、研磨処理、エッチング処
理、黒化還元処理およびめっき処理のうちのいずれかの
方法により形成されることが望ましい。これらの処理の
うち、黒化還元処理を行う際には、ＮａＯＨ（２０ｇ／
ｌ）、ＮａＣｌＯ₂ （５０ｇ／ｌ）、Ｎａ₃ ＰＯ₄ （１
５．０ｇ／ｌ）を含む水溶液からなる黒化浴（酸化
浴）、および、ＮａＯＨ（２．７ｇ／ｌ）、ＮａＢＨ₄
（１．０ｇ／ｌ）を含む水溶液からなる還元浴を用いて
粗化面を形成する方法が望ましい。

【００２５】また、めっき処理により粗化層を形成する
際には、硫酸銅（１〜４０ｇ／ｌ）、硫酸ニッケル
（０．１〜６．０ｇ／ｌ）、クエン酸（１０〜２０ｇ／
ｌ）、次亜リン酸ナトリウム（１０〜１００ｇ／ｌ）、
ホウ酸（１０〜４０ｇ／ｌ）、界面活性剤（日信化学工
業社製、サーフィノール４６５）（０．０１〜１０ｇ／
ｌ）を含むｐＨ＝９の無電解めっき浴にて無電解めっき
を施し、Ｃｕ−Ｎｉ−Ｐ合金からなる粗化層を形成する
方法が望ましい。この範囲で析出する被膜の結晶構造は
針状構造になるため、アンカー効果に優れるからであ
る。この無電解めっき浴には上記化合物に加えて錯化剤
や添加剤を加えてもよい。

【００２６】上記エッチング処理方法としては、第二銅
錯体および有機酸を含むエッチング液を酸素共存化で作
用させ、導体回路表面を粗化する方法が挙げられる。こ
の場合、下記の式（１）および式（２）の化学反応によ
りエッチングが進行する。

【００２７】

【化１】

【００２８】上記第二銅錯体としては、アゾール類の第
二銅錯体が望ましい。このアゾール類の第二銅錯体は、
金属銅等を酸化する酸化剤として作用する。アゾール類
としては、例えば、ジアゾール、トリアゾール、テトラ
ゾールが挙げられる。これらのなかでも、イミダゾー
ル、２−メチルイミダゾール、２−エチルイミダゾー
ル、２−エチル−４−メチルイミダゾール、２−フェニ
ルイミダゾール、２−ウンデシルイミダゾール等が望ま
しい。上記エッチング液中のアゾール類の第二銅錯体の
含有量は、１〜１５重量％が望ましい。溶解性および安
定性に優れ、また、触媒核を構成するＰｄなどの貴金属
をも溶解させることができるからである。

【００２９】また、酸化銅を溶解させるために、有機酸
をアゾール類の第二銅錯体に配合する。上記有機酸の具
体例としては、例えば、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、酪
酸、吉草酸、カプロン酸、アクリル酸、クロトン酸、シ
ュウ酸、マロン酸、コハク酸、グルタル酸、マレイン
酸、安息香酸、グリコール酸、乳酸、リンゴ酸、スルフ
ァミン酸等が挙げられる。これらは、単独で用いてもよ
く、２種以上を併用してもよい。

【００３０】エッチング液中の有機酸の含有量は、０．
１〜３０重量％が望ましい。酸化された銅の溶解性を維
持し、かつ溶解安定性を確保することができるからであ
る。上記式（２）に示したように、発生した第一銅錯体
は、酸の作用で溶解し、酸素と結合して第二銅錯体とな
って、再び銅の酸化に寄与する。

【００３１】銅の溶解やアゾール類の酸化作用を補助す
るために、ハロゲンイオン、例えば、フッ素イオン、塩
素イオン、臭素イオン等を上記エッチング液に加えても
よい。また、塩酸、塩化ナトリウム等を添加することに
より、ハロゲンイオンを供給することができる。エッチ
ング液中のハロゲンイオンの含有量は、０．０１〜２０
重量％が望ましい。形成された粗化面と層間樹脂絶縁層
との密着性に優れるからである。

【００３２】エッチング液を調製する際には、アゾール
類の第二銅錯体と有機酸（必要に応じてハロゲンイオン
を有するものを使用）を、水に溶解する。また、上記エ
ッチング液として、市販のエッチング液、例えば、メッ
ク社製、商品名「メック エッチボンド」を使用する。
上記エッチング液を用いた場合のエッチング量は１〜１
０μｍが望ましい。エッチング量が１０μｍを超える
と、形成された粗化面とバイアホール導体との接続不良
を起こし、一方、エッチング量が１μｍ未満では、その
上に形成する層間樹脂絶縁層との密着性が不充分となる
からである。

【００３３】上記方法により形成した粗化面は、通常、
側面を残して研磨され、樹脂層と導体回路との平滑性が
確保される。

【００３４】この後、再び導体回路に粗化処理を施す
が、この際には、上述した方法、すなわち研磨処理、エ
ッチング処理、黒化還元処理およびめっき処理のうちの
いずれかの方法により粗化面を形成することが望まし
い。なお、導体回路に粗化面を形成した後、研磨処理を
施すことなく、層間樹脂絶縁層を形成してもよい。

【００３５】(2) 次いで、上記(1) の工程を経た基板を
加熱装置に入れ、大気雰囲気下、１００〜２００℃で１
０分〜３時間加熱することにより酸化処理を施し、エッ
チングにより形成された導体回路の粗化面、または、め
っき等により形成された導体回路上の粗化層の表面に酸
化膜を形成する。

【００３６】(3) 次に、上記(2) で作製した基板の上
に、有機溶剤を含む粗化面形成用樹脂組成物を塗布、乾
燥して粗化面形成用樹脂組成物の層を設ける。

【００３７】上記粗化面形成用樹脂組成物は、酸、アル
カリおよび酸化剤から選ばれる少なくとも１種からなる
粗化液に対して難溶性の未硬化の耐熱性樹脂マトリック
ス中に、酸、アルカリおよび酸化剤から選ばれる少なく
とも１種からなる粗化液に対して可溶性の物質が分散さ
れたものが望ましい。なお、本発明で使用する「難溶
性」「可溶性」という語は、同一の粗化液に同一時間浸
漬した場合に、相対的に溶解速度の早いものを便宜上
「可溶性」といい、相対的に溶解速度の遅いものを便宜
上「難溶性」と呼ぶ。

【００３８】上記耐熱性樹脂マトリックスとしては、例
えば、熱硬化性樹脂や熱硬化性樹脂（熱硬化基の一部を
感光化したものも含む）と熱可塑性樹脂との複合体など
を使用することができる。

【００３９】上記熱硬化性樹脂としては、例えば、エポ
キシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、熱硬化性
ポリオレフィン樹脂などが挙げられる。また、上記熱硬
化性樹脂を感光化する場合は、メタクリル酸やアクリル
酸などを用い、熱硬化基を（メタ）アクリル化反応させ
る。特にエポキシ樹脂の（メタ）アクリレートが最適で
ある。

【００４０】上記エポキシ樹脂としては、例えば、ノボ
ラック型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂などを使用
することができる。上記熱可塑性樹脂としては、例え
ば、ポリエーテルスルフォン、ポリスルフォン、ポリフ
ェニレンスルフォン、ポリフェニレンサルファイド、ポ
リフェニルエーテル、ポリエーテルイミドなどを使用す
ることができる。

【００４１】上記酸、アルカリおよび酸化剤から選ばれ
る少なくとも１種からなる粗化液に対して可溶性の物質
は、無機粒子、樹脂粒子、金属粒子、ゴム粒子、液相樹
脂および液相ゴムから選ばれる少なくとも１種であるこ
とが望ましい。

【００４２】上記無機粒子としては、例えば、シリカ、
アルミナ、炭酸カルシウム、タルク、ドロマイトなどが
挙げられる。これらは、単独で用いてもよく、２種以上
を併用してもよい。上記アルミナ粒子は、ふっ酸で溶解
除去することができ、炭酸カルシウムは塩酸で溶解除去
することができる。また、ナトリウム含有シリカやドロ
マイトはアルカリ水溶液で溶解除去することができる。

【００４３】上記樹脂粒子としては、例えば、アミノ樹
脂（メラミン樹脂、尿素樹脂、グアナミン樹脂など）、
エポキシ樹脂、ビスマレイミド−トリアジン樹脂など挙
げられる。これらは、単独で用いてもよく、２種以上を
併用してもよい。なお、上記エポキシ樹脂は、酸や酸化
剤に溶解するものや、これらに難溶解性のものを、オリ
ゴマーの種類や硬化剤を選択することにより任意に製造
することができる。例えば、ビスフェノールＡ型エポキ
シ樹脂をアミン系硬化剤で硬化させた樹脂はクロム酸に
非常によく溶けるが、クレゾールノボラック型エポキシ
樹脂をイミダゾール硬化剤で硬化させた樹脂は、クロム
酸には溶解しにくい。

【００４４】上記樹脂粒子は予め硬化処理されているこ
とが必要である。硬化させておかないと上記樹脂粒子が
樹脂マトリックスを溶解させる溶剤に溶解してしまうた
め、均一に混合されてしまい、酸や酸化剤で樹脂粒子の
みを選択的に溶解除去することができないからである。

【００４５】上記金属粒子としては、例えば、金、銀、
銅、スズ、亜鉛、ステンレス、アルミニウムなどが挙げ
られる。これらは、単独で用いてもよく、２種以上を併
用してもよい。上記ゴム粒子としては、例えば、アクリ
ロニトリル−ブタジエンゴム、ポリクロロプレンゴム、
ポリイソプレンゴム、アクリルゴム、多硫系剛性ゴム、
フッ素ゴム、ウレタンゴム、シリコーンゴム、ＡＢＳ樹
脂などが挙げられる。これらは、単独で用いてもよく、
２種以上を併用してもよい。

【００４６】上記液相樹脂としては、上記熱硬化性樹脂
の未硬化溶液を使用することができ、このような液相樹
脂の具体例としては、例えば、未硬化のエポキシオリゴ
マーとアミン系硬化剤の混合液などが挙げられる。上記
液相ゴムとしては、例えば、上記ゴムの未硬化溶液など
を使用することができる。

【００４７】上記液相樹脂や液相ゴムを用いて上記感光
性樹脂組成物を調製する場合には、耐熱性樹脂マトリッ
クスと可溶性の物質が均一に相溶しない（つまり相分離
するように）ように、これらの物質を選択する必要があ
る。上記基準により選択された耐熱性樹脂マトリックス
と可溶性の物質とを混合することにより、上記耐熱性樹
脂マトリックスの「海」の中に液相樹脂または液相ゴム
の「島」が分散している状態、または、液相樹脂または
液相ゴムの「海」の中に、耐熱性樹脂マトリックスの
「島」が分散している状態の感光性樹脂組成物を調製す
ることができる。

【００４８】そして、このような状態の感光性樹脂組成
物を硬化させた後、「海」または「島」の液相樹脂また
は液相ゴムを除去することにより粗化面を形成すること
ができる。

【００４９】上記粗化液として用いる酸としては、例え
ば、リン酸、塩酸、硫酸や、蟻酸、酢酸などの有機酸な
どが挙げられるが、これらのなかでは有機酸を用いるこ
とが望ましい。粗化処理した場合に、バイアホールから
露出する金属導体層を腐食させにくいからである。上記
酸化剤としては、例えば、クロム酸、アルカリ性過マン
ガン酸塩（過マンガン酸カリウムなど）の水溶液などを
用いることが望ましい。また、アルカリとしては、水酸
化ナトリウム、水酸化カリウムなどの水溶液が望まし
い。

【００５０】本発明において、上記無機粒子、上記金属
粒子および上記樹脂粒子を使用する場合は、その平均粒
径は、１０μｍ以下が望ましい。また、特に平均粒径が
２μｍ未満であって、平均粒径の相対的に大きな粗粒子
と平均粒径が相対的に小さな微粒子との混合粒子を組み
合わせて使用することにより、無電解めっき膜の溶解残
渣をなくし、めっきレジスト下のパラジウム触媒量を少
なくし、しかも、浅くて複雑な粗化面を形成することが
できる。そして、このような複雑な粗化面を形成するこ
とにより、浅い粗化面でも実用的なピール強度を維持す
ることができる。

【００５１】上記粗粒子と微粒子とを組み合わせること
により、浅くて複雑な粗化面を形成することができるの
は、使用する粒子径が粗粒子で平均粒径２μｍ未満であ
るため、これらの粒子が溶解除去されても形成されるア
ンカーは浅くなり、また、除去される粒子は、相対的に
粒子径の大きな粗粒子と相対的に粒子径の小さな微粒子
の混合粒子であるから、形成される粗化面が複雑になる
のである。また、この場合、使用する粒子径は、粗粒子
で平均粒径２μｍ未満であるため、粗化が進行しすぎて
空隙を発生させることはなく、形成した層間樹脂絶縁層
は層間絶縁性に優れている。

【００５２】上記粗粒子は平均粒径が０．８μｍを超え
２．０μｍ未満であり、微粒子は平均粒径が０．１〜
０．８μｍであることが望ましい。この範囲では、粗化
面の深さは概ねＲｍａｘ＝３μｍ程度となり、セミアデ
ィテイブ法では、無電解めっき膜をエッチング除去しや
すいだけではなく、無電解めっき膜下のＰｄ触媒をも簡
単に除去することができ、また、実用的なピール強度
１．０〜１．３ｋｇ／ｃｍを維持することができるから
である。

【００５３】上記粗化面形成用樹脂組成物中の有機溶剤
の含有量は、１０重量％以下であることが望ましい。粗
化面形成用樹脂組成物の塗布を行う際には、ロールコー
タ、カーテンコータなどを使用することができる。

【００５４】(4) 上記(3) で形成した粗化面形成用樹脂
組成物層を乾燥して半硬化状態とした後、バイアホール
用開口を設ける。粗化面形成用樹脂組成物層を乾燥させ
た状態では、導体回路パターン上の上記樹脂組成物層の
厚さが薄く、大面積を持つプレーン層上の層間樹脂絶縁
層の厚さが厚くなり、また導体回路と導体回路非形成部
の凹凸に起因して、層間樹脂絶縁層に凹凸が発生してい
ることが多いため、金属板や金属ロールを用い、加熱し
ながら押圧して、層間樹脂絶縁層の表面を平坦化するこ
とが望ましい。

【００５５】バイアホール用開口は、粗化面形成用樹脂
組成物層に紫外線などを用いて露光した後現像処理を行
うことにより形成する。また、露光現像処理を行う場合
には、前述したバイアホール用開口に相当する部分に、
黒円のパターンが描画されたフォトマスク（ガラス基板
が好ましい）の黒円のパターンが描画された側を粗化面
形成用樹脂組成物層に密着させた状態で載置し、露光、
現像処理する。

【００５６】(5) に、粗化面形成用樹脂組成物層を硬化
させて層間樹脂絶縁層とし、この層間樹脂絶縁層を粗化
する。粗化処理は、上記層間樹脂絶縁層の表面に存在す
る、無機粒子、樹脂粒子、金属粒子、ゴム粒子、液相樹
脂、液相ゴムから選ばれる少なくとも１種の可溶性の物
質を、上記した酸、酸化剤、アルカリなどの粗化液を用
いて除去することにより行うが、このとき、導体回路表
面に形成された酸化膜がエッチングされないような条件
で粗化処理を施すことが望ましい。従って、使用する粗
化液は、１０〜１０００ｇ／ｌのクロム酸水溶液または
０．１〜１０ｍｏｌ／ｌの過マンガン酸塩のアルカリ水
溶液が望ましい。また、上記層間樹脂絶縁層に形成する
粗化面の深さは、１〜５μｍ程度が望ましい。

【００５７】(6) 次に、粗化された層間樹脂絶縁層表面
に触媒核を付与する。触媒核の付与には、貴金属イオン
や貴金属コロイドなどを用いることが望ましく、一般的
には、塩化パラジウムやパラジウムコロイドを使用す
る。なお、触媒核を固定するために加熱処理を行うこと
が望ましい。このような触媒核としてはパラジウムが好
ましい。

【００５８】(7) 次に、粗化面全面に無電解めっき膜を
形成する。上記無電解めっき液としては、下記の無電解
めっき液を用いる。めっき液組成としては、例えば、Ｅ
ＤＴＡ（５０ ｇ／ｌ）、硫酸銅（１０ ｇ／ｌ）、Ｈ
ＣＨＯ（８ ｍｌ／ｌ）、ＮａＯＨ（１０ ｇ／ｌ）を
含む水溶液が望ましい。無電解めっき膜の厚みは０．１
〜５μｍが望ましく、０．５〜３μｍがより望ましい。

【００５９】(8) ついで、無電解めっき膜上に感光性樹
脂フィルム（ドライフィルム）をラミネートし、めっき
レジストパターンが描画されたフォトマスク（ガラス基
板が好ましい）を感光性樹脂フィルムに密着させて載置
し、露光、現像処理することにより、めっきレジストパ
ターンを形成する。

【００６０】(9) 次に、めっきレジスト非形成部に電解
めっきを施し、導体回路およびバイアホールを形成す
る。ここで、上記電解めっきとしては、銅めっきを用い
ることが望ましく、その厚みは、１〜２０μｍが望まし
い。

【００６１】(10)さらに、めっきレジストを除去した
後、硫酸と過酸化水素の混合液や過硫酸ナトリウム、過
硫酸アンモニウム、塩化第二鉄、塩化第二銅などのエッ
チング液で無電解めっき膜を溶解除去して、独立した導
体回路とする。この後、必要により、クロム酸などでパ
ラジウム触媒核を溶解除去する。

【００６２】(11)次に、導体回路の表面に粗化面を形成
するが、この際には、上述した研磨処理、エッチング処
理、黒化還元処理およびめっき処理のうちのいずれかの
方法により形成することが望ましい。この後、上記(2)
と同様の方法により、導体回路表面に酸化膜を形成す
る。

【００６３】(12)次に、この基板上に、上記粗化面形成
用樹脂組成物を用い、上述した方法と同様の方法により
層間樹脂絶縁層を形成する。

【００６４】(13)次に、 (4)〜(12)の工程を繰り返して
さらに上層の導体回路等を設け、その上にはんだパッド
として機能する平板状の導体パッドやバイアホールなど
を形成する。最後にソルダーレジスト層およびハンダバ
ンプ等を形成することにより、多層多層プリント配線板
の製造を終了する。なお、以下の方法は、セミアディテ
ィブ法によるものであるが、フルアディティブ法を採用
してもよい。

【００６５】

【実施例】以下、本発明をさらに詳細に説明する。 （実施例１） Ａ．上層の粗化面形成用樹脂組成物の調製 1)クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（日本化薬社
製、分子量：２５００）の２５％アクリル化物を８０重
量％の濃度でジエチレングリコールジメチルエーテル
（ＤＭＤＧ）に溶解させた樹脂液４００重量部、感光性
モノマー（東亜合成社製、アロニックスＭ３２５）６０
重量部、消泡剤（サンノプコ社製 Ｓ−６５）５重量部
およびＮ−メチルピロリドン（ＮＭＰ）３５重量部を容
器にとり、攪拌混合することにより混合組成物を調製し
た。

【００６６】2)ポリエーテルスルフォン（ＰＥＳ）８０
重量部、エポキシ樹脂粒子（三洋化成社製、ポリマーポ
ール）の平均粒径１．０μｍのもの７２重量部および平
均粒径０．５μｍのもの３１重量部を別の容器にとり、
攪拌混合した後、さらにＮＭＰ２５７重量部を添加し、
ビーズミルで攪拌混合し、別の混合組成物を調製した。

【００６７】3)イミダゾール硬化剤（四国化成社製、２
Ｅ４ＭＺ−ＣＮ）２０重量部、光重合開始剤（ベンゾフ
ェノン）２０重量部、光増感剤（チバガイギー社製、Ｅ
ＡＢ）４重量部およびＮＭＰ１６重量部をさらに別の容
器にとり、攪拌混合することにより混合組成物を調製し
た。そして、1)、2)および3)で調製した混合組成物を混
合することにより粗化面形成用樹脂組成物を得た。

【００６８】Ｂ．下層の粗化面形成用樹脂組成物の調製 1)クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（日本化薬社
製、分子量：２５００）の２５％アクリル化物を８０重
量％の濃度でジエチレングリコールジメチルエーテル
（ＤＭＤＧ）に溶解させた樹脂液４００重量部、感光性
モノマー（東亜合成社製、アロニックスＭ３２５）６０
重量部、消泡剤（サンノプコ社製 Ｓ−６５）５重量部
およびＮ−メチルピロリドン（ＮＭＰ）３５重量部を容
器にとり、攪拌混合することにより混合組成物を調製し
た。

【００６９】2)ポリエーテルスルフォン（ＰＥＳ）８０
量部、および、エポキシ樹脂粒子（三洋化成社製、ポリ
マーポール）の平均粒径０．５μｍのもの１４５重量部
を別の容器にとり、攪拌混合した後、さらにＮＭＰ２８
５重量部を添加し、ビーズミルで攪拌混合し、別の混合
組成物を調製した。

【００７０】3)イミダゾール硬化剤（四国化成社製、２
Ｅ４ＭＺ−ＣＮ）２０重量部、光重合開始剤（ベンゾフ
ェノン）２０重量部、光増感剤（チバガイギー社製、Ｅ
ＡＢ）４重量部およびＮＭＰ１６重量部をさらに別の容
器にとり、攪拌混合することにより混合組成物を調製し
た。そして、1)、2)および3)で調製した混合組成物を混
合することにより無電解めっき用接着剤を得た。

【００７１】Ｃ．樹脂充填剤の調製 1)ビスフェノールＦ型エポキシモノマー（油化シェル社
製、分子量：３１０、ＹＬ９８３Ｕ）１００重量部、表
面にシランカップリング剤がコーティングされた平均粒
径が１．６μｍで、最大粒子の直径が１５μｍ以下のＳ
ｉＯ₂ 球状粒子（アドテック社製、ＣＲＳ １１０１−
ＣＥ）１７０重量部およびレベリング剤（サンノプコ社
製 ペレノールＳ４）１．５重量部を容器にとり、攪拌
混合することにより、その粘度が２３±１℃で４５〜４
９Ｐａ・ｓの樹脂充填剤を調製した。なお、硬化剤とし
て、イミダゾール硬化剤（四国化成社製、２Ｅ４ＭＺ−
ＣＮ）６．５重量部を用いた。

【００７２】Ｄ．プリント配線板の製造方法 (1) 厚さ０．６ｍｍのガラスエポキシ樹脂またはＢＴ
（ビスマレイミドトリアジン）樹脂からなる基板１の両
面に１８μｍの銅箔８がラミネートされている銅張積層
板を出発材料とした（図１（ａ）参照）。まず、この銅
貼積層板をドリル削孔し、無電解めっき処理を施し、パ
ターン状にエッチングすることにより、基板１の両面に
下層導体回路４とスルーホール９を形成した。

【００７３】(2) スルーホール９および下層導体回路４
を形成した基板を水洗いし、乾燥した後、ＮａＯＨ（１
０ｇ／ｌ）、ＮａＣｌＯ₂ （４０ｇ／ｌ）、Ｎａ₃ ＰＯ
₄ （１６ｇ／ｌ）を含む水溶液を黒化浴（酸化浴）とす
る黒化処理、および、ＮａＯＨ（１９ｇ／ｌ）、ＮａＢ
Ｈ₄ （５ｇ／ｌ）を含む水溶液を還元浴とする還元処理
を行い、そのスルーホール９を含む下層導体回路４の全
表面に粗化面４ａ、９ａを形成した（図１（ｂ）参
照）。

【００７４】(3) 樹脂充填剤１０を、基板の片面にロー
ルコータを用いて塗布することにより、下層導体回路４
間あるいはスルーホール９内に充填し、加熱乾燥させた
後、他方の面についても同様に樹脂充填剤１０を導体回
路４間あるいはスルーホール９内に充填し、加熱乾燥さ
せた（図１（ｃ）参照）。

【００７５】(4) 上記(3) の処理を終えた基板の片面
を、＃６００のベルト研磨紙（三共理化学製）を用いた
ベルトサンダー研磨により、内層銅パターン４の表面や
スルーホール９のランド表面に樹脂充填剤１０が残らな
いように研磨し、次いで、上記ベルトサンダー研磨によ
る傷を取り除くためのバフ研磨を行った。このような一
連の研磨を基板の他方の面についても同様に行った。次
いで、１００℃で１時間、１２０℃で３時間、１５０℃
で１時間、１８０℃で７時間の加熱処理を行って樹脂充
填剤１０を硬化した。

【００７６】このようにして、スルーホール９や導体回
路非形成部に形成された樹脂充填材１０の表層部および
下層導体回路４の表面を平坦化し、樹脂充填材１０と下
層導体回路４の側面４ａとが粗化面を介して強固に密着
し、またスルーホール９の内壁面９ａと樹脂充填材１０
とが粗化面を介して強固に密着した絶縁性基板を得た
（図１（ｄ）参照）。この工程により、樹脂充填剤１０
の表面と下層導体回路４の表面が同一平面となる。ここ
で、充填した硬化樹脂のＴｇ点は１５５．６℃、線熱膨
張係数は４４．５×１０^-6／℃であった。

【００７７】(5) 上記(4) の処理で露出した下層導体回
路４およびスルーホール９のランド上面に、厚さ２．５
μｍのＣｕ−Ｎｉ−Ｐ合金からなる粗化層（凹凸層）１
１を形成した（図２（ａ）参照）。その形成方法は以下
のようである。即ち、硫酸銅（８ｇ／ｌ）、硫酸ニッケ
ル（０．６ｇ／ｌ）、クエン酸（１５ｇ／ｌ）、次亜リ
ン酸ナトリウム（２９ｇ／ｌ）、ホウ酸（３１ｇ／
ｌ）、界面活性剤（日信化学工業社製、サーフィノール
４６５）（０．１ｇ／ｌ）を含む水溶液からなるｐＨ＝
９の無電解銅めっき浴に基板を浸漬し、浸漬１分後に、
４秒あたりに１回の割合で縦および横方向に振動させ
て、下層導体回路およびスルーホールのランドの表面
に、Ｃｕ−Ｎｉ−Ｐからなる針状合金の粗化層１１を設
けた。

【００７８】(6) この粗化層１１が設けられた基板を加
熱装置に入れ、大気雰囲気下、１５０℃の温度で１間加
熱することにより、その表面に厚さが０．１μｍの酸化
膜を形成した。この酸化膜の形成は、粗化層の色から判
断でき、さらに蛍光Ｘ線分析装置（Ｒｉｇａｋｕ社製
ＲＩＸ２１００）用いることにより、その存在を確認し
た。但し、形成した酸化膜については図示しない。 (7) 次に、基板の両面に、Ｂの無電解めっき用接着剤
（粘度：１．５Ｐａ・ｓ）をロールコータで塗布し、水
平状態で２０分間放置してから、６０℃で３０分の乾燥
を行い、無電解めっき用接着剤層２ａを形成した。さら
にこの無電解めっき用接着剤層２ａの上にＡの無電解め
っき用接着剤（粘度：７Ｐａ・ｓ）をロールコータを用
いて塗布し、水平状態で２０分間放置してから、６０℃
で３０分の乾燥を行い、接着剤層２ｂを形成し、厚さ３
５μｍの無電解めっき用接着剤層２を形成した（図２
（ｂ）参照）。

【００７９】(8) 上記(7) で無電解めっき用接着剤層２
を形成した基板１の両面に、直径８５μｍの黒円が印刷
されたフォトマスクフィルムを密着させ、超高圧水銀灯
により５００ｍＪ／ｃｍ² 強度で露光した後、ＤＭＤＧ
溶液でスプレー現像した。この後、さらに、この基板を
超高圧水銀灯により３０００ｍＪ／ｃｍ² 強度で露光
し、１００℃で１時間、１５０℃で５時間の加熱処理を
施し、フォトマスクフィルムに相当する寸法精度に優れ
た直径８５μｍのバイアホール用開口６を有する厚さ３
５μｍの層間樹脂絶縁層２を形成した（図２（ｃ）参
照）。

【００８０】(9) バイアホール用開口６を形成した基板
を、８００ｇ／ｌのクロム酸を含む７０℃の溶液に１９
分間浸漬し、層間樹脂絶縁層２の表面に存在するエポキ
シ樹脂粒子を溶解除去することにより、層間樹脂絶縁層
２の表面を粗面（深さ３μｍ）とした（図２（ｄ）参
照）。この際、下層導体回路４上の粗化層１１の表面に
形成された酸化膜はエッチングされておらず、ボイドも
発生していなかった。

【００８１】(10)次に、上記処理を終えた基板を、中和
溶液（シプレイ社製）に浸漬してから水洗いした。さら
に、粗面化処理した該基板の表面に、パラジウム触媒
（アトテック製）を付与することにより、層間樹脂絶縁
層２の表面およびバイアホール用開口６の内壁面に触媒
核を付着させた。

【００８２】(11)次に、以下の組成の無電解銅めっき水
溶液中に基板を浸漬して、粗面全体に厚さ０．８μｍの
無電解銅めっき膜１２を形成した（図３（ａ）参照）。
このとき、めっき膜が薄いため無電解めっき膜表面に
は、凹凸が観察された。 〔無電解めっき水溶液〕 ＥＤＴＡ ５０ ｇ／ｌ 硫酸銅 １０ ｇ／ｌ ＨＣＨＯ ８ ｍｌ／ｌ ＮａＯＨ １０ ｇ／ｌ α、α’−ビピリジル ８０ ｍｇ／ｌ ポリエチレングリコール（ＰＥＧ） ０．１ ｇ／ｌ 〔無電解めっき条件〕 ７０℃の液温度で３０分

【００８３】(12)市販の感光性ドライフィルムを無電解
銅めっき膜１２に貼り付け、マスクを載置して、１００
ｍＪ／ｃｍ² で露光し、０．８％炭酸ナトリウム水溶液
で現像処理することにより、めっきレジスト３を設けた
（図３（ｂ）参照）。

【００８４】(13)ついで、基板を５０℃の水で洗浄して
脱脂し、２５℃の水で水洗後、さらに硫酸で洗浄してか
ら、以下の条件で電解銅めっきを施し、厚さ１５μｍの
電解銅めっき膜１３を形成した（図３（ｃ）参照）。 〔電解めっき水溶液〕 硫酸 １８０ ｇ／ｌ 硫酸銅 ８０ ｇ／ｌ 添加剤 １ ｍｌ／ｌ （アトテックジャパン社製、カパラシドＧＬ） 〔電解めっき条件〕 電流密度 １ Ａ／ｄｍ² 時間 ３０ 分 温度 室温

【００８５】(14)めっきレジスト３を５％ＫＯＨで剥離
除去した後、そのめっきレジスト３下の無電解めっき膜
１２を硫酸と過酸化水素の混合液でエッチング処理して
溶解除去し、無電解銅めっき膜１２と電解銅めっき膜１
３からなる厚さ１８μｍの導体回路（バイアホール７を
含む）５を形成した。さらに、８００ｇ／ｌのクロム酸
を含む７０℃の溶液に３分間浸漬して、導体回路非形成
部分に位置する導体回路間の層間樹脂絶縁層２の表面を
１μｍエッチング処理し、その表面に残存するパラジウ
ム触媒を除去した（図３（ｄ）参照）。

【００８６】(15)導体回路５を形成した基板を、硫酸銅
（８ｇ／ｌ）、硫酸ニッケル（０．６ｇ／ｌ）、クエン
酸（１５ｇ／ｌ）、次亜リン酸ナトリウム（２９ｇ／
ｌ）、ホウ酸（３１ｇ／ｌ）、界面活性剤（日信化学工
業社製、サーフィノール４６５）（０．１ｇ／ｌ）を含
む水溶液からなるｐＨ＝９の無電解銅めっき浴に基板を
浸漬し、浸漬１分後に、４秒あたりに１回の割合で縦お
よび横方向に振動させて、下層導体回路およびスルーホ
ールのランドの表面に、Ｃｕ−Ｎｉ−Ｐからなる針状合
金の粗化層１１を設けた（図４（ａ）参照）。このと
き、形成した粗化層11をＥＰＭＡ（蛍光Ｘ線分析装置）
で分析したところ、Ｃｕ：９８モル％、Ｎｉ：１．５モ
ル％、Ｐ：０．５モル％の組成比であった。

【００８７】(16)上記 (6)〜(15)の工程を繰り返すこと
により、さらに上層の導体回路を形成し、多層配線板を
得た。但し、Ｓｎ置換は行わなかった（図４（ｂ）〜図
５（ｂ）参照）。

【００８８】(17)次に、ジエチレングリコールジメチル
エーテル（ＤＭＤＧ）に６０重量％の濃度になるように
溶解させた、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（日
本化薬社製）のエポキシ基５０％をアクリル化した感光
性付与のオリゴマー（分子量：４０００）４６．６７重
量部、メチルエチルケトンに溶解させた８０重量％のビ
スフェノールＡ型エポキシ樹脂（油化シェル社製、商品
名：エピコート１００１）６．６７重量部、同じくビス
フェノールＡ型エポキシ樹脂（油化シェル社製、商品
名：エピコートＥ−１００１−Ｂ８０）６．６７重量
部、イミダゾール硬化剤（四国化成社製、商品名：２Ｅ
４ＭＺ−ＣＮ）１．６重量部、感光性モノマーである２
官能アクリルモノマー（日本化薬社製、商品名：Ｒ６０
４）４．５重量部、同じく多価アクリルモノマー（共栄
化学社製、商品名：ＤＰＥ６Ａ）１．５重量部、アクリ
ル酸エステル重合物からなるレベリング剤（共栄化学社
製、商品名：ポリフローＮｏ．７５）０．３６重量部を
容器にとり、攪拌、混合して混合組成物を調製し、この
混合組成物に対して光重合開始剤としてイルガキュアＩ
−９０７（チバガイギー社製）２．０重量部、光増感剤
としてのＤＥＴＸ−Ｓ（日本化薬社製）０．２重量部、
ＤＭＤＧ０．６重量部を加えることにより、粘度を２５
℃で１．４±０．３Ｐａ・ｓに調整したソルダーレジス
ト組成物を得た。なお、粘度測定は、Ｂ型粘度計（東京
計器社製、ＤＶＬ−Ｂ型）で６０ｒｐｍの場合はロータ
ーＮｏ．４、６ｒｐｍの場合はローターＮｏ．３によっ
た。

【００８９】(18)次に、多層配線基板の両面に、上記ソ
ルダーレジスト組成物を２０μｍの厚さで塗布し、７０
℃で２０分間、７０℃で３０分間の条件で乾燥処理を行
った後、ソルダーレジスト開口部のパターンが描画され
た厚さ５ｍｍのフォトマスクをソルダーレジスト層に密
着させて１０００ｍＪ／ｃｍ² の紫外線で露光し、ＤＭ
ＴＧ溶液で現像処理し、２００μｍの直径の開口を形成
した。そして、さらに、８０℃で１時間、１００℃で１
時間、１２０℃で１時間、１５０℃で３時間の条件でそ
れぞれ加熱処理を行ってソルダーレジスト層を硬化さ
せ、開口を有し、その厚さが２０μｍのソルダーレジス
トパターン層１４を形成した。

【００９０】(19)次に、ソルダーレジスト層１４を形成
した基板を、塩化ニッケル（３０ｇ／ｌ）、次亜リン酸
ナトリウム（１０ｇ／ｌ）、クエン酸ナトリウム（１０
ｇ／ｌ）を含むｐＨ＝５の無電解ニッケルめっき液に２
０分間浸漬して、開口部に厚さ５μｍのニッケルめっき
層１５を形成した。さらに、その基板をシアン化金カリ
ウム（２ｇ／ｌ）、塩化アンモニウム（７５ｇ／ｌ）、
クエン酸ナトリウム（５０ｇ／ｌ）、次亜リン酸ナトリ
ウム（１０ｇ／ｌ）を含む無電解めっき液に９３℃の条
件で２３秒間浸漬して、ニッケルめっき層１５上に、厚
さ０．０３μｍの金めっき層１６を形成した。

【００９１】(20)この後、ソルダーレジスト層１４の開
口にはんだペーストを印刷して、２００℃でリフローす
ることによりはんだバンプ（はんだ体）１７を形成し、
はんだバンプ１７を有する多層配線プリント基板を製造
した（図５（ｃ）参照）。

【００９２】（実施例２）上記(5) および(16)の工程に
おいて、(4) または(15)の工程を終えた基板を水洗、酸
性脱脂した後、ソフトエッチングし、次いで、エッチン
グ液を基板の両面にスプレイで吹きつけて、下層導体回
路の表面とスルーホールのランド表面と内壁とをエッチ
ングすることにより、下層導体回路の全表面に粗化面を
形成したほかは、実施例１と同様にして多層プリント配
線板を製造した。なお、エッチング液として、イミダゾ
ール銅 (II）錯体１０重量部、グリコール酸７重量部、
塩化カリウム５重量部およびイオン交換水７８重量部を
混合したものを使用した。

【００９３】（比較例１）上記(6) および上記(6) と同
様の工程において、酸化膜を形成せず、粗化層を形成し
た基板を、さらにホウフッ化スズ（０．１ｍｏｌ／ｌ）
およびチオ尿素（１．０ｍｏｌ／ｌ９）を含む温度が５
０℃で、ｐＨが１．２のめっき浴に浸漬してＣｕ−Ｓｎ
置換めっきを行い、粗化層の表面に０．３μｍのＳｎ層
を形成したほかは、実施例１と同様にして多層プリント
配線板を製造した。

【００９４】（比較例２）上記(6) および上記(6) と同
様の工程において、酸化膜を形成せず、粗化面を形成し
た基板を、さらにホウフッ化スズ（０．１ｍｏｌ／ｌ）
およびチオ尿素（１．０ｍｏｌ／ｌ９）を含む温度が５
０℃で、ｐＨが１．２のめっき浴に浸漬してＣｕ−Ｓｎ
置換めっきを行い、粗化面が形成された導体回路の表面
に、０．３μｍのＳｎ層を形成したほかは、実施例２と
同様にして多層プリント配線板を製造した。

【００９５】このようにして製造した実施例１〜２およ
び比較例１〜２の多層プリント配線板について、−５５
℃で３０分保持した後、１２５℃で３０分保持するヒー
トサイクルを１０００回繰り返すヒートサイクル試験を
実施し、バイアホール部分の接続をクロスカットして顕
微鏡観察することにより調べた。その結果、実施例１〜
２に係る多層プリント配線板では、同様の条件で製造さ
れたもの全てについて、バイアホールは下の導体回路の
粗面にしっかりと接続され、剥離等は全く観察されなか
ったが、比較例１〜２に係る多層プリント配線板では、
一部のものにバイアホールと下の導体回路との接続部分
に剥離が観察された。

【００９６】

【発明の効果】以上説明したように本発明のプリント配
線板の製造方法によれば、より簡略化された方法によ
り、粗化面や粗化層が形成された導体回路に保護膜を形
成することができ、バイアホールの接続信頼性が確保さ
れた多層プリント配線板を製造することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】（ａ）〜（ｄ）は、本発明の多層プリント配線
板の製造工程の一部を示す断面図である。

【図２】（ａ）〜（ｄ）は、本発明の多層プリント配線
板の製造工程の一部を示す断面図である。

【図３】（ａ）〜（ｄ）は、本発明の多層プリント配線
板の製造工程の一部を示す断面図である。

【図４】（ａ）〜（ｃ）は、本発明の多層プリント配線
板の製造工程の一部を示す断面図である。

【図５】（ａ）〜（ｃ）は、本発明の多層プリント配線
板の製造工程の一部を示す断面図である。

【図６】（ａ）〜（ｃ）は、本発明の多層プリント配線
板の製造方法における酸化膜の形成工程を示す断面図で
ある。

【図７】（ａ）〜（ｃ）は、従来の多層プリント配線板
の製造方法における酸化膜の形成工程を示す断面図であ
る。

【符号の説明】

１ 基板 ２ 層間樹脂絶縁層（無電解めっき用接着剤層） ４ 下層導体回路 ４ａ 粗化面 ５ 上層導体回路 ７ バイアホール ８ 銅箔 ９ スルーホール ９ａ 粗化面 １０ 樹脂充填材 １１ 粗化層 １２ 無電解めっき膜 １３ 電界めっき膜 １４ ソルダーレジスト層（有機樹脂絶縁層） １５ ニッケルめっき膜 １６ 金めっき膜 １７ ハンダバンプ １８ 酸化膜

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 袁 本鎮 岐阜県揖斐郡揖斐川町北方１−１ イビデ ン株式会社内 (72)発明者 豊田 幸彦 岐阜県揖斐郡揖斐川町北方１−１ イビデ ン株式会社内 Ｆターム(参考） 5E343 AA07 AA15 AA17 AA18 AA23 BB18 BB23 BB24 BB44 BB54 CC01 CC07 CC17 CC33 CC44 CC50 CC73 DD33 DD43 DD76 EE42 ER16 ER18 ER36 ER39 GG01 5E346 AA42 AA43 CC32 CC37 CC38 DD05 DD23 DD24 EE13 EE19 FF07 FF09 FF10 FF13 FF14 GG15 GG22 GG27 GG28 HH07 HH31

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 導体回路を形成した後粗化処理を施して
   導体回路上に粗化面を形成し、前記粗化面を有する導体
   回路を層間樹脂絶縁層により被覆した後バイアホール用
   開口を形成する工程を繰り返すことにより絶縁性基板上
   に層間樹脂絶縁層を挟んだ複数層からなる導体回路を形
   成する多層プリント配線板の製造方法において、導体回
   路上に粗化面を形成した後、酸化処理を施すことによ
   り、前記粗化面の表面全体に酸化膜を形成し、その後、
   層間樹脂絶縁層を形成することを特徴とする多層プリン
   ト配線板の製造方法。
2. 【請求項２】 前記導体回路上に粗化面を形成した後、
   大気雰囲気下、１００〜２００℃で１０分〜３時間加熱
   することにより酸化処理を施し、前記粗化面の表面全体
   に酸化膜を形成する請求項１に記載の多層プリント配線
   板の製造方法。
3. 【請求項３】 その表面が粗化面により構成される導体
   回路が形成された基板上に層間樹脂絶縁層が形成され、
   前記層間樹脂絶縁層にバイアホール用開口が形成され、
   さらに、前記バイアホール用開口に導電体が形成されて
   バイアホールを構成してなる多層プリント配線板におい
   て、前記粗化面により構成される導体回路表面全体に、
   酸化膜からなる被覆層が形成されていることを特徴とす
   る多層プリント配線板。
4. 【請求項４】 前記酸化膜からなる被覆層の厚さは、
   ０．０１〜０．２μｍである請求項３に記載の多層プリ
   ント配線板。