JP2000299421A

JP2000299421A - 半導体素子

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Publication number: JP2000299421A
Application number: JP11109313A
Authority: JP
Inventors: Hisahiro Yamamoto; 寿浩山本; Yasuji Kai; 靖二甲斐
Original assignee: Oki Electric Industry Co Ltd
Current assignee: Oki Electric Industry Co Ltd
Priority date: 1999-04-16
Filing date: 1999-04-16
Publication date: 2000-10-24

Abstract

(57)【要約】【課題】実装面の大きさが十分にとれなくても、リード
と実装面とが十分に半田付けされているか否かを容易に
判断することができる半導体素子を得る。【解決手段】半導体素子２０の半導体素子本体１２から
はリード２２が突出している。このリード２２の一側面
には、２本の細溝２４が形成されている。この細溝２４
は、リード２２の下面からリード２２の上面Ｗまで貫通
して形成されている。一方、半導体素子２０を実装面２
６に接続するため半田付けが行われる。半田付けは、実
装面２６に半田１８を載せ、さらにその上に半導体素子
２０のリード２０を載せ、熱処理により半田１８を融解
して行われる。融解した半田１８は、先ずリード２０の
下面全域に広がり、次に、毛管現象により、半田１８が
細溝２４に沿ってリード２２の上面Ｗまで這い上がる。
上面Ｗまで這い上がった半田１８を目視により確認する
ことにより、半田付けが十分であると判断できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、表面実装型の半導
体素子に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来の表面実装型の半導体素子１０は、
図４（Ａ）に示すように、半導体素子本体１２とリード
１４が基板（図示省略）の一部に設けられた実装面１６
に対してフラットとなるように、リード１４と実装面１
６とが接続される。この接続は、実装面１６上に半田１
８を載せ、リフロー等の熱処理により半田１８を融解さ
せて、リード１４と実装面１６とを接着させて行われ
る。

【０００３】そして、この半田付けが十分になされたか
どうか、図４（Ｂ）及び（Ｃ）に示すように、半導体素
子１０のリード１４の周囲から融解した半田１８が這い
上がってくるのを上方から目で確認することにより判断
している。すなわち、融解した半田１８がリード１４の
下面からリード１４の側面に沿って這い上がってくれ
ば、半田付けは十分に行われたと判断される。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、近年は
装置の軽量化、小型化が進んでいる。このため、基板を
小型化する必要があり、このため、図５（Ａ）及び
（Ｂ）に示すように、リード１４の大きさに対し実装面
１７の大きさが十分にとれなくなっている。

【０００５】この結果、融解した半田１８がリード１８
の側面に沿って這い上がってくるのを確認しにくくな
り、リード１８と実装面１７との半田付けが十分にされ
ているのか否かの判断がしにくくなる問題があった。

【０００６】そこで、上記問題を解決すべく、実装面の
大きさが十分にとれなくても、リードと実装面とが十分
に半田付けされているか否かを容易に判断することがで
きる半導体素子を提供することを目的とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明
は、半田を融解してリードの下面を実装面に接着する表
面実装型の半導体素子であって、リードには融解した半
田が該リードの下面から上方へ這い上がるための誘導手
段が少なくとも１つ形成されていることを特徴とする。

【０００８】この構成によれば、半導体素子のリードに
は誘導手段が少なくとも１つ形成されている。このた
め、半導体素子のリードを実装面に半田付けするとき
に、半田を融解すると、融解した半田がリードの下面か
ら誘導手段に沿ってリードの上方へ這い上がる。

【０００９】したがって、この這い上がってくる半田を
目視により確認することにより、リードと実装面の十分
な半田付けができているか否かを判断することができ
る。

【００１０】請求項２に記載した発明は、誘導手段は、
リードの側面に形成された凹部であることを特徴とす
る。

【００１１】この構成によれば、上記誘導手段としてリ
ードの側面には凹部が形成されているので、融解して這
い上がってくる半田を目視により容易に確認することが
でき、半田付けが十分か否かを判断することができる。
また、かかる凹部によりリードの体積を小さくすること
ができるので、リードの製造コストを低減できる。

【００１２】請求項３に記載した発明は、半田を融解し
てリードの下面を実装面に接着する表面実装型の半導体
素子であって、リードには、融解した半田が毛管現象に
よりリードの下面から上面へ這い上がるための誘導手段
が少なくとも１つ形成されていることを特徴とする。

【００１３】この構成によれば、半導体素子のリードに
は、融解した半田が毛管現象により該リードの下面から
上面へ這い上がるための誘導手段が少なくとも１つ形成
されているので、リードの上面に這い上がってきた半田
の目視が一層容易となり、半田付けが十分か否かの判断
が簡単に行える。

【００１４】請求項４に記載した発明は、上記誘導手段
は、リードの側面に形成されリードの下面と上面とを連
通する細溝であることを特徴とする。

【００１５】これにより、融解した半田は、毛管現象に
より、リードの側面に形成された細溝に沿ってリードの
上面に這い上がってくるため、目視により容易に確認す
ることができ、半田付けが十分か否かの判断が簡単に行
える。

【００１６】請求項５に記載の発明は、上記誘導手段
は、リードの略中央に形成されリードの下面と上面とを
連通する開孔であることを特徴とする。

【００１７】この構成によれば、リードの略中央にはリ
ードの上面と下面とを連通する開孔が形成されているの
で、毛細管現象により、融解した半田がリードの下面か
ら開孔に沿って上面に這い上がる。ここで、開孔がリー
ドの略中央に位置するため、実装面の面積がリードの下
面の面積よりもある程度小さい場合でも、半田が開孔を
貫通して這い上がりリードの上面に達するので、これを
目視により確認することができる。そして、半田付けが
十分か否かが判断できる。

【００１８】

【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照して、本発
明の第１実施形態に係る半導体素子について説明する。

【００１９】本実施形態における半導体素子２０は、図
１（Ａ）に示すように、半導体素子本体１２の外側から
リード２２が突出している。このリード２２は、直方体
の形状をしており、その一側面には２本の細溝２４が形
成されている。この細溝２４はリード２２の下面から上
面まで貫通している。そして、このリード２２は、リー
ド２２の底面積よりも少し大きな面積を有する実装面２
６に接着されて接続される。

【００２０】この接着方法は、先ず、実装面２６上に半
田１８を載せ、さらに、その上に半導体素子２０のリー
ド２２が載せる。次に、赤外線と熱風とを併用し、実装
面２６とリード２２とを加熱して間の半田１８を融解さ
せる。融解した半田１８は、図１（Ｂ）に示すように、
まずリード２２の下面全域に行き渡り、次に、毛細管現
象、すなわち自身の表面積を大きくしようとする表面張
力によりリード２２の下面から上面Ｗに向かって、細溝
２４に沿って這い上がる。

【００２１】そして、融解した半田１８が細溝２４に沿
ってリード２２の上面Ｗまで這い上がったのを目で観察
して、半田付けが十分か否かを確認する。この結果、図
（Ｃ）に示すように、半田１８がリード２２の上面Ｗま
で這い上がっていれば、半田１８が融解してその体積が
増加し、リード２２の下面に十分行き渡った後、細溝２
４に沿って這い上がったものと考えることができるの
で、半田付けが十分だと判断できる。

【００２２】なお、上記細溝は、２本に限られることな
く、３本、４本、その他複数本あってもよく、多くなれ
ばなるほど目視による確認が容易となる。

【００２３】以上のように、本実施形態の半導体素子２
０によれば、リード２２と実装面２６との半田付けが十
分にされているか否かを、融解した半田１８がリード２
２に形成された細溝２４に沿ってリード２２の上面Ｗに
這い上がってくるのを目視で確認することにより、容易
に判断することができる。したがって、実装面２６の大
きさを十分にとれなくても、半田付けが十分か否かを知
ることができる。

【００２４】次に、本発明の第２実施形態に係る半導体
素子について説明する。

【００２５】本実施形態の半導体素子２８のリード３０
には、図２（Ａ）に示すように、両側面にコの字型のく
ぼみ３２が形成されている。このくぼみ３２は、いずれ
も第１実施形態の細溝と比べて、溝幅が大きく形成され
ている。このため、くぼみ３２の側面の面積だけリード
３０全体の表面積も大きくなり、また、くぼみ３２の側
面の幅だけリード周囲の長さも長くなっている。なお、
くぼみ３２は、コの字型に限られず、半円形やＶ字型の
ものでもよい。また、図２では、くぼみ３２は２箇所に
形成されているが、１箇所以上に形成されていれば、そ
の他複数形成されていても良い。

【００２６】半導体素子２８のリード３２と基板の実装
面２６との接着は、第１実施形態と同様に、半田付けに
より行われる。すなわち、実装面２６上に平面視にてＨ
型形状の半田１９を載置し、さらにその上に半導体素子
２８のリード３０を載せる。そして、同様に、熱処理に
て半田１８を融解させる。融解した半田１９は、その体
積が増加して、リード３２の下面全域に行き渡り、次に
リード３０の周囲、特にリード側面のくぼみ３２に沿っ
て実装面２６からリード上面Ｗに向かって這い上がる。
そして、図２（Ｂ）及び（Ｃ）に示すように、くぼみ３
２に沿ってある程度這い上がってくれば、半田付けが十
分であると判断される。

【００２７】ここで、くぼみ３２は、上記したようにリ
ード３０の表面積を大きくするように形成されているの
で、第１実施形態と比して、くぼみ３２の側面を這い上
がる半田１９分だけ余分に目視でき、半田１９の這い上
がりを容易に確認することができる。また、このくぼみ
３２を形成することにより、同時にリード３０の体積を
小さくすることができるので、リード３０の材料費を低
減することができる。

【００２８】以上のように、本実施形態の半導体素子２
８によれば、リード３０に上記くぼみ３２を形成するこ
とにより、半田１９の這い上がりをより容易に観察する
ことができ、また、リード３０の体積が小さくなるの
で、リード３０の製造費を低減することができる。

【００２９】次に、本発明の第３実施形態に係る半導体
素子について説明する。

【００３０】本実施実施形態の半導体素子３４のリード
３６の略中央には、図３（Ａ）に示すように、円柱状の
開孔３８が２つ形成されている。この開孔３８は、リー
ド３６の下面から上面Ｗまで貫通している。なお、この
開孔３８は断面が円形であるが、多角形であってもよ
く、また、１つ以上形成されていれば２つに限られず、
複数で形成されていてもよい。

【００３１】半導体素子３４のリード３６と基板の実装
面２６との接着は、第１実施形態と同様に、半田付けに
より行われる。すなわち、実装面２６上に半田１８を載
置し、さらにその上に半導体素子３４のリード３６を載
せる。そして、同様に、熱処理にて半田１８を融解させ
る。融解した半田１８は、その体積が増加してリード３
６の下面全域に行き渡り、次に毛細管現象によりリード
３６中央の開孔３８に沿って実装面２６からリード上面
Ｗに向かって這い上がる。そして、図３（Ｂ）及び
（Ｃ）に示すように、開孔３８に沿ってリード上面Ｗま
で這い上がってくれば、半田付けが十分であると判断さ
れる。

【００３２】以上のように、本実施形態の半導体素子３
４によれば、半田付けが十分か否かがリード上面Ｗに達
する半田１８を目視することにより、容易に判断するこ
とができる。また、開孔３８がリード３６の略中央に形
成されているので、基板に形成されている実装面２６の
面積が半導体素子３４のリード３６の下面の面積よりも
小さい場合でも、融解した半田１８が開孔３８を通って
リード上面Ｗに這い上がってくるので、これを容易に目
視することができる。この結果、コンパクトな基板にも
対応することが可能となり、装置全体の小型化を達成す
ることができる。

【００３３】なお、以上に述べた各実施形態は、それぞ
れ組み合わせても実施可能であり、同様の作用効果を得
ることができる。

【００３４】また、上記各実施形態は、表面実装型の半
導体素子について述べてきたが、表面実装型であれば、
半導体素子に限らず、チップ抵抗やチップコンデンサ等
の受動素子にも適用することができる。

【００３５】

【発明の効果】本発明によれば、半導体素子のリードに
は誘導手段が形成されているので、半導体素子のリード
を実装面に半田付けするときに半田を融解すると、融解
した半田がリードの下面の隅々に行き渡り、次にリード
の下面から誘導手段に沿って這い上がる。したがって、
この這い上がってくる半田を目視により確認することに
より、リードと実装面の十分な半田付けができているか
否か判断することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】（Ａ）は本発明の第１実施形態に係る半導体素
子の部分斜視図であり、（Ｂ）は（Ａ）の平面図であ
り、（Ｃ）は（Ａ）の側面図である。

【図２】（Ａ）は本発明の第２実施形態に係る半導体素
子の部分斜視図であり、（Ｂ）は（Ａ）の平面図であ
り、（Ｃ）は（Ａ）の側面図である。

【図３】（Ａ）は本発明の第３実施形態に係る半導体素
子の部分斜視図であり、（Ｂ）は（Ａ）の平面図であ
り、（Ｃ）は（Ａ）の側面図である。

【図４】（Ａ）は実装面に載置した従来の半導体素子の
部分斜視図であり、（Ｂ）は（Ａ）の平面図であり、
（Ｃ）は（Ａ）の側面図である。

【図５】（Ａ）は実装面に載置した従来の半導体素子の
平面図であり、（Ｂ）はその側面図である。

【符号の説明】

１８１９半田２０、２８、３４半導体素子２２、３０、３６リード２４細溝（誘導手段）３２くぼみ（凹部）３８開孔（誘導手段）

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】半田を融解してリードの下面を実装面に
接着する表面実装型の半導体素子であって、前記リードには融解した半田が該リードの下面から上方
へ這い上がるための誘導手段が少なくとも１つ形成され
ていることを特徴とする半導体素子。
【請求項２】前記誘導手段は、前記リードの側面に形
成された凹部であることを特徴とする請求項１に記載の
半導体素子。
【請求項３】半田を融解してリードの下面を実装面に
接着する表面実装型の半導体素子であって、前記リードには、融解した半田が毛管現象により該リー
ドの下面から上面へ這い上がるための誘導手段が少なく
とも１つ形成されていることを特徴とする半導体素子。
【請求項４】前記誘導手段は、前記リードの側面に形
成され該リードの下面と上面とを連通する細溝であるこ
とを特徴とする請求項３に記載の半導体素子。
【請求項５】前記誘導手段は、前記リードの略中央に
形成され該リードの下面と上面とを連通する開孔である
ことを特徴とする請求項３に記載の半導体素子。