JP2000299338A - 突起電極を有するベアチップｉｃ及び突起電極の形成方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 従来技術におけるバンプと称する突起電極を
有するベアチップＩＣであって、実装されるプリント配
線基板のプリント配線に厚みのバラツキがある場合に、
突起電極の潰れの度合いが大きかったり小さかったり
し、潰れの度合いが大きい場合に、ベアチップＩＣとプ
リント配線基板とが異常接近し、ＩＣ階路面にダメージ
を与えて実装不良が発生するのを防止すること。 【解決手段】 チップ端子となるＡｌパッドに突起電極
が形成されたベアチップＩＣであって、該Ａｌパッドと
突起電極との間に弾性層または有機膜層を設けた構成に
したものである。従って、ベアチップ実装において、プ
リント配線基板のプリント配線に厚みのバラツキがあっ
たり、或いはプリント配線位置に段差があって、突起電
極の潰れ度合いに差が生じても、弾性層または有機膜層
の存在により、少なくともその厚み分だけベアチップＩ
Ｃとプリント配線基板との間隔が維持されるので、異常
接近によるＩＣ回路面にダメージを与えず、ベアチップ
実装不良等を全面的に解消できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、プリント基板に対
して、例えばフリップチップ方式で実装される突起電極
（バンプ）を有するベアチップＩＣとその突起電極を形
成方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】この種のベアチップＩＣは、チップ端子
にバンプと称する突起電極が形成されており、該突起電
極をプリント配線基板側のサブストレート端子と直接的
に圧着接合させて搭載するものである。この場合の突起
電極の形成方法としては、図１７〜２１に略示的に示し
た一例と、図２２〜２６に示した他の例のものが従来技
術として知られている。

【０００３】図１７〜２１に示した一例の従来技術は、
突起電極となるスタッドバンプを形成する方法であり、
図１７に示したように、極細の金ワイヤー１をキャピラ
リー２の先端からか任意の長さに渡って突出させる。こ
の突出長さは、形成されるバンプの大きさまたは量に対
応させて任意に選択される。そして、図１８に示したよ
うに、金ワイヤー１とトーチ電極３との間で放電させる
ことにより、突出している金ワイヤー１の先端が溶けて
ボール状部１ａとなる。

【０００４】このように形成されたボール状部１ａを、
図１９に示したように、ベアチップＩＣ４のチップ端子
となるＡｌパッド５に押し付け、超音波と加熱により溶
着させる。因みにこの時の超音波の周波数は６０ＫＨｚ
で、加熱温度は略２５０℃である。

【０００５】次に、キャピラリー２を上昇させると、図
２０に示したように、Ａｌパッド５に溶着した部分がス
タッドバンプ６として残り金ワイヤー１が切断される。
その後に、図２１に示したように、押し付け治具７等を
用いてスタッドバンプ６の先端（上部）を押し潰して所
定高さになるようにレベリング加工を施す。

【０００６】図２２〜２６に示した他の例の従来技術
は、突起電極となるメッキバンプを形成する方法であ
り、図２２に示したように、ベアチップＩＣ４における
Ａｌパッド５の中央部の大半が露出するように保護膜８
が形成され、その上に蒸着法或いはスパッタリング法に
より共通電極膜９を形成する。この場合の共通電極膜９
は、後の工程で電解メッキが施しやすいように、アルミ
ニウム−クロム−銅の順に連続して積層被膜として形成
する。因みに、各被膜の膜厚は、アルミニウム１μｍ、
クロム０．１μｍ、銅１μｍ程度である。

【０００７】次に、図２３に示したように、フォトリソ
グラフィ手段によりメッキレジスト１０を形成する。こ
のメッキレジストは、形成しようとする突起電極に略対
応する開口部と高さ（厚み）をもって形成されるもので
あり、その材料はメッキ液に耐食性のある環化ゴム系の
ものが使用され、その厚みは２０μｍ程度である。

【０００８】そして、図２４に示したように、電解メッ
キ法によりメッキバンプ１１を形成する。使用される電
解メッキ液は、シアン化金カリウムを主成分とするもの
であり、メッキバンプ１１の高さは、メッキレジスト１
０の高さを越えない程度である。電解メッキ後に、図２
５に示したように、メッキレジストを専用の剥離液で除
去する。

【０００９】更に、図２６に示したように、共通電極膜
９をエッチングすると共に、メッキバンプ１１の形を整
える。この場合、共通電極膜９は３層構造であるため、
銅のエッチングには硝酸を主成分とするエッチャントを
用い、クロムとアルミニウムのエッチングには、赤血塩
と水酸化ナトリウムを主成分としたエッチング液を用い
ている。なお、エッチング液が、保護膜８を越えてＡｌ
パッドに侵入しないようにエッチングしている。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】このように従来例の突
起電極、即ちスタッドバンプ及びメッキバンプは、ベア
チップＩＣのＡｌパッド上に直接または共通電極膜を介
して形成されており、突起電極自体には弾性を全く有し
ない構造になっている。ところで、このようなベアチッ
プＩＣが実装されるプリント配線基板の配線パターンに
は、通常１０μｍ程度の高さバラツキがある。このよう
な高さバラツキのあるプリント配線基板にベアチップ実
装を行った場合に、スタッドバンプ及びメッキバンプは
金のように延性のある金属で形成されているため、バン
プ、即ち突起電極が大きく潰れる部分とあまり潰れない
部分とが発生する。

【００１１】突起電極が大きく潰れた領域は、ベアチッ
プＩＣとプリント配線基板との間隔が非常に狭くなり、
例えば、封止樹脂のフィラー粒径よりベアチップＩＣと
プリント配線基板との間隔が狭くなった場合には、ＩＣ
回路面にダメージを与え、実装不良の原因になるという
問題点を有している。また、従来技術による突起電極
は、その高さをベアチップＩＣ内で任意にコントロール
して製造できないため、配線パターンに段差のあるプリ
ント配線基板にベアチップＩＣ実装を行うことが困難で
あるという問題点も有している。

【００１２】従って、従来例のベアチップＩＣにおいて
は、高さバラツキがあるプリント配線基板であっても、
或いは配線パターンに段差のあるプリント配線基板であ
っても、ＩＣ回路面にダメージを与えないで実装できる
ようにすることに解決しなければならない課題を有して
いる。

【００１３】

【課題を解決するための手段】前記従来例の課題を解決
する具体的手段として本発明は、チップ端子となるＡｌ
パッドに突起電極が形成されたベアチップＩＣであっ
て、該Ａｌパッドと突起電極との間に弾性層または有機
膜層を設けたことを特徴とするベアチップＩＣ、並びに
ベアチップＩＣにおけるチップ端子となるＡｌパッドに
突起電極を形成する方法であって、該Ａｌパッド上に弾
性層または有機膜層を形成する工程と、該弾性層または
有機膜層上に共通電極膜を形成する工程と、該共通電極
膜上に突起電極を形成する工程とからなることを特徴と
するベアチップＩＣにおける突起電極の形成方法、を提
供するものである。

【００１４】また、本発明のベアチップＩＣにおいて
は、突起電極は、Ａｌパッドと電気的に結合している共
通電極膜を介して形成されていること、突起電極が、ス
タッドバンプまたはメッキバンプであること、及び弾性
層または有機膜層は、実装されるプリント配線基板に対
応して選択的に設けられていること、を付加的要件とし
て含み、更に、本発明の突起電極の形成方法において
は、弾性層または有機膜層は、ポリイミド樹脂で形成す
ること、及び周面がテーパ面の山形に形成されているこ
と、そして弾性層または有機膜層は、１０±５μｍの厚
みに形成されていること、を付加的要件として含むもの
である。

【００１５】本発明に係るベアチップＩＣは、突起電極
が形成されている位置に所定厚みの弾性層または有機膜
層が形成されていることにより、ベアチップ実装におい
て、プリント配線基板のプリント配線に高さバラツキが
あって、突起電極の潰れ度合いに差が生じても、或いは
プリント配線位置に段差があっても、弾性層または有機
膜層の存在により、少なくともその厚み分だけベアチッ
プＩＣとプリント配線基板との間隔が維持されて、異常
接近によるＩＣ回路面にダメージを与えず、ベアチップ
実装不良等のトラブルを避けることができるのである。

【００１６】

【発明の実施の形態】次に本発明を図示した幾つかの実
施の形態により更に詳しく説明する。なお、理解を容易
にするため、従来例と同一部分には同一符号を付して説
明する。まず図１に示した第１の実施の形態について説
明すると、ベアチップＩＣ４のチップ端子となるＡｌパ
ッド５上に弾性層または有機膜層２０を有すると共に、
該弾性層または有機膜層２０を包み込むようにして共通
電極膜９が形成され、該共通電極膜９上に突起電極であ
るスタッドバンプ６が形成された構成を有するものであ
る。なお、ベアチップＩＣ４は、Ａｌパッド５の一部を
除いて従来例と同様に保護膜８で覆われている。

【００１７】このベアチップＩＣ４の構成としては、要
するに、突起電極となるスタッドバンプ６とＡｌパッド
５との間に、所謂スペース材となる有機膜層２０が存在
することが重要なのであり、その有機膜層２０は例えば
ポリイミド樹脂で形成され、その厚みは略１０μｍ程度
である。なお、その厚みについては、適宜変更し得るこ
とはいうまでもない。

【００１８】第１の実施の形態に係るベアチップＩＣ４
の突起電極の形成方法について、図２〜９に基づいて説
明する。なお、半導体ウェハはまだ各チップ毎にダイシ
ングする前の段階で各加工処理工程が行われるものであ
るので、説明の便宜上半導体ウェハ全体に形成された多
数のベアチップＩＣの内の一つベアチップＩＣで且つそ
の内の一部について図示し説明する。まず、図２に示し
たように、ベアチップＩＣ４の表面側に、保護膜８を従
来例と同様にフォトリソグラフィとエッチング手段とに
より、Ａｌパッド５における中央部が開口し大半が露出
するように形成する。

【００１９】次に、図３に示したように、弾性層または
有機膜層２０となるポリイミド樹脂皮膜２０ａを全面的
に形成する。このポリイミド樹脂皮膜２０ａは、回転塗
布法を用いて形成し、その膜厚は１０±５μｍ程度であ
って、好ましくは１０μｍ程度である。

【００２０】形成されたポリイミド樹脂皮膜２０ａの上
に、図４に示したように、エッチングレジスト２１をフ
ォトリソグラフィ手段により、Ａｌパッド５に対応する
位置に形成する。このエッチングレジスト２１は、ポリ
イミド樹脂をエッチングするエッチャントに対して耐性
のある環化ゴム系の材料が選択され、その大きさ（広
さ）は、Ａｌパッド５の開口径よりも小さいサイズ（例
えば、片側で１０μｍ程度小さい）に形成される。

【００２１】エッチングレジスト２１を形成した後に、
ポリイミド樹脂皮膜２０ａをエッチングすると、図５に
示したように、周囲がテーパー状になった山形の皮膜２
０ａがＡｌパッド５上に残る。この場合のエッチング
は、ヒドラジンを主成分とするエッチャントにより、ウ
エットエッチング法にてエッチングを行う。なお、皮膜
２０ａを山形に形成したことにより、次工程での共通電
極膜の段差追従形成をし易くしたものである。そして、
そのエッチング後にエッチングレジスト２１は除去され
る。

【００２２】エッチングレジスト２１の除去後に、図６
に示したように、例えば、蒸着法或いはスパッタリング
法によって、共通電極膜９を形成する。この共通電極膜
９を形成する材料としては、アルミニウムのような段差
追従性が良好で、且つＡｌパッド５と電気的接続性の良
好なものが選択される。このように共通電極膜９を形成
することによって、山形の皮膜２０ａを全面的に包み込
み、共通電極膜９はその山形の皮膜２０ａの周囲でＡｌ
パッド５と電気的に結合し、包み込まれた山形の皮膜２
０ａは、Ａｌパッド５上に形成された、所謂弾性層また
は有機膜層２０となるのである。

【００２３】共通電極膜９をＡｌパッド５と略対応する
大きさに形成するために、図７に示したように、共通電
極膜９上にエッチングレジスト２２を形成する。このエ
ッチングレジスト２２は、前記エッチングレジスト２１
と同様に、環化ゴム系の材料が使用される。そして、そ
の大きさはＡｌパッド５の開口部よりも広く（片側で少
なくとも５μｍ程度大きい）、好ましくはＡｌパッド５
と略対応する大きさにパターンニングして形成される。

【００２４】次に、プラズマエッチング法により共通電
極膜９をエッチングすると、図８に示したように、エッ
チングレジスト２２で覆われている部分を残して全面的
にエッチング除去され、続いて、エッチングレジスト２
２を除去する。この除去手段には、例えば、酸素プラズ
マを用いたアッシング法を採用するか、或いは専用のレ
ジスト剥離液を用いて除去すると、図９に示したよう
に、弾性層または有機膜層２０上に被さった状態で共通
電極膜９が残る。

【００２５】このようにして形成された共通電極膜９上
に、図１７〜２１で示した従来例と同様の手法を用い
て、突起電極となるスタッドバンプ６を形成すると、図
１で示したようなベアチップＩＣ４が得られるのであ
る。

【００２６】図１０に第２の実施の形態を示してある。
この実施の形態においても、ベアチップＩＣ４のチップ
端子となるＡｌパッド５上に弾性層または有機膜層２０
を有すると共に、該弾性層または有機膜層２０を包み込
むようにして共通電極膜９が形成され、該共通電極膜９
上に突起電極であるメッキバンプ１１が形成された構成
を有するものである。なお、ベアチップＩＣ４は、Ａｌ
パッド５の一部を除いて第１の実施の形態と同様に保護
膜８で覆われている。

【００２７】この実施の形態のベアチップＩＣ４の構成
においても、要するに、突起電極となるメッキバンプ１
１とＡｌパッド５との間に、所謂スペース材となる有機
膜層２０が存在する点で第１の実施の形態と共通するも
のであり、その有機膜層２０もポリイミド樹脂で形成さ
れ、その厚みは略１０±５μｍ程度である。

【００２８】第２の実施の形態に係るベアチップＩＣ４
の突起電極の形成方法について、図１１〜１４に基づい
て説明する。なお、共通電極膜９を形成するまでの工
程、即ち、第１の実施の形態で説明した図２〜６までの
工程を経るものであって、共通電極膜９の構成成分が相
違するのみである。つまり、共通電極膜９は、蒸着法或
いはスパッタリング法により形成するものであって、そ
の共通電極膜９は、後の工程で電解メッキが施しやすい
ように、アルミニウム−クロム−銅の順に連続して３層
の積層被膜として形成する。そして、各層における被膜
の膜厚は、アルミニウム１μｍ、クロム０．１μｍ、銅
１μｍ程度としたものである。

【００２９】このようにベアチップＩＣ４のチップ端子
となるＡｌパッド５上に、弾性層または有機膜層２０を
有し、且つこれを包み込むようにして共通電極膜９が形
成された後（図６の状態）に、図１１で示したように、
フォトリソグラフィ手段により、メッキレジスト２３を
形成する。このメッキレジスト２３は、メッキ液に対し
て耐性のある環化ゴム系の材料が使用され、その厚みを
略２０μｍ程度にすると共に、弾性層または有機膜層２
０の頂部に対応する位置に、突起電極を形成するための
開口部２３ａが設けられ、該開口部の大きさは有機膜層
２０の頂部の径よりも、片側２μｍ程度小さ目に形成さ
れている。

【００３０】そして、次の工程で、図１２に示したよう
に、電解メッキ法によりメッキバンプ１１を形成する。
この時の電解メッキ液は、シアン化金カリウムを主成分
としたメッキ液であって、メッキバンプ１１の厚み（高
さ）は、メッキレジスト２３の厚みを越えない程度にす
る。

【００３１】メッキバンプ１１の形成後に、メッキレジ
スト２３を専用の剥離液で除去した後に、図１３に示し
たように、エッチングレジスト２４を形成する。このエ
ッチングレジスト２４は、環化ゴム系の材料が使用さ
れ、その大きさはＡｌパッド５の開口部よりも広く（片
側で少なくとも５μｍ程度大きい）、好ましくはＡｌパ
ッド５と略対応する大きさ（広さ）にパターンニングし
て形成される。

【００３２】その後に、図１４に示したように、共通電
極膜９をエッチングすると、エッチングレジスト２４で
覆われている部分以外は全部除去される。このエッチン
グ工程において、共通電極膜９は３層構造であるため、
銅のエッチングには硝酸を主成分とするエッチャントを
用い、クロムとアルミニウムのエッチングには、赤血塩
と水酸化ナトリウムを主成分としたエッチング液を用い
る。そして、エッチング液が、保護膜８を越えてＡｌパ
ッド５にまで侵入しないようにエッチング工程を遂行す
る。

【００３３】エッチング工程が終了した後に、エッチン
グレジスト２４を専用の剥離液を用いて剥離すると、図
１０に示したような突起電極（メッキバンプ１１）付き
のベアチップＩＣ４が形成されるのである。

【００３４】いづれの実施の形態においても、突起電極
となるバンプを、ベアチップＩＣ４のチップ端子となる
Ａｌパッド５上に、弾性層または有機膜層２０を介して
形成したものであり、そのベアチップＩＣの実装におい
てバンプ自体は潰れるが弾性層または有機膜層２０はほ
とんど潰れないことから、間隔維持の機能を発揮するも
のである。

【００３５】このように構成されたベアチップＩＣ４を
所定のプリント配線基板に実装した状況を図１５〜１６
に基づいて説明すると、図１５に示したように、プリン
ト配線基板３０には、プリント配線３１ａ、３１ｂの厚
み、即ち、高さバラツキがある場合であって、両プリン
ト配線３１ａ、３１ｂには高低差が生じている。このよ
うな場合に、例えば、第１または第２の実施の形態に係
るベアチップＩＣ４の実装で、突起電極６（１１）の潰
れ度合いに大きな差、即ち、大きく潰れる位置と、あま
り潰れない位置とが生ずる。

【００３６】特に、突起電極６（１１）が大きく潰れて
も、弾性層または有機膜層２０はほとんど潰れないた
め、ベアチップＩＣ４とプリント配線基板３０とは、少
なくとも弾性層または有機膜層２０の厚み分の間隔以上
は維持されることになり、異常接近によるＩＣ回路面に
ダメージが生じないのである。

【００３７】また、図１６に示したように、プリント配
線基板３０において、段差３２がある場合には、予め段
差３２の低い方に形成されたプリント配線３１ｃ側に接
続される突起電極６（１１）には弾性層または有機膜層
２０を形成し、段差３２の高い方に形成されたプリント
配線３１ｄ側に接続される突起電極６（１１）は、Ａｌ
パッド５上に形成すれば良いのである。

【００３８】このような場合には、図４に示したエッチ
ングレジスト２１を形成する際に、予めベアチップ実装
において、段差３２の低い方に対応する側のＡｌパッド
５にのみエッチングレジスト２１を形成して、山形の皮
膜２０ａを残すようにすればよいのであって、その後の
工程で共通電極膜９を形成する際に、一方においては山
形の皮膜２０ａを覆うように共通電極膜９が形成され、
他方においてはＡｌパッド５に直接共通電極膜９が形成
されるようにすれば良いのである。そして、それぞれの
共通電極膜に対して同じ高さの突起電極、即ち、スタッ
ドバンプ６またはメッキバンプ１１を形成するものであ
る。

【００３９】従って、プリント配線基板３０に極端な段
差３２がある場合には、予めその段差３２に対応して弾
性層または有機膜層２０の形成が選択できるのであり、
その結果、ベアチップ実装において、プリント配線基板
３０とベアチップＩＣ４とが異常接近することがなく、
ＩＣ回路面にダメージを生じさせないので、実装不良が
解消されるのである。

【００４０】いずれにしても、本発明のベアチップＩＣ
においては、チップ端子となるＡＩパッドに突起電極を
形成するに当たって、所定厚さまたは高さのスペーサ材
となる弾性層または有機膜層を形成して、ベアチップ実
装工程でプリント配線基板とベアチップＩＣとの間に、
少なくとも弾性層または有機膜層の間隔が維持されるよ
うにしたものである。そして、突起電極の形成方法とし
ては、ＡＩパッドとの間に弾性層または有機膜層を略均
等な厚みをもって確実に形成できるようにしたものであ
る。

【００４１】

【発明の効果】以上説明したように本発明に係るベアチ
ップＩＣは、チップ端子となるＡｌパッドに突起電極が
形成されたベアチップＩＣであって、該Ａｌパッドと突
起電極との間に弾性層または有機膜層を設けた構成にし
たことにより、ベアチップ実装において、プリント配線
基板のプリント配線に高さバラツキがあったり、或いは
プリント配線位置に段差があって、突起電極の潰れ度合
いに差が生じても、弾性層または有機膜層の存在によ
り、少なくともその厚み分だけベアチップＩＣとプリン
ト配線基板との間隔が維持されるので、異常接近による
ＩＣ回路面にダメージを与えず、ベアチップ実装不良等
を全面的に解消できるという優れた効果を奏する。

【００４２】また、本発明に係るベアチップＩＣにおけ
る突起電極の形成方法は、チップ端子となるＡｌパッド
上に弾性層または有機膜層を形成する工程と、該弾性層
または有機膜層上に共通電極膜を形成する工程と、該共
通電極膜上に突起電極を形成する工程とからなるもので
あり、ベアチップ実装において所定の間隔を維持するた
めの弾性層または有機膜層を、Ａｌパッドと突起電極と
の間に容易に形成することができるという優れた効果を
奏する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施の形態に係るベアチップＩ
Ｃの要部を拡大して示した略示的断面図である。

【図２】同第１の実施の形態に係るベアチップＩＣの突
起電極を形成する工程における保護膜の形成状況を示す
要部のみの略示的断面図である。

【図３】同ベアチップＩＣの突起電極を形成する工程に
おける弾性層または有機膜層の形成状況を示す要部のみ
の略示的断面図である。

【図４】同弾性層または有機膜層に対するエッチングレ
ジストの形成状況を示す要部のみの略示的断面図であ
る。

【図５】同弾性層または有機膜層をエッチングした状況
を示す要部のみの略示的断面図である。

【図６】同弾性層または有機膜層をエッチングした後
に、共通電極膜を形成した状況を示す要部のみの略示的
断面図である。

【図７】同共通電極膜を形成した後に、共通電極膜上に
エッチングレジストを形成した状況を示す要部のみの略
示的断面図である。

【図８】同共通電極膜上にエッチングレジストを形成し
た後に、エッチングした状況を示す要部のみの略示的断
面図である。

【図９】同共通電極膜をエッチングした後に、エッチン
グレジストを除去した状況を示す要部のみの略示的断面
図である。

【図１０】本発明の第２の実施の形態に係るベアチップ
ＩＣの要部を拡大して示した略示的断面図である。

【図１１】同第２の実施の形態に係るベアチップＩＣの
突起電極を形成する工程で、ベアチップＩＣに弾性層ま
たは有機膜層と共通電極膜を形成した後に、共通電極膜
上にメッキレジストを形成した状況を示す要部のみの略
示的断面図である。

【図１２】同共通電極膜上に電解メッキを施してメッキ
バンプの突起電極を形成した状況を示す要部のみの略示
的断面図である。

【図１３】同共通電極膜上のメッキレジストを除去した
後に、エッチングレジストを形成した状況を示す要部の
みの略示的断面図である。

【図１４】同共通電極膜上にエッチングレジストを形成
した後に、エッチングした状況を示す要部のみの略示的
断面図である。

【図１５】本発明に係るベアチップＩＣをプリント配線
基板に実装した状況の一例を示す略示的断面図である。

【図１６】本発明に係る他の例のベアチップＩＣをプリ
ント配線基板に実装した状況を示す略示的断面図であ
る。

【図１７】従来技術に係るスタッドバンプの形成方法を
略示的に示した説明図である。

【図１８】同形成方法における金ワイヤーの状況を示す
要部の拡大図である。

【図１９】同形成方法におけるバンプの形成途上を拡大
して示した説明図である。

【図２０】同形成方法で形成されたスタッドバンプの拡
大図である。

【図２１】同形成方法で形成されたスタッドバンプのレ
ベリング加工状況を示す説明図である。

【図２２】従来技術に係るメッキバンプの形成方法で、
共通電極膜を形成した状況を示す要部のみの略示的拡大
断面図である。

【図２３】同共通電極膜上にメッキレジストを形成した
状況を示す要部のみの略示的断面図である。

【図２４】同共通電極膜上に電解メッキを施してメッキ
バンプの突起電極を形成した状況を示す要部のみの略示
的断面図である。

【図２５】同共通電極膜上のメッキレジストを除去した
状況を示す要部のみの略示的断面図である。

【図２６】同形成方法で形成されたメッキバンプ付きの
ベアチップＩＣの要部のみを示す略示的拡大断面図であ
る。

【符号の説明】

１ 金ワイヤー； １ａ ボール状部； ２ キャピラ
リー；３ トーチ電極； ４ ベアチップＩＣ； ５
ＡＩパッド；６、１１ 突起電極（スタッドバンプとメ
ッキバンプ）；７ 押し付け治具； ８ 保護膜； ９
共通電極膜；１０、２３ メッキレジスト； ２０
弾性層または有機膜層；２０ａ ポリイミド樹脂被膜；
２１、２２、２４ エッチングレジスト；２３ａ 開
口部； ３０ プリント配線基板；３１ａ、３１ｂ、３
１ｃ、３１ｄ プリント配線、３２ 段差。６ リール
バネ； ７ リッド； ８、９ 窓部； １０、１１
透明板；１２、１３ ガイド部材； １５〜１５ｅ、１
６ 温度検知手段。

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 チップ端子となるＡｌパッドに突起電極
   が形成されたベアチップＩＣであって、 該Ａｌパッドと突起電極との間に弾性層または有機膜層
   を設けたことを特徴とするベアチップＩＣ。
2. 【請求項２】 突起電極は、 Ａｌパッドと電気的に結合している共通電極膜を介して
   形成されている請求項１に記載のベアチップＩＣ。
3. 【請求項３】 突起電極が、 スタッドバンプまたはメッキバンプである請求項１に記
   載のベアチップＩＣ。
4. 【請求項４】 弾性層または有機膜層は、 実装されるプリント配線基板に対応して選択的に設けら
   れている請求項１に記載のベアチップＩＣ。
5. 【請求項５】 ベアチップＩＣにおけるチップ端子とな
   るＡｌパッドに突起電極を形成する方法であって、 該Ａｌパッド上に弾性層または有機膜層を形成する工程
   と、 該弾性層または有機膜層上に共通電極膜を形成する工程
   と、 該共通電極膜上に突起電極を形成する工程とからなるこ
   とを特徴とするベアチップＩＣにおける突起電極の形成
   方法。
6. 【請求項６】 弾性層または有機膜層は、 ポリイミド樹脂で形成する請求項５に記載のベアチップ
   ＩＣにおける突起電極の形成方法。
7. 【請求項７】 弾性層または有機膜層は、 周面がテーパ面の山形に形成されている請求項５に記載
   のベアチップＩＣにおける突起電極の形成方法。
8. 【請求項８】 弾性層または有機膜層は、 １０±５μｍの厚みに形成されている請求項５に記載の
   ベアチップＩＣにおける突起電極の形成方法。