JP2000294926A - Manufacture of multilayer printed wiring board - Google Patents

Manufacture of multilayer printed wiring board

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JP2000294926A
JP2000294926A JP2000086737A JP2000086737A JP2000294926A JP 2000294926 A JP2000294926 A JP 2000294926A JP 2000086737 A JP2000086737 A JP 2000086737A JP 2000086737 A JP2000086737 A JP 2000086737A JP 2000294926 A JP2000294926 A JP 2000294926A
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是則 池田
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  • Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To prevent insulation reliability between conductor circuits from decreasing by eliminating a catalyst nucleus and an electroless plating film residue remaining at a part, where no conductor circuits are formed out of a resin insulation layer surface with chromic acid. SOLUTION: An interlayer resin insulation layer 2 is formed on a wiring board 1, the surface of an adhesive layer 2b used for the insulation layer 2 is subjected to roughening treatment, and a catalyst for electroless plating is given to the roughened wiring board 1. Then, the surface of the adhesive layer 2b is subjected to electroless plating, an electroless plating film 12 is formed on the entire roughened surface of the adhesive layer 2b, and a plating resist 3 is formed on it. Then, after the plating resist 3 is eliminated, the electroless plating film 12 under the plating resist 3 is eliminated by etching liquid as an independent conductor circuit. Then, the surface of the adhesive layer 2b at the part, where no conductor circuits are formed, is etched by a chromic acid, a recessed part is formed, then a roughened layer 11 is formed on the surface of the conductor circuit, and the interlayer resin insulation layer 2 and an upper-layer conductor circuit are formed.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、多層プリント配線
板およびその製造方法に関し、とくに、導体回路間のシ
ョートが少ない多層プリント配線板とその製造方法につ
いて提案する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a multilayer printed wiring board and a method for manufacturing the same, and more particularly, to a multilayer printed wiring board with few short circuits between conductor circuits and a method for manufacturing the same.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、多層配線基板の高密度化という要
請から、いわゆるビルドアップ多層配線基板が注目され
ている。このビルドアップ多層配線基板は、例えば特公
平4−55555 号公報に開示されているような方法により
製造される。即ち、コア基板上に、感光性の無電解めっ
き用接着剤からなる絶縁材を塗布し、これを乾燥したの
ち露光現像することにより、バイアホール用開口を有す
る層間絶縁材層を形成し、次いで、この層間絶縁材層の
表面を酸化剤等による処理にて粗化したのち、その粗化
面にめっきレジストを設け、その後、レジスト非形成部
分に無電解めっきを施してバイアホール、導体回路を形
成し、このような工程を複数回繰り返すことにより、多
層化したビルドアップ多層配線基板が得られる。
2. Description of the Related Art In recent years, so-called build-up multilayer wiring boards have been receiving attention due to a demand for higher density of the multilayer wiring boards. This build-up multilayer wiring board is manufactured by a method disclosed in, for example, Japanese Patent Publication No. 4-55555. That is, on the core substrate, an insulating material made of a photosensitive electroless plating adhesive is applied, and dried and then exposed and developed to form an interlayer insulating material layer having a via hole opening, After roughening the surface of the interlayer insulating material layer by treatment with an oxidizing agent or the like, a plating resist is provided on the roughened surface, and then electroless plating is performed on a non-resist forming portion to form a via hole and a conductor circuit. By forming and repeating such steps a plurality of times, a multilayered build-up multilayer wiring board can be obtained.

【0003】このようなビルドアップ多層配線基板にお
いて、導体回路はめっきレジストの非形成部分に設けら
れ、そのめっきレジストは内層にそのまま残存する。そ
のため、かかる配線基板にICチップ等を搭載すると、
ヒートサイクル時にICチップと樹脂絶縁層との熱膨張
率の差により基板が反る。その結果、密着性の悪いめっ
きレジストと導体回路との境界部分に応力が集中し、こ
の境界部分に接触する層間樹脂絶縁層にクラックが発生
してしまうという問題があった。
In such a build-up multilayer wiring board, the conductor circuit is provided in a portion where no plating resist is formed, and the plating resist remains as it is in the inner layer. Therefore, when an IC chip or the like is mounted on such a wiring board,
During the heat cycle, the substrate warps due to the difference in thermal expansion coefficient between the IC chip and the resin insulating layer. As a result, stress is concentrated on the boundary between the plating resist having poor adhesion and the conductor circuit, and there is a problem that cracks occur in the interlayer resin insulating layer in contact with the boundary.

【0004】このようなクラックの発生を抑制する手段
として、めっきレジストを除去した後、導体回路表面に
粗化層を形成する(例えば、無電解めっきにより銅−ニ
ッケル−リン合金からなる粗化層を形成する)ことによ
り、かかる導体回路上に形成する層間樹脂絶縁層との密
着性を改善する方法がある。ここで、めっきレジストを
除去した導体回路を形成する方法として、めっきレジ
ストを形成して、そのレジスト非形成部分に無電解めっ
きを施した後、めっきレジストを除去する方法と、無
電解めっきの薄膜を全面に形成した基板に、めっきレジ
ストを形成して、そのレジスト非形成部分に電解めっき
を施した後、めっきレジストとめっきレジスト下の無電
解めっき膜を除去する方法がある。
As a means for suppressing such cracks, a roughening layer is formed on the surface of a conductor circuit after removing a plating resist (for example, a roughening layer made of a copper-nickel-phosphorus alloy by electroless plating). To improve the adhesion to the interlayer resin insulating layer formed on the conductor circuit. Here, as a method of forming a conductor circuit from which a plating resist has been removed, a method of forming a plating resist, performing electroless plating on a portion where the resist is not formed, and then removing the plating resist, and a thin film of electroless plating. There is a method in which a plating resist is formed on a substrate on which the entire surface is formed, electroless plating is performed on a portion where the resist is not formed, and then the plating resist and the electroless plating film under the plating resist are removed.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記
およびの方法はいずれも、導体回路非形成部分(導体
回路間)に無電解めっきを析出させるための触媒核を付
与することになり、導体回路間における絶縁性の低下を
招きやすい。また、上記の方法においては、除去しき
れなかった無電解めっき膜が残渣となり、やはり絶縁性
の低下を招きやすい。
However, in both of the above methods, a catalyst nucleus for depositing electroless plating is provided on a portion where no conductor circuit is formed (between conductor circuits). Tends to cause a decrease in insulation properties. Further, in the above method, the electroless plating film that cannot be completely removed becomes a residue, which also tends to cause a decrease in insulation.

【0006】そのため、このままの状態で、上記クラッ
クの発生を抑制するために無電解めっきによる粗化層を
形成しようとすると、導体回路非形成部分(導体回路
間)に触媒核や無電解めっき膜が残存するために、その
部分にも銅−ニッケル−リン合金などの粗化層が形成さ
れ、導体回路間をショートさせてしまうという問題があ
った。
Therefore, in this state, if an attempt is made to form a roughened layer by electroless plating in order to suppress the occurrence of the cracks, a catalyst nucleus or an electroless plated film is formed in a portion where conductor circuits are not formed (between conductor circuits). Remains, a roughened layer of a copper-nickel-phosphorus alloy or the like is formed also in that portion, and there is a problem that a short circuit occurs between the conductor circuits.

【0007】そこで本発明は、上述した課題を解決する
ためになされたものであり、その主たる目的は、導体回
路の少なくとも一部を無電解めっき膜で構成することに
よって生じる導体回路間の絶縁信頼性の低下を有効に防
止できる技術を提案することにある。また本発明の他の
目的は、導体回路非形成部分(導体回路間)にめっきを
析出させることなく、無電解めっきによる粗化層を導体
回路表面のみに形成し得る技術を提案することにある。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and a main object of the present invention is to provide an insulation reliability between conductor circuits caused by forming at least a part of the conductor circuit with an electroless plating film. It is an object of the present invention to propose a technique capable of effectively preventing the deterioration of the performance. Another object of the present invention is to propose a technique capable of forming a roughened layer by electroless plating only on the surface of a conductor circuit without depositing plating on portions where conductor circuits are not formed (between conductor circuits). .

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】発明者らは、上記目的の
実現に向け鋭意研究を行った結果、以下に示す内容を要
旨構成とする発明に想到した。すなわち、基板に形成し
た樹脂絶縁層表面に粗化層を形成し、その粗化層表面
に、無電解めっき用触媒核を付与して無電解めっき膜を
形成し、次いで、めっきレジストを設けて電解めっき処
理を施してからそのめっきレジストを除去し、その後、
めっきレジスト下の無電解めっき膜をエッチング処理す
ることにより、導体回路を形成する多層プリント配線板
の製造方法において、前記樹脂絶縁層表面のうちの導体
回路非形成部に残存する触媒核およびまたは無電解めっ
き膜残渣を、クロム酸によって除去することを特徴とす
る多層プリント配線板の製造方法である。
Means for Solving the Problems The inventors of the present invention have conducted intensive studies for realizing the above-mentioned object, and as a result, have conceived an invention having the following features as the main constitutions. That is, a roughened layer is formed on the surface of the resin insulating layer formed on the substrate, a catalyst nucleus for electroless plating is applied to the surface of the roughened layer to form an electroless plated film, and then a plating resist is provided. After performing the electrolytic plating process, the plating resist is removed, and then,
In a method of manufacturing a multilayer printed wiring board for forming a conductive circuit by etching a non-electrolytic plating film under a plating resist, a catalyst nucleus and / or a non-conductive core remaining in a conductive circuit non-formed portion on the surface of the resin insulating layer. A method for manufacturing a multilayer printed wiring board, comprising removing electrolytic plating film residues with chromic acid.

【0009】なお、上記の多層プリント配線板の製造方
法において、導体回路は、その表面には無電解めっきに
よって粗化層、望ましくは銅−ニッケル−リンの合金め
っきにより形成したものを有することが好ましい。
In the above-described method for manufacturing a multilayer printed wiring board, the conductor circuit may have a surface formed by a roughening layer by electroless plating, preferably by an alloy plating of copper-nickel-phosphorus. preferable.

【0010】また、上記の多層プリント配線板の製造方
法において、クロム酸の濃度は、700〜900g/lがよ
い。この範囲内では、導体回路を過剰に溶解させること
なく、樹脂絶縁層表面をエッチングできるからである。
また、処理温度は50〜80℃、浸漬時間は1〜5分程度がよ
い。
In the above-mentioned method for manufacturing a multilayer printed wiring board, the concentration of chromic acid is preferably 700 to 900 g / l. Within this range, the surface of the resin insulating layer can be etched without excessively dissolving the conductor circuit.
The treatment temperature is preferably 50 to 80 ° C., and the immersion time is preferably about 1 to 5 minutes.

【0011】[0011]

【発明の実施の形態】本発明の多層プリント配線板の製
造方法は、粗化層が施された樹脂絶縁層表面のうちの導
体回路非形成部分を、クロム酸によるエッチング処理を
することにより、該部分に残存する無電解めっき用触媒
核およびまたはめっき膜残渣を除去させたことに特徴が
ある。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION A method for manufacturing a multilayer printed wiring board according to the present invention comprises etching a portion of a resin insulating layer surface provided with a roughened layer where a conductor circuit is not formed with chromic acid. It is characterized in that the catalyst nucleus for electroless plating and / or the residue of the plating film remaining in the portion are removed.

【0012】このような構成により、無電解めっき膜の
形成に使用された触媒核や無電解めっき膜の残渣を除去
することができるので、絶縁信頼性に優れる多層プリン
ト配線板を提供することができる。特に、導体回路非形
成部分(導体回路間)の触媒核を効果的に除去すること
ができるので、導体回路表面を粗化するための無電解め
っきを施した場合でもその部分にめっきが析出すること
はなく、導体回路間が短絡することもない。
With this configuration, the catalyst nuclei used for forming the electroless plating film and the residue of the electroless plating film can be removed, so that a multilayer printed wiring board having excellent insulation reliability can be provided. it can. In particular, since catalyst nuclei in portions where conductor circuits are not formed (between conductor circuits) can be effectively removed, even when electroless plating for roughening the surface of conductor circuits is performed, plating is deposited on those portions. No short circuit occurs between the conductor circuits.

【0013】このような本発明において、上記触媒核の
残存量は、0.01〜1.0 μg/cm2 に調整することがより
好ましい。この理由は、触媒核の残存量を少なくしよう
とすると、樹脂絶縁層のみならず、導体回路まで溶解さ
せてしまう場合があるからである。なお、触媒核の残存
量は、次のようにして測定した。 .触媒核が付着した基板を6N塩酸に浸漬し、そのまま
24時間放置する。 .触媒核を構成する金属イオン(パラジウムなど)の
塩酸液中での濃度を、原子吸光法により測定する。 .上記で測定した濃度から、基板の導体回路非形成
部分に付着していた触媒核量を金属イオン量で計算し、
この金属イオン量を基板に露出した触媒核付与面の面積
で除して、触媒核量から基板に露出した触媒核付与面の
面積当たりの金属イオン量を計算する。
In the present invention, the remaining amount of the catalyst core is more preferably adjusted to 0.01 to 1.0 μg / cm 2 . The reason for this is that if an attempt is made to reduce the remaining amount of the catalyst nuclei, not only the resin insulating layer but also the conductor circuit may be dissolved. In addition, the residual amount of the catalyst core was measured as follows. . Immerse the substrate with catalyst nuclei in 6N hydrochloric acid and leave
Leave for 24 hours. . The concentration of metal ions (such as palladium) constituting the catalyst core in a hydrochloric acid solution is measured by an atomic absorption method. . From the concentration measured above, calculate the amount of catalyst nuclei attached to the conductive circuit non-formed portion of the substrate by the amount of metal ions,
The amount of metal ions is divided by the area of the catalyst nucleus providing surface exposed on the substrate to calculate the amount of metal ions per area of the catalyst nucleus providing surface exposed on the substrate from the amount of catalyst nuclei.

【0014】本発明において、樹脂絶縁層表面のうちの
導体回路非形成部分のエッチング処理は、クロム酸で行
う。特に、クロム酸の濃度は、700〜900 g/lが好ま
しい。この範囲内では、導体回路を過剰に溶解させるこ
となく、樹脂絶縁層表面をエッチングできるからであ
る。また、処理温度は50〜80℃、浸漬時間は1〜5分程
度がよい。
In the present invention, the portion of the surface of the resin insulating layer where the conductive circuit is not formed is etched with chromic acid. In particular, the concentration of chromic acid is preferably from 700 to 900 g / l. Within this range, the surface of the resin insulating layer can be etched without excessively dissolving the conductor circuit. The treatment temperature is preferably 50 to 80 ° C., and the immersion time is preferably about 1 to 5 minutes.

【0015】このようなエッチング処理による樹脂絶縁
層の除去量、即ち窪みの深さは、0.1〜10μm、好まし
くは1〜6μm、より好ましくは3〜5μmがよい。この理
由は、導体回路非形成部分の樹脂絶縁層表面に残存する
触媒核や無電解めっき膜をエッチングして溶解除去する
場合に、残存する無電解めっき膜を確実に除去すること
ができ、かつ不必要な窪みにより、その上に形成される
層間樹脂絶縁層の平滑性を低下させることがないからで
ある。また、樹脂絶縁層表面のうちの導体回路非形成部
分(導体回路間の樹脂絶縁層表面)を過剰にエッチング
すると、導体回路下の樹脂絶縁層まで溶解し、いわゆる
アンダーカットを生じ、このアンダーカットの部分に気
泡が残留しやすくなる上、導体回路の密着強度を低下さ
せるため好ましくない。この点、窪みの深さが上記範囲
にあれば、このようなアンダーカットを小さくすること
ができる。
The removal amount of the resin insulating layer by such etching treatment, that is, the depth of the depression is preferably 0.1 to 10 μm, preferably 1 to 6 μm, and more preferably 3 to 5 μm. The reason is that when the catalyst nuclei and the electroless plating film remaining on the surface of the resin insulating layer where the conductive circuit is not formed are dissolved and removed by etching, the remaining electroless plating film can be surely removed, and This is because unnecessary recesses do not reduce the smoothness of the interlayer resin insulating layer formed thereon. Also, if a portion of the surface of the resin insulation layer where no conductor circuit is formed (the surface of the resin insulation layer between the conductor circuits) is excessively etched, the resin insulation layer below the conductor circuit is melted and a so-called undercut occurs. This is not preferable because air bubbles are likely to remain in the portion and the adhesion strength of the conductor circuit is reduced. In this regard, if the depth of the depression is within the above range, such undercut can be reduced.

【0016】本発明においては、上記樹脂絶縁層として
無電解めっき用接着剤を使用する場合、上記エッチング
処理により形成された樹脂絶縁層の窪みの壁面もまた粗
化される(図1(i) ,図13参照)。その結果、本発明に
よれば、導体回路上にさらに形成される層間樹脂絶縁層
との密着性が向上し、高温、多湿条件下で発生しやすい
層間剥離を抑制することができる。
In the present invention, when an adhesive for electroless plating is used as the resin insulating layer, the wall surfaces of the depressions of the resin insulating layer formed by the etching treatment are also roughened (FIG. 1 (i)). , FIG. 13). As a result, according to the present invention, the adhesion to the interlayer resin insulating layer further formed on the conductor circuit is improved, and the delamination that easily occurs under high temperature and high humidity conditions can be suppressed.

【0017】本発明では、導体回路が電解めっき膜と無
電解めっき膜とで構成され、より内層側に無電解めっき
膜が形成され、より外層側に電解めっき膜が形成されて
いる。この理由は、電解めっき膜は無電解めっき膜より
柔らかく展性に富む。このため、電解めっき膜を含む導
体回路は、ヒートサイクル時に基板のそりが発生して
も、層間樹脂絶縁層の寸法変化に追従できるからであ
る。しかも、導体回路表面に粗化層が設けられている
と、層間樹脂絶縁層と強固に密着し、層間樹脂絶縁層の
寸法変化に導体回路がより追従しやすくなる。
In the present invention, the conductor circuit is constituted by the electrolytic plating film and the electroless plating film, the electroless plating film is formed on the inner layer side, and the electrolytic plating film is formed on the outer layer side. The reason is that the electrolytic plating film is softer and more malleable than the electroless plating film. For this reason, the conductor circuit including the electrolytic plating film can follow the dimensional change of the interlayer resin insulating layer even if the substrate warps during the heat cycle. In addition, when the roughened layer is provided on the surface of the conductive circuit, the conductive circuit adheres firmly to the interlayer resin insulating layer, and the conductive circuit more easily follows the dimensional change of the interlayer resin insulating layer.

【0018】このため、ICチップを搭載して−55℃〜
125 ℃のヒートサイクル試験を行った場合、導体回路を
起点とする層間樹脂絶縁層のクラックの発生を抑制で
き、また剥離も見られない。さらに、より内層側に電解
めっき膜よりも硬い無電解めっき膜を形成した導体回路
によれば、ピール強度を低下させることもない。ピール
強度は、導体回路の内層側面の硬さが硬い程大きくなる
ためである。
For this reason, when the IC chip is mounted,
When a heat cycle test at 125 ° C. is performed, generation of cracks in the interlayer resin insulating layer starting from the conductor circuit can be suppressed, and no peeling is observed. Furthermore, according to the conductor circuit in which an electroless plating film harder than the electrolytic plating film is formed on the inner layer side, the peel strength does not decrease. This is because the peel strength increases as the hardness of the inner layer side surface of the conductor circuit increases.

【0019】ここで、上記導体回路を構成する無電解め
っき膜の厚さは、0.1 〜5μmの範囲内であることが望
ましく、1〜5μmが好適である。この理由は、無電解め
っき膜が厚すぎると、導体回路非形成部分の膜がエッチ
ング除去できず、逆に薄すぎると、導体回路のピール強
度の低下を招いたり、また電解めっきを施す際の抵抗値
が大きくなって、めっき膜の厚さにバラツキが発生して
しまうからである。
Here, the thickness of the electroless plating film constituting the conductor circuit is preferably in the range of 0.1 to 5 μm, and more preferably 1 to 5 μm. The reason for this is that if the electroless plating film is too thick, the film in the portion where the conductor circuit is not formed cannot be removed by etching.If the film is too thin, on the other hand, the peel strength of the conductor circuit may be reduced, or when electroplating is performed. This is because the resistance value increases and the thickness of the plating film varies.

【0020】また、上記導体回路を構成する電解めっき
膜の厚さは、10〜40μmの範囲内であることが望まし
く、10〜20μmが好適である。この理由は、電解めっき
膜が厚すぎるとピール強度の低下を招き、逆に薄すぎる
と層間樹脂絶縁層との追従性が低下するからである。
The thickness of the electrolytic plating film constituting the conductor circuit is desirably in the range of 10 to 40 μm, preferably 10 to 20 μm. The reason for this is that if the electrolytic plating film is too thick, the peel strength is reduced, and if it is too thin, the ability to follow the interlayer resin insulating layer is reduced.

【0021】このような導体回路表面には粗化層が形成
されている。この粗化層を形成する理由は、ヒートサイ
クル試験にて、導体回路とその上層の層間樹脂絶縁層と
の密着不良に起因して生じる層間樹脂絶縁層のクラック
を有効に防止するためである。
A roughened layer is formed on the surface of such a conductor circuit. The reason for forming the roughened layer is to effectively prevent cracks in the interlayer resin insulating layer caused by poor adhesion between the conductor circuit and the interlayer resin insulating layer thereover in a heat cycle test.

【0022】この粗化層は、無電解めっき膜を用いるの
がよい。特に銅−ニッケル−リンからなる合金めっき層
であることが好ましい。かかる合金層は、針状結晶層で
あり、層間樹脂絶縁層との密着性に優れるからである。
As this roughened layer, an electroless plating film is preferably used. In particular, an alloy plating layer composed of copper-nickel-phosphorus is preferable. This is because such an alloy layer is a needle-like crystal layer and has excellent adhesion to the interlayer resin insulating layer.

【0023】この合金層の組成は、銅、ニッケル、リン
の割合で、それぞれ90〜96wt%、1〜5wt%、 0.5〜2wt
%であることが望ましい。これらの組成割合のときに、
針状の構造を示すからである。
The composition of the alloy layer is 90 to 96 wt%, 1 to 5 wt%, 0.5 to 2 wt% in terms of copper, nickel and phosphorus, respectively.
% Is desirable. At these composition ratios,
This is because it shows a needle-like structure.

【0024】このような粗化層は、厚みを1〜10μmと
することが望ましく、1〜5μmが好適である。この理由
は、厚すぎると粗化層自体が損傷したり剥離しやすく、
一方、薄すぎると層間樹脂絶縁層との密着性が低下する
からである。
Such a roughened layer preferably has a thickness of 1 to 10 μm, more preferably 1 to 5 μm. The reason is that if it is too thick, the roughened layer itself is easily damaged or peeled off,
On the other hand, if the thickness is too small, the adhesion to the interlayer resin insulating layer is reduced.

【0025】本発明では、配線基板を構成する上記樹脂
絶縁層として無電解めっき用接着剤を用いることが望ま
しい。この無電解めっき用接着剤は、硬化処理された酸
あるいは酸化剤に可溶性の耐熱性樹脂粒子が、硬化処理
によって酸あるいは酸化剤に難溶性となる未硬化の耐熱
性樹脂中に分散されてなるものが最適である。
In the present invention, it is desirable to use an adhesive for electroless plating as the resin insulating layer constituting the wiring board. This adhesive for electroless plating is obtained by dispersing heat-resistant resin particles soluble in a cured acid or oxidizing agent in an uncured heat-resistant resin which becomes hardly soluble in an acid or an oxidizing agent by the curing treatment. Things are best.

【0026】上記無電解めっき用接着剤において、特に
硬化処理された前記耐熱性樹脂粒子としては、平均粒
径が10μm以下の耐熱性樹脂粉末、平均粒径が2μm
以下の耐熱性樹脂粉末を凝集させた凝集粒子、平均粒
径が2〜10μmの耐熱性粉末樹脂粉末と平均粒径が2μm
以下の耐熱性樹脂粉末との混合物、平均粒径が2〜10
μmの耐熱性樹脂粉末の表面に平均粒径が2μm以下の
耐熱性樹脂粉末または無機粉末のいずれか少なくとも1
種を付着させてなる疑似粒子、平均粒子径0.8〜2.0μ
mの耐熱性樹脂粉末と平均粒子径 0.1〜0.8μmの耐熱
性樹脂粉末との混合物、から選ばれるいずれか少なくと
も1種を用いることが望ましい。これらは、より複雑な
アンカーを形成できるからである。
In the above-mentioned adhesive for electroless plating, particularly as the heat-resistant resin particles subjected to the curing treatment, a heat-resistant resin powder having an average particle diameter of 10 μm or less, an average particle diameter of 2 μm
Aggregated particles obtained by aggregating the following heat-resistant resin powder, heat-resistant powder resin powder having an average particle diameter of 2 to 10 μm and an average particle diameter of 2 μm
Mixture with the following heat-resistant resin powder, average particle size is 2 to 10
at least one of a heat-resistant resin powder and an inorganic powder having an average particle size of 2 μm or less on the surface of the heat-resistant resin powder of μm.
Pseudo particles with seeds attached, average particle size 0.8-2.0μ
m, and a mixture of a heat-resistant resin powder having a mean particle diameter of 0.1 to 0.8 μm and at least one selected from the group consisting of: This is because they can form more complex anchors.

【0027】次に、本発明の多層プリント配線板を製造
する一方法について説明する。 (1)まず、コア基板の表面に内層銅パターンを形成した
配線基板を作製する。このコア基板への銅パターンの形
成は、銅張積層板をエッチングして行うか、あるいは、
ガラスエポキシ基板やポリイミド基板、セラミック基
板、金属基板などの基板に無電解めっき用接着剤層を形
成し、この接着剤層表面を粗化して粗化面とし、ここに
無電解めっきを施して行う方法がある。
Next, one method of manufacturing the multilayer printed wiring board of the present invention will be described. (1) First, a wiring board having an inner copper pattern formed on the surface of a core board is manufactured. The copper pattern is formed on the core substrate by etching the copper clad laminate, or
An adhesive layer for electroless plating is formed on a substrate such as a glass epoxy substrate, a polyimide substrate, a ceramic substrate, or a metal substrate, and the surface of the adhesive layer is roughened to a roughened surface, which is then subjected to electroless plating. There is a way.

【0028】さらに必要に応じて、上記配線基板表面に
銅−ニッケル−リンからなる粗化層を形成することがで
きる。この粗化層は、無電解めっきにより形成される。
その無電解めっきには、銅イオン濃度、ニッケルイオン
濃度、次亜リン酸イオン濃度が、それぞれ 2.2×10-2
4.1×10-2 mol/l、 2.2×10-3〜 4.1×10-3 mol/
l、0.20〜0.25 mol/lである組成のめっき液を用いる
ことが望ましい。この理由は、かかる組成範囲で析出す
る皮膜は、その結晶構造が針状構造になり、アンカー効
果に優れるからである。なお、上記めっき液には上記化
合物に加えて錯化剤や添加剤を加えてもよい。
Further, if necessary, a roughened layer made of copper-nickel-phosphorus can be formed on the surface of the wiring board. This roughened layer is formed by electroless plating.
The electroless plating has a copper ion concentration, a nickel ion concentration, and a hypophosphite ion concentration of 2.2 × 10 -2 ~
4.1 × 10 -2 mol / l, 2.2 × 10 -3 to 4.1 × 10 -3 mol /
It is desirable to use a plating solution having a composition of 0.20 to 0.25 mol / l. The reason for this is that a film deposited in such a composition range has a needle-like crystal structure and is excellent in anchor effect. Note that a complexing agent or an additive may be added to the plating solution in addition to the compound.

【0029】この他に、粗化層の形成方法としては、酸
化(黒化)−還元処理、銅表面を粒界に沿ってエッチン
グして粗化面を形成する方法、あるいはメック社製の商
品名「メックエッチボンド」なるエッチング液で粗化処
理する方法がある。なお、コア基板には、スルーホール
が形成され、このスルーホールを介して表面と裏面の配
線層を電気的に接続することができる。また、スルーホ
ールおよびコア基板の導体回路間には樹脂が充填され
て、平滑性を確保してもよい。
Other methods of forming the roughened layer include an oxidation (blackening) -reduction treatment, a method of forming a roughened surface by etching a copper surface along a grain boundary, or a product manufactured by MEC Corporation. There is a method of performing a roughening treatment with an etching solution having a name of “MEC etch bond”. Note that a through hole is formed in the core substrate, and the wiring layer on the front surface and the back surface can be electrically connected through the through hole. Further, a resin may be filled between the through hole and the conductor circuit of the core substrate to ensure smoothness.

【0030】(2)前記(1)で作製した配線基板の上に、層
間樹脂絶縁層を形成する。特に本発明では、層間樹脂絶
縁材として前述した無電解めっき用接着剤を用いること
が望ましい(図1(a) 参照)。
(2) An interlayer resin insulation layer is formed on the wiring board prepared in (1). In particular, in the present invention, it is desirable to use the above-described adhesive for electroless plating as an interlayer resin insulating material (see FIG. 1A).

【0031】(3)次に、硬化した前記接着剤層の表面に
存在するエポキシ樹脂粒子を酸あるいは酸化剤によって
溶解除去し、接着剤層表面を粗化処理する(図1(b) 参
照)。ここで、上記酸としては、リン酸、塩酸、硫酸、
あるいは蟻酸や酢酸などの有機酸があるが、特に有機酸
を用いることが望ましい。粗化処理した場合に、バイア
ホールから露出する金属導体層を腐食させにくいからで
ある。一方、上記酸化剤としては、クロム酸、過マンガ
ン酸塩(過マンガン酸カリウムなど)を用いることが望
ましい。
(3) Next, the epoxy resin particles present on the surface of the cured adhesive layer are dissolved and removed with an acid or an oxidizing agent, and the surface of the adhesive layer is roughened (see FIG. 1 (b)). . Here, as the acid, phosphoric acid, hydrochloric acid, sulfuric acid,
Alternatively, there are organic acids such as formic acid and acetic acid, and it is particularly preferable to use an organic acid. This is because when the roughening treatment is performed, the metal conductor layer exposed from the via hole is hardly corroded. On the other hand, it is desirable to use chromic acid and permanganate (such as potassium permanganate) as the oxidizing agent.

【0032】(4)次に、接着剤層表面を粗化した配線基
板に、無電解めっき用触媒核を付与する。触媒核の付与
には、貴金属イオンや貴金属コロイドなどを用いること
が望ましく、一般的には、塩化パラジウムやパラジウム
コロイドを使用する。なお、触媒核を固定するために加
熱処理を行うことが望ましい。このような触媒核として
はパラジウムがよい。
(4) Next, a catalyst nucleus for electroless plating is applied to the wiring board whose surface of the adhesive layer has been roughened. It is desirable to use a noble metal ion or a noble metal colloid for providing the catalyst nucleus, and generally, palladium chloride or a palladium colloid is used. Note that it is desirable to perform a heat treatment to fix the catalyst core. Palladium is preferred as such a catalyst core.

【0033】(5)次に、接着剤層表面に無電解めっきを
施し、接着剤層の粗化面全面に無電解めっき膜を形成す
る(図1(c) 参照)。このときの無電解めっき膜の厚み
は、1〜5μmとする。
(5) Next, electroless plating is applied to the surface of the adhesive layer, and an electroless plating film is formed on the entire roughened surface of the adhesive layer (see FIG. 1 (c)). At this time, the thickness of the electroless plating film is 1 to 5 μm.

【0034】(6)次に、無電解めっき膜上にめっきレジ
ストを形成する(図1(d) 参照)。めっきレジスト組成
物としては、特にクレゾールノボラックやフェノールノ
ボラック型エポキシ樹脂のアクリレートとイミダゾール
硬化剤からなる組成物を用いることが望ましいが、他に
市販品を使用することもできる。
(6) Next, a plating resist is formed on the electroless plating film (see FIG. 1 (d)). As the plating resist composition, it is particularly desirable to use a composition comprising an acrylate of a cresol novolak or a phenol novolak type epoxy resin and an imidazole curing agent, but other commercially available products can also be used.

【0035】(7)次に、めっきレジスト非形成部に電解
めっきを施し、導体回路ならびにバイアホールを形成す
る(図1(e) 参照)。ここで、上記電解めっきとして
は、銅めっきを用いることが望ましい。
(7) Next, electrolytic plating is applied to the portion where the plating resist is not formed to form a conductor circuit and a via hole (see FIG. 1 (e)). Here, it is desirable to use copper plating as the electrolytic plating.

【0036】(8)さらに、めっきレジストを除去した
後、めっきレジスト下の無電解めっき膜を、過酸化水素
と硫酸の混合液、過硫酸ナトリウム、過硫酸カリウム、
過硫酸アンモニウムなどのエッチング液で溶解除去し
て、独立した導体回路とする(図1(f) 参照)。
(8) Further, after the plating resist is removed, the electroless plating film under the plating resist is replaced with a mixed solution of hydrogen peroxide and sulfuric acid, sodium persulfate, potassium persulfate,
It is dissolved and removed with an etching solution such as ammonium persulfate to form an independent conductor circuit (see FIG. 1 (f)).

【0037】(9)次に、導体回路非形成部分に位置する
接着剤層の表面をクロム酸でエッチング処理し、その部
分の接着剤層表面を 0.1〜10μm、好ましくは1〜6μ
m、より好ましくは3〜5μm溶解させ、窪みを形成する
(図1(g) 参照)。
(9) Next, the surface of the adhesive layer located at the portion where the conductive circuit is not formed is etched with chromic acid, and the surface of the adhesive layer at that portion is 0.1 to 10 μm, preferably 1 to 6 μm.
m, more preferably 3-5 μm, to form a depression (see FIG. 1 (g)).

【0038】(10)そして、導体回路の表面に粗化層を形
成する(図1(h) 参照)。粗化層の形成方法としては、
銅−ニッケル−リン合金層による粗化層を無電解めっき
により析出させる方法がある。この合金の無電解めっき
には、硫酸銅1〜40g/l、硫酸ニッケル 0.1〜6.0g
/l、クエン酸10〜20g/l、次亜リン酸塩10〜100g
/l、ホウ酸10〜40g/l、界面活性剤0.01〜10g/l
からなる液組成のめっき浴を用いることが望ましい。
(10) Then, a roughened layer is formed on the surface of the conductor circuit (see FIG. 1 (h)). As a method of forming the roughened layer,
There is a method of depositing a roughened layer of a copper-nickel-phosphorus alloy layer by electroless plating. For electroless plating of this alloy, copper sulfate 1-40 g / l, nickel sulfate 0.1-6.0 g
/ L, citric acid 10-20 g / l, hypophosphite 10-100 g
/ L, boric acid 10-40 g / l, surfactant 0.01-10 g / l
It is desirable to use a plating bath having a solution composition of

【0039】(11)そしてさらに、前記 (2)〜(8) を繰り
返すことにより、層間樹脂絶縁層と上層の導体回路を形
成する(図1(i) 参照)。
(11) Further, by repeating the above (2) to (8), an interlayer resin insulating layer and an upper conductive circuit are formed (see FIG. 1 (i)).

【0040】[0040]

【実施例】(実施例1) (1)DMDG(ジエチレングリコールジメチルエーテ
ル)に溶解したクレゾールノボラック型エポキシ樹脂
(日本化薬製、分子量2500)の25%アクリル化物を70重
量部、ポリエーテルスルフォン(PES)30重量部、イ
ミダゾール硬化剤(四国化成製、商品名:2E4MZ-CN)4
重量部、感光性モノマーであるカプロラクトン変成トリ
ス(アクロキシエチル)イソシアヌレート(東亜合成
製、商品名:アロニックスM325 )10重量部、光開始剤
としてのベンゾフェノン(関東化学製)5重量部、光増
感剤としてのミヒラーケトン(関東化学製)0.5 重量
部、さらにこの混合物に対してエポキシ樹脂粒子の平均
粒径 5.5μmのものを35重量部、平均粒径 0.5μmのも
のを5重量部を混合した後、NMP(ノルマルメチルピ
ロリドン)を添加しながら混合し、ホモディスパー攪拌
機で粘度12Pa・sに調整し、続いて3本ロールで混練し
て感光性接着剤溶液(層間樹脂絶縁材)を得た。
EXAMPLES (Example 1) (1) 70% by weight of 25% acrylate of cresol novolak type epoxy resin (manufactured by Nippon Kayaku, molecular weight 2500) dissolved in DMDG (diethylene glycol dimethyl ether), polyether sulfone (PES) 30 parts by weight, imidazole curing agent (Shikoku Chemicals, trade name: 2E4MZ-CN) 4
Parts by weight, 10 parts by weight of caprolactone-modified tris (acryloxyethyl) isocyanurate (trade name: Alonix M325) manufactured by Toagosei Co., Ltd., 5 parts by weight of benzophenone (Kanto Chemical) as a photoinitiator, 0.5 parts by weight of Michler's ketone (manufactured by Kanto Chemical Co.) as a sensitizer, 35 parts by weight of epoxy resin particles having an average particle size of 5.5 μm and 5 parts by weight of an epoxy resin particle having an average particle size of 0.5 μm were mixed with this mixture. Thereafter, mixing was performed while adding NMP (normal methylpyrrolidone), and the viscosity was adjusted to 12 Pa · s with a homodisper stirrer, followed by kneading with three rolls to obtain a photosensitive adhesive solution (interlayer resin insulating material). .

【0041】(2)前記(1) で得た感光性接着剤溶液を、
基板に、ロールコータを用いて塗布し、水平状態で20分
間放置してから、60℃で30分間の乾燥を行い、厚さ60μ
mの無電解めっき用接着剤層2を形成した(図1(a)参
照)。 (3)前記基板を、クロム酸に2分間浸漬し、接着剤層表
面に存在するエポキシ樹脂粒子を溶解除去して、当該接
着剤層2の表面を粗化し、その後、中和溶液(シプレイ
社製)に浸漬してから水洗した(図1(b)参照)。
(2) The photosensitive adhesive solution obtained in the above (1) is
Apply to the substrate using a roll coater, leave it in a horizontal state for 20 minutes, dry it at 60 ° C for 30 minutes,
m of the adhesive layer 2 for electroless plating was formed (see FIG. 1A). (3) The substrate is immersed in chromic acid for 2 minutes to dissolve and remove the epoxy resin particles present on the surface of the adhesive layer, roughen the surface of the adhesive layer 2, and then neutralize the substrate with a neutralizing solution (Shipley Co., Ltd.). ) And washed with water (see Fig. 1 (b)).

【0042】(4)前記接着剤層2に粗面を形成した(粗
化深さ20μm)基板に対し、パラジウム触媒(アトテッ
ク製)を付与することにより、接着剤層2およびバイア
ホール用開口の表面に触媒核を付与した(図示しな
い)。
(4) By applying a palladium catalyst (manufactured by Atotech) to a substrate having a rough surface (roughening depth: 20 μm) formed on the adhesive layer 2, the adhesive layer 2 and the opening for the via hole are formed. Catalyst nuclei were provided on the surface (not shown).

【0043】(5)以下の組成の無電解銅めっき浴中に基
板を浸漬して、粗面全体に厚さ3μmの無電解銅めっき
膜12を形成した(図1(c)参照)。 〔無電解めっき液〕 EDTA 150 g/l 硫酸銅 20 g/l HCHO 30 ml/l NaOH 40 g/l α、α’−ビピリジル 80 mg/l PEG 0.1 g/l 〔無電解めっき条件〕70℃の液温度で30分
(5) The substrate was immersed in an electroless copper plating bath having the following composition to form an electroless copper plating film 12 having a thickness of 3 μm on the entire rough surface (see FIG. 1 (c)). [Electroless plating solution] EDTA 150 g / l Copper sulfate 20 g / l HCHO 30 ml / l NaOH 40 g / l α, α'-bipyridyl 80 mg / l PEG 0.1 g / l [Electroless plating conditions] 70 ° C. 30 minutes at liquid temperature

【0044】(6) 前記(5) で形成した無電解銅めっき膜
12上に市販の感光性ドライフィルムを貼り付け、このド
ライフィルム上にマスクを載置して、100mJ/cm2 で露
光してから 0.8%炭酸ナトリウムで現像処理し、厚さ15
μmのめっきレジスト3を設けた(図1(d)参照)。
(6) Electroless copper plating film formed in the above (5)
A commercially available photosensitive dry film is stuck on 12 and a mask is placed on the dry film, exposed at 100 mJ / cm 2 , developed with 0.8% sodium carbonate, and processed to a thickness of 15%.
A μm plating resist 3 was provided (see FIG. 1 (d)).

【0045】(7) 次に、めっきレジスト非形成部分に、
以下の条件で電解銅めっきを施し、厚さ15μmの電解銅
めっき膜13を形成した(図1(e)参照)。 〔電解めっき液〕 硫酸 180 g/l 硫酸銅 80 g/l 添加剤(アトテックジャパン製 商品名:カパラシドGL) 1 ml/l 〔電解めっき条件〕 電流密度 1A/dm2 時間 30分 温度 室温
(7) Next, in the portion where the plating resist is not formed,
Electrolytic copper plating under the following conditions, electrolytic copper of 15μm thickness
A plating film 13 was formed (see FIG. 1 (e)). [Electroplating solution] Sulfuric acid 180 g / l Copper sulfate 80 g / l Additive (trade name: Capparaside GL, manufactured by Atotech Japan) 1 ml / l [Electroplating conditions] Current density 1 A / dmTwo  Time 30 minutes Temperature Room temperature

【0046】(8) めっきレジスト3を5%KOHで剥離除
去した後、そのめっきレジスト3下の無電解めっき膜12
を、硫酸と過酸化水素の混合液でエッチング処理して溶
解除去し、無電解銅めっき膜12と電解銅めっき膜13から
なる厚さ18μmの導体回路4を形成した(図1(f)参
照)。 (9) 導体回路4を形成した基板を70℃で800g/l のクロ
ム酸に5分間浸漬して、導体回路非形成部分に位置する
無電解めっき用接着剤層2の表面を、3μmエッチング処
理して溶解除去させ、触媒核が付着した面を除去して窪
み18を形成した(図1(g)参照)。
(8) After the plating resist 3 is peeled off with 5% KOH, the electroless plating film 12 under the plating resist 3 is removed.
Was dissolved and removed by etching with a mixed solution of sulfuric acid and hydrogen peroxide to form a 18 μm thick conductor circuit 4 composed of an electroless copper plating film 12 and an electrolytic copper plating film 13 (see FIG. 1 (f)). ). (9) The substrate on which the conductive circuit 4 is formed is immersed in chromic acid of 800 g / l at 70 ° C. for 5 minutes, and the surface of the adhesive layer 2 for electroless plating located at the part where the conductive circuit is not formed is etched by 3 μm. Then, the surface to which the catalyst nuclei were attached was removed to form a depression 18 (see FIG. 1 (g)).

【0047】(10)基板を、硫酸銅8g/l、硫酸ニッケ
ル 0.6g/l、クエン酸15g/l、次亜リン酸ナトリウ
ム29g/l、ホウ酸31g/l、界面活性剤 0.1g/lか
らなるpH=9の無電解めっき液に浸漬し、該導体回路
の表面に厚さ3μmの銅−ニッケル−リンからなる粗化
層11を形成した(図1(h)参照)。 (11)無電解めっき用接着剤層2′および上層の導体回路
5を、上記(1)〜(8)の処理を繰り返してさらに形成した
(図1(i)参照)。
(10) The substrate was made of copper sulfate 8 g / l, nickel sulfate 0.6 g / l, citric acid 15 g / l, sodium hypophosphite 29 g / l, boric acid 31 g / l, surfactant 0.1 g / l Was immersed in an electroless plating solution having a pH of 9 to form a roughened layer 11 made of copper-nickel-phosphorus having a thickness of 3 μm on the surface of the conductor circuit (see FIG. 1 (h)). (11) Adhesive layer 2 'for electroless plating and upper conductive circuit
5 was further formed by repeating the above processes (1) to (8) (see FIG. 1 (i)).

【0048】(実施例2) A.無電解めっき用接着剤組成物の調製 .クレゾールノボラック型エポキシ樹脂(日本化薬
製、分子量2500)の25%アクリル化物を80wt%の濃度で
DMDGに溶解させた樹脂液を35重量部、感光性モノマ
ー(東亜合成製、アロニックスM315 )3.15重量部、消
泡剤(サンノプコ製、S−65)0.5 重量部、NMP3.6
重量部を攪拌混合した。 .ポリエーテルスルフォン(PES)12重量部、エポ
キシ樹脂粒子(三洋化成製、ポリマーポール)の平均粒
径 1.0μmのものを7.2 重量部、平均粒径0.5μmのも
の3.09重量部を混合した後、さらにNMP30重量部を添
加し、ビーズミルで攪拌混合した。 .イミダゾール硬化剤(四国化成製、2E4MZ-CN)2重
量部、光開始剤(チバガイギー製、イルガキュア I−9
07 )2重量部、光増感剤(日本化薬製、DETX-S)0.2
重量部、NMP1.5 重量部を攪拌混合した。これらを混
合して無電解めっき用接着剤組成物を調製した。
Example 2 A. Preparation of adhesive composition for electroless plating. 35 parts by weight of a resin solution prepared by dissolving a 25% acrylated cresol novolak type epoxy resin (manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd., molecular weight 2500) in DMDG at a concentration of 80 wt%, 35 parts by weight, and 3.15 parts by weight of a photosensitive monomer (Alonix M315 manufactured by Toa Gosei) Parts, defoamer (manufactured by San Nopco, S-65) 0.5 parts by weight, NMP 3.6
The parts by weight were mixed with stirring. . After mixing 12 parts by weight of polyethersulfone (PES), 7.2 parts by weight of an epoxy resin particle (manufactured by Sanyo Chemical Industries, polymer pole) having an average particle size of 1.0 μm, and 3.09 parts by weight of an epoxy resin particle having an average particle size of 0.5 μm, 30 parts by weight of NMP was added and mixed by stirring with a bead mill. . 2 parts by weight of imidazole curing agent (2E4MZ-CN, manufactured by Shikoku Chemicals), photoinitiator (Irgacure I-9, manufactured by Ciba-Geigy)
07) 2 parts by weight, photosensitizer (Nippon Kayaku, DETX-S) 0.2
Parts by weight and 1.5 parts by weight of NMP were mixed with stirring. These were mixed to prepare an adhesive composition for electroless plating.

【0049】B.下層の層間樹脂絶縁剤の調製 .クレゾールノボラック型エポキシ樹脂(日本化薬
製、分子量2500)の25%アクリル化物を80wt%の濃度で
DMDGに溶解させた樹脂液を35重量部、感光性モノマ
ー(東亜合成製、アロニックスM315 )4重量部、消泡
剤(サンノプコ製、S−65)0.5 重量部、NMPを3.6
重量部を攪拌混合した。 .ポリエーテルスルフォン(PES)12重量部、エポ
キシ樹脂粒子(三洋化成製、ポリマーポール)の平均粒
径 0.5μmのものを14.49 重量部、を混合した後、さら
にNMP30重量部を添加し、ビーズミルで攪拌混合し
た。 .イミダゾール硬化剤(四国化成製、2E4MZ-CN)2重
量部、光開始剤(チバガイギー製、イルガキュア I−9
07 )2重量部、光増感剤(日本化薬製、DETX-S)0.2
重量部、NMP1.5 重量部を攪拌混合した。 これらを混合して、2層構造の層間樹脂絶縁層を構成す
る下層側の絶縁剤層として用いられる樹脂組成物を調製
した。
B. Preparation of lower interlayer resin insulation agent 35 parts by weight of a resin solution prepared by dissolving a 25% acrylate of cresol novolac type epoxy resin (manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd., molecular weight: 2500) at a concentration of 80 wt% in DMDG, and 4 parts by weight of a photosensitive monomer (Toa Gosei Co., Aronix M315) Parts, 0.5 parts by weight of antifoaming agent (manufactured by San Nopco, S-65), 3.6 parts of NMP
The parts by weight were mixed with stirring. . After mixing 12 parts by weight of polyethersulfone (PES) and 14.49 parts by weight of an epoxy resin particle (manufactured by Sanyo Chemical Co., polymer pole) having an average particle size of 0.5 μm, further add 30 parts by weight of NMP and stir with a bead mill. Mixed. . 2 parts by weight of imidazole curing agent (2E4MZ-CN, manufactured by Shikoku Chemicals), photoinitiator (Irgacure I-9, manufactured by Ciba-Geigy)
07) 2 parts by weight, photosensitizer (Nippon Kayaku, DETX-S) 0.2
Parts by weight and 1.5 parts by weight of NMP were mixed with stirring. These were mixed to prepare a resin composition to be used as a lower insulating layer constituting a two-layer interlayer resin insulating layer.

【0050】C.樹脂充填剤の調製 .ビスフェノールF型エポキシモノマー(油化シェル
製、分子量310, YL983U)100重量部、表面にシランカッ
プリング剤がコーティングされた平均粒径 1.6μmのSi
O2 球状粒子(アドマテック製、CRS 1101−CE、ここ
で、最大粒子の大きさは後述する内層銅パターンの厚み
(15μm)以下とする) 170重量部、レベリング剤(サ
ンノプコ製、ペレノールS4)1.5 重量部を3本ロール
にて混練して、その混合物の粘度を23±1℃で45,000〜
49,000cps に調整した。 .イミダゾール硬化剤(四国化成製、2E4MZ-CN)6.5
重量部。 これらを混合して樹脂充填剤10を調製した。
C. Preparation of resin filler 100 parts by weight of bisphenol F type epoxy monomer (manufactured by Yuka Shell, molecular weight 310, YL983U), Si coated with a silane coupling agent on the surface and having an average particle size of 1.6 μm
O2 spherical particles (manufactured by Admatech, CRS 1101-CE, where the maximum particle size is less than or equal to the thickness (15 μm) of the inner layer copper pattern described below) 170 parts by weight, and a leveling agent (manufactured by San Nopco, Perenol S4) 1.5 parts by weight Part is kneaded with three rolls, and the viscosity of the mixture is 45,000 to 23 ± 1 ° C.
Adjusted to 49,000cps. . Imidazole curing agent (2E4MZ-CN, manufactured by Shikoku Chemicals) 6.5
Parts by weight. These were mixed to prepare a resin filler 10.

【0051】D.プリント配線板の製造方法 (1)厚さ1mmのガラスエポキシ樹脂またはBT(ビスマ
レイミドトリアジン)樹脂からなる基板1の両面に18μ
mの銅箔8がラミネートされている銅張積層板を出発材
料とした(図2参照)。まず、この銅張積層板をドリル
削孔し、無電解めっき処理を施し、パターン状にエッチ
ングすることにより、基板1の両面に内層銅パターン4と
スルーホール9を形成した。
D. Manufacturing method of printed wiring board (1) 18 μm on both sides of substrate 1 made of glass epoxy resin or BT (bismaleimide triazine) resin having a thickness of 1 mm
A copper-clad laminate on which m copper foils 8 were laminated was used as a starting material (see FIG. 2). First, the copper clad laminate was drilled, subjected to an electroless plating treatment, and etched in a pattern to form an inner copper pattern 4 and a through hole 9 on both surfaces of the substrate 1.

【0052】(2) 内層銅パターン4およびスルーホール9
を形成した基板を水洗いし、乾燥した後、酸化浴(黒化
浴)として、NaOH(10g/l)、NaClO2(40g/l)、
Na3PO4(6g/l)、還元浴として、NaOH(10g/
l),NaBH4 (6g/l)を用いた酸化−還元処理によ
り、内層銅パターン4およびスルーホール9の表面に粗化
層11を設けた(図3参照)。
(2) Inner layer copper pattern 4 and through hole 9
After the substrate on which was formed was washed with water and dried, NaOH (10 g / l), NaClO 2 (40 g / l),
Na 3 PO 4 (6 g / l), NaOH (10 g /
1), a roughened layer 11 was provided on the surface of the inner layer copper pattern 4 and the through hole 9 by oxidation-reduction treatment using NaBH 4 (6 g / l) (see FIG. 3).

【0053】(3) 樹脂充填剤10を、基板の片面にロール
コータを用いて塗布することにより、導体回路4間ある
いはスルーホール9内に充填し、70℃,20分間で乾燥さ
せ、他方の面についても同様にして樹脂充填剤10を導体
回路4間あるいはスルーホール9内に充填し、70℃,20分
間で加熱乾燥させた(図4参照)。
(3) The resin filler 10 is applied to one surface of the substrate using a roll coater to fill the space between the conductor circuits 4 or into the through holes 9, and is dried at 70 ° C. for 20 minutes. Similarly, the surface was filled with the resin filler 10 between the conductor circuits 4 or in the through holes 9 and dried by heating at 70 ° C. for 20 minutes (see FIG. 4).

【0054】(4) 前記(3)の処理を終えた基板の片面
を、#600 のベルト研磨紙(三共理化学製)を用いたベ
ルトサンダー研磨により、内層銅パターン4の表面やス
ルーホール9のランド表面に樹脂充填剤10が残らないよ
うに研磨し、次いで、前記ベルトサンダー研磨による傷
を取り除くためのバフ研磨を行った。このような一連の
研磨を基板の他方の面についても同様に行った。次い
で、100 ℃で1時間、120 ℃で3時間、150℃で1時間、18
0℃で7時間の加熱処理を行って樹脂充填剤10を硬化した
(図5参照)。
(4) One surface of the substrate after the treatment of (3) is subjected to belt sanding using # 600 belt abrasive paper (manufactured by Sankyo Rikagaku) to form the surface of the inner layer copper pattern 4 and the through holes 9. Polishing was performed so that the resin filler 10 did not remain on the land surface, and then buffing was performed to remove scratches due to the belt sander polishing. Such a series of polishing was similarly performed on the other surface of the substrate. Then, at 100 ° C for 1 hour, at 120 ° C for 3 hours, at 150 ° C for 1 hour,
The resin filler 10 was cured by performing a heat treatment at 0 ° C. for 7 hours (see FIG. 5).

【0055】このようにして、スルーホール9等に充填
された樹脂充填剤10の表層部および内層導体回路4上面
の粗化層11を除去して基板両面を平滑化し、樹脂充填剤
10と内層導体回路4の側面とが粗化層11を介して強固に
密着し、またスルーホール9の内壁面と樹脂充填剤10と
が粗化層11を介して強固に密着した配線基板を得た。即
ち、この工程により、樹脂充填剤10の表面と内層銅パタ
ーン4の表面が同一平面となる。ここで、充填した硬化
樹脂のTg点は155.6 ℃、線熱膨張係数は44.5×10-6
℃であった。
In this manner, the surface layer portion of the resin filler 10 filled in the through holes 9 and the like and the roughened layer 11 on the upper surface of the inner conductor circuit 4 are removed to smooth both surfaces of the substrate.
10 and the side surface of the inner conductor circuit 4 are firmly adhered to each other through the roughened layer 11, and the inner wall surface of the through hole 9 and the resin filler 10 are firmly adhered to each other through the roughened layer 11. Obtained. That is, by this step, the surface of the resin filler 10 and the surface of the inner layer copper pattern 4 become flush with each other. Here, the Tg point of the filled cured resin is 155.6 ° C., and the coefficient of linear thermal expansion is 44.5 × 10 −6 /
° C.

【0056】(5) 前記(4)の処理で露出した内層導体回
路4およびスルーホール9のランド上面に厚さ 2.5μmの
Cu−Ni−P合金からなる粗化層(凹凸層)11を形成し、
さらに、その粗化層11の表面に厚さ 0.3μmのSn層を設
けた(図6参照、但し、Sn層については図示しない)。
その形成方法は以下のようである。即ち、基板を酸性脱
脂してソフトエッチングし、次いで、塩化パラジウムと
有機酸からなる触媒溶液で処理して、Pd触媒を付与し、
この触媒を活性化した後、硫酸銅8g/l、硫酸ニッケ
ル 0.6g/l、クエン酸15g/l、次亜リン酸ナトリウ
ム29g/l、ホウ酸31g/l、界面活性剤 0.1g/l、
pH=9からなる無電解めっき浴にてめっきを施し、銅
導体回路4上面およびスルーホール9のランド上面にCu−
Ni−P合金の粗化層11を形成した。ついで、ホウフッ化
スズ0.1mol/l、チオ尿素1.0mol/l、温度50℃、pH
=1.2 の条件でCu−Sn置換反応させ、粗化層11の表面に
厚さ0.3 μmのSn層を設けた(Sn層については図示しな
い)。
(5) The inner layer conductor circuit 4 and the through-hole 9 exposed in the process (4) have a thickness of 2.5 μm
Forming a roughened layer (concavo-convex layer) 11 made of a Cu-Ni-P alloy,
Further, a Sn layer having a thickness of 0.3 μm was provided on the surface of the roughened layer 11 (see FIG. 6, but the Sn layer is not shown).
The formation method is as follows. That is, the substrate is acid-degreased and soft-etched, and then treated with a catalyst solution comprising palladium chloride and an organic acid to provide a Pd catalyst,
After activating this catalyst, copper sulfate 8 g / l, nickel sulfate 0.6 g / l, citric acid 15 g / l, sodium hypophosphite 29 g / l, boric acid 31 g / l, surfactant 0.1 g / l,
Plating is performed in an electroless plating bath consisting of pH = 9, and Cu-
A roughened layer 11 of a Ni-P alloy was formed. Then, tin borofluoride 0.1 mol / l, thiourea 1.0 mol / l, temperature 50 ° C, pH
= 1.2, Cu-Sn substitution reaction was performed to provide a 0.3 μm thick Sn layer on the surface of the roughened layer 11 (the Sn layer is not shown).

【0057】(6) 前記(5) の基板の両面に、Bの層間樹
脂絶縁剤(粘度1.5 Pa・s) をロールコータで塗布し、
水平状態で20分間放置してから、60℃で30分の乾燥(プ
リベーク)を行い、絶縁剤層2aを形成した。さらにこの
絶縁剤層2aの上にAの無電解めっき用接着剤(粘度7Pa
・s)をロールコータを用いて塗布し、水平状態で20分
間放置してから、60℃で30分の乾燥(プリベーク)を行
い、接着剤層2bを形成した(図7参照)。
(6) An interlayer resin insulating material of B (viscosity: 1.5 Pa · s) is applied to both surfaces of the substrate of (5) by a roll coater.
After being left in a horizontal state for 20 minutes, drying (prebaking) was performed at 60 ° C. for 30 minutes to form an insulating layer 2a. Further, an adhesive for electroless plating of A (viscosity 7 Pa) is placed on the insulating layer 2a.
S) was applied using a roll coater, left in a horizontal state for 20 minutes, and then dried (prebaked) at 60 ° C. for 30 minutes to form an adhesive layer 2b (see FIG. 7).

【0058】(7) 前記(6) で絶縁剤層2aおよび接着剤層
2bを形成した基板の両面に、85μmφの黒円が印刷され
たフォトマスクフィルムを密着させ、超高圧水銀灯によ
り 500mJ/cm2 で露光した。これをDMTG溶液でスプ
レー現像し、さらに、当該基板を超高圧水銀灯により30
00mJ/cm2 で露光し、100 ℃で1時間、その後 150℃で
3時間の加熱処理(ポストベーク)をすることにより、
フォトマスクフィルムに相当する寸法精度に優れた85μ
mφの開口(バイアホール形成用開口6)を有する厚さ
35μmの層間樹脂絶縁層(2層構造)2を形成した(図8
参照)。なお、バイアホールとなる開口には、スズめっ
き層を部分的に露出させた。
(7) The insulating layer 2a and the adhesive layer in the above (6)
A photomask film on which a black circle of 85 μmφ was printed was brought into close contact with both surfaces of the substrate on which 2b was formed, and was exposed at 500 mJ / cm 2 using an ultra-high pressure mercury lamp. This is spray-developed with a DMTG solution, and the substrate is further subjected to an ultra-high pressure mercury lamp for 30 minutes.
Exposure at 100 mJ / cm 2 and heat treatment (post bake) at 100 ° C. for 1 hour and then at 150 ° C. for 3 hours
85μ with excellent dimensional accuracy equivalent to a photomask film
Thickness with mφ opening (via hole forming opening 6)
A 35 μm interlayer resin insulation layer (two-layer structure) 2 was formed (FIG. 8).
reference). Note that the tin plating layer was partially exposed in the opening serving as the via hole.

【0059】(8) 開口が形成された基板を、クロム酸に
19分間浸漬し、層間樹脂絶縁層2の接着剤層2bの表面に
存在するエポキシ樹脂粒子を溶解除去することにより、
当該層間樹脂絶縁層2の表面を粗面(深さ4μm)とし、
その後、中和溶液(シプレイ社製)に浸漬してから水洗
いした(図9参照)。さらに、粗面化処理した該基板の
表面に、パラジウム触媒(アトテック製)を付与するこ
とにより、層間樹脂絶縁層2の表面およびバイアホール
用開口6の内壁面に触媒核を付けた。
(8) The substrate having the openings formed is treated with chromic acid.
By immersing for 19 minutes to dissolve and remove the epoxy resin particles present on the surface of the adhesive layer 2b of the interlayer resin insulating layer 2,
The surface of the interlayer resin insulation layer 2 is roughened (4 μm in depth),
Then, it was immersed in a neutralization solution (manufactured by Shipley) and washed with water (see FIG. 9). Further, a palladium catalyst (manufactured by Atotech) was applied to the surface of the substrate subjected to the surface roughening treatment, whereby catalyst nuclei were attached to the surface of the interlayer resin insulating layer 2 and the inner wall surface of the via hole opening 6.

【0060】(9) 以下の組成の無電解銅めっき浴中に基
板を浸漬して、粗面全体に厚さ0.7μmの無電解銅めっ
き膜12を形成した(図10参照)。 〔無電解めっき液〕 EDTA 150 g/l 硫酸銅 20 g/l HCHO 30 ml/l NaOH 40 g/l α、α’−ビピリジル 80 mg/l PEG 0.1 g/l 〔無電解めっき条件〕70℃の液温度で30分
(9) The substrate was immersed in an electroless copper plating bath having the following composition to form an electroless copper plating film 12 having a thickness of 0.7 μm on the entire rough surface (see FIG. 10). [Electroless plating solution] EDTA 150 g / l Copper sulfate 20 g / l HCHO 30 ml / l NaOH 40 g / l α, α'-bipyridyl 80 mg / l PEG 0.1 g / l [Electroless plating conditions] 70 ° C. 30 minutes at liquid temperature

【0061】(10)前記(9)で形成した無電解銅めっき膜1
2上に市販の感光性ドライフィルムを貼り付け、マスク
を載置して、100 mJ/cm2 で露光、0.8 %炭酸ナトリウ
ムで現像処理し、厚さ15μmのめっきレジスト3を設け
た(図11参照)。
(10) Electroless copper plating film 1 formed in (9)
A commercially available photosensitive dry film was stuck on 2 above, a mask was placed, exposed at 100 mJ / cm 2 , developed with 0.8% sodium carbonate, and provided with a plating resist 3 having a thickness of 15 μm (FIG. 11). reference).

【0062】(11)ついで、レジスト非形成部分に以下の
条件で電解銅めっきを施し、厚さ20μmの電解銅めっき
膜13を形成した(図12参照)。
(11) Next, electrolytic copper plating was applied to the non-resist-formed portions under the following conditions to form an electrolytic copper plating film 13 having a thickness of 20 μm (see FIG. 12).

【0063】(12)めっきレジスト3を5%KOHで剥離
除去した後、そのめっきレジスト3下の無電解めっき膜1
2を硫酸と過酸化水素の混合液でエッチング処理して溶
解除去し、無電解銅めっき膜12と電解銅めっき膜13から
なる厚さ18μmの導体回路(バイアホールを含む)5を
形成した。さらに、70℃で800g/l のクロム酸に3分間
浸漬して、導体回路非形成部分に位置する導体回路間の
無電解めっき用接着剤層の表面を1〜2μmエッチング処
理し、その表面に残存するパラジウム触媒を除去して窪
み18を形成した(図13参照)。
(12) After the plating resist 3 is peeled off with 5% KOH, the electroless plating film 1 under the plating resist 3 is removed.
2 was dissolved and removed by etching with a mixed solution of sulfuric acid and hydrogen peroxide to form a conductor circuit (including via holes) 5 having a thickness of 18 μm and comprising an electroless copper plating film 12 and an electrolytic copper plating film 13. Further, the surface of the adhesive layer for electroless plating between the conductor circuits located in the portion where the conductor circuits are not formed is immersed in chromic acid of 800 g / l for 3 minutes at 70 ° C., and the surface of the adhesive layer for electroless plating is etched by 1-2 μm. The remaining palladium catalyst was removed to form a depression 18 (see FIG. 13).

【0064】(13)導体回路5を形成した基板を、硫酸銅8
g/l、硫酸ニッケル 0.6g/l、クエン酸15g/l、
次亜リン酸ナトリウム29g/l、ホウ酸31g/l、界面
活性剤 0.1g/lからなるpH=9の無電解めっき液に
浸漬し、該導体回路5の表面に厚さ3μmの銅−ニッケル
−リンからなる粗化層11を形成した(図14参照)。この
とき、形成した粗化層11をEPMA(蛍光X線分析装
置)で分析したところ、Cu : 98mol%、Ni : 1.5 mol
%、P: 0.5mol%の組成比であった。さらに、ホウフッ
化スズ0.1mol/l、チオ尿素1.0mol/l、温度50℃、p
H=1.2 の条件でCu−Sn置換反応を行い、前記粗化層11
の表面に厚さ 0.3μmのSn層を設けた(Sn層については
図示しない)。
(13) The substrate on which the conductor circuit 5 is formed is
g / l, nickel sulfate 0.6 g / l, citric acid 15 g / l,
It was immersed in an electroless plating solution of pH 9 consisting of 29 g / l of sodium hypophosphite, 31 g / l of boric acid, and 0.1 g / l of a surfactant, and 3 μm-thick copper-nickel was formed on the surface of the conductor circuit 5. A roughened layer 11 made of phosphorus was formed (see FIG. 14). At this time, when the formed roughened layer 11 was analyzed by EPMA (X-ray fluorescence spectrometer), Cu: 98 mol%, Ni: 1.5 mol
%, P: 0.5 mol%. Furthermore, tin borofluoride 0.1 mol / l, thiourea 1.0 mol / l, temperature 50 ° C., p
A Cu—Sn substitution reaction was performed under the condition of H = 1.2,
Was provided with a 0.3 μm thick Sn layer (the Sn layer is not shown).

【0065】(14)前記(6)〜(13)の工程を繰り返すこと
により、さらに上層の導体回路を形成し、多層プリント
配線板を得た。但し、Sn置換は行わなかった(図15〜20
参照)。
(14) By repeating the above steps (6) to (13), a further upper layer conductive circuit was formed, and a multilayer printed wiring board was obtained. However, Sn substitution was not performed (FIGS. 15 to 20).
reference).

【0066】(15)一方、DMDGに溶解させた60重量%
のクレゾールノボラック型エポキシ樹脂(日本化薬製)
のエポキシ基50%をアクリル化した感光性付与のオリゴ
マー(分子量4000)を 46.67g、メチルエチルケトンに
溶解させた80重量%のビスフェノールA型エポキシ樹脂
(油化シェル製、エピコート1001)15.0g、イミダゾー
ル硬化剤(四国化成製、2E4MZ-CN)1.6 g、感光性モノ
マーである多価アクリルモノマー(日本化薬製、R604
)3g、同じく多価アクリルモノマー(共栄社化学製、
DPE6A ) 1.5g、分散系消泡剤(サンノプコ社製、S−
65)0.71gを混合し、さらにこの混合物に対して光開始
剤としてのベンゾフェノン(関東化学製)を2g、光増
感剤としてのミヒラーケトン(関東化学製)を 0.2g加
えて、粘度を25℃で 2.0Pa・sに調整したソルダーレジ
スト組成物を得た。なお、粘度測定は、B型粘度計(東
京計器、 DVL-B型)で 60rpmの場合はローターNo.4、6r
pmの場合はローターNo.3によった。
(15) On the other hand, 60% by weight dissolved in DMDG
Cresol novolak epoxy resin (Nippon Kayaku)
46.67 g of a photosensitizing oligomer (molecular weight 4000) obtained by acrylizing 50% of the epoxy groups of epoxy resin, 15.0 g of an 80 wt% bisphenol A type epoxy resin (made by Yuka Shell, Epicoat 1001) dissolved in methyl ethyl ketone, imidazole curing 1.6 g of an agent (2E4MZ-CN, manufactured by Shikoku Chemicals Co., Ltd.) and a polyacrylic monomer (R604, manufactured by Nippon Kayaku, a photosensitive monomer)
) 3 g, also polyvalent acrylic monomer (manufactured by Kyoeisha Chemical,
DPE6A) 1.5 g, dispersion antifoaming agent (manufactured by San Nopco, S-
65) 0.71 g was mixed, and 2 g of benzophenone (manufactured by Kanto Kagaku) as a photoinitiator and 0.2 g of Michler's ketone (manufactured by Kanto Kagaku) as a photosensitizer were added to the mixture. Thus, a solder resist composition adjusted to 2.0 Pa · s was obtained. The viscosity was measured using a B-type viscometer (Tokyo Keiki, DVL-B type) at 60 rpm with rotor No.4 and 6r.
In the case of pm, we used rotor No.3.

【0067】(16)前記(14)で得られた多層配線基板に、
Pd触媒を付与し、この触媒を活性化した後、硫酸銅8g
/l、硫酸ニッケル 0.6g/l、クエン酸15g/l、次
亜リン酸ナトリウム29g/l、ホウ酸31g/l、界面活
性剤 0.1g/l、pH=9からなる無電解めっき浴にてC
u−Ni−P合金めっきを施し、導体回路表面に粗化層11
を形成した。その多層配線基板の両面に、上記ソルダー
レジスト組成物を20μmの厚さで塗布した。次いで、70
℃で20分間、70℃で30分間の乾燥処理を行った後、円パ
ターン(マスクパターン)が描画された厚さ5mmのフ
ォトマスクフィルムを密着させて載置し、1000mJ/cm2
の紫外線で露光し、DMTG現像処理した。そしてさらに、
80℃で1時間、 100℃で1時間、 120℃で1時間、 150℃
で3時間の条件で加熱処理し、はんだパッド部分(バイ
アホールとそのランド部分を含む)を開口した(開口径
200μm)ソルダーレジスト層(厚み20μm)14を形成
した。
(16) On the multilayer wiring board obtained in the above (14),
After applying a Pd catalyst and activating this catalyst, copper sulfate 8 g
/ L, nickel sulfate 0.6g / l, citric acid 15g / l, sodium hypophosphite 29g / l, boric acid 31g / l, surfactant 0.1g / l, electroless plating bath consisting of pH = 9 C
u-Ni-P alloy plating and roughening layer 11
Was formed. The solder resist composition was applied to both sides of the multilayer wiring board in a thickness of 20 μm. Then 70
After performing a drying process at 20 ° C. for 20 minutes and at 70 ° C. for 30 minutes, a 5 mm-thick photomask film on which a circular pattern (mask pattern) is drawn is placed in close contact with it, and 1000 mJ / cm 2.
And subjected to DMTG development processing. And furthermore,
1 hour at 80 ° C, 1 hour at 100 ° C, 1 hour at 120 ° C, 150 ° C
Heat treatment under the conditions of 3 hours, to open the solder pad portion (including the via hole and its land portion) (opening diameter
A 200 μm) solder resist layer (thickness: 20 μm) 14 was formed.

【0068】(17)次に、ソルダーレジスト層14を形成し
た基板を、塩化ニッケル30g/l、次亜リン酸ナトリウ
ム10g/l、クエン酸ナトリウム10g/lからなるpH
=5の無電解ニッケルめっき液に20分間浸漬して、開口
部に厚さ5μmのニッケルめっき層15を形成した。さら
に、その基板を、シアン化金カリウム2g/l、塩化ア
ンモニウム75g/l、クエン酸ナトリウム50g/l、次
亜リン酸ナトリウム10g/lからなる無電解金めっき液
に93℃の条件で23秒間浸漬して、ニッケルめっき層15上
に厚さ0.03μmの金めっき層16を形成した。
(17) Next, the substrate on which the solder resist layer 14 has been formed is washed with a pH of 30 g / l of nickel chloride, 10 g / l of sodium hypophosphite, and 10 g / l of sodium citrate.
= 5 for 20 minutes to form a nickel plating layer 15 having a thickness of 5 μm at the opening. Further, the substrate was placed on an electroless gold plating solution comprising 2 g / l of potassium gold cyanide, 75 g / l of ammonium chloride, 50 g / l of sodium citrate, and 10 g / l of sodium hypophosphite at 93 ° C. for 23 seconds. By dipping, a gold plating layer 16 having a thickness of 0.03 μm was formed on the nickel plating layer 15.

【0069】(18)そして、ソルダーレジスト層14の開口
部に、はんだペーストを印刷して 200℃でリフローする
ことによりはんだバンプ(はんだ体)17を形成し、はん
だバンプ17を有するプリント配線板を製造した(図21参
照)。
(18) Then, a solder paste is printed in the opening of the solder resist layer 14 and reflowed at 200 ° C. to form a solder bump (solder body) 17. A printed wiring board having the solder bump 17 is formed. Manufactured (see FIG. 21).

【0070】(比較例)実施例2の工程(12)における触
媒核の除去を省略したこと以外は、実施例2と同様にし
てはんだバンプを有するプリント配線板を製造した。
Comparative Example A printed wiring board having solder bumps was manufactured in the same manner as in Example 2 except that the removal of the catalyst nucleus in Step (12) of Example 2 was omitted.

【0071】このようにして製造した実施例1、2および
比較例の配線板について、導体回路非形成部分に位置す
る接着剤層表面に残存するPd触媒量を評価した。な
お、本評価では、基板から露出した触媒核付与面の面積
を計算する手間を省くため、実施例1、2と同様の条件で
あるが、無電解めっき、電解めっきを施さない基板を製
造し、実施例1、2と同様の条件で触媒核を除去し、この
基板を5cm角に切り取って、これを試験体とした。比
較例についても触媒核を除去しないこと以外は同様にし
た。この試験体は、触媒核付与面が表裏面に存在するた
め、その面積は5×5×2=50cm である。 .触媒核が付着した試験体を6N塩酸に浸漬し、その
まま24時間放置した。 .触媒核を構成するパラジウムイオンの塩酸液中での
濃度を、原子吸光法により測定した。測定装置は、〔SA
S 7500A (セイコー電子工業(株)製)〕を使用した。 .上記で測定した濃度から、試験体に付着していた
触媒核量をパラジウムイオン換算で計算し、試験体の触
媒核付与面の単位面積当たりのパラジウムイオン量を計
算して評価した。
With respect to the wiring boards of Examples 1 and 2 and Comparative Example manufactured as described above, the amount of the Pd catalyst remaining on the surface of the adhesive layer located at the portion where the conductive circuit was not formed was evaluated. In this evaluation, in order to save the trouble of calculating the area of the catalyst nucleus-applied surface exposed from the substrate, the conditions were the same as in Examples 1 and 2, except that a substrate not subjected to electroless plating and electrolytic plating was manufactured. The catalyst nuclei were removed under the same conditions as in Examples 1 and 2, and the substrate was cut into a 5 cm square to obtain a test piece. The same applies to the comparative example except that the catalyst core was not removed. The surface area of this test body is 5 × 5 × 2 = 50 cm 2 because the catalyst nucleus providing surface exists on the front and back surfaces. . The test body to which the catalyst nuclei were attached was immersed in 6N hydrochloric acid and left as it was for 24 hours. . The concentration of palladium ions constituting the catalyst core in a hydrochloric acid solution was measured by an atomic absorption method. The measuring device is [SA
S 7500A (manufactured by Seiko Electronic Industry Co., Ltd.)] was used. . From the concentrations measured above, the amount of catalyst nuclei attached to the test specimen was calculated in terms of palladium ion, and the amount of palladium ions per unit area of the catalyst nucleus-applied surface of the test specimen was calculated and evaluated.

【0072】その結果、実施例1、2のパラジウムイオン
量は、それぞれ0.05μg/cm2 、0.1 μg/cm2 であっ
た。これに対し、比較例では、8μg/cm2 であった。
このため、実施例1、2においては、基板の導体回路非形
成部分に銅−ニッケル−リンの析出は見られなかった
が、比較例においては、その部分に銅−ニッケル−リン
の析出が観察された。また、導体回路間の導通を導通チ
ェッカーを用いて確認したところ、実施例1、2では、導
体回路間の短絡は見られなかったが、比較例では、短絡
が観察された。
As a result, the amounts of palladium ions in Examples 1 and 2 were 0.05 μg / cm 2 and 0.1 μg / cm 2 , respectively. On the other hand, in the comparative example, it was 8 μg / cm 2 .
For this reason, in Examples 1 and 2, no copper-nickel-phosphorous deposition was observed in the portion where the conductor circuit was not formed on the substrate, but in the comparative example, copper-nickel-phosphorous deposition was observed in that portion. Was done. When conduction between the conductor circuits was confirmed using a conduction checker, no short circuit was observed between the conductor circuits in Examples 1 and 2, but a short circuit was observed in the comparative example.

【0073】また、PCT試験(pressure cooker tes
t)を2気圧、湿度100 %、温度121℃、1000時間実施し
たところ、比較例では、導体回路とその上に形成された
無電解めっき用接着層との間に剥離が観察されたが、実
施例1、2では剥離は観察されなかった。実施例1では、
窪み18の底面だけでなく壁面も粗化されており、樹脂絶
縁層2と導体回路上に形成される無電解めっき用接着層
2′との密着性に優れているため、導体回路とその上に
形成される無電解めっき用接着層2′との密着性にも優
れると考えられる。
The PCT test (pressure cooker tes)
t) was performed at 2 atm, 100% humidity, 121 ° C. for 1000 hours, and in the comparative example, peeling was observed between the conductor circuit and the adhesive layer for electroless plating formed thereon, No peeling was observed in Examples 1 and 2. In Example 1,
Not only the bottom but also the wall of the recess 18 is roughened, and the adhesive layer for electroless plating formed on the resin insulation layer 2 and the conductor circuit
It is considered that the adhesiveness between the conductor circuit and the conductive layer and the adhesive layer 2 'for electroless plating formed thereon is excellent since the adhesiveness with 2' is excellent.

【0074】[0074]

【発明の効果】以上説明したように、本発明の多層プリ
ント配線板の製造方法によれば、無電解めっき膜の形成
に使用された触媒核や無電解めっき膜の残渣をクロム酸
によって除去することができるので、絶縁信頼性に優れ
る多層プリント配線板を提供することができる。特に、
導体回路非形成部分(導体回路間)の触媒核を効果的に
除去することができるので、導体回路表面を粗化するた
めの無電解めっきを施した場合でもその部分にめっきが
析出することはない。従って、導体回路間に短絡が発生
することもなく、導体回路間の絶縁信頼性を確保するこ
とが可能である。
As described above, according to the method for manufacturing a multilayer printed wiring board of the present invention, the catalyst nuclei used for forming the electroless plating film and the residue of the electroless plating film are removed by chromic acid. Therefore, a multilayer printed wiring board having excellent insulation reliability can be provided. In particular,
Since the catalyst nuclei in the portions where the conductor circuits are not formed (between the conductor circuits) can be effectively removed, even if electroless plating is performed to roughen the surface of the conductor circuits, plating will not deposit on those portions. Absent. Therefore, it is possible to ensure insulation reliability between the conductor circuits without causing a short circuit between the conductor circuits.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明にかかる多層プリント配線板の製造工程
図である。
FIG. 1 is a manufacturing process diagram of a multilayer printed wiring board according to the present invention.

【図2】実施例2における多層プリント配線板の各製造
工程を示す図である。
FIG. 2 is a view showing each manufacturing process of a multilayer printed wiring board in Example 2.

【図3】実施例2における多層プリント配線板の各製造
工程を示す図である。
FIG. 3 is a view showing each manufacturing process of a multilayer printed wiring board in Example 2.

【図4】実施例2における多層プリント配線板の各製造
工程を示す図である。
FIG. 4 is a diagram showing each manufacturing process of the multilayer printed wiring board in Example 2.

【図5】実施例2における多層プリント配線板の各製造
工程を示す図である。
FIG. 5 is a view showing each manufacturing process of the multilayer printed wiring board in Example 2.

【図6】実施例2における多層プリント配線板の各製造
工程を示す図である。
FIG. 6 is a diagram showing each manufacturing process of the multilayer printed wiring board in Example 2.

【図7】実施例2における多層プリント配線板の各製造
工程を示す図である。
FIG. 7 is a diagram showing each manufacturing process of the multilayer printed wiring board in Example 2.

【図8】実施例2における多層プリント配線板の各製造
工程を示す図である。
FIG. 8 is a diagram showing each manufacturing process of the multilayer printed wiring board in Example 2.

【図9】実施例2における多層プリント配線板の各製造
工程を示す図である。
FIG. 9 is a diagram showing each manufacturing process of the multilayer printed wiring board in Example 2.

【図10】実施例2における多層プリント配線板の各製
造工程を示す図である。
FIG. 10 is a diagram showing each manufacturing process of the multilayer printed wiring board in Example 2.

【図11】実施例2における多層プリント配線板の各製
造工程を示す図である。
FIG. 11 is a diagram showing each manufacturing process of the multilayer printed wiring board in Example 2.

【図12】実施例2における多層プリント配線板の各製
造工程を示す図である。
FIG. 12 is a diagram showing each manufacturing process of the multilayer printed wiring board in Example 2.

【図13】実施例2における多層プリント配線板の各製
造工程を示す図である。
FIG. 13 is a diagram showing each manufacturing process of the multilayer printed wiring board in Example 2.

【図14】実施例2における多層プリント配線板の各製
造工程を示す図である。
FIG. 14 is a diagram showing each manufacturing process of the multilayer printed wiring board in Example 2.

【図15】実施例2における多層プリント配線板の各製
造工程を示す図である。
FIG. 15 is a diagram showing each manufacturing process of the multilayer printed wiring board in Example 2.

【図16】実施例2における多層プリント配線板の各製
造工程を示す図である。
FIG. 16 is a diagram showing each manufacturing process of the multilayer printed wiring board in Example 2.

【図17】実施例2における多層プリント配線板の各製
造工程を示す図である。
FIG. 17 is a diagram showing each manufacturing process of the multilayer printed wiring board in Example 2.

【図18】実施例2における多層プリント配線板の各製
造工程を示す図である。
FIG. 18 is a diagram illustrating each manufacturing process of the multilayer printed wiring board in Example 2.

【図19】実施例2における多層プリント配線板の各製
造工程を示す図である。
FIG. 19 is a diagram showing each manufacturing process of the multilayer printed wiring board in Example 2.

【図20】実施例2における多層プリント配線板の各製
造工程を示す図である。
FIG. 20 is a diagram showing each manufacturing process of the multilayer printed wiring board in Example 2.

【図21】実施例2における多層プリント配線板の各製
造工程を示す図である。
FIG. 21 is a diagram illustrating each manufacturing process of the multilayer printed wiring board in Example 2.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 基板 2 層間樹脂絶縁層(無電解めっき用接着剤) 2’ 導体回路上に形成される層間樹脂絶縁層(無電解
めっき用接着剤層) 2a 絶縁剤層 2b 接着剤層 3 めっきレジスト 4 内層導体回路(内層銅パターン) 5 外層導体回路(外層銅パターン) 6 バイアホール用開口 7 バイアホール(BVH) 8 銅箔 9 スルーホール 10 充填樹脂(樹脂充填剤) 11 粗化層 12 無電解銅めっき膜 13 電解銅めっき膜 14 ソルダーレジスト層 15 ニッケルめっき層 16 金めっき層 17 はんだバンプ 18 窪み
Reference Signs List 1 substrate 2 interlayer resin insulating layer (adhesive for electroless plating) 2 'interlayer resin insulating layer (adhesive layer for electroless plating) formed on conductive circuit 2a insulating layer 2b adhesive layer 3 plating resist 4 inner layer Conductor circuit (Inner layer copper pattern) 5 Outer layer conductor circuit (Outer layer copper pattern) 6 Via hole opening 7 Via hole (BVH) 8 Copper foil 9 Through hole 10 Filling resin (resin filler) 11 Roughening layer 12 Electroless copper plating Film 13 Electrolytic copper plating film 14 Solder resist layer 15 Nickel plating layer 16 Gold plating layer 17 Solder bump 18 Depression

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 基板に形成した樹脂絶縁層表面に粗化層
を形成し、その粗化層表面に、無電解めっき用触媒核を
付与して無電解めっき膜を形成し、次いで、めっきレジ
ストを設けて電解めっき処理を施してからそのめっきレ
ジストを除去し、その後、めっきレジスト下の無電解め
っき膜をエッチング処理することにより、導体回路を形
成する多層プリント配線板の製造方法において、 前記樹脂絶縁層表面のうちの導体回路非形成部に残存す
る触媒核およびまたは無電解めっき膜の残渣をクロム酸
によって除去することを特徴とする多層プリント配線板
の製造方法。
1. A roughened layer is formed on a surface of a resin insulating layer formed on a substrate, and a catalyst nucleus for electroless plating is applied to the roughened layer to form an electroless plated film. The method for producing a multilayer printed wiring board for forming a conductive circuit by providing an electrolytic plating process and then removing the plating resist, and thereafter etching the electroless plating film under the plating resist, comprising: A method for manufacturing a multilayer printed wiring board, comprising removing, using chromic acid, catalyst nuclei and / or residues of an electroless plating film remaining in a portion where a conductor circuit is not formed on a surface of an insulating layer.
【請求項2】 前記導体回路の粗化層は、無電解めっき
によって形成させることを特徴とする請求項1に記載の
多層プリント配線板の製造方法。
2. The method according to claim 1, wherein the roughened layer of the conductive circuit is formed by electroless plating.
【請求項3】 前記クロム酸の濃度は、700〜900
g/lであることを特徴とする請求項1または2に記載
の多層プリント配線板の製造方法。
3. The concentration of the chromic acid is 700 to 900.
3. The method for producing a multilayer printed wiring board according to claim 1, wherein the method is g / l.
【請求項4】 前記クロム酸の液温は、50〜80℃で
あることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記
載の多層プリント配線板の製造方法。
4. The method for producing a multilayer printed wiring board according to claim 1, wherein the liquid temperature of the chromic acid is 50 to 80 ° C.
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