JPH10242622A - Printed wiring board, multilayer printed wiring board, and manufacture thereof - Google Patents

Printed wiring board, multilayer printed wiring board, and manufacture thereof

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JPH10242622A
JPH10242622A JP24178897A JP24178897A JPH10242622A JP H10242622 A JPH10242622 A JP H10242622A JP 24178897 A JP24178897 A JP 24178897A JP 24178897 A JP24178897 A JP 24178897A JP H10242622 A JPH10242622 A JP H10242622A
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JP
Japan
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layer
wiring board
plating film
via hole
printed wiring
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Application number
JP24178897A
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Japanese (ja)
Inventor
Takeo Niwa
健夫 丹羽
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Ibiden Co Ltd
Original Assignee
Ibiden Co Ltd
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Publication date
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Publication of JPH10242622A publication Critical patent/JPH10242622A/en
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  • Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
  • Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To eliminate the cracking of a solder body and its separation from a conductor pad, by forming on an insulation layer the conductor pad comprising electroless-plating and electroplating films. SOLUTION: On both the surfaces of a board with bonding agent layers 6 formed out of an interlayer resin insulation material, photomask films with the delineations of via holes are put to expose them. Developing the exposed board, an opening to be the via hole is formed in the bonding agent layer 6. Roughing the surface of the bonding agent layer 6 of the board with the formed opening for forming the via hole, catalytic nucleuses are given to the surfaces of the bonding agent layer 6 and the opening for forming the via hole of the board with the roughed surfaces to form thereafter an electroless-plating copper film 3 over the whole roughed surfaces. Then, by the dissolving and removing of the electroless-plating copper film 3, a conductor pad comprising electroless plating and electroplating copper films 3, 4 is formed.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、プリント配線板、
多層プリント配線板とそれらの製造方法に関し、特には
半田バンプに切れ、クラック、剥離を抑制した多層プリ
ント配線板とその製造方法に関する。
The present invention relates to a printed wiring board,
The present invention relates to a multilayer printed wiring board and a method of manufacturing the same, and more particularly to a multilayer printed wiring board in which cuts, cracks, and peeling of solder bumps are suppressed, and a method of manufacturing the same.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、多層配線基板の高密度化という要
請から、いわゆるビルドアップ多層配線基板が注目され
ている。このビルドアップ多層配線基板は、例えば特公
平4−55555 号公報に開示されているような方法により
製造される。即ち、コア基板上に、感光性の無電解めっ
き用接着剤からなる絶縁材を塗布し、これを乾燥したの
ち露光現像することにより、バイアホール用開口を有す
る層間絶縁材層を形成する。次いで、この層間絶縁材層
の表面を酸化剤等による処理にて粗化したのち、その粗
化面にめっきレジストを設け、その後、レジスト非形成
部分に無電解めっきを施してバイアホールを含む導体回
路パターンを形成する。そして、このような工程を複数
回繰り返すことにより、多層化したビルドアップ配線基
板が得られるのである。
2. Description of the Related Art In recent years, so-called build-up multilayer wiring boards have been receiving attention due to a demand for higher density of the multilayer wiring boards. This build-up multilayer wiring board is manufactured by a method disclosed in, for example, Japanese Patent Publication No. 4-55555. That is, an insulating material made of a photosensitive adhesive for electroless plating is applied on the core substrate, dried, exposed and developed to form an interlayer insulating material layer having a via hole opening. Next, after roughening the surface of the interlayer insulating material layer by treatment with an oxidizing agent or the like, a plating resist is provided on the roughened surface, and then electroless plating is performed on a portion where no resist is formed, thereby forming a conductor including via holes. Form a circuit pattern. By repeating such a process a plurality of times, a multilayered build-up wiring board can be obtained.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな多層プリント配線板では、外層にICチップを搭載
するための半田バンプと呼ばれる球状あるいは突起状の
半田体を形成する必要がある。このような半田体を介し
て多層プリント配線板にICチップ等を実装すると、ヒ
ートサイクル時にICチップと樹脂絶縁層との熱膨張率
の差により、半田体に応力がかかり、半田体が切れてし
まったり、半田体が半田パッドから剥がれたりするとい
う問題が発生した。また、多層プリント配線板に限ら
ず、樹脂絶縁層をもつ基板上に形成された導体パッドに
半田バンプを介してICチップを実装すると同様の問題
が発生することを合わせて知見した。本願発明は、IC
チップ等を搭載した場合でも、半田体が切れたり、半田
体が半田パッドから剥離することがないプリント配線
板、多層プリント配線板およびそれらの製造方法であ
る。
However, in such a multilayer printed wiring board, it is necessary to form a spherical or protruding solder body called a solder bump for mounting an IC chip on an outer layer. When an IC chip or the like is mounted on a multilayer printed wiring board via such a solder body, stress is applied to the solder body due to a difference in thermal expansion coefficient between the IC chip and the resin insulating layer during a heat cycle, and the solder body is cut. There has been a problem that the solder body is peeled off or the solder body comes off from the solder pad. Further, the present inventors have also found that a similar problem occurs when an IC chip is mounted via a solder bump to a conductive pad formed on a substrate having a resin insulating layer, not limited to a multilayer printed wiring board. The present invention relates to an IC
A printed wiring board, a multilayer printed wiring board, and a method of manufacturing the same, in which even when a chip or the like is mounted, the solder body does not break or the solder body does not peel off from the solder pad.

【0004】[0004]

【課題を解決するための手段】本発明の要旨構成は以下
のとおりである。 絶縁層上に導体パッドが形成され、該導体パッド上に
半田体が形成されたプリント配線板であって、前記導体
パッドは、無電解めっき膜と電解めっき膜からなること
を特徴とするプリント配線板。 における無電解めっき膜の厚さは0.1〜5μmで
あり、電解めっき膜の厚さは5〜30μmであるプリン
ト配線板。 絶縁層上に無電解めっきを施し、ついでめっきレジス
トを形成して、電解めっきを行い、めっきレジストを除
去した後、エッチングを行い、無電解めっき膜と電解め
っき膜からなる導体パッドを設け、該導体パッドに、半
田体を設けることを特徴とするプリント配線板の製造方
法。 基板上に下層導体回路が形成され、その下層導体回路
上に層間絶縁層が設けられ、その層間絶縁層には下層導
体回路と接続するバイアホールが形成され、そのバイア
ホールには半田体が形成されてなる多層プリント配線板
であって、前記バイアホールは、無電解めっき膜と電解
めっき膜からなることを特徴とする多層プリント配線
板。 における無電解めっき膜の厚さは0.1〜5μmで
あり、電解めっき膜の厚さは5〜30μmである多層プ
リント配線板。 基板上に下層導体回路を形成し、その下層導体回路上
に層間絶縁層を設け、ついで該層間絶縁層にバイアホー
ル用の孔を設け、その後無電解めっきを施して、層間絶
縁層上に無電解めっき膜を形成した後、めっきレジスト
を形成し、さらに電解めっきを施した後、めっきレジス
トを除去、エッチング処理し、無電解めっき膜と電解め
っき膜からなるバイアホールを設け、ついで該バイアホ
ールに半田体を形成することを特徴とする多層プリント
配線板の製造方法。
The gist of the present invention is as follows. A printed wiring board having a conductor pad formed on an insulating layer, and a solder body formed on the conductor pad, wherein the conductor pad comprises an electroless plating film and an electrolytic plating film. Board. Wherein the thickness of the electroless plating film is 0.1 to 5 μm, and the thickness of the electrolytic plating film is 5 to 30 μm. Performing electroless plating on the insulating layer, then forming a plating resist, performing electroplating, removing the plating resist, performing etching, providing a conductor pad composed of an electroless plating film and an electrolytic plating film, A method for manufacturing a printed wiring board, wherein a solder body is provided on a conductive pad. A lower conductor circuit is formed on a substrate, an interlayer insulating layer is provided on the lower conductor circuit, a via hole is formed in the interlayer insulating layer to connect to the lower conductor circuit, and a solder body is formed in the via hole. A multilayer printed wiring board according to claim 1, wherein said via hole comprises an electroless plating film and an electrolytic plating film. Wherein the thickness of the electroless plating film is 0.1 to 5 μm and the thickness of the electrolytic plating film is 5 to 30 μm. A lower conductor circuit is formed on a substrate, an interlayer insulating layer is provided on the lower conductor circuit, a hole for a via hole is provided in the interlayer insulating layer, and then electroless plating is performed. After forming an electrolytic plating film, a plating resist is formed, and after further electrolytic plating is performed, the plating resist is removed and etched, and a via hole composed of an electroless plating film and an electrolytic plating film is provided. A method for manufacturing a multilayer printed wiring board, comprising: forming a solder body on a printed circuit board.

【0005】本願発明の構成では、半田パッドが、無
電解めっき膜と電解めっき膜で構成された導体パッドで
あり、柔らかい半田体と接合する側には柔らかい電解め
っき膜が、また樹脂絶縁層と接触する側には硬い無電解
めっき膜がそれぞれ対応する(図19、図20参照)。
そのためICチップを実装した場合でも、半田体と電解
めっき膜によりICチップと樹脂絶縁層との膨張率差を
緩和でき、その結果、半田体に応力集中せず、半田体が
切れたり剥離したりすることがない。また、樹脂絶縁層
と接触する側は電解めっき膜に比べて硬い無電解めっき
膜であるため、樹脂絶縁層と強固に密着する。この密着
は、特に樹脂絶縁層に後述するような粗化面が形成され
ている場合には、顕著である。粗化面に硬いめっき膜が
くい込むことにより、ひきはがしの力が加わった場合で
も破壊が金属側で生じにくいからである。
In the structure of the present invention, the solder pad is a conductor pad composed of an electroless plating film and an electrolytic plating film, a soft electrolytic plating film is provided on the side to be joined with the soft solder body, and a resin insulating layer is provided. Hard electroless plating films correspond to the contacting sides, respectively (see FIGS. 19 and 20).
Therefore, even when the IC chip is mounted, the difference in the expansion coefficient between the IC chip and the resin insulating layer can be reduced by the solder body and the electrolytic plating film. As a result, stress is not concentrated on the solder body, and the solder body is cut or peeled. Never do. Further, the side in contact with the resin insulation layer is a hard electroless plating film as compared with the electrolytic plating film, and thus firmly adheres to the resin insulation layer. This adhesion is remarkable especially when a roughened surface as described later is formed on the resin insulating layer. The reason is that the hard plating film penetrates the roughened surface, so that even when a peeling force is applied, destruction hardly occurs on the metal side.

【0006】また、半田パッドをバイアホールで構成し
た本願発明の構成でも同様であり、バイアホールの内
側には電解めっき膜が、外側には無電解めっき膜がそれ
ぞれ位置する(図19、図20参照)ため、半田体と電
解めっき膜によりICチップと樹脂絶縁層との膨張率差
を緩和でき、その結果、半田体に応力が集中せず、半田
体が切れたり剥離したりすることがない。また、樹脂絶
縁層と接触する側は電解めっき膜に比べて硬い無電解め
っき膜であるため、樹脂絶縁層と強固に密着する。さら
に、バイアホール内に半田体が充填されるため、半田体
が剥離しにく、高温、多湿条件でも半田体を構成するP
bの拡散も起きにくい。
The same applies to the configuration of the present invention in which the solder pad is formed of a via hole. An electrolytic plating film is located inside the via hole and an electroless plating film is located outside the via hole (FIGS. 19 and 20). Therefore, the difference in expansion coefficient between the IC chip and the resin insulating layer can be reduced by the solder body and the electrolytic plating film. As a result, stress is not concentrated on the solder body and the solder body does not break or peel. . Further, the side in contact with the resin insulation layer is a hard electroless plating film as compared with the electrolytic plating film, and thus firmly adheres to the resin insulation layer. Further, since the solder body is filled in the via hole, the solder body is difficult to be peeled off.
The diffusion of b does not easily occur.

【0007】本願発明の、、に係る製造方法によれ
ば、これら、、、に係る配線板を容易に製造す
ることができる。
According to the method of the present invention, the wiring board according to the present invention can be easily manufactured.

【0008】本願発明では、配線板の最外層には、ソル
ダーレジスト層が形成されていることが望ましい。ソル
ダーレジスト層の厚さは、5〜40μmがよい。薄すぎ
るとソルダーダムとして機能せず、厚すぎると開口しに
くくなる上、半田体と接触し半田体に生じるクラックの
原因となるからである。
In the present invention, it is desirable that a solder resist layer is formed on the outermost layer of the wiring board. The thickness of the solder resist layer is preferably 5 to 40 μm. If it is too thin, it will not function as a solder dam, and if it is too thick, it will not be easy to open, and it will cause cracks in the solder body due to contact with the solder body.

【0009】半田パッドとして機能する導体パッド、バ
イアホールは、ソルダーレジスト層により被覆され、そ
の一部分が露出した形態(図19)、あるいは全部が露
出されてなる形態(図18)いずれも採用できる。前者
の場合は、導体パッドもしくはバイアホールの境界部分
で生じる樹脂絶縁層のクラックを防止でき、後者の場合
は開口位置ずれの許容範囲を大きくすることができる。
ソルダーレジストとしては、フェノールノボラック型や
クレゾールノボラック型のようなノボラック型エポキシ
樹脂のアクリレートとイミダゾール硬化剤を主成分とす
る樹脂組成物を使用できる。
The conductor pads and via holes functioning as solder pads can be either covered with a solder resist layer and partially exposed (FIG. 19) or completely exposed (FIG. 18). In the former case, cracking of the resin insulating layer at the boundary between the conductor pad or the via hole can be prevented, and in the latter case, the allowable range of the opening position shift can be increased.
As the solder resist, a resin composition mainly containing an acrylate of an epoxy resin of a novolak type such as a phenol novolak type or a cresol novolak type and an imidazole curing agent can be used.

【0010】前記導体パッドもしくはバイアホールの表
面には、ニッケル−金などの半田体との密着性を改善す
る金属層を設けておくとよい。ニッケルは銅と接合し、
金は半田体と接合する。前記無電解めっき膜の厚さは、
0.1〜5μmが望ましく、特に1〜5μmがよい。厚
すぎると層間樹脂絶縁層との追従性が低下し、逆に薄す
ぎるとピール強度の低下を招き、また電解めっきを施す
場合、抵抗値が大きくなり、めっき膜の厚さにバラツキ
が発生してしまうからである。
[0010] A metal layer such as nickel-gold for improving the adhesion to a solder body may be provided on the surface of the conductor pad or the via hole. Nickel joins with copper,
Gold bonds with the solder body. The thickness of the electroless plating film,
It is preferably from 0.1 to 5 μm, particularly preferably from 1 to 5 μm. If it is too thick, the ability to follow the interlayer resin insulation layer will be reduced, and if it is too thin, the peel strength will decrease.If electrolytic plating is performed, the resistance will increase, and the thickness of the plating film will vary. It is because.

【0011】また、前記電解めっき膜の厚さは、5〜3
0μmが望ましく、特に10〜20μmがよい。厚すぎ
るとピール強度の低下を招き、薄すぎると層間樹脂絶縁
層との追従性が低下するからである。
The thickness of the electrolytic plating film is 5 to 3
0 μm is desirable, and particularly preferably 10 to 20 μm. If the thickness is too large, the peel strength is reduced, and if it is too small, the ability to follow the interlayer resin insulating layer is reduced.

【0012】本願発明においては、バイアホールと接続
する下層導体回路の表面は、粗化処理されていることが
望ましい。層間絶縁層との密着に優れ、またバイアホー
ルと強固に密着するからである。前記粗化層は、エッチ
ング処理、研磨処理、酸化処理、酸化還元処理により形
成された銅の粗化面又もしくはめっき被膜により形成さ
れた粗化面であることが望ましい。特に粗化層は、銅−
ニッケル−リンからなる合金層であることが望ましい。
In the present invention, the surface of the lower conductor circuit connected to the via hole is preferably roughened. This is because it has excellent adhesion to the interlayer insulating layer and firmly adheres to the via hole. The roughened layer is desirably a roughened surface of copper formed by an etching process, a polishing process, an oxidation process, or an oxidation-reduction process or a roughened surface formed by a plating film. In particular, the roughened layer is made of copper-
It is desirable that the alloy layer is made of nickel-phosphorus.

【0013】前記合金層の組成は、銅、ニッケル、リン
の割合で、それぞれ90〜96wt%、1〜5wt%、 0.5〜2
wt%であることが望ましい。これらの組成割合のとき
に、針状の構造を有するからである。
The composition of the alloy layer is 90 to 96 wt%, 1 to 5 wt%, 0.5 to 2 wt% in terms of copper, nickel and phosphorus, respectively.
Desirably, it is wt%. This is because these compositions have a needle-like structure at these composition ratios.

【0014】なお、針状結晶を形成できるCu−Ni−
Pの組成を三成分系の三角図(図21)に示す。(C
u,Ni,P)=(100,0,0)、(90,10,
0)、(90,0,10)で囲まれる範囲がよい。
It should be noted that Cu-Ni-
The composition of P is shown in a ternary triangular diagram (FIG. 21). (C
u, Ni, P) = (100,0,0), (90,10,
0) and (90, 0, 10).

【0015】前記酸化処理は、亜塩素酸ナトリウム、水
酸化ナトリウム、リン酸ナトリウムからなる酸化剤の溶
液が望ましい。また、酸化還元処理は、上記酸化処理の
後、水酸化ナトリウムと水素化ホウ素ナトリウムの溶液
に浸漬して行う。
The oxidizing treatment is desirably a solution of an oxidizing agent comprising sodium chlorite, sodium hydroxide and sodium phosphate. Further, the oxidation-reduction treatment is performed by immersing the substrate in a solution of sodium hydroxide and sodium borohydride after the oxidation treatment.

【0016】前記粗化層は、1〜10μmが望ましく、
特に1〜5μmが好ましい。厚すぎると粗化層自体が損
傷、剥離しやすく、薄すぎると密着性が低下するからで
ある。
Preferably, the roughened layer has a thickness of 1 to 10 μm.
In particular, 1 to 5 μm is preferable. If the thickness is too large, the roughened layer itself is easily damaged and peeled off, and if the thickness is too small, the adhesiveness is reduced.

【0017】本発明では、上記絶縁層もしくは層間絶縁
層として無電解めっき用接着剤を用いることが望まし
い。この無電解めっき用接着剤は、硬化処理された酸あ
るいは酸化剤に可溶性の耐熱性樹脂粒子が、酸あるいは
酸化剤に難溶性の未硬化の耐熱性樹脂中に分散されてな
るものが最適である。酸、酸化剤で処理することによ
り、耐熱性樹脂粒子が溶解除去されて、表面に蛸つぼ状
のアンカーからなる粗化面を形成できる。
In the present invention, it is desirable to use an adhesive for electroless plating as the insulating layer or the interlayer insulating layer. The most suitable adhesive for electroless plating is one in which heat-resistant resin particles soluble in a cured acid or oxidizing agent are dispersed in an uncured heat-resistant resin hardly soluble in an acid or oxidizing agent. is there. By treating with an acid or an oxidizing agent, the heat-resistant resin particles are dissolved and removed, and a roughened surface composed of an octopus-shaped anchor can be formed on the surface.

【0018】上記無電解めっき用接着剤において、特に
硬化処理された前記耐熱性樹脂粒子としては、平均粒
径が10μm以下の耐熱性樹脂粉末、平均粒径が2μm
以下の耐熱性樹脂粉末を凝集させた凝集粒子、平均粒
径が10μm以下の耐熱性粉末樹脂粉末と平均粒径が2μ
m以下の耐熱性樹脂粉末との混合物、平均粒径が2〜
10μmの耐熱性樹脂粉末の表面に平均粒径が2μm以下
の耐熱性樹脂粉末または無機粉末のいずれか少なくとも
1種を付着させてなる疑似粒子、平均粒径が0.1〜
0.8μmの耐熱性樹脂粒子と平均粒径が0.8μmを
越えて2μm以下の耐熱性樹脂粒子との混合物、から選
ばれるいずれか少なくとも1種を用いることが望まし
い。これらは、より複雑なアンカーを形成できるからで
ある。
In the above-mentioned adhesive for electroless plating, the heat-resistant resin particles particularly subjected to the curing treatment include a heat-resistant resin powder having an average particle diameter of 10 μm or less, and an average particle diameter of 2 μm.
Aggregated particles obtained by aggregating the following heat-resistant resin powder, a heat-resistant powder resin powder having an average particle size of 10 μm or less and an average particle size of 2 μm
m and a mixture with a heat-resistant resin powder having a mean particle size of 2 or less.
Pseudo particles obtained by adhering at least one of a heat-resistant resin powder or an inorganic powder having an average particle diameter of 2 μm or less to the surface of a 10 μm heat-resistant resin powder, and an average particle diameter of 0.1 to
It is desirable to use at least one selected from a mixture of heat-resistant resin particles of 0.8 μm and heat-resistant resin particles having an average particle size of more than 0.8 μm and 2 μm or less. This is because they can form more complex anchors.

【0019】次に、本発明にかかるプリント配線板を製
造する一方法について説明する。 (1)まず、コア基板の表面に内層銅パターンを形成し
た配線基板を作製する。このコア基板への銅パターンの
形成は、銅張積層板をエッチングして行うか、あるい
は、ガラスエポキシ基板やポリイミド基板、セラミック
基板、金属基板などの基板に無電解めっき用接着剤層を
形成し、この接着剤層表面を粗化して粗化面とし、ここ
に無電解めっきするか、もしくは全面無電解めっき、め
っきレジスト形成、電解めっき後、めっきレジスト除
去、エッチング処理し、電解めっき膜と無電解めっき膜
からなる導体回路を形成する方法がある。
Next, one method of manufacturing a printed wiring board according to the present invention will be described. (1) First, a wiring board having an inner layer copper pattern formed on the surface of a core board is manufactured. The copper pattern is formed on the core substrate by etching a copper-clad laminate, or by forming an adhesive layer for electroless plating on a substrate such as a glass epoxy substrate, a polyimide substrate, a ceramic substrate, or a metal substrate. The surface of the adhesive layer is roughened to a roughened surface, and the surface is subjected to electroless plating, or the entire surface is subjected to electroless plating, plating resist formation, electrolytic plating, plating resist removal, etching treatment, and electroplating. There is a method of forming a conductor circuit made of an electrolytic plating film.

【0020】さらに、上記配線基板の下層導体回路表面
に銅−ニッケル−リンからなる粗化層を形成する。粗化
層は、無電解めっきにより形成される。めっき液組成と
しては、銅イオン濃度、ニッケルイオン濃度、次亜リン
酸イオン濃度は、それぞれ2.2×10-2〜4.1×1
-2mol/l、2.2×10-3〜4.1×10-3mo
l/l、0.20〜0.25mol/lであることが望
ましい。この範囲で析出する被膜の結晶構造は針状構造
になるため、アンカー効果に優れるからである。無電解
めっき浴には上記化合物に加えて錯化剤や添加剤を加え
てもよい。
Further, a roughened layer made of copper-nickel-phosphorus is formed on the lower conductive circuit surface of the wiring board. The roughened layer is formed by electroless plating. As the plating solution composition, the copper ion concentration, the nickel ion concentration, and the hypophosphite ion concentration were 2.2 × 10 −2 to 4.1 × 1 respectively.
0 -2 mol / l, 2.2 × 10 -3 to 4.1 × 10 -3 mo
1 / l, and preferably 0.20 to 0.25 mol / l. This is because the crystalline structure of the film deposited in this range has a needle-like structure, and thus has an excellent anchor effect. A complexing agent or an additive may be added to the electroless plating bath in addition to the above compounds.

【0021】粗化層の形成方法としては、この他に前述
した酸化−還元処理、銅表面を粒界に沿ってエッチング
して粗化面を形成する方法などがある。エッチング液と
しては、第二銅錯体および有機酸の水溶液からなるエッ
チング液が望ましい。この液は、スプレイやバブリング
などの酸素共存条件で次のように作用して下層導体回路
である銅導体を溶解させる。 Cu+Cu(2)An →2Cu(1)An/2 ↓ エアレーション 2Cu(1)An/2 +n/4O2 +nAH →2Cu(2)An +n/2H2 O Aは錯化剤(キレート剤として作用)、nは配位数であ
る。
Other methods of forming the roughened layer include the above-described oxidation-reduction treatment and a method of forming a roughened surface by etching the copper surface along grain boundaries. As the etching solution, an etching solution comprising an aqueous solution of a cupric complex and an organic acid is desirable. The solution acts as follows under conditions of coexistence of oxygen, such as spraying and bubbling, to dissolve the copper conductor as the lower conductor circuit. Cu + Cu (2) A n → 2Cu (1) A n / 2 ↓ Aeration 2Cu (1) A n / 2 + n / 4O 2 + nAH → 2Cu (2) A n + n / 2H 2 O A is a complexing agent (chelating agent) And n is the coordination number.

【0022】前記第二銅錯体は、アゾール類の第二銅錯
体がよい。このアゾール類の第二銅錯体は、金属銅など
を酸化するための酸化剤として作用する。アゾール類と
しては、ジアゾール、トリアゾール、テトラゾールがよ
い。中でもイミダゾール、2−メチルイミダゾール、2
−エチルイミダゾール、2−エチル−4−メチルイミダ
ゾール、2−フェニルイミダゾール、2−ウンデシルイ
ミダゾールなどがよい。前記アゾール類の第二銅錯体の
添加量は、1〜15重量%がよい。溶解性および安定性
に優れるからである。また、有機酸は、アゾール類の第
二銅錯体は、酸化銅を溶解させるために配合させるもの
である。
The cupric complex is preferably an azole cupric complex. The cupric complex of azoles acts as an oxidizing agent for oxidizing metallic copper and the like. As the azoles, diazole, triazole and tetrazole are preferable. Among them, imidazole, 2-methylimidazole, 2
-Ethylimidazole, 2-ethyl-4-methylimidazole, 2-phenylimidazole, 2-undecylimidazole and the like are preferred. The addition amount of the cupric complex of the azoles is preferably 1 to 15% by weight. This is because they are excellent in solubility and stability. The organic acid is a compound in which a cupric complex of an azole is mixed to dissolve copper oxide.

【0023】具体例としては、ギ酸、酢酸、プロピオン
酸、酪酸、吉草酸、カプロン酸、アクリル酸、クロトン
酸、シュウ酸、マロン酸、コハク酸、グルタル酸、マレ
イン酸、安息香酸、グリコール酸、乳酸、リンゴ酸、ス
ルファミン酸から選ばれる少なくとも1種がよい。有機
酸の含有量は、0.1〜30重量%がよい。酸化された
銅の溶解性を維持し、かつ溶解安定性を確保するためで
ある。発生した第一銅錯体は、酸の作用で溶解し、酸素
と結合して第二銅錯体となって、再び銅の酸化に寄与す
る。
Specific examples include formic acid, acetic acid, propionic acid, butyric acid, valeric acid, caproic acid, acrylic acid, crotonic acid, oxalic acid, malonic acid, succinic acid, glutaric acid, maleic acid, benzoic acid, glycolic acid, At least one selected from lactic acid, malic acid and sulfamic acid is preferred. The content of the organic acid is preferably 0.1 to 30% by weight. This is for maintaining the solubility of the oxidized copper and ensuring the solubility stability. The generated cuprous complex dissolves under the action of an acid and combines with oxygen to form a cupric complex, which again contributes to copper oxidation.

【0024】さらに、このエッチング液には、銅の溶解
やアゾール類の酸化作用を補助するために、ハロゲンイ
オン、例えば、フッソイオン、塩素イオン、臭素イオン
などを加えてもよい。ハロゲンイオンとしては、塩酸、
塩化ナトリウムなどを添加して供給できる。ハロゲンイ
オン量は、0.01〜20重量%がよい。形成された粗
化面と層間樹脂絶縁層との密着性に優れるからである。
アゾール類の第二銅錯体および有機酸(必要に応じてハ
ロゲンイオン)を、水に溶解してエッチング液を調整す
る。
Further, a halogen ion, for example, a fluorine ion, a chlorine ion, a bromine ion or the like may be added to the etching solution to assist in dissolving copper and oxidizing azoles. As halogen ions, hydrochloric acid,
It can be supplied by adding sodium chloride or the like. The amount of halogen ions is preferably 0.01 to 20% by weight. This is because adhesion between the formed roughened surface and the interlayer resin insulating layer is excellent.
An etching solution is prepared by dissolving a cupric complex of azoles and an organic acid (halogen ions as required) in water.

【0025】本願発明では、コア基板には、スルーホー
ルが形成され、このスルーホールを介して表面と裏面の
配線層を電気的に接続することができる。また、スルー
ホールおよびコア基板の導体回路間には樹脂が充填され
て、平滑性を確保してもよい(図1〜図4)。
According to the present invention, a through hole is formed in the core substrate, and the wiring layer on the front surface and the back surface can be electrically connected through the through hole. In addition, resin may be filled between the through hole and the conductor circuit of the core substrate to ensure smoothness (FIGS. 1 to 4).

【0026】(2)次に、前記(1)で作製した配線基
板の上に、層間樹脂絶縁層を形成する。特に本発明で
は、層間樹脂絶縁材として前述した無電解めっき用接着
剤を用いることが望ましい(図5)。
(2) Next, an interlayer resin insulating layer is formed on the wiring board manufactured in the above (1). In particular, in the present invention, it is desirable to use the above-described adhesive for electroless plating as an interlayer resin insulating material (FIG. 5).

【0027】(3)形成した無電解めっき用接着剤層を
乾燥した後、必要に応じてバイアホール形成用開口を設
ける。感光性樹脂の場合は、露光,現像してから熱硬化
することにより、また、熱硬化性樹脂の場合は、熱硬化
したのちレーザー加工することにより、前記接着剤層に
バイアホール形成用の開口部を設ける(図6)。
(3) After the formed adhesive layer for electroless plating is dried, openings for forming via holes are provided if necessary. In the case of a photosensitive resin, it is exposed and developed and then thermally cured. In the case of a thermosetting resin, it is thermally cured and then subjected to laser processing, so that an opening for forming a via hole is formed in the adhesive layer. Parts are provided (FIG. 6).

【0028】(4)次に、硬化した前記接着剤層の表面
に存在するエポキシ樹脂粒子を酸あるいは酸化剤によっ
て溶解除去し、接着剤層表面を粗化処理する(図7)。
ここで、上記酸としては、リン酸、塩酸、硫酸、あるい
は蟻酸や酢酸などの有機酸があるが、特に有機酸を用い
ることが望ましい。粗化処理した場合に、バイアホール
から露出する金属導体層を腐食させにくいからである。
一方、上記酸化剤としては、クロム酸、過マンガン酸塩
(過マンガン酸カリウムなど)を用いることが望まし
い。
(4) Next, the epoxy resin particles present on the surface of the cured adhesive layer are dissolved and removed with an acid or an oxidizing agent to roughen the surface of the adhesive layer (FIG. 7).
Here, examples of the acid include phosphoric acid, hydrochloric acid, sulfuric acid, and organic acids such as formic acid and acetic acid, and it is particularly preferable to use an organic acid. This is because when the roughening treatment is performed, the metal conductor layer exposed from the via hole is hardly corroded.
On the other hand, it is desirable to use chromic acid and permanganate (such as potassium permanganate) as the oxidizing agent.

【0029】(5)次に、接着剤層表面を粗化した配線
基板に触媒核を付与する。触媒核の付与には、貴金属イ
オンや貴金属コロイドなどを用いることが望ましく、一
般的には、塩化パラジウムやパラジウムコロイドを使用
する。なお、触媒核を固定するために加熱処理を行うこ
とが望ましい。このような触媒核としてはパラジウムが
よい。
(5) Next, a catalyst nucleus is applied to the wiring board whose surface of the adhesive layer has been roughened. It is desirable to use a noble metal ion or a noble metal colloid for providing the catalyst nucleus, and generally, palladium chloride or a palladium colloid is used. Note that it is desirable to perform a heat treatment to fix the catalyst core. Palladium is preferred as such a catalyst core.

【0030】(6)次に、無電解めっき用接着剤表面に
無電解めっきを施し、粗化面全面に無電解めっき膜を形
成する(図8)。無電解めっき膜の厚みは1〜5μm、
より望ましくは2〜3μmである。つぎに、無電解めっ
き膜上にめっきレジストを形成する(図9)。めっきレ
ジスト組成物としては、特にクレゾールノボラックやフ
ェノールノボラック型エポキシ樹脂のアクリレートとイ
ミダゾール硬化剤からなる組成物を用いることが望まし
いが、他に市販品のドライフィルムを使用することもで
きる。
(6) Next, the surface of the adhesive for electroless plating is subjected to electroless plating, and an electroless plating film is formed on the entire roughened surface (FIG. 8). The thickness of the electroless plating film is 1 to 5 μm,
More preferably, it is 2-3 μm. Next, a plating resist is formed on the electroless plating film (FIG. 9). As the plating resist composition, it is particularly desirable to use a composition composed of an acrylate of cresol novolak or phenol novolak type epoxy resin and an imidazole curing agent, but a commercially available dry film can also be used.

【0031】(7)次に、めっきレジスト非形成部に電
解めっきを施し、導体回路、ならびにバイアホールを形
成する(図10)。ここで、上記無電解めっきとして
は、銅めっきを用いることが望ましい。
(7) Next, electrolytic plating is applied to the portion where the plating resist is not formed to form a conductor circuit and a via hole (FIG. 10). Here, it is desirable to use copper plating as the electroless plating.

【0032】(8)さらに、めっきレジストを除去した
後、硫酸と過酸化水素の混合液や過硫酸ナトリウム、過
硫酸アンモニウムなどのエッチング液で無電解めっき膜
を溶解除去して、独立した導体回路とする(図11)。
(8) After removing the plating resist, the electroless plating film is dissolved and removed with a mixed solution of sulfuric acid and hydrogen peroxide or an etching solution such as sodium persulfate and ammonium persulfate to form an independent conductor circuit. (FIG. 11).

【0033】(9)次に導体回路の表面に粗化層を形成
する(図12)。粗化層の形成方法としては、エッチン
グ処理、研磨処理、酸化還元処理、めっき処理がある。
酸化還元処理は、NaOH(10g/l)、NaClO
2 (40g/l)、Na3 PO4 (6g/l)を酸化浴
(黒化浴)、NaOH(10g/l)、NaBH4 (5
g/l)を還元浴とする。また、銅−ニッケル−リン合
金層による粗化層を形成する場合は無電解めっきにより
析出させる。
(9) Next, a roughened layer is formed on the surface of the conductor circuit (FIG. 12). Examples of the method of forming the roughened layer include an etching process, a polishing process, an oxidation-reduction process, and a plating process.
The oxidation-reduction treatment includes NaOH (10 g / l), NaClO
2 (40 g / l) and Na 3 PO 4 (6 g / l) in an oxidation bath (blackening bath), NaOH (10 g / l), NaBH 4 (5 g / l).
g / l) is used as a reducing bath. When forming a roughened layer of a copper-nickel-phosphorus alloy layer, it is deposited by electroless plating.

【0034】この合金の無電解めっき液としては、硫酸
銅1〜40g/l、硫酸ニッケル0.1〜6.0g/
l、クエン酸10〜20g/l、次亜リン酸塩10〜1
00g/l、ホウ酸10〜40g/l、界面活性剤0.
01〜10g/lからなる液組成のめっき浴を用いるこ
とが望ましい。
The electroless plating solution for this alloy includes copper sulfate 1 to 40 g / l and nickel sulfate 0.1 to 6.0 g / l.
l, citric acid 10-20 g / l, hypophosphite 10-1
00g / l, boric acid 10-40g / l, surfactant 0.
It is desirable to use a plating bath having a liquid composition of from 01 to 10 g / l.

【0035】(10)次に、この基板上に層間樹脂絶縁
層として、無電解めっき用接着剤層を形成する(図1
3)。 (11)さらに、(3)〜(8)の工程を繰り返してさ
らに上層の導体回路を設ける。この導体回路は、半田パ
ッドとして機能する導体パッドあるいはバイアホールで
ある。(図14〜17)。
(10) Next, an adhesive layer for electroless plating is formed on the substrate as an interlayer resin insulating layer (FIG. 1).
3). (11) Further, the steps (3) to (8) are repeated to provide a further upper layer conductive circuit. This conductor circuit is a conductor pad or via hole that functions as a solder pad. (FIGS. 14-17).

【0036】(12)次に、ソルダーレジスト組成物の
塗膜を乾燥し、この塗膜に、開口部を描画したフォトマ
スクフィルムを載置して露光、現像処理することによ
り、導体回路のうち半田パッド(導体パッド、バイアホ
ールを含む)部分を露出させた開口部を形成する。ここ
で、前記開口部の開口径は、半田パッドの径よりも大き
くすることができ、半田パッドを完全に露出させてもよ
い。
(12) Next, the coating film of the solder resist composition is dried, and a photomask film having an opening formed thereon is placed on the coating film and exposed and developed, thereby forming a conductive circuit. An opening is formed to expose a solder pad (including a conductive pad and a via hole). Here, the opening diameter of the opening may be larger than the diameter of the solder pad, and the solder pad may be completely exposed.

【0037】(11)次に、前記開口部から露出した前
記半田パッド部上に「ニッケル−金」の金属層を形成す
る(図示しない)。ニッケル層は1〜7μmが望まし
く、金層は0.01〜0.06μmがよい。ニッケル層
は厚すぎると抵抗値の増大を招き、薄すぎると剥離しや
すい。また金層は厚すぎるとコスト増になり、薄すぎる
と半田体との密着効果が低下する。
(11) Next, a “nickel-gold” metal layer is formed on the solder pad exposed from the opening (not shown). The nickel layer preferably has a thickness of 1 to 7 μm, and the gold layer has a thickness of 0.01 to 0.06 μm. If the nickel layer is too thick, the resistance value increases, and if the nickel layer is too thin, it is easily peeled. If the gold layer is too thick, the cost increases, and if it is too thin, the effect of adhering to the solder body is reduced.

【0038】(12)次に、前記開口部から露出した前
記半田パッド部上にはんだ体を供給する。(図18)。
はんだ体の供給方法としては、はんだ転写法や印刷法を
用いることができる。ここで、はんだ転写法は、プリプ
レグにはんだ箔を貼合し、このはんだ箔を開口部分に相
当する箇所のみを残してエッチングすることによりはん
だパターンを形成してはんだキャリアフィルムとし、こ
のはんだキャリアフィルムを、基板のソルダーレジスト
開口部分にフラックスを塗布した後、はんだパターンが
パッドに接触するように積層し、これを加熱して転写す
る方法である。一方、印刷法は、パッドに相当する箇所
に貫通孔を設けたメタルマスクを基板に載置し、はんだ
ペーストを印刷して加熱処理する方法である。
(12) Next, a solder body is supplied onto the solder pad exposed from the opening. (FIG. 18).
As a method of supplying the solder body, a solder transfer method or a printing method can be used. Here, in the solder transfer method, a solder foil is bonded to a prepreg, and the solder foil is etched leaving only a portion corresponding to an opening portion to form a solder pattern to form a solder carrier film. Is applied to a solder resist opening portion of a substrate, and then laminated such that a solder pattern is in contact with a pad, which is heated and transferred. On the other hand, the printing method is a method in which a metal mask having a through-hole provided at a position corresponding to a pad is placed on a substrate, and a solder paste is printed and heated.

【0039】[0039]

【実施例】【Example】

(実施例1) (1)厚さ0.6mmのガラスエポキシ樹脂またはBT
(ビスマレイミドトリアジン)樹脂からなる基板1の両
面に18μmの銅箔がラミネートされてなる銅張積層板を
出発材料とした。この銅張積層板の銅箔を常法に従いパ
ターン状にエッチング、穴明け、無電解めっきを施すこ
とにより、基板の両面に下層導体回路2とスルーホール
を形成した。さらに、下層導体回路間、スルーホール内
にビスフェノールF型エポキシ樹脂を充填した。
(Example 1) (1) 0.6 mm thick glass epoxy resin or BT
A starting material was a copper-clad laminate in which 18 μm copper foil was laminated on both sides of a substrate 1 made of (bismaleimide triazine) resin. The copper foil of this copper-clad laminate was etched in a pattern according to a conventional method, drilled, and subjected to electroless plating to form a lower conductor circuit 2 and through holes on both surfaces of the substrate. Further, bisphenol F type epoxy resin was filled between the lower conductor circuits and in the through holes.

【0040】(2)前記(1)で内層銅パターンを形成
した基板を水洗いし、乾燥した後、その基板を酸性脱脂
してソフトエッチングし、次いで、塩化パラジウムと有
機酸からなる触媒溶液で処理して、Pd触媒を付与し、
この触媒を活性化した後、硫酸銅8g/l、硫酸ニッケ
ル 0.6g/l、クエン酸15g/l、次亜リン酸ナトリウ
ム29g/l、ホウ酸31g/l、界面活性剤 0.1g/l、
pH=9からなる無電解めっき浴にてめっきを施し、銅
導体回路の全表面にCu−Ni−P合金の厚さ 2.5μmの粗
化層5(凹凸層)を形成した。
(2) The substrate on which the inner layer copper pattern was formed in the above (1) was washed with water and dried, and then the substrate was acid-degreased and soft-etched, and then treated with a catalyst solution comprising palladium chloride and an organic acid. To provide a Pd catalyst,
After activating this catalyst, copper sulfate 8 g / l, nickel sulfate 0.6 g / l, citric acid 15 g / l, sodium hypophosphite 29 g / l, boric acid 31 g / l, surfactant 0.1 g / l,
Plating was performed in an electroless plating bath having a pH of 9 to form a roughened layer 5 (uneven layer) of Cu-Ni-P alloy having a thickness of 2.5 µm on the entire surface of the copper conductor circuit.

【0041】(3)DMDG(ジエチレングリコールジ
メチルエーテル)に溶解したクレゾールノボラック型エ
ポキシ樹脂(日本化薬製、分子量2500)の25%アクリル
化物を70重量部、ポリエーテルスルフォン(PES)30
重量部、イミダゾール硬化剤(四国化成製、商品名:2E
4MZ-CN)4重量部、感光性モノマーであるカプロラクト
ン変成トリス(アクロキシエチル)イソシアヌレート
(東亜合成製、商品名:アロニックスM325 )10重量
部、光開始剤としてのベンゾフェノン(関東化学製)5
重量部、光増感剤としてのミヒラーケトン(関東化学
製)0.5 重量部、さらにこの混合物に対してエポキシ樹
脂粒子の平均粒径 5.5μmのものを35重量部、平均粒径
0.5μmのものを5重量部を混合した後、NMP(ノル
マルメチルピロリドン)を添加しながら混合し、ホモデ
ィスパー攪拌機で粘度12Pa・sに調整し、続いて3本ロ
ールで混練して感光性接着剤溶液(層間樹脂絶縁材)を
得る。
(3) 70 parts by weight of 25% acrylate of cresol novolak type epoxy resin (manufactured by Nippon Kayaku, molecular weight 2500) dissolved in DMDG (diethylene glycol dimethyl ether), polyether sulfone (PES) 30
Parts by weight, imidazole curing agent (Shikoku Chemicals, trade name: 2E
4MZ-CN) 4 parts by weight, caprolactone-modified tris (acryloxyethyl) isocyanurate (trade name: Aronix M325) manufactured by Toagosei Co., Ltd., a photosensitive monomer, benzophenone (Kanto Chemical) 5 as a photoinitiator
Parts by weight, 0.5 parts by weight of Michler's ketone (manufactured by Kanto Kagaku) as a photosensitizer, and 35 parts by weight of an epoxy resin particle having an average particle size of 5.5 μm with respect to this mixture.
After mixing 5 parts by weight of 0.5 μm, they are mixed while adding NMP (normal methylpyrrolidone), adjusted to a viscosity of 12 Pa · s with a homodisper stirrer, and then kneaded with three rolls to form a photosensitive adhesive. An agent solution (interlayer resin insulating material) is obtained.

【0042】(4)前記(3)で得た感光性接着剤溶液
を、前記(2)の処理を終えた基板の両面に、ロールコ
ータを用いて塗布し、水平状態で20分間放置してから、
60℃で30分間の乾燥を行い、厚さ60μmの接着剤層6を
形成した。 (5)前記(4)で接着剤層6を形成した基板の両面
に、バイアホールが描画されたフォトマスクフィルムを
載置し、紫外線を照射して露光した。
(4) The photosensitive adhesive solution obtained in the above (3) is applied to both surfaces of the substrate after the treatment in the above (2) using a roll coater, and left in a horizontal state for 20 minutes. From
Drying was performed at 60 ° C. for 30 minutes to form an adhesive layer 6 having a thickness of 60 μm. (5) A photomask film having via holes drawn thereon was placed on both surfaces of the substrate on which the adhesive layer 6 was formed in (4) above, and was exposed to ultraviolet light.

【0043】(6)露光した基板をDMTG(トリエチ
レングリジメチルエーテル)溶液でスプレー現像するこ
とにより、接着剤層に 100μmφのバイアホールとなる
開口を形成した。さらに、当該基板を超高圧水銀灯にて
3000mJ/cm2 で露光し、 100℃で1時間、その後 150℃
で5時間にて加熱処理することにより、フォトマスクフ
ィルムに相当する寸法精度に優れ、開口(バイアホール
形成用開口)を有する厚さ50μmの接着剤層を形成し
た。なお、バイアホールとなる開口には、粗化層を部分
的に露出させる。
(6) The exposed substrate was spray-developed with a DMTG (triethylene glydimethyl ether) solution to form an opening serving as a 100 μmφ via hole in the adhesive layer. Furthermore, the substrate is super-high pressure mercury lamp
Exposure at 3000mJ / cm 2 , 1 hour at 100 ℃, then 150 ℃
By performing the heat treatment for 5 hours, a 50 μm-thick adhesive layer having an opening (opening for forming a via hole) having excellent dimensional accuracy equivalent to a photomask film was formed. Note that the roughened layer is partially exposed in the opening serving as the via hole.

【0044】(7)前記(5)(6)でバイアホール形
成用開口を形成した基板を、クロム酸に2分間浸漬し、
接着剤層表面に存在するエポキシ樹脂粒子を溶解除去し
て、当該接着剤層の表面を粗化し、その後、中和溶液
(シプレイ社製)に浸漬してから水洗した。 (8)前記(7)で粗面化処理(粗化深さ5μm)を行
った基板に対し、パラジウム触媒(アトテック製)を付
与することにより、接着剤層およびバイアホール用開口
の表面に触媒核を付与した。
(7) The substrate on which the opening for forming a via hole is formed in (5) and (6) is immersed in chromic acid for 2 minutes.
The surface of the adhesive layer was roughened by dissolving and removing the epoxy resin particles present on the surface of the adhesive layer, and then immersed in a neutralizing solution (manufactured by Shipley) and then washed with water. (8) By applying a palladium catalyst (manufactured by Atotech) to the substrate that has been subjected to the surface roughening treatment (roughening depth: 5 μm) in the above (7), a catalyst is formed on the surface of the adhesive layer and the opening for the via hole. A nucleus was provided.

【0045】(9)以下の組成の無電解銅めっき浴中に
基板を浸漬して、粗面全体に厚さ3μmの無電解銅めっ
き膜3を形成した。 無電解めっき液 EDTA 150 g/l 硫酸銅 20 g/l HCHO 30ml/l NaOH 40 g/l α、α’−ビピリジル 80mg/l PEG 0.1g/l 無電解めっき条件 70℃の液温度で30分
(9) The substrate was immersed in an electroless copper plating bath having the following composition to form an electroless copper plating film 3 having a thickness of 3 μm on the entire rough surface. Electroless plating solution EDTA 150 g / l Copper sulfate 20 g / l HCHO 30 ml / l NaOH 40 g / l α, α'-bipyridyl 80 mg / l PEG 0.1 g / l Electroless plating conditions 30 at a liquid temperature of 70 ° C. Minute

【0046】(10)市販の感光性ドライフィルムを無
電解銅めっき膜に張り付け、マスクを載置して、100
mJ/cm2 で露光、0.8%炭酸ナトリウムで現像処
理し、厚さ15μmのめっきレジスト7を設けた。
(10) A commercially available photosensitive dry film is stuck on the electroless copper plating film, and a mask is placed on the film.
Exposure at mJ / cm 2 and development processing with 0.8% sodium carbonate provided a plating resist 7 having a thickness of 15 μm.

【0047】(11)ついで、以下の条件で電解銅めっ
きを施し、厚さ15μmの電解銅めっき膜4を形成し
た。 電解めっき液 硫酸銅 180 g/l 硫酸銅 80 g/l 添加剤(アドテックジャパン製 商品名カパラシドG
L)1ml/l 電解めっき条件 電流密度 1A/dm2 時間 30分 温度 室温
(11) Then, electrolytic copper plating was performed under the following conditions to form an electrolytic copper plating film 4 having a thickness of 15 μm. Electrolytic plating solution Copper sulfate 180 g / l Copper sulfate 80 g / l Additive (trade name: Capalaside G, manufactured by Adtech Japan)
L) 1 ml / l electroplating conditions Current density 1 A / dm 2 hours 30 minutes Temperature Room temperature

【0048】(12)めっきレジスト7を5%KOHで
剥離除去した後、硫酸と過酸化水素混合液でエッッチン
グを行い、無電解めっき膜3を溶解除去して無電解銅め
っき膜と電解銅めっき膜4からなる厚さ18μmの導体
回路(バイアホールを含む)を形成した。
(12) After stripping and removing the plating resist 7 with 5% KOH, etching is performed with a mixed solution of sulfuric acid and hydrogen peroxide, and the electroless plating film 3 is dissolved and removed to form an electroless copper plating film and an electrolytic copper plating. An 18 μm-thick conductor circuit (including a via hole) made of the film 4 was formed.

【0049】(13)導体回路を形成した基板を、硫酸
銅8g/l、硫酸ニッケル 0.6g/l、クエン酸15g/
l、次亜リン酸ナトリウム29g/l、ホウ酸31g/l、
界面活性剤 0.1g/lからなるpH=9の無電解めっき
液に浸漬し、該導体回路の表面に厚さ3μmの銅−ニッ
ケル−リンからなる粗化層5を形成した。粗化層5をE
PMA(蛍光X線分析装置)で分析したところ、Cu9
8mol%、Ni1.5mol%、P0.5mol%の
組成比を示した。
(13) The substrate on which the conductor circuit was formed was coated with copper sulfate 8 g / l, nickel sulfate 0.6 g / l, and citric acid 15 g / l.
1, sodium hypophosphite 29 g / l, boric acid 31 g / l,
The surface was immersed in an electroless plating solution having a pH of 9 containing 0.1 g / l of a surfactant to form a roughened layer 5 made of copper-nickel-phosphorus having a thickness of 3 μm on the surface of the conductor circuit. The roughened layer 5 is
Analysis by PMA (X-ray fluorescence analyzer) revealed that Cu9
The composition ratio was 8 mol%, Ni 1.5 mol%, and P 0.5 mol%.

【0050】(14)(4)〜(12)の工程を繰り返
すことにより、さらに上層の導体パッド10およびバイ
アホール100を形成した。これらは半田パッドとして
機能する。
(14) By repeating the steps (4) to (12), the upper conductive pad 10 and the via hole 100 were further formed. These function as solder pads.

【0051】(15)一方、DMDGに溶解させた60重
量%のクレゾールノボラック型エポキシ樹脂(日本化薬
製)のエポキシ基50%をアクリル化した感光性付与のオ
リゴマー(分子量4000)を 46.67g、メチルエチルケト
ンに溶解させた80重量%のビスフェノールA型エポキシ
樹脂(油化シェル製、エピコート1001)15.0g、イミダ
ゾール硬化剤(四国化成製、商品名:2E4MZ-CN)1.6
g、感光性モノマーである多価アクリルモノマー(日本
化薬製、商品名:R604 )3g、同じく多価アクリルモ
ノマー(共栄社化学製、商品名:DPE6A ) 1.5g、分散
系消泡剤(サンノプコ社製、商品名:S−65)0.71gを
混合し、さらにこの混合物に対して光開始剤としてのベ
ンゾフェノン(関東化学製)を2g、光増感剤としての
ミヒラーケトン(関東化学製)を0.2 g加えて、粘度を
25℃で 2.0Pa・sに調整したソルダーレジスト組成物を
得た。なお、粘度測定は、B型粘度計(東京計器、 DVL
-B型)で 60rpmの場合はローターNo.4、6rpm の場合は
ローターNo.3によった。
(15) On the other hand, 46.67 g of a photosensitizing oligomer (molecular weight 4000) in which 60% by weight of a cresol novolak type epoxy resin (manufactured by Nippon Kayaku) dissolved in DMDG was acrylated with 50% of epoxy groups, 15.0 g of 80% by weight bisphenol A epoxy resin (manufactured by Yuka Shell, Epicoat 1001) dissolved in methyl ethyl ketone, 1.6 imidazole curing agent (manufactured by Shikoku Chemicals, trade name: 2E4MZ-CN) 1.6
g, 3 g of a polyacrylic monomer which is a photosensitive monomer (trade name: R604, manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.), 1.5 g of a polyacrylic monomer (trade name: DPE6A, manufactured by Kyoeisha Chemical Co., Ltd.) (Trade name: S-65), 0.71 g, and 2 g of benzophenone (Kanto Chemical) as a photoinitiator and 0.2 g of Michler's ketone (Kanto Chemical) as a photosensitizer. In addition, the viscosity
A solder resist composition adjusted to 2.0 Pa · s at 25 ° C. was obtained. The viscosity was measured using a B-type viscometer (Tokyo Keiki, DVL
-B type) in case of 60rpm, rotor No.4 and in case of 6rpm, rotor No.3.

【0052】(16)基板にソルダーレジスト組成物を
20μmの厚さで塗布した。 (17)次いで、70℃で20分間、70℃で30分間の乾燥処
理を行った後、1000mJ/cm2 の紫外線で露光し、DMTG現
像処理した。さらに、80℃で1時間、 100℃で1時間、
120℃で1時間、 150℃で3時間の条件で加熱処理し、
パッド部分が開口した(開口径 200μm)ソルダーレジ
スト層8(厚み20μm)を形成した。
(16) Solder resist composition on substrate
It was applied in a thickness of 20 μm. (17) Next, after drying at 70 ° C. for 20 minutes and at 70 ° C. for 30 minutes, the substrate was exposed to ultraviolet light of 1000 mJ / cm 2 and developed by DMTG. In addition, 1 hour at 80 ° C, 1 hour at 100 ° C,
Heat treatment at 120 ° C for 1 hour, 150 ° C for 3 hours,
A solder resist layer 8 (thickness: 20 μm) having an opening in the pad portion (opening diameter: 200 μm) was formed.

【0053】(18)次に、ソルダーレジスト層を形成
した基板を、塩化ニッケル30g/l、次亜リン酸ナトリ
ウム10g/l、クエン酸ナトリウム10g/lからなるp
H=5の無電解ニッケルめっき液に20分間浸漬して、開
口部に厚さ5μmのニッケルめっき層を形成した。さら
に、その基板を、シアン化金カリウム2g/l、塩化ア
ンモニウム75g/l、クエン酸ナトリウム50g/l、次
亜リン酸ナトリウム10g/lからなる無電解金めっき液
に93℃の条件で23秒間浸漬して、ニッケルめっき層13上
に厚さ0.03μmの金めっき層を形成した。
(18) Next, the substrate on which the solder resist layer was formed was replaced with a nickel chloride 30 g / l, sodium hypophosphite 10 g / l, sodium citrate 10 g / l
It was immersed in an electroless nickel plating solution of H = 5 for 20 minutes to form a nickel plating layer having a thickness of 5 μm at the opening. Further, the substrate was placed on an electroless gold plating solution comprising 2 g / l of potassium gold cyanide, 75 g / l of ammonium chloride, 50 g / l of sodium citrate, and 10 g / l of sodium hypophosphite at 93 ° C. for 23 seconds. By dipping, a gold plating layer having a thickness of 0.03 μm was formed on the nickel plating layer 13.

【0054】(19)そして、ソルダーレジスト層の開
口部に、はんだペーストを印刷して 200℃でリフローす
ることによりはんだバンプ(半田体)9、90を形成
し、はんだバンプを有するプリント配線板を製造した。
(19) Solder paste is printed on the opening of the solder resist layer and reflowed at 200 ° C. to form solder bumps (solder bodies) 9 and 90, and a printed wiring board having the solder bumps is formed. Manufactured.

【0055】(実施例2)基本的に実施例1と同様であ
るが、導体回路の粗化をエッチングにより行った。エッ
チング液は、メック社製の「デュラボンド」なる商品名
のものを使用した。
Example 2 Basically the same as Example 1, but the conductor circuit was roughened by etching. An etching solution having a trade name of "Durabond" manufactured by Mec Co. was used.

【0056】(実施例3) A.無電解めっき用接着剤組成物の調製 クレゾールノボラック型エポキシ樹脂(日本化薬製:
分子量2500)の25%アクリル化物を35重量部、
感光性モノマー(東亜合成製:商品名アロニックスM3
15)3.15重量部、消泡剤(サンノプコ製 S−6
5)0.5重量部、NMPを3.6重量部を攪拌混合し
た。 ポリエーテルスルフォン(PES)12重量部、エポ
キシ樹脂粒子(三洋化成製 商品名 ポリマーポール)
の平均粒径1.0μmを7.2重量部、平均粒径0.5
μmのものを3.09重量部を混合した後、さらにNM
P30重量部を添加し、ビーズミルで攪拌混合した。
Example 3 A. Preparation of adhesive composition for electroless plating Cresol novolak type epoxy resin (Nippon Kayaku:
35% by weight of a 25% acrylate having a molecular weight of 2500)
Photosensitive monomer (Toagosei Co., Ltd .: trade name Aronix M3)
15) 3.15 parts by weight of an antifoaming agent (S-6 manufactured by San Nopco)
5) 0.5 parts by weight and 3.6 parts by weight of NMP were mixed with stirring. 12 parts by weight of polyether sulfone (PES), epoxy resin particles (Sanyo Kasei's product name Polymer Pole)
The average particle size of 1.0 μm is 7.2 parts by weight, the average particle size is 0.5
μm, 3.09 parts by weight, and then NM
30 parts by weight of P was added and mixed by stirring with a bead mill.

【0057】イミダゾール硬化剤(四国化成製:商品
名2E4MZ−CN)2重量部、光開始剤(チバガイギ
ー製 イルガキュア I−907)2重量部、光増感剤
(日本化薬製:DETX−S)0.2重量部、NMP
1.5重量部を攪拌混合した。これらを混合して無電解
めっき用接着剤組成物を得た。
2 parts by weight of an imidazole curing agent (trade name: 2E4MZ-CN, manufactured by Shikoku Chemicals), 2 parts by weight of a photoinitiator (Irgacure I-907, manufactured by Ciba Geigy), and a photosensitizer (DETX-S, manufactured by Nippon Kayaku) 0.2 parts by weight, NMP
1.5 parts by weight were stirred and mixed. These were mixed to obtain an adhesive composition for electroless plating.

【0058】B.下層の無電解めっき用接着剤の調整 クレゾールノボラック型エポキシ樹脂(日本化薬製:
分子量2500)の25%アクリル化物を35重量部、
感光性モノマー(東亜合成製:商品名アロニックスM3
15)4重量部、消泡剤(サンノプコ製 S−65)
0.5重量部、NMPを3.6重量部を攪拌混合した。 ポリエーテルスルフォン(PES)12重量部、エポ
キシ樹脂粒子(三洋化成製 商品名 ポリマーポール)
の平均粒径0.5μmのものを14.49重量部、を混
合した後、さらにNMP30重量部を添加し、ビーズミ
ルで攪拌混合した。
B. Preparation of adhesive for electroless plating of lower layer Cresol novolak type epoxy resin (Nippon Kayaku:
35% by weight of a 25% acrylate having a molecular weight of 2500)
Photosensitive monomer (Toagosei Co., Ltd .: trade name Aronix M3)
15) 4 parts by weight, antifoaming agent (S-65, manufactured by San Nopco)
0.5 parts by weight and 3.6 parts by weight of NMP were mixed with stirring. 12 parts by weight of polyether sulfone (PES), epoxy resin particles (Sanyo Kasei's product name Polymer Pole)
Was mixed with 14.49 parts by weight of an average particle diameter of 0.5 μm, and then 30 parts by weight of NMP was further added thereto, followed by stirring and mixing with a bead mill.

【0059】イミダゾール硬化剤(四国化成製:商品
名2E4MZ−CN)2重量部、光開始剤(チバガイギ
ー製 イルガキュア I−907)2重量部、光増感剤
(日本化薬製:DETX−S)0.2重量部、NMP
1.5重量部を攪拌混合した。これらを混合して下層の
無電解めっき用接着剤を得た。
2 parts by weight of an imidazole curing agent (trade name: 2E4MZ-CN, manufactured by Shikoku Chemicals), 2 parts by weight of a photoinitiator (Irgacure I-907, manufactured by Ciba Geigy), and a photosensitizer (DETX-S, manufactured by Nippon Kayaku) 0.2 parts by weight, NMP
1.5 parts by weight were stirred and mixed. These were mixed to obtain a lower layer adhesive for electroless plating.

【0060】C.樹脂充填剤の調整 ビスフェノールF型エポキシモノマー(油化シェル
製、分子量310 、商品名:YL983U) 100重量部と平均粒
径 1.6μmで表面にシランカップリング剤がコーティン
グされたSiO2 球状粒子(アドマテック製、CRS 1101−
CE、ここで、最大粒子の大きさは後述する内層銅パター
ンの厚み(15μm)以下とする) 170重量部、レベリン
グ剤(サンノプコ製、商品名ペレノールS4)1.5重
量部を3本ロールにて混練した。とにより、その混合物
の粘度を23±1℃で45,000〜49,000cps に調整した。 イミダゾール硬化剤(四国化成製、商品名:2E4MZ-C
N)6.5重量部。 これらを混合して樹脂充填剤の調整した。
C. Preparation of resin filler Bisphenol F type epoxy monomer (manufactured by Yuka Shell, molecular weight 310, trade name: YL983U) 100 parts by weight and average particle diameter 1.6 μm, SiO 2 spherical particles coated with a silane coupling agent on the surface (Admatech) Made, CRS 1101−
CE, wherein the maximum particle size is 170 parts by weight of a leveling agent (manufactured by San Nopco, trade name Perenol S4) of 1.5 parts by weight on three rolls. And kneaded. And the viscosity of the mixture was adjusted to 45,000-49,000 cps at 23 ± 1 ° C. Imidazole curing agent (Shikoku Chemicals, trade name: 2E4MZ-C
N) 6.5 parts by weight. These were mixed to prepare a resin filler.

【0061】D.プリント配線板の製造方法 (1)厚さ1mmのガラスエポキシ樹脂またはBT(ビス
マレイミドトリアジン)樹脂からなる基板1の両面に18
μmの銅箔がラミネートされている銅張積層板を出発材
料とした。まず、この銅張積層板をドリル削孔し、めっ
きレジストを形成した後、無電解めっき処理してスルー
ホールを形成し、さらに、銅箔を常法に従いパターン状
にエッチングすることにより、基板の両面に内層銅パタ
ーンを形成した。
D. Method of Manufacturing Printed Wiring Board (1) 18 mm on both sides of substrate 1 made of glass epoxy resin or BT (bismaleimide triazine) resin having a thickness of 1 mm.
A copper-clad laminate on which a μm copper foil was laminated was used as a starting material. First, this copper clad laminate is drilled, a plating resist is formed, and then an electroless plating process is performed to form a through-hole. Further, the copper foil is etched in a pattern according to a conventional method to form a substrate. Inner layer copper patterns were formed on both sides.

【0062】(2)内層銅パターンを形成した基板を水
洗いし、乾燥した後、NaOH(10g/l)、NaC
lO2 (40g/l)、Na3 PO4 (6g/l)を酸
化浴(黒化浴)とし、また、NaOH(10g/l)、
NaBH4 (6g/l)を還元浴とし、導体回路、スル
ーホール全表面に粗化層を設けた。 (3)樹脂充填剤を、基板の両面にロールコータを用い
て塗布することにより、導体回路間あるいはスルーホー
ル内に充填し、次いで 100℃で1時間、120 ℃で3時
間、 150℃で1時間、 180℃で7時間の加熱処理を行っ
て硬化した。即ち、この工程により、樹脂充填剤が内層
銅パターンの間あるいはスルーホール内に充填される。
(2) The substrate on which the inner layer copper pattern was formed was washed with water and dried, and then NaOH (10 g / l), NaC
lO 2 (40 g / l) and Na 3 PO 4 (6 g / l) were used as an oxidation bath (blackening bath), and NaOH (10 g / l),
NaBH 4 (6 g / l) was used as a reducing bath, and a roughened layer was provided on the entire surface of the conductor circuit and the through hole. (3) A resin filler is applied to both sides of the substrate by using a roll coater to fill the space between the conductor circuits or into the through holes, and then at 100 ° C. for 1 hour, at 120 ° C. for 3 hours, at 150 ° C. for 1 hour. Heating was performed at 180 ° C. for 7 hours for curing. That is, in this step, the resin filler is filled between the inner layer copper patterns or in the through holes.

【0063】(4)前記(3)の処理を終えた基板の片
面を、#600 のベルト研磨紙(三共理化学製)を用いた
ベルトサンダー研磨により、内層銅パターンの表面やス
ルーホールのランド表面に樹脂充填剤が残らないように
研磨し、次いで、前記ベルトサンダー研磨による傷を取
り除くためのバフ研磨を行った。このような一連の研磨
を基板の他方の面についても同様に行った。そして、ス
ルーホール等に充填された樹脂充填剤および導体回路上
面の粗化層を除去して基板両面を樹脂充填剤にて平滑化
し、樹脂充填剤と導体回路側面が粗化層を介して密着
し、またスルーホール内壁と樹脂充填剤が粗化層を介し
て密着した基板を得た。即ち、この工程により、樹脂充
填剤の表面と内層銅パターンの表面が同一平面となる。
ここで、硬化樹脂のTg点は155.6 ℃、線熱膨張係数は
44.5×10-6/℃であった。
(4) One surface of the substrate after the treatment of the above (3) is subjected to belt sander polishing using # 600 belt polishing paper (manufactured by Sankyo Rikagaku Co., Ltd.), and the surface of the inner layer copper pattern and the land surface of the through hole Was polished so that no resin filler remained, and then buffed to remove scratches caused by the belt sander polishing. Such a series of polishing was similarly performed on the other surface of the substrate. Then, the resin filler filled in the through-holes and the roughened layer on the upper surface of the conductor circuit are removed, and both surfaces of the substrate are smoothed with the resin filler, and the resin filler and the side of the conductor circuit are adhered through the roughened layer. Further, a substrate in which the inner wall of the through hole and the resin filler were in close contact with each other via the roughened layer was obtained. That is, by this step, the surface of the resin filler and the surface of the inner layer copper pattern become flush with each other.
Here, the Tg point of the cured resin is 155.6 ° C., and the linear thermal expansion coefficient is
44.5 × 10 −6 / ° C.

【0064】(5)さらに、露出した導体回路およびス
ルーホールランドの上面に厚さ5μmのCu−Ni−P合金
被覆層、厚さ2μmのCu−Ni−P針状合金粗化層および
粗化層表面に0.3μmの厚さのSn金属被覆層を設け
た。形成方法は次のようである。基板を酸性脱脂してソ
フトエッチングし、次いで、塩化パラジウムと有機酸か
らなる触媒溶液で処理して、Pd触媒を付与し、この触
媒を活性化した後、硫酸銅8g/l、硫酸ニッケル 0.6
g/l、クエン酸15g/l、次亜リン酸ナトリウム29g
/l、ホウ酸31g/l、界面活性剤 0.1g/l、pH=
9からなる無電解めっき浴に基板を浸漬し、この基板を
4秒に1回の割合で縦方向に揺動させるとともに、めっ
き析出後、3分後に空気をバブリングさせて、銅導体回
路およびスルーホールの表面にCu−Ni−Pの非針状合金
の被覆層を最初に析出させ、次にCu−Ni−Pの針状合金
を析出させて粗化層を設けた。さらに、100℃で30
分、120℃で30分、150℃で2時間加熱し、10
重量%硫酸水溶液、および0.2mol/lのホウフッ
酸水溶液で処理後、ホウフッ化スズ0.1mol/l、
チオ尿素1.0mol/l、温度50℃、pH=1.2
の条件でCu−Sn置換反応させ、粗化層表面に0.3
μmの厚さのSn金属被覆層を設けた。
(5) Further, a 5 μm thick Cu—Ni—P alloy coating layer, a 2 μm thick Cu—Ni—P needle-like alloy roughened layer and a roughened layer are formed on the exposed upper surfaces of the conductor circuits and the through-hole lands. A 0.3 μm thick Sn metal coating layer was provided on the layer surface. The forming method is as follows. The substrate was acid-degreased and soft-etched, and then treated with a catalyst solution comprising palladium chloride and an organic acid to provide a Pd catalyst. After activating this catalyst, copper sulfate 8 g / l, nickel sulfate 0.6
g / l, citric acid 15g / l, sodium hypophosphite 29g
/ L, boric acid 31 g / l, surfactant 0.1 g / l, pH =
The substrate was immersed in an electroless plating bath made of No. 9, and the substrate was swung in the vertical direction at a rate of once every four seconds. A roughened layer was formed by first depositing a coating layer of a non-acicular alloy of Cu-Ni-P on the surface of the hole, and then depositing an acicular alloy of Cu-Ni-P. In addition, 30
For 30 minutes at 120 ° C. and 2 hours at 150 ° C.
After treatment with a weight% sulfuric acid aqueous solution and a 0.2 mol / l aqueous solution of borofluoric acid, tin borofluoride 0.1 mol / l,
Thiourea 1.0 mol / l, temperature 50 ° C, pH = 1.2
Cu-Sn substitution reaction under the condition of
A μm thick Sn metallization layer was provided.

【0065】(6)基板の両面に、Bの層間樹脂絶縁剤
(粘度1.5Pa・s) をロールコータで塗布し、水平
状態で20分間放置してから、60℃で30分の乾燥を行い、
ついでAの無電解めっき用接着剤をロールコータを用い
て塗布し、水平状態で20分間放置してから、60℃で30分
の乾燥を行い、厚さ40μmの接着剤層を形成した。 (7)前記(6)で接着剤層を形成した基板の両面に、
85μmφの黒円が印刷されたフォトマスクフィルムを
密着させ、超高圧水銀灯により 500mJ/cm2 で露光し
た。これをDMDG溶液でスプレー現像することによ
り、接着剤層に85μmφのバイアホールとなる開口を
形成した。さらに、当該基板を超高圧水銀灯により3000
mJ/cm2 で露光し、100 ℃で1時間、その後 150℃で5
時間の加熱処理をすることにより、フォトマスクフィル
ムに相当する寸法精度に優れた開口(バイアホール形成
用開口)を有する厚さ35μmの層間絶縁材層(接着剤
層)を形成した。なお、バイアホールとなる開口には、
スズめっき層を部分的に露出させた。
(6) An interlayer resin insulating material of B (viscosity: 1.5 Pa · s) is applied to both surfaces of the substrate by a roll coater, left in a horizontal state for 20 minutes, and then dried at 60 ° C. for 30 minutes. Do
Then, the adhesive for electroless plating of A was applied using a roll coater, left standing for 20 minutes in a horizontal state, and then dried at 60 ° C. for 30 minutes to form an adhesive layer having a thickness of 40 μm. (7) On both surfaces of the substrate on which the adhesive layer was formed in (6),
A photomask film on which a black circle of 85 μmφ was printed was brought into close contact with the photomask film, and exposed to light at 500 mJ / cm 2 using an ultrahigh pressure mercury lamp. This was spray-developed with a DMDG solution to form an opening serving as an 85 μmφ via hole in the adhesive layer. Further, the substrate is 3,000
exposed with mJ / cm 2, 1 hour at 100 ° C., thereafter 0.99 ° C. 5
By performing the heat treatment for a long time, an interlayer insulating material layer (adhesive layer) having a thickness of 35 μm having an opening (an opening for forming a via hole) having excellent dimensional accuracy corresponding to a photomask film was formed. In addition, in the opening that will be a via hole,
The tin plating layer was partially exposed.

【0066】(8)以下、実施例1の(7)〜(19)
を実施して多層プリント配線板を得た。但し、無電解め
っき膜の厚さを0.6μmとした。
(8) Hereinafter, (7) to (19) of Example 1
Was carried out to obtain a multilayer printed wiring board. However, the thickness of the electroless plating film was 0.6 μm.

【0067】(比較例)実施例1の(1)、(2)、
(3)、(4)、(5)、(6)、(7)、(8)の処
理後、ドライフィムフォトレジストをラミネートすると
ともに、露光、現像処理により、めっきレジストを形成
した。ついで、実施例1の(9)を実施後、(12)の
工程と同様にしてめっきレジストを剥離し、(13)の
処理を行い導体回路の全表面を粗化し、さらに、同様に
層間樹脂絶縁層、粗化、めっきレジストの形成、無電解
銅めっきを施し、めっきレジストの剥離後、実施例1
の、(15)、(16)、(17)、(18)、(1
9)の処理により、はんだバンプを有するプリント配線
板を製造した。
(Comparative Example) (1), (2),
After the processes (3), (4), (5), (6), (7), and (8), a dry film photoresist was laminated, and a plating resist was formed by exposure and development. Then, after performing (9) of Example 1, the plating resist is peeled off in the same manner as in the process of (12), and the process of (13) is performed to roughen the entire surface of the conductor circuit. Example 1 After insulating layer, roughening, formation of plating resist, electroless copper plating, and peeling of plating resist, Example 1
(15), (16), (17), (18), (1
By the process of 9), a printed wiring board having solder bumps was manufactured.

【0068】実施例、比較例で製造されたプリント配線
板につき、ICチップを実装し、−55℃で15分、常
温10分、125℃で15分でヒートサイクル試験を1
000回、および2000回実施した。実施例、比較例
について半田体の切れや剥離の発生の有無を顕微鏡で確
認した。結果を表1に示す。
An IC chip was mounted on each of the printed wiring boards manufactured in Examples and Comparative Examples, and a heat cycle test was performed at −55 ° C. for 15 minutes, at room temperature for 10 minutes, and at 125 ° C. for 15 minutes.
000 times and 2000 times. With respect to Examples and Comparative Examples, the presence or absence of breakage or peeling of the solder body was confirmed with a microscope. Table 1 shows the results.

【0069】[0069]

【表1】 [Table 1]

【0070】[0070]

【発明の効果】以上説明したように本発明のプリント配
線板によれば、ヒートサイクル時における半田バンプ
(半田体)に発生する切れや剥離抑制して接続信頼性を
向上させることが可能である。
As described above, according to the printed wiring board of the present invention, it is possible to improve the connection reliability by suppressing the cut and peeling generated in the solder bump (solder body) during the heat cycle. .

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】〜FIG. 1

【図18】発明にかかる多層プリント配線板の製造工程
図である。
FIG. 18 is a manufacturing process diagram of the multilayer printed wiring board according to the present invention.

【図19】発明にかかる配線板の構造拡大図である。FIG. 19 is an enlarged view of the structure of the wiring board according to the invention.

【図20】発明にかかる配線板の構造拡大図である。FIG. 20 is an enlarged view of the structure of the wiring board according to the present invention.

【図21】銅−ニッケル−リンの粗化層の組成を表す三
角図
FIG. 21 is a triangular diagram showing the composition of a roughened layer of copper-nickel-phosphorus.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 基板 2 下層導体回路 3 無電解銅めっき膜 4 電解銅めっき膜 5 粗化層 6 層間樹脂絶縁層(無電解めっき用接着剤層) 7 めっきレジスト 8 ソルダーレジスト層 9、90 半田体 10、100 半田パッド DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Substrate 2 Lower conductor circuit 3 Electroless copper plating film 4 Electrolytic copper plating film 5 Roughened layer 6 Interlayer resin insulating layer (adhesive layer for electroless plating) 7 Plating resist 8 Solder resist layer 9, 90 Solder body 10, 100 Solder pad

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 絶縁層上に導体パッドが形成され、該導
体パッド上に半田体が形成されたプリント配線板であっ
て、 前記導体パッドは、無電解めっき膜と電解めっき膜から
なることを特徴とするプリント配線板。
1. A printed wiring board in which a conductor pad is formed on an insulating layer and a solder body is formed on the conductor pad, wherein the conductor pad comprises an electroless plating film and an electrolytic plating film. Printed wiring board featuring.
【請求項2】 前記無電解めっき膜の厚さは0.1〜5
μmであり、電解めっき膜の厚さは5〜30μmである
請求項1に記載のプリント配線板。
2. The thickness of the electroless plating film is 0.1-5.
The printed wiring board according to claim 1, wherein the thickness of the electrolytic plating film is 5 to 30 μm.
【請求項3】 絶縁層上に無電解めっきを施し、ついで
めっきレジストを形成して、電解めっきを行い、めっき
レジストを除去した後、エッチングを行い、無電解めっ
き膜と電解めっき膜からなる導体パッドを設け、 該導体パッドに、半田体を設けることを特徴とするプリ
ント配線板の製造方法。
3. A conductor comprising an electroless plating film and an electrolytic plating film, wherein an electroless plating is performed on the insulating layer, a plating resist is formed, an electrolytic plating is performed, the plating resist is removed, and an etching is performed. A method for manufacturing a printed wiring board, comprising: providing a pad; and providing a solder body on the conductive pad.
【請求項4】 基板上に下層導体回路が形成され、その
下層導体回路上に層間絶縁層が設けられ、その層間絶縁
層には下層導体回路と接続するバイアホールが形成さ
れ、そのバイアホールには半田体が形成されてなる多層
プリント配線板であって、 前記バイアホールは、無電解めっき膜と電解めっき膜か
らなることを特徴とする多層プリント配線板。
4. A lower conductor circuit is formed on a substrate, an interlayer insulating layer is provided on the lower conductor circuit, a via hole connected to the lower conductor circuit is formed in the interlayer insulating layer, and the via hole is formed in the via hole. Is a multilayer printed wiring board on which a solder body is formed, wherein the via hole comprises an electroless plating film and an electrolytic plating film.
【請求項5】 前記無電解めっき膜の厚さは0.1〜5
μmであり、電解めっき膜の厚さは5〜30μmである
請求項4に記載の多層プリント配線板。
5. The thickness of the electroless plating film is 0.1 to 5
5. The multilayer printed wiring board according to claim 4, wherein the thickness of the electrolytic plating film is 5 to 30 μm.
【請求項6】 基板上に下層導体回路を形成し、その下
層導体回路上に層間絶縁層を設け、ついで該層間絶縁層
にバイアホール用の孔を設け、その後無電解めっきを施
して、層間絶縁層上に無電解めっき膜を形成した後、め
っきレジストを形成し、さらに電解めっきを施した後、
めっきレジストを除去、エッチング処理し、無電解めっ
き膜と電解めっき膜からなるバイアホールを設け、つい
で該バイアホールに半田体を形成することを特徴とする
多層プリント配線板の製造方法。
6. A lower conductor circuit is formed on a substrate, an interlayer insulating layer is provided on the lower conductor circuit, a hole for a via hole is provided in the interlayer insulating layer, and then electroless plating is performed. After forming an electroless plating film on the insulating layer, forming a plating resist, and further performing electrolytic plating,
A method for manufacturing a multilayer printed wiring board, comprising: removing a plating resist, performing an etching treatment, providing a via hole including an electroless plating film and an electrolytic plating film, and then forming a solder body in the via hole.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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