JP2000294396A - マグネトロン出力制御方法及び装置 - Google Patents

マグネトロン出力制御方法及び装置

Info

Publication number
JP2000294396A
JP2000294396A JP11098645A JP9864599A JP2000294396A JP 2000294396 A JP2000294396 A JP 2000294396A JP 11098645 A JP11098645 A JP 11098645A JP 9864599 A JP9864599 A JP 9864599A JP 2000294396 A JP2000294396 A JP 2000294396A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
power
wave power
magnetron
signal
output
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP11098645A
Other languages
English (en)
Other versions
JP4115618B2 (ja
Inventor
Hiroaki Ooichi
啓晶 大市
Yoshiki Fukumoto
佳樹 福本
Hiroyuki Ito
宏行 伊藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Daihen Corp
Original Assignee
Daihen Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Daihen Corp filed Critical Daihen Corp
Priority to JP09864599A priority Critical patent/JP4115618B2/ja
Publication of JP2000294396A publication Critical patent/JP2000294396A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4115618B2 publication Critical patent/JP4115618B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Microwave Tubes (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 マグネトロン17の出力制御方法を改善する
ことによって、反射波電力が発生した場合に、ハンチン
グ状態になることを防止して、速やかに整合させる。 【解決手段】 本発明は、マイクロ波を発生するマグネ
トロン(磁電管)17の出力をプラズマ負荷18に供給
する装置のマグネトロン出力制御方法において、進行波
電力に対応した信号Ea及び反射波電力に対応した信号
Ebを検出又は演算して、この反射波電力に対応した信
号Ebが、予め設定した反射波電力比較基準値Ec以上
になると、マグネトロンの出力制御を、進行波電力を一
定値にする制御からアノード電流を一定値にする制御に
切り換え、反射波電力に対応した信号Ebが、予め設定
した反射波電力比較基準値Ec未満になると、マグネト
ロン17の出力制御を、アノード電流を一定値にする制
御から進行波電力を一定値にする制御に切り換えるマグ
ネトロン出力制御方法及び装置である。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、マイクロ波電力を
発生するマグネトロンの出力電力を制御するマグネトロ
ン出力制御方法及び装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】マグネトロンを用いたマグネトロン出力
制御装置から出力されるマイクロ波電力によって発生さ
せたプラズマを利用した装置には、薄膜を形成する装置
の1つであるCVD装置及び半導体製造用のエッチング
装置等のプラズマ処理装置がある。
【0003】(従来技術1)図1は、従来技術1のマグ
ネトロン出力制御装置及びその周辺装置の実施例を示す
従来技術1のブロック図である。従来技術1のマグネト
ロン出力制御装置は、マイクロ波電力を発生させるため
のマグネトロン(磁電管)17と、マグネトロン17の
フィラメントに電力を供給してフィラメントを加熱する
ための電源(以下、フィラメント電源という)16と、
マグネトロン17のアノードとカソードとの間に高電圧
を印加するための直流高圧電源(以下、アノード電源と
いう)125とから成り、マグネトロン17のアノード
電流を検出し、検出したアノード電流検出信号が一定値
になるように制御を行っていた。この制御方法をアノー
ド電流一定制御という。
【0004】商用電源1は、アノード電源125とフィ
ラメント電源16とに電力を供給するAC電源である。
フィラメント電源16は、マグネトロン17のフィラメ
ント加熱用の電源である。アノード電源125に入力さ
れた電力は、ダイオードブリッジ2とコンデンサ3とに
よって整流平滑された後、スイッチング素子4,5及び
コンデンサ6,7から成るハーフブリッジインバータに
供給される。ハーフブリッジインバータによって高周波
化された出力電力は、高周波トランス8を介してマグネ
トロン17に印加される。高周波トランス8の二次側に
はダイオード9,10とコンデンサ11,12とから成
る倍電圧整流平滑回路が接続されているので、マグネト
ロン17に直流の高電圧が印加されて、マイクロ波電力
が出力される。
【0005】アイソレータ27は、マグネトロン17か
らプラズマ負荷18に向かう進行波電力を通過させる
が、プラズマ負荷18で発生した反射波電力を大きく減
衰させるような非可逆回路であり、反射波電力を消費す
るためのダミーロードを含んでいる。このアイソレータ
27は、通常、プラズマ負荷18で発生した反射波電力
からマグネトロン出力制御装置を保護する目的で使用さ
れる。
【0006】マグネトロン17から出力されたマイクロ
波電力は、マグネトロン17とアイソレータ27との間
のマイクロ波電力の伝送線路である導波管26aと、ア
イソレータ27と、アイソレータ27とプラズマ負荷1
8との間のマイクロ波電力の伝送線路である導波管26
bとを介してプラズマ負荷18に投入される。
【0007】このようなマグネトロン出力制御装置の出
力電力制御方法としては、マグネトロン17の出力が定
電圧特性を有することから、マグネトロン17のアノー
ド電流が一定値になるようにフィードバック制御を行っ
ている。
【0008】具体的には、アノード電流検出器20によ
ってアノード電流を検出し、検出したアノード電流検出
信号を誤差増幅器114に入力する。誤差増幅器114
は、入力されたアノード電流検出信号の検出値と出力電
力設定器115の設定値との誤差を増幅して出力電力増
幅信号を出力する。制御回路113は、誤差増幅器11
4の出力電力増幅信号を入力して、アノード電流検出器
20によって検出したアノード電流検出信号が出力電力
設定器115の設定値になるように、スイッチング素子
4,5のON時間を制御している。
【0009】(従来技術2)図2は、従来技術2のマグ
ネトロン出力制御装置及びその周辺装置の実施例を示す
従来技術2のブロック図である。従来技術2のマグネト
ロン出力制御装置は、マグネトロン17と、フィラメン
ト電源16と、アノード電源225と、進行波電力に対
応した信号を検出又は演算するマイクロ波電力検出器2
19とから成り、マイクロ波電力検出器219から進行
波電力に対応した信号を出力し、この進行波電力に対応
した信号が一定値になるように制御を行っていた。この
制御方法を進行波電力一定制御という。
【0010】商用電源1は、アノード電源225とフィ
ラメント電源16とに電力を供給するAC電源である。
フィラメント電源16は、マグネトロン17のフィラメ
ント加熱用の電源である。アノード電源225に入力さ
れた電力は、ダイオードブリッジ2とコンデンサ3とに
よって整流平滑された後、スイッチング素子4,5及び
コンデンサ6,7から成るハーフブリッジインバータに
供給される。ハーフブリッジインバータによって高周波
化された出力電力は、高周波トランス8を介してマグネ
トロン17に印加される。高周波トランス8の二次側に
はダイオード9,10とコンデンサ11,12とから成
る倍電圧整流平滑回路が接続されているので、マグネト
ロン17に直流の高電圧が印加されて、マイクロ波電力
が出力される。
【0011】マグネトロン17から出力されたマイクロ
波電力は、マグネトロン17とアイソレータ27との間
のマイクロ波電力の伝送線路である導波管26aと、ア
イソレータ27と、アイソレータ27とプラズマ負荷1
8との間のマイクロ波電力の伝送線路である導波管26
bとを介してプラズマ負荷18に投入される。
【0012】マイクロ波電力検出器219は、導波管2
6b上に設けられていて、方向性結合器,マイクロ波自
動整合器等を使用して、進行波電力に対応した信号及び
反射波電力に対応した信号を検出又は演算する機能を有
している。例えば、特開平4−196903に記載され
ているように、方向性結合器を使用する場合は、方向性
結合器によってマイクロ波の定在波を進行波と反射波と
に分離すると共に分離した進行波及び反射波をダイオー
ド等を用いて検波することによって、進行波電力に対応
した信号及び反射波電力に対応した信号を検出する機能
を有している。同じく特開平4−196903に記載さ
れているように、マイクロ波自動整合器を使用する場合
は、導波管26bに3個の探針を備え、この3個の探針
によって導波管26b内部のマイクロ波の電圧定在波の
振幅を検出すると共に検出した電圧定在波の振幅を用い
て特定の基準位置においてプラズマ負荷18側を見たと
きのインピーダンス又は反射係数を演算し、上記で検出
した電圧定在波の振幅と演算したインピーダンス又は反
射係数とに基づいて、マイクロ波の進行波電力に対応し
た信号及び反射波電力に対応した信号を演算する機能を
有している。
【0013】このようなマグネトロン出力制御装置の出
力電力制御方法としては、マイクロ波電力検出器219
から出力する進行波電力に対応した信号を用いて進行波
電力が一定値になるようにフィードバック制御を行って
いる。
【0014】具体的には、マイクロ波電力検出器219
から進行波電力に対応した信号を出力し、この進行波電
力に対応した信号を誤差増幅器214に入力する。誤差
増幅器214は、入力された進行波電力に対応した信号
と出力電力設定器215の設定値との誤差を増幅して出
力電力増幅信号を出力する。制御回路213は、誤差増
幅器214の出力電力増幅信号を入力して、マイクロ波
電力検出器219から出力する進行波電力に対応した信
号が出力電力設定器215の設定値になるように、スイ
ッチング素子4,5のON時間を制御している。
【0015】
【発明が解決しようとする課題】前述した従来技術1の
マグネトロン出力制御装置は、マグネトロン17のアノ
ード電流を検出し、検出したアノード電流検出信号が一
定値になるように制御を行っている。このマグネトロン
17は、陰極から放出された電子の進行方向を変えるた
めの磁界が必要である。マイクロ波出力電力が6kW以
下であるマグネトロン17は、予め磁化したフェライト
コアをマグネトロン17の内部に配置して、上記の磁界
を得る場合が多い。
【0016】一般にマグネトロン17は、(マイクロ波
出力電力)/(マグネトロン入力電力)で表されるマイ
クロ波電力の出力効率が60〜70%程度である。(マ
グネトロン入力電力)−(マイクロ波出力電力)で表さ
れる損失は、熱となってマグネトロン17本体を加熱す
るために、マグネトロン17に内蔵されているフェライ
トコアも温度上昇することになる。フェライトコアは、
温度が上昇すると磁力が低減する減磁特性が生じる。フ
ェライトコアの磁力が低減すると、マイクロ波出力効率
が低下する。
【0017】マグネトロン出力制御装置のマイクロ波出
力電力の制御方法がアノード電流一定制御の場合、長時
間マイクロ波電力を出力したり、大容量の出力を取り出
すときは、フェライトコアの温度上昇に伴って減磁特性
が生じて磁界が弱まり、マイクロ波電力の出力効率が低
下する。そのために、アノード電流を一定値に制御して
いても、取り出せるマイクロ波出力電力値は、フェライ
トコアの温度上昇の時間に伴って低下する。ある空冷マ
グネトロンの例では、アノード電流一定制御でマイクロ
波出力を行った場合、出力開始から60秒で初期のマイ
クロ波出力電力値から10%程度低下する。
【0018】以上のことから、アノード電流一定制御の
マグネトロン出力制御装置は、マグネトロン17の温度
特性によって、マグネトロン17から出力されるマイク
ロ波の実効電力が変動する。実効電力が変動すると、前
述したプラズマを利用して形成する薄膜の膜厚が所定値
にならない、膜厚にばらつきが生じる等の影響がある。
【0019】前述の従来技術2のマグネトロン出力制御
装置は、マイクロ波電力検出器219から進行波電力に
対応した信号を出力し、この進行波電力に対応した信号
が一定値になるように制御を行っていた。
【0020】ここで、プラズマ負荷18で反射波電力が
発生した場合、導波管26b内部の定在波比(定在波の
最大値と最小値との比)は、1.0を超過して定在波が
生じる。このとき、プラズマ負荷18の特性が非線形の
場合が多いために、マイクロ波の出力波形に歪みによる
高調波を含んだり、雑音周波数が重畳することが多い。
しかし、マイクロ波電力検出器219は、定格周波数で
歪みがない波形のときに、進行波電力に対応した信号及
び反射波電力に対応した信号を正確に検出又は演算でき
るようになっている。そのために、前述のプラズマ負荷
18で反射波電力が発生すると、マイクロ波の出力波形
は定格周波数で歪みがない波形ではなくなるために、進
行波電力に対応した信号及び反射波電力に対応した信号
は真値との間に誤差を生じることになる。
【0021】進行波電力に対応した信号に誤差が生じれ
ば、制御系の利得がいくら高くても出力電力設定器21
5で設定した値とマイクロ波出力の実効電力との間に誤
差が生じる。
【0022】以上のことから、進行波電力一定制御方法
のマグネトロン出力制御装置は、反射波電力が発生して
いないときには、進行波電力を一定値に保つことができ
るが、プラズマ負荷18のような非線形負荷に反射波電
力が発生すると、マイクロ波電力検出器219から出力
する進行波電力に対応した信号に誤差が生じるために、
マグネトロン17から出力される進行波電力に誤差が生
じることになる。
【0023】ところで、導波管26bに設けるマイクロ
波電力検出器219は、前述のように方向性結合器、マ
イクロ波自動整合器等を使うことが多い。方向性結合器
及びマイクロ波自動整合器は、進行波電力に対応した信
号及び反射波電力に対応した信号を検出又は演算できる
が、マイクロ波自動整合器は、さらにマイクロ波電力を
効率良くプラズマ負荷18に投入できるように、導波管
26bとプラズマ負荷18との間のインピーダンスを自
動的に整合させる機能も有している。なお、手動でイン
ピーダンスを変化させる手段を備えた装置であれば、自
動ではなく手動でインピーダンスを整合させることも可
能である。
【0024】このようにマイクロ波電力検出器219を
使用して、プラズマ負荷18に対して進行波電力一定制
御を行うと、反射波電力の発生時には、進行波電力に対
応した信号に誤差が生じ、ひいてはプラズマ負荷18に
投入される進行波電力の実効電力が変動することにな
る。その結果、負荷の状態が変化するために発生する反
射波電力も変わるというハンチング状態になりやすい。
ハンチング状態になると、整合がとれなくなったり、従
来技術のマイクロ波自動整合器では、整合するまでの時
間が長くかかる。
【0025】本発明は、従来技術2で問題となっていた
ハンチング及び従来技術1で問題となっていたフェライ
トコアの減磁特性によるマイクロ波出力電力の低下を防
止することを目的とする。
【0026】
【課題を解決するための手段】出願時請求項1の発明
は、マイクロ波を発生するマグネトロン(磁電管)17
の出力をプラズマ負荷18に供給する装置のマグネトロ
ン出力制御方法において、マグネトロン17からプラズ
マ負荷18に向かう進行波電力に対応した信号Ea及び
プラズマ負荷18から反射してくる反射波電力に対応し
た信号Ebを検出又は演算して、前述の反射波電力に対
応した信号Ebが、予め設定した反射波電力比較基準値
Ec以上になると、マグネトロンの出力制御を、進行波
電力を一定値にする制御からアノード電流を一定値にす
る制御に切り換え、反射波電力に対応した信号Ebが、
予め設定した反射波電力比較基準値Ec未満になると、
マグネトロン17の出力制御を、アノード電流を一定値
にする制御から進行波電力を一定値にする制御に切り換
えるマグネトロン出力制御方法である。
【0027】出願時請求項2の発明は、マイクロ波を発
生するマグネトロン(磁電管)17の出力をプラズマ負
荷18に供給する装置のマグネトロン出力制御方法にお
いて、マイクロ波の定在波をマグネトロン17からプラ
ズマ負荷18に向かう進行波とプラズマ負荷18から反
射してくる反射波とに分離すると共に分離した進行波及
び反射波を検波することによって進行波電力に対応した
信号Ea及び反射波電力に対応した信号Ebを検出し
て、前述の反射波電力に対応した信号Ebが、予め設定
した反射波電力比較基準値Ec以上になると、マグネト
ロン17の出力制御を、進行波電力を一定値にする制御
からアノード電流を一定値にする制御に切り換え、反射
波電力に対応した信号Ebが、予め設定した反射波電力
比較基準値Ec未満になると、マグネトロン17の出力
制御を、アノード電流を一定値にする制御から進行波電
力を一定値にする制御に切り換えるマグネトロン出力制
御方法である。
【0028】出願時請求項3の発明は、マイクロ波を発
生するマグネトロン(磁電管)17の出力をプラズマ負
荷18に供給する装置のマグネトロン出力制御方法にお
いて、マイクロ波の電圧定在波の振幅を検出すると共に
検出した電圧定在波の振幅を用いてマグネトロン17か
らプラズマ負荷18に向かう進行波電力に対応した信号
Ea及びプラズマ負荷18から反射してくる反射波電力
に対応した信号Ebを演算して、前述の反射波電力に対
応した信号Ebが、予め設定した反射波電力比較基準値
Ec以上になると、マグネトロン17の出力制御を、進
行波電力を一定値にする制御からアノード電流を一定値
にする制御に切り換え、反射波電力に対応した信号Eb
が、予め設定した反射波電力比較基準値Ec未満になる
と、マグネトロン17の出力制御を、アノード電流を一
定値にする制御から進行波電力を一定値にする制御に切
り換えるマグネトロン出力制御方法である。
【0029】出願時請求項4の発明は、出願時請求項1
又は出願時請求項2又は出願時請求項3に記載の反射波
電力比較基準値Ecが、進行波電力を一定値にする制御
からアノード電流を一定値にする制御に切り替える場合
と、アノード電流を一定値にする制御から進行波電力を
一定値にする制御に切り換える場合とで異なる値の反射
波電力比較基準値S1,S2であるマグネトロン出力制
御方法である。
【0030】出願時請求項5の発明は、図3に示すよう
に、マイクロ波を発生するマグネトロン(磁電管)17
と、マグネトロン17のフィラメントに電力を供給して
フィラメントを加熱するためのフィラメント電源16
と、マグネトロン17のアノードとカソードとの間に高
電圧を印加するためのアノード電源25と、進行波電力
に対応した信号Ea及び反射波電力に対応した信号Eb
を検出又は演算する電力検出器19とから成るマグネト
ロン出力制御装置において、アノード電流を検出するア
ノード電流検出器20と、進行波電力に対応した信号E
a又はアノード電流検出信号Edを切り換えて出力する
検出信号切換器21と、反射波電力に対応した信号Eb
と予め設定した反射波電力比較基準値Ecとの差に対応
した進行波・アノード切り換え信号Egを出力する検出
信号切換ドライバ22とを備え、前述の検出信号切換器
21は、検出信号切換ドライバ22の出力信号Egに応
じて内部のスイッチを切り換え、内部のスイッチがアノ
ード電流検出器20側のときにアノード電流検出信号E
dを出力し、内部のスイッチが電力検出器19側のとき
に進行波電力に対応した信号Eaを出力し、前述の進行
波電力に対応した信号Ea又はアノード電流検出信号E
dによってマグネトロンの出力電力を制御するマグネト
ロン出力制御装置である。
【0031】出願時請求項6の発明は、図3に示すよう
に、マイクロ波を発生するマグネトロン(磁電管)17
と、マグネトロン17のフィラメントに電力を供給して
フィラメントを加熱するためのフィラメント電源16
と、マグネトロン17のアノードとカソードとの間に高
電圧を印加するためのアノード電源25と、進行波電力
に対応した信号Ea及び反射波電力に対応した信号Eb
を検出又は演算する電力検出器19とから成るマグネト
ロン出力制御装置において、アノード電流を検出するア
ノード電流検出器20と、反射波電力比較基準値Ecを
予め設定する検出信号切換設定器24と、反射波電力に
対応した信号Ebと予め設定した反射波電力比較基準値
Ecとの差の信号Ehを出力するヒステリシス付き比較
器23と、進行波電力に対応した信号Ea又はアノード
電流検出信号Edを切り換えて出力する検出信号切換器
21と、ヒステリシス付き比較器23の出力信号Ehを
入力して反射波電力に対応した信号Ebが予め設定した
反射波電力比較基準値Ec以上のときは検出信号切換器
21内のスイッチをアノード電流検出器20側に切り換
える第1の進行波・アノード切り換え信号Egを出力
し、反射波電力に対応した信号Ebが予め設定した反射
波電力比較基準値Ec未満のときは検出信号切換器21
内のスイッチを電力検出器19側に切り換える第2の進
行波・アノード切り換え信号Egを出力する検出信号切
換ドライバ22とを備え、前述の検出信号切換器21
は、検出信号切換ドライバ22の出力信号に応じて内部
のスイッチを切り換え、内部のスイッチがアノード電流
検出器20側のときにアノード電流検出信号Edを出力
し、内部のスイッチが電力検出器19側のときに進行波
電力に対応した信号Eaを出力し、前述の進行波電力に
対応した信号Ea又はアノード電流検出信号Edによっ
てマグネトロンの出力電力を制御するマグネトロン出力
制御装置である。
【0032】出願時請求項7の発明は、図3に示すよう
に、マイクロ波を発生するマグネトロン(磁電管)17
と、マグネトロン17のフィラメントに電力を供給して
フィラメントを加熱するためのフィラメント電源16
と、マグネトロン17のアノードとカソードとの間に高
電圧を印加するためのアノード電源25と、進行波電力
に対応した信号Ea及び反射波電力に対応した信号Eb
を検出又は演算する電力検出器19とから成るマグネト
ロン出力制御装置において、アノード電流を検出するア
ノード電流検出器20と、反射波電力比較基準値Ecを
予め設定する検出信号切換設定器24と、反射波電力に
対応した信号Ebと予め設定した反射波電力比較基準値
Ecとの差の信号Ehを出力するヒステリシス付き比較
器23と、進行波電力に対応した信号Ea又はアノード
電流検出信号Edを切り換えて出力する検出信号切換器
21と、ヒステリシス付き比較器23の出力信号Ehを
入力して反射波電力に対応した信号Ebが予め設定した
反射波電力比較基準値Ec以上のときは検出信号切換器
21内のスイッチをアノード電流検出器20側に切り換
える第1の進行波・アノード切り換え信号Egを出力
し、反射波電力に対応した信号Ebが予め設定した反射
波電力比較基準値Ec未満のときは検出信号切換器21
内のスイッチを電力検出器19側に切り換える第2の進
行波・アノード切り換え信号Egを出力する検出信号切
換ドライバ22と、出力電力値を設定する出力電力設定
器15と、検出信号切換器21の出力信号Ea又はEd
と出力電力設定器15の設定値Eeとの誤差を増幅した
出力電力増幅信号Efを出力する誤差増幅器14と、誤
差増幅器14の出力電力増幅信号Efを入力して検出信
号切換器21の出力信号Ea又はEdを出力電力設定器
15の設定値に制御する制御回路13とを備え、前述の
検出信号切換器21は、検出信号切換ドライバ22の出
力信号に応じて内部のスイッチを切り換え、内部のスイ
ッチがアノード電流検出器20側のときにアノード電流
検出信号Edを出力し、内部のスイッチが電力検出器1
9側のときに進行波電力に対応した信号Eaを出力し、
前述の進行波電力に対応した信号Ea又はアノード電流
検出信号Edによってマグネトロンの出力電力を制御す
るマグネトロン出力制御装置である。
【0033】出願時請求項8の発明は、出願時請求項5
又は出願時請求項6又は出願時請求項7に記載の電力検
出器19が、マイクロ波の定在波を進行波と反射波とに
分離すると共に分離した進行波及び反射波を検波するこ
とによって進行波電力に対応した信号Ea及び反射波電
力に対応した信号Ebを検出するマイクロ波電力検出器
19であるマグネトロン出力制御装置である。
【0034】出願時請求項9の発明は、出願時請求項5
又は出願時請求項6又は出願時請求項7に記載の電力検
出器19が、マイクロ波の電圧定在波の振幅を検出する
と共に検出した電圧定在波の振幅を用いてマイクロ波の
進行波電力に対応した信号Ea及び反射波電力に対応し
た信号Ebを演算するマイクロ波電力検出器19である
マグネトロン出力制御装置である。
【0035】出願時請求項10の発明は、出願時請求項
5又は出願時請求項6又は出願時請求項7に記載の電力
検出器19が、進行波電力に対応した信号Eaを検出又
は演算すると共に反射波電力の大きさによって変化する
温度を検出して、前述の変化する温度を検出した信号を
反射波電力に対応した信号Ebとする反射波電力対応検
出器であるマグネトロン出力制御装置である。
【0036】出願時請求項11の発明は、出願時請求項
5又は出願時請求項6又は出願時請求項7に記載の反射
波電力比較基準値Ecが、2つの反射波電力比較基準値
S1,S2であって、第1の反射波電力比較基準値S1
は検出信号切換器21の出力信号が進行波電力に対応し
た信号Eaの場合の反射波電力比較基準値であり、第2
の反射波電力比較基準値S2は検出信号切換器21の出
力信号がアノード電流検出信号Edの場合の反射波電力
比較基準値であるマグネトロン出力制御装置である。
【0037】
【発明の実施の形態】図3は、本発明のマグネトロン出
力制御装置及びその周辺装置の実施例を示す本発明のブ
ロック図である。商用電源1は、アノード電源25とフ
ィラメント電源16とに電力を供給するAC電源であ
る。フィラメント電源16は、マグネトロン17のフィ
ラメント加熱用の電源である。アノード電源25に入力
された電力は、ダイオードブリッジ2とコンデンサ3と
によって整流平滑された後、スイッチング素子4,5及
びコンデンサ6,7から成るハーフブリッジインバータ
に供給される。ハーフブリッジインバータによって高周
波化された出力電力は、高周波トランス8を介してマグ
ネトロン17に印加される。高周波トランス8の二次側
にはダイオード9,10とコンデンサ11,12とから
成る倍電圧整流平滑回路が接続されているので、マグネ
トロン17に直流の高電圧が印加されて、マイクロ波電
力が出力される。
【0038】マグネトロン17から出力されたマイクロ
波電力は、マグネトロン17とアイソレータ27との間
のマイクロ波電力の伝送線路である導波管26aと、ア
イソレータ27と、アイソレータ27とプラズマ負荷1
8との間のマイクロ波電力の伝送線路である導波管26
bとを介してプラズマ負荷18に投入される。
【0039】マイクロ波電力検出器19は、前述した従
来技術2のマイクロ波電力検出器219と同様に、導波
管26b上に設けられていて、進行波電力に対応した信
号Ea及び反射波電力に対応した信号Ebを検出又は演
算する機能を有している。
【0040】このようなマグネトロン出力制御装置の出
力電力制御方法としては、導波管26b上に設けたマイ
クロ波電力検出器19から反射波電力に対応した信号E
bを出力し、ヒステリシス付き比較器23に入力する。
【0041】検出信号切換設定器24は、反射波電力に
対応した信号Ebと比較するための反射波電力比較基準
値Ecを予め設定し、ヒステリシス付き比較器23は、
入力された反射波電力に対応した信号Ebと検出信号切
換設定器24によって予め設定された反射波電力比較基
準値Ecとを比較する。
【0042】ヒステリシス付き比較器23に入力された
反射波電力に対応した信号Ebが、検出信号切換設定器
24によって予め設定された反射波電力比較基準値Ec
以上になると、検出信号切換ドライバ22によって、検
出信号切換器21内のスイッチをアノード電流検出器2
0側に切り換えて、アノード電流検出器20によって検
出したアノード電流検出信号Edを誤差増幅器14に入
力する。この場合は、アノード電流一定制御になる。
【0043】ヒステリシス付き比較器23に入力された
反射波電力に対応した信号Ebが、検出信号切換設定器
24によって予め設定された反射波電力比較基準値Ec
未満になると、検出信号切換ドライバ22によって、検
出信号切換器21内のスイッチをマイクロ波電力検出器
19側に切り換えて、マイクロ波電力検出器19から出
力する進行波電力に対応した信号Eaを誤差増幅器14
に入力する。この場合は、進行波電力一定制御になる。
【0044】誤差増幅器14は、選択されて入力された
進行波電力に対応した信号Ea又はアノード電流検出信
号Edと出力電力設定器15の設定値Eeとの誤差を増
幅して出力電力増幅信号Efを出力する。制御回路13
は、誤差増幅器14の出力電力増幅信号Efを入力し
て、選択されて入力された進行波電力に対応した信号E
a又はアノード電流検出信号Edが、出力電力設定器1
5の設定値Eeになるようにスイッチング素子4,5の
ON時間を制御する。
【0045】このように、ヒステリシス付き比較器23
に入力する反射波電力に対応した信号Ebと検出信号切
換設定器24によって予め設定された反射波電力比較基
準値Ecとを比較することによって、マグネトロン出力
制御方法を選択する。
【0046】図4は、ヒステリシス付き比較器23の比
較動作の一例を説明する比較動作説明図である。図4に
示すように、ヒステリシス付き比較器23は、進行波電
力一定制御からアノード電流一定制御に切り換える反射
波電力比較基準値S1と、アノード電流一定制御から進
行波電力一定制御に切り換える反射波電力比較基準値S
2との2つの反射波電力比較基準値を設定できる。この
2つの反射波電力比較基準値によって、図4に示すよう
に進行波電力一定制御とアノード電流一定制御とを切り
換える。2つの反射波電力比較基準値を同じ値に設定す
ることもできるが、反射波電力に対応した信号Ebが反
射波電力比較基準値付近で安定しない場合に、選択する
マグネトロン出力制御方法も安定せず、進行波電力一定
制御とアノード電流一定制御とが頻繁に切り換わるとい
うハンチング状態になる。これら2つの反射波電力比較
基準値を適正に設定することによって、このようなマグ
ネトロン出力制御方法のハンチングが防止できる。
【0047】なお、アノード電流一定制御と進行波電力
一定制御とを切り換えるための反射波電力に対応した信
号Ebを出力する電力検出器19は、前述した導波管上
に設けられたマイクロ波電力検出器19によって検出又
は演算した信号だけではなく、アイソレータ27のダミ
ーロードの温度、マグネトロン17の温度等を検出して
反射波電力に対応した信号とする反射波電力対応信号検
出器を用いてもよい。
【0048】
【発明の効果】本発明は、「発明が解決しようとする課
題」の項で説明した従来技術1及び従来技術2の問題を
解決し、プラズマ負荷18で発生した反射波電力に対応
した信号Ebが予め設定した反射波電力比較基準値以上
になった場合は、マグネトロン出力制御装置の出力電力
制御方法を、進行波電力一定制御からアノード電流一定
制御に切り換えることによって、ハンチング状態を防止
して、整合がとれなくなる状態及び整合するまでの時間
が長くかかる状態を解消することができる。
【0049】なお、マグネトロン出力制御装置の出力電
力制御方法を、アノード電流一定制御に切り換えたとき
には、フェライトコアの減磁特性によってマイクロ波出
力電力の効率が低下するが、アノード電流一定制御によ
って制御している時間は、反射波電力に対応した信号E
bが予め設定した反射波電力比較基準値未満になるまで
の時間であり、マイクロ波自動整合器を使用した場合、
おおむね1〜15秒(通常は2〜5秒)でプラズマ負荷
18からの反射波電力が小さくなるようにインピーダン
スを整合する。そのために、減磁特性によるマイクロ波
出力電力の低下はわずかである。
【0050】このように本発明を用いれば、従来技術で
の問題を解決して、プラズマ負荷18で反射波電力が発
生したときに速やかに整合をとることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】図1は、従来技術1のマグネトロン出力制御装
置及びその周辺装置の実施例を示す従来技術1のブロッ
ク図である。
【図2】図2は、従来技術2のマグネトロン出力制御装
置及びその周辺装置の実施例を示す従来技術2のブロッ
ク図である。
【図3】図3は、本発明のマグネトロン出力制御装置及
びその周辺装置の実施例を示す本発明のブロック図であ
る。
【図4】図4は、ヒステリシス付き比較器23の比較動
作の一例を説明する比較動作説明図である。
【符号の説明】
1 商用電源 2 ダイオードブリッジ 3 コンデンサ 4,5 スイッチング素子 6,7 コンデンサ 8 高周波トランス 9,10 ダイオード 11,12 コンデンサ 13 (本発明の)制御回路 14 (本発明の)誤差増幅器 15 (本発明の)出力電力設定器 16 フィラメント電源 17 マグネトロン 18 プラズマ負荷 19 (本発明の)マイクロ波電力検出器/電力検
出器 20 アノード電流検出器 21 検出信号切換器 22 検出信号切換ドライバ 23 ヒステリシス付き比較器 24 検出信号切換設定器 25 (本発明の)アノード電源 26a マグネトロン17とアイソレータ27との間
の導波管 26b アイソレータ27とプラズマ負荷18との間
の導波管 27 アイソレータ 113 (従来技術1の)制御回路 114 (従来技術1の)誤差増幅器 115 (従来技術1の)出力電力設定器 125 (従来技術1の)アノード電源 213 (従来技術2の)制御回路 214 (従来技術2の)誤差増幅器 215 (従来技術2の)出力電力設定器 219 (従来技術2の)マイクロ波電力検出器 225 (従来技術2の)アノード電源 Ea 進行波電力に対応した信号 Eb 反射波電力に対応した信号 Ec 反射波電力に対応した信号Ebと比較するた
めの反射波電力比較基準値 Ed アノード電流検出信号 Ee 出力電力設定器15の設定値 Ef 誤差増幅器14の出力電力増幅信号 Eg 進行波・アノード切り換え信号 Eh 反射波電力に対応した信号Ebと予め設定し
た反射波電力比較基準値Ecとの差の信号 S1 進行波電力一定制御からアノード電流一定制
御に切り換える反射波電力比較基準値 S2 アノード電流一定制御から進行波電力一定制
御に切り換える反射波電力比較基準値
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 伊藤 宏行 大阪市淀川区田川2丁目1番11号 株式会 社ダイヘン内 Fターム(参考) 5C029 QQ10

Claims (11)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】マイクロ波を発生するマグネトロン(磁電
    管)の出力をプラズマ負荷に供給する装置のマグネトロ
    ン出力制御方法において、マグネトロンからプラズマ負
    荷に向かう進行波電力に対応した信号及びプラズマ負荷
    から反射してくる反射波電力に対応した信号を検出又は
    演算して、前記反射波電力に対応した信号が、予め設定
    した反射波電力比較基準値以上になると、マグネトロン
    の出力制御を、進行波電力を一定値にする制御からアノ
    ード電流を一定値にする制御に切り換え、反射波電力に
    対応した信号が、予め設定した反射波電力比較基準値未
    満になると、マグネトロンの出力制御を、アノード電流
    を一定値にする制御から進行波電力を一定値にする制御
    に切り換えるマグネトロン出力制御方法。
  2. 【請求項2】マイクロ波を発生するマグネトロン(磁電
    管)の出力をプラズマ負荷に供給する装置のマグネトロ
    ン出力制御方法において、マイクロ波の定在波をマグネ
    トロンからプラズマ負荷に向かう進行波とプラズマ負荷
    から反射してくる反射波とに分離すると共に分離した進
    行波及び反射波を検波することによって進行波電力に対
    応した信号及び反射波電力に対応した信号を検出して、
    前記反射波電力に対応した信号が、予め設定した反射波
    電力比較基準値以上になると、マグネトロンの出力制御
    を、進行波電力を一定値にする制御からアノード電流を
    一定値にする制御に切り換え、反射波電力に対応した信
    号が、予め設定した反射波電力比較基準値未満になる
    と、マグネトロンの出力制御を、アノード電流を一定値
    にする制御から進行波電力を一定値にする制御に切り換
    えるマグネトロン出力制御方法。
  3. 【請求項3】マイクロ波を発生するマグネトロン(磁電
    管)の出力をプラズマ負荷に供給する装置のマグネトロ
    ン出力制御方法において、マイクロ波の電圧定在波の振
    幅を検出すると共に検出した電圧定在波の振幅を用いて
    マグネトロンからプラズマ負荷に向かう進行波電力に対
    応した信号及びプラズマ負荷から反射してくる反射波電
    力に対応した信号を演算して、前記反射波電力に対応し
    た信号が、予め設定した反射波電力比較基準値以上にな
    ると、マグネトロンの出力制御を、進行波電力を一定値
    にする制御からアノード電流を一定値にする制御に切り
    換え、反射波電力に対応した信号が、予め設定した反射
    波電力比較基準値未満になると、マグネトロンの出力制
    御を、アノード電流を一定値にする制御から進行波電力
    を一定値にする制御に切り換えるマグネトロン出力制御
    方法。
  4. 【請求項4】請求項1又は請求項2又は請求項3に記載
    の反射波電力比較基準値が、進行波電力を一定値にする
    制御からアノード電流を一定値にする制御に切り替える
    場合と、アノード電流を一定値にする制御から進行波電
    力を一定値にする制御に切り換える場合とで異なる値の
    反射波電力比較基準値であるマグネトロン出力制御方
    法。
  5. 【請求項5】マイクロ波を発生するマグネトロン(磁電
    管)と、マグネトロンのフィラメントに電力を供給して
    フィラメントを加熱するためのフィラメント電源と、マ
    グネトロンのアノードとカソードとの間に高電圧を印加
    するためのアノード電源と、進行波電力に対応した信号
    及び反射波電力に対応した信号を検出又は演算する電力
    検出器とから成るマグネトロン出力制御装置において、
    アノード電流を検出するアノード電流検出器と、進行波
    電力に対応した信号又はアノード電流検出信号を切り換
    えて出力する検出信号切換器と、反射波電力に対応した
    信号と予め設定した反射波電力比較基準値との差に対応
    した進行波・アノード切り換え信号を出力する検出信号
    切換ドライバとを備え、前記検出信号切換器は、検出信
    号切換ドライバの出力信号に応じて内部のスイッチを切
    り換え、内部のスイッチがアノード電流検出器側のとき
    にアノード電流検出信号を出力し、内部のスイッチが電
    力検出器側のときに進行波電力に対応した信号を出力
    し、前記進行波電力に対応した信号又はアノード電流検
    出信号によってマグネトロンの出力電力を制御するマグ
    ネトロン出力制御装置。
  6. 【請求項6】マイクロ波を発生するマグネトロン(磁電
    管)と、マグネトロンのフィラメントに電力を供給して
    フィラメントを加熱するためのフィラメント電源と、マ
    グネトロンのアノードとカソードとの間に高電圧を印加
    するためのアノード電源と、進行波電力に対応した信号
    及び反射波電力に対応した信号を検出又は演算する電力
    検出器とから成るマグネトロン出力制御装置において、
    アノード電流を検出するアノード電流検出器と、反射波
    電力比較基準値を予め設定する検出信号切換設定器と、
    反射波電力に対応した信号と予め設定した反射波電力比
    較基準値との差の信号を出力するヒステリシス付き比較
    器と、進行波電力に対応した信号又はアノード電流検出
    信号を切り換えて出力する検出信号切換器と、ヒステリ
    シス付き比較器の出力信号を入力して反射波電力に対応
    した信号が予め設定した反射波電力比較基準値以上のと
    きは検出信号切換器内のスイッチをアノード電流検出器
    側に切り換える第1の進行波・アノード切り換え信号を
    出力し、反射波電力に対応した信号が予め設定した反射
    波電力比較基準値未満のときは検出信号切換器内のスイ
    ッチを電力検出器側に切り換える第2の進行波・アノー
    ド切り換え信号を出力する検出信号切換ドライバとを備
    え、前記検出信号切換器は、検出信号切換ドライバの出
    力信号に応じて内部のスイッチを切り換え、内部のスイ
    ッチがアノード電流検出器側のときにアノード電流検出
    信号を出力し、内部のスイッチが電力検出器側のときに
    進行波電力に対応した信号を出力し、前記進行波電力に
    対応した信号又はアノード電流検出信号によってマグネ
    トロンの出力電力を制御するマグネトロン出力制御装
    置。
  7. 【請求項7】マイクロ波を発生するマグネトロン(磁電
    管)と、マグネトロンのフィラメントに電力を供給して
    フィラメントを加熱するためのフィラメント電源と、マ
    グネトロンのアノードとカソードとの間に高電圧を印加
    するためのアノード電源と、進行波電力に対応した信号
    及び反射波電力に対応した信号を検出又は演算する電力
    検出器とから成るマグネトロン出力制御装置において、
    アノード電流を検出するアノード電流検出器と、反射波
    電力比較基準値を予め設定する検出信号切換設定器と、
    反射波電力に対応した信号と予め設定した反射波電力比
    較基準値との差の信号を出力するヒステリシス付き比較
    器と、進行波電力に対応した信号又はアノード電流検出
    信号を切り換えて出力する検出信号切換器と、ヒステリ
    シス付き比較器の出力信号を入力して反射波電力に対応
    した信号が予め設定した反射波電力比較基準値以上のと
    きは検出信号切換器内のスイッチをアノード電流検出器
    側に切り換える第1の進行波・アノード切り換え信号を
    出力し、反射波電力に対応した信号が予め設定した反射
    波電力比較基準値未満のときは検出信号切換器内のスイ
    ッチを電力検出器側に切り換える第2の進行波・アノー
    ド切り換え信号を出力する検出信号切換ドライバと、出
    力電力値を設定する出力電力設定器と、検出信号切換器
    の出力信号と出力電力設定器の設定値との誤差を増幅し
    た出力電力増幅信号を出力する誤差増幅器と、誤差増幅
    器の出力電力増幅信号を入力して検出信号切換器の出力
    信号を出力電力設定器の設定値に制御する制御回路とを
    備え、前記検出信号切換器は、検出信号切換ドライバの
    出力信号に応じて内部のスイッチを切り換え、内部のス
    イッチがアノード電流検出器側のときにアノード電流検
    出信号を出力し、内部のスイッチが電力検出器側のとき
    に進行波電力に対応した信号を出力し、前記進行波電力
    に対応した信号又はアノード電流検出信号によってマグ
    ネトロンの出力電力を制御するマグネトロン出力制御装
    置。
  8. 【請求項8】請求項5又は請求項6又は請求項7に記載
    の電力検出器が、マイクロ波の定在波を進行波と反射波
    とに分離すると共に分離した進行波及び反射波を検波す
    ることによって進行波電力に対応した信号及び反射波電
    力に対応した信号を検出するマイクロ波電力検出器であ
    るマグネトロン出力制御装置。
  9. 【請求項9】請求項5又は請求項6又は請求項7に記載
    の電力検出器が、マイクロ波の電圧定在波の振幅を検出
    すると共に検出した電圧定在波の振幅を用いてマイクロ
    波の進行波電力に対応した信号及び反射波電力に対応し
    た信号を演算するマイクロ波電力検出器であるマグネト
    ロン出力制御装置。
  10. 【請求項10】請求項5又は請求項6又は請求項7に記
    載の電力検出器が、進行波電力に対応した信号を検出又
    は演算すると共に反射波電力の大きさによって変化する
    温度を検出して、前記変化する温度を検出した信号を反
    射波電力に対応した信号とする反射波電力対応検出器で
    あるマグネトロン出力制御装置。
  11. 【請求項11】請求項5又は請求項6又は請求項7に記
    載の反射波電力比較基準値が、2つの反射波電力比較基
    準値であって、第1の反射波電力比較基準値は検出信号
    切換器の出力信号が進行波電力に対応した信号の場合の
    反射波電力比較基準値であり、第2の反射波電力比較基
    準値は検出信号切換器の出力信号がアノード電流検出信
    号の場合の反射波電力比較基準値であるマグネトロン出
    力制御装置。
JP09864599A 1999-04-06 1999-04-06 マグネトロン出力制御方法及び装置 Expired - Fee Related JP4115618B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP09864599A JP4115618B2 (ja) 1999-04-06 1999-04-06 マグネトロン出力制御方法及び装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP09864599A JP4115618B2 (ja) 1999-04-06 1999-04-06 マグネトロン出力制御方法及び装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2000294396A true JP2000294396A (ja) 2000-10-20
JP4115618B2 JP4115618B2 (ja) 2008-07-09

Family

ID=14225251

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP09864599A Expired - Fee Related JP4115618B2 (ja) 1999-04-06 1999-04-06 マグネトロン出力制御方法及び装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4115618B2 (ja)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005269477A (ja) * 2004-03-22 2005-09-29 Daihen Corp 高周波電源の出力電力制御方法および高周波電源装置
JP2005269869A (ja) * 2004-03-22 2005-09-29 Daihen Corp 高周波電源装置
JP2007080773A (ja) * 2005-09-16 2007-03-29 Daihen Corp 高周波電源装置および高周波電源の制御方法
JP2007087908A (ja) * 2005-09-26 2007-04-05 Daihen Corp 高周波電源装置および高周波電源の制御方法
JP2008032528A (ja) * 2006-07-28 2008-02-14 Tokyo Electron Ltd 導波管内の定在波測定部および定在波測定方法、電磁波利用装置、プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
JP2014035791A (ja) * 2012-08-07 2014-02-24 Hitachi High-Technologies Corp プラズマ処理装置およびマイクロ波出力装置
KR102117099B1 (ko) * 2018-11-29 2020-05-29 세메스 주식회사 기판 처리 장치

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014154421A (ja) 2013-02-12 2014-08-25 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置、プラズマ処理方法、および高周波発生器

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005269477A (ja) * 2004-03-22 2005-09-29 Daihen Corp 高周波電源の出力電力制御方法および高周波電源装置
JP2005269869A (ja) * 2004-03-22 2005-09-29 Daihen Corp 高周波電源装置
JP4490142B2 (ja) * 2004-03-22 2010-06-23 株式会社ダイヘン 高周波電源の出力電力制御方法および高周波電源装置
JP4593948B2 (ja) * 2004-03-22 2010-12-08 株式会社ダイヘン 高周波電源装置
JP2007080773A (ja) * 2005-09-16 2007-03-29 Daihen Corp 高周波電源装置および高周波電源の制御方法
JP2007087908A (ja) * 2005-09-26 2007-04-05 Daihen Corp 高周波電源装置および高周波電源の制御方法
JP2008032528A (ja) * 2006-07-28 2008-02-14 Tokyo Electron Ltd 導波管内の定在波測定部および定在波測定方法、電磁波利用装置、プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
JP2014035791A (ja) * 2012-08-07 2014-02-24 Hitachi High-Technologies Corp プラズマ処理装置およびマイクロ波出力装置
US10652991B2 (en) 2012-08-07 2020-05-12 Hitachi High-Tech Corporation Plasma processing apparatus and microwave output device
KR102117099B1 (ko) * 2018-11-29 2020-05-29 세메스 주식회사 기판 처리 장치

Also Published As

Publication number Publication date
JP4115618B2 (ja) 2008-07-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6592710B1 (en) Apparatus for controlling the voltage applied to an electrostatic shield used in a plasma generator
JP2007103102A (ja) 高周波電源装置
JP4115618B2 (ja) マグネトロン出力制御方法及び装置
JP2010255061A (ja) スパッタリング装置及びスパッタリング処理方法
KR101128768B1 (ko) 고주파전원장치
JP4084615B2 (ja) 電磁誘導加熱調理器
JP2016066564A (ja) 高周波電源
KR102143178B1 (ko) 부하 변동에 속응성을 가진 플라즈마 파워 장치 및 그의 제어 방법
JP3962297B2 (ja) マイクロ波電力供給システム
US11189471B2 (en) High frequency generator having dual outputs and its driving method
JP3044049B2 (ja) プラズマ処理方法及び装置
JP4364195B2 (ja) 交流電源装置およびその装置におけるアーク防止方法
JP4490142B2 (ja) 高周波電源の出力電力制御方法および高周波電源装置
JP4593948B2 (ja) 高周波電源装置
JPH11233296A (ja) 加速器rfシステム
KR102223876B1 (ko) 불안정 매칭 현상을 해소하기 위한 다중 전압 제어 방법 및 다중 전압 제어 방식의 고주파 전원 장치
KR20230071350A (ko) 이중 페이스 제어를 이용한 플라즈마 파워 장치 및 그의 제어 방법
JP2006288009A5 (ja)
KR102381756B1 (ko) 이중 출력을 가진 무선 주파수 제너레이터
JP7208702B2 (ja) 高周波電源装置
JP2006288009A (ja) 高周波電源装置
JP3171747B2 (ja) 誘導加熱用高周波インバータの自動周波数制御回路
KR20230073918A (ko) 임피던스 주파수 테이블을 이용한 자동 주파수 조정 장치, 이를 포함하는 플라즈마 전력 장치 및 자동 주파수 조정 방법
JP2023045797A (ja) 誘導結合型プラズマ源
KR20010066583A (ko) 인버터 전자레인지의 출력제어방법

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20060301

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20080402

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20080415

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20080416

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110425

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110425

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120425

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120425

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130425

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130425

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140425

Year of fee payment: 6

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees