JP2000293894A - 光学記録媒体 - Google Patents

光学記録媒体

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Toshitsugu Ono
敏嗣 小野
Hirofumi Kondo
洋文 近藤
Tetsuhiro Sakamoto
哲洋 坂本
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 信号の記録再生を行うための光が照射される
側の表面への損傷や塵埃等の付着を防止する。 【解決手段】 信号の記録及び／又は再生を行うために
照射される光が入射する側の表面に、式（１）及び／又
は式（２）で表される末端にカルボキシル基を有するパ
ーフルオロポリエーテルのアミン塩化合物を保持させ
る。 【化１】 （ただし、式中、Ｒfはパーフルオロポリエーテル基を
表し、Ｒ1，Ｒ2，Ｒ3は水素又は炭化水素基を表す。）

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、支持体の一方の主
面上に形成されて信号が記録される記録部と、上記記録
部上に形成された光透過層とを備え、上記光透過層側か
ら光を照射して信号の記録及び／又は再生を行う光学記
録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】光学記録媒体としては、片面にＮＴＳＣ
（National Television System Comittee）方式による
４時間の記録再生ができるものが提案されている。これ
により、光学記録媒体は、現行のＶＴＲ（Video Tape R
ecorder）に用いられているビデオテープカセットに代
わる新しい記録媒体としての機能を備えるものである。
【０００３】一方で、光学記録媒体は、その形状やサイ
ズをＣＤ（Compact Disk）と同等とすることにより、Ｃ
Ｄの手軽さや使い勝手に慣れ親しんだユーザーにとって
違和感のない商品とされることを要求されている。ま
た、光学記録媒体は、ＣＤと同様なディスク状の記録媒
体とすることによって、ディスク形態の最大の特徴であ
るランダムアクセス性やアクセスの早さを利用して、小
型、簡便な記録媒体とするだけでなく、瞬時に記録再生
を行うことができるとともに、トリックプレイや迅速な
編集など多彩な機能を盛り込んだ商品とすることを要求
されている。
【０００４】光学記録媒体は、上述したように次世代の
記録媒体として利用されるために、様々な能力や特性が
必要とされており、例えば、８ＧＢ以上の記録容量が必
要とされている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
光学記録媒体は、８ＧＢ以上の記録容量を有していなか
った。従来の光学記録媒体としては、ＤＶＤ（Digital
Versatile Disc）がすでに提案されている。ＤＶＤにお
いては、記録波長λが０．６５μｍ、開口数ＮＡ（Nume
rical Aperture）が０．６とされており、記録容量は
４．７ＧＢである。
【０００６】光学記録媒体は、ＥＣＣ（Error Collecti
on Code）や変調方式などの信号フォーマットを、上述
したＤＶＤと同等として、記録容量を８ＧＢ以上とする
ためには、 ４．７×（０．６５／０．６０×ＮＡ／λ）2≧８ なる関係式を満たす必要がある。この関係式を解くこと
により、ＮＡ／λ≧１．２０となる。したがって、光学
記録媒体は、その記録容量を８ＧＢ以上とするために、
開口数ＮＡを高い値とすること、又は、記録波長λを短
くすることが必要となる。
【０００７】光学記録媒体は、例えば、開口数ＮＡを高
い値とした場合に、光学ピックアップの光軸に対してデ
ィスク面が垂直からずれる角度（チルト角）の許容量が
小さくなってしまう。したがって、光学記録媒体は、デ
ィスク面の厚さによる収差がチルト角の影響を受けやす
いことから、安定して信号を記録再生するために、照射
光が透過する光透過層の厚さを薄くする必要がある。ま
た、光学記録媒体は、同様の理由から、この光透過層の
厚みむらも一定の値以下とする必要がある。
【０００８】光学記録媒体においては、上述したように
光透過層を薄くした場合に、高記録密度化が可能となる
という利点があるが、この反面、ディスク面に形成され
た傷や塵埃等によって大きな影響を受けやすくなり、信
号の記録再生が困難になってしまうといった問題があっ
た。すなわち、光学記録媒体は、高記録密度化されて、
高ＮＡの対物レンズを有する光学系を用いて記録再生を
行う場合に、対物レンズとディスク面の記録再生面との
間の距離であるワーキングディスタンス（Working Dist
ance）を、従来の光学記録媒体のワーキングディスタン
スと比較して狭くすることが必要となる。このとき、光
学記録媒体は、ディスク面と対物レンズとの衝突確率が
増大して、傷が生じやすくなる。また、このとき、光学
記録媒体は、ディスク面の帯電によって塵埃等の付着量
が増大してしまう。このため、光学記録媒体は、これら
の傷や塵埃等による記録再生エラーの発生が増加すると
いった問題があった。
【０００９】そこで、本発明は、ディスク面に傷が生じ
たり、塵埃等が付着されることを防止することによっ
て、記録再生エラーの発生を低減した光学記録媒体を提
供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上述した目的を達成する
ために、本発明に係る光学記録媒体は、支持体と、上記
支持体の一方の主面上に形成されて信号が記録される記
録部と、上記記録部上に形成された光透過層とを備え
る。また、上記光透過層側から光を照射して信号の記録
及び／又は再生を行う。さらに、上記光が照射される側
の表面に、式（１）及び／又は式（２）で表される末端
にカルボキシル基を有するパーフルオロポリエーテルの
アミン塩化合物が保持されている。
【００１１】
【化２】
【００１２】（ただし、式中、Ｒfはパーフルオロポリ
エーテル基を表し、Ｒ1，Ｒ2，Ｒ3は水素又は炭化水素
基を表す。）以上のように構成された光学記録媒体は、
媒体表面の摩擦係数及び表面抵抗値が低減され、媒体表
面への損傷や塵埃等の付着が防止される。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て説明する。なお、以下の説明においては、光学記録媒
体として、信号情報部を有する支持体上に形成されてい
る光透過層側から光を照射されて信号の記録及び／又は
再生（以下、記録再生という。）が行われるディスク状
の光学記録媒体を例示する。ただし、本発明は、この例
に限定されることなく、カード状、シート状等の各種形
状の光学記録媒体に適用することができる。
【００１４】図１に、本実施の形態に係る光ディスクの
一構成例を示す。この光ディスク１は、基板２と、基板
２の一主面上に形成された反射膜３と、反射膜３上に形
成された光透過層４と、光透過層４上に形成された表面
層５とを備える。
【００１５】基板２は、例えばポリカーボネート等の樹
脂材料が射出成形により円盤状に成形されてなる。この
光ディスク１は、再生専用のいわゆるＲＯＭ（Read Onl
y Memory）型ディスクであり、射出成形により基板２を
成形する際に、記録信号に応じた所定の凹凸パターンが
当該基板２と一体に形成されている。
【００１６】反射膜３は、基板２の上記凹凸パターンが
形成された面上に薄膜状に成膜されてなる。この反射膜
３としては、記録再生を行うために入射される光に対し
て優れた反射率を有する材料が用いられ、例えばＡｌ等
の金属材料が用いられる。
【００１７】光透過層４は、反射膜３上に形成されてな
る。この光透過層４は、例えば大日本インキ社製のＳＤ
３０１等のような紫外線硬化樹脂等の材料を用いて形成
される。光ディスク１においては、光透過層４側から上
述した凹凸パターンに向けて光を照射することにより信
号の再生が行われる。
【００１８】ところで、光ディスク１を高い記録密度で
記録再生するためには、後述するように高ＮＡの対物レ
ンズを有する光学系が必要となる。この場合に、対物レ
ンズと光ディスク１の光入射側表面との間の距離、すな
わちワーキングディスタンスを、従来の光ディスクと比
較して狭くすることが必要となる。ワーキングディスタ
ンスを狭くした場合、対物レンズは、光ディスク１の光
入射側表面に衝突して傷つけてしまう虞がある。
【００１９】そこで、この光ディスク１は、光透過層４
上に、所定の硬度を有する光透過性の表面層５が形成さ
れている。これにより、光ディスク１が対物レンズと衝
突した場合でも、光入射側表面に傷がついてしまうこと
を防止することができる。この表面層５は、光ディスク
１の損傷を防止するに十分な硬度を有する材料により形
成され、例えばＳｉＮx、ＳｉＯx又はＳｉＣ等の無機材
料からなる。
【００２０】また、この表面層５の厚さは、１ｎｍ〜２
００ｎｍであることが望ましい。具体的には、例えば１
００ｎｍとする。光ディスク１においては、表面層５の
厚さが１ｎｍに満たない場合に、対物レンズとの接触に
よる損傷を十分に防止することが困難となる。また、光
ディスク１においては、表面層５の厚さが２００ｎｍを
超える場合に、ワーキングディスタンスが増大してしま
い、高記録密度化を果たすことが困難となってしまう。
【００２１】さらに、表面層５は、その表面硬度が鉛筆
硬度でＨ以上であることが望ましい。光ディスク１は、
光入射側表面の硬度が鉛筆硬度でＨ以上である場合に、
対物レンズとの衝突によっても傷が点かないことが、ピ
ックアップとの衝突試験によって確認されている。表面
層５は、その表面硬度が鉛筆硬度で２Ｈ以上とされてい
ることがさらに望ましい。これにより、光ディスク１
は、対物レンズとの接触による損傷を効果的に防止する
ことができる。
【００２２】また、表面層５は、導電性を有することが
望ましい。光ディスク１は、光透過層４を薄く形成する
と、塵埃等が付着しやすくなるため、表面層５に帯電防
止効果を持たせることが重要となる。光ディスク１で
は、表面層５が導電性を有していることによって、光入
射側表面の帯電を防止し、塵埃等の付着を防止すること
ができる。表面層５は、例えば、酸化インジウム、酸化
スズ、及びこれらの複合物や非晶質のカーボン等を用い
て形成することにより、十分な導電性を有することがで
きる。表面層５は、その厚さを例えば約５０ｎｍ程度と
されてなる。
【００２３】また、光ディスク１は、表面層５の表面上
に、式（１）及び／又は式（２）で表される末端にカル
ボキシル基を有するパーフルオロポリエーテルのアミン
塩化合物を保持している。
【００２４】
【化３】
【００２５】（ただし、式中、Ｒfはパーフルオロポリ
エーテル基を表し、Ｒ1，Ｒ2，Ｒ3は水素又は炭化水素
基を表す。） 光ディスク１においては、表面層５上に式（１）及び／
又は式（２）で表される化合物が保持されていること
で、表面の電気抵抗及び摩擦係数を低減することができ
る。すなわち、光ディスク１においては、上述した化合
物が潤滑剤として用いられている。
【００２６】これら化合物は、例えば以下で説明する方
法に従って作製することができる。すなわち、末端にカ
ルボキシル基を有するパーフルオロポリエーテル（Ｒf
−ＣＯＯＨ又はＨＯＣＯ−Ｒf−ＣＯＯＨ）とアミン
（ＮＲ1Ｒ2Ｒ3）とを、カルボン酸とアミンが等モル量
となるように混合し、攪拌させながら均一に溶解させる
ことによって得ることができる。このとき、必要に応じ
て熱を加えてもよい。
【００２７】上述したように、末端にカルボキシル基を
有するパーフルオロポリエーテルとしては、例えば、以
下の構造式（１），（２），（３）で示す構造の主鎖Ｒ
fを有するものが挙げられる。
【００２８】
【化４】
【００２９】（ただし、式中、ｉ，ｊ，ｍ，ｎは１以上
の整数を表す。） なお、構造式（１），（２），（３）で示す構造は、一
方の末端にカルボキシル基を有する単官能のパーフルオ
ロポリエーテル基である。また、主鎖Ｒfとしては、以
下の構造式（４）で示す構造のように、両方の末端にカ
ルボキシル基を有する二官能のパーフルオロポリエーテ
ル基であってもよい。
【００３０】
【化５】
【００３１】（ただし、式中、ｐ，ｑは１以上の整数を
表す。） ただし、本発明に係る化合物は、構造式（１），
（２），（３），（４）で示すような構造の主鎖Ｒfに
限定されるものではない。
【００３２】また、主鎖Ｒfは、分子量が６００から５
０００程度であることが望ましい。分子量が６００以下
程度であると、パーフルオロポリエーテル基の効果が減
少しまい、５００以上程度であると、末端基の効果が減
少してしまう。
【００３３】ところで、上述した式（１）及び式（２）
中のＲ1，Ｒ2，Ｒ3は、水素又は炭化水素基を表すが、
これらのうち少なくとも一つは、炭素数１０以上の長鎖
炭化水素基であることが望ましい。これにより、本発明
に係る化合物は、アルコールやヘキサン等の有機溶媒に
対して良好な溶解性を示すようになるとともに、表面エ
ネルギーが減少する。したがって、光ディスク１に対し
て潤滑剤として用いた場合に、表面層５上への塗布が容
易になるとともに、良好な潤滑作用を発揮して摩擦係数
を低減することができる。
【００３４】また、上述した式（１）及び式（２）中の
Ｒ1，Ｒ2，Ｒ3は、炭化水素基である場合に、飽和炭化
水素基、不飽和炭化水素基、芳香族炭化水素基等のいず
れであってもよいが、十分な潤滑性を発揮するために
は、少なくとも一つが長鎖炭化水素基であることが望ま
しい。
【００３５】また、本発明に係る化合物は、分子内にイ
オン結合を有することから、光ディスク１の表面層５へ
の吸着力が非常に強い。このため、光ディスク１の表面
層５に対する対物レンズの衝突回数が多い場合でも、そ
の潤滑効果を長期間保持することができる。したがっ
て、光ディスク１の耐久性という観点から非常に有効で
ある。また、この化合物の表面層５への吸着力は、表面
層５がＳｉＮx，ＳｉＣ，ＳｉＯx等の無機材料によって
形成されている場合に、より一層向上する。これら無機
材料は、表面エネルギが高いことから、上述したような
化合物との結合力が高くなるためである。
【００３６】また、上述したように本発明に係る化合物
は、分子内にイオン結合を有していることによって、表
面層５の電気伝導度を抑制することができる。そのた
め、光ディスク１と対物レンズとの衝突回数が多い場合
であっても、この表面層５の帯電を防止することがで
き、塵埃等の吸着を抑制することができる。したがっ
て、光ディスク１は、塵埃等を原因とする記録再生時の
エラーの発生を防止することができる。
【００３７】なお、上述したように光ディスク１に対し
て潤滑剤として用いる化合物は、単独で用いてもよい
し、従来から用いられている他の各種潤滑材料と組み合
わせて用いてもよい。また、例えば、パーフルオロアル
キルカルボン酸エステル、カルボン酸パーフルオロアル
キルエステル、パーフルオロアルキルカルボン酸パーフ
ルオロアルキルエステル、或いはこれらの誘導体と組み
合わせて用いてもよい。
【００３８】光ディスク１は、媒体表面、すなわち表面
層５のの表面の動摩擦係数が０．３以下であることが望
ましい。これにより、光ディスク１は、対物レンズが接
触して摺動状態となった場合でも、表面が損傷してしま
うことを防止することができる。
【００３９】本実施の形態では、式（１）及び／又は式
（２）で示した化合物が、光ディスク１の表面層５上に
塗布されている。これら化合物を媒体表面に塗布するに
は、当該化合物を溶媒に溶解して得られた溶液を媒体表
面に塗布する。また、この溶液を媒体表面に噴霧しても
よい。あるいは、この溶液中に光ディスク１を浸漬する
ことにより、媒体表面に上述した化合物を保持させると
してもよい。
【００４０】また、光ディスク１は、媒体表面、すなわ
ち表面層５の表面の電気抵抗値が、１０13Ω以下とされ
ていることが望ましい。これにより、十分な帯電防止効
果を得ることができる。
【００４１】なお、表面層５は、上述のような無機材料
に限定されるものではなく、例えば、アクリルウレタン
系紫外線硬化性樹脂のような有機系樹脂により形成して
もよい。表面層５を有機系樹脂によって形成する場合、
光透過層４上に有機系樹脂をスピンコート法により塗布
し、紫外線を照射することによって硬化することによっ
て形成することができる。
【００４２】表面層５は、有機系樹脂によって形成する
場合に、その厚さを０．１μｍ〜１０μｍとすることが
望ましい。表面層５は、厚さが１０μｍよりも厚い場合
に、厚みむらが生じやすくなってしまう。また、表面層
５は、厚さが０．１μｍよりも薄い場合に、光ディスク
１の表面硬度を十分に向上させることが困難となってし
まう。したがって、表面層５は、その厚さを０．１μｍ
〜１０μｍとすることにより、厚みむらが生じることな
く、光ディスク１の表面硬度を向上させることができ
る。
【００４３】さらに、表面層５は、有機系樹脂によって
形成する場合に、Ｉｎ，Ｓｎ，Ｚｎのうち、少なくとも
１種の金属の酸化物の粉末を混合して形成されることが
望ましい。これにより、表面層５は、電気抵抗値を低下
させることができ、帯電防止効果の向上を図ることがで
きる。
【００４４】このように、表面層５を有機系樹脂によっ
て形成する場合、表面層５と光透過層４との界面の濡れ
性が問題となる。そのため、特開平６−５２５７６号公
報「光記録ディスク及びその製造方法」に記述されてい
るように、光透過層４の臨界表面張力よりも低い表面張
力を有する材料を使用することが望ましい。表面層５
に、光透過層４の臨界表面張力よりも低い表面張力を有
する材料を用いることで、光透過層４と表面層５との界
面の濡れを防止し、光透過層４と表面層５との接着性を
保つことができる。
【００４５】また、光透過層４を紫外線硬化性樹脂によ
り形成し、表面層５を有機系樹脂により形成した場合に
おいて、これらの層は、目的に応じてこれらの吸水率に
ついて調整することが望ましい。すなわち、光透過層４
は、反射膜３の腐食を回避する必要があることから、吸
水率が比較的低い材料を使用することが望ましい。これ
に対し、表面層５は、光入射側表面の硬度の向上を図る
のみならず、帯電を防止することが重要であるため、電
気伝導度の低い性質を有することが必要である。これを
実現するためには、表面層５中に電気伝導に寄与するイ
オンを有することが望ましく、従って、吸水率が光透過
層４よりも高い材料を使用することが必要となる。
【００４６】また、この光ディスク１は、図２に示すよ
うに、基板２の光透過層４が形成された面とは反対側の
面にスキュー補正部材６を有していてもよい。スキュー
補正部材６を備えることで、光ディスク１のスキューの
発生を軽減することができる。このスキュー補正部材６
は、例えば紫外線硬化性樹脂が塗布、硬化されて形成さ
れる。この場合、スキュー補正部材６の材料は、光透過
層４と同じ材料を用いてもよいし、光透過層４の材料よ
りも硬化収縮率の高い材料を用いてもよい。
【００４７】次に、上述したような光ディスク１におい
て、記録密度を向上させるための条件について説明す
る。
【００４８】一般に、ディスクスキューマージンΘと記
録再生光学系の波長λ，開口数ＮＡ，光透過層４の厚さ
ｔとは相関関係にある。実用上十分にそのプレイヤビリ
ティが実証されているコンパクトディスク（ＣＤ）の例
を基準として、これらのパラメータとΘとの関係が、特
開平３−２２５６５０号公報に記載されている。これに
よると、 ｜Θ｜≦８４．１１５（λ／ＮＡ3／ｔ） であればよく、これは本実施の形態に係る光ディスク１
にも適用することができる。
【００４９】ここで、光ディスク１を実際に量産する場
合のスキューマージンΘの具体的な限界値を考えると、
０．４゜とするのが妥当である、これは、量産を考えた
場合、これより小さくすると歩留まりが低下し、コスト
が上がるからである、既存の記録媒体についても、ＣＤ
では０．６゜、ＤＶＤでは０．４゜である。
【００５０】従って、Θ＝０．４゜として光の短波長
化、高ＮＡ化により光透過層４の厚さをどの程度に設定
すべきかを計算すると、まずλ＝０．６５μｍとすると
ＮＡは０．７８以上が要求される。これからｔ≦２８８
μｍが導き出される。
【００５１】また、将来において光の短波長化が進むで
あろうことを考慮して、λ＝０．４μｍの場合を仮定す
ると、ＮＡ≧０．７８を変えないとしてｔ≦１７７μｍ
になる。この場合、基板２の厚さが１．２ｍｍであるＣ
Ｄ等の製造設備を流用することを考慮すると、本実施の
形態に係る光ディスク１の厚さは最大約１．３８ｍｍと
なる。
【００５２】また、光ディスク１を磁気信号の記録再生
を行う信号記録層を備えて構成し、光磁気ディスクとし
て用いた場合における磁界変調を考慮すると、光透過層
４の厚さは薄い方がよい。具体的には、例えば３０μｍ
に設定すると光磁気ディスクでの記録再生が容易にな
る。
【００５３】光透過層４の厚さの下限は、信号記録層あ
るいは反射膜３を保護する役割を有する光透過層の保護
機能によって決定することができ、信頼性や、後述する
２群レンズの衝突の影響を考慮すると１０μｍ以上の厚
さが確保されることが望ましい。
【００５４】上述のように、光ディスク１の記録密度を
上げるためには、ＮＡ／λ値を上げることが不可欠であ
る。例えば、記録容量８ＧＢを達成させるためには、少
なくともＮＡを０．７以上とし、光の波長λを０．６８
μｍ以下とすることが必要となる。また、光透過層４の
厚さとスキューとの間には上述した関係があるが、現状
の赤色レーザ光から将来普及が見込まれる青色レーザ光
まで対応することを考慮すると、光透過層４の厚さｔは
１０μｍ〜１７７μｍに設定するのが適切である。
【００５５】また、記録容量８ＧＢを達成するためには
トラックピッチＰ、線密度ｄを変える必要がある。その
条件としては、 （０．７４／Ｐ）×（０．２６７／ｄ）×４．７≧８ ｄ≦０．１１６１／Ｐ ［ｂｉｔ／μｍ］ を満たせばよい。Ｐ＝０．５６μｍのときｄ≦０．２０
６［ｂｉｔ／μｍ］となるが、これはＤＶＤのＲＯＭ
（Read Only Memory）を基準にしており、記録再生の信
号処理技術の進歩｛具体的には、ＰＲＭＬ（Partial Re
sponse Maximun Likelihood）の適用や、ＥＣＣ（Error
Correction Code）の冗長度を減らすなど｝を考慮する
と、さらに１５％程度の線密度の増加が見込まれ、その
分トラックピッチＰを増やすことが可能である。このこ
とからトラックピッチＰは最大で０．６４μｍが導き出
される。
【００５６】さらに、ピッチ変動Δｐについても公差が
厳しくなる。ＣＤやＤＶＤの記録再生パラメータをその
まま転用すると、ＤＶＤでのＰ＝０．７４μｍ、公差±
０．０３から、 ｜Δｐ｜≦０．０３Ｐ／０．７４＝０．０４Ｐ となる。したがって、Ｐ＝０．５６とすると、｜Δｐ｜
≦０．０２３μｍとなる。
【００５７】さらに、光透過層４の厚みむらについても
さらなる高精度が要求される。光透過層４の厚さが記録
再生用の対物レンズの設計中心からずれた場合、その厚
みむらがスポットに与える収差量は、ＮＡの４乗と波長
とに比例する。
【００５８】従って、高ＮＡ化、または短波長化による
高記録密度化を行う場合、光透過層４の厚みむらはさら
に厳しく制限される。具体的な例として、ＣＤについて
は、ＮＡ＝０．４５が実用化されており光透過層４の厚
みむら規格は±１００μｍである。
【００５９】また、ＤＶＤについては、ＮＡ＝０．６で
光透過層４の厚みむらが±３０μｍと規定されている。
ＣＤでの許容量±１００μｍを基準にすると、次式のよ
うに表される。
【００６０】｜Δｔ｜＝（０．４５／ＮＡ）4×（λ／
０．７８）×１００ ＝５．２６×（λ／ＮＡ4）［μｍ］ ここで、光透過層４の厚さ１００μｍ中心に対し、波長
を０．６８μｍ、ＮＡ＝０．８７５に規定したときの光
透過層の厚みむらとジッター値との関係について実験を
行った結果を図３に示す。
【００６１】図３より、例えばＤＶＤにおいてスキュー
など摂動がない場合のジッターの基準である８％になる
ところを見ると光透過層４の厚みむらは±７μｍである
ことがわかる。これは上式とほぼ一致する値である。し
たがって、高記録密度化に従い、光透過層４の厚さｔに
許容される厚みむら｜Δｔ｜は、５．２６×（λ／ＮＡ
4）［μｍ］以下でなければならないことがわかる。
【００６２】また、上述した光透過層４の厚みむらは、
記録再生用の光が照射されるディスク表面内で均一であ
ることを前提としており、フォーカス点をずらすことに
よって収差補正が可能である。
【００６３】ところが、この領域内（スポット内）でも
し光透過層４に厚みむらがあるとすると、フォーカス点
の調整では補正できない。よってこの量は厚さ中心値に
対して±３λ／１００以下に抑える必要がある。
【００６４】さらに偏心Ｅに関してもＤＶＤの５０μｍ
に対し、 Ｅ≦５０×Ｐ／０．７４＝６７．５７Ｐ［μｍ］ となる。
【００６５】以上より、記録容量８ＧＢの高密度の光デ
ィスク１を得るために必要な条件をまとめると、以下の
ようになる。
【００６６】記録再生光学系λ≦０．６８［μｍ］ ＮＡ／λ≧１．２０ 光透過層４の厚さｔ＝１０〜１７７［μｍ］ 光透過層４の厚みむら｜Δｔ｜≦５．２６×（λ／ＮＡ
4）［μｍ］ トラックピッチＰ≦０．６４［μｍ］ 公差｜Δｐ｜≦０．０４Ｐ 線密度ｄ≦０．１１６１／Ｐ［ｂｉｔ／μｍ］ ディスクスキューマージン｜Θ｜≦８４．１１５（λ／
ＮＡ3／ｔ）［゜］ 偏心Ｅ≦６７．５７Ｐ［μｍ］ 表面粗さ｜Ｒａ｜≦３λ／１００（スポット照射領域
内） 次に、基板２上に形成されるピット又はグルーブの深さ
について説明する。
【００６７】最も変調度が得られるピットまたはグルー
ブの深さは、λ／４であり、再生専用の記録信号である
ピットは、この深さに形成することが望ましい。また、
グルーブ記録やランド記録の場合には、プッシュプルで
トラッキングエラー信号を得ようとする場合、プッシュ
プル信号はピットまたはランドの深さがλ／８のときに
最大となる。
【００６８】さらに、ランドとグルーブの双方に記録し
た場合には、グルーブ深さはサーボ信号の特性ととも
に、クロストークやクロスイレースの特性を考慮すべき
であり、実験的にはクロストークはλ／６〜λ／３が最
小になり、クロスイレースは深い方が影響が少ないこと
が確認されている。また、グルーブ傾きなどを考慮して
両特性を満足させようとすると、３λ／８が最適とな
る。本実施の形態の高記録密度の光ディスク１は、上記
深さの範囲内で適用可能である。
【００６９】次に、このような光ディスク１に対して記
録再生を行う光学系について説明する。
【００７０】この光学系１０は、例えば図４に示すよう
に、第１のレンズ１１と光ディスク１との間に第２のレ
ンズ１２を配置した２群レンズ構成とされている。この
ように、光学系１０を２群レンズ構成にすることでＮＡ
を０．７以上にすることが可能となり、第２のレンズ１
２の第１の面１２ａと光ディスク１の表面との間隔（ワ
ーキングディスタンス）を狭くすることができる。ま
た、第１のレンズ１１の第１の面１１ａ，第２の面１１
ｂ及び第２のレンズ１２の第１の面１２ａ，第２の面１
２ｂは、それぞれ非球面形状にすることが望ましい。こ
の２群レンズを用いることにより、上述したような光デ
ィスク１に対する高密度記録再生を行うことが可能とな
る。
【００７１】次に、上述した光ディスク１の製造方法に
ついて説明する。
【００７２】先ず、図５に示すように、樹脂材料を射出
成形により成形して基板２を作成する。この基板２は、
ある程度の剛性を有することが要求される。このため、
基板２は、その厚さを０．６ｍｍ以上とすることが望ま
しい。また、このとき、基板２は、所定の凹凸パターン
が一体に形成される。このとき、必要なスペックを満た
すピッチ及びピッチむらを実現したスタンパを用いる。
【００７３】このようなピッチむらの少ない高精度スタ
ンパは、送りをネジで行う従来の装置では達成が困難で
あるため、リニアモータによる送り機構を備えた原盤露
光装置で製造する。さらに、この露光装置の光学系は、
空気の揺らぎを排除するためのカバーで覆われるととも
に、露光用レーザの冷却水の振動を除去するため、レー
ザと露光装置との間に防振材が設置されていることが好
ましい。
【００７４】また、この光ディスク１は、基板２上に形
成された凹凸パターン上に反射膜３を成膜し、反射膜３
が形成された側から光を照射して記録再生が行われるた
め、反射膜３の成膜による信号形状の変形を予め考慮し
て、基板２上にピットを形成する必要がある。
【００７５】例えば、光ディスク１を、１０ＧＢの記録
容量を有するように作製する場合には、基板２側から見
たときの信号ピットのアシンメトリーが２５％であると
すると、基板２と反対側からみたときのアシンメトリー
は１０％となる。すなわち、この光ディスク１は、基板
２側とは反対側から信号を読み取る構造の光ディスク１
であるため、例えば光照射側から見てアシンメトリーが
１０％であるピットを形成するためには、基板２に形成
するピット形状のアシンメトリーを２５％にしておく必
要がある。
【００７６】同様に、基板２上に形成される案内用溝
（グルーブ）に関しても記録膜でグルーブデューティが
変化する。例えば、記録再生面から見て凹部への記録再
生を行うグルーブ記録の場合、溝が狭まるので、溝転写
用のスタンパの形状を広めにしておく等の対応が必要と
なる。例えば案内用溝同士の間の凸部（ランド）とグル
ーブの双方に記録を行う場合、光照射側から見て５０％
のアシンメトリーを得るためには基板２側から見た場合
のアシンメトリーを６０％〜６５％に設定する必要があ
る。
【００７７】次に、図６に示すように、基板２の凹凸パ
ターンが形成された面上に、Ａｌ等を２０ｎｍ〜６０ｎ
ｍの厚さに成膜して反射膜３を形成する。
【００７８】次に、図７に示すように、反射膜３上に紫
外線硬化性樹脂をスピンコート法により塗布、硬化させ
て光透過層４を形成する。この光透過層４の厚さは、例
えば１０μｍ〜１７７μｍ程度とする。光透過層４を上
述したような厚さに形成する場合、紫外線硬化性樹脂
は、３００ｍＰａ・ｓ以上、３０００ｍＰａ・ｓ以下の
粘度を有するものを用いることが好ましい。
【００７９】ここで、光透過層４を形成する際、基板２
の内周部、例えばディスク１の中心から半径方向に２５
ｍｍの位置に紫外線硬化性樹脂を滴下し、回転延伸させ
ると、回転による遠心力と紫外線硬化性樹脂の粘性抵抗
との関係から、光透過層４の厚さに内外収差が生じる。
この量は３０μｍ以上にもなる。
【００８０】このような光透過層４の厚さの内外収差の
発生を回避するためには、紫外線硬化性樹脂を滴下する
際に、基板２の中心孔を所定の手段を用いて埋め、この
上から紫外線硬化性樹脂を滴下して、延伸、硬化し、最
後に中心孔を穿設することが有効である。
【００８１】具体的には、例えば厚さが０．１ｍｍのポ
リカーボネートシートを、直径φを３０ｍｍとした円形
に加工し、基板２の中心孔に接着する。そしてこのポリ
カーボネートシート上から紫外線硬化樹脂を滴下して回
転延伸、硬化した後、中心孔を打ち抜く。この方法によ
れば、光透過層４の厚みの内外収差を１０μｍ以内に抑
えることができる。
【００８２】なお、光透過層４を、図８に示すように、
例えばポリカーボネート等からなる厚さ１００μｍのシ
ート７を紫外線硬化性樹脂８にて接着することにより形
成してもよい。この場合、シート７の厚みむらと接着用
紫外線硬化性樹脂８との厚みむらとの和が１０μｍであ
ればよい。例えば、基板２と同径に加工したシート７を
接着用の紫外線硬化性樹脂８を介して基板２上に貼付
し、回転延伸させて最終的に光透過層を形成することに
より、光透過層４の厚みむらを１０μｍ以内とすること
ができる。
【００８３】なお、光透過層４を形成する際、紫外線硬
化樹脂８が基板２の外周にはみ出すことが考えられるの
で、基板２の径は、ＣＤ等の径（１２０ｍｍ）を基準と
して、１２０ｍｍ＋５ｍｍを最大値としておくことが望
ましい。
【００８４】次に、図９に示すように、例えばＳｉ
Ｎx、ＳｉＯx又はＳｉＣ等の無機材料を、例えばスパッ
タリングによって光透過層４上に被着させて光透過性の
表面層５を形成する。この表面層５の厚さは、１０オン
グストローム〜２０００オングストロームとすることが
好ましい。具体的には、例えば１０００オングストロー
ムとする。
【００８５】また、表面層５は、例えば酸化インジウ
ム、酸化スズ、およびこれらの複合物や非晶質のカーボ
ン等を用いて形成されることにより、導電性を備えるこ
とができる。この場合、表面層５は、その厚さを例えば
約５００オングストローム程度とする。表面層５は、導
電性を有することにより、光ディスク１表面の帯電を防
止し、塵埃等の付着を防止することができる。
【００８６】次に、表面層５上に対して、式（１）及び
／又は式（２）で表される末端にカルボキシル基を有す
るパーフルオロポリエーテルのアミン塩化合物を塗布す
る。
【００８７】
【化６】
【００８８】（ただし、式中、Ｒfはパーフルオロポリ
エーテル基を表し、Ｒ1，Ｒ2，Ｒ3は水素又は炭化水素
基を表す。） これら化合物を表面層５上に塗布するには、例えば、こ
れら化合物を溶媒に溶解して得られた溶液を表面層５上
に塗布又は噴霧する。又は、この溶液中に光ディスク１
を浸漬することにより、これら化合物を表面層５上に存
在せしめてもよい。
【００８９】なお、上述した実施の形態では、基板２上
に反射膜３が形成された再生専用（ＲＯＭ）型の光ディ
スク１を例に挙げて説明したが、本発明はこれに限定さ
れるものではなく、書き換え可能型の光ディスクや、追
記型の光ディスクに対しても適用可能である。書き換え
可能型の光ディスクとしては、基板２上に信号記録層を
備えて構成した光磁気ディスク及び相変化型光ディスク
等が挙げられる。
【００９０】光磁気ディスクの信号記録層は、例えばＡ
ｌ膜と、ＳｉＮx膜と、ＴｅＦｅＣｏ膜と、ＳｉＮx膜と
がこの順序に形成されてなる。ここで、Ａｌ膜は反射膜
となり、ＴｅＦｅＣｏ膜が磁気光学効果を有する記録膜
となる。また、ＳｉＮx膜は誘電体膜となる。
【００９１】また、相変化型光ディスクの信号記録層
は、例えばＡｌ膜と、ＺｎＳ−ＳｉＯ2膜と、ＧｅＳｂ
Ｔｅ膜と、ＺｎＳ−ＳｉＯ2膜とがこの順序に形成され
てなる。ここで、Ａｌ膜は反射膜となり、ＧｅＳｂＴｅ
膜が相変化を起こす記録膜となる。また、ＺｎＳ−Ｓｉ
Ｏ2膜は誘電体膜となる。
【００９２】また、追記型光ディスクの信号記録層は、
基板上にＡｕ又はＡｌをスパッタリングにより成膜して
反射膜を形成し、さらに反射膜上にメタロシアニン系又
はフタロシアニン系の有機色素膜をスピンコートにより
塗布、乾燥させることにより形成される。
【００９３】なお、上述した実施の形態では、１枚の基
板２の片面に反射膜３が形成された単板構造の光ディス
ク１を例に挙げて説明したが、本発明はこれに限定され
るものではなく、例えば、図１０に示すように、記録層
２０及び光透過層２１を有する第１の基板２２と、記録
層２３及び光透過層２４を有する第２の基板２５とが張
り合わされてなる光ディスク２６や、図１１に示すよう
に、１枚の基板３０の両面に記録層３１，３２及び光透
過層３３，３４を有する光ディスク３５や、図１２に示
すように、基板４０の第１の記録層４１上に中間層４２
を介して第２の記録層４３が形成され、この第２の記録
層４３上に光透過層４４が形成された多層構造の光ディ
スク４５についても適用可能である。光ディスクを、図
１０に示すような２枚の基板が張り合わされた構造とす
る場合、それぞれの基板は、単板構造の光ディスクの基
板の半分の厚みとする。
【００９４】なお、上述した実施の形態では、樹脂材料
を射出成形することにより、所定の凹凸パターンが形成
された基板を得る場合を例に挙げて説明したが、以下の
ようにして基板に凹凸パターンを形成してもよい。
【００９５】まず、押し出し成形又はキャスト法により
作られたポリカーボネート等からなるシート５０を用意
する。このシート５０は、その厚さを、例えば、約１０
０μｍとされる。
【００９６】次に、図１３に示すように、上記シート５
０を、ローラ５１によってスタンパ５２に圧着させる。
このとき、スタンパ５２は、上記シート５０の材料のガ
ラス転移点よりも高い温度に熱せられている。そして、
シート５０は、例えば、２７５０Ｎの応力を印加されて
スタンパ５２に圧着されることによって、スタンパ５２
の凹凸パターンが転写される。そして、シート５０及び
スタンパ５２を冷却した後、スタンパ５２からシート５
０を剥離することにより、凹凸パターンが形成された薄
板基板５３が得られる。次に、この薄板基板５３上に、
上述の方法と同様にして記録層又は反射膜を成膜する。
【００９７】その後、図１４に示すように、別途射出成
形によって形成しておいた厚さが例えば約１．１ｍｍの
透明基板５４上に紫外線硬化性樹脂を滴下し、その上に
上記薄板基板５３を載置して圧着する、そして、透明基
板５４側から紫外線を照射して紫外線硬化性樹脂を硬化
させることにより薄膜基板５３と透明基板５４とが接着
されて光ディスクが作製される。
【００９８】また、上記透明基板５４を射出成形する際
に、この透明基板５４に所定の凹凸パターンを形成して
おくことによって、図１５に示すような２層構造の光デ
ィスクや、図１６に示すような４層構造の光ディスクを
作製することができる。
【００９９】
【実施例】以下、本発明の具体的な実施例について説明
するが、本発明亜ｈ以下で背つめする実施例に限定され
るものではない。
【０１００】まず、スタンパを用いて樹脂材料を射出成
形することにより基板を作製した。このとき、基板の一
方の主面に、所定の凹凸パターンを一体に形成した。次
に、基板の凹凸パターンが形成された面上に、Ａｌ膜
と、ＳｉＮx膜と、ＴｅＦｅＣｏ膜と、ＳｉＮx膜とをこ
の順序で製膜して記録層を形成した。次に、記録層上に
紫外線硬化性樹脂を塗布、硬化して厚さ２０μｍの光透
過層を形成した。さらに、ＳｉＮxをスパッタリングに
より光透過層上に１６０ｎｍの厚みに被着して表面層を
形成した。最後に、この表面層上に、表１に示す化合物
１をヘキサンとエタノールの重量比１：１の混合溶媒に
溶解し、塗布量が５ｍｇ／ｍ2になるようにトップコー
トして光ディスクを作製した。なお、この光ディスク
は、上述したＴｅＦｅＣｏ膜が磁気光学効果を有する光
磁気ディスクである。
【０１０１】ここで、以上のようにして作製された光デ
ィスクの諸特性を示す。
【０１０２】記録再生光学系λ≦０．６８［μｍ］ ＮＡ／λ≧１．２５ 光透過層の厚さｔ＝２０［μｍ］ 光透過層の厚みむら｜Δｔ｜≦５．０［μｍ］ トラックピッチＰ≦０．６４［μｍ］ 公差｜Δｐ｜≦０．０４Ｐ 線密度ｄ≦０．１１６１／Ｐ［ｂｉｔ／μｍ］ ディスクスキューマージン｜Θ｜≦０．４［゜］ 偏心Ｅ≦６７．５７Ｐ［μｍ］ 表面粗さ｜Ｒａ｜≦３λ／１００（スポット照射領域
内） 表面層上にトップコートする化合物をそれぞれ変えて光
ディスクを作製した。このとき、本発明に係る化合物と
して、表１及び表２に示すような化合物１〜１３をトッ
プコートした光ディスクをそれぞれ実施例１〜実施例１
３とした。
【０１０３】また、何もトップコートしない光ディスク
を比較例１とした。また、本発明に係る化合物の代わり
に、末端にカルボキシル基を有するパーフルオロポリエ
ーテル（商品名Ｚ−ＤＩＡＣ、モンテジソン製）と、末
端に水酸基を有するパーフルオロポリエーテル（商品名
Ｚ−ＤＯＬ、モンテジソン製）とをそれぞれトップコー
トした光ディスクを比較例２、比較例３とした。
【０１０４】
【表１】
【０１０５】
【表２】
【０１０６】上述のようにして作製された各光ディスク
について、摺動耐久性、摩擦係数、帯電防止効果につい
て評価試験を行った。
【０１０７】摺動耐久性は、高ＮＡの対物レンズを有す
る光学ピックアップを使用し、０．０２［Ｎ］という微
小剪断荷重を負荷しながら光ディスクを１００回摺動さ
せ、その時のエラーレートの変化を測定して評価した。
また、光ディスクと光学ピックアップとの衝突の際の衝
撃による光ディスクの損傷についても観察を行って評価
した。
【０１０８】また、摩擦係数は、上記の摺動試験の測定
時に剪断力も同時に測定し、１００回摺動後の表面摩擦
係数を算出することにより評価した。
【０１０９】また、帯電防止効果は、光ディスクに８．
５ｋＶの電圧を１分間印加し、その後電圧が半分の４．
２５ｋＶになるまでの時間、すなわち半減期を測定する
ことにより評価した。
【０１１０】それぞれの光ディスクについて行った上記
摺動耐久性、摩擦係数及び帯電防止効果についての評価
結果を表３に示す。
【０１１１】
【表３】
【０１１２】この結果から、表面層上に本発明に係る化
合物をトップコートした実施例１〜実施例１３の光ディ
スクでは、いずれの場合においても、摺動によるエラー
レートの上昇がほとんど見られず、またその際の媒体の
損傷もほとんどないことがわかった。また、これら光デ
ィスクは、摩擦係数が非常に低いことがわかった。その
ため、これら光ディスクは、光学ピックアップと接触し
て摺動状態になった場合でも安定した走行が得られ、高
記録密度化を図るために記録信号が微小に形成された場
合でも正確な記録再生が可能である。さらに、これら光
ディスクは、帯電防止効果についても非常に優れている
ことが確認された。これにより、これら光ディスクは、
光透過層への塵埃等の付着を防止することができ、記録
再生エラーの発生を低減することができる。
【０１１３】一方、トップコートを行わなかった比較例
１の光ディスクは、エラーレートの上昇，媒体の損傷，
摩擦係数，帯電特性のいずれにおいても問題が多い結果
となり、ワーキングディスタンスが小さい高密度記録媒
体としては適さないことがわかった。また、末端にカル
ボキシル基や水酸基を有するパーフルオロポリエーテル
をトップコートした比較例２や比較例３の光ディスク
は、比較例１の光ディスクよりも良好な特性を示したも
のの、高密度記録媒体として利用するには十分な結果が
得られなかった。これら比較例２及び比較例３の光ディ
スクが十分な特性を示さなかったのは、潤滑剤として塗
布した材料が、その分子中にイオン結合を有していない
ためであると考えられる。
【０１１４】したがって、表面層上に末端にカルボキシ
ル基を有するパーフルオロポリエーテルのアミン塩化合
物をトップコートすることにより、ディスク表面での傷
の発生及びディスク表面への塵埃等の付着を防止するこ
とができ、記録再生エラーを低減することができること
がわかった。
【０１１５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る光学
記録媒体は、信号の記録再生を行うための光が照射され
る側の表面に末端にカルボキシル基を有するパーフルオ
ロポリエーテルのアミン塩化合物が保持されてなるため
に、この表面への損傷や塵埃等の付着を防止することが
できる。そのため、ワーキングディスタンスを狭くした
場合であっても、記録再生エラーが増大してしまうこと
がない。したがって、高記録密度化に対応して、大容量
な記録媒体とすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る光学記録媒体の第１の例を示す断
面図である。
【図２】本発明に係る光学記録媒体の第２の例を示す断
面図である。
【図３】光透過層の厚さ誤差と、ジッター値の関係を示
す図である。
【図４】本発明に係る光学記録媒体に対し、情報の記録
再生を行う光学系の一例を示す模式図である。
【図５】本発明に係る光学記録媒体の製造方法を説明す
る図であり、射出成形により基板を作製した状態を示す
断面図である。
【図６】同製造方法を説明する図であり、基板上に反射
膜を形成した状態を示す断面図である。
【図７】同製造方法を説明する図であり、反射膜上に光
透過層を形成した状態を示す断面図である。
【図８】同製造方法を説明する図であり、反射膜上に光
透過層を形成した状態を示す断面図である。
【図９】同製造方法を説明する図であり、光透過層上に
表面層を形成した状態を示す断面図である。
【図１０】本発明に係る光学記録媒体の第３の例を示す
断面図である
【図１１】本発明に係る光学記録媒体の第４の例を示す
断面図である
【図１２】本発明に係る光学記録媒体の第５の例を示す
断面図である
【図１３】本発明に係る光学記録媒体の他の製造方法を
説明する図であり、シートにスタンパの凹凸を転写する
様子を示す模式図である。
【図１４】本発明に係る光学記録媒体の第６の例を示す
分解断面図である
【図１５】本発明に係る光学記録媒体の第７の例を示す
分解断面図である
【図１６】本発明に係る光学記録媒体の第８の例を示す
分解断面図である
【符号の説明】
１ 光ディスク、２ 基板、３ 反射膜、４ 光透過
層、５ 表面層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 坂本 哲洋 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソニ ー株式会社内 Ｆターム(参考） 5D029 LA01 LA03 LA14 LA16 LB07 LC13 LC14 NA11

Claims (20)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 支持体と、 上記支持体の一方の主面上に形成されて信号が記録され
    る記録部と、 上記記録部上に形成された光透過層とを備え、 上記光透過層側から光を照射して信号の記録及び／又は
    再生を行うとともに、 上記光が照射される側の表面に、式（１）及び／又は式
    （２）で表される末端にカルボキシル基を有するパーフ
    ルオロポリエーテルのアミン塩化合物が保持されている
    ことを特徴とする光学記録媒体。 【化１】 （ただし、式中、Ｒfはパーフルオロポリエーテル基を
    表し、Ｒ1，Ｒ2，Ｒ3は水素又は炭化水素基を表す。）
  2. 【請求項２】 上記化合物は、上記式（１）及び式
    （２）中に示すＲ1，Ｒ2，Ｒ3のうちの少なくとも一つ
    が、炭素数１０以上の長鎖炭化水素であることを特徴と
    する請求項１記載の光学記録媒体。
  3. 【請求項３】 上記光透過層は、その厚さｔが１０μｍ
    〜１７７μｍであることを特徴とする請求項１記載の光
    学記録媒体。
  4. 【請求項４】 上記光透過層は、その厚みむらをΔｔと
    したときに、上記光学記録媒体に対して記録及び／又は
    再生を行う光学系の開口数ＮＡと波長λとの間に、 ｜Δｔ｜≦５．２６（λ／ＮＡ4）［μｍ］ なる関係を満たすことを特徴とする請求項１記載の光学
    記録媒体。
  5. 【請求項５】 上記光が照射される側の表面硬度は、鉛
    筆硬度でＨ以上であることを特徴とする請求項１記載の
    光学記録媒体。
  6. 【請求項６】 上記光が照射される側の表面抵抗が１０
    13Ω以下であることを特徴とする請求項１記載の光学記
    録媒体。
  7. 【請求項７】 上記光が照射される側の表面の動摩擦係
    数が０．３以下であることを特徴とする請求項１記載の
    光学記録媒体。
  8. 【請求項８】 上記光透過層上に、光透過性の表面層が
    形成されていることを特徴とする請求項１記載の光学記
    録媒体。
  9. 【請求項９】 上記表面層は、無機材料からなることを
    特徴とする請求項８記載の光学記録媒体。
  10. 【請求項１０】 上記無機材料は、ＳｉＮX，ＳｉＣ，
    ＳｉＯXのいずれかであることを特徴とする請求項９記
    載の光学記録媒体。
  11. 【請求項１１】 上記表面層は、スパッタリング法又は
    スピンコート法により形成され、その厚みが１ｎｍ〜２
    ００ｎｍとされていることを特徴とする請求項９記載の
    光学記録媒体。
  12. 【請求項１２】 上記表面層は、導電性を有する無機材
    料からなることを特徴とする請求項８記載の光学記録媒
    体。
  13. 【請求項１３】 上記無機材料は、酸化インジウム、酸
    化スズ、又はこれらの複合物であることを特徴とする請
    求項１２記載の光学記録媒体。
  14. 【請求項１４】 上記表面層は、スパッタリング法又は
    スピンコート法により形成され、その厚みが１ｎｍ〜２
    ００ｎｍとされていることを特徴とする請求項１２記載
    の光学記録媒体。
  15. 【請求項１５】 上記表面層は、有機系樹脂からなるこ
    とを特徴とする請求項８記載の光学記録媒体。
  16. 【請求項１６】 上記表面層は、スピンコート法によ
    り、０．１μｍ〜１０μｍの厚さに形成されてなること
    を特徴とする請求項１５記載の光学記録媒体。
  17. 【請求項１７】 上記表面層は、Ｉｎ，Ｓｎ，Ｚｎのう
    ち、少なくとも１種類以上の金属の酸化物粉末を混合し
    た有機系樹脂からなり、当該表面層は、スピンコート法
    により、０．１μｍ〜１００μｍの厚さに形成されてな
    ることを特徴とする請求項１５記載の光学記録媒体。
  18. 【請求項１８】 上記表面層の表面張力が、上記光透過
    層の臨界表面張力よりも小さい値に選定されてなること
    を特徴とする請求項１５記載の光学記録媒体。
  19. 【請求項１９】 上記表面層の吸水率が、上記光透過層
    の吸水率よりも高く選定されてなることを特徴とする請
    求項１５記載の光学記録媒体。
  20. 【請求項２０】 上記表面層は、導電性を有することを
    特徴とする請求項８記載の光学記録媒体。
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