JP2000290784A

JP2000290784A - 薄膜の形成方法および液晶装置の製造方法

Info

Publication number: JP2000290784A
Application number: JP9903899A
Authority: JP
Inventors: Hideaki Naono; 秀昭直野; Yoshio Yamaguchi; 善夫山口; Tetsuya Daikou; 哲也大構; Kazuhiro Tanaka; 千浩田中; Masaki Kobayashi; 昌樹小林
Original assignee: Seiko Epson Corp
Current assignee: Seiko Epson Corp
Priority date: 1999-04-06
Filing date: 1999-04-06
Publication date: 2000-10-17
Anticipated expiration: 2019-04-06
Also published as: JP3915311B2

Abstract

(57)【要約】【課題】基板と搬送用トレイとの間の異常放電の発生
を抑制して、基板に割れが発生するのを防止できる、薄
膜の形成方法を提供する。【解決手段】基板１００を搬送用トレイ２００で保持
して絶縁膜１１０および第１金属膜１２０をスパッタリ
ングにて成膜する。搬送用トレイ２００を外した状態
で、第１金属膜１２０をパターニングする。このパター
ニングに際して、基板１００の周縁部のクランプ２１０
で保持される部分から第１金属膜１２０のエッジ部が所
定寸法後退するようにマスクパターンを設定する。次
に、再度搬送用トレイ２００を基板１００に保持して第
２金属膜１４０をスパッタリングにより成膜する。この
ため、基板１００と搬送用トレイ２００のクランプ２１
０との間で異常放電が発生するのを抑制することができ
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は薄膜の形成方法およ
び液晶装置の製造方法に関する。さらに詳しくは、導電
性薄膜のスパッタリング中に基板へダメージが生じるの
を防止できる薄膜の形成方法および液晶装置の製造方法
に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、液晶装置としてはアクティブマト
リクス方式の液晶表示パネルとパッシブマトリクス方式
の液晶表示パネルが知られている。アクティブマトリク
ス方式の液晶表示パネルは、基板面にマトリクス状に配
列された複数の画素電極のそれぞれにスイッチング素子
が設けられている素子基板と、カラーフィルタなどが形
成されている対向基板と、これら両基板間に充填された
液晶と、から主に構成されている。

【０００３】上記したスイッチング素子としては、薄膜
トランジスタ（ＴＦＴ：Thin FilmTransistor）などの
３端子型非線形素子と、薄膜ダイオード（ＴＦＤ：Thin
Film Diode）などの２端子型非線形素子とがある。３
端子型非線形素子である薄膜トランジスタを備えた液晶
表示パネルでは、素子基板（ＴＦＴ基板）面に、走査電
極としてのゲートラインと信号電極としてのソースライ
ンとの交差部分が、各画素毎にある。これに対して、２
端子型非線形素子である薄膜ダイオードを備えた液晶装
置では、同一基板上で配線の交差部分がないため、配線
間の短絡不良が原理的に発生しにくいという利点があ
る。加えて、２端子型非線形素子である薄膜ダイオード
を備えた液晶装置では、上記したように配線の交差部分
がなく構成が簡単であるため、薄膜形成工程、フォトリ
ソグラフィー工程、およびエッチング工程などの工程数
が少ないという利点がある。

【０００４】以下、薄膜ダイオードを備えた液晶表示パ
ネルの素子基板側の製造方法を、主に成膜工程に着目し
て説明する。

【０００５】まず、図９（Ａ）および図１０に示すよう
に、搬送用トレイ（搬送用枠）１で、ガラスからなる母
基板２を保持する。なお、この方法は、素子基板を複数
枚分、一括して製造する方法である。したがって、母基
板２は素子基板を複数枚とれる大きさに設定されてい
る。また、搬送用トレイ１は、図１０に示すように、母
基板２を取り囲む枠形状のものである。この搬送用トレ
イ１は、母基板２の周縁部を保持するクランプ３を備え
ている。クランプ３は、母基板２の裏面周縁の所定箇所
に当接する可動式の保持板３１と、この保持板３１に対
応した位置に設けられ母基板２の表面周縁に係当する係
当部３２とを備える。また、係当部３２は母基板２の表
面に対向する爪部３２Ａと、この爪部３２Ａの下面の中
間部から垂下するように形成された係当突起３２Ｂと、
からなる。図９（Ａ）は母基板２をクランプ３で保持し
た部分の断面図であり、図１０は母基板２を搬送用トレ
イ１に保持した状態を示す平面図である。

【０００６】次に、搬送用トレイ１で保持された母基板
２を、図示しないスパッタ装置の成膜チャンバ内に搬送
した後、図９（Ｂ）に示すように母基板２の表面へ例え
ば酸化タンタルを堆積させて絶縁膜４を全面に亙って形
成する。次いで、同図に示すように、例えばタンタルな
どからなる第１金属膜５を同じくスパッタリングにより
成膜する。その後、フォトリソグラフィー技術およびエ
ッチング技術を用いて第１金属膜５が所定のパターンに
なるように形成する。

【０００７】続いて、母基板２から搬送用トレイ１を取
り外した後、母基板２を陽極酸化槽に入れ、第１金属膜
５に陽極酸化を施す。この結果、第１金属膜５の表面に
酸化膜５Ａが形成される。その後、再度、母基板２を搬
送用トレイ１で保持し、スパッタ装置の成膜チャンバ内
に配置し、例えばクロム、アルミニウムなどからなる第
２金属膜６をスパッタリングにより成膜する。次に、第
２金属膜６をフォトリソグラフィー技術およびエッチン
グ技術を用いてパターニングする。上記した工程を経
て、図示しない、走査電極や薄膜ダイオードや外部端子
などが形成される。この他の工程としては、画素電極の
形成工程などがある。

【０００８】このような成膜・パターニング工程を経て
素子基板側が製造されるわけであるが、上記した陽極酸
化を第１金属膜５に施す都合上、母基板２上にパターニ
ングされた第１金属膜５は電気的にすべて接続されてい
る必要がある。このため、図１１に示すように、母基板
２のそれぞれの素子基板領域２１に形成された走査電極
や外部端子の基礎となる第１金属膜５の全ては、それぞ
れの領域２１の周縁および母基板２の周縁に形成された
枠パターン７Ａ、７Ｂに接続されている。図１１中、一
点鎖線Ｌｃは母基板２に含まれる１つの素子基板を分断
するための分断予定線を示している。図１１は、母基板
２が６つの素子基板領域２１を有している例を示してい
るが、他の素子基板領域においても同様の分断予定線が
設定されている。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た液晶表示パネルの製造方法においては、第１金属膜５
を陽極酸化した後、再度母基板２を搬送用トレイ１で保
持する際に、クランプ３と母基板２との間で位置ずれが
生じ易いという問題があった。この位置ずれは、図１０
に示すｘ方向、ｙ方向のいずれにも生じる。これは、枠
状の搬送用トレイ１に母基板２を嵌め込む必要上、搬送
用トレイ１の大きさに余裕度を持たせているからであ
る。このような位置ずれが生じると、搬送用トレイ１全
体ではクランプ３と第１金属膜５とが近接する部分がで
きる。

【００１０】このようにクランプ３と第１金属５とが近
接している状態で、第２金属膜６をスパッタリングにて
成膜した場合、図９（Ｃ）スパッタリングに伴って母基
板２側に帯電が起こり、第１金属膜５とこれに近接する
クランプ（係当突起３２Ｂ）３との間で異常放電が発生
する。このような異常放電が起こると、母基板２の周縁
における、クランプ３で保持されていた部分（図１１
中、符号２２で示す）のガラスに、クラックなどの損傷
が発生する。

【００１１】このように母基板２の周縁にクラックが生
じた場合、搬送工程の際に、またはフォトリソグラフィ
ー工程におけるレジストのスピンコーティングなどの際
に、母基板２に割れが生じるという問題が起きる。さら
に、その他の工程においても、母基板２に応力や振動が
かかる場合には、母基板２の周縁から割れが発生すると
いう問題が起きる。

【００１２】この発明が解決しようとする課題は、基板
と搬送用トレイとの間の異常放電の発生を抑制して、基
板に割れが発生するのを防止できる、薄膜の形成方法お
よび液晶装置の製造方法を得ることにある。

【００１３】

【課題を解決するための手段】本発明は、基板に第１の
導電膜を形成した後、基板の周縁部を導電性を有する把
持部材により保持した状態で、第１の導電膜の上に、直
接的または間接的に第２の導電膜を堆積させる工程を備
える薄膜の形成方法であって、第２の導電膜を堆積させ
る前に、第１の導電膜にエッチングを施して第１の導電
膜のエッジ部を把持部材が当接する位置から後退させる
ことを特徴とする。

【００１４】このような構成の本発明によれば、第１の
導電膜のエッジ部が把持部材が当接する位置から後退し
た位置に形成されるため、第２の導電膜を堆積させる際
に、基板側に帯電が生じても、第１の導電膜のエッジ部
と把持部材との間で異常放電が発生するのを抑制するこ
とができる。このため、基板の周縁部にクラックなどの
損傷が発生するのを防止できる。

【００１５】また、本発明は、第１の導電膜の把持部材
の近傍に位置するエッジ部が、少なくとも、把持部材と
基板と間の相対的な最大位置ずれ寸法だけ後退されるこ
とが好ましい。

【００１６】このような構成の本発明によれば、第１の
導電膜を堆積させた後、一旦把持部材を取り外し、再度
把持部材を取り付けて第２の導電膜を堆積する際に、基
板に対して把持部材が相対的にずれていても第１の導電
膜のエッジ部から把持部材に対して異常放電が起こるの
を抑制することができる。

【００１７】さらに、本発明は、第２の導電膜が、スパ
ッタ法にて形成される場合に適用することができる。ス
パッタ法の場合、基板に対してチャージアップが発生し
易くなるが、第１の導電膜のエッジ部から把持部材への
異常放電を防止することにより、薄膜形成の歩留まりを
向上することができる。

【００１８】また、本発明は、第２の導電膜が、プラズ
マＣＶＤ法にて形成される場合にも適用することができ
る。

【００１９】このような構成の本発明によれば、基板に
対してチャージアップが発生するプラズマＣＶＤ法によ
る成膜においても、異常放電を防止して基板にクラック
などの損傷が発生するのを防止することができる。

【００２０】さらに、本発明は、把持部材が、基板を保
持する搬送用トレイに設けられている場合に適用され
る。このように、基板を搬送時に搬送用トレイが保護す
る場合に、第２の導電膜の堆積の際の基板側のチャージ
アップによる異常放電を防止することができる。

【００２１】本発明は、相対向する基板のうち、一方の
基板の対向内側面に、第１の導電膜／絶縁膜／第２の導
電膜からなる２端子型非線形素子を備える液晶装置の製
造方法であって、一方の基板の周縁部を搬送用トレイの
把持部で保持した状態で、第１の導電膜を堆積させた
後、第１の導電膜のエッジ部が把持部から後退するよう
にパターニングし、その後、絶縁膜を形成し、次いで第
２の導電膜を、基板が前記搬送用トレイの前記把持部で
保持された状態で堆積することを特徴とする。

【００２２】このような構成の本発明では、２端子非線
形素子をスイッチング素子として備えるアクティブマト
リクス方式の液晶装置における素子基板側に、異常放電
によるクラックなどの損傷が発生するのを防止すること
ができる。このため、液晶装置の歩留まりを向上するこ
とができる。

【００２３】また、本発明は、一方の基板の周縁部に堆
積された第１の導電膜が、絶縁膜を陽極酸化により形成
するための枠状電極である場合に適用される。このよう
な構成の本発明では、素子基板側の２端子非線形素子の
第１の導電膜／絶縁膜／第２の導電膜の構造を形成する
に際し、基板の周縁部に形成する陽極酸化用の枠電極に
起因して、第１の導電膜と搬送用トレイの把持部との間
の異常放電の発生を抑制することができる。

【００２４】

【発明の実施の形態】以下、本発明に係る薄膜の形成方
法および液晶装置の製造方法の詳細を図面に示す実施形
態に基づいて説明する。本実施形態は、２端子型非線形
素子としてのＴＦＤ素子を用いたアクティブマトリクス
方式の液晶表示パネルの製造において、本発明を適用し
た例である。

【００２５】まず、素子基板側の製造工程について説明
する。図１および図２に示すように、ガラスからなる基
板１００を搬送用トレイ２００に保持する。この基板２
００は、複数の素子基板に分断できる、所謂多面取り用
の基板である。なお、図１は基板１００を搬送用トレイ
２００で保持した部分の断面図、図２は基板１００を搬
送用トレイ２００に保持した状態を示す平面図である。

【００２６】図１および図２に示すように、搬送用トレ
イ２００は、基板１００の周縁部を保持するクランプ２
１０を備えている。クランプ２１０は、基板１００の裏
面周縁の所定箇所に当接する可動式の保持板２１１と、
この保持板２１１に対応した位置に設けられ、基板１０
０の表面周縁に係当する係当部２１２と、を備える。こ
の係当部２１２は、基板１００の表面に対向する爪部２
１２Ａと、この爪部２１２Ａの下面の中間部から垂下す
るように形成された係当突起２１２Ｂと、からなる。爪
部２１２Ａは、係当突起２１２Ｂの上部を覆うようにオ
ーバーハングした断面形状を有する。

【００２７】次に、基板１００を搬送用トレイ２００で
保持した状態で、図示しないスパッタ装置の成膜チャン
バ内に搬送した後、図３に示すように基板１００の表面
へ例えば酸化タンタルを堆積させて絶縁膜１１０を全面
に亙って形成する。続いて、同図に示すように、例えば
タンタルからなる第１金属膜１２０を同じくスパッタリ
ングにより成膜する。

【００２８】その後、基板１００を搬送用トレイ２００
とともにスパッタ装置の成膜チャンバから搬出して、搬
送用トレイ２００を取り外す。次に、フォトリソグラフ
ィー技術を用いて、後述するようなパターンになるよう
に、基板１００の表面にフォトレジストをパターニング
する。

【００２９】以下、フォトレジストパターンについて説
明する。本実施形態では、周知の素子基板の製造方法と
同様に、第１金属膜１２０が、走査電極や薄膜ダイオー
ドや外部端子の基礎となるようにフォトレジストパター
ン（詳細なパターンの説明を省略する）を形成する。さ
らに、本実施形態では、図４に示すように、基板１００
の表面周縁部のクランプ２１０で保持される部分に独特
のフォトレジストパターンを形成する。

【００３０】なお、図４は、フォトレジスト１３０がパ
ターニングされた基板１００の表面周縁部（クランプ２
１０で保持される部分）示す平面図である。同図に示す
ように、クランプ２１０で保持されていた基板１００の
周縁部において、上方にクランプ２１０の爪部２１２Ａ
が位置した部分の基板１００の表面は爪部２１２Ａの形
状（矩形状）の露出部分１００ａとなっている。また、
基板１００の周縁部分における、露出部分１００ａの回
りには、第１金属膜１２０（およびその下地である絶縁
膜１１０）が形成されている。ここで説明した露出部分
１００ａの回りの第１金属１２０とは、上記した従来の
技術の説明で用いた図１１に示した枠パターン７Ｂに相
当する。

【００３１】ここで、本実施形態の薄膜の形成方法およ
び液晶表示パネルの製造方法の特徴であるフォトレジス
トパターンについてさらに具体的に説明すると、図４に
示すように、前述の露出部分１００ａから所定の距離
（Ｌｘ、Ｌｙ）後退した位置にパターンのエッジが形成
されるようにフォトレジスト１３０をパターニングして
いる。言い換えると、露出部分１００ａとこれを取り囲
む第１金属膜１２０の部分がフォトレジスト１３０から
露出するようになっている。また、上記した距離Ｌｘ、
Ｌｙは、搬送用トレイ２００に対して基板１００がｘ方
向、ｙ方向（図１０参照）にずれる最大位置ずれ量を加
味して設定されている。すなわち、搬送用トレイ２００
に対して基板１００が位置ずれを起こして保持された場
合に、搬送用トレイ２００のクランプ２１０の係当突起
２１２Ｂと第１金属膜１２０とが、異常放電を回避でき
る距離Ｌｘ、Ｌｙに設定されている。本実施形態では、
クランプ２１０において係当突起２１２Ｂに対しする爪
部２１２Ａのオーバーハングしている寸法を勘案して、
距離Ｌｙ＞距離Ｌｘに設定されている。

【００３２】次に、このようなフォトレジスト１３０を
エッチングマスクとして、基板１００をドライエッチン
グ技術またはウェットエッチング技術を用いて第１金属
膜１２０のパターニングを行う。本実施形態では、図５
に示すように、異方性ドライエッチングとして例えばＲ
ＩＥ（反応性イオンエッチング）を用いてパターニング
を行う。この結果、第１金属膜１２０は、走査電極、薄
膜ダイオード、外部端子、ならびに陽極酸化用端子など
の基礎となるようにパターニングされるとともに、クラ
ンプ２１０近傍のエッジ部はクランプ２１０から離れて
形成される。

【００３３】その後、フォトレジスト１３０を剥離し、
基板１００を図示しない陽極酸化槽に入れて第１金属膜
１２０の表面に陽極酸化膜１２０Ａを形成する。次に、
陽極酸化を施した後、図６に示すように、再度、基板１
００を搬送用トレイ２００に保持させる。このとき、上
記したように、搬送用トレイ２００に基板１００を装着
し易いように搬送用トレイ２００が余裕度を有するよう
に大きめに設定されているため、クランプ２１０で挟持
される基板１００の周縁部分は、図１および図３に示し
た挟持状態と同一ではなく、係当突起２１２Ｂに対して
ｘ方向、ｙ方向にずれが生じる場合が多くなる。図６
は、基板１００の周縁部分が、クランプ２１０の係当突
起２１２Ｂと保持板２１１との間の奥まで挿入されて挟
持されている状態を示している。

【００３４】このように搬送用トレイ２００に保持され
た基板１００を、再度、スパッタ装置の成膜チャンバ内
に搬入・配置する。そして、図７に示すように、例えば
クロム、アルミニウムなどからなる第２金属膜１４０を
基板１００の表面にスパッタリングにより成膜する。こ
のとき、基板１００の周縁に形成された第１金属膜１２
０の縁部は、上記したように、クランプ２１０の係当突
起２１２Ｂから離れる（クランプ２１０の爪部２１２Ａ
に覆われないように後退する）ようパターニングされて
いる。このため、第２金属膜１４０のスパッタリングに
伴って基板１００側に帯電が起こっても、第１金属膜１
２０の縁部がクランプ２１０の係当突起２１２Ｂから十
分離れているため、第１金属膜１２０の縁部とクランプ
２１０の係当突起２１２Ｂとの間に異常放電が発生する
のを抑制することができる。また、基板１００上に成膜
された第２金属膜１４０のエッジ部と、クランプ２１０
の係当突起２１２Ｂおよび爪部２１２Ａとは、離れてい
るため、これらの間で異常放電が発生することはない。

【００３５】その後、第２金属膜１４０をフォトリソグ
ラフィー技術およびエッチング技術を用いてパターニン
グする。このようにして、基板１００には、それぞれの
基板領域に走査電極、ＴＦＤ素子、図８に示すようなベ
アチップ６００Ａ、６００Ｂが実装される走査電極端子
および制御端子、ならびに、フレキシブルプリント配線
（ＦＰＣ）８００が接続される外部端子などが形成され
る。

【００３６】さらに、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxid
e）からなる画素電極の形成工程などを経て、図１１に
示す平面構造と略同様の基板を形成することができる。
次に、基板１００のスクライブストリートに沿ってスク
ライブを行なうことで、複数（本実施形態では６つ）の
素子基板１００Ａに分断することができる。

【００３７】図８に示すように、上記した工程で製造さ
れた素子基板１００Ａと、別途製造された対向基板３０
０とを、周知のシール材を介在させて貼り合わせ、図示
しない液晶を封止することにより、液晶表示パネル４０
０が製造される。

【００３８】なお、対向基板３００には、ＴＦＤ素子の
ような非線形素子が形成されないため、素子基板１００
Ａと比較すると、その製造プロセスは極めて簡略化され
ている。すなわち、基板の一方の面に、第１に、ＩＴＯ
のような透明導電膜を成膜した後、第２に、これをパタ
ーニングして、信号電極（データ線）を形成する。この
際、図８に示すように、ベアチップ５００Ａ、５００Ｂ
を実装するために信号電極端子、制御端子と、フレキシ
ブルプリント配線（ＦＰＣ）７００を接続するための外
部端子も、透明導電膜をパターニングして形成される。
なお、カラー表示を行う場合には、対向基板３００にお
ける、素子基板１００Ａの画素電極に対応する位置に、
Ｒ（レッド）、Ｇ（グリーン）、Ｂ（ブルー）のカラー
フィルタを所定の配列で形成する。

【００３９】本実施形態の薄膜の形成方法および液晶表
示パネルの製造方法によれば、第１金属膜１２０のエッ
ジ部が、搬送用トレイ２００のクランプ２１０で保持さ
れた場合に係当突起２１２Ｂから離れて後退した位置に
あるため、第２金属膜１４０のスパッタリングに伴って
基板１００側に帯電が起こっても、第１金属膜１２０の
エッジ部とクランプ２１０との間で異常放電が発生する
ことがなく、ガラスからなる基板１００の周縁にクラッ
クが生じるのを抑制することができる。

【００４０】以上、実施形態について説明したが、本発
明はこれに限定されるものではなく、構成の要旨に付随
する各種の変更が可能である。例えば、上記した実施形
態では、液晶表示パネルとしてＴＦＤ素子をスイッチン
グ素子とするアクティブマトリクス方式の液晶装置に本
発明を適用して説明したが、ＴＦＴをスイッチング素子
として用いるアクティブマトリクス方式の液晶装置に本
発明を適用することも可能である。また、本発明は、液
晶装置の製造以外でも、複数層の導電膜をスパッタリン
グにより積層させる、薄膜の形成方法に適用することが
できる。

【００４１】また、上記した第２金属膜１２０の成膜
は、スパッタ法を用いたが、同様に基板１００側に帯電
を生じるプラズマＣＶＤ法を適用しても、異常放電の発
生を抑制することができる。

【００４２】さらに、上記した実施形態では、複数の素
子基板１００Ａを一括して製造するために、大型の基板
１００を用いたが、素子基板１００Ａを１枚ずつ製造す
る場合にも本発明を適用できることはいうまでもない。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施形態における基板搬送工程を示す
要部断面図である。

【図２】実施形態における基板搬送工程を示す平面図で
ある。

【図３】実施形態における第１金属膜の成膜工程を示す
要部断面図である。

【図４】実施形態における第１金属膜の成膜工程を示す
要部平面図である。

【図５】実施形態における第１金属膜のエッチング工程
を示す要部断面図である。

【図６】実施形態における搬送用トレイの保持状態を示
す要部断面図である。

【図７】実施形態における第２金属膜の成膜工程を示す
要部断面図である。

【図８】実施形態における液晶表示パネルの分解斜視図
である。

【図９】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）は従来の製造工程を示
す要部断面図である。

【図１０】従来の搬送用トレイでの保持状態を示す平面
図である。

【図１１】従来の素子基板領域を複数備えた母基板の概
略を示す平面図である。

【符号の説明】

１００基板１２０第１金属膜１２０Ａ絶縁膜１４０第２金属膜２００搬送用トレイ２１０クランプ２１２Ａ爪部２１２Ｂ係当突起３００対向基板４００液晶表示パネル

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者大構哲也長野県諏訪市大和３丁目３番５号セイコーエプソン株式会社内 (72)発明者田中千浩長野県諏訪市大和３丁目３番５号セイコーエプソン株式会社内 (72)発明者小林昌樹長野県諏訪市大和３丁目３番５号セイコーエプソン株式会社内Ｆターム(参考） 2H092 GA05 JA03 JA07 JA08 JA12 JB12 JB23 JB32 KA07 KA16 KA18 MA05 MA08 MA13 MA17 MA24 MA35 MA37 NA25 NA27 NA29 PA06 4K029 BA03 BA07 BA16 BB02 BC03 BD00 FA05 JA06 KA02 4K044 AB02 BA02 BA10 BA12 BB03 BB10 BC14 CA13 CA16 5C094 AA42 AA43 BA04 BA43 DA14 DA15 EB02 EB10 FB12 FB15 GB10 5G435 AA17 BB12 CC09 EE33 EE37 EE47 GG12 HH12 KK05 KK10

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板に第１の導電膜を形成した後、前記
基板の周縁部を導電性を有する把持部材により保持した
状態で、前記第１の導電膜の上に、直接的または間接的
に第２の導電膜を堆積させる工程を備える薄膜の形成方
法であって、前記第２の導電膜を堆積させる前に、前記第１の導電膜
にエッチングを施して当該第１の導電膜のエッジ部を前
記把持部材が当接する位置から後退させることを特徴と
する薄膜の形成方法。
【請求項２】前記第１の導電膜の、前記把持部材の近
傍に位置する前記エッジ部は、少なくとも、前記把持部
材と前記基板と間の相対的な最大位置ずれ寸法だけ後退
されることを特徴とする請求項１記載の薄膜の形成方
法。
【請求項３】前記第２の導電膜は、スパッタ法にて形
成されることを特徴とする請求項１または請求項２に記
載の薄膜の形成方法。
【請求項４】前記第２の導電膜は、プラズマＣＶＤ法
にて形成されることを特徴とする請求項１または請求項
２に記載の薄膜の形成方法。
【請求項５】前記把持部材は、前記基板を保持する搬
送用トレイに設けられていることを特徴とする請求項１
ないし請求項４のいずれかに記載の薄膜の形成方法。
【請求項６】相対向する基板のうち、一方の基板の対
向内側面に、第１の導電膜／絶縁膜／第２の導電膜から
なる２端子型非線形素子を備える液晶装置の製造方法で
あって、前記一方の基板の周縁部を搬送用トレイの把持部で保持
した状態で、第１の導電膜を堆積させた後、前記第１の
導電膜のエッジ部が前記把持部から後退するようにパタ
ーニングし、その後前記絶縁膜を形成し、次いで前記第
２の導電膜を前記基板が前記搬送用トレイの前記把持部
で保持された状態で堆積することを特徴とする液晶装置
の製造方法。
【請求項７】前記一方の基板の周縁部に堆積された前
記第１の導電膜は、前記絶縁膜を陽極酸化により形成す
るための枠状電極であることを特徴とする請求項６記載
の液晶装置の製造方法。