JP2007256741A - 電気光学装置の製造方法、電気光学装置、及び電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】簡略化された工程によって高い生産性で耐静電気性に優れたものを製造できる、電気光学装置の製造方法、電気光学装置、及び電子機器を提供する。
【解決手段】略矩形状の電気光学装置形成部Ａを複数含む一対の母材基板１０Ａ，２０Ａのそれぞれに、電気光学装置形成部Ａそれぞれの少なくとも３辺を囲んで導電性パターンＰを形成する。そして、少なくとも一方の母材基板１０Ａ，２０Ａに形成された導電性パターンＰ１，Ｐ２と他方に形成された導電性パターンＰ１，Ｐ２とを相互に導電接続する導通部材ＰＴを設ける。導通部材ＰＴを介して導電性パターンＰ１，Ｐ２間を導通させるようにして、一対の母材基板を貼り合わせ、少なくとも一方の母材基板１０Ａ，２０Ａの電気光学装置形成部Ａの３辺を囲む導電性パターンＰ１，Ｐ２と重なる領域を、導電性パターンＰ１，Ｐ２の延在方向に沿って分割するように切断して電気光学装置形成部Ａ毎に個片化する。
【選択図】図１０

Description

本発明は、電気光学装置の製造方法、電気光学装置、及び電子機器に関する。

現在、携帯電話機、携帯情報端末機等といった各種の電子機器において、各種の情報を視覚的に表示するための表示部として、例えば液晶装置等の電気光学装置が用いられている。
この液晶装置としては、一対の電極が形成された基板間に液晶を封入しシール材によって貼り合わされてなるものが知られている。この液晶装置は、液晶を挟む導電性パターンに印加する電圧を制御することによって液晶の配向を制御し、可視情報を表示可能となっている。

このような液晶装置は静電気によるダメージに弱いことが知られている。例えば液晶パネル内に静電気が入り込むと、前記パネル内に形成されている駆動素子やドライバＩＣ等が静電気によって破壊され、液晶パネルを駆動することができなくなってしまう。
そこで、上記液晶装置におけるシール材の外周部に帯電防止モールドを形成し、該帯電防止モールドを通して静電気をパネルの外部へと逃がすことで、上述したような液晶パネル内に形成された駆動素子やドライバＩＣ等が静電気により破壊されるのを防止する技術がある（例えば、特許文献１参照）。
特開平１１−２８８００４号公報

しかしながら、上述したような耐静電気性に優れた液晶装置を形成する場合、一対の大型基板（母材基板）が貼りあわされてなる接合基板を個片化して複数の表示パネル（単位接合基板）を形成した後、これら各表示パネルにおけるシール材の外側に帯電防止モールドをそれぞれ塗布する工程が必要となるため、表示パネルの生産性が低かった。

本発明はこのような事情に鑑みてなされたもので、簡略化された工程により耐静電気性に優れたものを高い生産性により製造できる、電気光学装置の製造方法、電気光学装置、及び電子機器を提供することを目的とする。

本発明の電気光学装置の製造方法は、略矩形状の電気光学装置形成部を複数含む一対の母材基板のそれぞれに、前記電気光学装置形成部それぞれの少なくとも３辺を囲んで導電性パターンを形成する工程と、前記一対の母材基板の少なくとも一方の母材基板に形成された前記導電性パターンと他方の母材基板に形成された前記導電性パターンとを相互に導電接続する導通部材を設ける工程と、該導通部材を介して前記導電性パターン間を導通させるようにして、前記一対の母材基板を貼り合わせ、接合基板を形成する工程と、少なくとも一方の前記母材基板の前記電気光学装置形成部の３辺を囲む導電性パターンと重なる領域を、当該導電性パターンの延在方向に沿って分割するように切断して前記電気光学装置形成部毎に個片化する切断工程と、を備えたことを特徴とする。

本発明の電気光学装置の製造方法によれば、電気光学装置形成部を区画する導電性パターンの少なくとも３辺において、導電性パターンを分割しているので、個片化された電気光学装置形成部の内面側の外周辺の少なくとも３辺に分割された導電性パターンが配置される。このようにして形成された単位接合基板に、例えば電気光学物質を設けることで電気光学装置が得られる。
このようにして製造された電気光学装置は、電気光学装置を構成する一対の基板の外周辺の少なくとも３辺に導電性パターンが形成されたものとなるので、電気光学装置の内部に静電気が入り込もうとした際、静電気が前記導電性パターンに先に接触し、この静電気を例えば導電性パターンに接続されたアースを介して外部に放出できる。よって、静電気による電気光学装置内部の駆動素子や電極、配線等の素子の破壊が防止された、耐静電気性を備えた電気光学装置を提供できる。また、一対の基板に形成された前記導電性パターンは、導電部材を介して互いが導通しているので、一方の基板側の導電性パターンに入り込んだ静電気を導電部材を介して他方の基板側の導電性パターンからまとめて放出することが可能となる。
したがって、上記製造方法によれば、母材基板から個片化することで上述したような耐静電気性のある電気光学装置を製造できるので、生産性が高く、製造工程を簡略化することができる。

前記電気光学装置の製造方法において、前記導通部材を前記一対の母材基板の３辺を囲む前記導電性パターンの交差する領域に配置するのが好ましい。
このようにすれば、前記導電性パターンが交差する部分に配置された導電部材が前記導電性パターンとともに分割されるため、分割された導電部材が単位接合基板を構成する一対の基板の内側面側の角部に配置される。また、前記導電部材が電気光学装置の内側面側の角部に配置されているので、前記導電部材が外周辺の途中に配置された場合と比べて、前記導電部材と周辺に存在する静電気との接触面積が大きくなる。よって、導電性パターン内に静電気を積極的に取り込むことで、電気光学装置の耐静電気性が高まる。

本発明の電気光学装置は、シール材を介して貼りあわされた一対の基板間に電気光学物質が挟持されてなる電気光学装置において、
前記一対の基板それぞれの接着面側の外周辺の少なくとも３辺には、該辺に沿って導電性パターンが設けられ、
前記一対の基板それぞれに形成された導電性パターンに少なくともいずれか一方には、前記導電性パターンを相互に導電接続する導通部材が設けられていることを特徴とする。

本発明の電気光学装置によれば、一対の基板の接着面の外周辺の少なくとも３辺に導電性パターンがそれぞれ設けられているので、電気光学装置の内部に静電気が入り込もうとした際、静電気が前記導電性パターンに先に接触するので、例えば一方の前記導電性パターンに接続されたアースを介して静電気を外部に放出できる。よって、静電気による電気光学装置内部の駆動素子や電極、配線等の素子の破壊が防止された、耐静電気性を備えた電気光学装置となる。
また、前記導電部材により互いが導通した状態となっているので、例えば一方の導電性パターンに入り込んだ静電気を導電部材を介して、他方の導電性パターン側からまとめて放出することができる。
したがって、静電気による電気光学装置内部の駆動素子や電極、配線等の素子の破壊が防止された耐静電気性の高いものとなる。

また、上記電気光学装置においては、前記導通部材は前記外周辺の角部の少なくとも一部に配置されているのが好ましい。
このようにすれば、前記導電部材が電気光学装置の内側面側の角部に配置されているので、前記導電部材が外周辺の途中に配置された場合と比べて、前記導電部材と周辺に存在する静電気との接触面積が大きくなる。よって、導電性パターン内に静電気を積極的に取り込むことで、電気光学装置の耐静電気性が高まる。

また、上記電気光学装置においては、前記一対の基板の少なくとも一方に回路基板が設けられていて、該回路基板が前記導電性パターンに電気的に接続されているのが好ましい。
このようにすれば、前記導電性パターンに入り込んだ静電気を回路基板を介して電気光学パネル内から逃がすことが可能となり、前記パネル内に静電気が入り込むのを確実に防止することができる。

また、上記電気光学装置においては、前記一対の基板の少なくとも一方に半導体装置が設けられていて、該半導体装置が前記導電性パターンに電気的に接続されているのが好ましい。
このようにすれば、前記導電性パターンに入り込んだ静電気を、例えば電気光学パネル上に設けられている駆動回路等を介してパネル内から逃がすことが可能となり、前記パネル内に静電気が入り込むのを確実に防止することができる。

本発明の電子機器は、上記の電気光学装置を備えたことを特徴とする。
本発明の電子機器によれば、上述したような高い耐静電気性を備えた電気光学パネルを備えているので、静電気による不良の発生が防止された信頼性の高い電子機器となる。

以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。なお、以下、図面を参照しながら説明するが、各図において各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各部材毎に縮尺を異ならせてある。

まずはじめに、本発明に係る電気光学装置の製造方法の一実施形態として液晶装置（電気光学装置）の製造工程の説明に先んじて、この液晶装置の製造工程によって得られた液晶装置の概略構成について説明する。なお、本実施形態の液晶装置１００は、後述するように複数の液晶装置形成部を複数含む一対の母材基板を貼り合わせた接合基板を切断することで個片化した単位接合基板を用いて製造されたものである。

（液晶装置）
まず、本発明に係る製造方法により得られる電気光学装置の一形態である液晶装置について説明する。
図１は、本発明に係る液晶装置について、各構成要素とともに示す対向基板側から見た平面図であり、図２は図１のＨ−Ｈ’線に沿う断面図である。図３は液晶装置の側面図を示し、図４は、液晶装置の画像表示領域においてマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路図で、図５は、液晶装置の部分拡大断面図である。

図１及び図２において、本実施形態の液晶装置（電気光学装置）１００は、液晶（電気光学物質）５０を挟持して対向配置された一対のＴＦＴアレイ基板（基板）１０と対向基板（基板）２０と、液晶５０の周囲に形成されたシール剤５２とを具備する構成となっている。具体的には、対をなすＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とがシール剤５２によって貼り合わされ、このシール剤５２によって区画された領域内に封入材としての液晶５０が封入、保持されている。

ここで、シール剤５２としては、例えばＵＶ照射（紫外線照射）により硬化する紫外線硬化型、熱を加えることにより硬化する熱硬化型、或いは、ＵＶ照射及び加熱のうちどちらを行っても硬化する併用型を採用できる。
また、前記シール剤５２の形成パターンの一部には、図示しない液晶注入口が設けられていて、該液晶注入口から液晶を注入した後、シール剤５２とは別体の封止部材により封止することでシール剤５２の内側の充填領域１３に液晶５０が封止されたものとなっている。

また、前記シール材５２の外側であって、前記ＴＦＴアレイ基板１０及び前記対向基板２０の接着面側の外周辺の３辺に導電性パターンＰが形成されている。この導電性パターンＰは液晶装置の内部に形成されている配線（データ線、走査線等）とは導通しない独立したパターンから形成されており、後述するように液晶装置の静電気除去を目的とするものである。なお、前記ＴＦＴアレイ基板１０側には導電性パターンＰ１が形成されていて、前記対向基板２０側には導電性パターンＰ２が形成されている。すなわち、上記導電性パターンＰ１，Ｐ２はシール材５２による基板１０，２０間のセルギャップにより、図３に示すように離間した状態に設けられている。

また、本実施形態においては、液晶装置の上面側、左面側、及び右面側において、前記ＴＦＴアレイ基板１０及び前記対向基板２０の端面が、前記導電性パターンＰ１，Ｐ２の端面と合致している。
従って、液晶装置１００の横寸法は、導電性パターンＰ１，Ｐ２の左端面Ｌと右端面Ｒとによって規定されている。また、液晶装置１００の縦寸法は、導電性パターンＰの上端面Ｕと後述する張り出し部２０５の下端面２０５Ｂとによって規定されている。

また、充填領域１３は、液晶５０が封入される領域であり、画像表示領域１４と遮光領域５３とを有している。ここで、画像表示領域１４とは、後述する画素電極と対向電極との間において、液晶５０に電圧を印加することにより、画像表示を実際に行うための領域である。また、遮光領域５３とは、遮光性材料によって画像表示領域１４の領域を遮光する領域である。

ＴＦＴアレイ基板１０には、対向基板２０の外周側に張り出した張り出し部２０５が設けられている。当該張り出し部２０５は、充填領域１３とは異なる領域に形成された部位であって、後述する製造工程時に前記充填領域１３とともに導電性パターンＰによって区画される領域に含まれるものである。この張り出し部２０５上には、液晶装置を駆動するＴＦＴに対してデータ線や走査線を介して信号を付与する駆動回路部（半導体装置）２０４と、張り出し部２０５の外部端子として実装される実装端子２０２とが設けられている。本実施形態では、導電性パターンＰ１，Ｐ２が前記張り出し部２０５側の辺には形成されておらず、これにより前記張り出し部２０５上に形成された実装端子２０２に図１中１点鎖線で示す回路基板Ｆが実装されるようになっている。そして、前記導電性パターンＰ１，Ｐ２は、前記回路基板Ｆに電気的に接続されたものとなっている。なお、実装形態としてはＣＯＧ実装等の他の形態を採用することも可能である。

また、前記基板１０，２０の内面側の外周辺の角部には、前記基板１０，２０間にて導電性パターンＰ１，Ｐ２間を導通させる突起状の導電部材ＰＴが設けられている。これにより、離間した状態に設けられた導電性パターンＰ１，Ｐ２間が導通した状態となっている。なお、上記導電性パターンＰ１，Ｐ２及び導電部材ＰＴを構成する材料としては、液晶装置１００の内部の電極や配線等に使用される材料と同等であることが望ましく、本実施形態では、例えばＡｌ，Ｃｒ，ＩＴＯ等のインピーダンスが低い材料が用いられる。

また、対向基板２０のコーナー部の少なくとも１箇所においては、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的導通をとるための基板間導通部２０６が配設されている。これにより、これら基板１０，２０にそれぞれ設けられた電極間に電圧を印加することが可能となっている。なお、当該基板間導通部２０６に代えて、シール剤５２に電気的導通性を有する導通粒子を含有させることで、シール剤５２自体が基板間導通部として機能するものであってもよい。

ところで、外部から液晶装置内に静電気が入り込むと、画素電極や該画素電極を駆動するＴＦＴ素子や、液晶装置に搭載されるドライバＩＣ等が破壊されるおそれがある。特に上述した基板間導通部２０６は静電気に対して弱いため静電気により破壊されると、前記基板間導通部２０６を介し両側基板１０，２０間に電圧を印加することができず、液晶装置を駆動できなくなってしまう。

そこで、上記構成の液晶装置によれば、図１〜図３に示したように、シール材５２に囲まれた領域の外側で、かつ前記基板１０，２０の接着面側の外周部の３辺に導電性パターンＰが形成されている。すなわち、基板１０，２０の内面側端部は、導電性パターンＰが外気に接触した状態となっている。これにより、液晶装置１００の内部に静電気が入り込もうとした際、まず先に静電気が前記導電性パターンＰ１，Ｐ２に接触するので、この静電気が導電性パターンＰ１，Ｐ２を介して外部に放出することができる。

具体的には、前記導電性パターンＰ１，Ｐ２がＴＦＴアレイ基板１０の張り出し部２０５に接続される回路基板Ｆに電気的に接続されているので、該回路基板Ｆを例えばアースに接続することで静電気を放出することができる。なお、上記導電性パターンＰをＴＦＴアレイ基板１０の基板張り出し部２０５に形成された上記駆動回路２０４に電気的に接続することで、該駆動回路２０４を介して静電気を液晶装置１００の外部に放出するようにしてもよい。

静電気がＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０のいずれから入り込もうとした場合でも、液晶装置１００には基板１０，２０に導電性パターンＰがそれぞれ形成されているので、液晶装置１００内部への静電気の入り込みをより確実に防止できる。

また、基板１０，２０に形成されている導電性パターンＰは、導電部材ＰＴによって導通した状態となっている。これにより、例えば前記対向基板２０側に形成された導電性パターンＰ２に静電気が入り込んだ場合、前記導電部材ＰＴを介してＴＦＴアレイ基板１０側に形成された導電性パターンＰ１に静電気が伝わり、該導電性パターンＰ１から張り出し部２０５に設けられた回路基板Ｆを介して液晶装置１００の外部へと静電気が放出される。また、例えばＴＦＴアレイ基板１０側に形成された導電性パターンＰ１に静電気が入り込んだ場合には、該導電性パターンＰ１から回路基板を介して液晶装置１００の外部に静電気が放出される。これにより、ＴＦＴアレイ基板１０側に形成された導電性パターンＰ１からまとめて静電気を放出することができるようになっている。

また、上記導電部材ＰＴが液晶装置１００の接着面（内面）側の角部に配置されている。これにより、例えば外周辺の途中に配置された場合には１方向（９０°方向）からの静電気のみしか取り込めないが、本実施形態に係る導電部材ＰＴは、液晶装置１００の外側面における２方向（２７０°方向）から静電気を取り込めるようになっている。すなわち、前記導電部材ＰＴと周辺に存在する静電気との接触面積が大きくなっている。よって、導電性パターンＰ１，Ｐ２内に静電気を積極的に取り込むことで、液晶装置１００の耐静電気性が高いものとなる。

この導電部材ＰＴは、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間を導通させる基板間導通部２０６の近傍に設けられている。よって、前記基板間導電部２０６の周辺における静電気は前記導電部材ＰＴにより導電性パターンＰ内に取り込まれることとなり、したがって静電気による基板間導電部２０６の破壊を確実に防止できる。

ところで、上記駆動回路２０４をＴＦＴアレイ基板１０の張り出し部２０５上に形成する代わりに、例えば、駆動用ＬＳＩが実装されたＴＡＢ（Tape Automated Bonding）基板とＴＦＴアレイ基板１０の周辺部に形成された端子群とを異方性導電膜を介して電気的及び機械的に接続するようにしてもよい。なお、液晶装置１００においては、使用する液晶５０の種類、すなわち、ＴＮ（Twisted Nematic）モード、ＳＴＮ（Super Twisted Nematic）モード等の動作モードや、ノーマリホワイトモード／ノーマリブラックモードの別に応じて、位相差板、偏光板等が所定の向きに配置されるが、ここでは図示を省略する。
また、液晶装置１００をカラー表示用として構成する場合には、対向基板２０において、ＴＦＴアレイ基板１０の後述する各画素電極に対向する領域に、例えば、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）のカラーフィルタをその保護膜とともに形成する。

続いて、上記液晶装置１００の画素表示領域における等価回路について説明する。
上記液晶装置１００の画像表示領域は、図４に示すように、複数の画素１００ａがマトリクス状に構成されているとともに、これらの画素１００ａの各々には、画素スイッチング用のＴＦＴ３０が形成されており、画素信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを供給するデータ線６ａがＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。データ線６ａに書き込む画素信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、この順に線順次で供給してもよく、相隣接する複数のデータ線６ａ同士に対して、グループ毎に供給するようにしてもよい。また、ＴＦＴ３０のゲートには走査線３ａが電気的に接続されており、所定のタイミングで、走査線３ａにパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍをこの順に線順次で印加するように構成されている。

画素電極９は、ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけオン状態とすることにより、データ線６ａから供給される画素信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを各画素に所定のタイミングで書き込む。このようにして画素電極９を介して液晶に書き込まれた所定レベルの画素信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、図２に示す対向基板２０の対向電極２１との間で一定期間保持される。なお、保持された画素信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎがリークするのを防ぐために、画素電極９と対向電極２１との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量６０が付加されている。例えば、画素電極９の電圧は、ソース電圧が印加された時間よりも３桁も長い時間だけ蓄積容量６０により保持される。これにより、電荷の保持特性は改善され、コントラスト比の高い液晶装置１００を実現することができる。

続いて、上記液晶装置１００の内部構造について説明する。
図５は液晶装置１００の部分拡大断面図であって、ガラス基板１０’を主体として構成されるＴＦＴアレイ基板１０上には、ＩＴＯ（インジウム錫酸化物）を主体とする透明電極にて構成された画素電極９がマトリクス状に形成されており（図４参照）、これら各画素電極９に対して画素スイッチング用のＴＦＴ３０（図４参照）がそれぞれ電気的に接続されている。また、画素電極９が形成された領域の縦横の境界に沿って、データ線６ａ、走査線３ａおよび容量線３ｂが形成され、ＴＦＴ３０がデータ線６ａおよび走査線３ａに対して接続されている。すなわち、データ線６ａは、コンタクトホール８を介してＴＦＴ３０の高濃度ソース領域１ａに電気的に接続され、画素電極９は、コンタクトホール１５及びドレイン電極６ｂを介してＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域に電気的に接続されている。なお、画素電極９の表層にはポリイミド主体として構成される膜に対してラビング処理を行った配向膜１２が形成されている。

一方、対向基板２０においては、上基板側のガラス基板２０’上であって、ＴＦＴアレイ基板１０上の画素電極９の縦横の境界領域と対向する領域に、ブラックマトリクスまたはブラックストライプと称せられる遮光膜２３が形成され、その上層側にはＩＴＯ膜からなる対向電極２１が形成されている。また、対向電極２１の上層側には、ポリイミド膜からなる配向膜２２が形成されている。そして、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間には、液晶５０がシール剤５２（図１参照）により基板内に封入されている。

本実施形態に係る液晶装置１００は、基板１０，２０の内側面側における外周辺の３辺に導電性パターンＰ１，Ｐ２を備えているので、静電気が液晶装置内に入り込もうとした場合、前記導電性パターンＰ１，Ｐ２に静電気を入り込ませることができ、該導電性パターンＰ１，Ｐ２を介して静電気を外部に放出できる。よって、静電気により基板１０，２０間を導通させる基板間導通部２０６、及び液晶装置１００の内面側に設けられた画素電極９、ＴＦＴ３０等の破壊を防止した、高い耐静電気性を備えたものとなる。

なお、上述した液晶装置１００は、パッシブ型のものに限定されることはなく、ＴＦＴやＴＦＤといったスイッチング素子を用いたアクティブマトリクス型液晶装置にも適用できる。

（液晶装置の製造方法）
次に、本発明の電気光学装置の製造方法の一実施形態として、上記液晶装置１００を製造する工程について図面を参照して説明する。

本実施形態では、前記ＴＦＴアレイ基板１０及び前記対向基板２０に対応する母材基板を貼り合わせ接合基板を形成した後、該接合基板を分割することで上記液晶装置１００を製造している。

具体的には、まずはじめに、図６に示すように、後の工程により、ＴＦＴアレイ基板１０を構成するＴＦＴアレイ用母材基板（母材基板）１０Ａと、後の工程により、対向基板２０を構成する対向用母材基板（母材基板）２０Ａを用意する。以下、前記ＴＦＴアレイ用母材基板１０Ａ及び対向用母材基板２０Ａを総称して、母材基板１０Ａ，２０Ａとも呼ぶ。

これら母材基板１０Ａ，２０Ａに略矩形状の液晶装置形成部（電気光学装置形成部）Ａを形成する。この液晶装置形成部Ａとは、後述する基板分割（スクライブブレイク）工程によって個片化されることで前記液晶装置１００の主体をなす部分であり、具体的に前記ＴＦＴアレイ用母材基板１０Ａの液晶装置形成部Ａには、前記ＴＦＴアレイ基板１０を構成するためのＴＦＴ３０、画素電極９、配向膜１２等が形成される。また、前記対向用母材基板２０Ａの各液晶装置形成部Ａには、前記対向基板２０を構成するための遮光膜２３、及び対向電極２１、配向膜２２等が形成される。本実施形態では、上記液晶装置形成部Ａは、母材基板１０Ａ，２０Ａ上にマトリクス状に形成している。

続いて、液晶５０の充填領域１３を形成すべく、前記母材基板１０Ａ，２０Ａの前記各液晶装置形成部Ａ内にシール材５２を配置する。なお、前記シール材５２は一方の母材基板側にのみ配置してもよい。
このようなシール材５２を配置する方法としては、例えばスクリーン印刷やディスペンサ等を採用できる。シール剤５２には、略球形状のギャップ制御材が含まれており、ギャップ制御材の直径は、基板のセルギャップを所定厚さに保持できる寸法に形成されている。なお、前記液晶装置形成部Ａに設けられたシール材５２には、図示しない液晶を注入するための液晶注入口が設けられている。これにより後述する工程により母材基板１０Ａ，２０Ａを貼り合わせた接合基板を個片化した後、前記液晶注入口から液晶５０の注入を行うことを可能にしている。

続いて、図７に示すように、前記母材基板１０Ａ，２０Ａにおける前記各液晶装置形成部Ａそれぞれの少なくとも３辺を囲む、本実施形態は４辺を区画するようにして導電性パターンＰ１，Ｐ２をスクリーン印刷等の従来公知の方法により形成する。具体的には、ＴＦＴアレイ用母材基板１０Ａに導電性パターンＰ１を形成し、対向用母材基板２０Ａに導電性パターンＰ２を形成している。

よって、上記導電性パターンＰ１，Ｐ２は、各液晶装置形成部Ａをマトリクス状に区画した状態となっている。なお、前記母材基板１０Ａ，２０Ａに形成された前記導電性パターンＰ１，Ｐ２により区画された液晶装置形成部Ａは同じ大きさからなり、平面視した状態で互いが重なるようになっている。なお、この導電性パターンＰは液晶装置の内部に形成される配線（データ線、走査線等）とは導通しない独立したパターンからなるものである。

このような導電性パターンＰ１，Ｐ２を構成する材料としては、液晶装置の内部の電極や配線等に使用される材料と同等であることが望ましく、本実施形態では、例えばＡｌ，Ｃｒ，ＩＴＯ等のインピーダンスが低い材料を用いている。なお、前記導電性パターンＰは、前記ガラス母材基板１０Ａ，２０Ａのそれぞれで異なる材料を用いてもよいし、同一の材料を用いるようにしてもよい。また、導電性パターンＰを形成した後、シール材５２を形成するようにしてもよい。

図８に示すように、前記母材基板１０Ａ，２０Ａにおける、前記液晶装置形成部Ａの３辺を囲む導電性パターンＰ１，Ｐ２が交差する部分（図８中、符号ＰＣ部分）に突起状の導電部材ＰＴを配置する。このような導電部材ＰＴの材料として上記導電性パターンＰ１，Ｐ２と同じ材料が用いられる。また、導電部材ＰＴの高さは、後述する工程により母材基板１０Ａ，２０Ａが貼り合された際に、導電部材ＰＴ同士が当接し両母材基板１０Ａ，２０Ａに形成された導電性パターンＰ１，Ｐ２間が導通できる程度に設定されている。

したがって、本実施形態では母材基板１０Ａ，２０Ａの両方に前記導電部材ＰＴを設けているが、両母材基板１０Ａ，２０Ａ側における導電性パターンＰ間を電気的に接続させることができるのであれば、前記母材基板１０Ａ，２０Ａにおける導電性パターンＰ１，Ｐ２のうちいずれか一方側にのみ形成するようにしてもよい。

続いて、図９に示すように、前記両母材基板１０Ａ，２０Ａにおける各液晶装置形成部Ａを平面視した状態で重ねるように配置し、前記シール材５２を介して貼り合わせる。このとき、導電性パターンＰ１，Ｐ２は平面視した状態で重ねるように配置し、導電性パターンＰ１，Ｐ２上に形成された導電部材ＰＴを互いに当接することで、前記各導電性パターンＰ１，Ｐ２間が導通される。

また、上記基板１０Ａ，２０Ａの貼り合わせ時には、必要に応じて前記母材基板１０Ａ，２０Ａを加圧してもよく、両母材基板１０Ａ，２０Ａを貼り合わせた後、例えば加熱ユニットやＵＶ照射ユニット等を用いることでシール剤５２を硬化させる。以上の工程により、両母材基板１０Ａ，２０Ａが貼りあわされ、接合基板３００が形成される。

このようにして、両母材基板１０Ａ，２０Ａを貼り合わせた後、前記導電性パターンＰ１，Ｐ２の略中央部を延在方向に二分するように前記接合基板３００を切断し、該接合基板３００を個片化する。このような基板の切断方法としては、切断溝を形成することで基板を分割するスクライブブレイク工程や、レーザー光等を用いる基板切断工程を採用することができる。

（接合基板を個片化する工程）
ここで、本実施形態における基板切断工程について図１０を参照して説明する。図１０は前記接合基板３００を対向基板２０をなす対向用母材基板２０Ａ側から見た平面図である。
図１０に示すように、切断ラインＬ１，Ｌ１´，Ｌ２，Ｌ３により前記母材基板１０Ａ，２０Ａを切断している。ここで、切断ラインＬ１，Ｌ２は、前記導電性パターンＰ１，Ｐ２の長さ方向に切断し、該導電性パターンＰ１，Ｐ２及び前記導電部材ＰＴを分割するように接合基板を切断するためのものである。

また、前記導電部材ＰＴは、上記切断ラインＬ１，Ｌ２により分割されるように接合基板３００を切断する。そして、上記導電部材ＰＴは、導電性パターンＰ１，Ｐ２が交差している部分、すなわち切断ラインＬ１及び切断ラインＬ２の交点部分に配置されている。また、前記導電部材ＰＴは、前記導電性パターンＰ１，Ｐ２とともに分割され、該分割後の導電部材ＰＴは後述する単位接合基板を構成する一対の基板の内面（接着面）側の角部に配置される。

また、切断ラインＬ１´により母材基板１０Ａ，２０Ａを切断することにより、単位結合基板の内面側の外周辺の１辺側において導電性パターンＰ１，Ｐ２が開口した状態としている。このように、上記切断ラインＬ１´により導電性パターンＰ１，Ｐ２の一部を切断し、内側面の外周辺の３辺に導電性パターンＰ１，Ｐ２を配置することで、前記導電性パターンＰの配置されていない１辺側に後述する張り出し部２０５を形成できる。

また、切断ラインＬ３は、対向用母材基板２０Ａのみを切断し、該切断ラインＬ１，Ｌ３に挟まれた領域の対向基板２０のみを切断でき、これにより図１１に示す張り出し部２０５を備えた単位接合基板３００Ａが形成される。なお、図１１中では、シール材５２の図示を省略している。
このようにして切断された単位接合基板３００Ａの端面は、液晶装置１００の端面をなすものである。

以上のスクライブ工程により、液晶装置１００を構成する単位接合基板３００Ａの内面側の外周辺の３辺には分割された導電性パターンＰ１が配置される。また、対向基板２０の内面側の外周辺の３辺には分割された導電性パターンＰ２が配置される。

続いて、上記単位接合基板３００Ａの内部に設けられたシール材５２によって囲まれた領域に液晶５０を従来工程の方法により注入することで液晶装置１００を製造できる。
このようにして製造された液晶装置１００は、上述したように、内側面側の外周辺の３辺に導電性パターンＰ１，Ｐ２が形成されているので、静電気による装置内部の駆動素子や電極、配線等の素子の破壊が防止された、耐静電気性を備えたものとなる。

本実施形態に係る液晶装置の製造方法によれば、母材基板１０Ａ，２０Ａから個片化することで形成した単位接合基板３００Ａを用いることで、簡略化された工程により、上述したような耐静電気性のある液晶装置１００を高い生産性により製造することができる。

（他の実施形態）
なお、上記液晶装置を製造する工程は上記実施形態に限定されることはない。以下に説明する実施形態と上記実施形態との違いは、ＴＦＴアレイ用母材基板１０Ａ及び対向用母材基板２０Ａに形成する液晶装置形成部Ａの配置形状が異なる点にある。具体的には、前記液晶装置形成部Ａは、張り出し部２０５の形成領域２０５Ａを向かい合せた状態に２つ隣接した状態に形成している。なお、図１２は、ＴＦＴアレイ用母材基板１０Ａ及び対向用母材基板２０Ａを貼り合わせた際の、前記対向用母材基板２０Ａ側から見た平面図である。

具体的に本実施形態では、図１２に示すように上述した張り出し部側が向かい合う状態に液晶装置形成部Ａを２つ形成している。具体的には、前記液晶装置形成部Ａの３辺を囲んで導電性パターンＰ１，Ｐ２を形成している。そして、前記液晶装置形成部Ａの３辺を囲む導電性パターンが交差する部分に導通部材ＰＴを配置している。このような接合基板を切断ラインＬ１０，Ｌ１１，Ｌ１２，Ｌ１３により切断する。

ここで、切断ラインＬ１０，Ｌ１２は、前記導電性パターンＰ１，Ｐ２をその長さ方向に切断し、該導電性パターンＰ１，Ｐ２及び前記導電部材ＰＴを分割するように接合基板を切断するためのものである。また、切断ラインＬ１１は、張り出し部２０５の形成領域２０５Ａを向かい合せに形成された液晶装置形成部Ａを分割するためのものである。よって、上記切断ラインＬ１０，Ｌ１１，Ｌ１２により接合基板から液晶装置形成部Ａ毎に切断し個片化することができ、これにより液晶装置１００を構成するための上記単位接合基板３００Ａと同じものを製造できる。また、切断ラインＬ１３は、対向用母材基板２０Ａのみを切断するもので、該切断ラインＬ１１，Ｌ１３によってＴＦＴアレイ基板１０に張り出し部２０５が形成される（図１１参照）。

このような実施形態によれば、上記張り出し部２０５が形成される側に予め導電性パターンＰ及び導電部材ＰＴを形成する必要が無い。また、上記実施形態の場合には切断ラインＬ１´と切断ラインＬ１との間に挟まれた領域が除去されるため無駄になっていたが、本実施形態では導電性パターンＰ及び導電部材ＰＴの材料を無駄にすることなく、しかも母材基板上のスペースを有効に利用できる。

（電子機器）
次に、本発明の電子機器について説明する。本発明の電子機器は、前述した本発明の電気光学装置を備えてなるものである。
以下、電子機器の一実施形態として、上述した液晶装置１を備えた携帯電話９０を例に挙げて説明する。
図１３は、携帯電話９０の構成を示す斜視図である。図１３に示すように、この携帯電話９０は、複数の操作ボタン９１の他、受話口９２、送話口９３とともに、前記液晶装置１００を表示部９４として備えたものである。

本実施形態の携帯電話９０によれば、上述したような高い耐静電気性を備えた液晶装置１００を備えているので、静電気による不良が防止された信頼性の高いものとなる。
なお、前記の電子機器としては、携帯電話以外にも、例えば電子ノート、パーソナルコンピュータ、電子ブック、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末等などを挙げることができる。

液晶装置を対向基板側から見た平面図である。 図１のＨ−Ｈ’線矢視による側断面図である。 液晶装置の側面図をしめすものである。 液晶装置の各種素子、配線等の等価回路を示す図である。 液晶装置の部分拡大図である。 液晶装置の製造工程を示す図である。 図６に続く液晶装置の製造工程を示す図である。 図７に続く液晶装置の製造工程を示す図である。 図８に続く液晶装置の製造工程を示す図である。 接合基板の切断工程を示す図である。 図１０に示す切断工程により得たＴＦＴアレイ基板を示す図である。 他の実施形態に係る接合基板の平面図である。 電子機器の一実施形態としての携帯電話を示す図である。

符号の説明

Ｆ…回路基板、Ａ…液晶装置形成部（電気光学装置形成部）、Ｐ，Ｐ１，Ｐ１…導電性パターン、ＰＴ…導電部材、１０…ＴＦＴアレイ基板、２０…対向基板、１０Ａ…ＴＦＴ用母材基板（母材基板）、２０Ａ…対向基板（対向用母材基板）、５０…液晶（電気光学物質）、９０…携帯電話（電子機器）、１００…液晶装置（電気光学装置）、２０４…駆動回路部（半導体装置）、３００…接合基板

Claims (7)

1. 略矩形状の電気光学装置形成部を複数含む一対の母材基板のそれぞれに、前記電気光学装置形成部それぞれの少なくとも３辺を囲んで導電性パターンを形成する工程と、
   前記一対の母材基板の少なくとも一方の母材基板に形成された前記導電性パターンと他方の母材基板に形成された前記導電性パターンとを相互に導電接続する導通部材を設ける工程と、
   該導通部材を介して前記導電性パターン間を導通させるようにして、前記一対の母材基板を貼り合わせ、接合基板を形成する工程と、
   少なくとも一方の前記母材基板の前記電気光学装置形成部の３辺を囲む導電性パターンと重なる領域を、当該導電性パターンの延在方向に沿って分割するように切断して前記電気光学装置形成部毎に個片化する切断工程と、を備えたことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
2. 前記電気光学装置の製造方法において、
   前記導通部材を前記一対の母材基板の３辺を囲む前記導電性パターンの交差する領域に配置することを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置の製造方法。
3. シール材を介して貼りあわされた一対の基板間に電気光学物質が挟持されてなる電気光学装置において、
   前記一対の基板それぞれの接着面側の外周辺の少なくとも３辺には、該辺に沿って導電性パターンが設けられ、
   前記一対の基板それぞれに形成された導電性パターンに少なくともいずれか一方には、前記導電性パターンを相互に導電接続する導通部材が設けられていることを特徴とする電気光学装置。
4. 前記導通部材は前記外周辺の角部の少なくとも一部に配置されていることを特徴とする請求項３に記載の電気光学装置。
5. 前記一対の基板の少なくとも一方に回路基板が設けられていて、該回路基板が前記導電性パターンに電気的に接続されていることを特徴とする請求項３又は４に記載の電気光学装置。
6. 前記一対の基板の少なくとも一方に半導体装置が設けられていて、該半導体装置が前記導電性パターンに電気的に接続されていることを特徴とする請求項３又は４に記載の電気光学装置。
7. 請求項３〜６のいずれか一項に記載の電気光学装置を備えたことを特徴とする電子機器。
   

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