JP2011215453A - 液晶装置の製造方法、液晶装置、および、液晶装置を備えた電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】簡単な構成で放電によるＭＯＳ−ＦＥＴアレイ回路の損傷を防止できる反射型液晶パネルの製造方法を提供する。
【解決手段】一面に積層領域３１７Ｃが複数配列形成された素子側マザー基板３０１と、この素子側マザー基板３０１の一面に対向配置され、素子側マザー基板３０１の一面に対向する対向面に透明電極が設けられた対向側マザー基板と、を用い、素子側マザー基板３０１は、周縁電極３１７Ｂの外周縁に、隣接する他の周縁電極３１７Ｂとは離間して突出しシール材３４０が設けられ素子基板を切り出す際にシール材３４０とともに切断されて液晶注入口３１７Ｆを形成する拡張部３１７Ｄと、周縁電極３１７Ｂを隣接する他の周縁電極３１７Ｂと電気的に接続させる導通部３１９とを有する。
【選択図】図４

Description

本発明は、液晶装置の製造方法、液晶装置、および、液晶装置を備えた電子機器に関するものである。

プロジェクター、デジタルカメラのビューファインダー等の電子機器におけるカラー画像表示部には、液晶装置等の電気光学装置が使用されている。近年、外光利用による省電力化、画素間の隙間を小さくして高品質な画像を表示できるという観点から反射型の液晶装置が注目されている。
この反射型の液晶装置は、一面に駆動回路、反射電極、および駆動回路により動作する液晶を含む表示素子部を表面に積層形成した素子基板と、この素子基板の一面と対向配置され、素子基板との対向面に透明電極が形成された対向基板と、これらの基板間に密閉封入される液晶素子とを含んで構成されている（例えば、特許文献１参照）。
このような反射型の液晶装置を製造する場合、単結晶シリコンやガラス等のマザー基板上に、複数の駆動回路および反射電極を積層形成し、表示素子部を構成する領域の回りにシール材を配置した後、シール材によって対向基板を貼り合わせ、液晶装置毎に切断する。
ここで、特許文献１に記載の技術では、切断後に液晶素子を注入する工程を実施するため、各液晶装置の反射電極の一部を、マザー基板の切断線まで拡張しておき、この反射電極の拡張された部分に沿ってシール材をマザー基板の切断線まで突出させる。
切断後の液晶装置は、この拡張部分で液晶注入口が開口形成されることとなるので、ここから液晶素子を注入し、最後にシール材を密閉することにより、液晶装置が完成する。
また、近年、プロジェクター等の電子機器では、機器の小型化に伴い、このような反射型の液晶装置の小型化、集積化も促進されており、反射電極の拡張された分部の直下まで駆動回路が形成されるようになってきている。

特開２００５−１５６７９６号公報

ところで、上記特許文献１に記載の製造方法では、シール材が隣接した液晶表示素子部へ侵入して液晶表示素子部の分離時に隣接する液晶表示素子部を破壊する不都合を防止するため、液晶注入口に設けた反射電極の突出形状を、隣り合う反射電極と離間させている。
このため、特許文献１に記載のような液晶表示素子部の周囲の反射電極がそれぞれ独立する構成では、例えば単結晶シリコンマザー基板に配向膜を形成するなどの製造工程中、各液晶表示素子部や周囲の反射電極に静電気が帯電しやすい。特に、近年の液晶装置の小型化や集積化により、帯電した静電気が放電して回路構成を損傷するおそれがある。

本発明は、このような点に鑑みて、簡単な構成で放電による回路構成の損傷を防止できる液晶装置の製造方法、液晶装置、および、液晶装置を備えた電子機器を提供することを目的とする。

本発明に記載の液晶装置の製造方法は、一面に駆動回路および反射電極が積層された積層領域を含む表示素子部が設けられた素子基板と、前記素子基板の一面に対向配置され、前記素子基板の一面に対向する対向面に透明電極が形成された対向基板と、前記素子基板と前記対向基板との間に、前記表示素子部を囲んで設けられたシール材と、前記シール材で囲まれた領域内に封入された液晶と、を備えた液晶装置の製造方法であって、一面に前記積層領域が複数配列形成された素子側マザー基板と、この素子側マザー基板の一面に対向配置され、前記素子側マザー基板の一面に対向する対向面に透明電極が設けられた対向側マザー基板と、を用い、前記素子側マザー基板における各表示素子部をそれぞれ囲む領域、または、前記対向側マザー基板における各表示素子部に対応する対向位置をそれぞれ囲む領域に、切断位置で液晶注入口を開口させてシール材を設けるシール材形成工程と、前記素子側マザー基板および前記対向側マザー基板を貼り合わせて貼り合わせ体を形成する貼り合わせ工程と、前記貼り合わせ体を各液晶装置毎に切断する切断工程と、切断工程の後にシール材で囲まれた領域内に液晶注入口から液晶を注入する液晶注入工程と、を実施し、前記素子側マザー基板は、前記反射電極の外周縁に隣接する他の反射電極とは離間して突出し前記シール材が設けられ前記素子基板を切り出す際に前記シール材とともに切断されて液晶注入口を形成する拡張部と、前記反射電極を隣接する他の反射電極と電気的に接続させる導通部とを有することを特徴とする。
この発明では、駆動回路および反射電極が積層する積層領域を含む表示素子部が一面に複数配列形成された素子側マザー基板であって、反射電極の外周縁に、隣接する他の反射電極とは離間して突出しシール材が設けられ素子基板を切り出す際にシール材とともに切断されて液晶注入口を形成する拡張部とともに、反射電極を隣接する他の反射電極と電気的に接続させる導通部とを設けたものを用いて製造する。
このことにより、拡張部により、確実に液晶注入口を形成でき、漏れなく容易に液晶を注入できるとともに、シール材が駆動回路や隣り合う反射電極に亘って設けられることによる回路構成の損傷を防止できる。さらには、導通部により各反射電極が電気的に接続して全体的に電位が同一となるので、製造時に静電気が発生しても隣接する他の反射電極から全体的に流れ、例えば表示素子部で放電するなどによる回路構成の損傷を防止でき、安定した特性を提供できる。

そして、本発明では、前記反射電極は、前記表示素子部を囲む矩形状に形成され、前記導通部は、前記反射電極の外周縁の角部に設けられていることが好ましい。
この発明では、表示素子部を囲む矩形状に形成した反射電極の外周縁の角部に導通部を設けることで、放電しやすい角部で隣接する反射電極と導通され、簡単な構造で放電による回路構成の損傷をより防止できる。

また、本発明では、前記導通部は、前記反射電極が前記素子側マザー基板の平面に沿った縦方向、横方向および斜め方向の３方向で隣接する他の反射電極に接続する状態に平面視でＸ字状に形成されていることが好ましい。
この発明では、反射電極が素子側マザー基板の平面に沿った縦方向、横方向および斜め方向の３方向で隣接する他の反射電極に接続する状態に、導通部を平面視でＸ字状に形成しているので、簡単な構造で３方向に隣接する他の反射電極と電気的に接続でき、製造性の向上が図れる。

本発明に記載の液晶装置は、前述したいずれかの液晶装置の製造方法により形成されたことを特徴とする。
この発明では、液晶を漏れなく注入でき切断時の応力による回路構成の損傷を防止できるとともに放電による回路構成の損傷も防止できる本発明の液晶装置の製造方法で製造しているので、安定した特性が得られる。

本発明に記載の電子機器は、前述した液晶装置を備えたことを特徴とする。
この発明では、安定した特性の本発明の液晶装置を備えているので、安定した特性が得られる。

本発明の第一実施形態におけるプロジェクターの概略構成を示す模式図。 第一実施形態における反射型液晶パネルの概略構成の一部を示す断面図。 第一実施形態における素子側マザー基板を拡大した一部を示す平面図。 第一実施形態におけるシール材を設けた素子側マザー基板の一部を示す平面図。 第一実施形態における製造方法を示すフローチャート。 本発明の第二実施形態における素子側マザー基板を拡大した一部を示す平面図。

［第一実施形態］
以下、本発明の第一実施形態を図面に基づいて説明する。
〔プロジェクターの構成〕
図１に示すように、プロジェクター１は、光源から射出される光束を画像情報に応じて変調してカラー画像（画像光）を形成し、このカラー画像をスクリーンＳ上に拡大投射する。
このプロジェクター１は、光源部１２、インテグレータレンズ１３および偏光変換素子１４を備えた偏光照明装置１１と、この偏光照明装置１１から出射されたＳ偏光光束をＳ偏光光束反射面１６により反射させる偏光ビームスプリッター１５と、偏光ビームスプリッター１５のＳ偏光光束反射面１６から反射された光のうち、青色光（Ｂ）の成分を分離するダイクロイックミラー１７と、青色光が分離された後の光束のうち、赤色光（Ｒ）の成分を反射させて分離するダイクロイックミラー１８とを有している。また、プロジェクター１は、各色光が入射する３つの反射型電気光学装置３０（赤色光側の反射型電気光学装置を３０Ｒ、緑色光側の反射型電気光学装置を３０Ｇ、青色光側の反射型電気光学装置を３０Ｂとする）を備えている。

この３つの反射型電気光学装置３０は、シリコン基板上に液晶が形成されたいわゆるＬＣＯＳ(Liquid Crystal On Silicon)で構成されている液晶装置としての反射型液晶パネル３１（反射型電気光学装置３０と同様に、各色光側の反射型液晶パネルを３１Ｒ，３１Ｇ，３１Ｂとする）を備える。そして、各反射型電気光学装置３０は、図示しない各偏光分離素子を透過した光束の光軸に対して反射型液晶パネル３１が略直交した状態でそれぞれ配置される。
反射型液晶パネル３１は、図示しない制御装置からの駆動信号に応じて、前記液晶の配向状態が制御され、入射する光の光束の偏光方向を変調し、ダイクロイックミラー１７，１８に向けて反射する。
なお、反射型液晶パネル３１の詳細な構成については、後述する。

そして、プロジェクター１は、３つの反射型液晶装置３０Ｒ，３０Ｇ，３０Ｂにて変調された光をダイクロイックミラー１７，１８、および偏光ビームスプリッター１５にて合成した後、投射レンズ１９を介して合成した合成光をスクリーンＳに投写する。

〔反射型液晶パネルの詳細な構成〕
次に、反射型液晶パネルの詳細な構成を図面に基づいて説明する。
図２は、反射型液晶パネルの概略構成の一部を示す断面図である。

反射型液晶パネル３１は、図２に示すように、駆動回路としてのＭＯＳ型電界効果トランジスター（以下、ＭＯＳ−ＦＥＴ）アレイ回路３１１が一面に形成された素子基板３１０と、透明電極３２１が一面に形成された対向基板３２０との間に、液晶３３０を封入した構造である。
液晶３３０としては、エステル系、ビフェニル系、フェニルシクロヘキサン系、フェニルピリジン系、ジオキサン系など、各種材料を単独または適宜組み合わせて利用することができる。

素子基板３１０は、例えばシリコンウエハーである素子側マザー基板３０１から切り出された板状に形成されている。なお、シリコンウエハーに限らず、対向基板３２０のように石英ガラスを用いてもよい。この素子基板３１０の一面には、ＭＯＳ−ＦＥＴアレイ回路３１１が設けられている。
ＭＯＳ−ＦＥＴアレイ回路３１１は、ＭＯＳ−ＦＥＴ３１２とコンデンサー３１３とが配線３１４により直列接続され、マトリックス状に配列された複数の直列回路を備えている。各ＭＯＳ−ＦＥＴ３１２は、ソース３１２Ｓ、ゲート３１２Ｇおよびドレイン３１２Ｄを備え、ドレイン３１２Ｄが配線３１４を介してコンデンサー３１３に接続され、ゲート３１２Ｇは図示しない液晶駆動用のドライバーＩＣからの配線に接続されている。また、ＭＯＳ−ＦＥＴアレイ回路３１１は、素子基板３１０の一面に設けられた絶縁層３１５および絶縁層３１５内に設けられた遮光層３１６を備えている。遮光層３１６は、素子基板３１０の一面に沿った層状に設けられ、一部が切り欠かれている。
そして、ＭＯＳ−ＦＥＴアレイ回路３１１の絶縁層３１５上には、各直列回路の配置位置に応じてマトリックス状に配列された反射電極としての複数の画素電極３１７Ａが形成され、各画素電極３１７Ａ上には液晶３３０を含む複数の表示素子部３１７がマトリックス状に積層して設けられている。画素電極３１７Ａは、遮光層３１６の切り欠かれた部分を介して、配線３１４によりＭＯＳ−ＦＥＴ３１２およびコンデンサー３１３の直列回路に接続されている。これらＭＯＳ−ＦＥＴアレイ回路３１１、画素電極３１７Ａおよび表示素子部３１７が積層する領域が、積層領域３１７Ｃとなる。
また、ＭＯＳ−ＦＥＴアレイ回路３１１の絶縁層３１５上には、マトリックス状に配列された複数の画素電極３１７Ａの周囲に位置して、反射電極である周縁電極３１７Ｂ（図３参照）が積層して設けられている。
なお、素子基板３１０には、少なくとも表示素子部３１７に対応する領域に、配向処理が施されて図示しない配向膜が設けられている。

対向基板３２０は、例えば石英ガラスなどのガラス基板である対向側マザー基板３０２から切り出された板状に形成されている。
そして、対向基板３２０の一面、すなわち素子基板３１０に対向する対向面には、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）などのスパッタリングにより、透明電極３２１が設けられている。

反射型液晶パネル３１には、素子基板３１０と対向基板３２０との間に、表示素子部３１７の周囲を囲む状態で環状に設けられた図２では図示しないシール材が設けられている。
シール材としては、例えばアクリル系樹脂およびエポキシ系樹脂を配合した光・熱硬化性樹脂が利用できる。そして、シール材は、所定の粒径のシリカ球や樹脂球などのギャップスペーサーと、シリカ球や樹脂球の表面に金等の導電性材料が被覆形成された導電性のギャップスペーサーとを含み、これらのギャップスペーサーにより、素子基板３１０と対向基板３２０との対向距離を保持している。なお、シール材としては、このようなものに限られるものではなく、各種材料を利用できる。
そして、反射型液晶パネル３１は、シール材と素子基板３１０と対向基板３２０とにより囲まれた領域に液晶３３０が封入されている。
また、反射型液晶パネル３１には、表示素子部３１７の各ＭＯＳ−ＦＥＴ３１２をオンオフさせる駆動電圧を印加するための複数の端子３１８（図３参照）が設けられている。なお、図３において、説明の都合上、端子３１８を１１個設けた構成を示すが、この限りではない。

〔反射型液晶パネルの製造方法〕
次に、反射型液晶パネル３１の製造方法を、図面を参照して説明する。
図３は、素子側マザー基板を拡大した一部を示す平面図である。図４は、シール材を設けた素子側マザー基板の一部を示す平面図である。図５は、製造方法を示すフローチャートである。
なお、図３，４は、素子側マザー基板の切断位置を一点鎖線および二点鎖線で示し、対向側マザー基板の切断位置を一点鎖線および点線で示す。

まず、製造に際しての前処理として、図５に示すように、前処理工程Ｓ１を実施する。この前処理工程Ｓ１は、素子側マザー基板３０１および対向側マザー基板３０２とを、予め製造しておく。具体的には、シリコンウエハーの一面にＭＯＳ−ＦＥＴアレイ回路３１１および図示しない配向膜が積層形成された素子側マザー基板３０１と、ガラス基板の一面に透明電極３２１が設けられた対向側マザー基板３０２とを製造しておく。
ここで、素子側マザー基板３０１は、図３に示すように、積層するＭＯＳ−ＦＥＴアレイ回路３１１、表示素子部３１７、および、表示素子部３１７の周縁に位置して設けられた反射電極である略矩形の周縁電極３１７Ｂが、反射型液晶パネル３１毎に複数配列形成されている。

そして、周縁電極３１７Ｂにおける端子３１８が設けられた側と反対側の縁の略中央には、舌片状に一連に突出する拡張部３１７Ｄが設けられている。
この拡張部３１７Ｄは、隣接する周縁電極３１７Ｂとの間隙が４００μｍとなるように形成されている。拡張部３１７Ｄと隣接する周縁電極３１７Ｂとの間隙は、１００μｍ以上、好ましくは２００μｍ以上となるように離間して形成することが好ましい。これは、拡張部３１７Ｄが隣接する周縁電極３１７Ｂの外周縁に近付きすぎると、後述する素子側マザー基板３０１の切断の際、素子側マザー基板３０１および周縁電極３１７Ｂに加わる応力により、周縁電極３１７Ｂが引っ張られてＭＯＳ−ＦＥＴアレイ回路３１１が損傷するおそれがあるためである。

さらに、周縁電極３１７Ｂには、外周縁の四つ角部分に、隣り合う周縁電極３１７Ｂと電気的に接続される導通部３１９が、一連に設けられている。
これら導通部３１９は、周縁電極３１７Ｂの周囲、すなわち素子側マザー基板３０１の平面に沿った縦方向、横方向および斜め方向（図３における上下方向と左右方向と斜め方向）の３方向にそれぞれ位置する周縁電極３１７Ｂと電気的に導通する状態に、斜めに交差する形状となる平面視でＸ字状に形成されている。

そして、前処理工程Ｓ１の後、シール材形成工程Ｓ２が実施される。
すなわち、シール材形成工程Ｓ２では、あらかじめ積層領域３１７Ｃが複数配列形成された素子側マザー基板３０１に、図４に示すように、拡張部３１７Ｄの突出する先端縁を始点および終点として、拡張部３１７Ｄに亘って各表示素子部３１７の周囲をそれぞれ囲んでシール材３４０を設ける。

このシール材形成工程Ｓ２の後、貼り合わせ工程Ｓ３が実施される。
具体的には、素子側マザー基板３０１に、対向側マザー基板３０２を重ね合わせる。この重ね合わせの際、シール材３４０が対向側マザー基板３０２の間隙が均一な所定の値となるように、例えば２０ｋＰａで重ね合わせた方向で加圧する。そして、１５０℃で１時間加熱してシール材３４０を硬化させる。シール材３４０としては、熱硬化性のエポキシ樹脂を使用する。

この貼り合わせ工程Ｓ３の後、切断工程Ｓ４が実施される。
具体的には、切断工程Ｓ４では、反射型液晶パネル３１の外周縁に対応する位置（図４〜６中の一点鎖線、二点鎖線および点線）に、スクライバー（scriber）で罫書き線を刻みつけた後、素子側マザー基板３０１および対向側マザー基板３０２のそれぞれに面外方向から力を作用させ、液晶３３０が注入されていない反射型液晶パネル３１である貼り合わせ体を切断する。すなわち、図３〜５中の一点鎖線および二点鎖線で示す位置で素子側マザー基板３０１を切断し、図３〜５中の一点鎖線および点線で示す位置で対向側マザー基板３０２を切断し、シール材３４０を介して素子基板３１０と対向基板３２０とが貼り合わされた図示しない貼り合わせ体を切断する。
この貼り合わせ体は、切断位置（図３〜５中の二点鎖線）に拡張部３１７Ｄおよびシール材３４０が位置するので、貼り合わせ体の外周縁に、シール材３４０と素子基板３１０と対向基板３２０とにて構成された液晶注入口３１７Ｆ（図４参照）が開口形成する状態となっている。
ここで、切断の際、導通部３１９は、静電気の帯電を防止するために静電気を流すことができる配線程度の幅狭な構成で十分である。このことにより、素子側マザー基板３０１の切断時に導通部３１９も切断されるが、この導通部３１９の切断の際に作用する応力は拡張部３１７Ｄに比して極めて小さい。このため、隣接する周縁電極３１７Ｂ間を連続して接続する構成の導通部３１９でも、導通部３１９の切断によるＭＯＳ−ＦＥＴアレイ回路３１１の剥離や切断などの損傷は生じない。

この切断工程Ｓ４の後、液晶注入工程Ｓ５が実施される。
具体的には、液晶注入工程Ｓ５では、例えば１３３．３２２Ｐａ（１Torr）程度まで減圧された環境下で、切断工程Ｓ４で切断した貼り合わせ体の液晶注入口３１７Ｆから液晶３３０を注入する。そして、大気圧下に解放後、液晶注入口３１７Ｆを封止して、反射型液晶パネル３１が製造される。

〔第一実施形態の作用効果〕
上述したように、上記第一実施形態では、ＭＯＳ−ＦＥＴアレイ回路３１１、画素電極３１７Ａおよび表示素子部３１７が積層する積層領域３１７Ｃが一面に複数配列形成され、表示素子部３１７の外周に周縁電極３１７Ｂを有した素子側マザー基板３０１として、周縁電極３１７Ｂの外周縁に、隣接する他の周縁電極３１７Ｂとは離間して突出しシール材３４０が設けられ素子基板３１０を切り出す際にシール材３４０とともに切断されて液晶注入口３１７Ｆを形成する拡張部３１７Ｄを設けるとともに、周縁電極３１７Ｂを隣接する他の周縁電極３１７Ｂと電気的に接続させる導通部３１９とを設けたものを用いて製造する。
このことにより、拡張部３１７Ｄにより、確実に液晶注入口３１７Ｆを形成でき、漏れなく容易に液晶３３０を注入できるとともに、シール材３４０がＭＯＳ−ＦＥＴアレイ回路３１１や隣り合う周縁電極３１７Ｂに亘って設けられることによるＭＯＳ−ＦＥＴアレイ回路３１１の損傷を防止できる。さらには、導通部３１９により各周縁電極３１７Ｂが電気的に接続して全体的に電位が同一となるので、製造時に静電気が発生しても隣接する他の周縁電極３１７Ｂから全体的に流れ、例えば表示素子部３１７で放電するなどによるＭＯＳ−ＦＥＴアレイ回路３１１の損傷を防止でき、安定した特性を提供できる。したがって、製造時の製品の歩留まりが向上し、製造コストの低減も図れる。

そして、上記第一実施形態では、表示素子部３１７を囲む矩形状に形成した周縁電極３１７Ｂの外周縁の角部に位置して導通部３１９を設けている。
このため、放電しやすい角部で隣接する周縁電極３１７Ｂと導通されるので、簡単な構造で放電によるＭＯＳ−ＦＥＴアレイ回路３１１の損傷をより確実に防止できる。

また、上記第一実施形態では、周縁電極３１７Ｂが素子側マザー基板３０１の平面に沿った縦方向、横方向および斜め方向の３方向で隣接する他の周縁電極３１７Ｂに接続する状態に、導通部３１９を平面視でＸ字状に形成している。
このため、簡単な構造で、３方向に隣接する他の周縁電極３１７Ｂと電気的に接続でき、製造性の向上が図れる。

そして、上記第一実施形態では、シール材３４０として導電材料を含有するものを用いた。
このことにより、素子基板３１０のＭＯＳ−ＦＥＴアレイ回路３１１と、対向基板３２０の透明電極３２１との電気的導通が得られる。このため、電気的導通の為の構成を別途設ける必要がなく、表示素子部３１７の画素毎にＭＯＳ−ＦＥＴ３１２をオンオフ可能な回路構成が得られ、製造性を向上できる。特に、導電性材料が、シリカ球のようにギャップスペーサーとして機能する為に所定の粒径に形成したものを用いることにより、シリカ球を用いることなく導電性材料のみで、所定の距離のセルギャップに設定でき、製品間での品質の安定化が得られる。

［第二実施形態］
次に、本発明の第二実施形態を図面に基づいて説明する。
第二実施形態は、第一実施形態における導通部３１９を異なる形状に形成したものである。なお、第二実施形態において、第一実施形態と同等の構成については、第一実施形態と同じ符号を付して説明を省略する。
図６は、第二実施形態における素子側マザー基板を拡大した一部を示す平面図である。

〔反射型液晶パネルの製造方法〕
反射型液晶パネル３１の製造に際して、第一実施形態と同様、ＭＯＳ−ＦＥＴアレイ回路３１１が設けられた素子側マザー基板３０１と、ガラス基板の一面に透明電極３２１が設けられた図示しない対向側マザー基板３０２とを、予め製造しておく。
ここで、素子側マザー基板３０１としては、周縁電極３１７Ｂの角部分に、図６に示すように、素子側マザー基板３０１の平面に沿った縦方向（図６の上下方向）に隣接する周縁電極３１７Ｂと電気的に接続させる導通部３１９を設けたものを用いる。さらに、この素子側マザー基板３０１は、周縁電極３１７Ｂの角部近傍に、素子側マザー基板３０１の平面に沿った横方向（図６の左右方向）に隣接する周縁電極３１７Ｂと電気的に接続させる導通部３１９を設けている。
そして、第一実施形態と同様に、製造される。

〔第二実施形態の作用効果〕
このように、第二実施形態においても、第一実施形態と同様の作用効果を奏する。
すなわち、拡張部３１７Ｄにより、確実に液晶注入口３１７Ｆを形成でき、漏れなく容易に液晶３３０を注入できるとともに、シール材３４０がＭＯＳ−ＦＥＴアレイ回路３１１や隣り合う周縁電極３１７Ｂに亘って設けられることによるＭＯＳ−ＦＥＴアレイ回路３１１の損傷を防止できる。さらには、導通部３１９により各周縁電極３１７Ｂが電気的に接続して全体的に電位が同一となるので、製造時に静電気が発生しても隣接する他の周縁電極３１７Ｂから全体的に流れ、例えば表示素子部３１７で放電するなどによるＭＯＳ−ＦＥＴアレイ回路３１１の損傷を防止でき、安定した特性を提供できる。したがって、製造時の製品の歩留まりが向上し、製造コストの低減も図れる。
さらに、第一実施形態と同様に、周縁電極３１７Ｂの放電しやすい角部で隣接する周縁電極３１７Ｂと電気的に導通させているので、簡単な構造で放電による回路構成の損傷をより確実に防止できる。
また、第二実施形態では、配列方向でそれぞれ導通部３１９により電気的に接続する構成としたので、複数の経路で静電気を流す構成が得られ、より確実に周縁電極３１７Ｂにおける静電気の帯電を防止し、静電気の放電によるＭＯＳ−ＦＥＴアレイ回路３１１の損傷をより確実に防止できる。

［実施形態の変形例］
なお、本発明は前述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲での変形、改良等は本発明に含まれるものである。
すなわち、導通部３１９の形状としては、上述した実施形態に限られるものではく、隣接する周縁電極３１７Ｂ同士が電気的に導通するいずれの形状とすることができる。

そして、本発明では、ギャップスペーサーおよび導電性のギャップスペーサーを含有するシール材３４０を用いたが、この限りではない。
例えば、シール材３４０とは別体のギャップスペーサーを用い、ギャップスペーサーを含有しないシール材３４０を用いてもよい。また、素子基板３１０と対向基板３２０との電気的導通が得られる別構成を設け、シール材３４０には導電性の材料を含有しない構成としてもよい。
さらに、熱硬化性のエポキシ樹脂に限らず、光硬化性のアクリル樹脂および熱硬化性のエポキシ樹脂を配合したもの、あるいは光硬化性のアクリル樹脂のみのものでもよい。

また、素子側マザー基板３０１にシール材３４０を設けて説明したが、対向側マザー基板３０２に形成してもよい。

そして、上記実施形態では、三板式のプロジェクター１で使用される反射型液晶パネル３１であり、各反射型液晶パネル３１は単色を光変調する構成について説明したが、この限りではない。すなわち、石英ガラス基板上にＲＧＢの三色のカラーフィルターを設けた反射型液晶パネルとしてもよい。このようなカラーフィルターを備えた反射型液晶パネルは、例えば、デジタルカメラ等のビューファインダーとして好適に利用することができる。さらには、反射型液晶パネル３１を設けた電子機器として、携帯型ピコプロジェクター、ヘッドマウントディスプレイ、例えば車両のフロントガラスに投影される車載型のヘッドアップディスプレイ等にも適用できる。

１…電子機器としてのプロジェクター、３１…液晶装置としての反射型液晶パネル、３０１…素子側マザー基板、３０２…対向側マザー基板、３１０…素子基板、３１１…駆動回路としてのＭＯＳ−ＦＥＴアレイ回路、３１７…表示素子部、３１７Ｂ…反射電極としての周縁電極、３１７Ｃ…積層領域、３１７Ｄ…拡張部、３１７Ｆ…液晶注入口、３１９…導通部、３２０…対向基板、３２１…透明電極、３３０…液晶、３４０…シール材、Ｓ２…シール材形成工程、Ｓ３…貼り合わせ工程、Ｓ４…切断工程、Ｓ５…液晶注入工程

Claims (5)

1. 一面に駆動回路および反射電極が積層された積層領域を含む表示素子部が設けられた素子基板と、
   前記素子基板の一面に対向配置され、前記素子基板の一面に対向する対向面に透明電極が形成された対向基板と、
   前記素子基板と前記対向基板との間に、前記表示素子部を囲んで設けられたシール材と、
   前記シール材で囲まれた領域内に封入された液晶と、を備えた液晶装置の製造方法であって、
   一面に前記積層領域が複数配列形成された素子側マザー基板と、
   この素子側マザー基板の一面に対向配置され、前記素子側マザー基板の一面に対向する対向面に透明電極が設けられた対向側マザー基板と、を用い、
   前記素子側マザー基板における各表示素子部をそれぞれ囲む領域、または、前記対向側マザー基板における各表示素子部に対応する対向位置をそれぞれ囲む領域に、切断位置で液晶注入口を開口させてシール材を設けるシール材形成工程と、
   前記素子側マザー基板および前記対向側マザー基板を貼り合わせて貼り合わせ体を形成する貼り合わせ工程と、
   前記貼り合わせ体を各液晶装置毎に切断する切断工程と、
   切断工程の後にシール材で囲まれた領域内に液晶注入口から液晶を注入する液晶注入工程と、を実施し、
   前記素子側マザー基板は、前記反射電極の外周縁に隣接する他の反射電極とは離間して突出し前記シール材が設けられ前記素子基板を切り出す際に前記シール材とともに切断されて液晶注入口を形成する拡張部と、前記反射電極を隣接する他の反射電極と電気的に接続させる導通部とを有する
   ことを特徴とする液晶装置の製造方法。
2. 請求項１に記載の液晶装置の製造方法であって、
   前記反射電極は、前記表示素子部を囲む矩形状に形成され、
   前記導通部は、前記反射電極の外周縁の角部に設けられている
   ことを特徴とする液晶装置の製造方法。
3. 請求項１または請求項２に記載の液晶装置の製造方法であって、
   前記導通部は、前記反射電極が前記素子側マザー基板の平面に沿った縦方向、横方向および斜め方向の３方向で隣接する他の反射電極に接続する状態に平面視でＸ字状に形成されている
   ことを特徴とする液晶装置の製造方法。
4. 請求項１から請求項３までのいずれか一項に記載の液晶装置の製造方法により形成された
   ことを特徴とする液晶装置。
5. 請求項４に記載の液晶装置を備えた
   ことを特徴とする電子機器。

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