JP2000280177A - 硬質材料切断用ダイヤモンドブレード及び切断装置 - Google Patents

硬質材料切断用ダイヤモンドブレード及び切断装置

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JP2000280177A JP11198534A JP19853499A JP2000280177A JP 2000280177 A JP2000280177 A JP 2000280177A JP 11198534 A JP11198534 A JP 11198534A JP 19853499 A JP19853499 A JP 19853499A JP 2000280177 A JP2000280177 A JP 2000280177A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】切断中の切断抵抗を良好に低減させることがで
き、切断中に切断抵抗を受けて被切断物が撓んでブレー
ドと接触した場合に生じるチッピングを防止し、切断終
了時に起きるブレードの逃げ現象を防止し、バリの発生
を防止することができるようにした硬質材料切断用ダイ
ヤモンドブレード及び切断装置を提供する。 【解決手段】円盤状の金属基板と、該金属基板の外周部
に設けられかつダイヤモンド砥粒を固着させたダイヤモ
ンドチップ部分とを有し、該金属基板の側面でかつ該チ
ップ部分の内側に砥粒を固着してなる砥粒層を設けると
ともに、該ダイヤモンドチップ部分の先端面形状を突部
形状とするようにした。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、ガラス材料、セラ
ミックス材料、半導体単結晶材料又は水晶材料等の硬質
材料の切断加工に好適に使用されるダイヤモンドブレー
ド及び当該ダイヤモンドブレードを用いた硬質材料の切
断装置に関する。
【0002】
【関連技術】従来のダイヤモンドブレード及びダイヤモ
ンドブレードを用いた切断装置について、図5〜図8に
よって説明する。図5は従来のダイヤモンドブレードの
1例を示すもので、(a)は従来のダイヤモンドブレー
ドの正面図、(b)は(a)のB−B線断面図及び、
(c)はダイヤモンドチップ部分の摘示説明図である。
【0003】図6は従来のダイヤモンドブレードを装着
した切断装置の一部断面説明図で、(a)は被切断物を
切断する前の状態を示し、(b)は被切断物を切断して
いる最中の状態を示す図面である。
【0004】図7は従来のダイヤモンドブレードによる
被切断物の切断中の状態を示す一部断面説明図で、
(a)は被切断物の受ける応力を示し、(b)はダイヤ
モンドブレードの金属基板の両側面に被切断物が接触す
る状態を示す図面である。
【0005】図8は従来のダイヤモンドブレードによる
被切断物の切断中の状態を示す一部断面拡大説明図で、
(a)は切断抵抗が大きい状態を示し、(b)はダイヤ
モンドブレードが反ってしまい、切断面に反りが生じる
状態を示し、(c)は被切断物の切断終了時の状態を示
し、(d)は切断終了後の被切断物の切断面にバリが発
生した状態を示す図面である。
【0006】従来のダイヤモンドブレード10は、図5
に示すように、高速回転する円盤状の金属基板12と、
その外周部に、メタルボンド、レジンボンド、電着等に
よりダイヤモンド砥粒を固着させたチップ部分14から
構成されている。16は該金属基板12の中央部に穿設
された軸孔である。18は切断装置で、モータ等の駆動
手段を内蔵した回転駆動部20と該回転駆動部20に接
続された回転軸22とを有している[図6(a)
(b)]。
【0007】従来のダイヤモンドブレード10を用い
て、ガラス材料、セラミックス材料、半導体単結晶材料
又は水晶材料等の硬質材料製の板、ロッド、チューブ等
の被切断物Gを切断した場合、ダイヤモンドブレード1
0のチップ部分14の形状が金属基板12に対して凹
型、即ちその先端面形状が平坦面となっている[図5
(c)]ため、ダイヤモンドブレード10による被切断
物Gの切断が進行するにつれて、被切断物Gとダイヤモ
ンドブレード10との間に切断抵抗が生じてくる[図7
(a)]。
【0008】その切断抵抗は、被切断物Gを撓まわせる
作用とダイヤモンドブレード10の金属基板12を反ら
せる作用の二つの作用を同時にするため、被切断物Gが
ダイヤモンドブレード10の金属基板12の側面12a
に接触し、チッピング(被切断物Gの切断面に割れや欠
けが入る現象)が発生していた[図7(b)]。
【0009】更に、切断中に生じたダイヤモンドブレー
ド10の金属基板12の反り[図8(b)]が原因とな
って、切断面Mが反ってしまい、切断終了時にはダイヤ
モンドブレード10の逃げ現象が起こり[図8
(c)]、切断終了時にバリNが残ってしまう[図8
(d)]という問題があった。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】本発明者等は、上記し
た問題点を解決するために、鋭意研究を進めたところ、
まず第一に切断中の切断抵抗を減少させるためにダイヤ
モンドチップ部分の先端面の形状を平坦面の代わりに突
部形状とすることにより切断抵抗が減少すること、特に
ダイヤモンドチップ部分の先端面の突部形状の先端角度
を、好ましくは、45°〜120°に設定すれば、切断
抵抗が良好に低減することを見出した。
【0011】本発明者等は、第二に、ダイヤモンドブレ
ードの金属基板の側面にダイヤモンド砥粒層を設けるこ
とにより、切断中に切断抵抗を受けて被切断物が撓んで
ダイヤモンドブレードと接触した場合に生じるチッピン
グ防止と、ダイヤモンドブレードの反りが原因となっ
て、切断面が反ってしまい、切断終了時に起きるダイヤ
モンドブレードの逃げ現象を防止し、バリの発生を防止
することができることを見出し、本発明を完成した。
【0012】本発明は、切断中の切断抵抗を良好に低減
させることができ、切断中に切断抵抗を受けて被切断物
が撓んでブレードと接触した場合に生じるチッピングを
防止し、切断終了時に起きるブレードの逃げ現象を防止
し、バリの発生を防止することができるようにした硬質
材料切断用ダイヤモンドブレード及び切断装置を提供す
ることを目的とする。
【0013】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明の硬質材料切断用ダイヤモンドブレードは、
円盤状の金属基板と、該金属基板の外周部に設けられか
つダイヤモンド砥粒を固着させたダイヤモンドチップ部
分とを有し、該金属基板の側面でかつ該チップ部分の内
側に砥粒を固着してなる砥粒層を設けるとともに、該ダ
イヤモンドチップ部分の先端面形状を突部形状とするこ
とを特徴とする。
【0014】上記ダイヤモンドチップ部分の先端面の突
部形状の先端角度は、好ましくは45°〜120°、さ
らに好ましくは60°〜90°に設定される。
【0015】上記ダイヤモンドチップ部分の突部形状の
先端角度が45°未満であると、切断抵抗は小さくなる
がダイヤモンドチップ部分の摩擦が増加し、ダイヤモン
ドブレードの寿命がそれだけ短くなり、又、先端角度が
120°を越えると、切断抵抗を減少させる効果がそれ
だけ小さくなるが、これらの角度範囲においても本発明
の作用効果が達成されることに変わりはない。
【0016】上記砥粒層の側面高さが、ダイヤモンドチ
ップ部分の側面高さよりも小であること、即ち該砥粒層
の厚さが該ダイヤモンドチップ部分の厚さよりもわずか
に、例えば0.05mm程度だけ、薄い厚さを有するの
が好ましい。
【0017】上記砥粒層を構成する砥粒が、上記ダイヤ
モンドチップ部分を構成するダイヤモンド砥粒、例えば
#170、よりも細かい砥粒、例えば#200、である
のが好適である。
【0018】上記砥粒層は上記金属基板の側面の全面に
設けてもよいし、部分的に設けることもできる。部分的
に設ける場合には、その設置態様に特別の制限はないも
ので、例えば、螺旋状、渦巻状、放射状、多数の同心円
状、多数の点状等の設置態様を適宜採用することができ
る。
【0019】上記砥粒層を構成する砥粒がダイヤモンド
砥粒及び/又はその他の砥粒からなるのが好ましい。そ
の他の砥粒としては、SiC,Al2 3 ,ZrO2
Si 3 4 ,CBN又はBN等をあげることができる。
これらの砥粒は単独で用いることもできるし、併用する
ことも可能である。
【0020】上記ダイヤモンドブレードによる切断の対
象となる硬質材料としては、ガラス材料、セラミックス
材料、半導体単結晶材料、水晶材料等をあげることがで
きる。ガラス材料には、石英ガラス材料、ソーダ石灰ガ
ラス材料、ホウケイ酸ガラス材料、鉛ガラス材料等があ
る。
【0021】上記したダイヤモンドブレードと、該ダイ
ヤモンドブレードを高速回転させる回転駆動部とによっ
て硬質材料切断装置を構成すれば、ガラス材料、セラミ
ックス材料、半導体単結晶材料、水晶材料等の硬質材料
製の被切断物を切断抵抗を低減させた状態で切断でき、
チッピングを防止できるとともにバリの発生を防止する
ことができる。
【0022】
【発明の実施の形態】以下に、本発明の実施の形態を添
付図面中、図1〜図4に基づいて説明する。図1は本発
明のダイヤモンドブレードの一つの実施の形態を示すも
ので、(a)は本発明のダイヤモンドブレードの正面
図、(b)は(a)のA−A線断面図、(c)はダイヤ
モンドチップ部分の摘示側面説明図である。
【0023】図2は本発明のダイヤモンドブレードを装
着した切断装置の一部断面説明図で、(a)は被切断物
を切断する前の状態を示し、(b)は被切断物を切断し
ている最中の状態を示す図面である。
【0024】図3は本発明のダイヤモンドブレードによ
る被切断物の切断中の状態を示す一部断面説明図で、
(a)は被切断物の受ける応力を示し、(b)はダイヤ
モンドブレードの金属基板の両側面に被切断物が接触し
ダイヤモンド砥粒層で研削される状態を示す図面であ
る。
【0025】図4は本発明のダイヤモンドブレードによ
る被切断物の切断中の状態を示す一部断面拡大説明図
で、(a)は切断抵抗が小さい状態を示し、(b)はダ
イヤモンドブレードが反ることがなく切断面に反りが発
生せず、ダイヤモンドブレードの逃げ現象が起きない状
態を示し、(c)は切断終了後の被切断物の切断面にバ
リが発生しない状態を示す図面である。
【0026】図1〜図4において、図5〜図8と同一又
は類似部材は同一符号を用いて説明することがある。
【0027】図1において、本発明の硬質材料切断用ダ
イヤモンドブレード11は、従来と同様に、高速回転す
る円盤状の金属基板12と、その外周部に、メタルボン
ド、レジンボンド、電着等によりダイヤモンド砥粒を固
着させたチップ部分15から構成されている。16は該
金属基板12の中央部に穿設された軸孔である。18は
硬質材料切断装置で、従来と同様に回転駆動部20と回
転軸22とを有している[図2(a)(b)]。
【0028】本発明のダイヤモンドブレード11の特徴
の第一は、ダイヤモンドチップ部分15の断面形状とし
て、図1(c)によく示されるごとく、先端面に先端角
度θを持たせた突部形状としたものである。このような
形状とすることによって、従来の先端平坦形状に比較し
て、図4(a)に示すように、切断抵抗が減少するもの
である。
【0029】このダイヤモンドチップ部分15の先端面
の突部形状の先端角度θは45°〜120°の範囲で設
定されるのが好ましい。先端角度θが45°未満である
と、切断抵抗は小さくなるがダイヤモンドチップ部15
の摩擦が増加し、ダイヤモンドブレード11の寿命がそ
れだけ短くなり、又、ダイヤモンドチップ部分の先端角
度θが120°を越えると、切断抵抗を減少させる効果
がそれだけ小さくなるが、本発明の作用効果が達成され
ることに変わりはない。
【0030】先端角度θのさらに好ましい範囲は60°
〜90°である。なお、図示例ではθ=90°の場合を
好ましい例として示している。
【0031】本発明のダイヤモンドブレード11の特徴
の第二は、図1(a)(b)によく示されるごとく、ダ
イヤモンドブレード11の金属基板12の側面12aに
ダイヤモンド砥粒層13を設けることである。
【0032】このようにダイヤモンド砥粒層13を設け
ることによって、切断中に切断抵抗を受けて被切断物G
が撓んでダイヤモンドブレード11と接触した場合に、
従来のダイヤモンドブレード10では避けることのでき
なかったチッピングを防止することができる。
【0033】さらに、ダイヤモンドブレード11の金属
基板12の両側面12aがダイヤモンド砥粒によって被
覆されてダイヤモンド砥粒層13が形成されるため、ダ
イヤモンドブレード11は該ダイヤモンド砥粒層13に
よって被覆され、その強度が増大し、ダイヤモンドブレ
ード11が切断中に反ってしまうということはなくな
り、したがって、切断面が反ることもなく、切断終了時
のダイヤモンドブレード11の逃げ現象も起こらず、バ
リの発生も完全に防止される[図4(a)(b)
(c)]。
【0034】本発明のダイヤモンドブレード11に用い
られるダイヤモンド砥粒は、ダイヤモンドチップ部分1
5に対しては従来と同様に#170程度とすればよい。
一方、ダイヤモンド砥粒層13のダイヤモンド砥粒は、
ダイヤモンドチップ部分15のダイヤモンド砥粒よりも
細かい砥粒、例えば#200程度が好ましい。
【0035】上記ダイヤモンド砥粒層13の側面高さ
は、ダイヤモンドチップ部分15の側面高さよりも小で
あることが好適である。このダイヤモンド砥粒層13の
側面高さがダイヤモンドチップ部分の側面高さよりも大
となると切断作業自体に困難性が生じてしまう不利があ
る。
【0036】上記ダイヤモンド砥粒層13は、金属基板
12の側面12aの全面に設けてもよいが、部分的に設
けることもできる。部分的に設ける場合には、その設置
態様に特別の制限はないもので、例えば、螺旋状、渦巻
状、放射状、多数の同心円状、多数の点状等の設置態様
を適宜採用することができる。
【0037】本発明のダイヤモンドブレード11による
切断の対象となる硬質材料としては、ガラス材料、セラ
ミックス材料、半導体単結晶材料、水晶材料等をあげる
ことができる。ガラス材料には、石英ガラス材料、ソー
ダ石灰ガラス材料、ホウケイ酸ガラス材料、鉛ガラス材
料等がある。
【0038】具体的なセラミックス材料としては、Si
Cロッドやアルミナロッド等をあげることができ、半導
体単結晶材料としては、シリコン単結晶やガリウム・ヒ
素単結晶等がある。
【0039】
【実施例】以下に、本発明の実施例を挙げて説明する。
【0040】(実施例1)外径300mm、厚み1.0mm
の金属基板上に、ダイヤモンドチップ部分の厚み1.3
mm、ダイヤモンドチップ部分の幅7mm、番手#170の
ダイヤモンド砥粒をメタルボンドで焼結し、ダイヤモン
ドチップ部分の先端角度を90°にしたブレードに、ダ
イヤモンドチップ部分から内側に80mmの所まで両面に
厚さ0.1mm、番手#200のダイヤモンド砥粒の電着
層をつけたブレードを使用して、外径80mmの石英ガラ
スロッドを切断した。
【0041】切断抵抗の検出:ダイヤモンドブレードを
回転させるために、モーターを使用するが、ブレードに
切断抵抗がかかった場合、回転用モーターにも負荷がか
かるため、モーターに流れる電流値が増大する。この電
流値を計測することによって、切断抵抗の大小を検出で
きる。
【0042】切断抵抗を検出するために、ダイヤモンド
ブレード回転用のモーターの電流値を切断深さ5mm、1
0mm、15mm、20mm、30mm、40mm、60mm、80
mmにおいて計測し、その結果を表1に示した。また、表
1の数値をグラフとして図9に示した。表1及び図9か
ら明らかなように、切断が進行するにつれて、電流値が
増大し、石英ガラスロッドの中心部で最大の電流値を示
したが、電流値の増加は大きくなく、切断抵抗が小さい
ことを示した。
【0043】切断終了後に、石英ガラスロッドの切断面
を観察したが、チッピング、バリの発生がなく、反りも
なかった。
【0044】(比較例1)外径300mm、厚み1.0mm
の金属基板上に、ダイヤモンドチップ部分の厚み1.3
mm、ダイヤモンドチップ部分の幅7mm、番手#170の
ダイヤモンド砥粒をメタルボンドで焼結した従来形状の
ダイヤモンドチップ部分を有するダイヤモンドブレード
を用いて、外径80mmの石英ガラスロッドを切断した。
【0045】切断抵抗を検出するために、ダイヤモンド
ブレード回転用のモーターの電流値を計測したところ、
表1及び図9に示すような結果となった。切断が進行す
るにつれて、電流値が増大し、石英ガラスロッドの中心
部で最大の電流値を示した。
【0046】切断が終了した石英ガラスロッドの切断面
を観察したところ、切断面にチップが発生していた。そ
れに、切断終了箇所には、バリが残っており、切断面が
1mm反っていた。又、ダイヤモンドブレードの側面を観
察したところ、石英ガラスロッドを接触した部分に傷が
発生していた。
【0047】(実施例2)外径300mm、厚み1.0mm
の金属基板上に、ダイヤモンドチップ部分の厚み1.3
mm、ダイヤモンドチップ部分の幅7mm、番手#170の
ダイヤモンド砥粒をメタルボンドで焼結し、ダイヤモン
ドチップ部分の先端角度を125°にしたブレードに、
ダイヤモンドチップ部分から内側に80mmの所まで両面
に厚さ0.1mm、番手#200のダイヤモンド砥粒の電
着層をつけたブレードを使用して、外径80mm石英ガラ
スロッドを切断した。
【0048】切断抵抗を検出するための電流値は、表1
及び図9に示す通りであった。最大電流値は、実施例1
と比較例1の中間であったが、切断終了後に、石英ガラ
スロッド切断面を観察したところ、チッピング、バリの
発生がなかったが、0.3mm反っていた。
【0049】(実施例3)外径300mm、厚み1.0mm
の金属基板上に、ダイヤモンドチップ部分の厚み1.3
mm、ダイヤモンドチップ部分の幅7mm、番手#170の
ダイヤモンド砥粒をメタルボンドで焼結し、ダイヤモン
ドチップ部分の先端角度を40°にしたブレードに、ダ
イヤモンドチップ部分から内側に80mmの所まで両面に
厚さ0.1mm、番手#200のダイヤモンド砥粒の電着
層をつけたブレードを使用して、外径80mm石英ガラス
ロッドを切断した。
【0050】切断抵抗を検出するための電流値は、表1
及び図9に示す通りであった。最大電流値は、実施例1
と同じであった。切断終了後に、石英ガラスロッドの切
断面を観察したが、チッピング、バリの発生がなく、反
りもなかった。しかし、ダイヤモンドチップ先端部の消
耗が激しく、先端部が1mm減少していた。
【0051】
【表1】
【0052】(実施例4)外径300mm、厚み1.0mm
の金属基板上に、ダイヤモンドチップ部分の厚み1.3
mm、ダイヤモンドチップ部分の幅7mm、番手#170の
ダイヤモンド砥粒をメタルボンドで焼結し、ダイヤモン
ドチップ部分の先端角度を90°にしたブレードに、ダ
イヤモンドチップ部分から内側に80mmの所まで両面に
厚さ0.1mm、番手#200のダイヤモンド砥粒の電着
層をつけたブレードを使用して、外径60mmのSiCの
ロッドを切断した。
【0053】切断抵抗を検出するために、ブレード回転
用のモーターの電流値を計測したところ、表2及び図1
0に示すような結果となった。切断が進行するにつれ
て、電流値が増大し、SiCロッドの中心部で最大の電
流値を示したが、電流値の増加は大きくなく、切断抵抗
が小さいことを示していた。切断終了後に、切断面を観
察したが、チップ、バリの発生がなく、反りもなかっ
た。
【0054】(実施例5)外径300mm、厚み1.0mm
の金属基板上に、ダイヤモンドチップ部分の厚み1.3
mm、ダイヤモンドチップ部分の幅7mm、番手#170の
ダイヤモンド砥粒をメタルボンドで焼結し、ダイヤモン
ドチップ部分の先端角度を90°にしたブレードに、ダ
イヤモンドチップ部分から内側に80mmの所まで両面に
厚さ0.1mm、番手#200のダイヤモンド砥粒の電着
層をつけたブレードを使用して、外径60mmのアルミナ
のロッドを切断した。
【0055】切断抵抗を検出するために、ブレード回転
用のモーターの電流値を計測したところ、表2及び図1
0に示すような結果となった。切断が進行するにつれ
て、電流値が増大し、アルミナロッドの中心部で最大の
電流値を示したが、電流値の増加は大きくなく、切断抵
抗が小さいことを示していた。切断終了後に、切断面を
観察したが、チップ、バリの発生がなく、反りもなかっ
た。
【0056】(実施例6)外径300mm、厚み1.0mm
の金属基板上に、ダイヤモンドチップ部分の厚み1.3
mm、ダイヤモンドチップ部分の幅7mm、番手#170の
ダイヤモンド砥粒をメタルボンドで焼結し、ダイヤモン
ドチップ部分の先端角度を90°にしたブレードに、ダ
イヤモンドチップ部分から内側に80mmの所まで両面に
厚さ0.1mm、番手#200のダイヤモンド砥粒の電着
層をつけたブレードを使用して、外径50mmのガリウム
・ヒ素単結晶を切断した。
【0057】切断抵抗を検出するために、ブレード回転
用のモーターの電流値を計測したところ、表2及び図1
0に示すような結果となった。切断が進行するにつれ
て、電流値が増大し、ガリウム・ヒ素単結晶の中心部で
最大の電流値を示したが、電流値の増加は大きくなく、
切断抵抗が小さいことを示していた。切断終了後に、切
断面を観察したが、チップ、バリの発生がなく、反りも
なかった。
【0058】
【表2】
【0059】(実施例7〜9)石英ガラスロッドの代わ
りにソーダ石灰ガラスロッド、鉛ガラスロッド及び水晶
ロッドをそれぞれ用いた以外は、実施例1と同様に切断
処理を行ったところ、それぞれ実施例1と同様の結果が
得られた。
【0060】
【発明の効果】以上述べたごとく、本発明によれば、切
断中の切断抵抗を良好に低減させることができ、切断中
に切断抵抗を受けて被切断物が撓んでダイヤモンドブレ
ードと接触した場合に生じるチッピングを防止し、切断
終了時に起きるダイヤモンドブレードの逃げ現象を防止
し、バリの発生を防止することができるという効果が達
成される。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明のダイヤモンドブレードの一つの実施の
形態を示すもので、(a)は本発明のダイヤモンドブレ
ードの正面図、(b)は(a)のA−A線断面図及び
(c)はダイヤモンドチップ部分の摘示側面説明図であ
る。
【図2】本発明のダイヤモンドブレードを装着した切断
装置の一部断面説明図で、(a)は被切断物を切断する
前の状態を示し、(b)は被切断物を切断している最中
の状態を示す図面である。
【図3】本発明のダイヤモンドブレードによる被切断物
の切断中の状態を示す一部断面説明図で、(a)は被切
断物の受ける応力を示し、(b)はダイヤモンドブレー
ドの金属基板の両側面に被切断物が接触しダイヤモンド
砥粒層で研削される状態を示す図面である。
【図4】本発明のダイヤモンドブレードによる被切断物
の切断中の状態を示す一部断面拡大説明図で、(a)は
切断抵抗が小さい状態を示し、(b)はダイヤモンドブ
レードが反ることなく切断面に反りが発生せず、ダイヤ
モンドブレードの逃げ現象が起きない状態を示し、
(c)は切断終了後の被切断物の切断面にバリが発生し
ない状態を示す図面である。
【図5】従来のダイヤモンドブレードの1例を示すもの
で、(a)は従来のダイヤモンドブレードの正面図、
(b)は(a)のB−B線断面図及び、(c)はダイヤ
モンドチップ部分の摘示説明図である。
【図6】従来のダイヤモンドブレードを装着した切断装
置の一部断面説明図で、(a)は被切断物を切断する前
の状態を示し、(b)は被切断物を切断している最中の
状態を示す図面である。
【図7】従来のダイヤモンドブレードによる被切断物の
切断中の状態を示す一部断面説明図で、(a)は被切断
物の受ける応力を示し、(b)はダイヤモンドブレード
の金属基板の両側面に被切断物が接触する状態を示す図
面である。
【図8】従来のダイヤモンドブレードによる被切断物の
切断中の状態を示す一部断面拡大説明図で、(a)は切
断抵抗が大きい状態を示し、(b)はダイヤモンドブレ
ードが反ってしまい、切断面に反りが生じる状態を示
し、(c)は被切断物の切断終了時の状態を示し、
(d)は切断終了後の被切断物の切断面にバリが発生し
た状態を示す図面である。
【図9】実施例1〜3及び比較例1における切断中のダ
イヤモンドブレード回転用モーターの電流値の変化を示
すグラフである。
【図10】実施例4〜6における切断中のダイヤモンド
ブレード回転用モーターの電流値の変化を示すグラフで
ある。
【符号の説明】
10:従来のダイヤモンドブレード、11:本発明のダ
イヤモンドブレード、12:金属基板、12a:金属基
板の側面、13:ダイヤモンド砥粒層、14:従来のダ
イヤモンドチップ部分、15:本発明のダイヤモンドチ
ップ部分、16:軸孔、18:切断装置、20:回転駆
動部、22:回転軸、G:被切断物。
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成12年7月19日(2000.7.1
9)
【手続補正1】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正内容】
【特許請求の範囲】
【請求項】 前記硬質材料がガラス材料、セラミック
ス材料、半導体単結晶材料又は水晶材料であることを特
徴とする請求項1〜のいずれか1項記載の硬質材料切
断用ダイヤモンドブレード。
【請求項】 請求項1〜のいずれか1項記載のダイ
ヤモンドブレードと、該ダイヤモンドブレードを高速回
転させる回転駆動部とを有することを特徴とする硬質材
料切断装置。
【手続補正2】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0013
【補正方法】変更
【補正内容】
【0013】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明の硬質材料切断用ダイヤモンドブレードは、
円盤状の金属基板と、該金属基板の外周部に設けられか
つダイヤモンド砥粒を固着させたダイヤモンドチップ部
分とを有し、該金属基板の側面でかつ該チップ部分の内
側に砥粒を固着してなる砥粒層を設けるとともに、該ダ
イヤモンドチップ部分の先端面形状を突部形状とし、該
ダイヤモンドチップ部分の先端面の突部形状の先端角度
を45°〜120°に設定することを特徴とする。
【手続補正3】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0014
【補正方法】変更
【補正内容】
【0014】上記ダイヤモンドチップ部分の先端面の突
部形状の先端角度は、さらに好ましくは60°〜90°
に設定される。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) B24D 5/12 B24D 5/12 Z 5/14 5/14 H01L 21/304 611 H01L 21/304 611S (72)発明者 水野 徹 福島県岩瀬郡鏡石町大字鏡田字境173 株 式会社アトック福島工場内 (72)発明者 須釜 明彦 福島県郡山市田村町金屋字川久保88番地 信越石英株式会社郡山工場内 (72)発明者 松谷 利勝 山形県天童市大字清池字藤段1357番3 株 式会社山形信越石英内 (72)発明者 伊勢 吉明 山形県天童市大字清池字藤段1357番3 株 式会社山形信越石英内 Fターム(参考) 3C063 AA02 AB02 AB03 AB07 BA03 BA04 BA08 BB02 BB03 BB04 BB07 BG01 BG07 EE10 EE16 EE31 FF23

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 円盤状の金属基板と、該金属基板の外周
    部に設けられかつダイヤモンド砥粒を固着させたダイヤ
    モンドチップ部分とを有し、該金属基板の側面でかつ該
    チップ部分の内側に砥粒を固着してなる砥粒層を設ける
    とともに、該ダイヤモンドチップ部分の先端面形状を突
    部形状とすることを特徴とする硬質材料切断用ダイヤモ
    ンドブレード。
  2. 【請求項2】 前記砥粒層の側面高さがダイヤモンドチ
    ップ部分の側面高さよりも小であることを特徴とする請
    求項1記載の硬質材料切断用ダイヤモンドブレード。
  3. 【請求項3】 前記砥粒層を構成する砥粒が前記ダイヤ
    モンドチップ部分を構成するダイヤモンド砥粒よりも細
    かい砥粒であることを特徴とする請求項1又は2記載の
    硬質材料切断用ダイヤモンドブレード。
  4. 【請求項4】 前記砥粒層が前記金属基板の側面に部分
    的に設けられることを特徴とする請求項1〜3のいずれ
    か1項記載の硬質材料切断用ダイヤモンドブレード。
  5. 【請求項5】 前記砥粒層を構成する砥粒がダイヤモン
    ド砥粒及び/又はその他の砥粒からなることを特徴とす
    る請求項1〜4のいずれか1項記載の硬質材料切断用ダ
    イヤモンドブレード。
  6. 【請求項6】 前記その他の砥粒がSiC,Al
    2 3 ,ZrO2 ,Si34,CBN 又はBNである
    ことを特徴とする請求項5記載の硬質材料切断用ダイヤ
    モンドブレード。
  7. 【請求項7】 前記ダイヤモンドチップ部分の先端面の
    突部形状の先端角度を45°〜120°に設定すること
    を特徴とする請求項1〜6のいずれか1項記載の硬質材
    料切断用ダイヤモンドブレード。
  8. 【請求項8】 前記硬質材料がガラス材料、セラミック
    ス材料、半導体単結晶材料又は水晶材料であることを特
    徴とする請求項1〜7のいずれか1項記載の硬質材料切
    断用ダイヤモンドブレード。
  9. 【請求項9】 請求項1〜8のいずれか1項記載のダイ
    ヤモンドブレードと、該ダイヤモンドブレードを高速回
    転させる回転駆動部とを有することを特徴とする硬質材
    料切断装置。
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WO2017145455A1 (ja) * 2016-02-23 2017-08-31 株式会社アライドマテリアル 超砥粒ホイール

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