JP2000277887A - 導体パターンの形成方法並びにセラミック多層基板の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 感光性導体ペーストを用いた転写法による導
体パターン形成方法において、感光性導体ペーストのゲ
ル化並びに支持体上塗布物のゲル化を十分に抑制して、
高精度に微細な導体パターンを形成すること。 【解決手段】 酸性官能基を有する有機バインダ、感光
性有機成分、多価金属粉末、並びに、沸点１７８℃以上
のモノオール化合物からなる感光性導体ペーストを支持
体１上に塗布して、塗布膜２を形成する工程と、塗布膜
２を露光、現像して導体パターン３ａ、３ｂを形成する
工程と、支持体１上に形成された導体パターン３ａ、３
ｂをセラミックグリーンシート６上に転写する工程と、
を有する、導体パターンの形成方法。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、感光性導体ペース
トを用いた導体パターンの形成方法、並びに、セラミッ
ク多層基板の製造方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、移動体通信機器、衛星放送受信機
器、コンピュータ等に用いられる高周波電子部品は、小
型かつ高性能であることが強く求められている。また、
高周波電子部品の配線パターンに関しても、その高密度
化及び信号の高速化への対応が要求されており、その高
密度化や信号の高速化を達成するためには、配線や電極
等の導体パターンの微細化及び厚膜化が必要である。

【０００３】従来より、高周波電子部品の導体パターン
形成は、銅等の多価金属粉末と有機バインダや有機溶媒
からなる有機ビヒクルとを混合した導体ペーストを用い
て絶縁性基板上にパターンを形成し、次いでこれを乾燥
した後、焼成するといった手法が用いられてきた。ここ
で、導体パターン形成はスクリーン印刷法によるのが一
般的であり、この方法で形成した導体パターンの幅及び
ピッチは５０μｍ程度が限界であった。

【０００４】これに対して、特開昭６３−９９５９６号
公報には、複数の支持体上に導体パターンを形成し、そ
れをグリーンシート上に転写するといった転写法が開示
されている。この転写法によれば、スクリーン印刷によ
るグリーンシート上への導体パターンの形成に比べて、
にじみやかすれを抑制して高精度に微細な導体パターン
を形成することができる。しかしながら、この方法で
は、支持体上への導体パターンをスクリーン印刷によっ
て形成しているので、前述したように、導体パターンの
幅及びピッチは５０μｍ程度が限界である。

【０００５】また、特開平１０−７５０３９号公報、特
開平１０−２００２６０号公報、特開平１０−２０９３
３４号公報等には、上述した転写法において、支持体上
に感光性導体ペーストを用いたフォトリソグラフィ法に
よって導体パターンを形成し、これをセラミックグリー
ンシートに転写するといった方法が提案されている。こ
の方法によれば、導体パターンのにじみやかすれ等を抑
制したうえ、幅及びピッチが５０μｍ以下の極めて微細
な導体パターンを形成できる。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】近年、環境への配慮か
ら、フォトリソグラフィ法においては、水若しくはアル
カリによる現像が可能であることが望まれており、その
ためにプロトンを遊離する性質を有したカルボキシル基
等の酸性官能基が感光性有機バインダ中に導入されてい
る。

【０００７】上述した転写法において、そのような感光
性有機バインダを用いた場合、特に導体材料が銅等の多
価金属粉末であると、プロトン遊離後に生成される有機
バインダのアニオンと多価金属のイオンとが反応して、
イオン架橋による３次元ネットワークが形成され、ひい
ては感光性導体ペーストのゲル化に至ることがある。

【０００８】感光性導体ペーストがゲル化すると、ペー
スト粘度が高くなるために、支持体上に感光性導体ペー
ストを塗布することが困難になる。また、ゲル化が進行
する前に塗布できたとしても、露光、現像処理時に未露
光部が現像液に溶出しなくなるばかりか、セラミックグ
リーンシートへの転写性も低下してしまう。

【０００９】これに対して、特開平９−２１８５０９号
公報ではリン酸等のリン含有化合物を、特開平９−２１
８５０８号公報及び特開平１０−２０９３３４号公報で
はベンゾトリアゾール等のアゾール構造を持つ化合物
を、それぞれ感光性導体ペーストに含有させることで、
そのゲル化が防げるとしている。しかし、実際には、こ
れらの方法は、感光性導体ペーストがゲル化するまでの
時間を若干伸ばすに過ぎず、特に上述した転写法におい
て、微細な導体パターンの形成は実質的に困難であっ
た。

【００１０】また、感光性ペーストのゲル化を良好に防
止する手法として、特開平１０−１７１１０７号公報に
は、ペースト中に３−メチル−３−メトキシブタノール
を添加するといった手法が開示されている。しかしなが
ら、３−メチル−３−メトキシブタノールは沸点が１７
４℃と低いため、支持体上に形成した塗膜を乾燥したと
きに、３−メチル−３−メトキシブタノールが塗膜から
完全に蒸発して、ゲル化防止の効用が大きく低下するこ
とがある。乾燥後の塗膜がゲル化すると、上述したよう
に、その露光時に未露光部が現像液に溶出しなくなるば
かりか、セラミックグリーンシートへの転写性も低下す
ることがある。

【００１１】本発明は、上述した問題点を解決するもの
であり、その目的は、感光性導体ペーストのゲル化、並
びに、乾燥後の塗膜のゲル化を十分に抑制して、高精度
に微細な導体パターンを形成する、導体パターンの形成
方法を提供することにある。

【００１２】本発明の更に他の目的は、セラミックグリ
ーンシート上に高精度に微細な導体パターンを形成し
て、高速信号化、高密度配線化に十分に対応したセラミ
ック多層基板を製造することにある。

【００１３】

【課題を解決するための手段】すなわち、本発明は、酸
性官能基を有する有機バインダ、感光性有機成分、多価
金属粉末、並びに、沸点１７８℃以上のモノオール化合
物からなる感光性導体ペーストを支持体上に塗布する工
程と、前記感光性導体ペーストを露光、現像して所定の
導体パターンを形成する工程と、前記支持体上に形成さ
れた前記導体パターンを基板上に転写する工程と、を有
することを特徴とする導体パターンの形成方法（以下、
本発明の第１の導体パターン形成方法と称する。）に係
るものである。

【００１４】また、本発明は、酸性官能基を有する有機
バインダ、感光性有機成分、多価金属粉末、並びに、前
記有機バインダのアニオンを吸着する性質を有するアニ
オン吸着性物質からなる感光性導体ペーストを支持体上
に塗布する工程と、前記感光性導体ペーストを露光、現
像して所定の導体パターンを形成する工程と、前記支持
体上に形成された前記導体パターンを基板上に転写する
工程と、を有することを特徴とする導体パターンの形成
方法（以下、本発明の第２の導体パターン形成方法と称
する。）に係るものである。

【００１５】また、本発明は、酸性官能基を有する有機
バインダ、感光性有機成分、多価金属粉末、並びに、チ
クソ剤からなる感光性導体ペーストを支持体上に塗布す
る工程と、前記感光性導体ペーストを露光、現像して所
定の導体パターンを形成する工程と、前記支持体上に形
成された前記導体パターンを基板上に転写する工程と、
を有することを特徴とする導体パターンの形成方法（以
下、本発明の第３の導体パターン形成方法と称する。）
に係るものである。

【００１６】さらに、本発明は、酸性官能基を有する有
機バインダ、感光性有機成分、多価金属粉末、並びに、
沸点１７８℃以上のモノオール化合物からなる感光性導
体ペーストを支持体上に塗布する工程と、前記感光性導
体ペーストを露光、現像して所定の導体パターンを形成
する工程と、前記支持体上に形成された前記導体パター
ンをセラミックグリーンシート上に転写する工程と、前
記導体パターンの設けられたセラミックグリーンシート
を積層、焼成する工程と、を有することを特徴とするセ
ラミック多層基板の製造方法（以下、本発明の第１のセ
ラミック多層基板の製造方法と称する。）を提供するも
のである。

【００１７】また、本発明は、酸性官能基を有する有機
バインダ、感光性有機成分、多価金属粉末、並びに、前
記有機バインダのアニオンを吸着する性質を有するアニ
オン吸着性物質からなる感光性導体ペーストを支持体上
に塗布する工程と、前記感光性導体ペーストを露光、現
像して所定の導体パターンを形成する工程と、前記支持
体上に形成された前記導体パターンをセラミックグリー
ンシート上に転写する工程と、前記導体パターンの設け
られたセラミックグリーンシートを積層、焼成する工程
と、を有することを特徴とするセラミック多層基板の製
造方法（以下、本発明の第２のセラミック多層基板の製
造方法と称する。）を提供するものである。

【００１８】また、本発明は、酸性官能基を有する有機
バインダ、感光性有機成分、多価金属粉末、並びに、チ
クソ剤からなる感光性導体ペーストを支持体上に塗布す
る工程と、前記感光性導体ペーストを露光、現像して所
定の導体パターンを形成する工程と、前記支持体上に形
成された前記導体パターンをセラミックグリーンシート
上に転写する工程と、前記導体パターンの設けられたセ
ラミックグリーンシートを積層、焼成する工程と、を有
することを特徴とするセラミック多層基板の製造方法
（以下、本発明の第３のセラミック多層基板の製造方法
と称する。）を提供するものである。

【００１９】本発明の第１の導体パターン形成方法によ
れば、感光性導体ペースト中に沸点１７８℃以上のモノ
オール化合物を含有しているので、感光性導体ペースト
のゲル化、並びに、乾燥後の塗膜のゲル化を十分に抑制
して、高精度に微細な導体パターンを形成することがで
きる。

【００２０】また、本発明の第１のセラミック多層基板
の製造方法によれば、感光性導体ペースト中に沸点１７
８℃以上のモノオール化合物が含まれているので、感光
性導体ペーストのゲル化、並びに、乾燥後の塗膜のゲル
化を十分に抑制し、セラミックグリーンシート上に高精
度で微細な導体パターンを形成することができ、ひいて
は、高速信号化、高密度配線化に十分に対応したセラミ
ック多層基板が得られる。

【００２１】これは、モノオール化合物中のヒドロキシ
ル基は、有機バインダの酸性官能基（特にカルボキシル
基）に比べて、多価金属イオンとの結合力が際立って強
く、したがって、モノオール化合物と多価金属イオンと
が先に反応して、有機バインダと多価金属イオンとのイ
オン架橋及びその３次元ネットワークの形成を妨げるこ
とによるものである。また、モノオール化合物はただ１
つのヒドロキシル基を有するので、モノオール化合物と
多価金属イオンとが結合しても、イオン架橋による３次
元ネットワークを形成せず、さらに、その沸点が１７８
℃以上であるから、感光性導体ペーストの塗布後、乾燥
処理を施した後でも、モノオール化合物が乾燥後の組成
物中に有意に残存し、そのゲル化防止能を十分に発揮し
て、安定した現像処理を実施できる。

【００２２】また、本発明の第２の導体パターン形成方
法によれば、感光性導体ペースト中にハイドロキシアパ
タイト等のアニオン吸着性物質を含有しているので、感
光性導体ペーストのゲル化、並びに、乾燥後の塗膜のゲ
ル化を十分に抑制して、高精度に微細な導体パターンを
形成することができる。

【００２３】また、本発明の第２のセラミック多層基板
の製造方法によれば、感光性導体ペーストにアニオン吸
着性物質が含まれているので、感光性導体ペーストのゲ
ル化、並びに、乾燥後の塗膜のゲル化を十分に抑制し、
セラミックグリーンシート上に高精度で微細な導体パタ
ーンを形成することができ、ひいては、高速信号化、高
密度配線化に十分に対応したセラミック多層基板が得ら
れる。

【００２４】これは、アニオンを吸着する性質を有する
アニオン吸着性物質とプロトンを遊離する性質のあるカ
ルボキシル基等の酸性官能基を有する有機バインダとを
混合すると、プロトン遊離後に生成する有機バインダの
アニオンを前記アニオン吸着性物質が吸着して、ミクロ
相分離のような微構造が混合物中で形成され、それによ
って、前記混合物はマクロ的に見れば均一であるがミク
ロ的に見れば不均一になり、イオン架橋による３次元ネ
ットワークができにくくなることによるものである。

【００２５】また、本発明の第３の導体パターン形成方
法によれば、感光性導体ペースト中にチクソ剤（チクソ
トロピー調整剤）を含有しているので、感光性導体ペー
ストのゲル化、並びに、乾燥後の塗膜のゲル化を十分に
抑制して、高精度に微細な導体パターンを形成すること
ができる。

【００２６】また、本発明の第３のセラミック多層基板
の製造方法によれば、感光性導体ペーストにチクソ剤が
含まれているので、感光性導体ペーストのゲル化、並び
に、乾燥後の塗膜のゲル化を十分に抑制し、セラミック
グリーンシート上に高精度で微細な導体パターンを形成
することができ、ひいては、高速信号化、高密度配線化
に十分に対応したセラミック多層基板が得られる。

【００２７】これは、感光性有機バインダを含む感光性
導体ペースト中にチクソ剤を混合すると、チクソ剤が有
機バインダの高分子鎖に絡み、いわゆる網目構造を形成
することによるものである。すなわち、感光性導体ペー
ストやその塗膜のゲル化は、有機バインダのアニオンと
多価金属イオンとのイオン結合によって進行する。しか
しながら、イオン結合するためには互いのクーロン力が
働く程度に距離が近接していなければならず、チクソ剤
の混合によって前記網目構造が形成されていると、イオ
ン結合には前記網目構造を壊すためのエネルギーが必要
となる。そのために多価金属によるイオン架橋の３次元
ネットワークが生じにくくなって、ゲル化を抑制できる
ものと考えられる。

【００２８】

【発明の実施の形態】まず、本発明の第1の導体パター
ン形成方法及び第1のセラミック多層基板の製造方法を
説明する。

【００２９】本発明の第１の導体パターン形成方法及び
第１のセラミック多層基板の製造方法において、沸点が
１７８℃以上の前記モノオール化合物としては、１−オ
クチルアルコール、２−オクチルアルコール、ノニルア
ルコール、デシルアルコール、１−メチルシクロヘキサ
ノール、トリメチルシクロヘキサノール、エチレングリ
コールモノアセテート、ジエチレングリコールモノブチ
ルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテ
ル、ジエチレングリコールモノヘキシルエーテル、ジエ
チレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリ
コールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノ
ビニルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエ
ーテル、ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、
ジプロピレングリコールモノブチルエーテル、エチレン
グリコールイソアミルエーテル、エチレングリコールフ
ェニルエーテル、エチレングリコールベンジルエーテ
ル、トリメチルヘキサノール、テトラヒドロフルフリル
アルコール、クレゾール、乳酸ブチル、ベンジルアルコ
ール、ヒドロキシエチルアクリレート、フェネチルアル
コール、メルカプトブタノール、ヒドロキシエチルメタ
クリレート、ヒドロキシエチルピペラジン、シクロヘキ
サノンオキシム、ヒドロキシメトキシアリルベンゼン、
ヒドロキシメトキシベンズアルデヒド、ヒドロキシメチ
ルピペラジン、ヒドロキシプロピオニトリル、ヒドロキ
シアセトナフトン、ヒドロキシベンズアルデヒド、ヒド
ロキシアセトフェノン、ヒドロキシベンゾイミダゾー
ル、フェニルフェノール、ヒドロキシ安息香酸、ヒドロ
キシベンゾフェノン、ベンゾイン、チモール、ヒドロキ
シメトキシ安息香酸、ヒドロキシメチル安息香酸、ヒド
ロキシメチルピロン、ヒドロキシナフトエ酸、ヒドロキ
シナフトキノン、ヒドロキシノルボルネンジカルボキシ
イミド、ヒドロキシフェニル酢酸、ヒドロキシフェニル
グリシン、ヒドロキシフタルイミド、ヒドロキシピバリ
ン酸ネオペンチルグリコールエステル、ヒドロキシプロ
ピオフェノン、ヒドロキシステアリン酸、ヒドロキシこ
はく酸イミド、ヒドロキシトルイル酸、ペンタエリスリ
トールジアクリレートモノステアレート若しくはその混
合物等が挙げられる。

【００３０】また、前記モノオール化合物の含有量は、
感光性導体ペースト中の溶液部分に溶出した前記多価金
属のイオンのモル数に対して２倍モル以上であることが
望ましい。その含有量が２倍モル未満であると、ゲル化
を十分に防ぐことが困難になる。なお、溶出した多価金
属イオンのモル数は、遠心分離法や濾過法等によって前
記感光性導体ペースト中の固体部分と溶液部分を分離し
た後、公知の原子吸光法、ＩＣＰ、ＩＣＰ−ＭＳ等の方
法により測定できる。

【００３１】また、前記感光性導体ペースト中に有機溶
剤を含む場合、前記モノオール化合物の占める割合は、
前記モノオール化合物と前記有機溶剤との合計量のうち
１０〜９２重量％であることが望ましい。その割合が１
０重量％以下であると、ゲル化の十分な抑制が難しい。
また、その割合が９２重量％以上であると、感光性導体
ペーストの粘度が極端に低下し、ペーストの塗布性が劣
化することがある。但し、前記モノオール化合物は、感
光性導体ペーストの有機溶剤として使用することも可能
である。

【００３２】次に、本発明の第２の導体パターン形成方
法及び第２のセラミック多層基板の製造方法を説明す
る。

【００３３】本発明の第２の導体パターン形成方法及び
第２のセラミック多層基板の製造方法において、前記ア
ニオン吸着性物質は平均粒径０．０１〜５０μｍの微粒
子であることが望ましい。このような粒径を有する微粒
子であると、アニオン吸着性物質が効率よく有機バイン
ダのアニオンを吸着する。

【００３４】また、前記アニオン吸着性物質は、無機微
粒子や有機微粒子の形態をとるものであってよい。前記
無機微粒子としては、ハイドロキシアパタイト、ハイド
ロタルサイト、リン酸ジルコニウム、含水酸化アンチモ
ン等が好適である。また、前記有機微粒子としては、ア
ニオン交換性樹脂等を用いることができ、例えば、 ジビニルベンゼンと、アクリレート、メタクリレート
又はアクリロニトリルとの共重合体を母体に、１級、２
級、３級又は４級アミノ基をイオン交換基として導入し
たもの、 トリビニルベンゼンと、アクリレート、メタクリレー
ト又はアクリロニトリルとの共重合体を母体に、１級、
２級、３級又は４級アミノ基をイオン交換基として導入
したもの、 トリメチロールプロパントリメタクリル酸エステル
と、アクリレート、メタクリレート又はアクリロニトリ
ルとの共重合体を母体に、１級、２級、３級又は４級ア
ミノ基をイオン交換基として導入したもの、 エチレングリコールジメタクリル酸エステルと、アク
リレート、メタクリレート又はアクリロニトリルとの共
重合体を母体に、１級、２級、３級又は４級アミノ基を
イオン交換基として導入したもの、等が挙げられる。

【００３５】次に、本発明の第３の導体パターン形成方
法及び第３のセラミック多層基板の製造方法を説明す
る。

【００３６】本発明の第３の導体パターン形成方法及び
第３のセラミック多層基板の製造方法において、前記チ
クソ剤の含有量は、感光性導体ペースト全量に比して、
０．００１〜３０重量％、更には０．１〜１０重量％が
望ましい。０．００１重量％未満ではゲル化を十分に抑
制することが困難であり、他方、３０重量％を超える
と、ペーストの粘度が高すぎて使用が困難になる。

【００３７】また、前記チクソ剤としては、一般に「増
粘・ダレ止・沈降防止剤」や「ダレ止・沈降防止剤」、
「顔料湿潤・分散・沈降防止剤」と言われているものを
使用でき、「増粘・ダレ止・沈降防止剤」としては、植
物重合油系、ポリエーテル・エステル型界面活性剤、水
添ひまし油系、水添ひまし油系とアマイド系の混合物、
脂肪酸アマイドワックス系等が挙げられる。また、「ダ
レ止・沈降防止剤」としては、特殊脂肪酸系、硫酸エス
テル型・アニオン系界面活性剤、酸化ポリエチレン系、
酸化ポリエチレン系とアマイド系の混合物等を使用で
き、「顔料湿潤・分散・沈降防止剤」としては、脂肪酸
系多価カルボン酸、高分子ポリエステルのアミン塩、ポ
リエーテル・エステル型アニオン系界面活性剤、高分子
量ポリカルボン酸の長鎖アミン塩、長鎖ポリアミノアマ
イドと高分子酸ポリエステルの塩、長鎖ポリアミノアマ
イドとリン酸の塩、特殊変性ポリアマイド系、リン酸エ
ステル系界面活性剤、高分子ポリエステル酸のアマイド
アミン塩を使用できる。

【００３８】次に、本発明において、前記感光性有機成
分は、公知の光重合性化合物若しくは光変性化合物を用
いることができ、例えば、（１）不飽和基等の反応性官
能基を有するモノマーやオリゴマーと、芳香族カルボニ
ル化合物等の光ラジカル発生剤との混合物、（２）芳香
族ビスアジドとホルムアルデヒドとの縮合体等のいわゆ
るジアゾ樹脂、（３）エポキシ化合物等の付加重合性化
合物とジアリルヨウドニウム塩等の光酸発生剤との混合
物、（４）ナフトキノンジアジド系化合物、等が挙げら
れる。このうち、特に望ましいのは、不飽和基等の反応
性官能基を含有するモノマーやオリゴマーと芳香族カル
ボニル化合物等の光ラジカル発生剤の混合物である。

【００３９】この反応性官能基を含有するモノマー・オ
リゴマーとしては、ヘキサンジオールトリアクリレー
ト、トリプロピレングリコールトリアクリレート、トリ
メチロールプロパントリアクリレート、ステアリルアク
リレート、テトラヒドロフルフリルアクリレート、ラウ
リルアクリレート、２−フェノキシエチルアクリレー
ト、イソデシルアクリレート、イソオクチルアクリレー
ト、トリデシルアクリレート、カプロラクトンアクリレ
ート、エトキシ化ノニルフェノールアクリレート、１，
３−ブタンジオールジアクリレート、１，４−ブタンジ
オールジアクリレート、１，９−ノナンジオールジアク
リレート、ジエチレングリコールジアクリレート、テト
ラエチレングリコールジアクリレート、トリエチレング
リコールジアクリレート、エトキシ化ビスフェノールＡ
ジアクリレート、プロポキシ化ネオペンチルグリコール
ジアクリレート、トリス（２−ヒドロキシエチル）イソ
シアヌレートトリアクリレート、エトキシ化トリメチロ
ールプロパントリアクリレート、ペンタエリスリトール
トリアクリレート、プロポキシ化トリメチロールプロパ
ントリアクリレート、プロポキシ化グリセリルトリアク
リレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、
ジトリメチロールプロパンテトラアクリレート、ジペン
タエリスリトールヒドロキシペンタアクリレート、エト
キシ化ペンタエリスリトールテトラアクリレート、テト
ラヒドロフルフリルメタクリレート、シクロヘキシルメ
タクリレート、イソデシルメタクリレート、ラウリルメ
タクリレート、トリエチレングリコールジメタクリレー
ト、エチレングリコールジメタクリレート、テトラエチ
レングリコールジメタクリレート、１，４−ブタンジオ
ールジメタクリレート、ジエチレングリコールジメタク
リレート、１，６−ヘキサンジオールジメタクリレー
ト、ネオペンチルグリコールジメタクリレート、１，３
−ブチレングリコールジメタクリレート、エトキシ化ビ
スフェノールＡジメタクリレート、トリメチロールプロ
パントリメタクリレート、イソシアヌル酸ＥＯ変性ジア
クリレート、エトキシ化パラクミルフェノールアクリレ
ート、エチルヘキシルカルビトールアクリレート、Ｎ−
ビニル−２−ピロリドン、イソボルニルアクリレート、
ポリプロピレングリコールジアクリレート、ポリエチレ
ングリコールジアクリレート、ジペンタエリスリトール
ペンタアクリレート、ジペンタエチスリトールヘキサア
クリレート等が挙げられる。

【００４０】また、前記光ラジカル発生剤としては、ベ
ンジル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソブ
チルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベン
ゾフェノン、ベンゾイル安息香酸、ベンゾイル安息香酸
メチル、４−ベンゾイル−４'−メチルジフェニルサル
ファイド、ベンジルジメチルケタール、２−ｎ−ブトキ
シ−４−ジメチルアミノベンゾエート、２−クロロチオ
キサントン、２，４−ジエチルチオキサントン、２，４
−ジイソプロピルチオキサントン、イソプロピルチオキ
サントン、２−ジメチルアミノエチルベンゾエート、ｐ
−ジメチルアミノ安息香酸エチル、ｐ−ジメチルアミノ
安息香酸イソアミル、３，３'−ジメチル−４−メトキ
シベンゾフェノン、２，４−ジメチルチオキサントン、
１−（４−ドデシルフェニル）−２−ヒドロキシ−２−
メチルプロパン−１−オン、２，２−ジメトキシ−１，
２−ジフェニルエタン−１−オン、ヒドロキシシクロヘ
キシルフェニルケトン、２−ヒドロキシ−２−メチル−
１−フェニルプロパン−１−オン、１−［４−（２−ヒ
ドロキシエトキシ）−フェニル］−２−ヒドロキシ−２
−メチル−１−プロパン−１−オン、２−メチル−１−
［４−（メチルチオ）フェニル］−２−モルフォリノプ
ロパン−１−オン、メチルベンゾイルフォルメート、１
−フェニル−１，２−プロパンジオン−２−（ｏ−エト
キシカルボニル）オキシム、２−ベンジル−２−ジメチ
ルアミノ−１−（４−モルフォリノフェニル）−１−ブ
タノン、ビス（２，６−ジメトキシベンゾイル）−２，
４，４−トリメチルペンチルフォスフィンオキサイド、
ビス（２，４，６−トリメチルベンゾイル）フェニルフ
ォスフィンオキサイド等が挙げられる。

【００４１】また、本発明において、カルボキシル基等
の酸性官能基を有する前記有機バインダは、側鎖にカル
ボキシル基を有するアクリル系共重合体であってよい。
また、前記多価金属粉末は、銅、アルミニウム、パラジ
ウム、ニッケル及び鉄からなる群より選ばれる少なくと
も１種であってよい。なお、多価金属とは２以上の価数
を有する金属である。

【００４２】一般に、導体ペースト用の導体材料として
は、Ｃｕ、Ａｌ、Ｐｄ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｐｔ、Ａｕ、Ａ
ｇ、Ｍｏ、Ｗ及びこれらの合金等が挙げられる。特に、
感光性導体ペーストに使われる導電性金属粉末のうち、
Ｃｕ、Ａｌ、Ｐｄ、Ｎｉ及びＦｅの多価金属粉末又はそ
の合金は、ペースト中やその塗膜中でそのイオンが溶出
し、プロトンを遊離する性質のあるカルボキシル基等の
酸性官能基を有する有機バインダと反応してゲル化する
が、本発明に従ってゲル化対策を施すと、ゲル化を有効
に抑制でき、支持体上への塗布性、現像処理時の溶解
性、グリーンシートへの転写性等が良好なものとなる。

【００４３】すなわち、前記有機バインダが側鎖にカル
ボキシル基を有するアクリル系共重合体であって、導電
性金属粉末が銅、アルミニウム、パラジウム、ニッケ
ル、鉄等の多価金属粉末であると、イオン架橋による３
次元ネットワークが特に形成され易く、従って、このよ
うな系に前記モノオール化合物、前記アニオン吸着性物
質、又は、前記チクソ剤を添加することによって、その
ゲル化を有意に抑制できる。

【００４４】なお、前記アクリル系共重合体は、不飽和
カルボン酸とエチレン性不飽和化合物とを共重合させる
ことにより製造することができる。その場合の不飽和カ
ルボン酸としては、アクリル酸、メタクリル酸、マレイ
ン酸、フマル酸、ビニル酢酸及びこれらの無水物等が挙
げられる。一方、エチレン性不飽和化合物としては、ア
クリル酸メチル、アクリル酸エチル等のアクリル酸エス
テル、メタクリル酸メチル、メタクリル酸エチル等のメ
タクリル酸エステル、フマル酸モノエチル等のフマル酸
エステル等が挙げられる。また、前記アクリル系共重合
体は、以下のような形態の不飽和結合を導入したものを
使用してもよい。

【００４５】（１）前記アクリル系共重合体の側鎖のカ
ルボキシル基に、これと反応可能な、例えばエポキシ基
等の官能基を有するアクリル系モノマーを付加したも
の。

【００４６】（２）側鎖のカルボキシル基の代わりにエ
ポキシ基が導入されてなる前記アクリル系共重合体に、
不飽和モノカルボン酸を反応させた後、更に飽和又は不
飽和多価カルボン酸無水物を導入したもの。

【００４７】また、前記感光性導体ペーストにおいて
は、必要に応じて、重合禁止剤等の保存安定剤、酸化防
止剤、染料、顔料、消泡剤、界面活性剤も適宜添加でき
る。また、前記有機溶剤は、公知の有機溶剤を使用する
ことができる。

【００４８】次に、本発明による導体パターン形成方法
例を図１を参照に具体的に説明する。

【００４９】まず、図１（Ａ）に示すように、スピンコ
ーター、スクリーン印刷、ドクターブレード法等によ
り、感光性導体ペーストを支持体１上に塗布し、１０分
〜２時間、５０〜１５０℃の温度で乾燥して感光性導体
ペーストによる塗膜２を形成する。

【００５０】次いで、図１（Ｂ）に示すように、支持体
１上の塗膜２に、所望のパターンが描画されたマスク５
を介して、高圧水銀灯等からの活性光線を、２０〜５０
００ｍＪ／ｃｍ²の程度の露光量で照射し、塗膜２を所
定のパターンに露光する。すると、光線の照射された部
分（露光部）３ａ及び３ｂは硬化し、後の現像処理によ
って現像されない領域となる。

【００５１】次いで、図１（Ｃ）に示すように、露光部
３ａ、３ｂ及び未露光部２ａ、２ｂ、２ｃからなる塗膜
に、炭酸ナトリウム水溶液等の汎用のアルカリ水溶液を
スプレーシャワー等によって作用させると、未露光部２
ａ、２ｂ、２ｃが前記アルカリ水溶液に溶け出して（現
像）、支持体１上に導体パターン３ａ、３ｂが形成され
る。

【００５２】次いで、図１（Ｄ）に示すように、支持体
１上の導体パターン３ａ、３ｂを、一般的な熱プレス装
置を用いて１〜２００ＭＰａ、５０〜１５０℃の条件下
で５秒〜５分の時間をかけてセラミックグリーンシート
６上へ熱転写する。

【００５３】次いで、図１（Ｅ）に示すように、セラミ
ックグリーンシート６から支持体１を剥離することによ
り、セラミックグリーンシート６上に微細かつ高精細の
導体パターン３ａ、３ｂが形成される。

【００５４】すなわち、本発明による導体パターン形成
方法によれば、感光性導体ペーストのゲル化を抑制し
て、その支持体上への塗布を円滑に行うことができるの
で、また、乾燥後の塗膜のゲル化を十分に抑制して、露
光処理及び現像処理を安定して実施することができるの
で、任意の基板上に高精度で微細な導体パターンを形成
することができる。

【００５５】なお、転写用の支持体１としては、例え
ば、ポリエステルフィルム、ポリプロピレンフィルム、
ナイロンフィルム等のフィルム状支持体を好適に用いる
ことができる。また、導体パターンの転写性を改善する
ため、フィルム状支持体上にシリコンコート、ワックス
コート、メラミンコート等の離型処理を施してもよい
が、前記感光性導体ペーストは極めて転写性に優れてい
るため、このような離型処理は殆どの場合必要ない。但
し、セラミックグリーンシートに使用されている有機バ
インダの種類等によっては、支持体とセラミックグリー
ンシートとの剥離性が低い場合があるので、そのような
場合は、適宜、公知の表面処理を施すことができる。

【００５６】また、上記例では、導体パターンを形成す
る基板としてセラミックグリーンシートを用いたが、本
発明の導体パターン形成方法はセラミックグリーンシー
トへの導体パターン形成に限定されるものではなく、絶
縁体セラミック層や誘電体セラミック層上への導体パタ
ーン形成、プリント基板上への導体パターン形成等、種
々の用途に適用できる。また、前記感光性導体ペースト
は、ネガ型、ポジ型のいずれであっても構わない。

【００５７】次に、本発明のセラミック多層基板の製造
方法によるセラミック多層基板を図２を参照に説明す
る。

【００５８】図２に示すセラミック多層基板１は、絶縁
体層１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄ、１２ｅ及び１２
ｆと、誘電体層１３ａ及び１３ｂとを積層してなる多層
回路基板である。また、セラミック多層基板１１の内部
には、内層導体パターン１５やバイアホール１６によっ
て、コンデンサパターン、コイルパターン、ストリップ
ライン等が形成されている。さらに、セラミック多層基
板１１の一方主面上には、チップコンデンサ等のチップ
部品２０、厚膜抵抗体２１、半導体ＩＣ２２等が設けら
れており、表層導体パターン１７や内層導体パターン１
５等にそれぞれ接続されている。

【００５９】このセラミック多層基板１１は例えば次の
ような手順で作製できる。

【００６０】まず、ガラス粉末、セラミック粉末及び有
機ビヒクルを混合して、絶縁体セラミックグリーンシー
ト用スラリーを調製する。また、同様にして、誘電体セ
ラミックグリーンシート用スラリーを調製する。次い
で、得られた各スラリーをドクターブレード法等によっ
てシート状に成形し、５０〜１５０℃の温度で乾燥させ
て、絶縁体セラミックグリーンシート及び誘電体セラミ
ックグリーンシートを作製する。

【００６１】そして、得られた各セラミックグリーンシ
ート上に、コンデンサパターンやコイルパターン等とな
る導体パターンを形成する。また、各グリーンシートに
は、必要に応じてバイアホールを作製する。ここで、導
体パターンは、図１に示した本発明の導体パターン形成
方法に準じて形成する。

【００６２】次いで、導体パターンやバイアホールが形
成されたセラミックグリーンシートを積み重ね、圧着し
た後、所定温度にて焼成する。さらに、同様に、本発明
の導体パターン形成方法を適用して表層導体パターンを
形成した後、チップ部品２０、半導体ＩＣ２２を搭載
し、厚膜抵抗体２１を印刷する。

【００６３】すなわち、本発明のセラミック多層基板の
製造方法によれば、感光性導体ペーストのゲル化を抑制
して、その支持体上への塗布を円滑に行うことができる
ので、また、乾燥後の塗膜のゲル化を十分に抑制して、
露光処理及び現像処理を安定して実施することができる
ので、セラミックグリーンシートの基板上に高精度で微
細な導体パターンを形成できる。ひいては、高速信号
化、高密度配線化に十分に対応したセラミック多層基板
が得られる。

【００６４】なお、前記セラミック多層基板は、チップ
インダクタ、チップ積層コンデンサ等の高周波チップ電
子部品用多層基板であってもよいし、ＰＬＬモジュール
や電圧制御発振器等の高周波モジュール用多層基板、或
いは、ハイブリッドＩＣ用多層基板であってもよい。

【００６５】

【実施例】以下、本発明を実施例に従い説明する。

【００６６】実施例１ 以下の組成のものを混合後、３本ロールミルによる混練
を行い、感光性導体ペーストとした。

【００６７】＜有機バインダ＞ メタクリル酸／メタクリル酸メチルの共重合割合が重量
基準で２５／７５の共重合体（重量平均分子量＝５０，
０００）：２．０ｇ ＜導体材料＞ 銅粉：９．０ｇ ＜反応性官能基含有モノマー＞ トリメチロールプロパントリアクリレート：１．０ｇ ＜光重合開始剤＞ ２−メチル−１−［４−（メチルチオ）フェニル］−２
−モルフォリノプロパン−１−オン：０．４ｇ ２，４−ジエチルチオキサントン：０．１ｇ ＜有機溶剤＞ エチルカルビトールアセテート：４．０ｇ ＜モノオール化合物＞ ジプロピレングリコールモノメチルエーテル：４．０ｇ 次いで、作製した感光性導体ペーストをポリエステルフ
ィルム上にスピンコーターによって塗布し、その後、５
０℃にて１時間乾燥して２０μｍ厚みの塗膜を形成し
た。次いで、この塗膜にライン／スペース（Ｌ／Ｓ）＝
２０／２０（μｍ）のパターンが描画されたマスクを通
して、高圧水銀灯の光線を２５０ｍＪ／ｃｍ²の露光量
で照射した。引き続いて、炭酸ナトリウム水溶液によっ
て現像処理を行い、ポリエステルフィルム上にＬ／Ｓ＝
２０／２０（μｍ）の導体パターンを作製した。そし
て、これを２００時間放置した後、ポリエステルフィル
ムをセラミックグリーンシートと重ね合わせ、１０ＭＰ
ａ、６０℃の条件下で１分間熱プレスを行った後、ポリ
エステルフィルムを剥離して、導体パターンをセラミッ
クグリーンシート上へ熱転写した。その後、これを脱脂
処理した後、９００℃下、空気中で焼成してＬ／Ｓ＝１
５／２０（μｍ）、厚み８μｍの導体パターンを得た。

【００６８】実施例２ ジプロピレングリコールモノメチルエーテルの代わりに
１−ヘプチルアルコールを用いた以外は実施例１と同様
にして、感光性導体ペーストを作製した。また、得られ
た感光性導体ペーストを用い、実施例１と同様にして、
セラミックグリーンシートに導体パターンを形成した。

【００６９】実施例３ ジプロピレングリコールモノメチルエーテルの代わりに
２−オクチルアルコールを用いた以外は実施例１と同様
にして、感光性導体ペーストを作製した。また、得られ
た感光性導体ペーストを用い、実施例１と同様にして、
セラミックグリーンシートに導体パターンを形成した。

【００７０】実施例４ ジプロピレングリコールモノメチルエーテルの代わりに
乳酸ブチルを用いた以外は実施例１と同様にして、感光
性導体ペーストを作製した。また、得られた感光性導体
ペーストを用い、実施例１と同様にして、セラミックグ
リーンシートに導体パターンを形成した。

【００７１】比較例１ ジプロピレングリコールモノメチルエーテルの代わりに
３−メトキシ−３−メチル−ブタノールを用いた以外は
実施例１と同様にして、感光性導体ペーストを作製し
た。また、得られた感光性導体ペーストを用い、実施例
１と同様にして、セラミックグリーンシートへの導体パ
ターン形成を試みた。

【００７２】比較例２ ジプロピレングリコールモノメチルエーテルの代わりに
４−メチルシクロヘキサノールを用いた以外は実施例１
と同様にして、感光性導体ペーストを作製した。また、
得られた感光性導体ペーストを用い、実施例１と同様に
して、セラミックグリーンシートへの導体パターン形成
を試みた。

【００７３】上述した実施例１〜４、比較例１〜２によ
る導体パターンについて、そのセラミックグリーンシー
トへの転写率を測定した。その測定結果を下記表１に示
す。また、表１には、各モノオール化合物の沸点を併せ
て記載した。なお、転写率とは、転写前のポリエステル
フィルム上の導体パターン面積に対する転写後のセラミ
ックグリーンシート上の導体パターン面積の割合を示す
ものである。すなわち、転写率が小さいものは、ポリエ
ステルフィルム上に導体パターンが残ってしまったこと
を意味する。

【００７４】

【表１】

【００７５】表１から、実施例１〜４のように、沸点１
７８℃以上のモノオール化合物を含む感光性導体ペース
トを用いた場合、導体パターンの転写率が極めて高かっ
たことが分かる。これは、上述した転写法によって、セ
ラミックグリーンシート上に高精度かつ微細な導体パタ
ーンを形成できたことを意味する。これに対して、比較
例１〜２のように、沸点１７８℃未満のモノオール化合
物を用いた場合、セラミックグリーンシートへの転写率
が極めて低かった。これは、ポリエステルフィルム上で
塗膜或いは導体パターンがゲル化してしまったことによ
るものと思われる。

【００７６】また、実施例１の感光性導体ペーストを２
０℃下、空気中にて所定期間保管し、その保存安定性を
評価した。その結果、実施例１の感光性導体ペースト
は、作製直後、１日後、３日後、１週間後、１ヶ月後の
各時点でゲル化しておらず、いずれの時点においても、
ポリエステルフィルム上へのスピンコーターによる塗
布、並びに、フォトリソグラフィ法による導体パターン
形成を良好に行うことができた。

【００７７】実施例５ 以下の組成のものを混合後、３本ロールミルによる混練
を行い、感光性導体ペーストとした。

【００７８】＜有機バインダ＞ メタクリル酸／メタクリル酸メチルの共重合割合が重量
基準で２５／７５の共重合体（重量平均分子量＝５０，
０００）：２．０ｇ ＜アニオン吸着性微粒子＞ ハイドロキシアパタイト（平均粒径５μｍ）：０．１ｇ ＜導体材料＞ 銅粉：９．０ｇ ＜反応性官能基含有モノマー＞ トリメチロールプロパントリアクリレート：１．０ｇ ＜光重合開始剤＞ ２−メチル−１−［４−（メチルチオ）フェニル］−２
−モルフォリノプロパン−１−オン：０．４ｇ ２，４−ジエチルチオキサントン：０．１ｇ ＜有機溶剤＞ エチルカルビトールアセテート：４．０ｇ プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート：
１．０ｇ 次いで、作製した感光性導体ペーストをポリエステルフ
ィルム上にスピンコーターによって塗布し、その後、５
０℃にて１時間乾燥して２０μｍ厚みの塗膜を形成し
た。そして、この塗膜にライン／スペース（Ｌ／Ｓ）＝
２０／２０（μｍ）のパターンが描画されたマスクを通
して、高圧水銀灯の光線を２５０ｍＪ／ｃｍ²の露光量
で照射した。引き続いて、炭酸ナトリウム水溶液によっ
て現像して、ポリエステルフィルム上にＬ／Ｓ＝２０／
２０（μｍ）の導体パターンを作製した。次いで、これ
を２００時間放置した後、ポリエステルフィルムをセラ
ミックグリーンシートと重ね合わせ、１０ＭＰａ、６０
℃の条件下で１分間熱プレスを行った後、ポリエステル
フィルムを剥離して、導体パターンをセラミックグリー
ンシート上へ熱転写した。これを脱脂後、９００℃下、
空気中で焼成し、Ｌ／Ｓ＝１５／２０（μｍ）、厚み８
μｍの導体パターンを得た。

【００７９】実施例６ ハイドロキシアパタイトの代わりにチクソ剤（ディスパ
ロン３０５、楠本化成社製：水添ひまし油系）０．１ｇ
を添加した以外は実施例５と同様にして、感光性導体ペ
ーストを作製した。また、得られた感光性導体ペースト
を用い、実施例５と同様にして、セラミックグリーンシ
ート上に導体パターンを形成した。

【００８０】比較例３ ハイドロキシアパタイトを添加しない以外は実施例５と
同様にして、感光性導体ペーストを作製した。また、得
られた感光性導体ペーストを用い、実施例５と同様にし
て、セラミックグリーンシートへの導体パターン形成を
試みた。

【００８１】比較例４ ハイドロキシアパタイトの代わりにリン酸０．１ｇを用
いた以外は実施例５と同様にして、感光性導体ペースト
を作製した。また、得られた感光性導体ペーストを用
い、実施例５と同様にして、セラミックグリーンシート
への導体パターン形成を試みた。

【００８２】比較例５ ハイドロキシアパタイトの代わりにベンゾトリアゾール
０．０２ｇを用いた以外は実施例５と同様にして、感光
性導体ペーストを作製した。また、得られた感光性導体
ペーストを用い、実施例５と同様にして、セラミックグ
リーンシートへの導体パターン形成を試みた。

【００８３】上述した実施例５〜６、比較例３〜５によ
る導体パターンについて、そのセラミックグリーンシー
トへの転写率を測定した。その測定結果を下記表２に示
す。

【００８４】

【表２】

【００８５】表２から、実施例５のように、アニオン吸
着性物質としてハイドロキシアパタイトを含む感光性導
体ペーストを用いた場合、セラミックグリーンシートへ
の導体パターンの転写率が極めて高かったことが分か
る。また、実施例６のように、チクソ剤を用いた感光性
導体ペーストを用いた場合も、セラミックグリーンシー
トへの導体パターンの転写率が極めて高かった。これ
は、上述した転写法によって、セラミックグリーンシー
ト上に高精度かつ微細な導体パターンを形成できたこと
を意味する。これに対して、比較例３〜５による導体パ
ターンは、セラミックグリーンシートへの転写率が極め
て低かった。これは、ポリエステルフィルム上で塗膜が
ゲル化してしまったことによるものと思われる。

【００８６】また、実施例５及び実施例６による感光性
導体ペーストを２０℃下、空気中にて所定期間保存し、
その保存安定性を評価した。その結果、実施例５及び実
施例６による感光性導体ペーストは、作製直後、１日
後、３日後、１週間後、１ヶ月後の各時点でゲル化して
おらず、いずれの時点においても、ポリエステルフィル
ム上へのスピンコーターによる塗布、並びに、フォトリ
ソグラフィ法による導体パターン形成を良好に行うこと
ができた。また、同様にして、比較例３による感光性導
体ペーストの保存安定性を評価したが、この感光性導体
ペーストは２４時間後にはゲル化しており、ポリエステ
ルフィルム上への導体パターンの形成を行うことができ
なかった。

【００８７】以上のように、いわゆる転写法において、
感光性導体ペーストに上述したようなゲル化対策を施す
ことによって、セラミックグリーンシート上に微細かつ
高精度の導体パターンを極めて良好に形成できた。

【００８８】

【発明の効果】本発明の導体パターンの形成方法によれ
ば、感光性導体ペースト中に、沸点１７８℃以上のモノ
オール化合物、ハイドロキシアパタイト等のアニオン吸
着性物質又はチクソ剤を含有しているので、感光性導体
ペーストのゲル化、並びに、乾燥後の塗膜のゲル化を十
分に抑制して、高精度に微細な導体パターンを形成する
ことができる。

【００８９】また、本発明のセラミック多層基板の製造
方法によれば、感光性導体ペースト中に、沸点１７８℃
以上のモノオール化合物、ハイドロキシアパタイト等の
アニオン吸着性物質又はチクソ剤を含有しているので、
感光性導体ペーストのゲル化、並びに、乾燥後の塗膜の
ゲル化を十分に抑制して、セラミックグリーンシート上
に高精度に微細な導体パターンを形成することができ、
ひいては、高速信号化、高密度配線化に十分に対応した
セラミック多層基板が得られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明による導体パターン形成方法の一例を示
す概略断面図である。

【図２】本発明によるセラミック多層基板の概略断面図
である。

【符号の説明】

１…支持体 ２…塗膜 ２ａ、２ｂ、２ｃ…未露光部 ３ａ、３ｂ…露光部 ５…マスク ６…セラミックグリーンシート

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 5E343 AA23 BB22 BB24 BB28 BB43 BB44 BB48 BB52 BB55 BB72 BB76 DD01 DD56 EE42 EE52 ER32 GG08

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 酸性官能基を有する有機バインダ、感光
   性有機成分、多価金属粉末、並びに、沸点１７８℃以上
   のモノオール化合物からなる感光性導体ペーストを支持
   体上に塗布する工程と、 前記感光性導体ペーストを露光、現像して所定の導体パ
   ターンを形成する工程と、 前記支持体上に形成された前記導体パターンを基板上に
   転写する工程と、を有することを特徴とする、導体パタ
   ーンの形成方法。
2. 【請求項２】 酸性官能基を有する有機バインダ、感光
   性有機成分、多価金属粉末、並びに、前記有機バインダ
   のアニオンを吸着する性質を有するアニオン吸着性物質
   からなる感光性導体ペーストを支持体上に塗布する工程
   と、 前記感光性導体ペーストを露光、現像して所定の導体パ
   ターンを形成する工程と、 前記支持体上に形成された前記導体パターンを基板上に
   転写する工程と、を有することを特徴とする、導体パタ
   ーンの形成方法。
3. 【請求項３】 酸性官能基を有する有機バインダ、感光
   性有機成分、多価金属粉末、並びに、チクソ剤からなる
   感光性導体ペーストを支持体上に塗布する工程と、 前記感光性導体ペーストを露光、現像して所定の導体パ
   ターンを形成する工程と、 前記支持体上に形成された前記導体パターンを基板上に
   転写する工程と、を有することを特徴とする、導体パタ
   ーンの形成方法。
4. 【請求項４】 前記多価金属粉末は、銅、アルミニウ
   ム、パラジウム、ニッケル、及び鉄からなる群より選ば
   れる少なくとも1種の金属粉末又は合金粉末であること
   を特徴とする、請求項１乃至３のいずれかに記載の導体
   パターンの形成方法。
5. 【請求項５】 酸性官能基を有する有機バインダ、感光
   性有機成分、多価金属粉末、並びに、沸点１７８℃以上
   のモノオール化合物からなる感光性導体ペーストを支持
   体上に塗布する工程と、 前記感光性導体ペーストを露光、現像して所定の導体パ
   ターンを形成する工程と、 前記支持体上に形成された前記導体パターンをセラミッ
   クグリーンシート上に転写する工程と、 前記導体パターンの設けられたセラミックグリーンシー
   トを積層、焼成する工程と、を有することを特徴とす
   る、セラミック多層基板の製造方法。
6. 【請求項６】 酸性官能基を有する有機バインダ、感光
   性有機成分、多価金属粉末、並びに、前記有機バインダ
   のアニオンを吸着する性質を有するアニオン吸着性物質
   からなる感光性導体ペーストを支持体上に塗布する工程
   と、 前記感光性導体ペーストを露光、現像して所定の導体パ
   ターンを形成する工程と、 前記支持体上に形成された前記導体パターンをセラミッ
   クグリーンシート上に転写する工程と、 前記導体パターンの設けられたセラミックグリーンシー
   トを積層、焼成する工程と、を有することを特徴とす
   る、セラミック多層基板の製造方法。
7. 【請求項７】 酸性官能基を有する有機バインダ、感光
   性有機成分、多価金属粉末、並びに、チクソ剤からなる
   感光性導体ペーストを支持体上に塗布する工程と、 前記感光性導体ペーストを露光、現像して所定の導体パ
   ターンを形成する工程と、 前記支持体上に形成された前記導体パターンをセラミッ
   クグリーンシート上に転写する工程と、 前記導体パターンの設けられたセラミックグリーンシー
   トを積層、焼成する工程と、 を有することを特徴とする、セラミック多層基板の製造
   方法。
8. 【請求項８】 前記多価金属粉末は、銅、アルミニウ
   ム、パラジウム、ニッケル、及び鉄からなる群より選ば
   れる少なくとも1種の金属粉末又は合金粉末であること
   を特徴とする、請求項５乃至７のいずれかに記載のセラ
   ミック多層基板の製造方法。