JP2000277529A - バイポーラトランジスタの作製方法 - Google Patents
バイポーラトランジスタの作製方法Info
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- JP2000277529A JP2000277529A JP11077249A JP7724999A JP2000277529A JP 2000277529 A JP2000277529 A JP 2000277529A JP 11077249 A JP11077249 A JP 11077249A JP 7724999 A JP7724999 A JP 7724999A JP 2000277529 A JP2000277529 A JP 2000277529A
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 ベースと引き出し電極との間の電気抵抗が小
さいベース構造を備えたバイポーラトランジスタを作製
する方法を提供する。 【解決手段】 下地層４０上に第１の絶縁膜４２、ポリ
シリコン膜４４及び第２の絶縁膜４６を成膜する成膜工
程と、第１の絶縁膜を露出させる第１の開口部４８を形
成する第１の開口工程と、ポリシリコン膜を窒化して、
第１の開口部の開口側壁にシリコン窒化膜５０を成膜す
る窒化工程と、第１の絶縁膜をエッチングして下地層を
露出させる第２の開口部を形成すると共にポリシリコン
膜下の第１の絶縁膜をエッチングして第２の開口部に連
通するアンダーカット部を形成する第２の開口工程と、
成膜工程、第１の開口工程、窒化工程及び第２の開口工
程を経た基板に高真空熱処理を施す熱処理工程と、エピ
タキシャル成長層を選択成長させて、少なくともアンダ
ーカット部および第２の開口部を埋め込み、第１の開口
部の底部にベース層を形成する選択成長工程とを備え
る。
さいベース構造を備えたバイポーラトランジスタを作製
する方法を提供する。 【解決手段】 下地層４０上に第１の絶縁膜４２、ポリ
シリコン膜４４及び第２の絶縁膜４６を成膜する成膜工
程と、第１の絶縁膜を露出させる第１の開口部４８を形
成する第１の開口工程と、ポリシリコン膜を窒化して、
第１の開口部の開口側壁にシリコン窒化膜５０を成膜す
る窒化工程と、第１の絶縁膜をエッチングして下地層を
露出させる第２の開口部を形成すると共にポリシリコン
膜下の第１の絶縁膜をエッチングして第２の開口部に連
通するアンダーカット部を形成する第２の開口工程と、
成膜工程、第１の開口工程、窒化工程及び第２の開口工
程を経た基板に高真空熱処理を施す熱処理工程と、エピ
タキシャル成長層を選択成長させて、少なくともアンダ
ーカット部および第２の開口部を埋め込み、第１の開口
部の底部にベース層を形成する選択成長工程とを備え
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、バイポーラトラン
ジスタの作製方法に関し、特にＳｉまたＳｉＧｅベース
のバイポーラトランジスタの作製方法に関するものであ
る。
ジスタの作製方法に関し、特にＳｉまたＳｉＧｅベース
のバイポーラトランジスタの作製方法に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】バイポーラトランジスタの最高遮断周波
数をより高くして高周波特性を向上させるために、バン
ドギャップの小さいシリコン・ゲルマニウム（ＳｉX Ｇ
ｅ Y）混晶をベースにした、シリコン系のナローベース
型ヘテロ接合バイポーラトランジスタが、注目されてい
る。
数をより高くして高周波特性を向上させるために、バン
ドギャップの小さいシリコン・ゲルマニウム（ＳｉX Ｇ
ｅ Y）混晶をベースにした、シリコン系のナローベース
型ヘテロ接合バイポーラトランジスタが、注目されてい
る。
【０００３】ここで、図５を参照して、従来のＳｉＧｅ
ベース型バイポーラトランジスタの構成を説明する。図
５は従来のＳｉＧｅベース型バイポーラトランジスタの
ＳｉＧｅベースの構成を示す断面図である（特開平１０
−２６１６５０号公報参照）。ＳｉＧｅベース型バイポ
ーラトランジスタの要部３０は、図５に示すように、ｎ
型エピタキシャル成長層１０上に、ＳｉＧｅベース層３
２と、ベース層３２の引き出し電極として設けられたｐ
型ポリシリコン膜１２と、ベース層３２の一部上層に形
成されているｎ型エミッタ領域（図示せず）と、エミッ
タ領域に接したｎ型ポリシリコン膜２２からなるエミッ
タ引き出し電極とを備えている。尚、コレクタ（図示せ
ず）は、エピタキシャル成長層１０の一部に形成されて
いる。
ベース型バイポーラトランジスタの構成を説明する。図
５は従来のＳｉＧｅベース型バイポーラトランジスタの
ＳｉＧｅベースの構成を示す断面図である（特開平１０
−２６１６５０号公報参照）。ＳｉＧｅベース型バイポ
ーラトランジスタの要部３０は、図５に示すように、ｎ
型エピタキシャル成長層１０上に、ＳｉＧｅベース層３
２と、ベース層３２の引き出し電極として設けられたｐ
型ポリシリコン膜１２と、ベース層３２の一部上層に形
成されているｎ型エミッタ領域（図示せず）と、エミッ
タ領域に接したｎ型ポリシリコン膜２２からなるエミッ
タ引き出し電極とを備えている。尚、コレクタ（図示せ
ず）は、エピタキシャル成長層１０の一部に形成されて
いる。
【０００４】ＳｉＧｅベース３２は、ｎ型エピタキシャ
ル成長層１０上に形成され、ＳｉＧｅベース層３２の周
囲は、エピタキシャル成長層１０上に形成された酸化膜
１１によって取り囲まれており、酸化膜１１に近い周縁
部上面でポリシリコン膜１２と接している。ＳｉＧｅベ
ース３２は、ＳｉＧｅ結晶層１６と、ＳｉＧｅ微結晶層
１７とから構成され、周縁部ではエピタキシャル成長層
１０とポリシリコン膜１２とによって挟まれたサンドイ
ッチ構造になっている。ポリシリコン膜１２上には、窒
化膜１３が形成されている。ポリシリコン膜１２と窒化
膜１３を貫通して開口した開口部１４には、窒化膜から
なるサイドウォール１５、更にその周囲に酸化膜からな
るサイドウォール２１が形成され、ゲートの引き出し電
極１２とエミッタの引き出し電極２２とを電気的に絶縁
している。
ル成長層１０上に形成され、ＳｉＧｅベース層３２の周
囲は、エピタキシャル成長層１０上に形成された酸化膜
１１によって取り囲まれており、酸化膜１１に近い周縁
部上面でポリシリコン膜１２と接している。ＳｉＧｅベ
ース３２は、ＳｉＧｅ結晶層１６と、ＳｉＧｅ微結晶層
１７とから構成され、周縁部ではエピタキシャル成長層
１０とポリシリコン膜１２とによって挟まれたサンドイ
ッチ構造になっている。ポリシリコン膜１２上には、窒
化膜１３が形成されている。ポリシリコン膜１２と窒化
膜１３を貫通して開口した開口部１４には、窒化膜から
なるサイドウォール１５、更にその周囲に酸化膜からな
るサイドウォール２１が形成され、ゲートの引き出し電
極１２とエミッタの引き出し電極２２とを電気的に絶縁
している。
【０００５】次いで、図６及び図７を参照して、上述し
た従来のＳｉＧｅベース型バイポーラトランジスタの製
造方法を説明する。図６（ａ）から（ｃ）及び図７
（ｄ）と（ｅ）は、それぞれ、従来のＳｉＧｅベース型
バイポーラトランジスタを製造する際の工程毎の基板断
面図である。
た従来のＳｉＧｅベース型バイポーラトランジスタの製
造方法を説明する。図６（ａ）から（ｃ）及び図７
（ｄ）と（ｅ）は、それぞれ、従来のＳｉＧｅベース型
バイポーラトランジスタを製造する際の工程毎の基板断
面図である。
【０００６】先ず、図６（ａ）に示すように、ｎ型エピ
タキシャル層１０上に酸化膜１１、ｐ型不純物を含んだ
ポリシリコン膜１２、及び窒化膜１３を順にＣＶＤ法に
て成膜する。次いで、窒化膜１３とポリシリコン膜１２
とのトランジスタ形成領域をドライエッチングして、開
口部１４を開口する。更に、開口部１４の側壁にＣＶＤ
法にて窒化膜からなるサイドウォール１５を形成する。
次いで、図６（ｂ）に示すように、窒化膜１３及びサイ
ドウォール１５をマスクにして、開口部１４の底部に露
出する窒化膜１３をエッチングし、更にサイドウォール
１５及びポリシリコン膜１２下の酸化膜１１をウェット
エッチングしてアンダーカット部１１Ａを形成する。次
に、ＭＢＥ法、超真空ＣＶＤ法、減圧ＣＶＤ法等を使っ
た選択成長法によって、図６（ｃ）に示すように、開口
部１４及びアンダーカット部１１Ａ内のｎ型エピタキシ
ャル層１０上にｐ型ＳｉＧｅ層をエピタキシャル成長さ
せる。このとき、ｎ型エピタキシャル層１０上にはＳｉ
Ｇｅ結晶層１６が形成され、ポリシリコン膜１２面には
ＳｉＧｅ多結晶層１７が形成される。
タキシャル層１０上に酸化膜１１、ｐ型不純物を含んだ
ポリシリコン膜１２、及び窒化膜１３を順にＣＶＤ法に
て成膜する。次いで、窒化膜１３とポリシリコン膜１２
とのトランジスタ形成領域をドライエッチングして、開
口部１４を開口する。更に、開口部１４の側壁にＣＶＤ
法にて窒化膜からなるサイドウォール１５を形成する。
次いで、図６（ｂ）に示すように、窒化膜１３及びサイ
ドウォール１５をマスクにして、開口部１４の底部に露
出する窒化膜１３をエッチングし、更にサイドウォール
１５及びポリシリコン膜１２下の酸化膜１１をウェット
エッチングしてアンダーカット部１１Ａを形成する。次
に、ＭＢＥ法、超真空ＣＶＤ法、減圧ＣＶＤ法等を使っ
た選択成長法によって、図６（ｃ）に示すように、開口
部１４及びアンダーカット部１１Ａ内のｎ型エピタキシ
ャル層１０上にｐ型ＳｉＧｅ層をエピタキシャル成長さ
せる。このとき、ｎ型エピタキシャル層１０上にはＳｉ
Ｇｅ結晶層１６が形成され、ポリシリコン膜１２面には
ＳｉＧｅ多結晶層１７が形成される。
【０００７】更に、アンダーカット部１１Ａを埋め込む
ように、ＳｉＧｅのエピタキシャル成長を進めて、図７
（ｄ）に示すように、ＳｉＧｅ結晶層１６と、ＳｉＧｅ
微結晶層１７とを接続させる。ベース・ベース引出し電
極の抵抗は、１００Ωの値を得ている。次いで、図７
（ｅ）に示すように、開口部１４のサイドウォール１５
の周りに絶縁膜からなるサイドウォール２１を形成し、
更にｎ+ 型ポリシリコン層２２を形成して、開口部１４
を埋め込む。次いで、ｎ+ 型ポリシリコン層２２からｎ
型不純物をＳｉＧｅ結晶層１６に熱拡散させ、ＳｉＧｅ
結晶層１６の上層にｎ+ エミッタ領域（図示せず）を形
成することにより、図５に示すバイポーラトランジスタ
の要部３０を作製することができる。
ように、ＳｉＧｅのエピタキシャル成長を進めて、図７
（ｄ）に示すように、ＳｉＧｅ結晶層１６と、ＳｉＧｅ
微結晶層１７とを接続させる。ベース・ベース引出し電
極の抵抗は、１００Ωの値を得ている。次いで、図７
（ｅ）に示すように、開口部１４のサイドウォール１５
の周りに絶縁膜からなるサイドウォール２１を形成し、
更にｎ+ 型ポリシリコン層２２を形成して、開口部１４
を埋め込む。次いで、ｎ+ 型ポリシリコン層２２からｎ
型不純物をＳｉＧｅ結晶層１６に熱拡散させ、ＳｉＧｅ
結晶層１６の上層にｎ+ エミッタ領域（図示せず）を形
成することにより、図５に示すバイポーラトランジスタ
の要部３０を作製することができる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上述した従来
のＳｉＧｅベース型バイポーラトランジスタでは、製作
工程でのＳｉＮサイドウォール形成において、ＳｉＮ膜
のＣＶＤ工程とドライエッチング工程が必要であり、工
程が複雑であった。更に、ＳｉＮ膜のドライエッチング
工程でＳｉＮ膜と酸化膜（ＳｉＯ2 膜）の選択化がない
ので、酸化膜もエッチングされて、基板にダメージがは
いってしまう。その後、成長したベースのエピタキシャ
ル成長層に欠陥が入ってしまい、素子特性を悪くすると
いう問題があった。本発明の目的は、ＳｉＮサイドウォ
ール膜を簡略化された方法で形成するとともに基板にダ
メージの入らない、（ドライエッチング工程が不要な）
バイポーラトランジスタの作製方法を提供することにあ
る。
のＳｉＧｅベース型バイポーラトランジスタでは、製作
工程でのＳｉＮサイドウォール形成において、ＳｉＮ膜
のＣＶＤ工程とドライエッチング工程が必要であり、工
程が複雑であった。更に、ＳｉＮ膜のドライエッチング
工程でＳｉＮ膜と酸化膜（ＳｉＯ2 膜）の選択化がない
ので、酸化膜もエッチングされて、基板にダメージがは
いってしまう。その後、成長したベースのエピタキシャ
ル成長層に欠陥が入ってしまい、素子特性を悪くすると
いう問題があった。本発明の目的は、ＳｉＮサイドウォ
ール膜を簡略化された方法で形成するとともに基板にダ
メージの入らない、（ドライエッチング工程が不要な）
バイポーラトランジスタの作製方法を提供することにあ
る。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明に係る、バイポーラトランジスタのベース形
成方法は、バイポーラトランジスタを形成する方法であ
って、基板上にベースを形成する際、下地層上に、順
次、第１の絶縁膜、ポリシリコン膜及び第２の絶縁膜を
成膜する成膜工程と、第２の絶縁膜及びポリシリコン膜
をエッチングして、第１の絶縁膜を露出させる第１の開
口部を形成する第１の開口工程と、第１の開口部の開口
側壁にシリコン窒化膜を成膜する窒化膜成膜工程と、第
１の絶縁膜を等方エッチング、例えばフッ酸のウェット
エッチング等を行って下地層を露出させる第２の開口部
を形成すると共にポリシリコン膜下の第１の絶縁膜をエ
ッチングして第２の開口部に連通するアンダーカット部
を形成する第２の開口工程と、成膜工程、第１の開口工
程、窒化膜成膜工程及び第２の開口工程を経た基板に熱
処理を施す熱処理工程と、次いで、エピタキシャル成長
層を選択成長させて、少なくともアンダーカット部およ
び第２の開口部を埋め込み、第１の開口部の底部にベー
ス層を形成する選択成長工程とを備えることを特徴とし
ている。
に、本発明に係る、バイポーラトランジスタのベース形
成方法は、バイポーラトランジスタを形成する方法であ
って、基板上にベースを形成する際、下地層上に、順
次、第１の絶縁膜、ポリシリコン膜及び第２の絶縁膜を
成膜する成膜工程と、第２の絶縁膜及びポリシリコン膜
をエッチングして、第１の絶縁膜を露出させる第１の開
口部を形成する第１の開口工程と、第１の開口部の開口
側壁にシリコン窒化膜を成膜する窒化膜成膜工程と、第
１の絶縁膜を等方エッチング、例えばフッ酸のウェット
エッチング等を行って下地層を露出させる第２の開口部
を形成すると共にポリシリコン膜下の第１の絶縁膜をエ
ッチングして第２の開口部に連通するアンダーカット部
を形成する第２の開口工程と、成膜工程、第１の開口工
程、窒化膜成膜工程及び第２の開口工程を経た基板に熱
処理を施す熱処理工程と、次いで、エピタキシャル成長
層を選択成長させて、少なくともアンダーカット部およ
び第２の開口部を埋め込み、第１の開口部の底部にベー
ス層を形成する選択成長工程とを備えることを特徴とし
ている。
【００１０】好適には、熱処理工程では、高真空下で熱
処理を行う。また、別法として、熱処理工程では、１To
rr以上３００Torr以下の水素雰囲気下で熱処理を行う。
また、窒化膜成膜工程で成膜するシリコン窒化膜の成膜
方法には制約はないが、本発明方法の好適な実施態様の
窒化膜成膜工程では、アンモニア雰囲気内で熱処理をポ
リシリコン膜に施して、シリコン窒化膜を形成する。更
に好適には、窒化膜成膜工程では、８００℃以上１１０
０℃以下の範囲の温度で３０秒以上１８０秒以下の範囲
の時間、ＲＴＮ処理を行う。本発明方法では、成膜工
程、第１の開口工程、窒化膜成膜工程及び第２の開口工
程を経た基板に熱処理を施して、開口部内に露出したポ
リシリコン膜及び下地層に生成した自然酸化膜を除去
し、ベースを形成しているので、ベースとポリシリコン
膜のアンダーカット部とが良好に接続できるので、ベー
スとベース引き出し電極との間の電気抵抗が低い。成膜
工程では、第１の絶縁膜としてシリコン酸化膜、第２の
絶縁膜としてシリコン窒化膜を成膜する。また、本発明
方法の下地層には、制約はなく、例えば単結晶シリコン
基板、ＧａＡs 基板、ＩｎＰ基板等の化合物半導体基
板、シリコン・エピタキシャル成長層のいずれかを使用
する。選択成長工程では、エピタキシャル成長層として
導電性のエピタキシャル成長層である限り制約はなく、
例えばＳｉＧｅ層又はシリコン・エピタキシャル成長層
を形成する。
処理を行う。また、別法として、熱処理工程では、１To
rr以上３００Torr以下の水素雰囲気下で熱処理を行う。
また、窒化膜成膜工程で成膜するシリコン窒化膜の成膜
方法には制約はないが、本発明方法の好適な実施態様の
窒化膜成膜工程では、アンモニア雰囲気内で熱処理をポ
リシリコン膜に施して、シリコン窒化膜を形成する。更
に好適には、窒化膜成膜工程では、８００℃以上１１０
０℃以下の範囲の温度で３０秒以上１８０秒以下の範囲
の時間、ＲＴＮ処理を行う。本発明方法では、成膜工
程、第１の開口工程、窒化膜成膜工程及び第２の開口工
程を経た基板に熱処理を施して、開口部内に露出したポ
リシリコン膜及び下地層に生成した自然酸化膜を除去
し、ベースを形成しているので、ベースとポリシリコン
膜のアンダーカット部とが良好に接続できるので、ベー
スとベース引き出し電極との間の電気抵抗が低い。成膜
工程では、第１の絶縁膜としてシリコン酸化膜、第２の
絶縁膜としてシリコン窒化膜を成膜する。また、本発明
方法の下地層には、制約はなく、例えば単結晶シリコン
基板、ＧａＡs 基板、ＩｎＰ基板等の化合物半導体基
板、シリコン・エピタキシャル成長層のいずれかを使用
する。選択成長工程では、エピタキシャル成長層として
導電性のエピタキシャル成長層である限り制約はなく、
例えばＳｉＧｅ層又はシリコン・エピタキシャル成長層
を形成する。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下に、添付図面を参照し、実施
形態例を挙げて本発明の実施の形態を具体的かつ詳細に
説明する。実施形態例 本実施形態例は、本発明に係るバイポーラトランジスタ
の作製方法の実施形態の一例である。図１（ａ）から
（ｃ）及び図２（ｄ）から（ｅ）は、それぞれ、本実施
形態例方法でバイポーラトランジスタのベースを形成す
る際の工程毎の基板断面の構成を示す断面図である。先
ず、図１（ａ）に示すように、ｎ型単結晶シリコン基板
４０上に熱酸化法により５００Åから１０００Åの範囲
の膜厚のシリコン酸化膜４２を成膜し、その上に、ＣＶ
Ｄ法等により順次、膜厚約２０００Åのｐ型ポリシリコ
ン膜４４及び約１０００Åのシリコン窒化膜４６を成膜
する。次いで、フォトリソグラフィ技術とドライエッチ
ング法により、シリコン窒化膜４６及びポリシリコン膜
４４をエッチングして、図１（ｂ）に示すように、底部
にシリコン酸化膜４２を露出させ、かつ側壁にポリシリ
コン膜４４を露出させた第１の開口部４８を形成する。
第１の開口部４８は、約０．６μｍ×約８．０μｍの長
方形の形状である。
形態例を挙げて本発明の実施の形態を具体的かつ詳細に
説明する。実施形態例 本実施形態例は、本発明に係るバイポーラトランジスタ
の作製方法の実施形態の一例である。図１（ａ）から
（ｃ）及び図２（ｄ）から（ｅ）は、それぞれ、本実施
形態例方法でバイポーラトランジスタのベースを形成す
る際の工程毎の基板断面の構成を示す断面図である。先
ず、図１（ａ）に示すように、ｎ型単結晶シリコン基板
４０上に熱酸化法により５００Åから１０００Åの範囲
の膜厚のシリコン酸化膜４２を成膜し、その上に、ＣＶ
Ｄ法等により順次、膜厚約２０００Åのｐ型ポリシリコ
ン膜４４及び約１０００Åのシリコン窒化膜４６を成膜
する。次いで、フォトリソグラフィ技術とドライエッチ
ング法により、シリコン窒化膜４６及びポリシリコン膜
４４をエッチングして、図１（ｂ）に示すように、底部
にシリコン酸化膜４２を露出させ、かつ側壁にポリシリ
コン膜４４を露出させた第１の開口部４８を形成する。
第１の開口部４８は、約０．６μｍ×約８．０μｍの長
方形の形状である。
【００１２】次に、基板にアンモニア雰囲気中で８００
℃から１０００℃の範囲の温度でＲＴＮ（Rapid Therma
l Nitrization ）処理を施して、第１の開口部４８の側
壁に露出しているポリシリコン膜４４を窒化して、図１
（ｃ）に示すように、シリコン窒化膜５０を形成する。
常圧、温度９００℃のアンモニアガス雰囲気中に６０秒
保持すると、１５Åの膜厚のシリコン窒化膜が形成さ
れ、常圧、温度１１００℃のアンモニアガス雰囲気中に
６０秒維持すると、３０Åの膜厚のシリコン窒化膜が形
成される。通常、窒化膜の膜厚は、９００℃では、１５
Å程度である。尚、ポリシリコン膜４４の窒化に際して
ＲＴＮ処理を施していることにより、第１の開口部４８
の底部に露出しているシリコン酸化膜４２は窒化されな
い。
℃から１０００℃の範囲の温度でＲＴＮ（Rapid Therma
l Nitrization ）処理を施して、第１の開口部４８の側
壁に露出しているポリシリコン膜４４を窒化して、図１
（ｃ）に示すように、シリコン窒化膜５０を形成する。
常圧、温度９００℃のアンモニアガス雰囲気中に６０秒
保持すると、１５Åの膜厚のシリコン窒化膜が形成さ
れ、常圧、温度１１００℃のアンモニアガス雰囲気中に
６０秒維持すると、３０Åの膜厚のシリコン窒化膜が形
成される。通常、窒化膜の膜厚は、９００℃では、１５
Å程度である。尚、ポリシリコン膜４４の窒化に際して
ＲＴＮ処理を施していることにより、第１の開口部４８
の底部に露出しているシリコン酸化膜４２は窒化されな
い。
【００１３】続いて、ＨＦ水溶液をエッチャントとした
ウエットエッチングにより、図２（ｄ）に示すように、
第１の開口部４８の底部に露出しているシリコン酸化膜
４２を除去して、単結晶シリコン基板４０を露出させた
第２の開口部５２を開口すると共に、ポリシリコン膜４
４下のシリコン酸化膜４２をエッチングして第２の開口
部５２に連通するアンダーカット部５４を形成する。ア
ンダーカット部５４に露出するポリシリコン膜４４の幅
は、１０００Åから１００００Åの範囲にあって、その
幅は時間制御により調整する。次いで、図２に示す状態
で、高真空下、例えば１×１０-6 Torr 以下で、８００
℃から１０００℃の範囲の温度で熱処理を行って、第２
の開口部５２及びアンダーカット部５４内のポリシリコ
ン膜４４及び単結晶シリコン基板４０の露出面に生成し
た自然酸化膜を除去する。
ウエットエッチングにより、図２（ｄ）に示すように、
第１の開口部４８の底部に露出しているシリコン酸化膜
４２を除去して、単結晶シリコン基板４０を露出させた
第２の開口部５２を開口すると共に、ポリシリコン膜４
４下のシリコン酸化膜４２をエッチングして第２の開口
部５２に連通するアンダーカット部５４を形成する。ア
ンダーカット部５４に露出するポリシリコン膜４４の幅
は、１０００Åから１００００Åの範囲にあって、その
幅は時間制御により調整する。次いで、図２に示す状態
で、高真空下、例えば１×１０-6 Torr 以下で、８００
℃から１０００℃の範囲の温度で熱処理を行って、第２
の開口部５２及びアンダーカット部５４内のポリシリコ
ン膜４４及び単結晶シリコン基板４０の露出面に生成し
た自然酸化膜を除去する。
【００１４】続いて、ＵＨＶ−ＣＶＤ法（超高真空化学
的気相成長法）によって、例えば以下に示す条件で、５
００Åから１０００Åの膜厚のＳｉＧｅエピタキシャル
成長層を選択的に成長させて、アンダーカット部５４及
び第２の開口部５２を埋め込んで、図２（ｅ）に示すよ
うに、ＳｉＧｅエピタキシャル成長層からなるベース層
５６を形成する。 温度 ：６５０℃ 圧力 ：１×１０-3Torr以下 ガスの種類／流量：Ｓｉ2 Ｈ6 ／１０sccm、ＧｅＨ4 ／１０sccm Ｂ2 Ｈ6 ／１０sccm、Ｃｌ2 ／１０sccm 以下、例えば前述した従来の方法に従って、エミッタ領
域、エミッタ引き出し電極を形成する。
的気相成長法）によって、例えば以下に示す条件で、５
００Åから１０００Åの膜厚のＳｉＧｅエピタキシャル
成長層を選択的に成長させて、アンダーカット部５４及
び第２の開口部５２を埋め込んで、図２（ｅ）に示すよ
うに、ＳｉＧｅエピタキシャル成長層からなるベース層
５６を形成する。 温度 ：６５０℃ 圧力 ：１×１０-3Torr以下 ガスの種類／流量：Ｓｉ2 Ｈ6 ／１０sccm、ＧｅＨ4 ／１０sccm Ｂ2 Ｈ6 ／１０sccm、Ｃｌ2 ／１０sccm 以下、例えば前述した従来の方法に従って、エミッタ領
域、エミッタ引き出し電極を形成する。
【００１５】ＳｉＧｅエピタキシャル成長層を選択成長
させるには、ＵＨＶ−ＣＶＤ法に代えて、減圧ＣＶＤ法
によることもできる。減圧ＣＶＤ法での前処理条件とし
ては、Ｈ2 雰囲気で真空度１〜３００Torrとすること
で、Ｓｉ基板上の自然酸化膜を除去する。減圧ＣＶＤ法
による場合の成長条件は、例えば以下の通りである。 温度 ：８００℃ 圧力 ：２０Torr ガスの種類／流量：ＳｉＨ2 Ｃｌ2 ／３００sccm、ＧｅＨ4 ／３００sccm ＨＣｌ／３００sccm、Ｈ2 ／２０ｓｌｍ
させるには、ＵＨＶ−ＣＶＤ法に代えて、減圧ＣＶＤ法
によることもできる。減圧ＣＶＤ法での前処理条件とし
ては、Ｈ2 雰囲気で真空度１〜３００Torrとすること
で、Ｓｉ基板上の自然酸化膜を除去する。減圧ＣＶＤ法
による場合の成長条件は、例えば以下の通りである。 温度 ：８００℃ 圧力 ：２０Torr ガスの種類／流量：ＳｉＨ2 Ｃｌ2 ／３００sccm、ＧｅＨ4 ／３００sccm ＨＣｌ／３００sccm、Ｈ2 ／２０ｓｌｍ
【００１６】本実施形態例方法に従ってベースを形成
し、欠陥のないエピタキシャル膜のベース層５０を得
た。次いで、ベースとベース引き出し電極との間の電気
抵抗を測定したところ、１００Ωと良好であった。本実
施形態例では、サイドウォール形成でサイドウォールの
シリコン窒化膜５０をＲＴＮで形成していることによ
り、従来法のサイドウォール形式で減圧ＣＶＤ法でシリ
コン窒化膜を成膜後のドライエッチング工程が要らな
い。従って、従来のＳｉＧｅベース型バイポーラトラン
ジスタに比べて、製作工程が簡略であり、ベース層に欠
陥が入ることもない。ベースとベース引き出し電極との
間の電気抵抗は従来法と同等である。
し、欠陥のないエピタキシャル膜のベース層５０を得
た。次いで、ベースとベース引き出し電極との間の電気
抵抗を測定したところ、１００Ωと良好であった。本実
施形態例では、サイドウォール形成でサイドウォールの
シリコン窒化膜５０をＲＴＮで形成していることによ
り、従来法のサイドウォール形式で減圧ＣＶＤ法でシリ
コン窒化膜を成膜後のドライエッチング工程が要らな
い。従って、従来のＳｉＧｅベース型バイポーラトラン
ジスタに比べて、製作工程が簡略であり、ベース層に欠
陥が入ることもない。ベースとベース引き出し電極との
間の電気抵抗は従来法と同等である。
【００１７】本発明の比較例を以下に説明する。本発明
に至るまでに、従来技術の方法を改善した次の方法を検
討した。この方法では製作工程は簡略されるが、新たに
ベースと引出し電極が必ずしも良好に接続できないこと
がわかった。この点について説明する。比較例 本実施形態例のベース形成方法を評価するために、シリ
コン窒化膜を第１の開口部４８の開口壁に形成する窒化
工程を有しない、比較例方法を実施した。以下に、図３
及び図４を参照して、比較例方法を説明する。図３
（ａ）と（ｂ）及び図４（ｃ）と（ｄ）は、比較例方法
に従ってベースを形成した際の工程毎の基板断面の構成
を示す断面図である。図３及び図４に示す膜及び部位で
図１及び図２に示すものと同じものには同じ符号を付し
ている。先ず、実施形態例方法と同様にして、ｎ型単結
晶シリコン基板４０上に熱酸化法によりシリコン酸化膜
４２を成膜し、その上に順次、ＣＶＤ法等によりｐ型ポ
リシリコン膜４４及びシリコン窒化膜４６を成膜した。
更に、実施形態例方法と同様にして、シリコン窒化膜４
６及びポリシリコン膜４４をエッチングして、図３
（ａ）に示すように、底部にシリコン酸化膜４２を露出
させ、かつ側壁にポリシリコン膜４４を露出させ、実施
形態例と同じ形状で同じ寸法の第１の開口部４８を形成
した。
に至るまでに、従来技術の方法を改善した次の方法を検
討した。この方法では製作工程は簡略されるが、新たに
ベースと引出し電極が必ずしも良好に接続できないこと
がわかった。この点について説明する。比較例 本実施形態例のベース形成方法を評価するために、シリ
コン窒化膜を第１の開口部４８の開口壁に形成する窒化
工程を有しない、比較例方法を実施した。以下に、図３
及び図４を参照して、比較例方法を説明する。図３
（ａ）と（ｂ）及び図４（ｃ）と（ｄ）は、比較例方法
に従ってベースを形成した際の工程毎の基板断面の構成
を示す断面図である。図３及び図４に示す膜及び部位で
図１及び図２に示すものと同じものには同じ符号を付し
ている。先ず、実施形態例方法と同様にして、ｎ型単結
晶シリコン基板４０上に熱酸化法によりシリコン酸化膜
４２を成膜し、その上に順次、ＣＶＤ法等によりｐ型ポ
リシリコン膜４４及びシリコン窒化膜４６を成膜した。
更に、実施形態例方法と同様にして、シリコン窒化膜４
６及びポリシリコン膜４４をエッチングして、図３
（ａ）に示すように、底部にシリコン酸化膜４２を露出
させ、かつ側壁にポリシリコン膜４４を露出させ、実施
形態例と同じ形状で同じ寸法の第１の開口部４８を形成
した。
【００１８】続いて、第１の開口部４８の側壁にシリコ
ン窒化膜を形成することなく、直ちに、ＨＦ水溶液をエ
ッチャントとしたウエットエッチングにより、図３
（ｂ）に示すように、第１の開口部４８の底部に露出し
ているシリコン酸化膜４２を除去して、単結晶シリコン
基板４０を露出させた第２の開口部６０を開口すると共
に、ポリシリコン膜４４下のシリコン酸化膜４２をエッ
チングして第２の開口部５２に連通するアンダーカット
部６２を形成した。
ン窒化膜を形成することなく、直ちに、ＨＦ水溶液をエ
ッチャントとしたウエットエッチングにより、図３
（ｂ）に示すように、第１の開口部４８の底部に露出し
ているシリコン酸化膜４２を除去して、単結晶シリコン
基板４０を露出させた第２の開口部６０を開口すると共
に、ポリシリコン膜４４下のシリコン酸化膜４２をエッ
チングして第２の開口部５２に連通するアンダーカット
部６２を形成した。
【００１９】次いで、この状態で、実施形態例方法と同
様に、高真空下、例えば１×１０-1 6 Torr以下で、８０
０℃から１０００℃の範囲の温度で熱処理を行って、第
２の開口部５２及びアンダーカット部６２内に露出した
ポリシリコン膜４４及び単結晶シリコン基板４０の露出
面に生成した自然酸化膜を除去した。この過程で、図４
（ｃ）に示すように、場所によってはアンダーカット部
６２の上部壁を構成しているポリシリコン膜４４の角部
が、斜め上方に欠落し、欠落部６４を形成した箇所が見
られた。
様に、高真空下、例えば１×１０-1 6 Torr以下で、８０
０℃から１０００℃の範囲の温度で熱処理を行って、第
２の開口部５２及びアンダーカット部６２内に露出した
ポリシリコン膜４４及び単結晶シリコン基板４０の露出
面に生成した自然酸化膜を除去した。この過程で、図４
（ｃ）に示すように、場所によってはアンダーカット部
６２の上部壁を構成しているポリシリコン膜４４の角部
が、斜め上方に欠落し、欠落部６４を形成した箇所が見
られた。
【００２０】続いて、実施形態例方法と同様にして、Ｕ
ＨＶ−ＣＶＤ法によりＳｉＧｅエピタキシャル成長層を
選択成長させ、アンダーカット部６２、欠落部６４及び
第２の開口部６０を埋め込んで、図４（ｄ）に示すよう
に、ベース層６６を形成した。ベース６６と引き出し電
極４４との間の電気抵抗を測定したところ、電気抵抗
は、約４００Ωであった。従来のＳｉＧｅベース型バイ
ポーラトランジスタに比べて、簡略な工程でシリコン窒
化膜を作成できたが、ベースとベース引き出し電極との
間の電気抵抗が高くなっている。
ＨＶ−ＣＶＤ法によりＳｉＧｅエピタキシャル成長層を
選択成長させ、アンダーカット部６２、欠落部６４及び
第２の開口部６０を埋め込んで、図４（ｄ）に示すよう
に、ベース層６６を形成した。ベース６６と引き出し電
極４４との間の電気抵抗を測定したところ、電気抵抗
は、約４００Ωであった。従来のＳｉＧｅベース型バイ
ポーラトランジスタに比べて、簡略な工程でシリコン窒
化膜を作成できたが、ベースとベース引き出し電極との
間の電気抵抗が高くなっている。
【００２１】実施形態例と比較例との比較 実施形態例方法に従って形成したベースと引き出し電極
との間の電気抵抗は、比較例方法によるものに比べて、
格段に低下している。本発明者は、研究の結果、比較例
方法で、ゲート層６４とポリシリコン引き出し電極４４
との間の電気抵抗が高い原因は、図４（ｄ）に示すよう
に、ポリシリコン膜４４の欠落部６４の輪郭線に沿っ
て、ＳｉＧｅエピタキシャル成長層とポリシリコン膜４
４との間に間隙６８が発生し、電気的に接続されていな
い領域が接続面に存在するからであることが判った。
との間の電気抵抗は、比較例方法によるものに比べて、
格段に低下している。本発明者は、研究の結果、比較例
方法で、ゲート層６４とポリシリコン引き出し電極４４
との間の電気抵抗が高い原因は、図４（ｄ）に示すよう
に、ポリシリコン膜４４の欠落部６４の輪郭線に沿っ
て、ＳｉＧｅエピタキシャル成長層とポリシリコン膜４
４との間に間隙６８が発生し、電気的に接続されていな
い領域が接続面に存在するからであることが判った。
【００２２】本発明者が、ゲート層４４とポリシリコン
膜４４との間に間隙が生じる原因を調べたところ、次の
ことが判った。図３（ｂ）に示す状態で、自然酸化膜を
除去するために、高真空中で８００℃以上の温度で熱処
理を行うと、ポリシリコン膜の膜面の自然酸化膜が気化
するために、ポリシリコン膜の膜面に終端処理されてい
ないエネルギーの高いシリコン原子が露出する。そのた
めに、エネルギーの高いシリコン原子の結晶であるシリ
コン結晶粒の流動性が高くなり、表面拡散が起こって、
シリコン結晶粒の集団は、エネルギー的により安定した
形状に変化する。その形状は、シリコン結晶粒の結晶方
位にもよるものの、結晶粒の表面はエネルギーの低いフ
ァセット面に出現し易い。ファセット面としては、（１
１１）面、及び（３１１）面があって、ポリシリコン膜
のファセット面は、ＳｉＧｅエピタキシャル成長層のフ
ァセット面と平行であるために、ＳｉＧｅエピタキシャ
ル成長層を厚く成長させても、図４（ｄ）に示すよう
に、ポリシリコン面に沿って間隙を維持しつつ成長す
る。その結果、ＳｉＧｅエミッタ成長層と、ポリシリコ
ン膜とを電気的に確実に接続することが難しい。
膜４４との間に間隙が生じる原因を調べたところ、次の
ことが判った。図３（ｂ）に示す状態で、自然酸化膜を
除去するために、高真空中で８００℃以上の温度で熱処
理を行うと、ポリシリコン膜の膜面の自然酸化膜が気化
するために、ポリシリコン膜の膜面に終端処理されてい
ないエネルギーの高いシリコン原子が露出する。そのた
めに、エネルギーの高いシリコン原子の結晶であるシリ
コン結晶粒の流動性が高くなり、表面拡散が起こって、
シリコン結晶粒の集団は、エネルギー的により安定した
形状に変化する。その形状は、シリコン結晶粒の結晶方
位にもよるものの、結晶粒の表面はエネルギーの低いフ
ァセット面に出現し易い。ファセット面としては、（１
１１）面、及び（３１１）面があって、ポリシリコン膜
のファセット面は、ＳｉＧｅエピタキシャル成長層のフ
ァセット面と平行であるために、ＳｉＧｅエピタキシャ
ル成長層を厚く成長させても、図４（ｄ）に示すよう
に、ポリシリコン面に沿って間隙を維持しつつ成長す
る。その結果、ＳｉＧｅエミッタ成長層と、ポリシリコ
ン膜とを電気的に確実に接続することが難しい。
【００２３】一方、本実施形態例方法では、ポリシリコ
ン膜４４の側面にシリコン窒化膜５０が形成されている
ので、側面にシリコン原子が露出していない。この結
果、高真空下で熱処理を施して自然酸化膜を除去して
も、ポリシリコン膜面は安定した状態にあって、シリコ
ン結晶粒が移動しないので、ポリシリコン膜４４の変形
が生じない。その結果、ＳｉＧｅエピタキシャル成長層
は、ポリシリコン膜に確実に電気的に接触しつつ成長し
て行くので、ベースと引き出し電極との間の電気抵抗が
低下する。
ン膜４４の側面にシリコン窒化膜５０が形成されている
ので、側面にシリコン原子が露出していない。この結
果、高真空下で熱処理を施して自然酸化膜を除去して
も、ポリシリコン膜面は安定した状態にあって、シリコ
ン結晶粒が移動しないので、ポリシリコン膜４４の変形
が生じない。その結果、ＳｉＧｅエピタキシャル成長層
は、ポリシリコン膜に確実に電気的に接触しつつ成長し
て行くので、ベースと引き出し電極との間の電気抵抗が
低下する。
【００２４】
【発明の効果】本発明によれば、シリコン窒化膜のサイ
ドウォールを簡略な方法で作製できるという利点があ
る。更にベース層に欠陥が入ることもなく良好に形成で
きる。また、ベースを形成する開口部の開口側壁にシリ
コン窒化膜を成膜し、ポリシリコン膜を露出させていな
いので、自然酸化膜を除去するために熱処理を施しても
ポリシリコン膜の変形が生じない。その結果、ベースと
なるエピタキシャル成長層を確実に電気的にポリシリコ
ン膜に接触させつつ成長させることができるので、ベー
スと引き出し電極との間の電気抵抗を低減させることが
できる。本発明方法を適用することにより、従来と比
べ、製作工程が簡略化され、しかもベースと引き出し電
極との電気抵抗が低いベース構造を備えたバイポーラト
ランジスタを作製することができる。
ドウォールを簡略な方法で作製できるという利点があ
る。更にベース層に欠陥が入ることもなく良好に形成で
きる。また、ベースを形成する開口部の開口側壁にシリ
コン窒化膜を成膜し、ポリシリコン膜を露出させていな
いので、自然酸化膜を除去するために熱処理を施しても
ポリシリコン膜の変形が生じない。その結果、ベースと
なるエピタキシャル成長層を確実に電気的にポリシリコ
ン膜に接触させつつ成長させることができるので、ベー
スと引き出し電極との間の電気抵抗を低減させることが
できる。本発明方法を適用することにより、従来と比
べ、製作工程が簡略化され、しかもベースと引き出し電
極との電気抵抗が低いベース構造を備えたバイポーラト
ランジスタを作製することができる。
【図１】図１（ａ）から（ｃ）は、それぞれ、実施形態
例の方法でバイポーラトランジスタのベースを形成する
際の工程毎の基板断面の構成を示す断面図である。
例の方法でバイポーラトランジスタのベースを形成する
際の工程毎の基板断面の構成を示す断面図である。
【図２】図２（ｄ）から（ｅ）は、それぞれ、図１
（ｃ）に続いて、実施形態例の方法でバイポーラトラン
ジスタのベースを形成する際の工程毎の基板断面の構成
を示す断面図である。
（ｃ）に続いて、実施形態例の方法でバイポーラトラン
ジスタのベースを形成する際の工程毎の基板断面の構成
を示す断面図である。
【図３】図３（ａ）と（ｂ）は、それぞれ、比較例方法
に従ってベースを形成した際の工程毎の基板断面の構成
を示す断面図である。
に従ってベースを形成した際の工程毎の基板断面の構成
を示す断面図である。
【図４】図４（ｃ）と（ｄ）は、それぞれ、図３（ｂ）
に続いて、比較例方法に従ってベースを形成した際の工
程毎の基板断面の構成を示す断面図である。
に続いて、比較例方法に従ってベースを形成した際の工
程毎の基板断面の構成を示す断面図である。
【図５】従来のＳｉＧｅベース型バイポーラトランジス
タのＳｉＧｅベースの構成を示す断面図である。
タのＳｉＧｅベースの構成を示す断面図である。
【図６】図６（ａ）から（ｃ）は、それぞれ、従来のＳ
ｉＧｅベース型バイポーラトランジスタを製造する際の
工程毎の基板断面図である。
ｉＧｅベース型バイポーラトランジスタを製造する際の
工程毎の基板断面図である。
【図７】図７（ｄ）と（ｅ）は、それぞれ、図６（ｃ）
に続いて、従来のＳｉＧｅベース型バイポーラトランジ
スタを製造する際の工程毎の基板断面図である。
に続いて、従来のＳｉＧｅベース型バイポーラトランジ
スタを製造する際の工程毎の基板断面図である。
１０ ｎ型エピタキシャル成長層 １１ 酸化膜 １２ ポリシリコン膜 １３ 窒化膜 １４ 開口部 １５ サイドウォール １６ ＳｉＧｅ結晶層 １７ ＳｉＧｅ微結晶層 ２１ サイドウォール ２２ エミッタの引き出し電極 ３０ ＳｉＧｅベース型バイポーラトランジスタの要部 ３２ ＳｉＧｅベース層 ４０ ｎ型単結晶シリコン基板 ４２ シリコン酸化膜 ４４ ｐ型ポリシリコン膜 ４６ シリコン窒化膜 ４８ 第１の開口部 ５０ シリコン窒化膜 ５２ 第２の開口部 ５４ アンダーカット部 ５６ ベース層 ６０ 第２の開口部 ６２ アンダーカット部 ６４ 欠落部 ６６ ベース層 ６８ 間隙
Claims (8)
- 【請求項１】 バイポーラトランジスタを形成する方法
であって、基板上にベースを形成する際、 下地層上に、順次、第１の絶縁膜、ポリシリコン膜及び
第２の絶縁膜を成膜する成膜工程と、 第２の絶縁膜及びポリシリコン膜をエッチングして、第
１の絶縁膜を露出させる第１の開口部を形成する第１の
開口工程と、 第１の開口部の開口側壁にシリコン窒化膜を成膜する窒
化膜成膜工程と、 第１の絶縁膜を等方エッチングして下地層を露出させる
第２の開口部を形成すると共にポリシリコン膜下の第１
の絶縁膜をエッチングして第２の開口部に連通するアン
ダーカット部を形成する第２の開口工程と、 成膜工程、第１の開口工程、窒化膜成膜工程及び第２の
開口工程を経た基板に熱処理を施す熱処理工程と、 次いで、エピタキシャル成長層を選択成長させて、少な
くともアンダーカット部および第２の開口部を埋め込
み、第１の開口部の底部にベース層を形成する選択成長
工程とを備えることを特徴とするバイポーラトランジス
タの作製方法。 - 【請求項２】 熱処理工程では、高真空下で熱処理を行
うことを特徴とする請求項１に記載のバイポーラトラン
ジスタの作製方法。 - 【請求項３】 熱処理工程では、１Torr以上３００Torr
以下の水素雰囲気下で熱処理を行うことを特徴とする請
求項１に記載のバイポーラトランジスタの作製方法。 - 【請求項４】 窒化膜成膜工程では、アンモニア雰囲気
内で熱処理をポリシリコン膜に施して、シリコン窒化膜
を形成することを特徴とする請求項１から３のうちのい
ずれか１項に記載のバイポーラトランジスタの作製方
法。 - 【請求項５】 窒化膜成膜工程では、熱処理として、８
００℃以上１１００℃以下の範囲の温度で３０秒以上１
８０秒以下の範囲の時間、ＲＴＮ処理を行うことを特徴
とする請求項１から４のうちのいずれか１項に記載のバ
イポーラトランジスタの作製方法。 - 【請求項６】 成膜工程では、第１の絶縁膜としてシリ
コン酸化膜、第２の絶縁膜としてシリコン窒化膜を成膜
することを特徴とする請求項１から５のうちのいずれか
１項に記載のバイポーラトランジスタの作製方法。 - 【請求項７】 下地層が単結晶シリコン基板、シリコン
・エピタキシャル成長層のいずれかであることを特徴と
する請求項１から６のうちのいずれか１項に記載のバイ
ポーラトランジスタの作製方法。 - 【請求項８】 選択成長工程では、エピタキシャル成長
層としてＳｉＧｅ層又はシリコン・エピタキシャル成長
層を形成することを特徴とする請求項１から７のうちの
いずれか１項に記載のバイポーラトランジスタの作製方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07724999A JP3293127B2 (ja) | 1999-03-23 | 1999-03-23 | バイポーラトランジスタの作製方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07724999A JP3293127B2 (ja) | 1999-03-23 | 1999-03-23 | バイポーラトランジスタの作製方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000277529A true JP2000277529A (ja) | 2000-10-06 |
| JP3293127B2 JP3293127B2 (ja) | 2002-06-17 |
Family
ID=13628596
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP07724999A Expired - Fee Related JP3293127B2 (ja) | 1999-03-23 | 1999-03-23 | バイポーラトランジスタの作製方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3293127B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8012858B2 (en) | 2008-10-21 | 2011-09-06 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of fabricating semiconductor device |
-
1999
- 1999-03-23 JP JP07724999A patent/JP3293127B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8012858B2 (en) | 2008-10-21 | 2011-09-06 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of fabricating semiconductor device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3293127B2 (ja) | 2002-06-17 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |