JP2000276726A - 磁気記憶媒体 - Google Patents
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/64—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent
- G11B5/66—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent the record carriers consisting of several layers
- G11B5/676—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent the record carriers consisting of several layers having magnetic layers separated by a nonmagnetic layer, e.g. antiferromagnetic layer, Cu layer or coupling layer
-
- G—PHYSICS
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
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- G11B5/73—Base layers, i.e. all non-magnetic layers lying under a lowermost magnetic recording layer, e.g. including any non-magnetic layer in between a first magnetic recording layer and either an underlying substrate or a soft magnetic underlayer
- G11B5/7368—Non-polymeric layer under the lowermost magnetic recording layer
- G11B5/7373—Non-magnetic single underlayer comprising chromium
-
- G—PHYSICS
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
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- G11B5/7377—Physical structure of underlayer, e.g. texture
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10S428/90—Magnetic feature
Landscapes
- Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 高記録密度で情報を記録し、かつその情報を
高い信号品質（高Ｓ／Ｎ m）で再生することが可能であ
るとともに、情報の長寿命化が図られた磁気記憶媒体を
提供する。 【解決手段】 非磁性の基板３上に複数の磁気記録層と
これらの磁気記録層どうしの間に介在してこれらの複数
の磁気記録層を相互に分断する反強磁性の分断層２とを
有し、これらの複数の磁気記録層を構成する強磁性材料
の磁化とそれら磁気記録層を分断する分断層２を構成す
る反強磁性材料の磁化との間には互いに交換相互作用が
働くので、これらの磁気記録層に記録された磁気情報は
熱揺らぎに対して安定であり長期間保持される。
高い信号品質（高Ｓ／Ｎ m）で再生することが可能であ
るとともに、情報の長寿命化が図られた磁気記憶媒体を
提供する。 【解決手段】 非磁性の基板３上に複数の磁気記録層と
これらの磁気記録層どうしの間に介在してこれらの複数
の磁気記録層を相互に分断する反強磁性の分断層２とを
有し、これらの複数の磁気記録層を構成する強磁性材料
の磁化とそれら磁気記録層を分断する分断層２を構成す
る反強磁性材料の磁化との間には互いに交換相互作用が
働くので、これらの磁気記録層に記録された磁気情報は
熱揺らぎに対して安定であり長期間保持される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、情報の記録再生を
行うための磁気ディスク装置に好適な磁気記憶媒体に関
する。
行うための磁気ディスク装置に好適な磁気記憶媒体に関
する。
【０００２】
【従来の技術】情報処理装置で扱われる記録情報の増加
に伴って、この情報処理装置の外部記憶装置として使用
される磁気記憶装置は、コンパクトであるとともにます
ます記憶容量の大きなものが要求されている。そのため
に磁気記憶装置には、高い記録密度で記録することが自
在な磁気記憶媒体が必要とされる。
に伴って、この情報処理装置の外部記憶装置として使用
される磁気記憶装置は、コンパクトであるとともにます
ます記憶容量の大きなものが要求されている。そのため
に磁気記憶装置には、高い記録密度で記録することが自
在な磁気記憶媒体が必要とされる。
【０００３】一般に、磁気記憶媒体は磁気情報が記録さ
れる磁気記録層を有し、１ビットの磁気情報は、その磁
気記録層の１ビットセル内に存在する複数の強磁性結晶
粒子の各々の磁化の集合からなる全磁化の方向によって
示される。これらの強磁性結晶粒子の各々の磁化は、磁
気情報が記録された状態ではほぼ１方向に揃う。しか
し、隣りの１ビットセルの磁化がこの方向と逆の方向に
揃っている場合には、それらの隣り合う１ビットセルど
うしの境界を境にして磁化の方向が急峻に変化するので
はなく、その境界付近のある幅を経由して磁化の方向が
反転する。その幅を有する領域は、互いに逆方向を向く
磁化がジグザグに入り交じっており、磁化遷移領域と呼
ばれる。磁気記憶媒体の磁気記録層に高い記録密度で記
録された磁気情報が良好に再生されるためには、この磁
化遷移領域の幅が小さくなくてはならない。
れる磁気記録層を有し、１ビットの磁気情報は、その磁
気記録層の１ビットセル内に存在する複数の強磁性結晶
粒子の各々の磁化の集合からなる全磁化の方向によって
示される。これらの強磁性結晶粒子の各々の磁化は、磁
気情報が記録された状態ではほぼ１方向に揃う。しか
し、隣りの１ビットセルの磁化がこの方向と逆の方向に
揃っている場合には、それらの隣り合う１ビットセルど
うしの境界を境にして磁化の方向が急峻に変化するので
はなく、その境界付近のある幅を経由して磁化の方向が
反転する。その幅を有する領域は、互いに逆方向を向く
磁化がジグザグに入り交じっており、磁化遷移領域と呼
ばれる。磁気記憶媒体の磁気記録層に高い記録密度で記
録された磁気情報が良好に再生されるためには、この磁
化遷移領域の幅が小さくなくてはならない。
【０００４】この磁化遷移領域の幅は、磁気記憶媒体の
磁気記録層が厚さに関して薄いほど狭くなることが知ら
れている。そのため、従来、磁気記録層を薄くする試み
がなされ、上記磁気記録層を非磁性の層で分割してなる
多層の磁気記録層を有する磁気記憶媒体等が提案されて
いる。
磁気記録層が厚さに関して薄いほど狭くなることが知ら
れている。そのため、従来、磁気記録層を薄くする試み
がなされ、上記磁気記録層を非磁性の層で分割してなる
多層の磁気記録層を有する磁気記憶媒体等が提案されて
いる。
【０００５】しかし、従来の磁気記憶媒体では、高い記
録密度で磁気情報が記録されるほど、その記録された磁
気情報の再生信号に対するＳ／Ｎmが低下すること（再
生信号の出力Ｓに対して媒体ノイズＮmが増大するこ
と）が知られている。
録密度で磁気情報が記録されるほど、その記録された磁
気情報の再生信号に対するＳ／Ｎmが低下すること（再
生信号の出力Ｓに対して媒体ノイズＮmが増大するこ
と）が知られている。
【０００６】この媒体ノイズが発生する原因の１つは、
上記強磁性結晶粒子の粒子サイズのばらつきにある。再
生出力は１ビットセル内の強磁性結晶粒子の体積の総和
に比例すると考えられる。そのため、１ビットセル内の
平均粒子サイズが大きくなるとその粒子サイズのばらつ
きも大きくなり、結果として再生出力のばらつきが大き
くなって媒体ノイズも増大する。したがって、磁気記憶
媒体の磁気記録層において強磁性結晶粒子の粒子サイズ
がより小さくなるよう調整されることで、この磁気記憶
媒体の媒体ノイズＮmはさらに低減されて、Ｓ／Ｎmが向
上すると考えられる。
上記強磁性結晶粒子の粒子サイズのばらつきにある。再
生出力は１ビットセル内の強磁性結晶粒子の体積の総和
に比例すると考えられる。そのため、１ビットセル内の
平均粒子サイズが大きくなるとその粒子サイズのばらつ
きも大きくなり、結果として再生出力のばらつきが大き
くなって媒体ノイズも増大する。したがって、磁気記憶
媒体の磁気記録層において強磁性結晶粒子の粒子サイズ
がより小さくなるよう調整されることで、この磁気記憶
媒体の媒体ノイズＮmはさらに低減されて、Ｓ／Ｎmが向
上すると考えられる。
【０００７】このように、磁気記録層が薄く磁気記録層
中の強磁性結晶粒子の粒子サイズが小さいほど、磁気情
報を表す信号が高いＳ／Ｎmで再生される。例えば、磁
気記録層の厚さが１０ｎｍ程度、粒子サイズが磁気記録
層の面内方向に８ｎｍ〜１０ｎｍ程度まで微細化される
ことにより、１０Ｇｂｉｔ／ｉｎｃｈ2程度の高い記録
密度で記録された磁気情報を表す信号であっても高いＳ
／Ｎmで再生されると考えられている。
中の強磁性結晶粒子の粒子サイズが小さいほど、磁気情
報を表す信号が高いＳ／Ｎmで再生される。例えば、磁
気記録層の厚さが１０ｎｍ程度、粒子サイズが磁気記録
層の面内方向に８ｎｍ〜１０ｎｍ程度まで微細化される
ことにより、１０Ｇｂｉｔ／ｉｎｃｈ2程度の高い記録
密度で記録された磁気情報を表す信号であっても高いＳ
／Ｎmで再生されると考えられている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかし、このように磁
気記録層の厚さとともに強磁性結晶粒子の粒子サイズを
小さくするほど、その粒子の磁化の所定方向への向き易
さを示す異方性エネルギーＫu・Ｖ（磁気異方性エネル
ギー×粒子の体積）が小さくなる。この異方性エネルギ
ーＫu・Ｖが小さくなると熱の影響で磁化の方向が揺ら
ぐ熱揺らぎ現象が生ずる。この熱揺らぎ現象の振る舞い
は、エネルギーＫu・Ｖの熱エネルギーｋB・Ｔ（ボルツ
マン定数×絶対温度）に対する比により決定され、従来
の磁気記憶媒体の磁気記録層の厚さと粒子サイズが上述
した値をとるとき、その比は、室温（Ｔ＝３００Ｋ）で
４０〜１００程度の小さな値となる。このように比の値
が小さい場合には、各強磁性結晶粒子の磁化に熱揺らぎ
現象が生じて、それらの磁化の総和からなる１ビットセ
ル内の記録磁化の大きさが減衰するため、その記録磁化
が表す磁気情報を長期間安定に保持することが困難であ
るという問題がある。
気記録層の厚さとともに強磁性結晶粒子の粒子サイズを
小さくするほど、その粒子の磁化の所定方向への向き易
さを示す異方性エネルギーＫu・Ｖ（磁気異方性エネル
ギー×粒子の体積）が小さくなる。この異方性エネルギ
ーＫu・Ｖが小さくなると熱の影響で磁化の方向が揺ら
ぐ熱揺らぎ現象が生ずる。この熱揺らぎ現象の振る舞い
は、エネルギーＫu・Ｖの熱エネルギーｋB・Ｔ（ボルツ
マン定数×絶対温度）に対する比により決定され、従来
の磁気記憶媒体の磁気記録層の厚さと粒子サイズが上述
した値をとるとき、その比は、室温（Ｔ＝３００Ｋ）で
４０〜１００程度の小さな値となる。このように比の値
が小さい場合には、各強磁性結晶粒子の磁化に熱揺らぎ
現象が生じて、それらの磁化の総和からなる１ビットセ
ル内の記録磁化の大きさが減衰するため、その記録磁化
が表す磁気情報を長期間安定に保持することが困難であ
るという問題がある。
【０００９】本発明は上記事情に鑑み、高記録密度で情
報を記録し、かつその情報を高い信号品質（高Ｓ／
Ｎm）で再生することが可能であるとともに、記録され
ている情報の長寿命化が図られた磁気記憶媒体を提供す
ることを目的とする。
報を記録し、かつその情報を高い信号品質（高Ｓ／
Ｎm）で再生することが可能であるとともに、記録され
ている情報の長寿命化が図られた磁気記憶媒体を提供す
ることを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成する本発
明の磁気記憶媒体は、 （１）非磁性の基体 （２）複数の強磁性の磁気記録層 （３）これらの複数の磁気記録層どうしの間に介在して
これら複数の磁気記録層を相互に分断する、反強磁性の
分断層を有することを特徴とする。
明の磁気記憶媒体は、 （１）非磁性の基体 （２）複数の強磁性の磁気記録層 （３）これらの複数の磁気記録層どうしの間に介在して
これら複数の磁気記録層を相互に分断する、反強磁性の
分断層を有することを特徴とする。
【００１１】上記本発明の磁気記憶媒体では、上記
（２）の複数の磁気記録層が上記（３）の分断層により
分断されているため、それらの磁気記録層の１層１層は
分断されていない場合の磁気記録層より厚さの薄いもの
となる。一般に、磁気記憶媒体は、磁気記録層が薄いほ
どその磁気記録層の磁化遷移領域の幅が狭まるので、そ
の磁気記録層に記録された磁気情報がどれくらいの記録
密度まで良好に再生されるかを示す指標である分解能が
高くなる。そのため、上記本発明の磁気記憶媒体は、高
記録密度で情報を記録する媒体として適している。
（２）の複数の磁気記録層が上記（３）の分断層により
分断されているため、それらの磁気記録層の１層１層は
分断されていない場合の磁気記録層より厚さの薄いもの
となる。一般に、磁気記憶媒体は、磁気記録層が薄いほ
どその磁気記録層の磁化遷移領域の幅が狭まるので、そ
の磁気記録層に記録された磁気情報がどれくらいの記録
密度まで良好に再生されるかを示す指標である分解能が
高くなる。そのため、上記本発明の磁気記憶媒体は、高
記録密度で情報を記録する媒体として適している。
【００１２】上記本発明の磁気記憶媒体では、上記
（２）の複数の強磁性の磁気記録層が上記（３）の反強
磁性の分断層と接触しており、その接触の界面ではそれ
らの磁気記録層それぞれの磁化とその分断層の磁化との
間に交換相互作用が働く。この交換相互作用が存在する
と磁気記録層を構成する強磁性結晶粒子の磁気異方性エ
ネルギーＫuは見かけ上増大するので、これらの粒子の
磁化は熱揺らぎに対して安定になる。そのため、本発明
の磁気記憶媒体に記録された磁気情報は長期間安定して
保持される。
（２）の複数の強磁性の磁気記録層が上記（３）の反強
磁性の分断層と接触しており、その接触の界面ではそれ
らの磁気記録層それぞれの磁化とその分断層の磁化との
間に交換相互作用が働く。この交換相互作用が存在する
と磁気記録層を構成する強磁性結晶粒子の磁気異方性エ
ネルギーＫuは見かけ上増大するので、これらの粒子の
磁化は熱揺らぎに対して安定になる。そのため、本発明
の磁気記憶媒体に記録された磁気情報は長期間安定して
保持される。
【００１３】上記磁気記憶媒体は、分断層が体心立方構
造を有する材料からなり、上記複数の磁気記録層それぞ
れが、六方晶の結晶構造を有するとともに一軸結晶磁気
異方性を有する材料からなることが好ましい。
造を有する材料からなり、上記複数の磁気記録層それぞ
れが、六方晶の結晶構造を有するとともに一軸結晶磁気
異方性を有する材料からなることが好ましい。
【００１４】一般に、六方晶の結晶構造を有する材料は
その結晶の対称性から一軸結晶磁気異方性を持つことが
多く、一軸結晶磁気異方性を持つ材料は、磁化の配向性
が高い。また、一般に、六方晶の結晶構造を持つ材料は
面心立方構造を有する材料より体心立方構造を有する材
料とヘテロ・エピタキシャル成長しやすく、このヘテロ
・エピタキシャル成長によって磁化の配向性は高くな
る。そのため、上記好ましい構成の磁気記憶媒体は、磁
化の配向性が高い。また、磁化の配向性の向上は、保磁
力Ｈcの増大と分解能の向上につながる。そのため、保
磁力Ｈcが大きく分解能の高い磁気記憶媒体が得られ
る。
その結晶の対称性から一軸結晶磁気異方性を持つことが
多く、一軸結晶磁気異方性を持つ材料は、磁化の配向性
が高い。また、一般に、六方晶の結晶構造を持つ材料は
面心立方構造を有する材料より体心立方構造を有する材
料とヘテロ・エピタキシャル成長しやすく、このヘテロ
・エピタキシャル成長によって磁化の配向性は高くな
る。そのため、上記好ましい構成の磁気記憶媒体は、磁
化の配向性が高い。また、磁化の配向性の向上は、保磁
力Ｈcの増大と分解能の向上につながる。そのため、保
磁力Ｈcが大きく分解能の高い磁気記憶媒体が得られ
る。
【００１５】また、上記磁気記憶媒体では、磁気記録層
が、Ｃｏに、Ｃｒ、Ｐｔ、およびＴａのうちの１種類以
上の元素が添加された、強磁性の合金からなることが好
ましい。
が、Ｃｏに、Ｃｒ、Ｐｔ、およびＴａのうちの１種類以
上の元素が添加された、強磁性の合金からなることが好
ましい。
【００１６】Ｃｏは六方晶の結晶構造を有するとともに
一軸結晶磁気異方性を有する強磁性材料であり磁気記録
層の材料として適している。また、このＣｏに、Ｐｔを
添加することで磁気記憶媒体の保持力Ｈcが高くなり、
Ｃｏに、ＣｒまたはＴａを添加することで磁気記憶媒体
の媒体ノイズが小さくなる。
一軸結晶磁気異方性を有する強磁性材料であり磁気記録
層の材料として適している。また、このＣｏに、Ｐｔを
添加することで磁気記憶媒体の保持力Ｈcが高くなり、
Ｃｏに、ＣｒまたはＴａを添加することで磁気記憶媒体
の媒体ノイズが小さくなる。
【００１７】また、上記磁気記憶媒体では、分断層が、
Ｃｒに、Ｍｎ、Ｒｕ、およびＲｅのうちの１種類以上の
元素が添加された合金からなることが好ましい。
Ｃｒに、Ｍｎ、Ｒｕ、およびＲｅのうちの１種類以上の
元素が添加された合金からなることが好ましい。
【００１８】現在一般に使用されている磁気記憶媒体
は、６０℃程度までの温度で使用されることが想定され
ている。本発明の磁気記憶媒体でも、少なくともその温
度程度まで上記（３）の分断層が反強磁性を保つため、
その分断層を構成する材料のネール温度として４００Ｋ
が目安となる。
は、６０℃程度までの温度で使用されることが想定され
ている。本発明の磁気記憶媒体でも、少なくともその温
度程度まで上記（３）の分断層が反強磁性を保つため、
その分断層を構成する材料のネール温度として４００Ｋ
が目安となる。
【００１９】上述したようにＣｒに、Ｍｎ、Ｒｕ、およ
びＲｅのうちの１種類以上の元素が添加された合金を分
断層の材料とすることにより、後に実施形態で示すよう
にその材料のネール温度を４００Ｋ以上になるよう調整
することができる。また、その調整に伴って上述した交
換相互作用の大きさも変化し、本発明の磁気記憶媒体の
熱揺らぎに対する安定性を増すことができると考えられ
る。
びＲｅのうちの１種類以上の元素が添加された合金を分
断層の材料とすることにより、後に実施形態で示すよう
にその材料のネール温度を４００Ｋ以上になるよう調整
することができる。また、その調整に伴って上述した交
換相互作用の大きさも変化し、本発明の磁気記憶媒体の
熱揺らぎに対する安定性を増すことができると考えられ
る。
【００２０】以下、このようにＣｒに、Ｍｎ、Ｒｕ、お
よびＲｅのうちの１種類以上の元素が添加された合金か
らなるＣｒ系分断層を有する磁気記録媒体について説明
する。
よびＲｅのうちの１種類以上の元素が添加された合金か
らなるＣｒ系分断層を有する磁気記録媒体について説明
する。
【００２１】分断層として上記Ｃｒ系分断層を有する磁
気記憶媒体では、その分断層が、Ｃｒに、５ａｔ％以上
８０ａｔ％以下の濃度のＭｎが添加された合金からなる
層であることが好ましい。
気記憶媒体では、その分断層が、Ｃｒに、５ａｔ％以上
８０ａｔ％以下の濃度のＭｎが添加された合金からなる
層であることが好ましい。
【００２２】Ｃｒに上記濃度のＭｎが添加された合金
は、後に実施形態で示すようにそのネール温度が４００
Ｋを超え、また安定して存在する材料であるため、分断
層の材料として適している。
は、後に実施形態で示すようにそのネール温度が４００
Ｋを超え、また安定して存在する材料であるため、分断
層の材料として適している。
【００２３】また、分断層として上記Ｃｒ系分断層を有
する磁気記憶媒体では、その分断層が、Ｃｒに、２ａｔ
％以上１８ａｔ％以下の濃度のＲｕが添加された合金か
らなる層であることが好ましい。
する磁気記憶媒体では、その分断層が、Ｃｒに、２ａｔ
％以上１８ａｔ％以下の濃度のＲｕが添加された合金か
らなる層であることが好ましい。
【００２４】Ｃｒに上記濃度のＲｕが添加された合金
は、後に実施形態で示すようにそのネール温度が４００
Ｋを超え、分断層の材料として適している。
は、後に実施形態で示すようにそのネール温度が４００
Ｋを超え、分断層の材料として適している。
【００２５】また、分断層として上記Ｃｒ系分断層を有
する磁気記憶媒体では、その分断層が、Ｃｒに、２ａｔ
％以上１４ａｔ％以下の濃度のＲｅが添加された合金か
らなる層であることが好ましい。
する磁気記憶媒体では、その分断層が、Ｃｒに、２ａｔ
％以上１４ａｔ％以下の濃度のＲｅが添加された合金か
らなる層であることが好ましい。
【００２６】Ｃｒに上記濃度のＲｅが添加された合金
は、後に実施形態で示すようにそのネール温度が４００
Ｋを超え、分断層の材料として適している。
は、後に実施形態で示すようにそのネール温度が４００
Ｋを超え、分断層の材料として適している。
【００２７】また、分断層として上記Ｃｒ系分断層を有
する磁気記憶媒体では、その分断層が、さらにＭｏおよ
びＷのうちの１種類以上の元素が添加された合金からな
る層であることが好ましい。
する磁気記憶媒体では、その分断層が、さらにＭｏおよ
びＷのうちの１種類以上の元素が添加された合金からな
る層であることが好ましい。
【００２８】このように好ましい構成の磁気記憶媒体で
は、その分断層を構成する、ＣｒにさらにＭｏおよびＷ
のうちの１種類以上の元素が添加された合金の（１１
０）面どうしの間隔がその添加されたＭｏと添加された
Ｗの量によって調整される。上記（２）の複数の記録層
が強磁性材料として優れているＣｏを主体とする合金か
らなる場合、上記面どうしの間隔が、そのＣｏを主体と
する合金の（００２）面どうしの間隔とは互いにほぼ一
致するように調整されることで、それらの記録層とその
分断層の間のヘテロエピタキシャル成長が促される。そ
のため、この磁気記憶媒体は、磁化の配向が良好であっ
て保持力Ｈcも大きく分解能も高い。
は、その分断層を構成する、ＣｒにさらにＭｏおよびＷ
のうちの１種類以上の元素が添加された合金の（１１
０）面どうしの間隔がその添加されたＭｏと添加された
Ｗの量によって調整される。上記（２）の複数の記録層
が強磁性材料として優れているＣｏを主体とする合金か
らなる場合、上記面どうしの間隔が、そのＣｏを主体と
する合金の（００２）面どうしの間隔とは互いにほぼ一
致するように調整されることで、それらの記録層とその
分断層の間のヘテロエピタキシャル成長が促される。そ
のため、この磁気記憶媒体は、磁化の配向が良好であっ
て保持力Ｈcも大きく分解能も高い。
【００２９】また、分断層として上記Ｃｒ系分断層を有
する磁気記憶媒体では、その分断層が、さらにＰｔおよ
びＲｈのうち１種類以上の元素が添加された合金からな
る層であることが好ましい。
する磁気記憶媒体では、その分断層が、さらにＰｔおよ
びＲｈのうち１種類以上の元素が添加された合金からな
る層であることが好ましい。
【００３０】これらの元素の添加により、後に実施形態
で説明されるように磁気記憶媒体の熱的安定性が増す。
で説明されるように磁気記憶媒体の熱的安定性が増す。
【００３１】また、分断層として上記Ｃｒ系分断層を有
する磁気記憶媒体では、その分断層が、４００Ｋ以上の
ネール温度を有する合金からなる層であることが好まし
い。
する磁気記憶媒体では、その分断層が、４００Ｋ以上の
ネール温度を有する合金からなる層であることが好まし
い。
【００３２】分断層を構成する合金において、Ｃｒに対
して複数の元素を添加する場合にも、その合金が４００
Ｋ以上のネール温度を有するようにその添加量を調整す
ることによって実用に適した磁気記憶媒体となる。
して複数の元素を添加する場合にも、その合金が４００
Ｋ以上のネール温度を有するようにその添加量を調整す
ることによって実用に適した磁気記憶媒体となる。
【００３３】次に、下地層を有する磁気記憶媒体につい
て説明する。上記本発明の磁気記憶媒体は、 （４）基体に隣接して、体心立方構造を有する材料から
なる非磁性層と体心立方構造を有する材料からなる反強
磁性層とのうちの少なくとも１層からなる下地層を有
し、上記複数の磁気記録層のうちの最下層の磁気記録層
がその下地層に隣接して形成されてなることが好まし
い。
て説明する。上記本発明の磁気記憶媒体は、 （４）基体に隣接して、体心立方構造を有する材料から
なる非磁性層と体心立方構造を有する材料からなる反強
磁性層とのうちの少なくとも１層からなる下地層を有
し、上記複数の磁気記録層のうちの最下層の磁気記録層
がその下地層に隣接して形成されてなることが好まし
い。
【００３４】この下地層を有する磁気記憶媒体は、この
下地層上に上記（２）の磁気記録層が良好にヘテロエピ
タキシャル成長するために磁化の配向が良好である。ま
た、この下地層が反強磁性層を含む場合には、この反強
磁性層が上記最下層の磁気記録層と接することにより、
上述した、上記（２）の複数の磁気記録層が上記（３）
の反強磁性の分断層と接触している場合と同様な理由
で、本発明の磁気記憶媒体に記録された磁気情報は長期
間安定して保持される。
下地層上に上記（２）の磁気記録層が良好にヘテロエピ
タキシャル成長するために磁化の配向が良好である。ま
た、この下地層が反強磁性層を含む場合には、この反強
磁性層が上記最下層の磁気記録層と接することにより、
上述した、上記（２）の複数の磁気記録層が上記（３）
の反強磁性の分断層と接触している場合と同様な理由
で、本発明の磁気記憶媒体に記録された磁気情報は長期
間安定して保持される。
【００３５】上記下地層を有する磁気記憶媒体では、そ
の下地層が、上記非磁性層を有し、その非磁性層が、Ｃ
ｒを含み、さらにＣｒ中にＭｏあるいはＷが添加された
材料からなる層であることが好ましい。
の下地層が、上記非磁性層を有し、その非磁性層が、Ｃ
ｒを含み、さらにＣｒ中にＭｏあるいはＷが添加された
材料からなる層であることが好ましい。
【００３６】この好ましい構成を有する磁気記憶媒体
は、上述した、分断層がさらにＭｏおよびＷのうちの１
種類以上の元素が添加された合金からなる場合と同様な
理由で、磁化の配向が良好であって保持力Ｈcも大きく
分解能も高い。
は、上述した、分断層がさらにＭｏおよびＷのうちの１
種類以上の元素が添加された合金からなる場合と同様な
理由で、磁化の配向が良好であって保持力Ｈcも大きく
分解能も高い。
【００３７】また、上記下地層を有する磁気記憶媒体で
は、その下地層が、上記反強磁性層を有し、その反強磁
性層が、Ｃｒを含み、さらにＣｒ中にＭｎ、Ｒｕ、およ
びＲｅのうちの１種類以上の元素が添加された合金から
なることが好ましい。
は、その下地層が、上記反強磁性層を有し、その反強磁
性層が、Ｃｒを含み、さらにＣｒ中にＭｎ、Ｒｕ、およ
びＲｅのうちの１種類以上の元素が添加された合金から
なることが好ましい。
【００３８】この好ましい構成を有する磁気記憶媒体
は、上述した、分断層がＣｒにＭｎ、Ｒｕ、およびＲｅ
のうちの１種類以上の元素が添加された合金からなる場
合と同様な理由で、その反強磁性層のネール温度を４０
０Ｋ以上になるように調整することができる。また、本
発明の磁気記憶媒体の熱揺らぎに対する安定性を増すこ
とができると考えられる。
は、上述した、分断層がＣｒにＭｎ、Ｒｕ、およびＲｅ
のうちの１種類以上の元素が添加された合金からなる場
合と同様な理由で、その反強磁性層のネール温度を４０
０Ｋ以上になるように調整することができる。また、本
発明の磁気記憶媒体の熱揺らぎに対する安定性を増すこ
とができると考えられる。
【００３９】以下、このようにＣｒを含み、さらにＣｒ
中にＭｎ、Ｒｕ、およびＲｅのうちの１種類以上の元素
が添加された合金からなる反強磁性層を有する下地層に
ついて述べる。以下に説明する好ましい構成を有するそ
れぞれの磁気記憶媒体の下地層が有する反強磁性層は、
この反強磁性層と同じ構成を持つ上述した分断層と同様
な特徴を有する。
中にＭｎ、Ｒｕ、およびＲｅのうちの１種類以上の元素
が添加された合金からなる反強磁性層を有する下地層に
ついて述べる。以下に説明する好ましい構成を有するそ
れぞれの磁気記憶媒体の下地層が有する反強磁性層は、
この反強磁性層と同じ構成を持つ上述した分断層と同様
な特徴を有する。
【００４０】下地層が上記合金からなる反強磁性層を有
する上記磁気記憶媒体では、その反強磁性層が、Ｃｒを
含み、さらにＣｒ中に５ａｔ％以上８０ａｔ％以下の濃
度のＭｎが添加された合金からなる層であることが好ま
しい。
する上記磁気記憶媒体では、その反強磁性層が、Ｃｒを
含み、さらにＣｒ中に５ａｔ％以上８０ａｔ％以下の濃
度のＭｎが添加された合金からなる層であることが好ま
しい。
【００４１】また、下地層が上記合金からなる反強磁性
層を有する上記磁気記憶媒体では、その反強磁性層が、
Ｃｒを含み、さらにＣｒ中に２ａｔ％以上１８ａｔ％以
下の濃度のＲｕが添加された合金からなる層であること
が好ましい。
層を有する上記磁気記憶媒体では、その反強磁性層が、
Ｃｒを含み、さらにＣｒ中に２ａｔ％以上１８ａｔ％以
下の濃度のＲｕが添加された合金からなる層であること
が好ましい。
【００４２】また、下地層が上記合金からなる反強磁性
層を有する上記磁気記憶媒体では、その反強磁性層が、
Ｃｒを含み、さらにＣｒ中に２ａｔ％以上１４ａｔ％以
下の濃度のＲｅが添加された合金からなる層であること
が好ましい。
層を有する上記磁気記憶媒体では、その反強磁性層が、
Ｃｒを含み、さらにＣｒ中に２ａｔ％以上１４ａｔ％以
下の濃度のＲｅが添加された合金からなる層であること
が好ましい。
【００４３】また、下地層が上記合金からなる反強磁性
層を有する上記磁気記憶媒体では、その反強磁性層が、
さらにＭｏおよびＷのうちの１種類以上の元素が添加さ
れた合金からなる層であることが好ましい。
層を有する上記磁気記憶媒体では、その反強磁性層が、
さらにＭｏおよびＷのうちの１種類以上の元素が添加さ
れた合金からなる層であることが好ましい。
【００４４】また、下地層が上記合金からなる反強磁性
層を有する上記磁気記憶媒体では、その反強磁性層が、
さらにＰｔおよびＲｈのうち１種類以上の元素が添加さ
れた合金からなる層であることが好ましい。
層を有する上記磁気記憶媒体では、その反強磁性層が、
さらにＰｔおよびＲｈのうち１種類以上の元素が添加さ
れた合金からなる層であることが好ましい。
【００４５】また、下地層が上記合金からなる反強磁性
層を有する上記磁気記憶媒体では、その反強磁性層が、
４００Ｋ以上のネール温度を有する合金からなる層であ
ることが好ましい。
層を有する上記磁気記憶媒体では、その反強磁性層が、
４００Ｋ以上のネール温度を有する合金からなる層であ
ることが好ましい。
【００４６】上記本発明の磁気記憶媒体は、 （５）磁気記録層のうちの最上層に隣接してカーボンを
含有する保護層を有することが好ましい。
含有する保護層を有することが好ましい。
【００４７】この磁気記憶媒体の場合、上記（５）の保
護層は硬質の粒子からなるので、その保護層により上記
（２）の磁気記録層が保護される。
護層は硬質の粒子からなるので、その保護層により上記
（２）の磁気記録層が保護される。
【００４８】また、上記本発明の磁気記憶媒体は、磁気
記録層の残留磁束密度Ｂｒとその磁気記録層の厚さの総
和ｔとの積Ｂｒ・ｔが２０Ｇａｕｓｓ・μｍ以上１００
Ｇａｕｓｓ・μｍ以下となるものであることが好まし
い。
記録層の残留磁束密度Ｂｒとその磁気記録層の厚さの総
和ｔとの積Ｂｒ・ｔが２０Ｇａｕｓｓ・μｍ以上１００
Ｇａｕｓｓ・μｍ以下となるものであることが好まし
い。
【００４９】現在一般に使用されている磁気記憶媒体
は、Ｂｒ・ｔが１００Ｇａｕｓｓ・μｍ程度の値を有す
るため、磁気記憶媒体の分解能を向上させるためには、
磁気記録層の厚さの総和ｔをより薄くしてＢｒ・ｔの値
を１００Ｇａｕｓｓ・μｍ以下にすることが好ましい。
また、Ｂｒ・ｔの値が２０Ｇａｕｓｓ・μｍ以下の磁気
記憶媒体では、現在一般に使用されているヘッドによっ
ても十分な再生出力が得られないため、Ｂｒ・ｔの値が
２０Ｇａｕｓｓ・μｍ以上であることが望ましい。
は、Ｂｒ・ｔが１００Ｇａｕｓｓ・μｍ程度の値を有す
るため、磁気記憶媒体の分解能を向上させるためには、
磁気記録層の厚さの総和ｔをより薄くしてＢｒ・ｔの値
を１００Ｇａｕｓｓ・μｍ以下にすることが好ましい。
また、Ｂｒ・ｔの値が２０Ｇａｕｓｓ・μｍ以下の磁気
記憶媒体では、現在一般に使用されているヘッドによっ
ても十分な再生出力が得られないため、Ｂｒ・ｔの値が
２０Ｇａｕｓｓ・μｍ以上であることが望ましい。
【００５０】上記複数の磁気記録層それぞれが一軸結晶
磁気異方性を有する材料からなる上記磁気記憶媒体は、
その基体がディスク状の基体であるとともに、一軸結晶
磁気異方性の方向がそのディスク状の基体の円周方向に
揃うものであることが好ましい。
磁気異方性を有する材料からなる上記磁気記憶媒体は、
その基体がディスク状の基体であるとともに、一軸結晶
磁気異方性の方向がそのディスク状の基体の円周方向に
揃うものであることが好ましい。
【００５１】一般に、磁気記憶媒体はディスク状であ
り、その磁気記憶媒体に磁気情報を記録もしくは再生す
るヘッドの磁界の方向はそのディスクの円周方向を向
く。後に実施形態で説明するように、磁気記憶媒体の、
ディスクの円周方向への磁気異方性が大きい程、その磁
気記憶媒体の磁気情報が熱的に安定に保持される。
り、その磁気記憶媒体に磁気情報を記録もしくは再生す
るヘッドの磁界の方向はそのディスクの円周方向を向
く。後に実施形態で説明するように、磁気記憶媒体の、
ディスクの円周方向への磁気異方性が大きい程、その磁
気記憶媒体の磁気情報が熱的に安定に保持される。
【００５２】
【発明の実施形態】以下、本発明の実施形態について説
明する。
明する。
【００５３】まず、本発明の実施形態の磁気記憶媒体の
構成を図１を用い、途中図２を使用して説明する。
構成を図１を用い、途中図２を使用して説明する。
【００５４】図１は、本発明の実施形態の磁気記憶媒体
の断面構造を示す図である。
の断面構造を示す図である。
【００５５】磁気記憶媒体ｍ２は、磁気情報を担う磁気
記録層１と、磁気記録層１を第１の磁気記録層１＿１と
第２の磁気記録層１＿２に分断する分断層２と、磁気記
録層１と分断層２を支持する基板３と、基板３と上記第
１の磁気記録層１＿１の仲立ちをする下地層４と、磁気
記録層１を保護する保護層５により構成されている。
記録層１と、磁気記録層１を第１の磁気記録層１＿１と
第２の磁気記録層１＿２に分断する分断層２と、磁気記
録層１と分断層２を支持する基板３と、基板３と上記第
１の磁気記録層１＿１の仲立ちをする下地層４と、磁気
記録層１を保護する保護層５により構成されている。
【００５６】基板３は、ＮｉＰディスク基板にアルミニ
ウムメッキが施されたテクスチャ処理済みのＡｌ／Ｎｉ
Ｐディスク基板であり、本発明にいう非磁性の基体に相
当する。この基板３に隣接してＣｒＭｏ10からなり、３
０ｎｍの厚さを有する下地層４が形成されており、下地
層４の上部に第１の磁気記録層１＿１が形成されてい
る。なお、物質の組成はすべてａｔ％で表される。
ウムメッキが施されたテクスチャ処理済みのＡｌ／Ｎｉ
Ｐディスク基板であり、本発明にいう非磁性の基体に相
当する。この基板３に隣接してＣｒＭｏ10からなり、３
０ｎｍの厚さを有する下地層４が形成されており、下地
層４の上部に第１の磁気記録層１＿１が形成されてい
る。なお、物質の組成はすべてａｔ％で表される。
【００５７】第１の磁気記録層１＿１は第２の磁気記録
層１＿２と位置が異なるのみで、層の厚さおよびその材
質に関しては全く同じものである。これらの層は１０ｎ
ｍと厚さが薄く、強磁性を示す六方晶の構造を有するＣ
ｏＣｒＰｔＴａ合金（Ｃｏ68Ｃｒ20Ｐｔ10Ｔａ2）の多
結晶材料からなる。それらの結晶粒子の磁化は、それぞ
れの結晶の（００１）方向に一軸結晶磁気異方性を有す
る。そのそれぞれの結晶粒子は、その一軸結晶磁気異方
性の方向が上記ディスク状の基板３の円周方向にほぼ揃
うように形成されている。この強磁性のＣｏＣｒＰｔＴ
ａ合金は、上述したように一軸結晶磁気異方性を有する
ため磁化の配向が良好で保持力Ｈcが高いので、分解能
が高く、高密度で磁気情報が記録される磁気記憶媒体の
磁気記録層の材料として適している。
層１＿２と位置が異なるのみで、層の厚さおよびその材
質に関しては全く同じものである。これらの層は１０ｎ
ｍと厚さが薄く、強磁性を示す六方晶の構造を有するＣ
ｏＣｒＰｔＴａ合金（Ｃｏ68Ｃｒ20Ｐｔ10Ｔａ2）の多
結晶材料からなる。それらの結晶粒子の磁化は、それぞ
れの結晶の（００１）方向に一軸結晶磁気異方性を有す
る。そのそれぞれの結晶粒子は、その一軸結晶磁気異方
性の方向が上記ディスク状の基板３の円周方向にほぼ揃
うように形成されている。この強磁性のＣｏＣｒＰｔＴ
ａ合金は、上述したように一軸結晶磁気異方性を有する
ため磁化の配向が良好で保持力Ｈcが高いので、分解能
が高く、高密度で磁気情報が記録される磁気記憶媒体の
磁気記録層の材料として適している。
【００５８】この第１の磁気記録層１＿１の上部に分断
層２が隣接して形成され、分断層２の上部に隣接して第
２の磁気記録層１＿２が形成されている。分断層２は５
ｎｍの厚さを有し、体心立方構造の反強磁性材料である
ＣｒＭｎ30からなる。このＣｒＭｎ30は８００Ｋ近くの
高いネール温度を有する。本実施形態では、分断層２の
材料としてＣｒ等の単なる非磁性材料ではなく、ＣｒＭ
ｎ30という反強磁性材料が採用されているため、第１の
磁気記録層１＿１あるいは第２の磁気記録層１＿２との
界面の磁化は、この磁化とその界面を挟んで隣接する分
断層２の界面の磁化との間で互いに交換相互作用を及ぼ
し合う。
層２が隣接して形成され、分断層２の上部に隣接して第
２の磁気記録層１＿２が形成されている。分断層２は５
ｎｍの厚さを有し、体心立方構造の反強磁性材料である
ＣｒＭｎ30からなる。このＣｒＭｎ30は８００Ｋ近くの
高いネール温度を有する。本実施形態では、分断層２の
材料としてＣｒ等の単なる非磁性材料ではなく、ＣｒＭ
ｎ30という反強磁性材料が採用されているため、第１の
磁気記録層１＿１あるいは第２の磁気記録層１＿２との
界面の磁化は、この磁化とその界面を挟んで隣接する分
断層２の界面の磁化との間で互いに交換相互作用を及ぼ
し合う。
【００５９】分断層２および下地層４では、Ｃｒを主体
とした合金の材料が採用されている。一般に下地層には
面心立方構造の材料より体心立方構造の材料を使用した
ほうが、下地層に隣接して形成される磁気記録層の磁化
の配向が良くなり、分断層についても同様である。これ
らの層の結晶構造について図２により説明する。
とした合金の材料が採用されている。一般に下地層には
面心立方構造の材料より体心立方構造の材料を使用した
ほうが、下地層に隣接して形成される磁気記録層の磁化
の配向が良くなり、分断層についても同様である。これ
らの層の結晶構造について図２により説明する。
【００６０】図２は、下地層を構成する材料の結晶構造
と磁気記録層を構成する材料の結晶構造を示す図であ
る。
と磁気記録層を構成する材料の結晶構造を示す図であ
る。
【００６１】図２では、図の上部に第１の磁気記録層１
＿１を構成するＣｏＣｒＰｔＴａ合金の六方晶単位セル
６が表され、図の下部に下地層４を構成する体心立方構
造のＣｒＭｏ10からなる立方晶下地７の結晶構造が表さ
れる。ここでは、立方晶下地７の結晶構造として、下地
層４の、第１の磁気記録層と接する界面から、体心立方
構造の単位セルを表す立方体が層の平面に縦３×横３で
並ぶ部分が抜き出されている。この立方体の上面の対角
線方向に伸び、かつ層の平面に垂直な面は、この結晶構
造の（１１０）面８を表す。
＿１を構成するＣｏＣｒＰｔＴａ合金の六方晶単位セル
６が表され、図の下部に下地層４を構成する体心立方構
造のＣｒＭｏ10からなる立方晶下地７の結晶構造が表さ
れる。ここでは、立方晶下地７の結晶構造として、下地
層４の、第１の磁気記録層と接する界面から、体心立方
構造の単位セルを表す立方体が層の平面に縦３×横３で
並ぶ部分が抜き出されている。この立方体の上面の対角
線方向に伸び、かつ層の平面に垂直な面は、この結晶構
造の（１１０）面８を表す。
【００６２】また、六方晶単位セル６は、六角柱の形状
を有する。その六角柱の両底面に垂直な軸がこの六方晶
構造のｃ軸９を表し、ｃ軸９は層の平面内方向で、かつ
立方晶下地７に現れる立方体の上面の１つの対角線の方
向を向いている。ＣｏＣｒＰｔＴａ合金の結晶はこのｃ
軸９の方向に一軸結晶磁気異方性を有する。
を有する。その六角柱の両底面に垂直な軸がこの六方晶
構造のｃ軸９を表し、ｃ軸９は層の平面内方向で、かつ
立方晶下地７に現れる立方体の上面の１つの対角線の方
向を向いている。ＣｏＣｒＰｔＴａ合金の結晶はこのｃ
軸９の方向に一軸結晶磁気異方性を有する。
【００６３】上記六角柱の両底面は、この六方晶構造の
（００１）面１０を表す。この（００１）面の面間隔の
半分の面間隔を有する面が（００２）面１１であり、こ
の（００２）面１１は、上記両底面と、これらの両底面
と並行で、これらの両底面のちょうど中間に位置する面
により表される。これらの（００２）面１１は、立方晶
下地層７のある方向を向くの（１１０）面と並行であ
り、さらに、（００２）面１１の面間隔は、立方晶下地
７の（１１０）面の面間隔とほぼ一致している。そのた
め、体心立方構造のＣｒＭｏ10からなる下地層４の上部
の界面で、六方晶構造のＣｏＣｒＰｔＴａ合金はヘテロ
・エピタキシャル成長する。先に述べたように、ｃ軸９
が層の平面内方向を向くのは、実は、このように六方晶
構造のＣｏＣｒＰｔＴａ合金がヘテロ・エピタキシャル
成長するためであり、それにより第１の磁気記録層１＿
１の磁化は層の平面内方向に配向される。
（００１）面１０を表す。この（００１）面の面間隔の
半分の面間隔を有する面が（００２）面１１であり、こ
の（００２）面１１は、上記両底面と、これらの両底面
と並行で、これらの両底面のちょうど中間に位置する面
により表される。これらの（００２）面１１は、立方晶
下地層７のある方向を向くの（１１０）面と並行であ
り、さらに、（００２）面１１の面間隔は、立方晶下地
７の（１１０）面の面間隔とほぼ一致している。そのた
め、体心立方構造のＣｒＭｏ10からなる下地層４の上部
の界面で、六方晶構造のＣｏＣｒＰｔＴａ合金はヘテロ
・エピタキシャル成長する。先に述べたように、ｃ軸９
が層の平面内方向を向くのは、実は、このように六方晶
構造のＣｏＣｒＰｔＴａ合金がヘテロ・エピタキシャル
成長するためであり、それにより第１の磁気記録層１＿
１の磁化は層の平面内方向に配向される。
【００６４】さらに、下地層４の上部の界面で第１の磁
気記録層１＿１がヘテロ・エピタキシャル成長すると同
様に、第１の磁気記録層１＿１上にＣｒＭｎ30からなる
分断層２が、そして、分断層２上にＣｏＣｒＰｔＴａ合
金からなる第２の磁気記録層１＿２がヘテロ・エピタキ
シャル成長するため、第２の磁気記録層１＿２の磁化も
層の面内へ良好に配向される。このようにして磁気記録
層１の両層の磁化が面内へ良好に配向がされるため磁気
記録層１の保持力Ｈcも高い。この保持力Ｈcが高く、上
述した磁気記録層１のそれぞれの層が薄いため、本実施
形態の磁気記憶媒体ｍ２は高い分解能を有する。
気記録層１＿１がヘテロ・エピタキシャル成長すると同
様に、第１の磁気記録層１＿１上にＣｒＭｎ30からなる
分断層２が、そして、分断層２上にＣｏＣｒＰｔＴａ合
金からなる第２の磁気記録層１＿２がヘテロ・エピタキ
シャル成長するため、第２の磁気記録層１＿２の磁化も
層の面内へ良好に配向される。このようにして磁気記録
層１の両層の磁化が面内へ良好に配向がされるため磁気
記録層１の保持力Ｈcも高い。この保持力Ｈcが高く、上
述した磁気記録層１のそれぞれの層が薄いため、本実施
形態の磁気記憶媒体ｍ２は高い分解能を有する。
【００６５】なお、分断層２および下地層４それぞれを
構成するＣｒを主体とするそれぞれの合金には、Ｍｏお
よびＷのうちの１種類以上の元素が添加されてもよく、
その添加によりその合金の（１１０）面の面間隔は調節
される。この調節によって、さらに、分断層２および下
地層４と、磁気記録層１との界面でのエピタキシャル成
長が良好なものとなり、磁気記録層１の保持力Ｈcが高
められる。
構成するＣｒを主体とするそれぞれの合金には、Ｍｏお
よびＷのうちの１種類以上の元素が添加されてもよく、
その添加によりその合金の（１１０）面の面間隔は調節
される。この調節によって、さらに、分断層２および下
地層４と、磁気記録層１との界面でのエピタキシャル成
長が良好なものとなり、磁気記録層１の保持力Ｈcが高
められる。
【００６６】これまで述べた各層を保護するために、第
２の磁気記録層１＿２の上部に隣接して８ｎｍの厚さの
カーボンからなる硬質の粒子の集まりからなる保護層５
が形成されている。保護層５は、それ無しでは両磁気記
録層に記録されている磁気情報を読む浮上ヘッドがこの
磁気記憶媒体に接触するときに起きる磁気記録層１をは
じめとする各層の損傷を防ぐ。
２の磁気記録層１＿２の上部に隣接して８ｎｍの厚さの
カーボンからなる硬質の粒子の集まりからなる保護層５
が形成されている。保護層５は、それ無しでは両磁気記
録層に記録されている磁気情報を読む浮上ヘッドがこの
磁気記憶媒体に接触するときに起きる磁気記録層１をは
じめとする各層の損傷を防ぐ。
【００６７】以上述べたような構成を有する磁気記憶媒
体ｍ２はＤＣマグネトロンスパッタ法により製造され
た。その製造の際には、良く洗浄された上記Ａｌ／Ｎｉ
Ｐディスク基板を用意し、製膜室の真空度を１．０×１
０-7Ｔｏｒｒ以下に排気した後、Ａｒガスを導入して５
ｍＴｏｒｒを保ち、その基板の温度を２２０℃に加熱し
ておいた。その後、無バイアスで、上述した各層の製膜
を順次進めた。
体ｍ２はＤＣマグネトロンスパッタ法により製造され
た。その製造の際には、良く洗浄された上記Ａｌ／Ｎｉ
Ｐディスク基板を用意し、製膜室の真空度を１．０×１
０-7Ｔｏｒｒ以下に排気した後、Ａｒガスを導入して５
ｍＴｏｒｒを保ち、その基板の温度を２２０℃に加熱し
ておいた。その後、無バイアスで、上述した各層の製膜
を順次進めた。
【００６８】上述したように保持力Ｈcおよび分解能が
高く、また、磁気記録層１が反強磁性材料からなる分断
層２によって分断されるという構成上の特徴を有する本
実施形態の磁気記憶媒体ｍ２は、磁気記録層１に記録さ
れている磁気情報が熱的に安定であることについて説明
する。その磁気情報の熱揺らぎに対する安定性の測定結
果および、その磁気情報を再生した際のＳ／Ｎmの測定
結果を表１に示す。表１には比較の対象として、磁気記
憶媒体ｍ２から、その分断層２のみが、分断層２と厚さ
が同じで非磁性のＣｒからなる層で置き換えられてなる
従来の磁気記憶媒体ｍ１に対する結果も示す。この磁気
記憶媒体ｍ１は、分断層の材料がＣｒであることを除い
て、磁気記憶媒体ｍ２の製造条件と同じ製造条件の下に
磁気記憶媒体ｍ２の製造手順と同じ手順で製造された。
高く、また、磁気記録層１が反強磁性材料からなる分断
層２によって分断されるという構成上の特徴を有する本
実施形態の磁気記憶媒体ｍ２は、磁気記録層１に記録さ
れている磁気情報が熱的に安定であることについて説明
する。その磁気情報の熱揺らぎに対する安定性の測定結
果および、その磁気情報を再生した際のＳ／Ｎmの測定
結果を表１に示す。表１には比較の対象として、磁気記
憶媒体ｍ２から、その分断層２のみが、分断層２と厚さ
が同じで非磁性のＣｒからなる層で置き換えられてなる
従来の磁気記憶媒体ｍ１に対する結果も示す。この磁気
記憶媒体ｍ１は、分断層の材料がＣｒであることを除い
て、磁気記憶媒体ｍ２の製造条件と同じ製造条件の下に
磁気記憶媒体ｍ２の製造手順と同じ手順で製造された。
【００６９】
【表１】
【００７０】表１の最左欄には測定対象として、従来の
磁気記憶媒体ｍ１および本実施形態の磁気記憶媒体ｍ２
が示されている。ｍ１，ｍ２の両媒体の第１の磁気記録
層１＿１と第２の磁気記録層１＿２の厚さはそれぞれ同
一であり、それらの層からなる磁気記録層１のＢｒ・ｔ
はいずれの媒体でも７０Ｇａｕｓｓ・μｍである。表１
の最上段のＴ90は、３００Ｋにおいて媒体の残留磁化Ｍ
rの大きさが測定初期の磁化の大きさの９０％に減少す
るまでの時間であり、媒体の磁化および媒体に記録され
ている磁気情報の寿命を表す。上記ｍ１，ｍ２の両媒体
の残留磁化Ｍrの時間変化は、ＳＱＵＩＤ（Ｓｕｐｅｒ
ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｑｕａｎｔｕｍ Ｉｎｔｅｒｆ
ｅｒｅｎｃｅ Ｄｅｖｉｃｅ）によって、磁気記録層１
に記録されている磁化とは逆方向に加えられる逆印加磁
界Ｈrが無い場合とＨrが４００Ｏｅの場合に測定され
た。その測定された残留磁化Ｍrの時間変化から、ｍ
１，ｍ２の両媒体の時間Ｔ90が決定された。表１の最上
段のＳiso／Ｎmは、０ｋＦＣＩ近くの低い線記録密度を
持つ孤立波状態の磁気情報を再生した際の出力信号強度
Ｓisoと、１６０ｋＦＣＩの線記録密度で記録された磁
気情報を再生した際の媒体ノイズＮmとの比を表す。そ
して、その最上段とその最左欄に囲まれる６つの欄の数
字が各測定値を表す。
磁気記憶媒体ｍ１および本実施形態の磁気記憶媒体ｍ２
が示されている。ｍ１，ｍ２の両媒体の第１の磁気記録
層１＿１と第２の磁気記録層１＿２の厚さはそれぞれ同
一であり、それらの層からなる磁気記録層１のＢｒ・ｔ
はいずれの媒体でも７０Ｇａｕｓｓ・μｍである。表１
の最上段のＴ90は、３００Ｋにおいて媒体の残留磁化Ｍ
rの大きさが測定初期の磁化の大きさの９０％に減少す
るまでの時間であり、媒体の磁化および媒体に記録され
ている磁気情報の寿命を表す。上記ｍ１，ｍ２の両媒体
の残留磁化Ｍrの時間変化は、ＳＱＵＩＤ（Ｓｕｐｅｒ
ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｑｕａｎｔｕｍ Ｉｎｔｅｒｆ
ｅｒｅｎｃｅ Ｄｅｖｉｃｅ）によって、磁気記録層１
に記録されている磁化とは逆方向に加えられる逆印加磁
界Ｈrが無い場合とＨrが４００Ｏｅの場合に測定され
た。その測定された残留磁化Ｍrの時間変化から、ｍ
１，ｍ２の両媒体の時間Ｔ90が決定された。表１の最上
段のＳiso／Ｎmは、０ｋＦＣＩ近くの低い線記録密度を
持つ孤立波状態の磁気情報を再生した際の出力信号強度
Ｓisoと、１６０ｋＦＣＩの線記録密度で記録された磁
気情報を再生した際の媒体ノイズＮmとの比を表す。そ
して、その最上段とその最左欄に囲まれる６つの欄の数
字が各測定値を表す。
【００７１】Ｔ90については、逆印加磁界無しの場合
（Ｈr＝０Ｏｅ）には、非磁性のＣｒで分断された磁気
記憶媒体ｍ１のＴ90は８．０×１０11年であったのに対
し、反強磁性の合金で分断された本実施形態の磁気記憶
媒体ｍ２のＴ90は８．４×１０ 14年と磁気記憶媒体ｍ１
のＴ90より１０００倍程度長い時間となった。また、４
００Ｏｅの逆印加磁場Ｈrが加えられている場合にも、
磁気記憶媒体ｍ２のＴ90は磁気記憶媒体ｍ１のＴ90より
長く、磁気記憶媒体ｍ１のＴ90は１年程度と短い時間で
あったのに対し、磁気記憶媒体ｍ２のＴ90はその２００
倍の２×１０2年程度の時間となった。
（Ｈr＝０Ｏｅ）には、非磁性のＣｒで分断された磁気
記憶媒体ｍ１のＴ90は８．０×１０11年であったのに対
し、反強磁性の合金で分断された本実施形態の磁気記憶
媒体ｍ２のＴ90は８．４×１０ 14年と磁気記憶媒体ｍ１
のＴ90より１０００倍程度長い時間となった。また、４
００Ｏｅの逆印加磁場Ｈrが加えられている場合にも、
磁気記憶媒体ｍ２のＴ90は磁気記憶媒体ｍ１のＴ90より
長く、磁気記憶媒体ｍ１のＴ90は１年程度と短い時間で
あったのに対し、磁気記憶媒体ｍ２のＴ90はその２００
倍の２×１０2年程度の時間となった。
【００７２】この理由は、反強磁性の合金で分断された
本実施形態の磁気記憶媒体ｍ２においては、強磁性を示
すそれぞれの磁気記録層の磁化と、この磁化に隣接す
る、反強磁性の分断層２の界面の磁化との間に互いに交
換相互作用が働くので、磁気記録層１を構成する強磁性
結晶粒子の磁気異方性エネルギーＫuは見かけ上増大
し、そのため、その強磁性結晶粒子の磁化の方向が安定
化されるためである。
本実施形態の磁気記憶媒体ｍ２においては、強磁性を示
すそれぞれの磁気記録層の磁化と、この磁化に隣接す
る、反強磁性の分断層２の界面の磁化との間に互いに交
換相互作用が働くので、磁気記録層１を構成する強磁性
結晶粒子の磁気異方性エネルギーＫuは見かけ上増大
し、そのため、その強磁性結晶粒子の磁化の方向が安定
化されるためである。
【００７３】また、従来の磁気記憶媒体ｍ１と本実施形
態の磁気記憶媒体ｍ２との両媒体はそれぞれ、３０．１
ｄＢ、３０．２ｄＢといった高いＳiso／Ｎmを示した。
このように、磁気記憶媒体の分断層の材料として反強磁
性の合金が使用された場合にも、磁気記憶媒体のＳiso
／Ｎmは高い値に保たれる。
態の磁気記憶媒体ｍ２との両媒体はそれぞれ、３０．１
ｄＢ、３０．２ｄＢといった高いＳiso／Ｎmを示した。
このように、磁気記憶媒体の分断層の材料として反強磁
性の合金が使用された場合にも、磁気記憶媒体のＳiso
／Ｎmは高い値に保たれる。
【００７４】なお、本実施形態の磁気記憶媒体ｍ２は、
Ｂｒ・ｔが７０Ｇａｕｓｓ・μｍ程度であったが、本発
明においてＢｒ・ｔの値は、高い分解能を得るため、現
在一般に使用されている磁気記憶媒体のＢｒ・ｔの値に
近い１００Ｇａｕｓｓ・μｍ以下の値であることが好ま
しい。また、Ｂｒ・ｔの値が２０Ｇａｕｓｓ・μｍ以下
の磁気記憶媒体では、現在一般に使用されているヘッド
によっても十分な再生出力が得られないため、Ｂｒ・ｔ
の値が２０Ｇａｕｓｓ・μｍ以上であることが好まし
い。
Ｂｒ・ｔが７０Ｇａｕｓｓ・μｍ程度であったが、本発
明においてＢｒ・ｔの値は、高い分解能を得るため、現
在一般に使用されている磁気記憶媒体のＢｒ・ｔの値に
近い１００Ｇａｕｓｓ・μｍ以下の値であることが好ま
しい。また、Ｂｒ・ｔの値が２０Ｇａｕｓｓ・μｍ以下
の磁気記憶媒体では、現在一般に使用されているヘッド
によっても十分な再生出力が得られないため、Ｂｒ・ｔ
の値が２０Ｇａｕｓｓ・μｍ以上であることが好まし
い。
【００７５】このように、分断層として反強磁性材料か
らなる分断層２を有する本実施形態の磁気記憶媒体ｍ２
は、非磁性のＣｒからなる分断層を有する従来の磁気記
憶媒体ｍ１と同程度の高いＳiso／Ｎmを示しながら、そ
こに記憶される磁気情報は、従来の磁気記憶媒体ｍ１に
記憶される磁気情報よりはるかに高い、熱揺らぎに対す
る安定性を有することが確認された。
らなる分断層２を有する本実施形態の磁気記憶媒体ｍ２
は、非磁性のＣｒからなる分断層を有する従来の磁気記
憶媒体ｍ１と同程度の高いＳiso／Ｎmを示しながら、そ
こに記憶される磁気情報は、従来の磁気記憶媒体ｍ１に
記憶される磁気情報よりはるかに高い、熱揺らぎに対す
る安定性を有することが確認された。
【００７６】本実施形態の磁気記憶媒体ｍ２では、分断
層２にＣｒＭｎ30が採用されたが、ＣｒＭｎ30以外にも
分断層２に使用できる材料は存在する。それらの材料が
分断層２として採用されるには、それらの材料が、現在
日常で使用されている磁気記憶媒体がその記録再生およ
び保管に際して保証される６０℃程度以上の温度で分断
層２として機能することが必要であり、そのため、その
温度から適度な余裕をとって４００Ｋ（約１３０℃）以
上のネール温度を有することが望ましい。以下、図３と
ともに、分断層２の材料の候補となる３種類の合金の組
成とそれらの合金のネール温度について説明する。
層２にＣｒＭｎ30が採用されたが、ＣｒＭｎ30以外にも
分断層２に使用できる材料は存在する。それらの材料が
分断層２として採用されるには、それらの材料が、現在
日常で使用されている磁気記憶媒体がその記録再生およ
び保管に際して保証される６０℃程度以上の温度で分断
層２として機能することが必要であり、そのため、その
温度から適度な余裕をとって４００Ｋ（約１３０℃）以
上のネール温度を有することが望ましい。以下、図３と
ともに、分断層２の材料の候補となる３種類の合金の組
成とそれらの合金のネール温度について説明する。
【００７７】図３は、Ｃｒに、Ｍｎ、Ｒｕ、およびＲｅ
のそれぞれの元素が添加されたそれぞれの合金におけ
る、添加された元素の添加濃度に対する合金のネール温
度の変化を示すグラフである。
のそれぞれの元素が添加されたそれぞれの合金におけ
る、添加された元素の添加濃度に対する合金のネール温
度の変化を示すグラフである。
【００７８】横軸は、ＣｒＭｎ合金におけるＭｎの添加
濃度、ＣｒＲｕ合金におけるＲｕ添加濃度、およびＣｒ
Ｒｅ合金におけるＲｅ添加濃度のそれぞれの添加濃度を
ａｔ％で表す。縦軸は、ＣｒＭｎ合金、ＣｒＲｕ合金、
およびＣｒＲｅ合金のそれぞれの合金のネール温度をＫ
単位で表す。
濃度、ＣｒＲｕ合金におけるＲｕ添加濃度、およびＣｒ
Ｒｅ合金におけるＲｅ添加濃度のそれぞれの添加濃度を
ａｔ％で表す。縦軸は、ＣｒＭｎ合金、ＣｒＲｕ合金、
およびＣｒＲｅ合金のそれぞれの合金のネール温度をＫ
単位で表す。
【００７９】それぞれの合金は、添加濃度がゼロの場合
には、単体のＣｒに相当する。この場合、図中の点ａ０
に示されるように、ネール温度はほぼ室温の３００Ｋで
ある。そのため、Ｃｒは室温で安定して反強磁性となる
ことはない。また、Ｃｒが反強磁性となったとしても、
その低いネール温度から考えられるように、磁化どうし
の間に働く交換相互作用の大きさが小さいので、Ｃｒは
分断層２の材料として磁気記録層１の磁化および磁気記
録層１に記録されている磁気情報の長寿命化に寄与しな
い。
には、単体のＣｒに相当する。この場合、図中の点ａ０
に示されるように、ネール温度はほぼ室温の３００Ｋで
ある。そのため、Ｃｒは室温で安定して反強磁性となる
ことはない。また、Ｃｒが反強磁性となったとしても、
その低いネール温度から考えられるように、磁化どうし
の間に働く交換相互作用の大きさが小さいので、Ｃｒは
分断層２の材料として磁気記録層１の磁化および磁気記
録層１に記録されている磁気情報の長寿命化に寄与しな
い。
【００８０】実線ａ１は、ＣｒＭｎ合金のネール温度が
Ｍｎの添加濃度に対して変化する様子を示す。この実線
ａ１に示されるように、ＣｒＭｎ合金のネール温度は、
Ｍｎの添加濃度が０ａｔ％から２０ａｔ％まで増加する
につれて単調に増大し、２０ａｔ％程度の添加濃度にお
いて８００Ｋという高い温度で飽和する。また、実線ａ
２は、ＣｒＲｕ合金のネール温度がＲｕの添加濃度に対
して変化する様子を示す。この実線ａ２に示されるよう
に、ＣｒＲｕ合金のネール温度は、Ｒｕの添加濃度が０
ａｔ％から８ａｔ％程度まで増加するにつれて単調に増
大した後、８ａｔ％付近でピークを持ち、５００Ｋを超
える高い温度となる。その後、Ｒｕの添加濃度が８ａｔ
％程度以上に増加するとそのネール温度は単調に減少す
る。また、実線ａ３は、ＣｒＲｅ合金のネール温度がＲ
ｅの添加濃度に対して変化する様子を示す。この実線ａ
３に示されるように、ＣｒＲｅ合金のネール温度は、Ｒ
ｅの添加濃度が０ａｔ％から３ａｔ％程度まで増加する
につれて単調に増大した後、３ａｔ％付近でピークを持
ち、６００Ｋという高い温度となる。その後、Ｒｅの添
加濃度が３ａｔ％程度以上に増加するとそのネール温度
は単調に減少する。
Ｍｎの添加濃度に対して変化する様子を示す。この実線
ａ１に示されるように、ＣｒＭｎ合金のネール温度は、
Ｍｎの添加濃度が０ａｔ％から２０ａｔ％まで増加する
につれて単調に増大し、２０ａｔ％程度の添加濃度にお
いて８００Ｋという高い温度で飽和する。また、実線ａ
２は、ＣｒＲｕ合金のネール温度がＲｕの添加濃度に対
して変化する様子を示す。この実線ａ２に示されるよう
に、ＣｒＲｕ合金のネール温度は、Ｒｕの添加濃度が０
ａｔ％から８ａｔ％程度まで増加するにつれて単調に増
大した後、８ａｔ％付近でピークを持ち、５００Ｋを超
える高い温度となる。その後、Ｒｕの添加濃度が８ａｔ
％程度以上に増加するとそのネール温度は単調に減少す
る。また、実線ａ３は、ＣｒＲｅ合金のネール温度がＲ
ｅの添加濃度に対して変化する様子を示す。この実線ａ
３に示されるように、ＣｒＲｅ合金のネール温度は、Ｒ
ｅの添加濃度が０ａｔ％から３ａｔ％程度まで増加する
につれて単調に増大した後、３ａｔ％付近でピークを持
ち、６００Ｋという高い温度となる。その後、Ｒｅの添
加濃度が３ａｔ％程度以上に増加するとそのネール温度
は単調に減少する。
【００８１】以上のように、ＭｎあるいはＲｕあるいは
Ｒｅであれば、Ｃｒに数ａｔ％添加されるだけで、Ｃｒ
のネール温度は２００Ｋ以上向上する。そして、ＣｒＭ
ｎ合金、ＣｒＲｕ合金、ＣｒＲｅ合金のそれぞれの合金
が４００Ｋを超えるネール温度を有するには、それぞれ
５ａｔ％以上のＭｎの添加濃度、２ａｔ％以上１８％以
下のＲｕの添加濃度、２ａｔ％以上１４％以下のＲｅの
添加濃度を有する合金であればよい。なお、ＣｒＭｎ合
金のＭｎの添加濃度は、スパッタ法により安定に体心立
方構造の合金として形成される８０％を上限とすること
が好ましい。本発明の磁気記憶媒体の分断層は、上述し
た実施形態の磁気記憶媒体ｍ２の分断層２を構成する材
料のＣｒＭｎ30以外に、上記それぞれの合金に応じた範
囲内の添加濃度を有するＣｒＭｎ合金、ＣｒＲｕ合金、
およびＣｒＲｅ合金のいずれかであってもよい。なお、
図３のグラフのデータは「磁性体ハンドブック」（近角
聡信、他、編集、昭和５０年、朝倉書店刊、初版）を参
照した。
Ｒｅであれば、Ｃｒに数ａｔ％添加されるだけで、Ｃｒ
のネール温度は２００Ｋ以上向上する。そして、ＣｒＭ
ｎ合金、ＣｒＲｕ合金、ＣｒＲｅ合金のそれぞれの合金
が４００Ｋを超えるネール温度を有するには、それぞれ
５ａｔ％以上のＭｎの添加濃度、２ａｔ％以上１８％以
下のＲｕの添加濃度、２ａｔ％以上１４％以下のＲｅの
添加濃度を有する合金であればよい。なお、ＣｒＭｎ合
金のＭｎの添加濃度は、スパッタ法により安定に体心立
方構造の合金として形成される８０％を上限とすること
が好ましい。本発明の磁気記憶媒体の分断層は、上述し
た実施形態の磁気記憶媒体ｍ２の分断層２を構成する材
料のＣｒＭｎ30以外に、上記それぞれの合金に応じた範
囲内の添加濃度を有するＣｒＭｎ合金、ＣｒＲｕ合金、
およびＣｒＲｅ合金のいずれかであってもよい。なお、
図３のグラフのデータは「磁性体ハンドブック」（近角
聡信、他、編集、昭和５０年、朝倉書店刊、初版）を参
照した。
【００８２】次に、上述した、そこに記録されている磁
気情報を再生した際のＳiso／Ｎmが大きく、またその磁
気情報が熱揺らぎに対して安定である本実施形態の磁気
記憶媒体ｍ２は、その１部分の構成を変更することによ
り、そこに記録されている磁気情報がさらに熱揺らぎに
対して安定になる。以下、そのような、磁気情報を熱揺
らぎに対してさらに安定にするいくつかの構成について
順に説明する。
気情報を再生した際のＳiso／Ｎmが大きく、またその磁
気情報が熱揺らぎに対して安定である本実施形態の磁気
記憶媒体ｍ２は、その１部分の構成を変更することによ
り、そこに記録されている磁気情報がさらに熱揺らぎに
対して安定になる。以下、そのような、磁気情報を熱揺
らぎに対してさらに安定にするいくつかの構成について
順に説明する。
【００８３】まず、下地層４の材料として非磁性のＣｒ
Ｍｏ10の代わりに反強磁性材料を採用することにより、
磁気情報の熱揺らぎに対する安定性がさらに増すことに
ついて説明する。
Ｍｏ10の代わりに反強磁性材料を採用することにより、
磁気情報の熱揺らぎに対する安定性がさらに増すことに
ついて説明する。
【００８４】表２は、３種類の媒体における、温度３０
０Ｋで逆印加磁界Ｈrが無い場合のＴ90の測定結果を示
す表である。
０Ｋで逆印加磁界Ｈrが無い場合のＴ90の測定結果を示
す表である。
【００８５】
【表２】
【００８６】表２の左の欄には測定された媒体の種類が
示されている。それらの媒体のうちの１つは、テクスチ
ャ処理済みのＡｌ／ＮｉＰディスク基板に隣接して、非
磁性のＣｒＭｏ10からなる２５ｎｍの厚さを有する下地
層が形成されており、その下地層の上部にＣｏ72Ｃｒ19
Ｐｔ5Ｔａ2Ｎｂ2からなる２５ｎｍの厚さを有する単層
の磁気記録層が形成され、さらに、その磁気記録層の上
部にカーボンからなる８ｎｍの厚さの保護層が形成され
た媒体ｍ３である。また、残りの２つの媒体は、媒体ｍ
３から、媒体ｍ３の下地層のみを、その下地層の厚さは
２５ｎｍのまま、反強磁性材料であるＣｒＭｎ40からな
る下地層に置き換えた媒体ｍ４、および、媒体ｍ３か
ら、媒体ｍ３の下地層のみを、その下地層の厚さは２５
ｎｍのまま、反強磁性材料のＣｒＭｎ40Ｐｔ5からなる
下地層に置き換えた媒体ｍ５である。これらの媒体は、
上述した実施形態の磁気記憶媒体ｍ２と同様に、磁気記
憶媒体ｍ２の製造条件と同じ、製膜室中のガス分圧およ
び基板の温度の下でＤＣマグネトロンスパッタ法により
無バイアスで各媒体の各層の製膜が進められて、製造さ
れた。
示されている。それらの媒体のうちの１つは、テクスチ
ャ処理済みのＡｌ／ＮｉＰディスク基板に隣接して、非
磁性のＣｒＭｏ10からなる２５ｎｍの厚さを有する下地
層が形成されており、その下地層の上部にＣｏ72Ｃｒ19
Ｐｔ5Ｔａ2Ｎｂ2からなる２５ｎｍの厚さを有する単層
の磁気記録層が形成され、さらに、その磁気記録層の上
部にカーボンからなる８ｎｍの厚さの保護層が形成され
た媒体ｍ３である。また、残りの２つの媒体は、媒体ｍ
３から、媒体ｍ３の下地層のみを、その下地層の厚さは
２５ｎｍのまま、反強磁性材料であるＣｒＭｎ40からな
る下地層に置き換えた媒体ｍ４、および、媒体ｍ３か
ら、媒体ｍ３の下地層のみを、その下地層の厚さは２５
ｎｍのまま、反強磁性材料のＣｒＭｎ40Ｐｔ5からなる
下地層に置き換えた媒体ｍ５である。これらの媒体は、
上述した実施形態の磁気記憶媒体ｍ２と同様に、磁気記
憶媒体ｍ２の製造条件と同じ、製膜室中のガス分圧およ
び基板の温度の下でＤＣマグネトロンスパッタ法により
無バイアスで各媒体の各層の製膜が進められて、製造さ
れた。
【００８７】表２の右の欄には、左の欄の各媒体におけ
るＴ90が示される。これらの時間Ｔ 90は、逆印加磁界Ｈ
rが無く温度３００Ｋの条件で、それぞれの媒体の残留
磁化Ｍrの時間変化をＳＱＵＩＤによって測定すること
で求められた。
るＴ90が示される。これらの時間Ｔ 90は、逆印加磁界Ｈ
rが無く温度３００Ｋの条件で、それぞれの媒体の残留
磁化Ｍrの時間変化をＳＱＵＩＤによって測定すること
で求められた。
【００８８】Ｔ90は、非磁性のＣｒＭｏ10からなる下地
層を有する磁気記憶媒体ｍ３では約１０19年であったの
に対し、反強磁性材料のＣｒＭｎ40からなる下地層を有
する磁気記憶媒体ｍ４では約１０29年と１０10倍程度長
くなる。この理由は、分断層に反強磁性材料を用いた場
合と同様に、強磁性を示す磁気記録層の磁化と、この磁
化に隣接する、反強磁性の層の界面の磁化との間に互い
に交換相互作用が働くことにあると考えられる。
層を有する磁気記憶媒体ｍ３では約１０19年であったの
に対し、反強磁性材料のＣｒＭｎ40からなる下地層を有
する磁気記憶媒体ｍ４では約１０29年と１０10倍程度長
くなる。この理由は、分断層に反強磁性材料を用いた場
合と同様に、強磁性を示す磁気記録層の磁化と、この磁
化に隣接する、反強磁性の層の界面の磁化との間に互い
に交換相互作用が働くことにあると考えられる。
【００８９】また、Ｐｔを含むＣｒＭｎ40Ｐｔ5からな
る反強磁性の下地層を有する磁気記憶媒体ｍ５では、Ｔ
90は、約１０36年と媒体ｍ４のＴ90よりさらに１０7倍
程度長くなる。この要因として、ＣｒＭｎ合金の格子中
に固溶したＰｔ元素が内部磁界によって分極することが
あげられるが、その詳細な機構については明らかではな
い。この分極は、Ｒｕ元素およびＲｈ元素においても知
られており、ＲｕおよびＲｈのいずれかの添加によって
もＴ90の増大を見込むことができる。また、ＣｒＭｎ合
金以外のＣｒを主体とする合金に対しても、上述したＰ
ｔ、ＲｕおよびＲｈの添加によって、Ｔ90が増大すると
考えられる。
る反強磁性の下地層を有する磁気記憶媒体ｍ５では、Ｔ
90は、約１０36年と媒体ｍ４のＴ90よりさらに１０7倍
程度長くなる。この要因として、ＣｒＭｎ合金の格子中
に固溶したＰｔ元素が内部磁界によって分極することが
あげられるが、その詳細な機構については明らかではな
い。この分極は、Ｒｕ元素およびＲｈ元素においても知
られており、ＲｕおよびＲｈのいずれかの添加によって
もＴ90の増大を見込むことができる。また、ＣｒＭｎ合
金以外のＣｒを主体とする合金に対しても、上述したＰ
ｔ、ＲｕおよびＲｈの添加によって、Ｔ90が増大すると
考えられる。
【００９０】このように、反強磁性の分断層を有する本
実施形態の磁気記憶媒体ｍ２において、ＣｒＭｏ10から
なる下地層４が反強磁性の下地層で置き換えられること
により、磁気記録層１の磁化は分断層２の磁化との間の
交換相互作用に加えて、その下地層の磁化との間にも交
換相互作用を及ぼし合うので、その下地層に置き換えら
れてなる磁気記憶媒体は、磁気記憶媒体ｍ２よりもＴ90
の長い、熱的にさらに安定して磁気情報を記憶する媒体
であると考えられる。
実施形態の磁気記憶媒体ｍ２において、ＣｒＭｏ10から
なる下地層４が反強磁性の下地層で置き換えられること
により、磁気記録層１の磁化は分断層２の磁化との間の
交換相互作用に加えて、その下地層の磁化との間にも交
換相互作用を及ぼし合うので、その下地層に置き換えら
れてなる磁気記憶媒体は、磁気記憶媒体ｍ２よりもＴ90
の長い、熱的にさらに安定して磁気情報を記憶する媒体
であると考えられる。
【００９１】この反強磁性の下地層の材料は、分断層２
の材料と同様に、４００Ｋ以上のネール温度を有するこ
とが好ましく、具体的には、５ａｔ％以上８０％以下の
Ｍｎの添加濃度を有するＣｒＭｎ合金、２ａｔ％以上１
８％以下のＲｕの添加濃度を有するＣｒＲｕ合金、およ
び２ａｔ％以上１４ａｔ％以下のＲｅの添加濃度を有す
るＣｒＲｅ合金等が候補としてあげられる。また、この
下地層のそれらの材料に、さらにＭｏおよびＷのうちの
１種類以上の元素が添加されてもよく、その添加により
その材料となる合金の（１１０）面の面間隔は調節され
る。また、この下地層のそれらの材料にさらにＰｔが添
加されてもよく、このＰｔの添加により表２で説明した
ように、その下地層を含む媒体はＴ90が長くなり長期間
安定して磁気情報を記憶すると考えられる。また、Ｐｔ
は、分断層２に添加されてもよく、そのＰｔの添加され
た分断層を含む媒体もＴ90が長くなりさらに長期間安定
して磁気情報を記憶すると考えられる。
の材料と同様に、４００Ｋ以上のネール温度を有するこ
とが好ましく、具体的には、５ａｔ％以上８０％以下の
Ｍｎの添加濃度を有するＣｒＭｎ合金、２ａｔ％以上１
８％以下のＲｕの添加濃度を有するＣｒＲｕ合金、およ
び２ａｔ％以上１４ａｔ％以下のＲｅの添加濃度を有す
るＣｒＲｅ合金等が候補としてあげられる。また、この
下地層のそれらの材料に、さらにＭｏおよびＷのうちの
１種類以上の元素が添加されてもよく、その添加により
その材料となる合金の（１１０）面の面間隔は調節され
る。また、この下地層のそれらの材料にさらにＰｔが添
加されてもよく、このＰｔの添加により表２で説明した
ように、その下地層を含む媒体はＴ90が長くなり長期間
安定して磁気情報を記憶すると考えられる。また、Ｐｔ
は、分断層２に添加されてもよく、そのＰｔの添加され
た分断層を含む媒体もＴ90が長くなりさらに長期間安定
して磁気情報を記憶すると考えられる。
【００９２】上述した反強磁性材料からなる下地層を有
する磁気記憶媒体はＴ90が長いため、反強磁性材料は下
地層の材料として優れているが、結晶性に関しては他の
非磁性の材料の方が優れている場合がある。このような
場合、その反強磁性の下地層の下地として同様の体心立
方構造を有する非磁性の材料からなる下地層を置いて下
地層を２層にすることによりその反強磁性材料の結晶性
がより良くなり、その反強磁性材料からなる層と磁気記
録層のヘテロ・エピタキシャル成長が促進されて磁気記
憶媒体の保持力Ｈcが改善される。ここで述べた非磁性
の下地層の材料としては体心立方構造のＣｒ系合金が適
している。
する磁気記憶媒体はＴ90が長いため、反強磁性材料は下
地層の材料として優れているが、結晶性に関しては他の
非磁性の材料の方が優れている場合がある。このような
場合、その反強磁性の下地層の下地として同様の体心立
方構造を有する非磁性の材料からなる下地層を置いて下
地層を２層にすることによりその反強磁性材料の結晶性
がより良くなり、その反強磁性材料からなる層と磁気記
録層のヘテロ・エピタキシャル成長が促進されて磁気記
憶媒体の保持力Ｈcが改善される。ここで述べた非磁性
の下地層の材料としては体心立方構造のＣｒ系合金が適
している。
【００９３】次に、磁気記録層１の磁気異方性を大きく
することにより、磁気記憶媒体ｍ２に記憶される磁気情
報の熱揺らぎに対する安定性がさらに増すことについて
説明する。
することにより、磁気記憶媒体ｍ２に記憶される磁気情
報の熱揺らぎに対する安定性がさらに増すことについて
説明する。
【００９４】図４は、磁気記録層の磁化のオリエンテー
ション・レシオ（ＯＲ）に対するＴ 90の変化のシミュレ
ーション結果を示すグラフである。
ション・レシオ（ＯＲ）に対するＴ 90の変化のシミュレ
ーション結果を示すグラフである。
【００９５】このシミュレーションは、モンテカルロ法
を併用したマイクロ・マグネティック・シミュレーショ
ンであり、このシミュレーションにより、単層の磁気記
録層の１ビット領域での磁化の熱緩和の様子が、その領
域内の各強磁性結晶粒子のそれぞれの磁化のとる様々な
配位での、異方性エネルギー、ゼーマンエネルギー、静
磁気エネルギー、および交換相互作用によるエネルギー
に基づいて調べられ、その１ビット領域での磁化Ｔ90が
計算された。
を併用したマイクロ・マグネティック・シミュレーショ
ンであり、このシミュレーションにより、単層の磁気記
録層の１ビット領域での磁化の熱緩和の様子が、その領
域内の各強磁性結晶粒子のそれぞれの磁化のとる様々な
配位での、異方性エネルギー、ゼーマンエネルギー、静
磁気エネルギー、および交換相互作用によるエネルギー
に基づいて調べられ、その１ビット領域での磁化Ｔ90が
計算された。
【００９６】ＯＲとは、ヘッド走行方向、つまり一般に
ディスク基板の円周方向に磁界を印加して測定した場合
の保持力Ｈccと径方向に磁界を印加して測定した場合の
保持力Ｈcrとの比Ｈcc／Ｈcrであり、しばしば磁気異方
性の評価基準となる。
ディスク基板の円周方向に磁界を印加して測定した場合
の保持力Ｈccと径方向に磁界を印加して測定した場合の
保持力Ｈcrとの比Ｈcc／Ｈcrであり、しばしば磁気異方
性の評価基準となる。
【００９７】グラフの横軸は、磁気記録層の厚さをｎｍ
単位で表す。磁気記録層の厚さは、このシミュレーショ
ンでは各強磁性結晶粒子の高さに相当する。縦軸は、こ
の磁気記録層の磁化のＴ90を対数スケールで表す。白丸
ｂ１が示すように、ＯＲ＝１．０の場合に、厚さが１０
ｎｍの磁気記録層の磁化のＴ90は１０4秒となった。な
お、この磁気記録層では、厚さが１０ｎｍで、（Ｋ
uＶ）／（ｋBＴ）の値は４２．２である。この図４のグ
ラフではＫu／（ｋBＴ）の値は常に一定であり、各強磁
性結晶粒子の層面内の面積は一定であるので、（Ｋ
uＶ）／（ｋBＴ）の値は、横軸が表す厚さに比例する。
単位で表す。磁気記録層の厚さは、このシミュレーショ
ンでは各強磁性結晶粒子の高さに相当する。縦軸は、こ
の磁気記録層の磁化のＴ90を対数スケールで表す。白丸
ｂ１が示すように、ＯＲ＝１．０の場合に、厚さが１０
ｎｍの磁気記録層の磁化のＴ90は１０4秒となった。な
お、この磁気記録層では、厚さが１０ｎｍで、（Ｋ
uＶ）／（ｋBＴ）の値は４２．２である。この図４のグ
ラフではＫu／（ｋBＴ）の値は常に一定であり、各強磁
性結晶粒子の層面内の面積は一定であるので、（Ｋ
uＶ）／（ｋBＴ）の値は、横軸が表す厚さに比例する。
【００９８】白丸ｂ１を通る実線は磁気記録層の磁化の
ＯＲが１．０であることを表す。この実線上にある、白
丸ｂ２、白丸ｂ３、白丸ｂ４、白丸ｂ５それぞれが示す
ように、磁気記録層の厚さがそれぞれ１５ｎｍ、２０ｎ
ｍ、２５ｎｍ、３０ｎｍであるとき、それらの厚さで、
磁気記録層中の強磁性結晶粒子の（ＫuＶ）／（ｋBＴ）
はそれぞれ６３．２、８４．３、１０５．４、１２６．
４５という値をとり、それらの値を持つ強磁性結晶粒子
を有する磁気記録層の磁化のＴ90はそれぞれおおよそ、
１０10秒、１０15秒、１０20秒、１０26秒であった。こ
のように、磁気記録層の磁化のＯＲが一定の場合、磁気
記録層中の強磁性結晶粒子の（ＫuＶ）／（ｋBＴ）の値
が増大するとともに磁気記録層の磁化のＴ90は指数関数
的に長くなった。
ＯＲが１．０であることを表す。この実線上にある、白
丸ｂ２、白丸ｂ３、白丸ｂ４、白丸ｂ５それぞれが示す
ように、磁気記録層の厚さがそれぞれ１５ｎｍ、２０ｎ
ｍ、２５ｎｍ、３０ｎｍであるとき、それらの厚さで、
磁気記録層中の強磁性結晶粒子の（ＫuＶ）／（ｋBＴ）
はそれぞれ６３．２、８４．３、１０５．４、１２６．
４５という値をとり、それらの値を持つ強磁性結晶粒子
を有する磁気記録層の磁化のＴ90はそれぞれおおよそ、
１０10秒、１０15秒、１０20秒、１０26秒であった。こ
のように、磁気記録層の磁化のＯＲが一定の場合、磁気
記録層中の強磁性結晶粒子の（ＫuＶ）／（ｋBＴ）の値
が増大するとともに磁気記録層の磁化のＴ90は指数関数
的に長くなった。
【００９９】次にこのＯＲの変化によるＴ90の変化につ
いて説明するため、磁気記録層厚さが２０ｎｍの場合に
着目する。この場合には、（ＫuＶ）／（ｋBＴ）の値は
８４．３と一定であり、Ｂｒ・ｔは８０Ｇａｕｓｓ・μ
ｍ程度の値であった。厚さが２０ｎｍの場合、白四角ｂ
３１、白四角ｂ３２、白四角ｂ３３、白四角ｂ３４、白
四角ｂ３５それぞれが示すように、磁気記録層の磁化の
ＯＲがそれぞれ、０．８６、１．００、１．０６、１．
１６、１．３６という値をとるとき、それらの値を持つ
強磁性結晶粒子を有する磁気記録層の磁化のＴ90はそれ
ぞれおおよそ、１０13秒、１０15秒、１０18秒、１０22
秒、１０31秒であった。
いて説明するため、磁気記録層厚さが２０ｎｍの場合に
着目する。この場合には、（ＫuＶ）／（ｋBＴ）の値は
８４．３と一定であり、Ｂｒ・ｔは８０Ｇａｕｓｓ・μ
ｍ程度の値であった。厚さが２０ｎｍの場合、白四角ｂ
３１、白四角ｂ３２、白四角ｂ３３、白四角ｂ３４、白
四角ｂ３５それぞれが示すように、磁気記録層の磁化の
ＯＲがそれぞれ、０．８６、１．００、１．０６、１．
１６、１．３６という値をとるとき、それらの値を持つ
強磁性結晶粒子を有する磁気記録層の磁化のＴ90はそれ
ぞれおおよそ、１０13秒、１０15秒、１０18秒、１０22
秒、１０31秒であった。
【０１００】このように、Ｂｒ・ｔが８０Ｇａｕｓｓ・
μｍ程度の媒体において、磁気記録層の磁化の磁気異方
性の指標ともなるＯＲを０．１向上させると、磁気記録
層の磁化のＴ90は１０4〜１０5倍と大きく改善された。
また、白四角ｂ３１〜白四角ｂ３５のそれぞれの白四角
を通る破線は、それらの白四角のＯＲと同じＯＲを持つ
磁気記録層の厚さを変化させたときのＴ90の変化の様子
を表す。その厚さによらず、ＯＲの向上とともにＴ90は
大きく改善されることがわかる。
μｍ程度の媒体において、磁気記録層の磁化の磁気異方
性の指標ともなるＯＲを０．１向上させると、磁気記録
層の磁化のＴ90は１０4〜１０5倍と大きく改善された。
また、白四角ｂ３１〜白四角ｂ３５のそれぞれの白四角
を通る破線は、それらの白四角のＯＲと同じＯＲを持つ
磁気記録層の厚さを変化させたときのＴ90の変化の様子
を表す。その厚さによらず、ＯＲの向上とともにＴ90は
大きく改善されることがわかる。
【０１０１】このシミュレーションの結果より、磁気記
憶媒体の、ＯＲの大きさにより表されるディスクの円周
方向への磁気異方性が大きい程、Ｔ90により表される、
その磁気記憶媒体の磁気情報が長期間安定に保持される
ことが確認された。
憶媒体の、ＯＲの大きさにより表されるディスクの円周
方向への磁気異方性が大きい程、Ｔ90により表される、
その磁気記憶媒体の磁気情報が長期間安定に保持される
ことが確認された。
【０１０２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
高記録密度で情報を記録し、かつその情報を高い信号品
質（高Ｓ／Ｎm）で再生することが可能であるととも
に、その情報の熱揺らぎに対する安定性を増すことで情
報の長寿命化が図られた磁気記憶媒体を提供することが
できる。
高記録密度で情報を記録し、かつその情報を高い信号品
質（高Ｓ／Ｎm）で再生することが可能であるととも
に、その情報の熱揺らぎに対する安定性を増すことで情
報の長寿命化が図られた磁気記憶媒体を提供することが
できる。
【図１】本発明の実施形態の磁気記憶媒体の断面構造を
示す図である。
示す図である。
【図２】分断層を構成する材料と磁気記録層を構成する
材料の結晶構造を示す図である。
材料の結晶構造を示す図である。
【図３】Ｃｒに、Ｍｎ、Ｒｕ、およびＲｅのそれぞれの
元素が添加されたそれぞれの合金における、添加された
元素の添加濃度に対する合金のネール温度の変化を示す
グラフである。
元素が添加されたそれぞれの合金における、添加された
元素の添加濃度に対する合金のネール温度の変化を示す
グラフである。
【図４】磁気記録層の磁化のオリエンテーション・レシ
オ（ＯＲ）に対するＴ90の変化のシミュレーション結果
を示すグラフである。
オ（ＯＲ）に対するＴ90の変化のシミュレーション結果
を示すグラフである。
１ 磁気記録層 １＿１ 第１の磁気記録層 １＿２ 第２の磁気記録層 ２ 分断層 ３ 基板 ４ 下地層 ５ 保護層 ６ 六方晶単位セル ７ 立方晶下地 ８ （１１０）面 ９ ｃ軸 １０ （００１）面 １１ （００２）面
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 佐藤 賢治 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 (72)発明者 岡本 巌 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 Ｆターム(参考） 5D006 AA02 BB01 BB02 BB07 BB08 CA01 CA05 DA03 FA09
Claims (22)
- 【請求項１】 非磁性の基体と、複数の強磁性の磁気記
録層と、これらの複数の磁気記録層どうしの間に介在し
てこれら複数の磁気記録層を相互に分断する、反強磁性
の分断層とを有することを特徴とする磁気記憶媒体。 - 【請求項２】 前記分断層が体心立方構造を有する材料
からなり、前記複数の磁気記録層それぞれが、六方晶の
結晶構造を有するとともに一軸結晶磁気異方性を有する
材料からなることを特徴とする請求項１記載の磁気記憶
媒体。 - 【請求項３】 前記磁気記録層が、Ｃｏに、Ｃｒ、Ｐ
ｔ、およびＴａのうちの１種類以上の元素が添加され
た、強磁性の合金からなることを特徴とする請求項１記
載の磁気記憶媒体。 - 【請求項４】 前記分断層が、Ｃｒに、Ｍｎ、Ｒｕ、お
よびＲｅのうちの１種類以上の元素が添加された合金か
らなることを特徴とする請求項１記載の磁気記憶媒体。 - 【請求項５】 前記分断層が、Ｃｒに、５ａｔ％以上８
０ａｔ％以下の濃度のＭｎが添加された合金からなる層
であることを特徴とする請求項４記載の磁気記憶媒体。 - 【請求項６】 前記分断層が、Ｃｒに、２ａｔ％以上１
８ａｔ％以下の濃度のＲｕが添加された合金からなる層
であることを特徴とする請求項４記載の磁気記憶媒体。 - 【請求項７】 前記分断層が、Ｃｒに、２ａｔ％以上１
４ａｔ％以下の濃度のＲｅが添加された合金からなる層
であることを特徴とする請求項４記載の磁気記憶媒体。 - 【請求項８】 前記分断層が、Ｃｒに、Ｍｎ、Ｒｕ、お
よびＲｅのうちの１種類以上の元素が添加され、さらに
ＭｏおよびＷのうちの１種類以上が添加された合金から
なる層であることを特徴とする請求項４記載の磁気記憶
媒体。 - 【請求項９】 前記分断層が、Ｃｒに、Ｍｎ、Ｒｕ、お
よびＲｅのうちの１種類以上の元素が添加され、さらに
ＰｔおよびＲｈのうち１種類以上の元素が添加された合
金からなる層であることを特徴とする請求項４記載の磁
気記憶媒体。 - 【請求項１０】 前記分断層が、Ｃｒに、Ｍｎ、Ｒｕ、
およびＲｅのうちの１種類以上の元素が添加された、４
００Ｋ以上のネール温度を有する合金からなる層である
ことを特徴とする請求項４記載の磁気記憶媒体。 - 【請求項１１】 前記基体に隣接して、体心立方構造を
有する材料からなる非磁性層と体心立方構造を有する材
料からなる反強磁性層とのうちの少なくとも１層からな
る下地層を有し、前記複数の磁気記録層のうちの最下層
の磁気記録層が該下地層に隣接して形成されてなること
を特徴とする請求項１記載の磁気記憶媒体。 - 【請求項１２】 前記下地層が、前記非磁性層を有し、
該非磁性層が、Ｃｒを含み、さらにＣｒ中にＭｏあるい
はＷが添加された材料からなる層であることを特徴とす
る請求項１１記載の磁気記憶媒体。 - 【請求項１３】 前記下地層が、前記反強磁性層を有
し、該反強磁性層が、Ｃｒを含み、さらにＣｒ中にＭ
ｎ、Ｒｕ、およびＲｅのうちの１種類以上の元素が添加
された合金からなることを特徴とする請求項１１記載の
磁気記憶媒体。 - 【請求項１４】 前記下地層が、前記反強磁性層を有
し、該反強磁性層が、Ｃｒを含み、さらにＣｒ中に５ａ
ｔ％以上８０ａｔ％以下の濃度のＭｎが添加された合金
からなる層であることを特徴とする請求項１３記載の磁
気記憶媒体。 - 【請求項１５】 前記下地層が、前記反強磁性層を有
し、該反強磁性層が、Ｃｒを含み、さらにＣｒ中に２ａ
ｔ％以上１８ａｔ％以下の濃度のＲｕが添加された合金
からなる層であることを特徴とする請求項１３記載の磁
気記憶媒体。 - 【請求項１６】 前記下地層が、前記反強磁性層を有
し、該反強磁性層が、Ｃｒを含み、さらにＣｒ中に２ａ
ｔ％以上１４ａｔ％以下の濃度のＲｅが添加された合金
からなる層であることを特徴とする請求項１３記載の磁
気記憶媒体。 - 【請求項１７】 前記下地層が、前記反強磁性層を有
し、該反強磁性層が、Ｃｒを含み、さらにＣｒ中にＭ
ｎ、Ｒｕ、およびＲｅのうちの１種類以上の元素が添加
され、さらにＭｏおよびＷのうちの１種類以上の元素が
添加された合金からなる層であることを特徴とする請求
項１３記載の磁気記憶媒体。 - 【請求項１８】 前記下地層が、前記反強磁性層を有
し、該反強磁性層が、Ｃｒを含み、さらにＣｒ中にＭ
ｎ、Ｒｕ、およびＲｅのうちの１種類以上の元素が添加
され、さらにＰｔおよびＲｈのうち１種類以上の元素が
添加された合金からなる層であることを特徴とする請求
項１３記載の磁気記憶媒体。 - 【請求項１９】 前記下地層が、前記反強磁性層を有
し、該反強磁性層が、Ｃｒを含み、さらにＣｒ中にＭ
ｎ、Ｒｕ、およびＲｅのうちの１種類以上の元素が添加
された、４００Ｋ以上のネール温度を有する合金からな
る層であることを特徴とする請求項１３記載の磁気記憶
媒体。 - 【請求項２０】 前記磁気記録層のうちの最上層に隣接
してカーボンを含有する保護層を有することを特徴とす
る請求項１記載の磁気記憶媒体。 - 【請求項２１】 前記磁気記録層が、該磁気記録層の残
留磁束密度Ｂｒと該磁気記録層の厚さの総和ｔとの積Ｂ
ｒ・ｔが２０Ｇａｕｓｓ・μｍ以上１００Ｇａｕｓｓ・
μｍ以下となるものであることを特徴とする請求項１記
載の磁気記憶媒体。 - 【請求項２２】 前記基体がディスク状の基体であると
ともに、前記複数の磁気記録層が、それらの磁気記録層
それぞれを構成する材料の一軸結晶磁気異方性の方向が
該ディスク状の基体の円周方向に揃うものであることを
特徴とする請求項２記載の磁気記憶媒体。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11077741A JP2000276726A (ja) | 1999-03-23 | 1999-03-23 | 磁気記憶媒体 |
| US09/405,725 US6534204B1 (en) | 1999-03-23 | 1999-09-24 | Magnetic storage medium |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11077741A JP2000276726A (ja) | 1999-03-23 | 1999-03-23 | 磁気記憶媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000276726A true JP2000276726A (ja) | 2000-10-06 |
Family
ID=13642345
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11077741A Pending JP2000276726A (ja) | 1999-03-23 | 1999-03-23 | 磁気記憶媒体 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6534204B1 (ja) |
| JP (1) | JP2000276726A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002045081A1 (fr) * | 2000-11-29 | 2002-06-06 | Fujitsu Limited | Support magnetique d'enregistrement et dispositif magnetique de stockage |
| US6761982B2 (en) | 2000-12-28 | 2004-07-13 | Showa Denko Kabushiki Kaisha | Magnetic recording medium, production process and apparatus thereof, and magnetic recording and reproducing apparatus |
| US6808830B2 (en) | 2001-12-28 | 2004-10-26 | Showa Denko K.K. | Magnetic recording medium, production process and apparatus thereof, and magnetic recording and reproducing apparatus |
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